TW201909480A - 天線結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種天線結構，其包括一基板、一輻射件、一導電件、一接地件、一第一電感、一第二電感以及一饋入件。輻射件設置於基板上，輻射件包括一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部以及連接於第一輻射部、第二輻射部與第三輻射部之間的一饋入部。導電件設置於基板上，導電件連接於饋入部。接地件與饋入部彼此分離。第一電感設置於基板上，且第一電感耦接於導電件與接地件之間。第二電感設置於基板上，且第二電感耦接於導電件與接地件之間。饋入件連接於饋入部與接地件之間，饋入件用來饋入一訊號。

Description

天線結構
本發明涉及一種天線結構，特別是涉及一種具有多操作頻帶的天線結構。
首先，隨著可攜式電子裝置(例如智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦)的使用率日益提高，使得近年來可攜式電子裝置的無線通訊技術更加被重視，而無線通訊品質需視可攜式電子裝置中的天線效率而定。因此，如何提升天線的輻射效率及易於調整整體頻率，已變的相當重要。
另外，隨著次世代通訊技術5G LAA(Licensed Assisted Access)的來臨，現有天線結構的設計(例如平面型倒F型天線(Planar inverted-F antenna，PIFA))已經無法滿足第五代通訊系統的應用頻帶。雖然目前如美國專利公告第8,552,912號專利案，公開了一種“適用於薄型通訊裝置之天線(Antenna for thin communication apparatus)”，其能利用接地線段112、114(ground segments 112 and 114)而達到提高頻寬之特性。然而，第五代通訊系統對於頻帶及頻寬有著更高之需求，US 8,552,912號專利案並無法達到同時涵蓋4G及5G頻帶之效果。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種能同時涵蓋4G及5G頻帶的天線結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種天線結構，其包括一基板、一輻射件、一導電件、 一接地件、一第一電感、一第二電感以及一饋入件。該輻射件設置於該基板上，該輻射件包括一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部以及連接於該第一輻射部、該第二輻射部與該第三輻射部之間的一饋入部。該導電件設置於該基板上，該導電件連接於該饋入部。該接地件與該饋入部彼此分離。該第一電感設置於該基板上，且該第一電感耦接於該導電件與該接地件之間。該第二電感設置於該基板上，且該第二電感耦接於該導電件與該接地件之間。該饋入件連接於該饋入部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的天線結構，其能利用“第一電感耦接於導電件與接地件之間”、“第二電感耦接於導電件與接地件之間”及“饋入件連接於饋入部與接地件之間，以用來饋入一訊號”的技術方案，而能使得天線結構同時涵蓋4G及5G頻帶。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。
U‧‧‧天線結構
1‧‧‧基板
2‧‧‧輻射件
21‧‧‧第一輻射部
22‧‧‧第二輻射部
23‧‧‧第三輻射部
24‧‧‧饋入部
3‧‧‧導電件
31‧‧‧第一端部
32‧‧‧第二端部
33‧‧‧本體部
4‧‧‧接地件
41‧‧‧邊緣
5‧‧‧第一電感
6‧‧‧第二電感
7‧‧‧饋入件
71‧‧‧饋入端
72‧‧‧接地端
8‧‧‧橋接件
9‧‧‧寄生件
91‧‧‧第一寄生部
92‧‧‧第二寄生部
E‧‧‧金屬導體
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
F‧‧‧饋入處
W‧‧‧預定狹縫
D1‧‧‧第一預定距離
D2‧‧‧第二預定距離
L1‧‧‧第一預設距離
L2‧‧‧第二預設距離
M1~M6‧‧‧節點
X、Y‧‧‧方向
圖1為本發明第一實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的天線結構的輻射件、饋入件以及接地件的連接示意圖。
圖3為本發明第一實施例的天線結構的另外一俯視示意圖。
圖4為本發明第一實施例的天線結構的再一俯視示意圖。
圖5為本發明第一實施例的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比的曲線圖。
圖6為本發明第一實施例的第一輻射部的輻射示意圖。
圖7為本發明第一實施例的第二輻射部的輻射示意圖。
圖8為本發明第一實施例的第三輻射部的輻射示意圖。
圖9為本發明第二實施例的天線結構的俯視示意圖。
圖10為本發明第三實施例的天線結構的俯視示意圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“天線結構”的實施方式，本領域技術入員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或信號等，但這些元件或信號不應受這些術語限制。這些術語乃用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，如本文中所使用，術語“或”視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的所有組合。
[第一實施例]
首先，請參閱圖1所示，圖1為本發明第一實施例天線結構U的俯視示意圖，本發明提供一種天線結構U，其包括一基板1、一輻射件2、一導電件3、一接地件4、一第一電感5、一第二電感6以及一饋入件7。輻射件2及導電件3可設置於基板1上，且導電件3可連接於輻射件2的一饋入部24。另外，接地件4與輻射件2的饋入部24彼此分離。再者，第一電感5可設置於基板1上，且第一電感5可耦接於導電件3與接地件4之間。同時，第二電感6可設置於基板1上，且第二電感6可耦接於導電件3與接地件4之間。饋入件7可連接於饋入部24與接地件4之間，且饋入件7用來饋入一訊號。
承上述，值得說明的是，基板1、輻射件2、導電件3、接地件4以及饋入件7的材質可以使用任何種類的導電材質，並且上述元件也可以使用任何的成形方法製作，在此容不再贅述。舉例來說，輻射件2及導電件3可以為一金屬片、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體。另外，基板1可為一印刷電路板(Printed circuit board，PCB)。再者，饋入件7可以為一同軸電纜(Coaxial cable)。須說明的是，本發明不以上述舉例為限。
承上述，請復參閱圖1所示，輻射件2可與導電件3一體成型的設置，也就是說，輻射件2與導電件3可為一金屬片。另外，接地件4可電性連接於一金屬導體E，而金屬導體E可與基板1彼此相互分離。進一步來說，以本發明實施例而言，輻射件2可包括一第一輻射部21、一第二輻射部22、一第三輻射部23以及連接於第一輻射部21、第二輻射部22與第三輻射部23之間的一饋入部24。第一輻射部21以及導電件3可相對於饋入部24而朝向一第一方向(負X方向)延伸，而第二輻射部22可相對於饋入部24而朝向一第二方向(正X方向)延伸，第一方向(負X方向)與第二方向(正X方向)彼此相異，舉例來說，以圖1的實施方式而言，第一方向(負X方向)與第二方向(正X方向)彼此相反。另外，第三輻射部23可設置於第一輻射部21與第二輻射部22之間，且第三輻射部23與部分的第一輻射部21及部分的第二輻射部22相互重疊。
承上述，請復參閱圖1並一併參閱圖2所示，圖2為圖1的II部分的局部放大示意圖，舉例來說，饋入件7可以是一同軸電纜(Coaxial cable)，其具有一饋入端71與一接地端72，饋入端71可電性連接於饋入部24，接地端72可電性連接於接地件4，然而本發明不以上述所舉的例子為限。須說明的是，為使得圖式能易於了解，在其他的圖式中，以替代符號作為如圖2所示之同軸電纜的架構。
承上述，請復參閱圖1所示，導電件3具有一第一端部31、一相對於第一端部31的第二端部32以及一連接於第一端部31與第二端部32之間的本體部33，第一端部31連接於饋入部24，藉此，如圖1所示，第二端部32為相對於第一端部31而朝向第一方向(負X方向)延伸的部分。另外，饋入件7的饋入端71與導電件3之間的連接處或者是饋入件7的饋入端71與饋入部24之間的連接處定義為一饋入處F。藉此，饋入件7可通過導電件3而耦接於饋入部24或者是饋入件7可直接連接於饋入部24。以第一實施例而言，饋入件7的饋入端71可連接於輻射件2的饋入部24。
進一步來說，請復參閱圖1所示，以第一實施例而言，第一電感5的其中一端可耦接於導電件3的本體部33，第一電感5的另外一端可耦接於接地件4。另外，第二電感6的其中一端可耦接於導電件3的本體部33，第二電感6的另外一端可耦接於接地件4。同時，第一輻射部21可相對於饋入件7而設置於饋入件7的一第一側邊，第二輻射部22可相對於饋入件7而設置於饋入件7的一第二側邊，第一電感5以及第二電感6可設置於第一側邊。換句話說，第一電感5及第二電感6都是設置在相對於饋入處F的同一側邊，然本發明不以此為限。進一步地，如圖1所示，第一輻射部21可設置於饋入件7的左側，第二輻射部22可設置於饋入件7的右側，且第一電感5及第二電感6都是設置在饋入件7的左側。須說明的是，在其他實施方式中(請參閱第三實施例)，第一電感5及第二電感6可分別設置於饋入處F的兩相反側邊。
接著，請參閱圖3所示，由圖3與圖1的比較可知，圖3中的實施方式與圖1中的實施方式最大的差別在於：在圖3所提供的天線結構U中，優選地，還可進一步包括一橋接件8，橋接件8可設置於基板1上，且橋接件8可連接於接地件4與第一電感5、第二電感6以及饋入件7之間。換句話說，第一電感5的其中一端可耦接於導電件3的本體部33，第一電感5的另外一端可耦接 於橋接件8，以使得第一電感5通過橋接件8而耦接於接地件4。另外，第二電感6的其中一端可耦接於導電件3的本體部33，第二電感6的另外一端可耦接於橋接件8，以使得第二電感6通過橋接件8而耦接於接地件4。再者，饋入件7的饋入端71可耦接於導電件3，饋入件7的接地端72可耦接於橋接件8，以使得饋入件7通過橋接件8而耦接於接地件4。須說明的是，圖3中所示的其他結構特徵與前述對圖1之說明內容相仿，在此不再贅述。
承上述，值得說明的是，以圖3的實施方式而言，橋接件8設置的目的為使得接地件4能易於貼附於基板1上，雖然圖3的實施方式中有說明可進一步設置橋接件8，然而，在其他實施方式中，也可以不用設置橋接件8。另外，值得一提的是，舉例來說，橋接件8的材質可以為錫或者其它導電材料，接地件4的材質可以為銅或者其它導電材料，然本發明不以此為限。
進一步來說，請復參閱圖1及圖3所示，饋入處F至第二端部32之間可具有一第一預設距離L1，饋入處F至接地件4的一邊緣41之間具有一第二預設距離L2，接地件4的邊緣41朝向該第一方向(負X方向)延伸，第一預設距離L1的長度大於第二預設距離L2的長度。換句話說，導電件3的第二端部32可相對於接地件4的邊緣41而凸出。另外，第一電感5與饋入處F之間可具有一第一預定距離D1，第二電感6與饋入處F之間可具有一第二預定距離D2，第一預定距離D1可小於第二預定距離D2。再者，值得說明的是，以本發明實施例而言，第一電感5的電感值可小於第二電感6的電感值。
接著，請參閱圖4所示，由圖4與圖2的比較可知，圖4中的實施方式與圖3中的實施方式最大的差別在於：在圖4所提供的天線結構U中，還可進一步包括一寄生件9，寄生件9可設置於基板1上，且寄生件9的一端可連接於接地件4。進一步來說，寄生件9可具有一連接於接地件4的第一寄生部91以及一從第一 寄生部91彎折且朝遠離該饋入部24的方向延伸的第二寄生部92，須說明的是，在其他實施方式中，寄生件9的第一寄生部91可直接連接於接地件4。此外，寄生件9的第二寄生部92與第二輻射部22之間可具有一預定狹縫W(寄生件9的第二寄生部92相對於第二輻射部22的水平偏移距離，即寄生件9的第二寄生部92與第二輻射部22之間彼此相距的距離)。
接著，請同時參閱圖5及下表一所示，圖5為本發明第一實施例的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的曲線圖。
接著，請復參閱圖4所示，並請一併參閱圖6至圖8所示，以本發明實施例而言，第一輻射部21的長度大於第二輻射部22的長度，第一輻射部21所提供的一第一操作頻帶的頻率範圍(頻寬，bandwidth)可介於698MHz至960MHz之間，且第二輻射部22所提供的一第二操作頻帶的頻率範圍可介於1425MHz至2690MHz之間，以適用於4G LTE(Long Term Evolution)頻帶(Band)，然本發明不以此為限。另外，一第三操作頻帶可由第三輻射部23、第一輻射部21的一部份以及第二輻射部22的一部份所產生，且第三操作頻帶的頻率範圍可介於5150MHz至5850MHz，以適用 於5G WLAN(Wireless LAN)頻帶，然本發明不以此為限。附帶一提，為便於說明，下述實施例將以第一操作頻帶的頻率範圍介於698MHz至960MHz之間，第二操作頻帶的頻率範圍介於1425MHz至2690MHz之間，第三操作頻帶的頻率範圍介於5150MHz至5850MHz之間的例子進行說明。
請復參閱圖4、圖6至圖8所示，以下將進一步說明第一輻射部21、第二輻射部22以及第三輻射部23的輻射狀況，圖6至圖8中網點區塊為提供操作頻帶的主要輻射部分。詳細來說，如圖6所示，一第一操作頻帶主要可由饋入件7、第一輻射部21、第三輻射部23、導電件3、第二電感6以及接地件4所產生。另外，如圖7所示，一第二操作頻帶主要可由饋入件7、第二輻射部22、第三輻射部23、導電件3、第二電感6以及接地件4所產生。再者，如圖8所示，一第三操作頻帶主要可由饋入件7、導電件3、第三輻射部23、第一輻射部21的一部份(第三輻射部23與第一輻射部21重疊之部分)、第二輻射部22的一部份(第三輻射部23與第二輻射部22重疊之部分)、第一電感5以及接地件4所產生。
值得說明的是，通過在天線結構U的第二輻射部22的附近所設置的寄生件9，可以用於強化第二輻射部22的操作頻帶(第二操作頻帶)的特性，優選地，可以強化2000MHZ至3000MHZ的特性，更優選地，可以為強化2600MHZ的特性。即，通過寄生件9之設置可以提高第二輻射部22的操作頻帶的高頻部分的頻率範圍(頻寬，bandwidth)。再者，通過調整第二寄生部92相對於第二輻射部22的水平偏移距離，可以調整第二輻射部22所產生的操作頻帶之中心頻率所對應的阻抗值，進而調整操作頻帶的中心頻率所對應的電壓駐波比的值。
承上述，換句話說，本案可具有兩個迴路，一個是通過第一電感5的迴路，另一個是通過第二電感6的迴路，且這兩個迴路可利用一個輻射件2以及一個饋入件7而達到多頻帶之應用。另 外，值得說明的是，通過調整第一電感5的電感值，可調整第三操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值。同時，通過調整第二電感6的電感值，可調整第一操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值以及第二操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值。再者，請復參閱圖3所示，第一預設距離L1的長度大小與天線結構U中第三輻射部23、第一輻射部21的一部份以及第二輻射部22的一部份所提供的第三操作頻帶的中心頻率呈反比關係。換句話說，第二端部32相對於接地件4的邊緣41而凸出的部分的長短，可調整第三操作頻帶的中心頻率點。即，當第二端部32與接地件4的邊緣41之間的距離越遠時，可以使得第三操作頻帶的中心頻率變低，反之，當第二端部32與接地件4的邊緣41之間的距離越近時，可以使得第三操作頻帶的的中心頻率變高。
[第二實施例]
首先，請參閱圖9所示，圖9為本發明第二實施例的天線結構U的俯視示意圖，由圖9與圖2的比較可知，第二實施例與第一實施例最大的差別在於：第二實施例中的天線結構U還可進一步包括一第一電容C1或是一第二電容C2。第一電容C1可設置於導電件3與接地件4之間，且第一電容C1與第一電感5相互串聯。另外，第二電容C2可設置於導電件3與接地件4之間，且第二電容C2與第二電感6相互串聯。再者，在其他變化實施例中，第一電容C1或第二電容C2之一端也可以連接至導電件3，以通過導電件3而連接於接地件4。
請復參閱圖9所示，須說明的是，雖然圖9中示出了第一電容C1及第二電容C2分別與第一電感5及第二電感6相互串聯，但是，在其他實施方式中，可以只配置第一電容C1或是只配置第二電容C2。同時，通過第一電容C1或/及第二電容C2的設置，可以調整第一操作頻帶、第二操作頻帶或/及第三操作頻帶的阻抗 值，此外，也能夠調整第一操作頻帶、第二操作頻帶或/及第三操作頻帶的頻率範圍。另外，須特別說明的是，第二實施例中所示的其他結構特徵與前述對第一實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
[第三實施例]
首先，請參閱圖10所示，圖10為本發明第三實施例的天線結構U的俯視示意圖，由圖10與圖4的比較可知，第三實施例與第一實施例最大的差別在於：第一輻射部21以及第二電感6設置於饋入件7的一第一側邊，第二輻射部22以及第一電感5設置於饋入件7的一第二側邊。換句話說，第一電感5以及第二電感6分別設置於饋入處F的兩相反側邊。即，第一輻射部21及第二電感6可設置於饋入件7的左側，第二輻射部22及第一電感5可設置於饋入件7的右側。
請復參閱圖10所示，詳細來說，饋入件7與導電件3之間或者是饋入件7與饋入部24之間具有一饋入處F，以第三實施例而言，饋入件7的饋入端71可連接於導電件3。此外，第一電感5與饋入處F之間具有一第一預定距離D1，第二電感6與饋入處F之間具有一第二預定距離D2，第一預定距離D1小於第二預定距離D2。此外，第一電感5的電感值小於第二電感6的電感值。
值得說明的是，以第三實施例而言，縱使第一電感5的配置位置不同於前述第一實施例，但是，一介於698MHz至960MHz之間的第一操作頻帶主要可由饋入件7、第一輻射部21、第三輻射部23、導電件3、第二電感6以及接地件4所產生。另外，一介於1425MHz至2690MHz之間的第二操作頻帶主要可由饋入件7、第二輻射部22、第三輻射部23、導電件3、第二電感以及接地件4所產生。再者，一介於5150MHz至5850MHz之間的第三操作頻帶主要可由饋入件7、導電件3、第三輻射部23、第一輻射部 21的一部份(第三輻射部23與第一輻射部21重疊之部分)、第二輻射部22的一部份(第三輻射部23與第二輻射部22重疊之部分)、第一電感5以及接地件4所產生。另外，須特別說明的是，第三實施例中所示的其他結構特徵與前述對第一實施例及第二實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果可以在於，本發明實施例所提供的天線結構U，其能利用“第一電感5耦接於導電件3與接地件4之間”、“第二電感6耦接於導電件3與接地件4之間”及“饋入件7連接於饋入部24與接地件4之間，以用來饋入一訊號”的技術方案，而能使得天線結構U同時涵蓋4G及5G頻帶。換句話說，本發明能利用一通過第一電感5的迴路以及一通過第二電感6的迴路，與一輻射件2以及一饋入件7相互配合而在單一天線架構下達到多頻帶之應用。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (15)

  1. 一種天線結構，其包括：一基板；一輻射件，設置於該基板上，該輻射件包括一第一輻射部、一第二輻射部、一第三輻射部以及連接於該第一輻射部、該第二輻射部與該第三輻射部之間的一饋入部；一導電件，設置於該基板上，該導電件連接於該饋入部；一接地件，與該饋入部彼此分離；一第一電感，設置於該基板上，且該第一電感耦接於該導電件與該接地件之間；一第二電感，設置於該基板上，且該第二電感耦接於該導電件與該接地件之間；以及一饋入件，連接於該饋入部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。
  2. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部以及該導電件朝向一第一方向延伸，該第二輻射部朝向一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向彼此相異。
  3. 如請求項1所述的天線結構，其中，該導電件朝向一第一方向延伸，該導電件具有一第一端部、一相對於該第一端部的第二端部以及一連接於該第一端部與該第二端部之間的本體部，該第一端部連接於該饋入部，其中，該饋入件與該導電件之間的連接處或者是該饋入件與該饋入部之間的連接處為一饋入處，該饋入處至該第二端部之間具有一第一預設距離，該饋入處至該接地件的一邊緣之間具有一第二預設距離，該第一預設距離大於該第二預設距離。
  4. 如請求項3所述的天線結構，其中，該第一預設距離的長度大小與該天線結構所提供的一第三操作頻帶的中心頻率呈反比 關係。
  5. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部以及該第二電感設置於該饋入件的一第一側邊，該第二輻射部以及該第一電感設置於該饋入件的一第二側邊。
  6. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一輻射部設置於該饋入件的一第一側邊，該第二輻射部設置於該饋入件的一第二側邊，該第一電感以及該第二電感設置於該第一側邊。
  7. 如請求項1所述的天線結構，其中，該饋入件通過該導電件而耦接於該饋入部或者是該饋入件直接連接於該饋入部。
  8. 如請求項1所述的天線結構，其中，該饋入件與該導電件之間或者是該饋入件與該饋入部之間具有一饋入處，其中，該第一電感與該饋入處之間具有一第一預定距離，該第二電感與該饋入處之間具有一第二預定距離，該第一預定距離小於該第二預定距離。
  9. 如請求項8所述的天線結構，其中，該第一電感的電感值小於該第二電感的電感值。
  10. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一寄生件，該寄生件設置於該基板上，且該寄生件連接於該接地件，其中，該寄生件具有一連接於該接地件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該饋入部的方向延伸的第二寄生部。
  11. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一橋接件，該橋接件設置於該基板上，其中，該橋接件連接於該接地件與該第一電感、該第二電感以及該饋入件之間。
  12. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一第一電容，該第一電容設置於該導電件與該接地件之間，且該第一電容與該第一電感相互串聯。
  13. 如請求項12所述的天線結構，還進一步包括：一第二電容，該第二電容設置於該導電件與該接地件之間，且該第二電容與 該第二電感相互串聯。
  14. 如請求項1所述的天線結構，其中，一第一操作頻帶主要由該饋入件、該第一輻射部、該第三輻射部、該導電件、該第二電感以及該接地件所產生，其中，一第二操作頻帶主要由該饋入件、該第二輻射部、該第三輻射部、該導電件、該第二電感以及該接地件所產生，其中，一第三操作頻帶主要由該饋入件、該導電件、該第三輻射部、該第一輻射部的一部份、該第二輻射部的一部份、該第一電感以及該接地件所產生。
  15. 如請求項14所述的天線結構，其中，該第一操作頻帶的頻率範圍介於698MHz至960MHz之間，該第二操作頻帶的頻率範圍介於1425MHz至2690MHz之間，該第三操作頻帶的頻率範圍介於5150MHz至5850MHz之間。
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