TW201910545A - 用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、以及用於保養用在處理基板的設備的方法 - Google Patents

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Abstract

敘述一種用於處理基板的設備(100)。該設備包含一第一真空處理裝置(101)、一第二真空處理裝置(102)、和一支撐結構(103)，該支撐結構(103)配置在第一真空處理裝置(101)和第二真空處理裝置(102)之間的一大氣空間(108)中。

Description

用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、以及用於保養用在處理基板的設備的方法
本揭露的實施例有關用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、和用於保養設備的方法。本揭露的實施例特別是有關用於處理二或更多個基板的真空處理設備，例如用於顯示器製造，有關配置成用於基板的真空處理以製造顯示器裝置的處理系統，和有關用於從提供在二個真空處理裝置(processing arrangement)之間的大氣空間保養真空處理設備的方法。
用於基板上之層沉積的技術，例如包含濺射沉積、熱蒸鍍、和化學氣相沉積。濺射沉積製程能用於在基板上沉積材料層，例如導電材料或絕緣材料的層。在濺射沉積製程期間，具有待沉積在基板上之靶材料的靶受到在電漿區中產生的離子轟擊，以從靶的表面逐出原子。被逐出的原子能在基板上形成材料層。在反應性濺射沉積製程中，被逐出的原子能和電漿區中的氣體如氮或氧反應，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物、或氮氧化物。
經塗佈的材料可用在數種應用和數種技術領域中。舉例來說，一種應用是在微電子學的領域，例如產生半導體裝置。又，用於顯示器的基板經常藉由濺射沉積製程來塗佈。另外的應用包含絕緣板、帶有薄膜電晶體(TFT)的基板、彩色濾光片、或類似者。
舉例來說，在顯示器製造中，降低顯示器的製造成本是有利的，所述顯示器例如用於手機、平板電腦、電視螢幕、和類似者。製造成本的降低，能例如藉由增加真空處理系統如濺射沉積系統的產量來達成。另外，佔地能是降低持有真空處理系統的成本的相關因素。
考慮到上述情況，克服至少一些技術領域中的問題的設備、系統、和方法是有利的。本揭露特別是致力於提出提供用於增加產量、降低真空處理系統之佔地、以及降低操作、維護、和製造成本之中的至少一者的設備、系統、和方法。
鑑於上述情況，提供用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、和用於保養設備的方法。本揭露另外的方面、優點、和特徵，係藉由請求項、說明書、和所附圖式而明朗。
根據本揭露的一個方面，提供一種用於處理基板的設備。該設備包含一第一真空處理裝置、一第二真空處理裝置、和一支撐結構。支撐結構係配置在第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的一大氣空間中。
根據本揭露的另一個方面，提供一種用於處理基板的設備。該設備包含一第一真空處理裝置、一第二真空處理裝置、和一支撐結構。支撐結構係配置在第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的一大氣空間中。另外，支撐結構包含一基座架結構，該基座架結構支撐第一真空處理裝置之一第一真空腔室的一第一底壁。此外，支撐結構的基座架結構支撐第二真空處理裝置之一第二真空腔室的一第二底壁。另外，支撐結構包含一強化架結構，該強化架結構連接至第一真空腔室的一第一背壁，並連接至第二真空腔室的一第二背壁。第一真空腔室係相對於第二真空腔室配置。
根據本揭露的又另一個方面，提供一種用於處理基板的處理系統。該處理系統包含根據任何敘述於此之實施例的用於處理基板的一設備。另外，該處理系統包含一基板裝載模組，該基板裝載模組用於將基板裝載至用於處理基板的該設備中。基板裝載模組包含一固持裝置和一擺動模組，固持裝置用於固持基板，擺動模組用於在一水平方向和一垂直方向之間改變基板方向。
根據本揭露的再一個方面，提供一種用於保養用在處理基板的一設備的方法，該設備包含一第一真空處理裝置和一第二真空處理裝置，其由共享的一支撐結構所支撐。該方法從提供在支撐結構的一基座架結構上方的一大氣空間，保養第一真空處理裝置和/或第二真空處理裝置之中的至少一者。
實施例也針對用於進行所揭露之方法的設備，並包含用於執行各個所述方法方面的設備部分。這些方法方面可以藉由硬體元件、以適當軟體編程的電腦、藉由二者的任意組合、或以任何其他方式來執行。再者，根據本揭露的實施例也針對用於操作所述設備的方法。用於操作所述設備的方法包含用於進行設備的每個功能的方法方面。
現在將對於本揭露各種不同的實施例進行詳細說明，其一或更多個示例係於圖式中闡明。在以下對於圖式的敘述中，相同的元件符號指示相同的元件。只對於個別實施例的不同之處進行敘述。各個示例係以解釋本揭露的方式來提供，而非意味作為本揭露的限制。另外，作為一實施例的一部分而被闡明或敘述的特徵，能被用在或結合任一其他實施例，以產生又另一實施例。敘述內容意欲包含這類修改和變化。
在詳細敘述本揭露各種不同的實施例之前，先解釋關於使用於此之一些用詞和表達的一些方面。
在本揭露中，「用於處理基板的設備」，能被理解成如敘述於此的配置成用於處理基板的設備。特別是，用於處理基板的設備能配置成用於處理垂直基板，例如用於顯示器製造。更特別地，用於處理基板的設備能配置成用於處理大面積基板，例如藉由在真空沉積腔室中於基板上沉積一或更多個層。另外，應該注意的是在本揭露中，「用於處理基板的設備」也可被稱為「處理設備」。
在本揭露中，如使用於此的用詞「基板」或「大面積基板」，應特別囊括非可撓性基板，例如玻璃板和金屬板。然而，本揭露不受限於此，用詞「基板」也能囊括可撓性基板，例如卷材或箔。根據一些實施例，基板能由任何適合用於材料沉積之材料製成。舉例來說，基板能由選自於由下列選項構成的群組的材料製成：玻璃(例如鈉鈣玻璃、硼矽玻璃等等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料、雲母、或任何其他能藉由沉積製程塗佈的材料或材料的組合。
舉例來說，如敘述於此的「大面積基板」，能具有至少0.01平方公尺的尺寸，特別是至少0.1平方公尺，更特別是至少0.5平方公尺。舉例來說，大面積基板或載具能為對應至約0.67平方公尺之基板(0.73公尺×0.92公尺)的第4.5代、對應至約1.4平方公尺之基板(1.1公尺×1.3公尺)的第5代、對應至約4.29平方公尺之基板(1.95公尺×2.2公尺)的第7.5代、對應至約5.7平方公尺之基板(2.2公尺×2.5公尺)的第8.5代、或甚至對應至約8.7平方公尺之基板(2.85公尺×3.05公尺)的第10代。更大的世代如第11代和第12代以及對應的基板面積，能以類似的方式實施。因此，基板能選自於由下列選項構成的群組：第1代、第2代、第3代、第3.5代、第4代、第4.5代、第5代、第6代、第7代、第7.5代、第8代、第8.5代、第10代、第11代、和第12代。特別是，基板能選自於由下列選項構成的群組：第4.5代、第5代、第7.5代、、第8.5代、第10代、第11代、和第12代、或更大的世代的基板。另外，基板厚度能從0.1至1.8公厘(mm)，特別是約0.9公厘或更低，例如0.7公厘或0.5公厘。
在本揭露中，「真空處理裝置」，能被理解成具有一或更多個真空腔室的處理裝置。「真空腔室」，能被理解成具有用於產生工業級真空(technical vacuum)之真空泵的腔室。特別是，如敘述於此的真空腔室，能被理解成能夠被抽空至低於大氣壓力的腔室，例如是到10毫巴(mbar)或更低的壓力，特別是1毫巴或更低。根據一示例性的配置型態，真空腔室能為配置成用於在真空處理腔室中之沉積區導入製程氣體的真空處理腔室。舉例來說，製程氣體能包含惰性氣體如氬、和/或反應性氣體如氧、氮、氫和氨(NH3)、臭氧(O3)、或類似者。
因此，如使用於此的用詞「真空」，能被理解成具有低於例如10毫巴之真空壓力的工業級真空的概念。典型地，如敘述於此之真空腔室中的壓力，可介於10-5 毫巴和約10-8 毫巴之間，典型地介於10-5 毫巴和10-7 毫巴之間，甚至更典型地介於約10-6 毫巴和約10-7 毫巴之間。根據一些實施例，真空腔室中的壓力可被視為在真空腔室中蒸發的材料的局部壓力，或者是總壓力(在真空腔室中只有該蒸發的材料存在作為待沉積成分時，其可約略相同)。在一些實施例中，真空腔室中的總壓力可落在從約10-4 毫巴至約10-7 毫巴的範圍裡，特別是在其中除了該蒸發的材料之外的第二成分存在於真空腔室中(例如氣體或類似者)的例子裡。
在本揭露中，「支撐結構」，能被理解成如敘述於此之支撐第一真空處理裝置和第二真空處理裝置的機械結構。也就是說，支撐結構能為配置成用於支撐第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之共享的一支撐結構。更特別地，如敘述於此的「支撐結構」，能為包含提供在第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的共享的強化結構的機械結構，例如架結構(frame structure)。特別是，支撐結構能連接至第一真空處理裝置的一第一背壁，並連接至第二真空處理裝置的一第二背壁，如此而提供共享的強化。另外，如敘述於此的「支撐結構」，可包含提供平台結構的基座架結構，在平台結構的頂部上能配置第一真空處理裝置和第二真空處理裝置。因此，基座架結構能為共享的基座架結構，其支撐第一真空處理裝置和第二真空處理裝置二者。
在本揭露中，「大氣空間」，能被理解成提供在第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的空間，其中提供大氣壓力。典型地，「大氣空間」包含空氣，使得人可停留在提供瑜第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的空間中，例如為了第一真空處理裝置和/或第二真空處理裝置的保養或維護。因此，能選擇大氣空間的大小，使得人能進出第一真空處理裝置的一背側和第二真空處理裝置的一背側。
第1圖示出根據敘述於此之實施例的用於處理基板的一設備100的側視示意圖。如在第1圖中示例性示出的，設備100包含一第一真空處理裝置101、一第二真空處理裝置102、和一支撐結構103。支撐結構係配置在第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102之間的一大氣空間108中。特別是，包含一第一真空處理裝置和一第二真空處理裝置的處理設備，在此也可被稱為成對處理設備(twin processing apparatus)。更特別地，「成對處理設備」，能被理解成如敘述於此的包含二個個別的真空處理裝置的處理設備。也就是說，第一真空處理裝置和第二真空處理裝置典型地被設計成分開的單元。
因此，相較於傳統處理設備，如敘述於此的處理設備的實施例有利地提供用於增加產量、降低佔地、以及降低操作、維護、和製造成本。特別是，藉由提供如敘述於此的成對處理設備，能增加產量且能降低佔地。另外，藉由提供如敘述於此的支撐結構，第一真空處理裝置和第二真空處理裝置的背壁能有利地被以高效且節省空間的方式強化。
更特別地，提供如敘述於此的支撐結構可能是特別有利的，因為各個真空處理裝置的背壁必須承受大氣壓力至真空壓力的差異。由於如敘述於此的支撐結構提供用於第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之共享的強化，支撐結構具有關於構成、固定、和成本方面的優點。特別是，相較於真空處理裝置之個別的強化，共享的強化降低了重量。
另外，有利地，提供在第一真空處理裝置和第二真空處理裝置之間的空間，亦即真空處理裝置的背壁之間的路程，提供用於用在保養真空處理裝置的保養區。因此，如敘述於此的處理設備的實施例有利地提供用於從提供在支撐結構的一基座架結構上方的大氣空間，保養第一真空處理裝置和/或第二真空處理裝置。
示例性地參考第1圖，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，支撐結構103能連接至第一真空處理裝置101的一第一壁104。此外，支撐結構103能連接至第二真空處理裝置102的一第二壁105。典型地，第二壁105面向第一壁104，如在第1圖中示例性示出者。因此，有利地，提供對於第一真空處理裝置和第二真空處理裝置的共享的強化，使得支撐結構的重量相較於真空處理裝置之個別的強化能降低。
根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，第一真空處理裝置101能為一第一串聯式(in-line)處理裝置。另外，第二真空處理裝置102能為一第二串聯式處理裝置。特別是，第一真空處理裝置101可為一第一垂直處理裝置。額外地或替代性地，第二真空處理裝置102可為一第二垂直處理裝置。因此，有利地，處理設備的佔地能降低。
在本揭露中，「垂直處理裝置」，能被理解為處理裝置係配置成用於處理在實質上垂直的方向中的基板(實質上垂直 = 垂直 ± 15°)。如本揭露通篇所使用的，用詞如「垂直方向(vertical direction或vertical orientation)」，被理解為和「水平方向(horizontal direction或horizontal orientation)」有所區分。
示例性地參考第1圖，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，支撐結構103包含一基座架結構106。特別是，基座架結構106支撐第一真空處理裝置101的一第一底壁104B。另外，基座架結構106支撐第二真空處理裝置102的一第二底壁105B。因此，有利地，提供共享的基座架結構，其支撐第一真空處理裝置和第二真空處理裝置二者。藉由提供如敘述於此的共享的基座架結構，支撐結構的重量相較於對真空處理裝置使用個別的基座架(base frame)能降低。
根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，支撐結構103可包含一強化架結構107，如在第1圖中示例性示出者。典型地，支撐結構103，特別是強化架結構107，能連接至第一真空處理裝置101的一第一背壁104A。此外，支撐結構103，特別是強化架結構107，能連接至第二真空處理裝置102的一第二背壁105A。舉例來說，強化架結構107能提供在第一真空處理裝置101的第一背壁104A和第二真空處理裝置102的第二背壁105A之間，如在第1圖中示例性示出者。更特別地，強化架結構107能配置在提供於第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102之間的大氣空間108中。因此，有利地，各個真空處理裝置的背壁能被強化，使得背壁能承受大氣壓力至真空壓力的差異。
示例性地參考第1圖，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，強化架結構107係連接至基座架結構106。舉例來說，基座架結構106能包含一平台106P，強化架結構107係連接至平台106P。特別是，平台106P能配置成用於支撐在平台的頂部上行走的人，其例如在真空處理裝置的保養期間在平台的頂部上行走。或者，強化架結構107和基座架結構106可為一體(integral)的架結構，其中基座架結構106包含平台106P。
根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102之間的大氣空間108提供一保養區。特別是，該保養區提供對第一真空處理裝置101之一第一背側的進出。此外，該保養區提供對第二真空處理裝置102之一第二背側的進出。因此，如敘述於此的處理設備的實施例有利地提供用於從提供在支撐結構的一基座架結構上方的大氣空間，保養第一真空處理裝置和/或第二真空處理裝置。
示例性地參考第1圖，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，支撐結構103能連接至第一真空處理裝置101的一第一真空腔室110。另外，支撐結構103能連接至第二真空處理裝置102的一第二真空腔室120。典型地，第一真空腔室110係相對於第二真空腔室120配置，如在第1圖中示例性示出者。舉例來說，第一真空腔室110和/或第二真空腔室120係選自於由下列選項構成的群組：裝載腔室；處理腔室，特別是；移送腔室；和具有用於產生工業級真空之真空泵的真空腔室。
因此，相較於傳統的處理設備，敘述於此的實施例提供用於關於增加產量、降低佔地、以及降低操作、維護、和製造成本之改善的處理設備，例如用於顯示器製造。
作為一個能和其他敘述於此的配置型態及實施例結合的示例，設備100包含一第一真空處理裝置101、一第二真空處理裝置102、和一支撐結構103。支撐結構係配置在第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102之間的一大氣空間108中。另外，支撐結構103包含一基座架結構106，基座架結構106支撐第一真空處理裝置101之一第一真空腔室110的一第一底壁104B。此外，基座架結構106支撐第二真空處理裝置102之一第二真空腔室120的一第二底壁105B。支撐結構103包含一強化架結構107，強化架結構107連接至第一真空腔室110的一第一背壁104A。此外，強化架結構107連接至第二真空腔室120的一第二背壁105A。第一真空腔室110係相對於第二真空腔室120配置，如在第1圖中示例性示出者。
第2A~2C圖示出根據另外的敘述於此之實施例的用於處理基板的設備的俯視示意圖。特別是，第2A~2C圖示出如敘述於此之處理設備的不同佈置的示例。
第2A圖示出處理設備的第一示例性實施例，該處理設備具有一第一真空處理裝置101和一第二真空處理裝置102。第一真空處理裝置101包含一第一裝載腔室111和一第一真空處理腔室123。舉例來說，第一真空處理裝置101能經由一閥，例如一閘閥115，連接至第一真空處理腔室123。在本揭露中，「閘閥」，能被理解成允許對相鄰之真空腔室真空密封的一口部。因此，第二真空處理裝置102可包含一第二裝載腔室112和一第二真空處理腔室124。類似地，第二裝載腔室112能經由一閘閥115連接至第二真空處理腔室124，如在第2A圖中示例性示出者。因此，在第一真空處理裝置和/或第二真空處理裝置之個別真空腔室中的真空，能彼此獨立地被控制。
另外，如在第2A圖中示例性示出的，第一裝載腔室111能包含一第一閘閥115A，且第二裝載腔室112能包含一第二閘閥115B。舉例來說，第一閘閥115A和第二閘閥115B能提供用於對相鄰之用在將基板裝載至處理設備中的一基板裝載模組180的連接，如在第3B圖中示例性示出者。
示例性地參考第2A圖，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，第一真空處理腔室123和第二真空處理腔室124能提供具有一或更多個藉由元件符號133和134來指示之沉積源或沉積源陣列的沉積區。
根據處理設備的第二示例性實施例，另外的真空腔室(121、122)可提供在第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102各自的裝載腔室(111、112)和各自的真空處理腔室(123、124)之間，如在第2B圖中示例性示出者。這類配置型態可有利於在各個裝載腔室(111、112)以一第一真空壓力產生一第一真空，並在另外的真空腔室(121、122)以一第二真空壓力產生一第二真空。因此，在二個分開的步驟中能降低真空壓力。如在第2B圖中示例性示出的，另外的真空腔室(121、122)能包含用於將該另外的真空腔室連接至裝載腔室和真空處理腔室的閘閥115。
根據一些能和其他敘述於此的實施例結合的實施例，處理設備能配置成用於基板上的靜態層沉積，示例性地示於第2A和2B圖中。或者，處理設備能配置成用於基板上的動態層沉積，如在第2C圖中示例性示出者。動態沉積製程，例如濺射沉積製程，能被理解成其中在濺射沉積製程進行時，基板係沿著傳輸方向移動通過沉積區的沉積製程。也就是說，基板在濺射沉積製程期間非為靜態。
如此，根據如在第2C圖中示例性示出的一些實施方案，處理設備能被配置成用於動態處理，特別是動態沉積，具有串聯式處理裝置。特別是，在本揭露中，「串聯式處理裝置」，能被理解成沿線配置之二或更多個真空腔室的配置。更特別地，如敘述於此的「串聯式處理裝置」，能被配置成用於一或更多個層在垂直基板上的就位。舉例來說，一或更多個層能在靜態沉積製程或動態沉積製程中被沉積。沉積製程能為物理氣相沉積製程如濺射製程、或化學氣相沉積製程。
串聯式處理裝置，特別是配置成用於動態層沉積者，提供用於均勻處理基板，例如大面積基板，像是長方形玻璃板。處理工具，例如一或更多個沉積源，主要是在一個方向(例如垂直方向)中延伸，而基板是在第二個、不同的方向(例如第一傳輸方向1或第二傳輸方向1’，其能如在第2C圖中示例性示出的為水平方向)中移動。
用於動態真空沉積的設備或系統，例如串聯式處理設備或系統，具有在一個方向中的處理均勻性，例如層均勻性，係由以恆定速度移動基板和使一或更多個濺射沉積源保持穩定的能力限制的優點。串聯式處理設備或動態沉積設備的沉積製程，係由通過一或更多個沉積源之基板的移動所決定。對於串聯式處理設備來說，沉積區或處理區能為實質上線形的區域，用於處理例如大面積基板。沉積區能為沉積材料在其中從一或更多個沉積源吐出以被沉積在基板上的區。相對於此，對於靜態處理設備來說，沉積區或處理區將基本上對應至基板的區域。
在一些實施方案中，相較於靜態處理系統，串聯式處理系統如用於動態沉積者的另一個差異，能藉由其他真空腔室(例如第一真空處理裝置101的真空腔室121、123、和125，以及/或第二真空處理裝置102的真空腔室122、124、和126)中的裝載腔室不包含用於一真空腔室相對於另一真空腔室之真空氣密密封的裝置的事實來系統化定義，如在第2C圖中示例性示出者。相對於此，如在第2A和2B圖中示例性示出的，靜態處理設備可具有能相對於彼此藉由閘閥115真空氣密密封的真空腔室(例如第一真空處理裝置101的真空腔室111、121、和123，以及/或第二真空處理裝置102的真空腔室112、122、和124)。
如在第2A~2C圖中示例性示出的，根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，支撐結構，特別是強化架結構107，係配置在提供於第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102之間的大氣空間108中。另外，如第2A~2C圖所示，二或更多個強化架結構107可提供在相對配置之第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102的真空腔室之間。因此，應該理解的是，二或更多個基座架結構106可提供用於支撐相對配置之第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102的真空腔室。
根據一些能和其他敘述於此的實施例結合的實施例，設備100包含一磁性懸浮系統，用於將基板載具固持在漂浮的狀態。選擇性地，可提供設備100一磁性驅動系統，該磁性驅動系統配置成用於在傳輸方向中，例如像是在第2C圖中示例性指出的第一傳輸方向1中，移動或傳送基板載具。磁性驅動系統能被包含在磁性懸浮系統中，或者能提供作為一個單獨的實體。
根據一些能和其他敘述於此的實施例結合的實施例，基板載具係以磁性懸浮系統支撐在真空處理系統中。舉例來說，磁性懸浮系統能包含複數個第一磁鐵，其在沒有機械接觸的情況下將基板載具支撐在一懸掛位置。磁性懸浮系統提供基板載具懸浮，亦即非接觸性的支撐。因此，能降低或避免起因於載具在用於動態沉積的設備中的移動的顆粒產生。磁性懸浮系統包含第一磁鐵，其提供力至基板載具的頂部，該力實質上等於重力。也就是說，基板載具非接觸性地懸掛在第一磁鐵下方。
另外，磁性懸浮系統能包含複數個第二磁鐵，其提供用於基板載具沿著傳輸方向的平移移動。基板載具能在設備中藉由第一磁鐵被非接觸性地支撐，並在設備中使用第二磁鐵而例如在真空腔室(例如第一真空處理裝置101的第一裝載腔室111及真空腔室121、123、和125、以及/或第二真空處理裝置102的第二裝載腔室112及真空腔室122、124、和126)之間被移動。
示例性地參考第3A和3B圖，敘述用於處理基板的一處理系統200的實施例。特別是，第3A圖示出根據敘述於此之實施例的處理系統200的透視示意圖，且第3B圖示出俯視示意圖。
處理系統200包含根據任何敘述於此之實施例的用於處理基板的一設備100。另外，處理系統200包含一基板裝載模組180，用於將基板裝載至用於處理基板的設備100中。基板裝載模組180包含一固持裝置140和一擺動模組160，固持裝置140用於固持基板，擺動模組160用於在一水平方向和一垂直方向之間改變基板方向。
舉例來說，基板裝載模組180能經由一或更多個閥，例如第一閘閥115A和第二閘閥115B，連接至用於處理基板的設備100。在一些實施例中，擺動模組以及一或更多個裝載腔室如第一裝載腔室111和/或第二裝載腔室112，能構成結合式的擺動模組和裝載腔室。具有基板位於其上的基板載具，能經由第一裝載腔室111的第一閘閥115A和/或第二裝載腔室112的第二閘閥115B被鎖固(lock)至設備100中。
根據能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，固持裝置140包含一第一固持件和一第二固持件，第一固持件用於固持一基板，例如一第一基板，第二固持件用於固持另一基板，例如一第二基板，第二固持件和第一固持件垂直地堆疊。也就是說，第一基板固持件能至少部分地提供在第二基板固持件上方。由於第一固持件和第二固持件在彼此上方的配置，處理系統200的一寬度W能被降低，例如相較於其中固持件係彼此相鄰配置的系統係降低50%或更多。因此，能降低處理系統的佔地。
考慮到本揭露，應該理解的是，本揭露的實施例談論到顯示器工業。舉例來說，顯示器能以像是化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)的製程製造在大面積基板上。舉例來說，TFT顯示器能被製造在大面積基板上。由於增加的顯示器尺寸，真空處理系統的尺寸增加，特別是在基板水平裝載的例子裡。在本揭露中，能降低用於基板裝載的無塵室區的尺寸，亦即佔地尺寸，因為固持件如基板裝載件係垂直地堆疊。顯示器能為平坦的、或者平滑曲面或彎曲的部件。舉例來說，各種不同世代的玻璃基板能用於顯示器製造。
如在第3A圖中示例性示出的，基板10能在一裝載/卸載位置移交至基板裝載模組180上方。這典型地在基板處於水平方向的情況下完成。舉例來說，基板能自基板盒(cassette)移交。基板能被提供至第一固持件，例如一第一白努利固持件142。舉例來說，第一固持件能為用於將基板裝載在擺動模組160上的固持件。經處理的基板能自第二固持件接收，第二固持件例如是一第二白努利固持件144。舉例來說，第二固持件能為用於將基板從擺動模組160卸載的固持件。應該理解的是，第一固持件和第二固持件可交換。另外，固持件的其中一者或二者，能用於基板的裝載和卸載。
在本揭露中，「白努利固持件」，能被理解成配置成用於在基板和用於基板懸浮的表面之間提供壓力，例如負壓(under-pressure)或減壓(reduced pressure)的固持件。特別是，一間隙或空間能提供在該表面和基板之間，氣流通過其流動。因此，白努利固持件基於白努利效應，提供用於懸浮基板。更特別地，白努利固持件(或白努利類型固持件)支撐基板，而未作出和基板的面(直接)機械接觸。特別是，基板漂浮在氣墊(gas cushion)上。也就是說，固持裝置140非接觸地位在基板10的面上。用詞「減壓」和「負壓」，能相對於白努利固持件所處的環境壓力被定義。特別是，基板和該表面之間的壓力，例如減壓或負壓，係配置成用於基板的懸浮。舉例來說，該壓力和環境壓力之間的差異，係足以補償基板重量的力量。
根據本揭露的實施例，固持件能被堆疊成至少部分地垂直地在彼此上方。一載具，例如一靜電吸盤(electrostatic chuck, E-Chuck)能被提供在擺動模組160上。基板能使用第一固持件和/或第二固持件被裝載至載具上。基板能以水平狀態被裝載。在將基板裝載在載具上之後，擺動模組160，特別是擺動模組160的一擺動模組板164，能從一實質上水平的方向移動至一實質上垂直的方向，例如藉由擺動模組160的一臂162的移動。第3A和3B圖示出在一實質上垂直的方向中的擺動模組160。
因此，第一固持件和第二固持件可在架結構和擺動模組160之間水平地移動。另外，固持件和擺動模組160可相對於彼此垂直地移動，以將基板放置在擺動模組160上的載具上，或從擺動模組載自具移除基板。垂直的相對移動，能藉由擺動模組、固持件、或二者的移動來提供。
擺動模組160能被配置成用於裝載具有基板位於其上之載具至第一裝載腔室111和/或第二裝載腔室112上。擺動模組160能從水平方向順時針或逆時針旋轉。因此，載具能被裝載至各個裝載腔室中，且/或能從各個裝載腔室卸載。舉例來說，裝載腔室可被交替使用。
裝載腔室能被抽空。在抽空裝載腔室之後，載具能被傳輸至處理設備的一或更多個真空腔室中，如敘述於此。如第3A和3B圖所示，能提供二條線。第一裝載腔室111以及真空腔室121、123、和125能形成第一真空處理裝置101。第二裝載腔室112以及真空腔室122、124、和126能形成第二真空處理裝置102。
示例性地參考第3A和3B圖，根據一些能和任何其他敘述於此的實施例結合的實施例，可提供一無塵室區150。舉例來說，固持裝置140和/或擺動模組160能提供在無塵室區150中。
從第3A和3B圖應該理解的是，有利地，如敘述於此的處理系統200，提供用於使用二個串聯式單元，例如第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102，同時處理二或更多個基板，以增加產量。使用如敘述於此的成對處理設備同時處理，降低處理系統的佔地。特別是對於大面積基板來說，佔地能是降低持有處理系統的成本的相關因素。
示例性地參考第4圖中所示的流程圖，敘述用於保養用在處理基板的設備的一方法300。特別是，方法300包含提供(方塊310)用於處理基板的一設備100，例如根據任何敘述於此之實施例的用於處理基板的一設備100。設備100包含一第一真空處理裝置101和一第二真空處理裝置102。第一真空處理裝置101和第二真空處理裝置102係由共享的一支撐結構103所支撐。另外，該方法包含從提供在支撐結構103的一基座架結構上方的一大氣空間108，保養(方塊320)第一真空處理裝置101。額外地或替代性地，該方法包含從提供在支撐結構103的上方的該大氣空間108，保養(方塊330)第二真空處理裝置102。
考慮到上述內容，應該理解的是，如敘述於此實施例有利地提供用於增加產量、降低佔地、以及降低操作、維護、和製造成本。特別是，藉由提供敘述於此的成對處理設備，能增加產量且能降低佔地。另外，藉由提供如敘述於此的支撐結構，第一真空處理裝置和第二真空處理裝置的背壁能有利地被以高效且節省空間的方式強化。另外，如敘述於此實施例有利地提供用於幫助保養真空處理系統，特別是具有如敘述於此之成對處理設備的真空處理系統。
儘管前述內容是關於本揭露的實施例，可在不背離本揭露的基本範圍的情況下，設計出本揭露其他和更進一步的實施例，而本揭露的範圍係由下列的申請專利範圍決定。
特別是，此書面敘述使用示例以對於本揭露進行揭露，包含其最佳模式，並且也使得本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者能夠實行所述題材，包含製造和使用任何裝置或系統、及執行任何被納入的方法。儘管前述內容已揭露各種不同的特定實施例，上述實施例中不互相違背的技術特徵係可彼此結合。可專利範圍係由請求項所決定，且如果申請專利範圍具有不異於請求項之字面語言的結構元件、或如果申請專利範圍包含與請求項之字面語言無實質上差異的等價結構元件，則其他的示例也意欲被包括在請求項的範圍之中。
1‧‧‧第一傳輸方向
1'‧‧‧第二傳輸方向
10‧‧‧基板
100‧‧‧設備
101‧‧‧第一真空處理裝置
102‧‧‧第二真空處理裝置
103‧‧‧支撐結構
104‧‧‧第一壁
104A‧‧‧第一背壁
104B‧‧‧第一底壁
105‧‧‧第二壁
105A‧‧‧第二背壁
105B‧‧‧第二底壁
106‧‧‧基座架結構
106P‧‧‧平台
107‧‧‧強化架結構
108‧‧‧大氣空間
110‧‧‧第一真空腔室
111‧‧‧第一裝載腔室
112‧‧‧第二裝載腔室
115‧‧‧閘閥
115A‧‧‧第一閘閥
115B‧‧‧第二閘閥
120‧‧‧第二真空腔室
121‧‧‧真空腔室
122‧‧‧真空腔室
123‧‧‧第一真空處理腔室
124‧‧‧第二真空處理腔室
125‧‧‧真空腔室
126‧‧‧真空腔室
133‧‧‧元件符號
134‧‧‧元件符號
140‧‧‧固持裝置
142‧‧‧第一白努利固持件
144‧‧‧第二白努利固持件
150‧‧‧無塵室區
160‧‧‧擺動模組
162‧‧‧臂
164‧‧‧擺動模組板
180‧‧‧基板裝載模組
200‧‧‧處理系統
300‧‧‧方法
310‧‧‧方塊
320‧‧‧方塊
330‧‧‧方塊
W‧‧‧寬度
為了能理解本揭露上述特徵的細節，可藉由參照實施例來得到對於簡單總括於上之揭露內容更詳細的敘述。所附圖式有關本揭露的實施例，並如下所述： 第1圖示出根據敘述於此之實施例的用於處理基板的設備的側視示意圖。 第2A~2C圖示出根據另外的敘述於此之實施例的用於處理基板的設備的俯視示意圖。 第3A圖示出根據敘述於此之實施例的處理系統的透視示意圖。 第3B圖示出根據敘述於此之實施例的處理系統的俯視示意圖。 第4圖示出用於闡明根據敘述於此之實施例的用於保養用在處理基板的設備的方法的流程圖。

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的設備(100)，包括： 一第一真空處理裝置(101)； 一第二真空處理裝置(102)；以及 一支撐結構(103)，配置在該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)之間的一大氣空間(108)中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)係連接至該第一真空處理裝置(101)的一第一壁(104)，並連接至該第二真空處理裝置(102)的一第二壁(105)，其中該第二壁(105)面向該第一壁(104)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備(100)，其中該第一真空處理裝置(101)係一第一串聯式處理裝置，且其中該第二真空處理裝置(102)係一第二串聯式處理裝置。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之設備(100)，其中該第一真空處理裝置(101)係一第一垂直處理裝置，且其中該第二真空處理裝置(102)係一第二垂直處理裝置。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)包括一基座架結構(106)，該基座架結構(106)支撐該第一真空處理裝置(101)的一第一底壁(104B)，並支撐該第二真空處理裝置(102)的一第二底壁(105B)。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)包括一基座架結構(106)，該基座架結構(106)支撐該第一真空處理裝置(101)的一第一底壁(104B)，並支撐該第二真空處理裝置(102)的一第二底壁(105B)。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)包括一強化架結構(107)，該強化架結構(107)連接至該第一真空處理裝置(101)的一第一背壁(104A)，並連接至該第二真空處理裝置(102)的一第二背壁(105A)。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)包括一強化架結構(107)，該強化架結構(107)連接至該第一真空處理裝置(101)的一第一背壁(104A)，並連接至該第二真空處理裝置(102)的一第二背壁(105A)。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)包括一強化架結構(107)，該強化架結構(107)連接至該第一真空處理裝置(101)的一第一背壁(104A)，並連接至該第二真空處理裝置(102)的一第二背壁(105A)。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之設備(100)，其中該強化架結構(107)係連接至該基座架結構(106)。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之設備(100)，其中該強化架結構(107)係連接至該基座架結構(106)。
  12. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之設備(100)，其中該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)之間的該大氣空間(108)提供一保養區，該保養區用於提供對該第一真空處理裝置(101)之一第一背側的進出和對該第二真空處理裝置(102)之一第二背側的進出。
  13. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)之間的該大氣空間(108)提供一保養區，該保養區用於提供對該第一真空處理裝置(101)之一第一背側的進出和對該第二真空處理裝置(102)之一第二背側的進出。
  14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之設備(100)，其中該支撐結構(103)係連接至該第一真空處理裝置(101)的一第一真空腔室(110)，並連接至該第二真空處理裝置(102)的一第二真空腔室(120)，其中該第一真空腔室(110)係相對於該第二真空腔室(120)配置。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之設備(100)，其中該第一真空腔室(110)和該第二真空腔室(120)係選自於由下列選項構成的群組：裝載腔室；處理腔室，沉積腔室；移送腔室；和具有用於產生工業級真空之真空泵的真空腔室。
  16. 一種用於處理基板的設備(100)，包括： 一第一真空處理裝置(101)； 一第二真空處理裝置(102)；以及 一支撐結構(103)，配置在該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)之間的一大氣空間(108)中； 其中該支撐結構(103)包括一基座架結構(106)，該基座架結構(106)支撐該第一真空處理裝置(101)之一第一真空腔室(110)的一第一底壁(104B)，並支撐該第二真空處理裝置(102)之一第二真空腔室(120)的一第二底壁(105B)， 其中該支撐結構(103)包括一強化架結構(107)，該強化架結構(107)連接至該第一真空腔室(110)的一第一背壁(104A)，並連接至該第二真空腔室(120)的一第二背壁(105A)，且 其中該第一真空腔室(110)係相對於該第二真空腔室(120)配置。
  17. 一種用於處理基板的處理系統(200)，包括： 如申請專利範圍第1至16項中任一項所述之用於處理基板的設備(100)；以及 一基板裝載模組(180)，用於將基板裝載至用於處理基板的該設備(100)中，該基板裝載模組包括： 一固持裝置(140)，用於固持基板；及 一擺動模組(160)，用於在一水平方向和一垂直方向之間改變基板方向。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之系統(200)，其中該固持裝置(140)包括一第一基板固持件和一第二基板固持件，其中該第一基板固持件係至少部分地提供在該第二固持件上方。
  19. 一種用於保養用在處理基板的一設備(100)的方法，該設備(100)包括一第一真空處理裝置(101)和一第二真空處理裝置(102)，該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)由共享的一支撐結構(103)所支撐，該方法包括從提供在該支撐結構(103)的一基座架結構上方的一大氣空間(108)，保養該第一真空處理裝置(101)和該第二真空處理裝置(102)之中的至少一者。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中處理基板的該設備(100)係如申請專利範圍第1至16項中任一項所述之設備。
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