TW201901703A - 電磁波吸收濾波器 - Google Patents

電磁波吸收濾波器 Download PDF

Info

Publication number
TW201901703A
TW201901703A TW107104943A TW107104943A TW201901703A TW 201901703 A TW201901703 A TW 201901703A TW 107104943 A TW107104943 A TW 107104943A TW 107104943 A TW107104943 A TW 107104943A TW 201901703 A TW201901703 A TW 201901703A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electromagnetic wave
film
absorption filter
layer
wave absorption
Prior art date
Application number
TW107104943A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI653642B (zh
Inventor
加川清二
Original Assignee
加川清二
加川敦子
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 加川清二, 加川敦子 filed Critical 加川清二
Publication of TW201901703A publication Critical patent/TW201901703A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI653642B publication Critical patent/TWI653642B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B11/00—Communication cables or conductors
    • H01B11/02—Cables with twisted pairs or quads
    • H01B11/06—Cables with twisted pairs or quads with means for reducing effects of electromagnetic or electrostatic disturbances, e.g. screens
    • H01B11/10—Screens specially adapted for reducing interference from external sources
    • H01B11/105—Screens specially adapted for reducing interference from external sources composed of a longitudinally posed wire-conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B11/00—Communication cables or conductors
    • H01B11/002—Pair constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • H01B7/02—Disposition of insulation
    • H01B7/0208—Cables with several layers of insulating material
    • H01B7/0216—Two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0064—Earth or grounding circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0086—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single discontinuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal grid, perforated metal foil, film, aggregated flakes, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0098—Shielding materials for shielding electrical cables

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Communication Cables (AREA)

Abstract

本發明的電磁波吸收濾波器，自內側依序具有電磁波吸收層、絕緣層、及電磁波遮蔽層，電磁波吸收層是由至少2片電磁波吸收薄膜的積層體所構成，各電磁波吸收薄膜，具有設置於塑膠薄膜的一面上的金屬薄膜，在金屬薄膜上於複數方向形成有多數條線狀痕跡，各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90的範圍內，2片電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉，2片電磁波吸收薄膜具有不同的長度，短的一方的電磁波吸收薄膜的長度L2 相對於長的一方的電磁波吸收薄膜的長度L1 的比為30～70%。

Description

電磁波吸收濾波器
本發明關於一種電磁波吸收濾波器，其捲繞於導電纜線上並具有高的電磁波吸收能力。
電磁波不僅會自電器用品和電子機器的纜線放射出來，周圍的電磁波也會侵入纜線，從而使雜訊混入訊號中。為了防止來自纜線之電磁波的放射及朝向纜線之電磁波的侵入，在先前的纜線上藉由金屬網或金屬箔來實行遮蔽。例如日本特開平11-185542號公報，揭露一種附加有薄膜磁性體遮蔽之纜線，其在複數條訊號線的周圍施加絕緣帶，並在該絕緣帶上捲繞地附加帶子，該帶子是將薄膜的高導磁率材料(高導磁合金等)積層在導電性高的金屬箔(銅箔等)上而成，進一步在該帶子上施加絕緣體。但是，卻會有不能夠完全地遮蔽高頻雜訊這樣的問題，因而取代電磁波遮蔽而提出一種藉由電磁波吸收來防止電磁波的放射和侵入的技術。
日本特開2005-259385號公報，揭露一種通訊用纜線，其具備：複數條第一雙絞線，其藉由橡膠皮膜來使2條金屬芯線電性絕緣；第一包覆材，其包覆第一雙絞線；複數條第二雙絞線，其藉由橡膠皮膜來使2條金屬芯線電性絕緣，並被配置在第一包覆材的外側；第二包覆材，其包覆第二雙絞線；金屬網組，其包覆第二包覆材；及，絕緣體層，其包覆金屬網組。第一包覆材和第二包覆材的任一種都具有由磁性體層與導電體層構成的2層結構。磁性體層，例如是由利用黏合劑來結合非晶質合金微粒子而成的片材所構成；導電體層，例如是由利用黏合劑來結合銀微粒子而成的片材所構成。但是，在此通訊用纜線中，使用具有由磁性體層與導電體層構成的2層結構之包覆材，因此纜線整體只好變粗，又會有高價的缺點。
日本特開2009-71266號公報，揭露一種通訊用纜線，其具有利用絕緣包覆來包住通訊線或電力線之結構，其在絕緣包覆內具有利用電磁波吸收/遮蔽用薄膜來捲繞纜線的結構，該電磁波吸收/遮蔽用薄膜具有電磁波遮蔽層和電磁波吸收層。作為電磁波遮蔽層，舉例有藉由將鋁箔或銅箔積層在聚合物薄膜上、或將Al或Cu蒸鍍在聚合物薄膜上而形成的厚度17～70μm的電磁波遮蔽薄膜。作為電磁波吸收層，舉例有藉由塗佈有金屬碎箔(metal flake)及/或含有可吸收電磁波的Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Cr合金粉末、非晶質金屬粉末等之塗料而成的厚度10～100μm的電磁波吸收薄膜。但是，電磁波吸收/遮蔽用薄膜不僅是成為電磁波遮蔽層和電磁波吸收層的2層結構，其中任一層都是比較厚的層體，因此纜線整體只好變粗，又會有高價的缺點。
也使用一種濾波器，其取代如上所述的包覆纜線整體之電磁波吸收層，而藉由包覆一部分的纜線來吸收自纜線產生的電磁波，並防止外部雜訊朝向纜線的侵入。先前的電磁波吸收濾波器幾乎都是由肥粒鐵燒結體、或混練有肥粒鐵燒結體粉末之樹脂或橡膠的片材所構成。但是這種電磁波吸收濾波器很厚，因此會有體積大的缺點。
[發明所欲解決的問題] 因此，本發明的目的是提供一種薄的電磁波吸收濾波器，其捲繞在通訊纜線和電源纜線上，並能夠有效地抑制電磁波的放射和侵入。
[解決問題的技術手段] 鑒於上述目的而深入研究的結果，本發明人發現將捲繞於通訊纜線和電源纜線(以下單純地稱為「導電纜線」)上之電磁波吸收濾波器，設為自內層開始依序是電磁波吸收層、絕緣層、及電磁波遮蔽層構成的結構，並且，(a)將前述電磁波吸收層，藉由在導電纜線的長度方向上長度不同的2片電磁波吸收薄膜(在設置於塑膠薄膜的一面上之單層或多層的金屬薄膜上，以不規則的寬度和間隔於複數方向形成多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡而成)來構成，且(b)如果將前述電磁波吸收薄膜，以前述線狀痕跡交叉的方式積層，則能夠有效地抑制來自導電纜線之電磁波的放射和朝向導電纜線之電磁波的侵入，從而完成本發明。
亦即，捲繞於導電纜線上之本發明的電磁波吸收濾波器，其特徵在於： 自內層開始依序具有電磁波吸收層、絕緣層、及電磁波遮蔽層； 前述電磁波吸收層是由至少2片電磁波吸收薄膜的積層體所構成； 前述各電磁波吸收薄膜，具有設置於塑膠薄膜的一面上之單層或多層的金屬薄膜，在前述金屬薄膜上，以不規則的寬度和間隔於複數方向形成有多數(複數)條實質上平行且斷續的線狀痕跡； 前述各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90的範圍內； 一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉； 前述2片電磁波吸收薄膜，在前述導電纜線的長度方向上具有不同的長度； 並且，短的一方的電磁波吸收薄膜的長度L2 相對於長的一方的電磁波吸收薄膜的長度L1 的比也就是L2 /L1 為30～70%。
較佳是一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的最小交叉角α為10～45。
較佳是在前述各電磁波吸收薄膜中，前述線狀痕跡的90%以上的寬度是在0.1～100μm的範圍內，平均寬度為1～50μm；前述線狀痕跡的橫方向間隔是在1～500μm的範圍內，且橫方向平均間隔為10～100μm。
前述絕緣層，較佳是由熱可塑性樹脂或橡膠所構成。前述絕緣層也可以含有磁性粒子。
前述絕緣層的厚度較佳為0.5mm以上，更佳為1mm以上。
前述電磁波遮蔽層，較佳是由塑膠薄膜、及設置於該塑膠薄膜的一面上之單層或多層的金屬薄膜所構成。前述金屬薄膜，較佳是由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中選出的至少一種金屬所構成。前述金屬薄膜，較佳是蒸鍍膜。
較佳是在前述電磁波遮蔽層上貼附有接地線。
雖然參照附加圖式來詳細地說明本發明的實施形態，但是如果沒有特別說明，則關於一個實施形態的說明也適用於其他的實施形態。又，下述說明並非用以限定，也可以在本發明的技術思想的範圍內實施各種變化。
[1]電磁波吸收濾波器的構成 第1圖表示捲繞於導電纜線20上之本發明的電磁波吸收濾波器10的內部結構。電磁波吸收濾波器10，自內側依序具有電磁波吸收層110、絕緣層120、及電磁波遮蔽層130。如第2圖和第3圖所示，電磁波吸收層110藉由至少2片電磁波吸收薄膜111、112的積層體所構成。在各電磁波吸收薄膜111、112的設置於塑膠薄膜111a、112a的一面上之單層或多層的金屬薄膜111b、112b上，以不規則的寬度和間隔於複數方向形成有多數(複數)條實質上平行且斷續的線狀痕跡113。2片電磁波吸收薄膜111、112，較佳是其金屬薄膜111b、112b以相對於塑膠薄膜111a、112a位於相同側(電磁波吸收薄膜111的金屬薄膜111b連接電磁波吸收薄膜112的塑膠薄膜112a)的方式來積層。另外，在圖示的例子中，導電纜線20，是由下述構件所構成：一對的導線21、21；包覆各導線21之絕緣性內皮22；及，包覆絕緣性內皮22、22之絕緣性外皮23。此導電纜線20適用於訊號線等，但不受限於此。
[2]電磁波吸收薄膜的構成要素 (1)電磁波吸收薄膜 如第5圖(a)和第5圖(b)所示，電磁波吸收薄膜111(112)，具有塑膠薄膜111a(112a)、及設置於該塑膠薄膜111a(112a)的至少一面上之單層或多層的金屬薄膜111b(112b)，並在金屬薄膜111b(112b)上以不規則的寬度和間隔於複數方向上形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡113。關於塑膠薄膜111a(112a)、金屬薄膜111b(112b)及線狀痕跡113的構成要素，2片電磁波吸收薄膜111、112並沒有不同，因此以下僅說明電磁波吸收薄膜111。當然，電磁波吸收薄膜111的說明直接相當於電磁波吸收薄膜112的說明。
(a)塑膠薄膜 形成塑膠薄膜111a之樹脂沒有特別限制，只要具有絕緣性並且具有充分的強度、可撓性及加工性即可，舉例有聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚芳硫醚(聚苯硫醚等)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯)等。自強度和成本的觀點來看，較佳是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。塑膠薄膜111a的厚度也可以是8～30μm的程度。
(b)金屬薄膜 形成金屬薄膜111b之金屬沒有特別限制，只要具有導電性即可，但是自耐腐蝕性和成本的觀點來看，較佳是鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金，特佳是鋁、銅、鎳及這些金屬的合金。金屬薄膜111b的厚度較佳是0.01μm以上。金屬薄膜111b的厚度的上限並沒有特別限制，但是在實用上具有10μm的程度就足夠。當然，也可以使用超過10μm的金屬薄膜111b，但是其對於高頻率的電磁波的吸收能力幾乎沒有改變。因此，金屬薄膜111b的厚度，較佳是0.01～10μm，更佳是0.01～5μm，最佳是0.01～1μm。金屬薄膜111b，能夠藉由蒸鍍法(真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等物理蒸鍍法、或電漿CVD(化學氣相沉積，chemical vapor deposition)法、熱CVD法、光CVD法等化學氣相蒸鍍法)、鍍覆法、或者箔接合法來形成。
當金屬薄膜111b是單層時，自導電性、耐腐蝕性及成本的觀點來看，金屬薄膜111b較佳是由鋁或鎳構成。又當金屬薄膜111b是複數層時，也可以藉由非磁性金屬來形成其中一方，並藉由磁性金屬來形成其中另一方。作為非磁性金屬，舉例有鋁、銅、銀、錫及這些金屬的合金；作為磁性金屬，舉例有鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金。磁性金屬薄膜的厚度較佳是0.01μm以上，非磁性金屬薄膜的厚度較佳是0.1μm以上。厚度的上限並沒有特別限制，但是在實用上兩者都可以是具有10μm的程度。更佳是，磁性金屬薄膜的厚度為0.01～5μm，非磁性金屬薄膜的厚度為0.1～5μm。第5圖(e)和第5圖(f)表示在塑膠薄膜111a上形成有2層的金屬薄膜111b1 、111b2 的情況。
(c)線狀痕跡 在第5圖(b)和第5圖(c)所示的例子中，在金屬薄膜111b上以不規則的寬度和間隔於2方向上形成有多數條實質上平行且斷續的線狀痕跡113a、113b。另外，為了說明而在第5圖(c)中誇張地表示線狀痕跡113的深度。如第5圖(d)所示，在2方向上配向的線狀痕跡113具有各種的寬度W和間隔I。線狀痕跡113的寬度W和間隔I，是對應於線狀痕跡形成前的金屬薄膜111b的表面S的高度來決定。線狀痕跡113具有各種寬度W和間隔I，因此電磁波吸收薄膜111能夠效率良好地吸收遍及廣範圍中的頻率的電磁波。
較佳是90%以上的線狀痕跡113的寬度W在0.1～100μm的範圍內，更佳是在0.5～50μm的範圍內，最佳是在0.5～20μm的範圍內。線狀痕跡113的平均寬度Wav，較佳是1～50μm，更佳是1～10μm，最佳是1～5μm。
線狀痕跡113的橫方向間隔I，較佳是在1～500μm的範圍內，更佳是在1～100μm的範圍內，特佳是在1～50μm的範圍內，最佳是在1～30μm的範圍內。又，線狀痕跡113的橫方向平均間隔Iav，較佳是10～100μm，更佳是10～50μm，最佳是10～30μm。
線狀痕跡113的長度Ls，是根據滑動接觸條件(主要是圖案輥和薄膜的相對圓周速度、及複合薄膜對於圖案輥的捲繞角度)來決定，因此只要不改變滑動接觸條件，則大部分都幾乎相同(幾乎都相等於平均長度Lsav)。線狀痕跡113的長度Ls沒有特別限制，但是在實用上也可以是1～100mm的程度，較佳是2～10mm。
線狀痕跡113a、113b的銳角側的交叉角(以下，如果沒有特別說明也可以僅稱為「交叉角」)θs，較佳是30～90，更佳是60～90。藉由調整複合薄膜和圖案輥的滑動接觸條件(滑動接觸方向、相對圓周速度等)，可以得到各種交叉角θs的線狀痕跡113。2片電磁波吸收薄膜111、112的線狀痕跡113的交叉角θs1 、θs2 (參照第10圖)，可以相同也可以不同。
(e)製造方法 第6圖(a)～第6圖(e)表示在2方向上形成線狀痕跡的裝置的一例。此裝置，自上游側依序具有：(a)捲筒221，其供給複合薄膜200，該複合薄膜200是在塑膠薄膜上形成有金屬薄膜而成；(b)第一圖案輥202a，其以與複合薄膜200的寬度方向不同方向的方式被配置於金屬薄膜111b側；(c)第一推壓輥203a，其以位於第一圖案輥202a的上游側的方式被配置在金屬薄膜111b的相反側；(d)第二圖案輥202b，其以相對於複合薄膜200的寬度方向與第一圖案輥202a位於相反方向的方式被配置於金屬薄膜111b側；(e)第二推壓輥203b，其以位於第二圖案輥202b的下游側的方式被配置在金屬薄膜111b的相反側；(f)第一電阻測定手段204a，其以位於第一圖案輥202a和第二圖案輥202b之間的方式被配置在金屬薄膜111b側；(g)第二電阻測定手段204b，其以位於第二圖案輥202b的下游側的方式被配置在金屬薄膜111b側；及，(h)捲筒224，其捲取已附加有線狀痕跡之複合薄膜(電磁波吸收薄膜)111。其他，在規定的位置上配置有複數個引導輥222、223。各圖案輥202a、202b，旋轉自如地被支撐在裝置的框架(未圖示)上，並藉由馬達(未圖示)來旋轉。為了防止彎曲，各圖案輥202a、202b藉由背托輥(例如橡膠輥)205a、205b而被推壓，該背托輥205a、205b旋轉自如地被支撐在裝置的框架(未圖示)上。
如第6圖(c)所示，各推壓輥203a、203b的位置比複合薄膜200與各圖案輥202a、202b作滑動接觸的位置更低，因此複合薄膜200的金屬薄膜111b被推壓至各圖案輥202a、202b。維持地滿足此條件並調整各推壓輥203a、203b的縱方向位置，藉此能夠調整各圖案輥202a、202b對於金屬薄膜111b之推壓力，又也能夠調整與中心角θ1 成比例的滑動接觸距離。
第6圖(d)表示線狀痕跡113a相對於複合薄膜200的行進方向被傾斜地形成的原理。相對於複合薄膜200的行進方向之圖案輥202a是傾斜的，因此圖案輥202a上的硬質微粒子的移動方向(旋轉方向)a與複合薄膜200的行進方向b不同。於是，如X所示，在任意的時點，如果位於圖案輥202a上的點A中的硬質微粒子接觸金屬薄膜111b並形成痕跡B，則在規定時間後，硬質微粒子會移動至點A’，痕跡B會移動至點B’。在硬質微粒子自點A移動到點A’的期間，連續地形成痕跡，因此可以形成自點B’延伸至點A’的線狀痕跡113a。
利用第一圖案輥202a和第二圖案輥202b來形成的第一和第二線狀痕跡的方向和交叉角θs，能夠藉由改變各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200的角度、及/或改變各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200的行進速度之圓周速度來進行調整。例如，如果增加圖案輥202a相對於複合薄膜200的行進速度b之圓周速度a，則如第6圖(d)的Y所示，能夠如線段C’D’般地相對於複合薄膜200的行進方向將線狀痕跡113a的角度設成45。同樣地，如果改變圖案輥202a相對於複合薄膜200的寬度方向之傾斜角θ2 ，便能夠改變圖案輥202a的圓周速度a。這些改變也同樣適用於圖案輥202b。因此，藉由調整兩圖案輥202a、202b，而能夠改變線狀痕跡113a、113b的方向。
各圖案輥202a、202b相對於複合薄膜200傾斜，因此藉由與各圖案輥202a、202b之滑動接觸，使得複合薄膜200受到寬度方向的力量。因此，為了防止複合薄膜200的蛇行(橫向滑動)，較佳是調整相對於各圖案輥202a、202b之各推壓輥203a、203b的縱方向位置及/或角度。例如，如果適當地調整圖案輥202a的軸線與推壓輥203a的軸線的交叉角θ3 ，則以消除寬度方向的力量的方式得到推壓力的寬度方向分布，從而能夠防止蛇行。又，圖案輥202a與推壓輥203a的間隔的調整也有益於防止發生蛇行。為了防止複合薄膜200發生蛇行和斷裂，較佳是使相對於複合薄膜200的寬度方向呈傾斜的第一圖案輥202a和第二圖案輥202b的旋轉方向，與複合薄膜200的行進方向相同。
如第6圖(b)所示，各電阻測定手段(輥)204a、204b，在兩端以隔著絕緣部的方式具有一對電極(未圖示)，在一對電極之間測定附加有線狀痕跡之金屬薄膜111b的電阻。比較利用電阻測定手段204a、204b測定的電阻與目標值，對應於測定的電阻與目標值的差，來調整複合薄膜200的行進速度、圖案輥202a和202b的旋轉速度和傾斜角θ2 、推壓輥203a和203b的位置和傾斜角θ3 等的運轉條件。
為了增大圖案輥202a、202b對於複合薄膜200的推壓力，也可以如第7圖所示在圖案輥202a與圖案輥202b之間設置第三推壓輥203c。藉由第三推壓輥203c來使得與中心角θ1 成比例的金屬薄膜111b的滑動接觸距離也增大，並使得線狀痕跡113a、113b變長。如果調整第三推壓輥203c的位置和傾斜角，也能夠有益於防止複合薄膜200發生蛇行。
運轉條件，不僅決定線狀痕跡的傾斜角和交叉角，也決定這些線狀痕跡的深度、寬度、長度及間隔，該運轉條件是複合薄膜200的行進速度、圖案輥的旋轉速度和傾斜角及推壓力、複合薄膜200的張力等。複合薄膜200的行進速度較佳是5～200m/分鐘，圖案輥的圓周速度較佳是10～2000m/分鐘。圖案輥的傾斜角θ2 較佳是20～60，特佳是45。複合薄膜200的張力較佳是0.05～5 kgf/cm的程度。
用以形成線狀痕跡之圖案輥，是在表面上具有莫氏硬度(Mohs’ hardness)5以上的硬質微粒子之輥，該硬質微粒子具有銳利角部，較佳是例如日本特開2002-59487號公報記載的鑽石輥。線狀痕跡的寬度藉由硬質微粒子的粒徑來決定，因此較佳是90%以上的硬質微粒子具有在1～1000μm的範圍內的粒徑，更佳是具有在10～200μm的範圍內的粒徑。硬質微粒子，較佳是以50%以上的面積率來附著。
(f)線狀痕跡的方向 (i)2片電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角 如第8圖所示，2片電磁波吸收薄膜111、112以線狀痕跡1131 、1132 交叉的方式積層。如果線狀痕跡1131 、1132 不交叉，則無法充分地得到2片電磁波吸收薄膜111、112的積層效果。一方的電磁波吸收薄膜111的線狀痕跡1131 與另一方的電磁波吸收薄膜112的線狀痕跡1132 的最小交叉角α，較佳是10～45。如果最小交叉角α未滿10或超過45，則會有電磁波吸收能力降低的傾向。最小交叉角α，更佳是15～45，最佳是20～45。
(ii)相對於導電纜線之線狀痕跡的方向 如第8圖所示，2片電磁波吸收薄膜111、112的線狀痕跡1131 、1132 的任一條，較佳是相對於導電纜線20呈傾斜。線狀痕跡1131 、1132 相對於導電纜線20之最小傾斜角β，較佳是10～45，更佳是15～35。藉由10～45的傾斜角β，由2片電磁波吸收薄膜的積層體所構成的電磁波吸收層，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
(g)2片電磁波吸收薄膜的長度比 如第3圖和第4圖所示，另一方(短的一方)的電磁波吸收薄膜的112的長度L2 相對於一方(長的一方)的電磁波吸收薄膜111的長度L1 的比L2 /L1 為30～70%。如果L2 /L1 的比未滿30%或超過70%，則得知由2片電磁波吸收薄膜的積層體所構成的電磁波吸收層的電磁波吸收能力會降低。這是無法預期的結果，L2 /L1 的比為30～70%是本發明的重要特徵。L2 /L1 的比的下限較佳是40%，更佳是45%。又，L2 /L1 的比的上限較佳是65%，更佳是60%。
短的電磁波吸收薄膜112，較佳是位於長的電磁波吸收薄膜111的長度方向中央部。例如當L2 /L1 的比是50%時，電磁波吸收薄膜112與電磁波吸收薄膜111的端部間距離D，較佳是自兩端側起算都是25% [(100%-50%)/2]。
在圖式的例子中，內側(靠近導電纜線20的一側)的電磁波吸收薄膜111比外側的電磁波吸收薄膜112更長，但是不受限於此，也可以是外側的電磁波吸收薄膜112比內側的電磁波吸收薄膜111更長。因此，在本發明中的一方的電磁波吸收薄膜，是內側和外側的電磁波吸收薄膜111、112的其中一方。另外，針對電磁波吸收薄膜的寬度，也可以相同也可以不同，但是為了在遍及全部圓周得到充分的電磁波吸收能力，因此較佳是2片電磁波吸收薄膜具有相同寬度。
(2)絕緣層 用以自電磁波吸收層110隔離電磁波遮蔽層130之絕緣層120，較佳是由具有高絕緣性和可撓性之熱可塑性樹脂或橡膠所構成。作為熱可塑性樹脂，較佳是聚乙烯、聚氯乙烯等；作為橡膠，較佳是天然橡膠、氯丁二烯橡膠、丁基橡膠、矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氨酯橡膠等。
絕緣層120的厚度較佳是0.5mm以上，更佳是1mm以上。如果絕緣層120的厚度未滿0.5mm，則電磁波吸收層110和電磁波遮蔽層130太靠近，使得透過電磁波吸收層110後的電磁波的衰減效果不充分。絕緣層120的厚度的上限，根據導電纜線20的外徑來決定，但是較佳為1.5mm，更佳是1.2mm。
絕緣層120也可以含有絕緣性磁性粒子。作為磁性粒子，較佳是具有高絕緣性的肥粒鐵粒子。肥粒鐵粒子的粒徑沒有特別限制，只要不會妨礙到絕緣層120的成形即可。
(3)電磁波遮蔽層 為了反射已透過電磁波吸收層110後的電磁波並使該電磁波再回到電磁波吸收層110中，電磁波遮蔽層130必須具有反射電磁波的機能。為了有效地發揮該反射機能，電磁波遮蔽層130較佳是金屬箔、網目狀金屬線、或形成有金屬薄膜之塑膠薄膜。為了使電磁波吸收濾波器10薄化，電磁波遮蔽層130較佳是由形成在塑膠薄膜的一面上的金屬薄膜所構成。前述金屬薄膜，較佳是由選自由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中選出的至少一種金屬所構成。金屬薄膜較佳是前述金屬的蒸鍍膜。金屬薄膜的厚度只要有數十nm～數十μm即可。電磁波遮蔽層130的塑膠薄膜也可以與電磁波吸收薄膜111、112的塑膠薄膜111a、112a相同。
當電磁波遮蔽層130，是由塑膠薄膜、及形成於該塑膠薄膜的一面上的金屬薄膜所構成之複合薄膜131時，如第1圖和第2圖所示，較佳是在複合薄膜131上貼附有接地線132。在金屬薄膜上產生的電流能夠經由接地線132而流出，因此能夠提升電磁波遮蔽機能。另外，當電磁波遮蔽層130是金屬箔或網目狀金屬線時，因為本身就具有導電性，因此不需要分別地貼附接地線132。
(4)黏合(黏著)層 為了將電磁波吸收濾波器10穩定地固定在導電纜線20上，如第9圖所示，較佳是將黏合(黏著)層140設置在電磁波吸收層110的內側，黏合劑或黏著劑可以使用已知的黏合劑或黏著劑。
(5)黏合(黏著)薄膜 為了保持已捲繞於導電纜線20上之電磁波吸收濾波器10的外觀的整齊，如第9圖所示，較佳是先將黏合(黏著)薄膜150黏附在電磁波遮蔽層130的外表面，相較於電磁波遮蔽層130，該黏合(黏著)薄膜150具有充分的長度，然後將該黏合(黏著)薄膜150捲繞在電磁波吸收濾波器10的整個面上。
(6)電磁波吸收濾波器的長度 具有上述結構之本發明的電磁波吸收濾波器的長度沒有限定，例如也可以是30～200mm的程度。當想要長的電磁波吸收濾波器時，也可以在長度方向上連結複數個電磁波吸收濾波器。
(7)電磁波吸收薄膜的寬度 本發明的電磁波吸收濾波器10只要具有可以包覆導電纜線20的幾乎全部圓周的寬度即可，但是為了適用於不同外徑的導電纜線，因此較佳是具有比幾乎全部的導電纜線的外周稍微較長的寬度。
藉由以下的實施例來進一步詳細地說明本發明，但是本發明不受限於這些實施例。
＜參考例1＞ 使用具有如第6圖(a)所示的結構之裝置，該裝置具有圖案輥202a、202b，該圖案輥202a、202b電沉積有粒徑分布是50～80μm的鑽石微粒子，在厚度16μm的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的一面，於藉由真空蒸鍍法形成有厚度0.05μm的鋁薄膜上，形成往二個方向配向的線狀痕跡，該二個方向的銳角側的交叉角θs為45。依據附加有線狀痕跡之鋁薄膜的光學顯微鏡照片，可知線狀痕跡具有下述特性。 寬度W的範圍：0.5～5μm 平均寬度Wav：2μm 間隔I的範圍：2～30μm 平均間隔Iav：20μm 平均長度Lsav：5mm 銳角側的交叉角θs：45
＜參考例2＞ 除了改變圖案輥202a、202b的傾斜角以外，以與參考例1同樣的方式，在鋁薄膜上形成往二個方向配向的線狀痕跡，該二個方向的銳角側的交叉角θs為60。依據附加有線狀痕跡之鋁薄膜的光學顯微鏡照片，可知線狀痕跡具有下述特徵。 寬度W的範圍：0.5～5μm 平均寬度Wav：2μm 間隔I的範圍：2～30μm 平均間隔Iav：20μm 平均長度Lsav：5mm 銳角側的交叉角θs：60
＜實施例1＞ 自利用參考例1得到的線狀痕跡的交叉角θs為45的電磁波吸收薄膜，分別地切取L1 (=100)×50mm的尺寸的第一電磁波吸收薄膜片、及L2 mm×50mm的尺寸的第二電磁波吸收薄膜片。L2 分別為0mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm及100mm。2片電磁波吸收薄膜片的切取方向，設成以寬度來對齊並重疊2片電磁波吸收薄膜片時的線狀痕跡的最小交叉角α成為45。如第10圖所示，以下述方式來設置第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112：(a)使任一電磁波吸收薄膜片的金屬薄膜都位於上側的位置；並且，(b)將第二電磁波吸收薄膜片112積層在電磁波吸收薄膜片111的長度方向(沿著纜線的方向)的中央部。
將尺寸為L1 mm×50mm且厚度1mm的丁基橡膠片(絕緣層)120，積層在第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的積層體(電磁波吸收層)上，並將尺寸為L1 mm×50mm的Cu/Ni蒸鍍薄膜(電磁波遮蔽層)130，以Cu/Ni層位於下方的方式積層在該丁基橡膠上，以製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。Cu/Ni蒸鍍薄膜，是以在厚度16μm的PET薄膜的一表面上藉由真空蒸鍍法形成厚度0.1μm的Ni層及厚度0.15μm的Cu層的方式而成。將接地線132接合至Cu/Ni蒸鍍薄膜130的Cu/Ni層。在表1中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片和第二電磁波吸收薄膜片的組合。
[表1] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
如第11圖(a)和第11圖(b)所示的系統中，於包含微帶線(micro stripe line)MSL之絕緣基板300的頂面，藉由黏著劑來貼附各電磁波吸收濾波器樣本Fs，並對於0.1～6GHz的入射波來測定反射波的電力S11 和透過波的電力S12 ，上述系統是由下述的構件所構成：50Ω的微帶線MSL(64.4mm×4.4mm)；絕緣基板300，其支撐微帶線MSL；接地電極301，其被接合在絕緣基板300的底面；導電性接腳302、302，其被連接在微帶線MSL的兩端；網路分析器NA；及，同軸纜線303、303，其將網路分析器NA連接至導電性接腳302、302。
將入射至如第11圖(a)和第11圖(b)所示的系統中之電力Pin 減去反射波的電力S11 和透過波的電力S12 ，藉此求得電力損失Ploss ，並將電力損失Ploss 除以入射電力Pin ，藉此求得雜訊吸收率Ploss /Pin 。將結果表示於第12圖～第19圖。
根據第12圖～第19圖，可知如果L2 /L1 的比(短的一方的電磁波吸收薄膜的112的長度L2 相對於長的一方的電磁波吸收薄膜111的長度L1 的比)是在30～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%的情況(電磁波吸收層是由1片電磁波吸收薄膜構成的情況)及L2 /L1 的比是100%的情況(2片電磁波吸收薄膜具有相同長度的情況)，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
＜實施例2＞ 自利用參考例2得到的線狀痕跡的交叉角θs為60的電磁波吸收薄膜，分別地切取L1 (=100)×50mm的尺寸的第一電磁波吸收薄膜片111、及L2 mm×50mm的尺寸的第二電磁波吸收薄膜片112。L2 分別為0mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm及100mm。2片電磁波吸收薄膜片的切取方向，設成以寬度來對齊並重疊2片電磁波吸收薄膜片時的線狀痕跡的最小交叉角α成為30。使用所得到的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112，以與實施例1同樣的方式來製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。在表2中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的組合。
[表2] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
對各電磁波吸收濾波器樣本Fs，藉由與實施例1相同的方法來求得電力損失Ploss 及雜訊吸收率Ploss /Pin 。並將結果表示於第20圖～第27圖。根據第20圖～第27圖，可知在各電磁波吸收薄膜中的銳角側的交叉角θs為60的情況下，如果L2 /L1 的比是在30～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%及L2 /L1 的比是100%的情況，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
＜實施例3＞ 除了將自利用參考例1得到的線狀痕跡的交叉角θs為45的電磁波吸收薄膜，分別地切取的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的L1 設為50mm，將L2 分別地設為0mm、25mm、35mm及50mm以外，以與實施例1同樣的方式來製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。在表3中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的組合。
[表3] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
將各電磁波吸收濾波器樣本Fs，藉由黏著劑並以在長度方向上對稱的方式，貼附在包含微帶線MSL之絕緣基板300的頂面，並藉由與實施例1相同的方法來求得電力損失Ploss 及雜訊吸收率Ploss /Pin 。將結果表示於第28圖～第32圖。根據第28圖～第32圖，可知如果L2 /L1 的比是在50～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%及L2 /L1 的比是100%的情況，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
＜實施例4＞ 除了將自利用參考例1得到的線狀痕跡的交叉角θs為45的電磁波吸收薄膜，分別地切取的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的L1 設為40mm，將L2 分別地設為0mm、20mm、28mm及40mm以外，以與實施例1同樣的方式來製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。在表4中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的組合。
[表4] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
將各電磁波吸收濾波器樣本Fs，藉由黏著劑並以在長度方向上對稱的方式，貼附在包含微帶線MSL之絕緣基板300的頂面，並藉由與實施例1相同的方法來求得電力損失Ploss 及雜訊吸收率Ploss /Pin 。將結果表示於第33圖～第37圖。根據第33圖～第37圖，可知如果L2 /L1 的比是在50～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%及L2 /L1 的比是100%的情況，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
＜實施例5＞ 除了將自利用參考例2得到的線狀痕跡的交叉角θs為60的電磁波吸收薄膜，分別地切取的第一電磁波吸收薄膜片和第二電磁波吸收薄膜片的L1 設為50mm，將L2 分別地設為0mm、25mm、35mm及50mm以外，以與實施例1同樣的方式來製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。在表5中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片和第二電磁波吸收薄膜片的組合。
[表5] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
將各電磁波吸收濾波器樣本Fs，藉由黏著劑並以在長度方向上對稱的方式，貼附在包含微帶線MSL之絕緣基板300的頂面，並藉由與實施例1相同的方法來求得電力損失Ploss 及雜訊吸收率Ploss /Pin 。將結果表示於第38圖～第42圖。根據第38圖～第42圖，可知如果L2 /L1 的比是在50～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%及L2 /L1 的比是100%的情況，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
＜實施例6＞ 除了將自利用參考例2得到的線狀痕跡的交叉角θs為60的電磁波吸收薄膜，分別地切取的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的L1 設為40mm，並將L2 分別地設為0mm、20mm、28mm及40mm以外，以與實施例1同樣的方式來製作電磁波吸收濾波器樣本Fs。在表6中表示在各電磁波吸收濾波器樣本Fs中的第一電磁波吸收薄膜片111和第二電磁波吸收薄膜片112的組合。
[表6] 附註：具有*符號的樣本是比較例。
將各電磁波吸收濾波器樣本Fs，藉由黏著劑並以在長度方向上對稱的方式，貼附在包含微帶線MSL之絕緣基板300的頂面，並藉由與實施例1相同的方法來求得電力損失Ploss 及雜訊吸收率Ploss /Pin 。將結果表示於第43圖～第47圖。根據第43圖～第47圖，可知如果L2 /L1 的比是在50～70%的範圍內，則相較於L2 /L1 的比是0%及L2 /L1 的比是100%的情況，能夠發揮更高的電磁波吸收能力。
[發明的效果] 具有上述構成之本發明的電磁波吸收濾波器，具有優異的電磁波吸收能力，因此能夠有效地抑制來自導電纜線之電磁波的放射和朝向導電纜線之電磁波的侵入。又，本發明的電磁波吸收濾波器，是由2片薄的電磁波吸收薄膜、絕緣層及薄的電磁波遮蔽層所構成，因此不僅容易薄化，也容易低價化。這種構成的本發明的電磁波吸收濾波器，不僅能夠簡單地附著在傳送各種頻率訊號之訊號線上，也能夠簡單地附著在要被連接至成為雜訊產生源之各種的電器用品和電子機器之電力供給線上。
10‧‧‧電磁波吸收濾波器
110‧‧‧電磁波吸收層
111、112‧‧‧電磁波吸收薄膜
111a、112a‧‧‧塑膠薄膜
111b、112b、111b1、111b2‧‧‧金屬薄膜
113、113a、113b、1131、1132‧‧‧線狀痕跡
120‧‧‧絕緣層
130‧‧‧電磁波遮蔽層
131‧‧‧複合薄膜
132‧‧‧接地線
140‧‧‧黏合(黏著)層
150‧‧‧黏合(黏著)薄膜
20‧‧‧導電纜線
21‧‧‧導線
22‧‧‧絕緣性內皮
23‧‧‧絕緣性外皮
200‧‧‧複合薄膜
202a、202b‧‧‧圖案輥
203a、203b、203c‧‧‧推壓輥
204a、204b‧‧‧電阻測定手段
205a、205b‧‧‧背托輥
221、224‧‧‧捲筒
222、223‧‧‧引導輥
300‧‧‧絕緣基板
301‧‧‧接地電極
302‧‧‧導電性接腳
303‧‧‧同軸纜線
a、a’‧‧‧硬質微粒子的移動方向
b、b’‧‧‧複合薄膜的行進方向
D‧‧‧2片電磁波吸收薄膜的端部間距離
Fs‧‧‧電磁波吸收濾波器樣本
L1‧‧‧一方(長的一方)的電磁波吸收薄膜的長度
L2‧‧‧另一方(短的一方)的電磁波吸收薄膜的長度
A-A、B-B‧‧‧剖面線
B、C‧‧‧放大部分
MSL‧‧‧微帶線
NA‧‧‧網路分析器
S‧‧‧表面
α‧‧‧2片電磁波吸收薄膜片的線狀痕跡的最小交叉角
β‧‧‧相對於導電纜線之線狀痕跡的傾斜角
θ1‧‧‧中心角
θ2‧‧‧相對於複合薄膜的寬度方向之圖案輥的傾斜角
θ3‧‧‧圖案輥的軸線與推壓輥的軸線的交叉角
θs、θs1、θs2‧‧‧各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的交叉角
Ls‧‧‧線狀痕跡的長度
W‧‧‧線狀痕跡的寬度
I‧‧‧線狀痕跡的間隔
第1圖是表示捲繞於導電纜線上之本發明的電磁波吸收濾波器的部分展開立體圖。 第2圖是表示捲繞於導電纜線上之本發明的電磁波吸收濾波器的部分剖面圖。 第3圖是表示2片電磁波吸收薄膜的長度的部分剖面圖。 第4圖是表示在本發明的電磁波吸收濾波器中的2片電磁波吸收薄膜的配置的展開平面圖。 第5圖(a)是表示電磁波吸收薄膜的一例的剖面圖。 第5圖(b)是表示電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的一例的部分平面圖。 第5圖(c)是沿第5圖(b)的A-A線的剖面圖。 第5圖(d)是表示第5圖(c)的B部分的放大剖面圖。 第5圖(e)是表示電磁波吸收薄膜的其他例的剖面圖。 第5圖(f)是表示第5圖(e)的C部分的放大剖面圖。 第6圖(a)是表示線狀痕跡的形成裝置的一例的立體圖。 第6圖(b)是表示第6圖(a)的裝置的平面圖。 第6圖(c)是沿第6圖(b)的B-B線的剖面圖。 第6圖(d)是用以說明相對於複合薄膜的行進方向傾斜的線狀痕跡被形成的原理的部分放大平面圖。 第6圖(e)是表示在第6圖(a)的裝置中，相對於複合薄膜之圖案輥和推壓輥的傾斜角度的部分平面圖。 第7圖是表示線狀痕跡的形成裝置的其他例的部分剖面圖。 第8圖是表示2片電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的配向(交叉角)的概略放大圖。 第9圖是表示捲繞於導電纜線上之電磁波吸收濾波器的狀態的概略剖面圖。 第10圖是表示在實施例中使用的2片電磁波吸收薄膜的積層體的平面圖。 第11圖(a)是表示測定反射波的電力和透射波的電力之系統的平面圖。 第11圖(b)是表示第11圖(a)的系統的概略部分剖面圖。 第12圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第11號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第13圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第12號(L2 =30mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第14圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第13號(L2 =40mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第15圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第14號(L2 =50mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第16圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第15號(L2 =60mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第17圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第16號(L2 =70mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第18圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第17號(L2 =100mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第19圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第11、12、14、16及17號(L2 =0mm、30mm、50mm、70mm及100mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。 第20圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第21號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第21圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第22號(L2 =30mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第22圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第23號(L2 =40mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第23圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第24號(L2 =50mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第24圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第25號(L2 =60mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第25圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第26號(L2 =70mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第26圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第27號(L2 =100mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第27圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第21、22、24、26及27號(L2 =0mm、30mm、50mm、70mm及100mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。 第28圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第31號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第29圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第32號(L2 =25mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第30圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第33號(L2 =35mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第31圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第34號(L2 =50mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第32圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第31、32及34號(L2 =0mm、20mm及50mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。 第33圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第41號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第34圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第42號(L2 =20mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第35圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第43號(L2 =28mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第36圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第44號(L2 =40mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第37圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第41、42及44號(L2 =0mm、20mm及40mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。 第38圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第51號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第39圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第52號(L2 =25mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第40圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第53號(L2 =35mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第41圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第54號(L2 =50mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第42圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第51、52及54號(L2 =0mm、25mm及50mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。 第43圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第61號(L2 =0mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第44圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第62號(L2 =20mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第45圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第63號(L2 =28mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第46圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第64號(L2 =40mm)的電力損失Ploss 的圖表。 第47圖是表示電磁波吸收濾波器的樣本第61、62及64號(L2 =0mm、20mm及40mm)的雜訊吸收率Ploss /Pin 的圖表。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (10)

  1. 一種電磁波吸收濾波器，是捲繞於導電纜線上之電磁波吸收濾波器，其特徵在於： 自內層開始依序具有電磁波吸收層、絕緣層、及電磁波遮蔽層； 前述電磁波吸收層是由至少2片電磁波吸收薄膜的積層體所構成； 前述各電磁波吸收薄膜，具有設置於塑膠薄膜的一面上之單層或多層的金屬薄膜，在前述金屬薄膜上，以不規則的寬度和間隔於複數方向形成有複數條實質上平行且斷續的線狀痕跡； 前述各電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的銳角側的交叉角θs是在30～90的範圍內； 一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡交叉； 前述2片電磁波吸收薄膜，在前述導電纜線的長度方向上具有不同的長度； 並且，短的一方的電磁波吸收薄膜的長度L2 相對於長的一方的電磁波吸收薄膜的長度L1 的比也就是L2 /L1 為30～70%。
  2. 如請求項1所述之電磁波吸收濾波器，其中，一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡與另一方的電磁波吸收薄膜的線狀痕跡的最小交叉角α為10～45。
  3. 如請求項1所述之電磁波吸收濾波器，其中，在前述各電磁波吸收薄膜中，前述線狀痕跡的寬度的90%以上是在0.1～100μm的範圍內，且平均寬度為1～50μm；前述線狀痕跡的橫方向間隔是在1～500μm的範圍內，且橫方向平均間隔為10～100μm。
  4. 如請求項1所述之電磁波吸收濾波器，其中，前述絕緣層是由熱可塑性樹脂或橡膠所構成。
  5. 如請求項1所述之電磁波吸收濾波器，其中，前述絕緣層含有絕緣性磁性粒子。
  6. 如請求項5所述之電磁波吸收濾波器，其中，前述絕緣層的厚度為0.5mm以上。
  7. 如請求項1所述之電磁波吸收濾波器，其中，前述電磁波遮蔽層，是由塑膠薄膜、及設置於該塑膠薄膜的一面上之單層或多層的金屬薄膜所構成。
  8. 如請求項7所述之電磁波吸收濾波器，其中，在前述電磁波遮蔽層中的前述金屬薄膜，是由鋁、銅、銀、錫、鎳、鈷、鉻及這些金屬的合金所組成之群組中選出的至少一種金屬所構成。
  9. 如請求項8所述之電磁波吸收濾波器，其中，在前述電磁波遮蔽層中的前述金屬薄膜是蒸鍍膜。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之電磁波吸收濾波器，其中，在前述電磁波遮蔽層上貼附有接地線。
TW107104943A 2017-05-23 2018-02-12 電磁波吸收濾波器 TWI653642B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-102108 2017-05-23
JP2017102108A JP6208394B1 (ja) 2017-05-23 2017-05-23 電磁波吸収フィルタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201901703A true TW201901703A (zh) 2019-01-01
TWI653642B TWI653642B (zh) 2019-03-11

Family

ID=59997794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107104943A TWI653642B (zh) 2017-05-23 2018-02-12 電磁波吸收濾波器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10062477B1 (zh)
EP (1) EP3407694B1 (zh)
JP (1) JP6208394B1 (zh)
KR (1) KR102069556B1 (zh)
CN (1) CN108932997B (zh)
TW (1) TWI653642B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114121581A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7073840B2 (ja) * 2018-03-28 2022-05-24 日立金属株式会社 差動信号伝送用ケーブル、多芯ケーブル、及び差動信号伝送用ケーブルの製造方法
JP6461416B1 (ja) * 2018-06-21 2019-01-30 清二 加川 電磁波吸収複合シート
US11464144B2 (en) * 2019-02-07 2022-10-04 Autonetworks Technologies, Ltd. Shield member
DE102019131499A1 (de) 2019-11-21 2021-05-27 Carl Freudenberg Kg Flexibles Laminat zur Abschirmung elektromagnetischer Strahlung
JP7363571B2 (ja) * 2020-02-25 2023-10-18 住友電装株式会社 ワイヤハーネス
CN117855877B (zh) * 2024-02-05 2024-07-12 曲阜师范大学 一种能够实现双波段自旋选择吸收的可调谐THz吸收器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571366Y2 (zh) * 1978-12-26 1982-01-09
JPS5596518A (en) * 1979-01-19 1980-07-22 Hitachi Ltd Changeover switch
JPH11185542A (ja) 1997-12-16 1999-07-09 Oki Electric Cable Co Ltd 薄膜磁性体シ−ルド付きケ−ブル
JP2002059487A (ja) 2000-08-14 2002-02-26 Seiji Kagawa 多孔質フィルムの製造装置
US20050233102A1 (en) * 2002-04-25 2005-10-20 Seiji Kagawa Linearly easy-to-rupture thermoplastic resin film, and method and device for manufacturing the resin film
JP2005259385A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Toyo Service Kk 通信用ケーブル
KR100896739B1 (ko) 2007-09-13 2009-05-11 주식회사 엠피코 전자파 흡수 및 차폐용 필름과 이의 제조 방법, 전자파흡수 및 차폐용 필름을 채용한 전선 및 케이블
KR101572459B1 (ko) * 2008-06-26 2015-11-27 세이지 까가와 전자파 흡수 필름 및 그것을 사용한 전자파 흡수체
KR101244022B1 (ko) * 2008-09-04 2013-03-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전자기파간섭 억제용 복합시트
US9238351B2 (en) * 2009-02-13 2016-01-19 Seiji Kagawa Composite film of linearly-scratched, thin metal film and plastic film, and its production apparatus
US8558115B2 (en) * 2009-03-03 2013-10-15 Panduit Corp. Communication cable including a mosaic tape
JP5214541B2 (ja) * 2009-06-04 2013-06-19 清二 加川 可視光透過性電磁波吸収フィルム及びそれを用いた可視光透過性電磁波吸収体
EP2519091B1 (en) * 2009-12-25 2016-10-26 Seiji Kagawa Composite electromagnetic wave absorption film
CN103270821B (zh) * 2010-12-27 2016-06-29 加川清二 近场电磁波吸收体
JP2013008793A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Fujikura Ltd シールドテープ、及び、それを用いたケーブル
EP2787803B1 (en) * 2011-11-30 2017-06-28 Seiji Kagawa Electromagnetic wave absorbing composite sheet
JP6065855B2 (ja) * 2014-02-19 2017-01-25 日立金属株式会社 ノイズ抑制ケーブル

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114121581A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置
CN114121581B (zh) * 2020-08-27 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10062477B1 (en) 2018-08-28
EP3407694B1 (en) 2020-12-23
KR102069556B1 (ko) 2020-01-23
EP3407694A1 (en) 2018-11-28
CN108932997B (zh) 2020-07-17
JP6208394B1 (ja) 2017-10-04
CN108932997A (zh) 2018-12-04
KR20180128351A (ko) 2018-12-03
TWI653642B (zh) 2019-03-11
JP2018198254A (ja) 2018-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653642B (zh) 電磁波吸收濾波器
CN109215858B (zh) 电磁波吸收电缆
TWI613955B (zh) 複合電磁波吸收薄片
TWI511877B (zh) 附有線狀痕金屬薄膜－塑膠複合膜及其製造裝置
CN103270821B (zh) 近场电磁波吸收体
EP3226668B1 (en) Near-field electromagnetic wave absorbing film
TW201134381A (en) Composite electromagnetic wave absorption film
JP6243078B1 (ja) 電磁波吸収ケーブル
CN208754628U (zh) 电磁屏蔽膜及线路板
TWI708679B (zh) 電磁波吸收複合片
US20240061474A1 (en) Near-field electromagnetic wave absorber
JP2012221739A (ja) ケーブル