TW201901847A - 零件製造用具以及零件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種即便於加熱環境下亦可吸附於吸盤台上的零件製造用具以及零件製造方法，零件製造用具1包括框體10以及覆蓋開口部10h的保持膜20，框體20包括第1框11以及第2框12，保持膜20包括基層21以及設置於一面側的保持層22，且於伸張狀態下由第1框11與第2框12夾持而得到保持，基層21的彈性係數E'（100℃）與彈性係數E'（25℃）的比RE1（=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。本零件製造方法包括：將零件保持於零件製造用具1的保持層22上的零件保持步驟、以及將經保持的保持膜吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟。

Description

零件製造用具以及零件製造方法
本發明是有關於一種零件製造用具以及零件製造方法。更詳細而言，本發明是有關於一種半導體零件製造中所利用的零件製造用具、製造半導體零件的零件製造方法、電子零件製造中所利用的零件製造用具、以及製造電子零件的零件製造方法。
近年來，已知一種半導體零件的製造方法，其是於將形成有電路的晶圓單片化後，對經單片化的半導體零件進行評價（檢查），僅拾取評價合格的半導體零件，並送達至之後的步驟。該製造方法例如於下述專利文獻1（參照請求項1～請求項3等）中有揭示。藉此，可提昇最終製品的良率。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平08-330372號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-084794號公報
[發明所欲解決之課題] 利用該方法時需要經過單片化（分割（dicing））、評價、拾取三個步驟。此時，零件是配置於載體（貼附片或治具（jig）等）上而經加工，但於各步驟中對載體的要求特性不同，因此，每次都藉由更換為視需要的載體來應對。
例如，專利文獻2中，單片化步驟中利用張拉有膜的環形框架（專利文獻2中的「第1框體5」）（參照專利文獻2的圖7（A）），但之後於轉移至拾取步驟時，利用夾緊環（grip ring）（專利文獻2中的「第2框體7」）（參照專利文獻2的圖8（C）及圖8（D））。藉由夾緊環，使膜伸展並擴大膜上的零件彼此的間隙，藉此可確保拾取性。進而，藉由利用夾緊環，可僅將貼附有零件的必要區域自環形框架切斷而加以利用。 但是，專利文獻2中，並未具體揭示可進行此種操作的膜。另外，專利文獻2中，並未設想評價步驟。通常，評價步驟包括加溫環境下的動作確認、或使用熱應力負荷的加速評價等利用熱附加的評價。因此，載體除了單片化及拾取所需要的機械強度及柔軟性以外，亦要求耐熱性、或熱耐久後的機械強度及柔軟性，但關於該些方面，並未進行任何研究。
專利文獻1中揭示有評價步驟中可利用的載體。即，為如下技術：利用經預先熱收縮的膜作為載體，藉此獲得之後的步驟中的伸張餘裕，可消除熱膨脹差引起的評價用電極墊111與凸塊103的偏移（參照專利文獻1[圖15]）。如此，得知熱影響引起膜的收縮·伸張左右評價步驟中的位置精度，與僅進行單片化及拾取的製造步驟相比，包括評價步驟的製造步驟需要更高水準的熱對策。 但是，專利文獻1中，並未對針對下述吸附不良的處理方法進行研究。
本發明者等人對各種材料進行研究，並重覆進行用於選擇可均衡更多的要求特性的載體材料的試驗。於是，得到如下見解：若為了獲得拾取性而選擇可於零件彼此間形成間隙的程度的柔軟的材料作為膜，則會產生無法將載體固定於吸盤台（chuck table）上的不良情況。即，得知若欲將載體吸附固定於經加熱的吸盤台，則於膜中產生褶皺而產生源自褶皺部分的氣密洩漏，從而存在產生無法將載體正常地吸附於吸盤台上的不良情況的情況。
本發明是鑒於所述問題而成者，其目的在於提供一種即便於加熱環境下亦可確實地吸附於吸盤台上的零件製造用具、以及使用該零件製造用具的零件製造方法。 [解決課題之手段]
即，本發明如以下般。 [1]所述的零件製造用具為半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中所使用的零件製造用具，所述零件製造用具的主旨在於包括： 具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部且張拉於所述框體的保持膜， 所述框體包括環狀的第1框、以及能夠與所述第1框卡合的環狀的第2框， 所述保持膜包括基層、以及設置於所述基層的一面側的保持層，並且於經伸張的狀態下夾持於所述第1框與所述第2框之間而得到保持， 所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）、與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 [2]所述的零件製造用具如[1]所述的零件製造用具，其主旨在於：所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。 [3]所述的零件製造用具如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用具，其主旨在於：所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。 [4]所述的零件製造用具如[1]或[2]所述的零件製造用具，其主旨在於：所述製造方法包括將處於選自半導體零件、所述半導體零件的前驅體（precursor）、電子零件、及所述電子零件的前驅體中的多個零件保持於所述保持層上的狀態的、所述保持膜吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟。 [5]所述的零件製造用具如[4]所述的零件製造用具，其主旨在於：於所述吸附步驟後，包括對保持於所述保持膜上的所述零件進行評價的評價步驟。 [6]所述的零件製造用具如[5]所述的零件製造用具，其主旨在於：於所述評價步驟後，包括僅將所述零件中的一部分零件自所述基層側向所述保持層側頂推而使所述保持膜進一步伸張，藉此使所述一部分零件與其他零件分離而拾取的拾取步驟。 [7]所述的零件製造方法的主旨在於包括：將選自半導體零件、所述半導體零件的前驅體、電子零件、及所述電子零件的前驅體中的多個零件保持於如下零件製造用具的保持層上的零件保持步驟，所述零件製造用具包括 具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部且張拉於所述框體的保持膜， 所述框體包括環狀的第1框、以及能夠與所述第1框卡合的環狀的第2框， 所述保持膜包括基層、以及設置於所述基層的一面側的所述保持層，並且於經伸張的狀態下夾持於所述第1框與所述第2框之間而得到保持， 所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）、與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下；以及 將保持有所述零件的所述保持膜吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟。 [8]所述的零件製造方法如[7]所述的零件製造方法，其主旨在於：於所述吸附步驟後，包括對保持於所述保持膜上的所述零件進行評價的評價步驟。 [9]所述的零件製造方法如[8]所述的零件製造方法，其主旨在於：於所述評價步驟後，包括僅將所述零件中的一部分零件自所述基層側向所述保持層側頂推而使所述保持膜進一步伸張，藉此使所述一部分零件與其他零件分離而拾取的拾取步驟。 [發明的效果]
根據本零件製造用具，即便於加熱環境下，亦可確實地吸附於吸盤台上。因此，於插入有包含加熱環境在內的評價步驟的零件製造方法中，可利用本零件製造用具進行零件製造。另外，藉由利用本零件製造用具，於評價及拾取的各步驟中可共用載體。
根據本方法，即便於加熱環境下，亦可使零件製造用具確實地吸附於吸盤台上。因此，可進行插入有包含加熱環境在內的評價步驟的本零件製造方法。另外，藉由本製造方法，於評價及拾取的各步驟中可共用載體。
以下，一面參照圖一面對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示說明的事項，其闡述目的在於提供可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就該方面而言，其為從根本上理解本發明所必需的說明，而非意指於某種程度以上示出本發明的詳細結構，本領域技術人員明瞭如何根據與圖式一併示出的說明而實際實現本發明的若干形態。
[1]零件製造用具 本零件製造用具（1）為零件（50）的製造方法中所使用的零件製造用具（1）。零件（50）包含半導體零件（51）及電子零件（54）。 本零件製造用具（1）包括：具有開口部（10h）的框體（10）、以及覆蓋開口部（10h）且張拉於框體（10）的保持膜（20）。 其中，框體（10）包括：環狀的第1框（11）、以及可與第1框（11）卡合的環狀的第2框（12）。另一方面，保持膜（20）於經伸張的狀態下夾持於第1框（11）與第2框（12）之間而得到保持。 而且，保持膜（20）包括：基層（21）、以及設置於基層（21）的一面（21a）側的保持層（22）。其中，基層（21）的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下（參照圖1）。
藉由具有所述構成的零件製造用具1，可製成即便於加熱環境下亦可確實地吸附於吸盤台上的零件製造用具。即，即便將本零件製造用具1吸附固定於經加熱的吸盤台，張拉於框體10的保持膜20中亦不會產生褶皺而不會產生氣密洩漏，因此可將零件製造用具1正常地吸附·固定於吸盤台上。藉此，於評價步驟中可進行正常的評價。即，例如，於評價時，可防止作為評價對象的零件50、與評價用裝置（例如，探針）等的期望外的偏移，從而正常地進行評價。另外，藉由利用本零件製造用具1，可於評價步驟前在經單片化的零件彼此之間形成間隙，因此於單片化步驟後轉移至評價步驟的期間內，可防止零件彼此接觸，且可防止因該轉移時的零件間接觸而可產生的不良情況。 再者，本零件製造用具1的利用形態及流通形態雖然並無特別限定，但通常為於利用時將零件50載置於保持膜20上的狀態。
再者，所謂吸盤台，為包括具有平滑的頂面的台（頂板）的裝置，且為可藉由吸附而使保持張拉於框體10的狀態的保持膜20吸附於該平滑的頂面上的裝置。所述台並無特別限定，通常具有可進行抽吸的結構。即，例如可使用包括抽吸孔或抽吸槽等抽吸路徑（route）的成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）、或多孔質成形體（金屬成形體、陶瓷成形體、樹脂成形體等）。
〈1〉框體 框體10（參照圖2）包括第1框11以及第2框12。第1框11呈環狀且具有開口部11h。同樣地，第2框12呈環狀且具有開口部12h。第1框11與第2框12可卡合，且藉由將第1框11與第2框12卡合而第1框11與第2框12成為一體並構成框體10。另外，藉由將第1框11與第2框12卡合而開口部11h與開口部12h成為一體並構成開口部10h。第1框11及第2框12的各構成材料並無限定，可視需要適宜利用各種有機材料（樹脂、彈性體等）及無機材料（金屬、陶瓷等）。其中，作為有機材料，例如可列舉：聚碳酸酯樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene，ABS）樹脂、聚酯樹脂（芳香族聚酯樹脂、液晶性聚酯樹脂等）、聚醯胺樹脂（芳香族聚醯胺樹脂等）、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。可對該些有機材料進而調配無機材料填料、無機材料增強（纖維玻璃纖維、碳纖維等）、有機材料填料、有機材料增強纖維（芳香族聚醯胺樹脂纖維等）等增強材料。當然，增強材料亦可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
第1框11與第2框12的卡合形態並無限定。例如可列舉：如圖1的（a）及圖1的（b）所示，第1框11的外徑比第2框12的內徑小的卡合形態。即，該形態中，可藉由對第1框11的外周嵌入第2框12的內周而卡合。該情況下，於第1框11的外周面與第2框12的內周面之間夾持保持膜20，藉此可維持伸張狀態而進行保持（參照圖1的（b'））。進而，該形態中，如圖1的（b''）所示，於第1框11的外周面上設置卡合用的凸部111，於第2框12的內周面上設置卡合用的凹部121，藉此可進行更確實的卡合。 進而，如圖1的（a）及圖1的（c）所示，第1框11可具有以其一部分的外徑小於第2框12的內徑的方式開有槽口的形狀。該形狀中，於卡合時及卡合後，可防止第2框12向第1框11的嵌入側的相反側脫落。 另外，卡合可藉由僅調整第1框11與第2框12的卡合空隙（clearance）來進行，例如，亦可藉由磁力的利用等來維持卡合狀態。
另外，例如，如圖3的（a）及圖3的（b）所示，於上下層疊第1框11與第2框12並進行卡合，且於第1框11的下表面與第2框12的上表面之間夾持保持膜20，藉此亦可維持伸張狀態而進行保持。該情況下，可以第1框11的下表面與第2框12的上表面可藉由磁力卡合的方式，例如於第1框11及第2框12的各自中埋設磁鐵。
〈2〉保持膜 保持膜20為於經伸張的狀態下夾持於第1框11與第2框12之間而得到保持的膜。該保持膜20包括基層21、以及設置於基層21的一面21a側的保持層22（參照圖1、圖3及圖6）。而且，其中，基層21的100℃下的彈性係數E'（100）與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。 再者，所述「E'（100）」表示基層21的100℃下的拉伸彈性係數，所述「E'（25）」表示基層21的25℃下的拉伸彈性係數。 另外，圖1及圖3中的基層21及保持層22的配置為一例。即，圖1及圖3均示出於第1框11之側配置有基層21的例子，但亦可於第1框11之側配置保持層22。
即，藉由基層21的E'（25）為35 MPa≦E'（25）≦3500 MPa以下，可具有如下柔軟性：即便於框體10以伸張狀態進行保持，於進行拾取時亦可自該狀態進而伸張。進而，藉由RE1 ≦1，可防止於加熱環境下保持膜20中產生熱褶皺，可製成可確實地吸附於吸盤台上的零件製造用具1。此外，藉由RE1 為RE1 ≧0.2，容易於評價後自評價時經加熱的吸盤台分離零件製造用具1。即，若RE1 為RE1 ＜0.2，則即便可於高溫吸附時使零件製造用具正常地吸附於吸盤台上，於分離時，保持膜20容易黏附，存在於高溫狀態下難以分離的傾向。該情況下，為了使零件製造用具1與吸盤台分離，需要進行強制冷卻、或等待至放置冷卻至容易分離的溫度等應對，但評價步驟的時間週期（time cycle）降低，因此欠佳。 如此，為了提高零件製造時的評價效率，產生於吸盤台的溫度降至最低之前使載體吸附、或分離的需要，但目前未知可應對此種狀況的零件製造用具。尤其是，極其難以將保持膜20於經預先伸張的狀態下張拉於框體10而成的零件製造用具1供於所述般的評價步驟中。關於該方面，本零件製造用具1中，藉由使保持膜20具有0.2≦RE1 ≦1、且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下的性質，可解決所述般的本問題並進行零件製造。
就此種觀點而言，比RE1 較佳為0.2≦RE1 ≦1，進而較佳為0.23≦RE1 ≦0.90，進而較佳為0.24≦RE1 ≦0.80，進而較佳為0.30≦RE1 ≦0.78，進而較佳為0.32≦RE1 ≦0.75，進而較佳為0.35≦RE1 ≦0.70，進而較佳為0.38≦RE1 ≦0.65。於各較佳的範圍中，即便於吸盤台的加熱時，亦可更有效地防止熱褶皺，並且可於吸附停止後更容易地自吸盤台取下。
另外，於0.2≦RE1 ≦1的範圍內，E'（25）較佳為38 MPa≦E'（25）≦3000 MPa，進而較佳為40 MPa≦E'（25）≦2000 MPa，進而較佳為42 MPa≦E'（25）≦1000 MPa，進而較佳為44 MPa≦E'（25）≦700 MPa，進而較佳為46 MPa≦E'（25）≦500 MPa，進而較佳為48 MPa≦E'（25）≦350 MPa，進而較佳為50 MPa≦E'（25）≦250 MPa，進而較佳為51 MPa≦E'（25）≦150 MPa。該E'（25）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
進而，E'（100）較佳為10 MPa≦E'（100）≦2000 MPa，進而較佳為15 MPa≦E'（100）≦800 MPa，進而較佳為17 MPa≦E'（100）≦300 MPa，進而較佳為20 MPa≦E'（100）≦150 MPa，進而較佳為25 MPa≦E'（100）≦50 MPa，進而較佳為26 MPa≦E'（100）≦45 MPa，進而較佳為27 MPa≦E'（100）≦42 MPa。該E'（100）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
再者，與基層有關的所述各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置（DMA：Dynamic Mechanical Analysis）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具（chuck）間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/分鐘的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得彈性係數E'。即，將25℃下的值設為拉伸彈性係數E'（25）（單位為MPa），將100℃下的值設為拉伸彈性係數E'（100）（單位為MPa）。
進而，評價步驟中，如上所述，存在不僅負荷高溫而且亦負荷低溫的情況。如此，於不僅對高溫負荷而且亦對低溫負荷進行評價的情況下，本零件製造用具1中利用的保持膜20的基層21較佳為除了0.2≦RE1 ≦1、且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下的特性以外，亦兼有進一步的特性。具體而言，於將160℃下的彈性係數E'（160）與-40℃下的彈性係數E'（-40）的比設為RE2 （=E'（160）/E'（-40））的情況下，比RE2 較佳為0.001以上且1以下（0.001≦RE2 ≦1）。此處，「E'（160）」表示基層的160℃下的拉伸彈性係數，「E'（-40）」表示基層的-40℃下的拉伸彈性係數。
如上所述，於為0.001≦RE2 ≦1的情況下，於零件製造時，即便於100℃以上且160℃以下的高溫、及-40℃以上且0℃以下的低溫的各溫度區域中進行評價步驟，亦可於其後自保持膜20拾取零件50時，維持容易拾取的保持膜20的柔軟性。即，保持膜20於常態下以伸張狀態張拉於框體10，該狀態下，於評價步驟中施加高溫及低溫（並不考慮負荷的順序）。其後，拾取步驟中，可不會使保持膜20斷裂地自預先賦予的伸張狀態進而進行用以拾取的伸張。即，於拾取步驟中，可利用頂起構件92進一步頂起而使頂起部位的保持膜20不會斷裂地伸張，且僅使所需的零件自其他零件向上方突出，從而容易利用拾取器具93抓取。
所述比RE2 較佳為0.001≦RE2 ≦1，進而較佳為0.005≦RE2 ≦0.7，進而較佳為0.007≦RE2 ≦0.5，進而較佳為0.01≦RE2 ≦0.3，進而較佳為0.012≦RE2 ≦0.2，進而較佳為0.014≦RE2 ≦0.1，進而較佳為0.016≦RE2 ≦0.05，進而較佳為0.018≦RE2 ≦0.04。於該些較佳的範圍中，即便於經過熱循環的情況下，亦可特別良好地維持保持膜20的柔軟性。
另外，於0.001≦RE2 ≦1的範圍內，E'（-40）較佳為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa。於保持膜20中，於基層21為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa的情況下，即便於在評價步驟中利用低溫環境的情況下，亦可使保持膜20維持良好的柔軟性。 如所述般，製造零件的評價除了於高溫下進行以外，亦可於低溫下進行。於低溫下，基層21的拉伸彈性係數E'必然大於高溫下的拉伸彈性係數E'。因此，要求以伸長狀態張拉於框體10的保持膜20即便於經過評價時的低溫的情況下亦可維持不會斷裂的柔軟性。但是，高溫耐熱性優異的材料通常為高溫拉伸彈性係數高的材料，此種材料的拉伸彈性係數於低溫下進一步變高，難以耐受所述狀況。關於該方面，基層21的比RE2 為0.01≦RE2 ≦1、且E'（-40）為10 MPa≦E'（-40）≦4500 MPa的保持膜20可充分滿足所述要求。
E'（-40）進而較佳為50 MPa≦E'（-40）≦4300 MPa，進而較佳為100 MPa≦E'（-40）≦3000 MPa，進而較佳為120 MPa≦E'（-40）≦2000 MPa，進而較佳為150 MPa≦E'（-40）≦1500 MPa，進而較佳為180 MPa≦E'（-40）≦1000 MPa，進而較佳為200 MPa≦E'（-40）≦700 MPa，進而較佳為250 MPa≦E'（-40）≦580 MPa，進而較佳為300 MPa≦E'（-40）≦550 MPa，進而較佳為330 MPa≦E'（-40）≦500 MPa。該E'（-40）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
另一方面，E'（160）較佳為0.1 MPa≦E'（160）≦600 MPa，進而較佳為0.15 MPa≦E'（160）≦450 MPa，進而較佳為0.2 MPa≦E'（160）≦300 MPa，進而較佳為1 MPa≦E'（160）≦200 MPa，進而較佳為2 MPa≦E'（160）≦100 MPa，進而較佳為3 MPa≦E'（160）≦50 MPa，進而較佳為4 MPa≦E'（160）≦40 MPa，進而較佳為4.5 MPa≦E'（160）≦25 MPa，進而較佳為5 MPa≦E'（160）≦15 MPa。該E'（160）的值可於基層的MD方向及TD方向上不同，較佳為於基層的MD方向及TD方向的兩者中為所述範圍。
再者，與基層21有關的所述各彈性係數E'是藉由動態黏彈性測定裝置（DMA：Dynamic Mechanical Analysis）來測定。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/分鐘的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所得的資料來讀取各溫度的資料，由此獲得彈性係數E'。即，將-40℃下的值設為拉伸彈性係數E'（-40），將160℃下的值設為拉伸彈性係數E'（160）。
基層21的線熱膨脹係數雖然並無限定，但較佳為100 ppm/K以上。作為此種材料，如後述般可列舉熱塑性彈性體。即，熱塑性彈性體為線熱膨脹係數比較大的材料，認為大的線熱膨脹係數為於高溫下引起保持膜20的變形的驅動因素。如此，使用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層21的保持膜20存在特別是於加熱環境下容易產生褶皺等而產生對吸盤台的吸附不良情況的傾向。相對於此，於利用線熱膨脹係數為100 ppm/K以上的基層21的情況下，藉由將其RE1 設為0.2≦RE1 ≦1且將E'（25）設為35 MPa以上且3500 MPa以下，亦可防止加溫環境下的對吸盤台的吸附不良。 該線熱膨脹係數較佳為100 ppm/K以上且300 ppm/K以下，進而較佳為130 ppm/K以上且280 ppm/K以下，進而更佳為150 ppm/K以上且250 ppm/K以下，進而更佳為165 ppm/K以上且240 ppm/K以下。該線熱膨脹係數設為依照JIS K7197而測定且溫度50℃至190℃之間的熱膨脹係數。
基層21的厚度並無特別限定，例如可設為50 μm以上且200 μm以下，較佳為60 μm以上且185 μm以下，更佳為70 μm以上且170 μm以下。再者，並不考慮基層的延伸的有無。
基層21只要具有所述各種特性且可支撐保持層22即可，其材質並無特別限定。作為構成基層21的材料，較佳為樹脂。 作為構成基層21的材料，較佳為樹脂。另外，樹脂中，較佳為具有充分的柔軟性（力學伸縮性）的樹脂，特佳為具有彈性體性的樹脂。
作為具有彈性體性的樹脂，可列舉熱塑性彈性體及矽酮等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些中，較佳為具有熱塑性者，因此較佳為熱塑性彈性體。熱塑性彈性體可包含具有硬段及軟段的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物與軟質聚合物的聚合物合金（polymer alloy），抑或可具有該些兩者的特性。
於包含熱塑性彈性體的情況下，關於其比例，相對於構成基層21的樹脂整體，例如可設為30質量%以上且100質量%以下。即，構成基層21的樹脂可僅包含熱塑性彈性體。熱塑性彈性體的比例進而較佳為50質量%以上且100質量%以下，更佳為70質量%以上且100質量%以下。
具體而言，作為熱塑性彈性體，可列舉：聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、苯乙烯系熱塑性彈性體、烯烴系熱塑性彈性體、氯乙烯系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體（聚醯亞胺酯系、聚醯亞胺胺基甲酸酯系等）等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 該些中，較佳為聚酯系熱塑性彈性體、聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醯亞胺系熱塑性彈性體，進而特佳為聚酯系熱塑性彈性體及/或聚醯胺系熱塑性彈性體。
聚酯系熱塑性彈性體除了以聚酯成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚酯成分可包含源自對苯二甲酸二甲酯等單體的構成單元。另一方面，構成軟段的成分可包含源自1,4-丁二醇及聚(氧基四亞甲基)二醇等單體的構成單元。 更具體可列舉PBT-PE-PBT型聚酯系熱塑性彈性體等。
作為此種聚酯系熱塑性彈性體，可列舉：三菱化學股份有限公司製造的「普利馬羅（Primalloy）（商品名）」、東麗杜邦（Toray-Dupont）公司製造的「海特萊爾（Hytrel）（商品名）」、東洋紡績股份有限公司製造的「派爾普蘭（Pelprene）（商品名）」、理研科技（Riken technos）股份有限公司製造的「海帕羅伊愛可提瑪（Hyper Alloy Actymer）（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
聚醯胺系熱塑性彈性體除了以聚醯胺成分作為硬段以外，可為任意構成。作為軟段，可利用聚酯、聚醚及聚醚酯等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。即，例如構成硬段的聚醯胺成分可列舉聚醯胺6、聚醯胺11及聚醯胺12等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些聚醯胺成分中可利用各種內醯胺等作為單體。另一方面，構成軟段的成分可包含源自二羧酸等單體或聚醚多元醇的構成單元。其中，聚醚多元醇較佳為聚醚二醇，例如可列舉聚(四亞甲基)二醇、聚(氧伸丙基)二醇等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。 更具體可列舉：聚醚醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體、聚醚酯醯胺型聚醯胺系熱塑性彈性體等。
作為此種聚醯胺系熱塑性彈性體，可列舉：阿科瑪（Arkema）股份有限公司製造的「派巴克斯（Pebax）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「帶阿米德（Diamide）（商品名）」、大賽璐贏創（Daicel-Evonik）股份有限公司製造的「貝斯泰咪德（Vestamid）（商品名）」、宇部興產股份有限公司製造的「優貝斯達（UBESTA）XPA（商品名）」等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，於基層21包含熱塑性彈性體以外的樹脂的情況下，作為此種樹脂，可列舉：聚酯、聚醯胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。該些中，較佳為聚酯及/或聚醯胺，具體可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯等聚酯，尼龍6、尼龍12等聚醯胺。 具體而言，作為聚對苯二甲酸丁二酯，可列舉東麗（Toray）股份有限公司製造的「東麗考（toraycon）（商品名）」。該聚對苯二甲酸丁二酯可單獨用作基層21。
進而，基層21可於構成其的樹脂中包含塑化劑及軟化劑（礦物油等）、填充劑（碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物（氧化鈦、氧化鎂）、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等）、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等各種添加劑。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈3〉保持層 保持層22為例如由黏著材等形成的層，以可保持零件50。可僅於基層21的一面包括保持層22，亦可於基層21的兩面包括保持層22。保持層22可與基層21直接相接而設置，亦可介隔其他層而設置。
於保持層22由黏著材形成的情況下，保持層22的黏著力並無特別限定，較佳為貼附於矽晶圓的表面上並放置60分鐘後，自矽晶圓的表面剝離時的依照JIS Z0237所測定的對矽晶圓的黏著力（於溫度23℃、相對濕度50%的環境下測定）為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。於黏著力為所述範圍的情況下，可確保與被貼附物（即，零件50）的良好的貼附性，且可抑制剝離被貼附物時的殘糊。該黏著力進而更佳為0.2 N/25 mm以上且9 N/25 mm以下，進而佳為0.3 N/25 mm以上且8 N/25 mm以下。 另外，保持層22的厚度（基層21的其中一面側的厚度）並無特別限定，較佳為1 μm以上且40 μm以下，更佳為2 μm以上且35 μm以下，特佳為3 μm以上且25 μm以下。 再者，當然，保持層22為用以賦予將零件50保持於保持膜20上的功能的層，且為並不阻礙將基層21的特性反映至保持膜20的層。因此，保持層22通常為厚度比基層21薄且所述各彈性係數亦小的層。
黏著材只要具有所述特性即可，可使用任意材料。通常至少包含黏著主劑。作為黏著主劑，可列舉丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等。另外，該黏著材除了黏著主劑以外可包含交聯劑。 進而，黏著材可為可藉由能量線而硬化的能量線硬化型黏著材，亦可為不藉由能量線而硬化的能量非硬化型黏著材。於為能量線硬化型黏著材的情況下，藉由對黏著材進行能量線照射，可使黏著材硬化而使其黏著力降低，於使本零件製造用具1與零件50分離時，可防止對零件50的殘糊。能量線的種類並無限定，可利用紫外線、電子束、紅外線等。 於為能量線硬化型黏著材的情況下，黏著材除了所述黏著主劑以外，可包含於分子內具有碳-碳雙鍵的化合物、及可對能量線發生反應而引發硬化性化合物的聚合的光聚合起始劑。該硬化性化合物較佳為於分子中具有碳-碳雙鍵且可藉由自由基聚合而硬化的單體、寡聚物及/或聚合物。
〈4〉其他層 保持膜20可僅包含基層21及保持層22，但可包括其他層。作為其他層，可列舉：可吸收黏貼面的凹凸形狀而使膜面平滑的凹凸吸收層、提昇與黏著材的界面強度的界面強度提昇層、抑制低分子量成分自基層21向黏著面轉移的防轉移層、減低表面的電阻的抗靜電層等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
〈5〉保持膜的製造 保持膜20可利用任意方法製造，該方法並無特別限定。具體而言，可利用共擠出法、擠出層壓法、接著層壓法、塗佈法等方法來製造。其中，共擠出法為藉由共擠出將成為基層21的熔融樹脂與成為保持層22的熔融樹脂等積層而製造保持膜20的方法。
所述擠出層壓法為於基層21上藉由擠出而積層成為保持層22的熔融樹脂等來製造保持膜20的方法。進而，所述塗佈法為於基層21上藉由塗佈或塗敷而積層成為保持層22的熔融樹脂等來製造保持膜20的方法。於使用能量線硬化型黏著材作為構成保持層22的黏著材的情況下，較佳為使用該塗佈法。另外，所述接著層壓法為經由熱壓接、接著劑、熱熔等將基層21與保持層22積層而製造保持膜20的方法。該些方法可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
[2]零件的製造方法 本零件的製造方法的特徵在於包括：將選自半導體零件（51）、半導體零件的前驅體（52）、電子零件（54）、及電子零件的前驅體（55）中的多個零件（50）保持於所述本發明的零件製造用具（1）的保持層（22）上的零件保持步驟（R2）（參照圖5及圖6）；以及 將保持有零件（50）的保持膜（20）吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟（R3）（參照圖7）。
進而，本方法可於吸附步驟（R3）後包括對保持於保持膜（20）上的零件（50）進行評價的評價步驟（R4）（參照圖8）。 進而，本方法可於評價步驟（R4）後包括僅將零件（50）中的一部分零件（50'）自基層（21）側向保持層（22）側頂推而使保持膜（20）進一步伸張，藉此使所述一部分零件（50'）與其他零件（50）分離而拾取的拾取步驟（R5）（參照圖9）。
（1）零件保持步驟（R2） 零件保持步驟R2為將多個零件50保持於零件製造用具1的保持層22上的步驟。 此時的保持方法並無特別限定，可將經單片化的多個零件50的背面分別貼附於保持膜20的保持層22上而進行零件保持，可如圖5～圖6所示藉由自張拉有保持有零件50的膜25（前驅保持膜）的環形框架70利用框體10截取前驅保持膜25的一部分且保持有零件50的區域而進行零件保持。
更具體而言，如圖4所示，進行將預先保持於經環形框架70張拉的膜25（前驅保持膜）上的半導體晶圓53或陣列狀電子零件56單片化而獲得零件50的單片化步驟R1（參照圖4），藉此可獲得零件50。 其後，例如於將零件50保持於前驅保持膜25上的狀態下，於前驅保持膜25的表面側配置第2框12，並使第1框11抵接於所述前驅保持膜25的背面，一面使第1框11上昇，一面使前驅保持膜25伸張，從而於前驅保持膜25上使零件50彼此分離，並且使第1框11與第2框12卡合。藉此，第1框11與第2框12經卡合而形成框體10，並且以覆蓋開口部10h且經伸張的狀態獲得張拉於框體10的前驅保持膜25（參照圖5）。其後，利用切割刀91於框體10的附近將前驅保持膜25小地切割，藉此獲得框體10與覆蓋其開口部10h且張拉於框體10的保持膜20（參照圖6）。藉此，獲得將經單片化的零件50彼此以不接觸的方式且以彼此分離的狀態保持於所獲得的保持膜20上的狀態。
即，可將預先保持於經環形框架70張拉的膜25（前驅保持膜）上的半導體晶圓53或陣列狀電子零件56單片化（經過單片化步驟R1）而獲得零件50（參照圖4）。其後，對保持有經單片化的零件50的部分的前驅保持膜25安裝框體10（框體卡合步驟R2-1）（參照圖5），繼而，僅切出保持於框體10上的保持膜20（膜切割步驟R2-2）（參照圖6），藉此可進行零件保持步驟R2。 因此，零件保持步驟R2可包括框體卡合步驟R2-1及膜切割步驟R2-2。框體卡合步驟R2-1為對保持有經單片化的零件50的前驅保持膜25一面自其表背利用第1框11與第2框12進行夾持一面進行卡合而完成框體10的步驟（參照圖5）。另外，膜切割步驟R2-2為僅切出保持於框體10上的保持膜20的步驟（參照圖6）。
零件50為選自半導體零件51、半導體零件的前驅體52、電子零件54、及電子零件的前驅體55中的零件。該些零件均為單片化後的零件，例如包含半導體晶圓53或陣列狀電子零件56經單片化而成的零件。即，包含自半導體晶圓53經單片化的半導體零件的前驅體52、或半導體零件的前驅體52經過規定的步驟（例如，評價步驟等）而成的半導體零件51。同樣地，包含自陣列狀電子零件56經單片化的電子零件的前驅體55、或電子零件的前驅體55經過規定的步驟（例如，評價步驟等）而成的電子零件54。
於零件50為半導體零件51或半導體零件的前驅體52的情況下，構成該些零件的基體並無特別限定，可列舉矽、藍寶石、鍺、鍺-砷、鎵-磷、鎵-砷-鋁等。於半導體零件51或半導體零件的前驅體52中對於所述基體形成有電路。作為電路，可列舉：配線、電容器、二極體及電晶體等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
進而，陣列狀電子零件56為電子零件的前驅體55以陣列狀一體化而成的零件。陣列狀電子零件56包含下述的形態（1）-形態（3）。 （1）：將由形成有電路的半導體晶圓53獲得的半導體零件51（晶片、晶粒）排列於引線框架上，進行打線接合後，以密封劑密封而獲得的陣列狀電子零件56。 （2）：將由形成有電路的半導體晶圓53獲得的半導體零件51（晶片、晶粒）分離排列，以密封劑密封後，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路而成的陣列狀電子零件56。即，為於扇出（fan out）方式（eWLB方式）中獲得的陣列狀電子零件56。 （3）：直接以晶圓狀態利用半導體晶圓53，一起形成再配線層及凸塊電極等獲得與外部的導通的外部電路、或以密封劑密封的密封層而成的陣列狀電子零件56。該形態（3）中的半導體晶圓53為單片化前狀態，且包含將半導體零件51（晶片、晶粒）形成為陣列狀的形態、或將半導體晶圓53用作基體（於非電路矽基板上接合具有電路的晶片而利用的形態）等。即，形態（3）中的陣列狀電子零件56為於晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）方式中獲得的陣列狀電子零件56。
於單片化為半導體晶圓53的單片化的情況下，可以於1個前驅體52內包含至少一個半導體電路區域的方式經單片化，亦可以包含2個以上的半導體電路區域的方式經單片化。同樣地，於單片化為陣列狀電子零件56的單片化的情況下，可以於1個前驅體55內包含至少一個半導體零件的方式經單片化，亦可以包含2個以上的半導體零件的方式經單片化。
（2）吸附步驟（R3） 吸附步驟R3為將保持有零件50的保持膜20吸附固定於經加熱的吸盤台60的表面61上的步驟（參照圖7）。 如上所述，現有的零件製造用具中，若欲將零件製造用具吸附·固定於經加熱的吸盤台60上，則於經保持的零件50的外周部分的保持膜20'中產生褶皺X，且因該褶皺X而引起抽吸洩漏，從而存在無法將零件製造用具正常地吸附固定於吸盤台60的情況。相對於此，藉由利用本零件製造用具1抑制褶皺X的產生，藉此可將零件製造用具1正常地吸附固定於吸盤台60的表面61上（參照圖7）。
關於吸盤台60，如上所述，通常吸盤台包括具有平滑的頂面（表面61）的台（頂板）。所謂平滑，當然是指除了抽吸孔或抽吸槽等抽吸路徑以外的頂面中的平滑。 另外，所謂經加熱的吸盤台60，是指將吸盤台60設為比操作環境更高的溫度的狀態。具體而言，設想為了進行吸附步驟R3後的評價步驟R4而使零件製造用具1吸附於經預熱的狀態的吸盤台60上的狀況、或為了增大評價步驟R4的時間週期而並未充分進行吸盤台60的放置冷卻或冷卻地連續地使保持有下一批次的零件製造用具1吸附的狀況等。尤其是，本方法中設想吸附於表面61的溫度為70℃以上的吸盤台60上的情況。該表面61的溫度通常為200℃以下，進而可設為75℃以上且190℃以下，進而可設為80℃以上且180℃以下，進而可設為85℃以上且170℃以下，進而可設為90℃以上且160℃以下。即，對於此種溫度範圍的吸盤台60，所述本零件製造用具1可應對。
本方法除了所述零件保持步驟R2及吸附步驟R3以外，亦可包括其他步驟。作為其他步驟，可列舉單片化步驟R1、評價步驟R4及拾取步驟R5。其中，單片化步驟R1如上所述般。 即，單片化步驟R1（參照圖4）為於零件保持步驟R2前進行的步驟，且為將半導體晶圓53或陣列狀電子零件56單片化而獲得零件50的步驟。例如，可將預先保持於經環形框架70張拉的膜25（前驅保持膜）上的半導體晶圓53或陣列狀電子零件56單片化而獲得零件50。 再者，該環形框架70的形狀並無特別限定，通常具有比框體10的開口部10h大的開口部70h。
另外，評價步驟R4（參照圖8）為於吸附步驟R3後對保持於保持膜20上的零件50進行評價的步驟。評價方法並無特別限定，例如可利用探針進行以下評價：於將零件50保持於保持膜20上的狀態下，零件50的電路的電特性於規定的溫度區域（例如，100℃以上或170℃以下）中是否可發揮所需的特性。該評價中，包含以所需的溫度區域中的動作確認為目的之評價、或以所需的溫度區域中的加速耐久試驗為目的之評價（例如，預燒測試）。 具體而言，例如可使形成有多個探針81的探針卡80與零件50的規定的對應部位接觸並進行電性連接，判定探針81與形成於各零件50上的電路之間交換的信號的正確與否（探針測試）（參照圖8）。再者，作為評價，如上所述，除了使探針接觸而進行的電性評價（探針測試）以外，亦可列舉非接觸的光學式的評價。另外，於存在多個保持於保持膜20上的零件50的情況下，於評價步驟R4中進行評價的零件50的個數並無限定。即，評價步驟R4可為對全部零件50進行評價的步驟，亦可為僅對一部分零件50進行評價的步驟。
進而，拾取步驟R5（參照圖9）為於評價步驟R4後僅將零件50中的一部分零件50'自基層21側向保持層22側頂推而使保持膜20進一步伸張，藉此使所述一部分零件50'與其他零件50分離而拾取的步驟。 可於各步驟中維持本零件製造用具1中利用的保持膜20的柔軟性，因此可具有高的拾取性。具體而言，於拾取步驟中，可僅使貼附有拾取對象零件的部位的膜發生變形。即，可將藉由頂起構件92頂起時所追隨抬起的周邊膜的面積抑制得小，可縮短伴隨頂起而抬起的圓形部的直徑L（參照圖9）。藉此，可防止作為非拾取對象的零件不期望地抬起等不良情況。對於無法維持充分的柔軟性的膜而言，伴隨頂起而不期望地抬起的周邊膜的面積大，因此讓人擔心的是與作為拾取對象的零件鄰接的其他零件（非拾取對象零件）同時抬起或傾斜地抬起，產生零件彼此碰撞等不良情況。關於該方面，本方法利用所述本零件製造用具1，因此可防止此種不良情況。 拾取步驟可使用公知的方法適宜進行，例如可藉由如下方式進行：利用頂起構件92自保持膜20的基層21之側，將作為拾取對象的零件50頂起，藉由拾取器具93利用吸附等方法來拾取該被頂起的零件50。 [實施例]
以下，利用實施例對本發明進行具體說明。 [1]零件製造用具的製造 〈1〉保持膜20的製造 〈實驗例1〉 （1）基層 作為基層21，準備厚度75 μm的聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）膜。使用該膜，利用動態黏彈性測定裝置（DMA：Dynamic Mechanical Analysis）（製品名：RSA-3，TA儀器（TA Instrument）公司製造）來測定拉伸彈性係數E'。具體而言，將樣品尺寸設為寬度10 mm、夾具間的長度20 mm，根據於頻率1 Hz、昇溫速度5℃/分鐘的測定條件下自-50℃至200℃進行測定所獲得的資料來讀取各溫度的資料。而且，將-40℃下的值設為拉伸彈性係數E'（-40），將25℃下的值設為拉伸彈性係數E'（25），將100℃下的值設為拉伸彈性係數E'（100），將160℃下的值設為拉伸彈性係數E'（160），並且示於表1中。進而，使用該些值算出比RE1 （=E'（100）/E'（25））的值、及比RE2 （=E'（160）/E'（-40））的值，將該結果一併記載於表1中。結果，實驗例1中的比RE1 為0.25，比RE2 為0.06。 （2）保持層 作為保持層22，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。 （3）基層與保持層的積層 於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，從而獲得實驗例1的保持膜20。
〈實驗例2〉 （1）基層 作為基層21，準備厚度150 μm的尼龍系熱塑性彈性體（TPAE）膜。使用該膜，與實驗例1同樣地測定拉伸彈性係數E'，並且算出比RE1 及比RE2 ，將該結果示於表1中。結果，實驗例2中的比RE1 為0.34，比RE2 為0.001。 （2）保持層 作為保持層22，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。 （3）基層與保持層的積層 於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，從而獲得實驗例2的保持膜20。
〈實驗例3〉 （1）基層 作為基層21，準備厚度80 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜。使用該膜，與實驗例1同樣地測定拉伸彈性係數E'，並且算出比RE1 及比RE2 ，將該結果示於表1中。結果，實驗例3中的比RE1 為0.4，比RE2 為0.03。 （2）保持層 作為保持層22，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。 （3）基層與保持層的積層 於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，從而獲得實驗例3的保持膜20。
〈實驗例4〉 （1）基層 作為基層21，準備厚度150 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜。該膜為與實驗例3的膜僅厚度不同的膜。 （2）保持層 作為保持層22，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。 （3）基層與保持層的積層 於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，從而獲得實驗例4的保持膜20。
〈實驗例5〉 （1）基層 作為基層21，準備厚度120 μm的聚酯系熱塑性彈性體（TPEE）膜。使用該膜，與實驗例1同樣地測定拉伸彈性係數E'，並且算出比RE1 及比RE2 ，將該結果示於表1中。結果，實驗例5中的比RE1 為0.6，比RE2 為0.02。 （2）保持層 作為保持層22，使用厚度10 μm的非硬化型的丙烯酸系黏著劑。 （3）基層與保持層的積層 於所述（1）的基層21的一面上層壓所述（2）的保持層22，從而獲得實驗例5的保持膜20。
表1
〈2〉零件製造用具的製造 關於實驗例1-實驗例5的各保持膜20，使用外徑179 mm且內徑（開口部11h的直徑）169 mm的第1框11、與外徑182 mm且內徑（開口部12h的直徑）179 mm的第2框12，自無負荷狀態以向周圍均等地擴張2 mm的方式使實驗例1～實驗例5的各保持膜伸張（以由第1框11與第2框12夾持的狀態進行保持）而張拉，藉此獲得實驗例1～實驗例5的零件製造用具。
〈3〉零件製造用具的評價 於設定為溫度120℃的真空吸附式的吸盤台60的表面61上，吸附固定直至所述〈2〉為止而獲得的實驗例1～實驗例5的各零件製造用具1的保持膜20的基層21表面。以如下基準評價此時的吸附固定的狀態，將其結果示於表1中。 「○」…可良好地吸附固定。 「△」…可吸附固定，但確認到稍許褶皺。 「×」…保持膜發生波動而無法吸附固定。
[2]實施例的效果 實驗例1～實驗例5的基層21的E'（100）與E'（25）的比RE1 （=E'（100）/E'（25））均包含於0.2≦RE1 ≦1的範圍內。此外，實驗例1～實驗例5的基層21的E'（25）均包含於35 MPa以上且3500 MPa以下的範圍內。藉由使用此種基層21的零件製造用具，可正常地吸附於高溫的真空吸附式的吸盤台，完全未確認到熱褶皺。結果，可提供一種即便於加熱環境下亦可吸附於吸盤台上的零件製造用具及零件製造方法。
再者，本發明不限於所述具體實施例所示的內容，可設為根據目的、用途於本發明的範圍內加以各種變更而成的實施例。 [產業上的可利用性]
本發明的零件製造用具及零件製造方法於半導體零件製造、電子零件製造的用途中廣泛使用。尤其是，於利用包括伴隨加熱的評價步驟、單片化步驟及拾取步驟的零件的製造方法的情況下，就進行生產性優異的零件製造的觀點而言而較佳地利用。
1‧‧‧零件製造用具
10‧‧‧框體
10h‧‧‧開口部
11‧‧‧第1框
11h‧‧‧開口部
12‧‧‧第2框
12h‧‧‧開口部
20、20'‧‧‧保持膜
21‧‧‧基層
21a‧‧‧基層的一面
22‧‧‧保持層
25‧‧‧前驅保持膜
50、50'‧‧‧零件
51‧‧‧半導體零件
52‧‧‧半導體零件的前驅體（單片化後的前驅體）
53‧‧‧半導體晶圓（單片化前的前驅體）
54‧‧‧電子零件
55‧‧‧電子零件的前驅體（單片化後的前驅體）
56‧‧‧陣列狀電子零件（單片化前的前驅體）
60‧‧‧吸盤台
61‧‧‧表面（吸盤台的可吸附的表面）
70‧‧‧環形框架
70h‧‧‧開口部
71‧‧‧環形框架的開口部
80‧‧‧探針卡
81‧‧‧探針
91‧‧‧切割刀
92‧‧‧頂起構件
93‧‧‧拾取器具
111‧‧‧凸部
121‧‧‧凹部
L‧‧‧直徑
R1‧‧‧單片化步驟
R2‧‧‧零件保持步驟
R2-1‧‧‧框體卡合步驟
R2-2‧‧‧膜切割步驟
R3‧‧‧吸附步驟
R4‧‧‧評價步驟
R5‧‧‧拾取步驟
X‧‧‧褶皺
圖1是說明本零件製造用具的一例的平面形態（a）、對應的剖面形態（b）、對應的剖面形態的其他變化（variation）（c）的說明圖。 圖2是說明構成本零件製造用具的框體的說明圖。 圖3是說明本零件製造用具的其他例的平面形態（a）、對應的剖面形態（b）的說明圖。 圖4是說明本方法的單片化步驟的說明圖。 圖5是說明本方法的零件保持步驟的框體卡合步驟的說明圖。 圖6是說明本方法的零件保持步驟的膜切割（cut）步驟的說明圖。 圖7是說明本方法的吸附步驟的說明圖。 圖8是說明本方法的評價步驟的說明圖。 圖9是說明本方法的拾取步驟的說明圖。 圖10是說明現有的零件製造用具的問題的說明圖。

Claims (9)

  1. 一種零件製造用具，其為半導體零件的製造方法或電子零件的製造方法中所使用的零件製造用具，所述零件製造用具的特徵在於包括： 具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部且張拉於所述框體的保持膜， 所述框體包括環狀的第1框、以及能夠與所述第1框卡合的環狀的第2框， 所述保持膜包括基層、以及設置於所述基層的一面側的保持層，並且於經伸張的狀態下夾持於所述第1框與所述第2框之間而得到保持， 所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）、與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 即E'（100）/E'（25）為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的零件製造用具，其中所述基層的線熱膨脹係數為100 ppm/K以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用具，其中所述基層包含熱塑性聚酯系彈性體、熱塑性聚醯胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的零件製造用具，其中所述製造方法包括將處於選自半導體零件、所述半導體零件的前驅體、電子零件、及所述電子零件的前驅體中的多個零件保持於所述保持層上的狀態的、所述保持膜吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的零件製造用具，其中於所述吸附步驟後，包括對保持於所述保持膜上的所述零件進行評價的評價步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的零件製造用具，其中於所述評價步驟後，包括僅將所述零件中的一部分零件自所述基層側向所述保持層側頂推而使所述保持膜進一步伸張，藉此使所述一部分零件與其他零件分離而拾取的拾取步驟。
  7. 一種零件製造方法，其特徵在於包括：將選自半導體零件、所述半導體零件的前驅體、電子零件、及所述電子零件的前驅體中的多個零件保持於如下零件製造用具的保持層上的零件保持步驟，所述零件製造用具包括 具有開口部的框體、以及覆蓋所述開口部且張拉於所述框體的保持膜， 所述框體包括環狀的第1框、以及能夠與所述第1框卡合的環狀的第2框， 所述保持膜包括基層、以及設置於所述基層的一面側的所述保持層，並且於經伸張的狀態下夾持於所述第1框與所述第2框之間而得到保持， 所述基層的100℃下的彈性係數E'（100）、與25℃下的彈性係數E'（25）的比RE1 即E'（100）/E'（25）為0.2≦RE1 ≦1且E'（25）為35 MPa以上且3500 MPa以下；以及 將保持有所述零件的所述保持膜吸附固定於經加熱的吸盤台的表面上的吸附步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的零件製造方法，其中於所述吸附步驟後，包括對保持於所述保持膜上的所述零件進行評價的評價步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的零件製造方法，其中於所述評價步驟後，包括僅將所述零件中的一部分零件自所述基層側向所述保持層側頂推而使所述保持膜進一步伸張，藉此使所述一部分零件與其他零件分離而拾取的拾取步驟。
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