TW201907477A - 蝕刻方法及蝕刻裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明旨在抑制有機膜上形成之溝槽的彎曲。 本發明之蝕刻方法包含：搬入程序、第1蝕刻程序及第2蝕刻第程序。在搬入程序，使已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件搬入處理室內。在第1蝕刻程序，藉由含硫的第2氣體相對於含氧的第1氣體之流量比成為第1流量比之處理氣體的電漿，蝕刻遮罩膜的下層之有機膜。在第2蝕刻程序，藉由第2氣體相對於第1氣體的流量比成為不同於第1流量比的第2流量比之處理氣體的電漿，進一步蝕刻有機膜。另外，蝕刻有機膜時，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替執行多次。

Description

蝕刻方法及蝕刻裝置
本發明的各種樣態和實施形態係關於蝕刻方法及蝕刻裝置。
已知用電漿的蝕刻程序中在被處理膜上形成溝槽時，會因溝槽的側壁被過度削除致使溝槽中間的空間膨脹而產生所謂的彎曲。由於朝向細微化之進展，該彎曲的問題更加明顯化，難以按照設計控制溝槽的寬度。在下述的專利文獻1中公開一種技術作為其對策，在O2 (氧)氣體、N2 (氮)氣體或H2 (氫)氣體等的蝕刻氣體中添加COS(羰基硫)氣體。
[習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本特開2010-109373號公報
[發明所欲解決的課題]
由於在蝕刻氣體中添加COS氣體，可在一定程度上抑制彎曲。但是朝更加細微化進展，尚需要進一步抑制彎曲。 [解決課題的技術手段]
本發明的蝕刻方法，包含：搬入程序、第1蝕刻程序及第2蝕刻程序。在搬入程序，使已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件搬入處理室內。在第1蝕刻程序，藉由含硫的第2氣體相對於含氧的第1氣體之流量比成為第1流量比之處理氣體的電漿，蝕刻遮罩膜的下層之有機膜。在第2蝕刻程序，藉由第2氣體相對於第1氣體之流量比成為不同於第1流量比的第2流量比之處理氣體的電漿，進一步蝕刻有機膜。另外，蝕刻有機膜時，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替執行多次。 [發明效果]
依據本發明的各種樣態和實施形態，可抑制有機膜上形成之溝槽彎曲。
在公開過蝕刻方法的一種實施形態中，包含：搬入程序、第1蝕刻程序和第2蝕刻程序。在搬入程序，使已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件搬入處理室內。在第1蝕刻程序，藉由含硫的第2氣體相對於含氧的第1氣體之流量比成為第1流量比之處理氣體的電漿，蝕刻遮罩膜的下層之有機膜。在第2蝕刻程序，藉由第2氣體相對於第1氣體之流量比成為不同於第1流量比的第2流量比之處理氣體的電漿，進一步蝕刻有機膜。另外，蝕刻有機膜時，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替執行多次。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，交替執行第1蝕刻程序及第2蝕刻程序，以使第1蝕刻程序的處理時間與第2蝕刻程序的處理時間成為預定的比率亦可。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，第1蝕刻程序的處理時間相對於第1蝕刻程序的處理時間與第2蝕刻程序的處理時間之和的比率為在30％以上90％以下的範圍內亦可。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，1次第1蝕刻程序的處理時間與1次第2蝕刻程序的處理時間之和為5秒以下亦可。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，在第1蝕刻程序，第1氣體以第1流量供應給處理室內，第2氣體以第2流量供應給處理室內。另外，在第2蝕刻程序，第1氣體以第1流量供應給處理室內，第2氣體以小於第2流量的第3流量供應給處理室內。另外，在第2流量與第3流量之間呈階梯狀切換第2氣體亦可。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，第3流量為0亦可。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，在第1蝕刻程序和第2蝕刻程序供應給處理室內之第2氣體的平均流量相對於在第1蝕刻程序和第2蝕刻程序供應給處理室內之第1氣體的平均流量之比率為低於20％的比率。
另外，在公開的蝕刻方法的一種實施形態中，第1氣體中含有O2 氣體、CO氣體或CO2 氣體中至少其中一種亦可，第2氣體中含有COS氣體、SO氣體、SO2 氣體或SF6 氣體中至少其中一種亦可。
另外，一種實施形態，公開的蝕刻裝置具備：處理室、供應部、蝕刻處理部及控制部。已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件搬入處理室。供應部對處理室內供應含氧的第1氣體和含硫的第2氣體。蝕刻處理部藉由供應到處理室內之氣體的電漿，蝕刻遮罩膜的下層之有機膜。控制部控制第2氣體相對於第1氣體的流量比。另外，控制部執行第1蝕刻程序和第2蝕刻程序。控制部於第1蝕刻程序，控制供應部以使第2氣體相對於第1氣體的流量比成為第1流量比，藉由第1流量比之氣體的電漿，使蝕刻處理部蝕刻有機膜。另外，控制部於第2蝕刻程序控制供應部以使第2氣體相對於第1氣體的流量比成為不同於第1流量比的第2流量比，藉由第2流量比之處理氣體的電漿，使蝕刻處理部進一步蝕刻有機膜。另外，蝕刻有機膜時，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替執行多次。
以下，根據附圖詳細說明公開的蝕刻方法和蝕刻裝置之實施形態。此外，並非藉由本實施形態來限定公開的蝕刻方法和蝕刻裝置。
[蝕刻裝置10之結構] 圖1為蝕刻裝置10的一個例子之圖。例如如圖1所示，蝕刻裝置10具有由表面被陽極氧化處理過之鋁等形成，內部劃分成大致圓筒狀的處理空間之處理室21。處理室21接地。本實施形態的蝕刻裝置10例如被構成為電容耦合式平行平板電漿處理裝置。在處理室21內透過由陶磁等形成之絕緣板22配置支撐台23。在支撐台23上例如設置由鋁等形成而作為下部電極作用之承載盤24。
在承載盤24大致中央的上部，設置以靜電力吸持工件W之靜電夾盤25。靜電夾盤25為載置台的一個例子。靜電夾盤25具有以一對的絕緣層夾持由導電膜等形成的電極26之結構。電極26電連接著直流電源27。此外，在靜電夾盤25設置用以將工件W加熱之加熱器(未圖示)亦可。
在承載盤24的上部配置對焦環25a以使包圍靜電夾盤25。藉由對焦環25a提高工件W在邊緣附近之電漿的同質性。對焦環25a例如由單晶矽等形成。在支撐台23和承載盤24的周圍設置內壁構件28以使包圍支撐台23和承載盤24。內壁構件28例如由石英形成為大致圓筒狀。
在支撐台23的內部，例如沿著支撐台23的圓周方向形成冷媒室29。從被設置在外部之冷卻機組(未圖示)透過配管30a和配管30b，循環供應被控制在預定溫度的冷媒給冷媒室29。冷媒在冷媒室29內循環，藉由與冷媒的熱交換可將靜電夾盤25上的工件W控制在預定的溫度。另外，從氣體供應機構(未圖示)供應之熱轉移氣體，透過配管31供應給靜電夾盤25的上表面與被被載置在靜電夾盤25上之工件W的背面之間。熱轉移氣體例如為氦氣。
在作為下部電極作用之承載盤24的上方設置上部電極40，以使隔著處理室21內的處理空間與承載盤24對向。上部電極40與承載盤24之間的空間而被處理室21包圍之空間為產生電漿之處理空間。上部電極40具有作為電極本體部作用之頂板42及支撐頂板42之頂板支撐部41。
頂板支撐部41透過絕緣性構件45支撐在處理室21的上部。頂板支撐部41由導熱性較高的導電性材料(例如表面被陽極氧化處理過的鋁等)形成為大致圓板狀。另外，頂板支撐部41也可作為冷卻板作用，冷卻處理空間產生的電漿而被加熱之頂板42。在頂板支撐部41，形成有導入處理氣體之氣體導入口46、使從氣體導入口46導入的處理氣體擴散之擴散室43及使擴散室43內擴散之處理氣體流到下方之流通管路也就是多個流通口43a。
頂板42由含矽的物質(例如石英等)形成為大致圓板形。在頂板42形成有在頂板42的厚度方向上貫穿頂板42之多個氣體導入口42a。配置各氣體導入口42a，以使與頂板支撐部41的流通口43a任何一個連通。藉此被供應給擴散室43內之處理氣體，透過流通口43a和氣體導入口42a呈淋浴狀擴散供應給處理室21內。
多個開關閥50a~50d透過配管47連接著頂板支撐部41的氣體導入口46。開關閥50a透過質流控制器(MFC)49a連接著氣體供應源48a，開關閥50a被控制在開路狀態，即開放狀態時，從氣體供應源48a供應之處理氣體藉由MFC49a控制流量，透過配管47供應給處理室21內。在本實施形態，氣體供應源48a例如供應CF4 氣體給處理室21內。
另外，開關閥50b透過MFC49b連接著氣體供應源48b。開關閥50b被控制在開路狀態時，從氣體供應源48b供應之處理氣體藉由MFC49b控制流量，透過配管47供應給處理室21內。在本實施形態，氣體供應源48a供應CH2 F2 氣體給處理室21內。
另外，開關閥50c透過MFC49c連接著氣體供應源48c。開關閥50c被控制在開路狀態時，從氣體供應源48c供應之處理氣體藉由MFC49c控制流量，透過配管47供應給處理室21內。在本實施形態，氣體供應源48c供應O2 氣體給處理室21內。O2 氣體為含氧之第1氣體的一個例子。
另外，開關閥50d透過MFC49d連接著氣體供應源48d。開關閥50d被控制在開路狀態時，從氣體供應源48d供應之處理氣體藉由MFC49d控制流量，透過配管47供應給處理室21內。在本實施形態，氣體供應源48d供應COS氣體給處理室21內。COS氣體為含硫之第2氣體的一個例子。
藉由後述的控制部60，控制MFC49a~49d分別對各氣體流量的調整和分別對開關閥50a~50d的開/閉。氣體供應源48a~48d、MFC49a~49d以及開關閥50a~50d為供應部的一個例子。
作為下部電極作用之承載盤24透過匹配器33a電連接著高頻電源34a。另外，承載盤24透過匹配器33b電連接著高頻電源34b。高頻電源34a透過匹配器33a對承載盤24供應27MHz~100MHz之第1頻率的高頻電力(例如40MHz的高頻電力)。高頻電源34b透過匹配器33b對承載盤24供應400KHz~20MHz之第2頻率的高頻電力(例如13MHz的高頻電力)。
第1頻率的高頻電力供應給承載盤24，藉以在處理空間內產生處理氣體的電漿。承載盤24和上部電極40為蝕刻處理部的一個例子。另外，第2頻率的高頻電力供應給承載盤24，藉以使電漿中之離子等的活性物種吸引至靜電夾盤25上的工件W。從高頻電源34a和374b供應之高頻電力，藉由後述的控制部60控制。
在處理室21的底部設置排氣口71，排氣口71透過排氣管72連接著排氣裝置73。排氣裝置73具有真空泵(例如DP(Dry Pump)或TMP(Turbo Molecular Pump等))，可將處理室21內減壓到所期望的真空度為止。排氣裝置73藉由後述的控制部60控制。
在處理室21的側壁設置開口74，用以搬入和搬出工件W。開口74可藉由閘閥G開/關。另外，處理室21的內壁沿著壁面拆裝自如地設置遮蔽環76。另外，內壁構件28的外周表面沿著內壁構件28的外周表面拆裝自如地設置遮蔽環77。遮蔽環76和77用以防止在處理室21的內壁和內壁構件28附著反應衍生物(沉積物)。在遮蔽環76的位置(與靜電夾盤25上載置之工件W大致相同高度)設置由導電性構件構成並被接地之接地塊79。藉由接地塊79防止處理室21內的異常放電。
上述過的蝕刻裝置10，其動作由控制部60統籌控制。控制部60具有：例如ROM(Read Only Memory)或RAM(Random Access Memory)等的記憶體61、例如CPU(Central Processing Unit)或DSP(Digital Signal Processor)等的處理器62及用戶介面63。用戶介面63包含：例如程序管理者等的用戶為了要管理蝕刻裝置10而進行指令輸入之鍵盤、或顯示蝕刻裝置10的作動狀況之顯示器等。
在記憶體61儲存著包含蝕刻裝置10中用來實現各種處理之處理條件的資料等之配方、或控制程式(軟體)。處理器62從記憶體61讀出並執行控制程式，根據被儲存在記憶體61之配方等，控制蝕刻裝置10的各部位。藉此由蝕刻裝置10來對工件W進行蝕刻處理。此外，包含處理條件的資料等之配方或控制程式，可在儲存於電腦可讀取的記憶媒體等的狀態下應用、或者從其他裝置透過傳輸線傳送應用。電腦可讀取的記憶媒體例如為硬碟、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)、軟碟、半導體記憶體等。
[工件W之結構] 圖2係工件W之剖面的一個例子之示意圖。本實施形態中，例如以如同圖2所示之結構的工件W為例進行蝕刻。例如如圖2所示，工件W係例如如圖2所示，在矽等的基板201上，例如沉積非晶碳或旋覆碳等的有機膜202，在有機膜202上，例如沉積SiON等的含矽反射防止膜(SiARC)也就是遮罩層203。然後，在遮罩層203上，例如沉積ArF抗蝕劑等的PR(Photo Resist)204。PR204的圖案形成為與遮罩層203和有機膜202上形成之溝槽的開口形狀對應的形狀。
[蝕刻處理] 圖3係顯示蝕刻處理的一個例子之流程圖。藉由控制部60的控制，執行圖3所示的蝕刻處理。
首先，閘閥G開啟，工件W搬入處理室21內(S100)。步驟S100為搬入程序的一個例子。然後，工件W被載置在靜電夾盤25上，關閉閘閥G。然後，控制部60控制直流電源27以對電極26施加直流電壓。藉此工件W被吸持在靜電夾盤25的上表面。然後，控制部60控制冷卻機組(未圖示)以調整支撐台23的冷媒室29內循環之冷媒的溫度，藉以將工件W調節在預定的溫度。
其次，控制部60執行遮罩層203的蝕刻程序預定時間(S101)。在遮罩層203的蝕刻程序，控制部60控制排氣裝置73，直到預定的真空度為止將處理室21內排氣。然後，控制部60將開關閥50a~50c控制在開路狀態，此外，開關閥50d被控制在閉路狀態。
然後，控制部60控制MFC49a以使從氣體供應源48a供應之CF4 氣體的流量成為預定的流量，控制MFC49b以使從氣體供應源48b供應之CH2 F2 氣體的流量成為預定的流量，控制MFC49c以使從氣體供應源48c供應之O2 氣體的流量成為預定的流量。控制部60控制MFC49a~49c以使例如CF4 氣體、CH2 F2 氣體和O2 氣體的流量分別成為250sccm、25sccm和5sccm。然後，控制部60控制排氣裝置73，將處理室21內控制在預定的壓力。控制部60將處理室21內的壓力控制在例如75mT。
然後，控制部60控制高頻電源34a，例如將400W的高頻電力施加給承載盤24。藉此上部電極40與承載盤24之間產生含CF4 氣體、CH2 F2 氣體和O2 氣體之處理氣體的電漿。然後，控制部60控制高頻電源34b，例如將100W的高頻電力施加給承載盤24。藉此電漿中離子等的活性物種被吸引至靜電夾盤25上的工件W，以PR204作為遮罩，蝕刻PR204的下層之遮罩層203。
遮罩層203蝕刻完畢後，控制部60執行以遮罩層203作為遮罩，蝕刻遮罩層203的下層之有機膜202之第1蝕刻程序預定時間。第1蝕刻程序中，控制部60將開關閥50a和50b控制在閉路狀態，將開關閥50c和50d控制在開路狀態。然後，控制部60控制MFC49c以使從氣體供應源48c供應之O2 氣體的流量成為預定的流量，控制MFC49d以使從氣體供應源48d供應之COS氣體的流量成為預定的流量。第1蝕刻程序中，控制部60分別控制MFC49c和49d，以使COS氣體相對於O2 氣體的流量比成為第1流量比。然後，控制部60控制排氣裝置73以使處理室21內的壓力，例如成為12mT。
另外，控制部60將從高頻電源34a施加給承載盤24之高頻電力變更為300W，停止從高頻電源34b施加給承載盤24之高頻電力。藉此以遮罩層203作為遮罩，藉由O2 氣體和COS氣體的電漿，蝕刻遮罩層203的下層之有機膜202。有關在第1蝕刻程序O2 氣體的流量和COS氣體的流量以及第1流量比於後述。
其次，控制部60執行以遮罩層203作為遮罩進一步蝕刻有機膜202(S103)之第2蝕刻程序預定時間。第2蝕刻程序中，控制部60分別控制MFC49c和49d以使COS氣體相對於O2 氣體的流量比成為不同於第1流量比的第2流量比。在本實施形態，第2流量比例如為小於第1流量比的値。即在本實施形態的第2蝕刻程序中，COS氣體的流量小於第1蝕刻程序。具體而言，在本實施形態的第2蝕刻程序中，控制部60停止供應COS氣體。因而在本實施形態的第2蝕刻程序中，主要是藉由O2 氣體的電漿蝕刻有機膜202。處理室21的壓力和從高頻電源34a施加給承載盤24之高頻電力則是與第1蝕刻程序相同。此外，即使在第2程序，仍沒有高頻電力從高頻電源34b施加給承載盤24。有關在第2蝕刻程序O2 氣體的流量和COS氣體的流量於後述。
其次，控制部60判定包含第1蝕刻程序及第2蝕刻程序分別各執行1次之周期是否已執行了預定周期(S104)。包含第1蝕刻程序與第2蝕刻程序分別各執行1次之周期執行預定周期，則會在有機膜202形成預定深度的溝槽。包含第1蝕刻程序與第2蝕刻程序分別各執行1次之周期尚未執行預定周期時(S104：No)，控制部60再度執行步驟S102所示的第1蝕刻程序。
另一方面，包含第1蝕刻程序與第2蝕刻程序分別各執行1次之周期已執行了預定周期時(S104：Yes)，控制部60使高頻電源34a和高頻電源34b停止。然後，控制部60將開關閥50a~50d控制在閉路狀態，控制排氣裝置73以將處理室21內排氣至預定的真空度為止。然後，控制部60使從直流電源27對電極2施加直流電壓停止。然後，閘閥G開啟，從處理室21內搬出工件W。
[溝槽的形狀] 此處針對有機膜202上形成之溝槽的形狀進行說明。圖4係顯示比較例中溝槽形成過程的一個例子之示意圖。比較例中，遮罩層203進行蝕刻過後，例如用O2 氣體和COS氣體之混合氣體的電漿，以遮罩層203作為遮罩蝕刻有機膜202。
在此情況下，溝槽開口附近的等電位面由於工件W的表面充電而變形。因而O離子等帶電粒子的射入方向會在溝槽的開口附近彎曲，朝溝槽側壁的方向射入。藉此溝槽的側壁受到橫向蝕刻，發生所謂的彎曲(bowing)。進而因在溝槽的側壁或底面與O離子等的反應而產生之反應衍生物210附著在溝槽的開口附近，發生所謂的頸縮(necking)。因而會有溝槽的開口部變窄並封閉溝槽的開口部的情況。
O2 氣體中添加COS氣體，藉以在溝槽的側壁附著含硫的反應衍生物，抑制橫向的蝕刻。但是隨著近年來細微化的進展，需要形成更高縱橫比的溝槽，並要求更加減少彎曲。
對於此點，本實施形態的蝕刻裝置10則是在以遮罩層203作為遮罩蝕刻有機膜202之際，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替反覆進行。例如在第1蝕刻程序，藉由經調整過使COS氣體相對於O2 氣體的流量比成為第1流量之處理氣體的電漿，蝕刻有機膜202。藉此例如如圖5(a)所示，蝕刻有機膜202並且在遮罩層203和有機膜202的側壁和底面附著含硫的反應衍生物211。因而溝槽的側壁的蝕刻受到抑制，且彎曲受到抑制。圖5係顯示本實施形態中溝槽形成程序的一個例子。
然後，在第2蝕刻程序，藉由經調整過使COS氣體相對於O2 氣體的流量比成為不同於第1流量的第2流量之處理氣體的電漿，蝕刻有機膜202。具體而言，在第2蝕刻程序，停止供應COS氣體，藉由O2 氣體的電漿蝕刻有機膜202。因而例如如圖5(b)所示，在遮罩層203和有機膜202的側壁和底面附著之反應衍生物211受到蝕刻，排出反應衍生物212。
此時O離子主要朝有機膜202的厚度方向射入，因而溝槽的底面受到更多的蝕刻。藉此蝕刻主要往有機膜202的厚度方向行進。此外，在遮罩層203和有機膜202的側壁和底面附著之反應衍生物211全面受到蝕刻，因而溝槽的開口附近附著之反應衍生物211被去除，頸縮也受到抑制。
此處只執行第1蝕刻程序時，例如如圖5(a)所示，在遮罩層203和有機膜202的側壁和底面附著之反應衍生物211變厚，最終蝕刻停止行進。另一方面，只執行第2蝕刻程序時，例如如圖5(b)所示，溝槽的側壁附著之反應衍生物211並不存在，溝槽的側壁的蝕刻行進，發生彎曲。
於是本實施形態中，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替反覆進行。藉此圖5(a)所示的狀態與圖5(a)所示的狀態反覆交替，可在抑制彎曲和頸縮下形成預定深度的溝槽。
[周期與溝槽形狀的關係] 其次，針對第1蝕刻程序與第2蝕刻程序執行的周期變更了時溝槽的形狀進行測試。1周期間中，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序連續性各執行1次。測試則是將O2 氣體的流量控制在一定，在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間，只變更了COS氣體的流量。圖6係顯示在各條件下蝕刻與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。此外，圖6中的(a)項中也記錄著作為比較例之氣體的流量比已控制在一定時溝槽的形狀。
圖6中「遮罩殘量」是指例如如圖7所示，顯示在結束蝕刻有機膜202的時候殘存在有機膜202上之遮罩層203的厚度。圖7係說明Bow CD、BTM CD和遮罩殘量的一個例子之圖。另外「Bow CD」是指Bowing Critical Dimension的縮寫，例如如圖7所示，有機膜202上形成之溝槽中側壁最寬的寬度。另外，「BTM CD」是指Bottom Critical Dimension的縮寫，例如如圖7所示，有機膜202上形成之溝槽底面的寬度。另外，「△(Bow-BTM」是指「Bow CD」與「BTM CD」的差分。
圖6中的(a)項係顯示比較例中進行蝕刻時溝槽形狀的測定值。比較例中的蝕刻中，例如如圖8所示，以一定的流量比(圖8的例子約為14.3％)供應O2 氣體和COS氣體。圖8係顯示圖6中的(a)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。O2 氣體的流量為350sccm，COS氣體的流量為50sccm。在此情況下，例如如圖6中的(a)項所示，遮罩殘量為35.7nm，Bow CD為47.8nm，BTM CD為39.7nm，△(Bow-BTM)為8.1nm。
圖6中的(b)項係顯示第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以2秒的周期反覆進行時溝槽形狀的測定值。圖6中的(b)項所示的蝕刻中，例如如圖9所示，以一定的流量供應O2 氣體，每隔1秒反覆進行COS氣體的供應和停止供應。圖9係顯示圖6中的(b)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。在圖9的例子中COS氣體與時間之間的變化，於供應COS氣體的期間執行第1蝕刻程序，於停止供應COS氣體的期間執行第2蝕刻程序。
圖9的例子中，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。停止供應COS氣體時COS氣體相對於O2 氣體的流量比為0，供應COS氣體時COS氣體相對於O2 氣體的流量比約為28.6％。此外，圖9的例子中，COS氣體的工作比為50％，因而COS氣體的平均流量為50sccm，COS氣體相對於O2 氣體的流量比約為14.3％。圖6中的(b)項中，藉由COS氣體相對於O2 氣體的流量比約為29％之處理氣體的電漿進行第1蝕刻程序，藉由COS氣體相對於O2 氣體的流量比約為0％之處理氣體的電漿進行第2蝕刻程序。
第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以2秒的周期反覆執行時，例如如圖6中的(b)項所示，遮罩殘量為42.2nm，Bow CD為41.3nm，BTM CD為36.5nm，△(Bow-BTM)為4.8nm。
圖6中的(c)項係顯示第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以3秒的周期反覆執行時溝槽形狀的測定值。圖6中的(c)項所示的蝕刻中，例如如圖10所示，以一定的流量供應O2 氣體，每1.5秒反覆進行COS氣體的供應和停止供應。圖10係顯示圖6中的(c)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
圖10的例子中也是O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以3秒的周期反覆執行時，例如如圖6中的(c)項所示，遮罩殘量為45.9nm，Bow CD為41.8nm，BTM CD為36.7nm，△(Bow-BTM)為5.2nm。
圖6中的(d)項係顯示第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以5秒的周期反覆執行時溝槽形狀的測定值。圖6中的(d)項所示的蝕刻中，例如如圖11所示，以一定的流量供應O2 氣體，每2.5秒反覆COS氣體的供應和停止供應。圖11係顯示圖6中的(d)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
圖11的例子也是O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。第1蝕刻程序與第2蝕刻程序以5秒的周期反覆執行時，例如如圖6中的(d)項所示，遮罩殘量為47.6nm，Bow CD為44.6nm，BTM CD為38.7nm，△(Bow-BTM)為5.9nm。
以圖面顯示△(Bow-BTM)相對於第1蝕刻程序與第2蝕刻程序分別各進行1次之周期的變化，例如如同圖12。圖12係顯示第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各進行1次之周期與Δ(Bow-BTM)的關係的一個例子之圖。參考圖12，如同本實施形態第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替反覆執行時，相較於用一定的流量供應之O2 氣體和COS氣體進行蝕刻之比較例，Δ(Bow-BTM)的值變小。比較例對應於習知的蝕刻方法。Δ(Bow-BTM)的值小代表有機膜202上形成之溝槽的彎曲小。因此，如同本實施形態，藉由第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替反覆執行，可比習知更減小彎曲。
此外，參考圖12，得知隨著第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期變長，Δ(Bow-BTM)的值傾向於逐漸變大。即使是該情況，如果第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期為5秒以下，仍可比習知更減小彎曲。另外，基於圖12的結果，如果第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期為2秒以上5秒以下的範圍，可比習知更減小彎曲。
另外，以圖面顯示遮罩的殘量相對於第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分之周期的變化，例如如同圖13。圖13係顯示第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各進行1次之周期與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。例如如圖13所示，如果第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期為2秒以上5秒以下的範圍，可比習知更增多遮罩殘量。因此，第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期為5秒以下較佳。另外，第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之周期為2秒以上5秒以下的範圍內較佳。圖12和圖13中，即使是實施形態和比較例的任何一個，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比皆約為14.3％。
此外，例如如圖9~圖11所示，在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間呈階梯狀切換COS氣體的流量。本實施形態中，在第2蝕刻程序COS氣體的流量成為0，因而COS氣體變成在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間呈脈波狀導通和切斷。
[工作比與溝槽形狀的關係] 其次，針對執行第1蝕刻程序和第2蝕刻程序之1個周期的處理時間中含有第1蝕刻程序的處理時間之比率變更了時溝槽的形狀進行測試。以下，將第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各執行1次之1個周期的處理時間中含有第1蝕刻程序的處理時間之比率定義為工作比。圖14係顯示工作比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。此外，在圖14中的(a)項和(e)項中也記錄著作為比較例之工作比為0％和100％時溝槽的形狀。
圖14中的(a)項係顯示比較例進行蝕刻時溝槽形狀的測定值。圖14中的(a)項所示的蝕刻中，停止供應COS氣體，只藉由O2 氣體進行蝕刻有機膜202。O2 氣體的流量為350sccm。在此情況下，例如如圖14中的(a)項所示，遮罩殘量為33.6nm，Bow CD為65.8nm，BTM CD為56.7nm，△(Bow-BTM)為9.1nm。
圖14中的(b)項係顯示工作比為50％時溝槽形狀的測定值。圖14中的(b)項所示的蝕刻中，例如如圖15所示，以一定的流量供應O2 氣體，以5秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖15係顯示工作比為50％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。如圖15所示，COS氣體在1個周期當中供應2.5秒間，停止供應2.5秒間。
圖15的例子中，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。此外，圖15的例子中，由於COS氣體的工作比為50％，COS氣體的平均流量為50sccm，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。工作比為50％時，例如如圖14中的(a)項所示，遮罩殘量為47.6nm，Bow CD為44.6nm，BTM CD為38.7nm，△(Bow-BTM)為5.9nm。
圖14中的(c)項係顯示工作比為75％時溝槽形狀的測定值。圖14中的(c)項所示的蝕刻中，例如如圖16所示，以一定的流量供應O2 氣體，以5秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖16係顯示工作比為75％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。如圖16所示，COS氣體在1個周期當中供應3.75秒間，停止供應1.25秒間。
圖16的例子中，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為66.7sccm。此外，圖16的例子中，由於COS氣體的工作比為75％，COS氣體的平均流量為50sccm，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。工作比為75％時，例如如圖14中的(c)項所示，遮罩殘量為50.6nm，Bow CD為40.7nm，BTM CD為38.1nm，△(Bow-BTM)為2.6nm。
圖14中的(d)項係顯示工作比為80％時溝槽形狀的測定值。圖14中的(d)項所示的蝕刻中，例如如圖17所示，以一定的流量供應O2 氣體，以5秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖17係顯示工作比為80％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。如圖17所示，COS氣體在1個周期當中供應4秒間，停止供應1秒間。
圖17的例子中，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為63sccm。此外，圖16的例子中，由於COS氣體的工作比為80％，COS氣體的平均流量為50sccm，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。工作比為80％時，例如如圖14中的(d)項所示，遮罩殘量為50.6nm，Bow CD為43.6nm，BTM CD為37.7nm，△(Bow-BTM)為5.9nm。
圖14中的(e)項係顯示工作比為100％時溝槽形狀的測定值。圖14中的(e)項所示的蝕刻為如圖6中的(a)項和圖8所示比較例中的蝕刻，COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比約為14.3％。工作比為100％時，例如如圖14中的(e)項所示，遮罩殘量為35.7nm，Bow CD為47.8nm，BTM CD為39.7nm，△(Bow-BTM)為8.1nm。
以圖面顯示△(Bow-BTM)相對於工作比的變化，例如如同圖18。圖18係顯示工作比與Δ(Bow-BTM)的關係的一個例子之圖。參考圖18，如同本實施形態第1蝕刻程序和第2蝕刻程序交替反覆執行時，相較於用一定的流量供應之O2 氣體和COS氣體進行蝕刻之比較例，△(Bow-BTM)的值變小。
此處，假設測定值的偏差為1nm，如果△(Bow-BTM)的值成為7nm以下，稱得上△(Bow-BTM)的值比比較例(即習知)還小。參考圖18，如果工作比的值為30％以上90％以下範圍內的值，△(Bow-BTM)的值成為7nm以下。
另外，以圖面顯示遮罩殘量相對於工作比的變化，例如如同圖19。圖19係顯示工作比與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。例如如圖19所示，如果工作比的值為30％以上90％以下範圍內的值，可比比較例(即習知)更增多遮罩殘量。因此，第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各執行1次之1個周期的處理時間中含有第1蝕刻程序的處理時間之比率也就是工作比為30％以上90％以下的範圍內的值較佳。此外，在圖18和圖19，供應COS氣體時COS氣體相對於O2 氣體的平均流量比，在實施形態和比較例的任何一個皆約為14.3％。
[流量比與溝槽形狀的關係] 其次，針對COS氣體相對於O2 氣體的流量比變更了時溝槽的形狀進行測試。圖20係顯示實施形態中COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。
圖20中的(a)項係顯示COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為2.9％時溝槽形狀的測定值。圖20中的(a)項所示的蝕刻中，例如如圖21所示，以一定的流量供應O2 氣體，以2秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖21係顯示流量比為2.9％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
如圖21所示，COS氣體以50％的工作比反覆供應和停止供應。另外，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為20sccm。因此，COS氣體的平均流量成為10sccm，COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比約成為2.9％。COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為2.9％時，例如如圖20中的(a)項所示，遮罩殘量為37.4nm，Bow CD為50.0nm，BTM CD為45.4nm，△(Bow-BTM)為4.6nm。
圖20中的(b)項係顯示COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為14.3％時溝槽形狀的測定值。圖20中的(b)項所示的蝕刻中，例如如圖22所示，以一定的流量供應O2 氣體，以2秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖22係顯示流量比為14.3％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
如圖22所示，COS氣體以50％的工作比反覆供應和停止供應。另外，O2 氣體的流量為350sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。因此，COS氣體的平均流量成為50sccm，COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比約成為14.3％。COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為14.3％時，例如如圖20中的(b)項所示，遮罩殘量為42.4nm，Bow CD為41.3nm，BTM CD為36.5nm，△(Bow-BTM)為4.8nm。
圖20中的(c)項係顯示COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為16.7％時溝槽形狀的測定值。圖20中的(c)項所示的蝕刻中，例如如圖23所示，以一定的流量供應O2 氣體，以2秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖23係顯示流量比為16.7％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
如圖23所示，COS氣體以50％的工作比反覆供應和停止供應。另外，O2 氣體的流量為300sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。因此，COS氣體的平均流量成為50sccm，COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比約成為16.7％。COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為16.7％時，例如如圖20中的(c)項所示，遮罩殘量為46.4nm，Bow CD為40.7nm，BTM CD為36.1nm，△(Bow-BTM)為4.6nm。
圖20中的(d)項係顯示COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為20％時溝槽形狀的測定值。圖20中的(d)項所示的蝕刻中，例如如圖24所示，以一定的流量供應O2 氣體，以2秒的周期反覆COS氣體的供應和停止供應。圖24係顯示流量比為20％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。
如圖24所示，COS氣體以50％的工作比反覆供應和停止供應。另外，O2 氣體的流量為250sccm，供應COS氣體時COS氣體的流量為100sccm。因此，COS氣體的平均流量成為50sccm，COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比約成為20％。COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為20％時，例如如圖20中的(d)項所示，遮罩殘量為46.4nm，Bow CD為37.5nm，BTM CD為28.4nm，△(Bow-BTM)為9.1nm。
作為比較例，在O2 氣體中添加COS氣體或者以一定的流量添加COS氣體時溝槽的形狀，例如成為圖25所示的結果。圖25係顯示比較例中COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。
以圖面顯示△(Bow-BTM)相對於流量比的變化，例如如同圖26。圖26係顯示流量比與Δ(Bow-BTM)的關係的一個例子之圖。圖26中一併標出圖20所示之實施形態的數據及圖25所示之比較例的數據。參考圖26，在本實施形態，流量比增大則△(Bow-BTM)的值有增大的傾向。此處，假設測定值的偏差為1nm，比較例中△(Bow-BTM)的值被認為偏差從顯示傾向之線80到偏移1nm之線81上的值為止。對於此點，在流量比為20％以下的範圍，以相同流量比來比較時，在本實施形態△(Bow-BTM)的顯示傾向之線82上的值小於在比較例考慮到△(Bow-BTM)的偏差之線81上的值。因此，如果COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為20％以下，可比習知更減小△(Bow-BTM)的值。
另外，以圖面顯示遮罩殘量相對於流量比的變化，例如如同圖27。圖27係顯示流量比與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。圖27中一併標出圖20所示之實施形態的數據及圖25所示之比較例的數據。參考圖27的結果，如同本實施形態第1蝕刻程序和第2蝕刻程序交替反覆執行時，任何一個流量比皆比比較例(即習知)更增多遮罩殘量。具體而言，圖27中，在本實施形態遮罩殘量的顯示傾向之線83上的值大於考慮到離在比較例遮罩殘量的顯示傾向之線84有1nm的測定偏差之線85上任一值。因此，如果COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比為20％以下，可比習知更減小△(Bow-BTM)的值，並且可比習知更增大遮罩殘量。
如上所述，已說明了蝕刻裝置10的實施形態。從上述的說明就能明白，依據本實施形態的蝕刻裝置10，可抑制有機膜上形成之溝槽彎曲。
[其他] 此外，本發明並非限定在上述過的實施形態，可在該要點的範圍內予以種種的變形。
例如，上述過的實施形態中，在第1蝕刻程序和第2蝕刻程序O2 氣體的流量被控制在一定，在第1蝕刻程序COS氣體的流量被控制在預定的流量，在第2蝕刻程序停止供應。但是公開的技術並不限於此，如果在第1蝕刻程序COS氣體相對於O2 氣體的流量比大於在第2蝕刻程序COS氣體相對於O2 氣體的流量比，在第2蝕刻程序供應COS氣體亦可。
另外，上述過的實施形態中，經控制使在第1蝕刻程序COS氣體相對於O2 氣體的流量比大於在第2蝕刻程序COS氣體相對於O2 氣體的流量比。但是公開的技術並不限於此，如果經控制使在第1蝕刻程序COS氣體相對於O2 氣體的流量比小於在第2蝕刻程序COS氣體相對O2 氣體的流量比亦可。也就是第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替反覆執行，因而哪一個程序流量大都沒有關係。
另外，上述過的實施形態中，在第1蝕刻程序和第2蝕刻程序O2 氣體的流量被控制在一定，在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間變更COS氣體的流量，但公開的技術並不限於此。例如在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間變更O2 氣體的流量亦可。另外，在第1蝕刻程序和第2蝕刻程序COS流量被控制在一定，在第1蝕刻程序與第2蝕刻程序之間變更O2 氣體的流量亦可。
另外，在上述過的實施形態，在預定的流量與0流量之間呈階梯狀切換O2 氣體的流量，但公開的技術並不限於此。例如COS的流量逐漸切換成在預定的流量與0流量之間多個階段的流量、或在預定的流量與0流量之間連續性逐漸變更皆可。
另外，上述過的實施形態中，已以O2 氣體為例，作為含氧的第1氣體，但是公開的技術並不限於此，含氧的第1氣體例如為含有O2 氣體、CO氣體或CO2 氣體中的至少其中一種亦可。
另外，上述過的實施形態中，已以COS氣體為例，作為含硫的第2氣體，但是公開的技術並不限於此，含硫的第2氣體例如為含有COS氣體、SO氣體、SO2 氣體或SF6 氣體中的至少其中一種亦可。
另外，上述過的實施形態中，以用電容耦合電漿作為電漿源進行蝕刻之蝕刻裝置10為例作說明過，但公開的技術並不限於此。若為用電漿進行蝕刻之蝕刻裝置10，電漿源並不限於電容耦合電漿，例如可用感應耦合電漿、微波電漿、磁控電漿等任何一種的電漿源。
W‧‧‧工件
10‧‧‧蝕刻裝置
21‧‧‧處理室
24‧‧‧承載盤
25‧‧‧靜電夾盤
34‧‧‧高頻電源
40‧‧‧上部電極
41‧‧‧頂板支撐部
42‧‧‧頂板
48‧‧‧氣體供應源
49‧‧‧MFC
50‧‧‧開關閥
60‧‧‧控制部
61‧‧‧記憶體
62‧‧‧處理器
63‧‧‧用戶介面
73‧‧‧排氣裝置
201‧‧‧基板
202‧‧‧有機膜
203‧‧‧遮罩層
204‧‧‧PR
210‧‧‧反應衍生物
211‧‧‧反應衍生物
S100~S105‧‧‧步驟
圖1係顯示蝕刻裝置的一個例子之圖 圖2係顯示工件之剖面的一個例子之示意圖。 圖3係顯示蝕刻處理的一個例子之流程圖。 圖4係顯示比較例中溝槽形成過程的一個例子之示意圖。 圖5(a)、(b)係顯示本實施形態中溝槽形成過程的一個例子之示意圖。 圖6係顯示在各條件下蝕刻與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。 圖7係說明Bow CD、BTM CD和遮罩殘量的一個例子之圖。 圖8係顯示圖6中的(a)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖9係顯示圖6中的(b)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖10係顯示圖6中的(c)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖11係顯示圖6中的(d)項所示的蝕刻中O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖12係顯示第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各進行1次的周期與Δ(Bow-BTM)的關係的一個例子之圖。 圖13係顯示第1蝕刻程序和第2蝕刻程序分別各進行1次的周期與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。 圖14係顯示工作比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。 圖15係顯示工作比為50％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖16係顯示工作比為75％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖17係顯示工作比為80％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖18係顯示工作比與Δ(Bow-BTM)之間的關係的一個例子之圖。 圖19係顯示工作比與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。 圖20係顯示實施形態中COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。 圖21係顯示流量比為2.9％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖22係顯示流量比為14.3％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖23係顯示流量比為16.7％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖24係顯示流量比為20％時O2 氣體和COS氣體之流量的隨時間之變化的一個例子之圖。 圖25係顯示比較例中COS氣體的平均流量相對於O2 氣體的平均流量之流量比與溝槽形狀的關係的一個例子之圖。 圖26係顯示流量比與Δ(Bow-BTM)的關係的一個例子之圖。 圖27係顯示流量比與遮罩殘量的關係的一個例子之圖。

Claims (9)

  1. 一種蝕刻方法，包含： 搬入程序，將已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件搬入處理室內； 第1蝕刻程序，藉由含硫的第2氣體相對於含氧的第1氣體之流量比成為第1流量比之處理氣體的電漿，蝕刻該遮罩膜的下層之該有機膜；及 第2蝕刻程序，藉由該第2氣體相對於該第1氣體之流量比成為不同於該第1流量比的第2流量比之處理氣體的電漿，進一步蝕刻該有機膜； 蝕刻該有機膜時，該第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替進行多次。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻方法，其中，該第1蝕刻程序與該第2蝕刻程序交替執行，以使該第1蝕刻程序的處理時間與該第2蝕刻程序的處理時間成為預定的比率。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之蝕刻方法，其中，該第1蝕刻程序的處理時間相對於該第1蝕刻程序的處理時間和該第2蝕刻程序的處理時間之和的比率，係在30％以上90％以下的範圍內之比率。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之蝕刻方法，其中，1次該第1蝕刻程序的處理時間和1次該第2蝕刻程序的處理時間之和為5秒以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之蝕刻方法，其中， 該第1蝕刻程序中，該第1氣體以第1流量供應至該處理室內，該第2氣體以第2流量供應至該處理室內； 該第2蝕刻程序中，該第1氣體以該第1流量供應至該處理室內，該第2氣體以小於該第2流量的第3流量供應至該處理室內； 在該第2流量與該第3流量之間呈階梯狀切換該第2氣體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之蝕刻方法，其中，該第3流量為0。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之蝕刻方法，其中，於該第1蝕刻程序和該第2蝕刻程序，供應至該處理室內之該第2氣體的平均流量，相對於該第1蝕刻程序和該第2蝕刻程序，供應至該處理室內之該第1氣體的平均流量之流量比，為20％以下的流量比。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之蝕刻方法，其中， 該第1氣體中包含O2 氣體、CO氣體或CO2 氣體中至少其中一種； 該第2氣體中包含COS氣體、SO氣體、SO2 氣體或SF6 氣體中至少其中一種。
  9. 一種蝕刻裝置，具備： 處理室，搬入已在有機膜上沉積了遮罩膜之工件； 供應部，對該處理室內供應含氧的第1氣體與含硫的第2氣體； 蝕刻處理部，藉由供應至該處理室內之氣體的電漿，蝕刻該遮罩膜的下層之該有機膜；及 控制部，控制該第2氣體相對於該第1氣體的流量比； 該控制部執行下列的蝕刻程序： 第1蝕刻程序，控制該供應部以使該流量比成為第1流量比，藉由該第1流量比之氣體的電漿，使該蝕刻處理部蝕刻該有機膜；及 第2蝕刻程序，控制該供應部以使該流量比成為不同於該第1流量比的第2流量比，藉由該第2流量比之氣體的電漿，使該蝕刻處理部進一步蝕刻該有機膜； 蝕刻該有機膜時，第1蝕刻程序與第2蝕刻程序交替執行多次。
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