TW201920484A - 聚醯亞胺前驅物組成物、使用其製備之聚醯亞胺膜、氧化物薄膜電晶體用透明聚醯亞胺基板及低溫多晶矽用透明聚醯亞胺基板 - Google Patents

聚醯亞胺前驅物組成物、使用其製備之聚醯亞胺膜、氧化物薄膜電晶體用透明聚醯亞胺基板及低溫多晶矽用透明聚醯亞胺基板 Download PDF

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Abstract

本發明的聚醯亞胺前驅物組成物藉由使用特定結構的矽氧烷類二胺與分配係數為正數的溶劑而緩和所製備的聚醯亞胺膜的熱膨脹收縮特性,以提供優異的透明性、耐熱性、機械強度及可撓性,且可有效地減小殘餘應力。因此,所述的聚醯亞胺前驅物組合物可有效地使用於如元件用基板、顯示器用覆蓋基板、光學膜、積體電路封裝體、黏合膜、多層可撓性印刷電路、膠帶、觸控面板、光碟用保護膜等的各種領域。

Description

聚醯亞胺前驅組成物以及使用其製備之聚醯亞胺膜
本申請案主張以2017年9月14日申請的韓國專利申請案10-2017-0117989號為基礎的優先權的利益,本說明書將上述韓國專利申請案的文獻中所揭示的所有內容包括作一部分。
本發明提供一種用以製備可緩和熱膨脹-收縮行為的低相位差、高耐熱的聚醯亞胺膜的聚醯亞胺前驅物組成物。
聚醯亞胺(polyimide,PI)作為結晶度相對較低、或大部分具有非晶質結構的聚合物,其是一種不僅具有合成容易,可製作成薄膜且無需使用用於硬化的交聯基等優點,而且具有透明性、因堅固的鏈結構所實現的卓越耐熱性與耐化學性、優異的機械物性、電特性及尺寸穩定性的聚合物材料,目前廣泛地用作汽車、航空航天領域、軟性電路基板、液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)用液晶配向膜、接著劑及塗覆劑等電性、電子材料。
然而,即便聚醯亞胺為具有較高的熱穩定性、機械物性、耐化學性及電特性的高性能聚合物材料,亦未能滿足顯示器領域所需的基本必要條件,即無色透明的性質,且存在需進一步降低熱膨脹係數的課題。例如,由杜邦公司售賣的Kapton的熱膨脹係數為約30 ppm/℃左右,其雖表現出較低的熱膨脹係數值,但仍無法滿足塑膠基板的要求條件。因此,目前較多的研究都朝向保持聚醯亞胺的基本特性且最小化其光學特性及熱特性的改變方面進行。
通常,以芳香族聚醯亞胺為例,其呈深褐色的固有顏色,能夠以存在於醯亞胺主鏈中的苯的π電子因鏈間的鍵結發生電荷轉移複合化(charge transfer complex,又稱為CT-complex),而發生上述電荷轉移複合化的原因在於醯亞胺(imide)結構中存在σ電子、π電子、非鍵結(nonbonding)非共價電子對,故發生電子激發。
典型的聚醯亞胺在500 nm之間的可見光區域吸收來自400 nm以下的波長的光,因此呈現與上述光對應的顏色(即黃色(yellow)至紅色(red))。因此,為了減少芳香族聚醯亞胺的缺點(即電荷轉移複合化),有藉由在上述醯亞胺主鏈中導入如三氟甲基(-CF3 )、碸(-SO2 )、醚(-O-)等的陰電性相對較強的元素以限制π電子移動來降低共振效應的方法,再者,可藉由導入苯以外的烯烴系環狀(環烯烴(cycloolefin))結構而減小存在於主鏈中的π電子的密度來製造無色透明的聚醯亞胺膜。
另一方面,聚醯胺醯亞胺具有優異的耐熱性、機械強度、電特性等特性,故長久以來廣泛地用作電性、電子、機械、航空領域等的工業用材料。此外,聚醯胺醯亞胺本身的結構與典型的聚醯亞胺不同,已知其可溶於有機溶劑,因此亦用作瓷漆(enamel varnish)、電絕緣用塗覆劑、塗料等必需溶液成形的用途。
然而,為了使用於顯示器領域,仍需開發一種具有更低的熱膨脹係數,且具有較高的溶解度、透明度及熱穩定性的可撓性顯示器用聚合物。
發明欲解決的課題
本發明欲解決的課題在於提供一種用以製備可緩和熱膨脹-收縮行為的低相位差、高耐熱的透明聚醯亞胺膜的聚醯亞胺前驅物組成物。
本發明欲解決的另一課題在於提供一種由上述聚醯亞胺前驅物組成物製備的聚醯亞胺膜。
本發明的又一課題在於提供一種利用上述聚醯亞胺膜的顯示器元件。
解決課題的手段
為了解決上述技術課題,本發明提供一種聚醯亞胺前驅物組成物,其含有酸二酐、二胺、下述結構式表示的二甲基矽氧烷(DMS)-二苯基矽氧烷(DPS)低聚物、及於25℃下的分配係數(LogP)為正數且密度為1 g/cm3 以下的溶劑作為聚合成分。
於上述結構式中,p及q為莫耳分率,於p+q=100時,p為70至90,q為10至30。
根據較佳的實施例,上述溶劑可為醯胺類溶劑,具體而言為選自二甲基丙醯胺(dimethylpropanamide,DMPA)或二乙基丙醯胺(diethylpropanamide,DEPA)中的一者。
根據一實施例,上述二甲基矽氧烷(DMS)-二苯基矽氧烷(DPS)低聚物的分子量可為4,000 g/mol以上。
根據一實施例,上述酸二酐可為選自包括下述化學式2a至化學式2h的四價有機基團結構的四羧酸二酐中的一者。 [化學式2a][化學式2b][化學式2c][化學式2d][化學式2e][化學式2f][化學式2g][化學式2h]
於上述化學式2a至化學式2h中,上述R11 至R24 可分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基, 上述a1可為0至2的整數,a2為0至4的整數,a3為0至8的整數,a4及a5分別獨立地為0至3的整數,a7及a8分別獨立地為0至3的整數,a10及a12分別獨立地為0至3的整數,a11為0至4的整數,a15及a16分別獨立地為0至4的整數,a17及a18分別獨立地為0至4的整數,a6、a9、a13、a14、a19、a20分別獨立地為0至3的整數, n為1至3的整數, A11 至A16 可分別獨立地為選自由-O-、-CR'R"-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,其中上述R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
根據一實施例,於整體二胺的含量中,可包括80莫耳%至99莫耳%的下述化學式3的結構的二胺。 [化學式3]
於上述化學式3中, 上述R31 、R32 分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基, Q可為選自由單鍵、-O-、-CR'R"-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,此時上述R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
根據一實施例,於整體四羧酸二酐中,可包括20莫耳%至80莫耳%的包含下述化學式4的四羧酸二酐。 [化學式4]
根據一實施例,於整體四羧酸二酐中,可包括20莫耳%至80莫耳%的下述化學式5的四羧酸二酐。 [化學式5]
於上述化學式5中, Q1 及Q2 分別獨立地為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者。
根據一實施例,可一併包括下述化學式4及化學式5的四羧酸二酐。 [化學式4][化學式5]
於上述化學式5中, Q1 及Q2 分別獨立地為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者。
為了解決本發明的另一課題,提供一種由上述聚醯亞胺的共聚物製備的聚醯亞胺膜。
根據一實施例,上述聚醯亞胺膜的霧度(haze)可為2以下。
根據一實施例,上述聚醯亞胺膜的玻璃轉換溫度(Glass Transition Temperature,Tg)可為350℃以上。
根據一實施例,上述聚醯亞胺膜的熱膨脹係數(Coefficient Of Thermal Expansion,CTE)可為100 ppm/℃以下。
再者,本發明提供一種由上述聚醯亞胺的共聚物製備的氧化物(Oxide)薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)用或低溫多晶矽(Low Temperature polycrystalline silicon,LTPS)用透明聚醯亞胺基板。
發明效果
根據本發明,於存在分配係數(LogP)為正數的有機溶劑的條件下聚合及硬化包括包含高分子量的矽氧烷結構的二胺(DMS-DPS)的聚合成分而製備的聚醯亞胺的共聚物中,DMS-DPS呈奈米尺寸的連續相分佈,從而可保持耐熱性與機械物性,並且有效率地減小殘餘應力(residual stress),因此適於高耐熱、低應力的聚合物材料。因此,可使用於如元件用基板、顯示器用覆蓋基板、光學膜、積體電路(integrated circuit,IC)封裝體、黏合膜(adhesive film)、多層可撓性印刷電路(flexible printed circuit,FPC)、膠帶、觸控面板、光碟用保護膜等的各種領域。
本發明可實施多種變換,可具有多種實施例,將特定實施例示於圖中,並於詳細說明中詳細地進行說明。然而,上述實施例並非意欲將本發明限定於特定的實施方式,應理解為包括包含於本發明的思想及技術範圍內的所有變換、等同物或替代物。於對本發明進行說明時,在判斷為對相關的公知技術的具體說明會混淆本發明的主旨的情形時,省略其詳細說明。
於本說明書中,只要未特別提及,則所有化合物或有機基團可為經取代或未經取代者。此處,「經取代」是指化合物或有機基團中所包括的至少一個氫由選自由鹵素原子、碳原子數為1至10的烷基、鹵化烷基、碳原子數為3至30的環烷基、碳原子數為6至30的芳基、羥基、碳原子數為1至10的烷氧基、羧酸基、醛基、環氧基、氰基、硝基、胺基、磺酸基及其衍生物所組成的族群中的取代基替代。
再者,於本說明書中,只要未特別提及,則「其組合」是指兩個以上的官能基藉由如單鍵、雙鍵、三鍵、碳原子數為1至10的伸烷基(例如,亞甲基(-CH2 -)、伸乙基(-CH2 CH2 -)等)、碳原子數為1至10的氟伸烷基(例如,氟亞甲基(-CF2 -)、全氟伸乙基(-CF2 CF2 -)等)、如N、O、P、S或Si的雜原子或包括其的官能基(例如,於分子內包括羰基(-C=O-)、醚基(-O-)、酯基(-COO-)、-S-、-NH-或-N=N-等的雜伸烷基)的連接基而鍵結、或兩個以上的官能基縮合或連接。
對伴隨高溫製程的可撓性器件要求高溫下的耐熱性,特別是於使用氧化物薄膜電晶體(TFT)與低溫多晶矽(low temperature polycrystalline silicon,LTPS)製程的有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)器件的情形時,製程溫度為350℃以上,甚至接近500℃。
於此種溫度下,即便為具有優異的耐熱性的聚醯亞胺,亦容易熱分解,會發生因熱引起的收縮或膨脹。因此,為了製備可撓性器件,需開發一種如下的聚醯亞胺:可連同優異的機械特性一併於高溫下保持較高的透明性,並且表現出優異的熱穩定性。
本發明提供一種聚醯亞胺前驅物組成物,其含有酸二酐、二胺、下述結構式表示的二甲基矽氧烷(DMS)-二苯基矽氧烷(DPS)低聚物、及於25℃下的分配係數(LogP)為正數且密度為1 g/cm3 以下的溶劑作為聚合成分。
於上述結構式中,p及q為莫耳分率,於p+q=100時,p為70至90,q為10至30。
根據較佳的實施例,上述溶劑可為醯胺類溶劑,具體而言為選自二甲基丙醯胺(dimethylpropanamide,DMPA)或二乙基丙醯胺(diethylpropanamide,DEPA)中的一者。
再者,亦可一併使用選自N,N-二乙基乙醯胺(N,N-diethylacetamide,DEAc)、N,N-二乙基甲醯胺(N,N-diethylformamide,DEF)、N-乙基吡咯啶酮(N-ethylpyrrolidone,NEP)中的一種以上的溶劑。
本發明的聚醯亞胺的共聚物可藉由使用如上所述的有機溶劑來減少因導入有化學式1的結構的可撓性(flexible)聚醯亞胺重複結構與其他聚醯亞胺結構的極性差異引起的相分離而產生的白濁現象。先前,為了解決上述相分離而使用兩種有機溶劑,但本發明僅藉由使用一種有機溶劑即可減少白濁現象,從而可製備更透明的聚醯亞胺膜。
本發明利用包括分子量較高的Si結構的二胺於在25℃下的分配係數(LogP)為正數且密度為1 g/cm3 以下的有機溶劑中聚合酸二酐與二胺而製備聚醯亞胺,藉此可提供一種更無色透明,並且耐熱性優異、即熱膨脹收縮行為得到緩和的聚醯亞胺膜。
根據一實施例,化學式1的二胺的分子量可為4000 g/mol以上,較佳為可具有4400 g/mol以上、更佳為5000 g/mol以上的分子量。此處,分子量是指重量平均分子量,分子量的計算可使用NMR分析或利用酸鹼基滴定法計算胺當量的方式。
於包括上述化學式1的結構的二胺的分子量未滿4000 g/mol的情形時,耐熱性會下降,例如,所製備的聚醯亞胺的玻璃轉換溫度(Tg)會下降或熱膨脹係數過度地增加。
再者,於化學式1中,p及q為莫耳分率,於p+q=100時,p為70至90,q為10至30,若p超過90且q未滿10,則相容性劣化而發生相分離,會因前驅物溶液的白濁現象而所製備的膜產生霧度。再者,若p未滿70且q超過30,則殘餘應力減小效果會下降。 [化學式1]
根據一實施例,本發明可使用一種以上的二胺,於整體二胺中,可包括1莫耳%至20莫耳%、較佳為1莫耳%至10莫耳%的上述化學式1的二胺。
根據一實施例,上述化學式1的二胺可相對於聚醯亞胺共聚物的整體固體成分,即聚醯亞胺前驅物固體成分的重量或上述聚合成分(二胺及酸二酐)的總重量而為10重量%至50重量%,較佳為可添加10重量%至40重量%。若相對於聚合物總重量過多地添加包括上述化學式1的結構的二胺、例如添加50重量%以上或40重量%以上,則如聚醯亞胺的模數(modulus)的機械特性會下降,膜強度減小,因此會於製程上產生膜撕裂等物理損傷。再者,於過多地添加具有化學式1的結構的二胺的情形時,會表現出來自具有上述矽氧烷結構的聚合物的玻璃轉換溫度(Tg),因此於350℃以下的低製程溫度下表現出玻璃轉換溫度(Tg),於進行350℃以上的無機膜沈積製程時,因聚合物的流動現象而膜表面產生褶皺,從而會產生無機膜裂開的現象。
圖1是概略性地表示由本發明的前驅物組成物製備的共聚物的結構的示意圖。
本發明可藉由將包括矽氧烷結構的化學式1的結構插入至聚醯亞胺結構而提高聚醯亞胺的模數強度,可緩和因外力產生的應力。此時,包括矽氧烷結構的聚醯亞胺可表現出極性,會產生因與不包括矽氧烷結構的聚醯亞胺結構的極性差異引起的相分離,因此矽氧烷結構會不均勻地分佈至整個聚醯亞胺結構。於此情形時,不僅會難以表現出因矽氧烷結構實現的如提高聚醯亞胺的強度及緩和應力的效果的物性提高效果,而且因相分離而霧度增加,從而膜的透明性會下降。特別是,於包括矽氧烷結構的二胺具有高分子量的情形時,藉此製備的聚醯亞胺的極性表現地更明顯,從而會更明顯地表現出聚醯亞胺間的相分離現象。然而,如圖1b所示,於使用具有低分子量的結構的矽氧烷二胺的情形時,為了表現出緩和應力等效果,需添加較多的量,此種情形會產生於較低的溫度下產生玻璃轉換溫度(Tg)等製程問題,因此聚醯亞胺膜的物理特性會下降。因此,於添加高分子量的矽氧烷二胺的情形時,如圖1b所示,會於分子內較大地形成鬆弛鏈段(relaxation segment),因此亦能夠以少於低分子添加量的含量有效地表現出應力緩和效果。因此,本發明研究一種用以使包括具有上述高分子量的矽氧烷結構的化學式1的二胺不發生相分離而更均勻地分佈至聚醯亞胺基質上的方法。
為了解決上述問題,亦有混合極性溶劑與非極性溶劑而使用的方法,但極性溶劑具有揮發性較高的傾向,因此於製備製程中會產生預先揮發等問題,故而不僅會產生製程的再現性下降等問題,而且會無法徹底改善相分離問題,因此所製備的聚醯亞胺膜的霧度會變高而透明度下降。於本發明中,為了將包括化學式1的結構的聚醯亞胺結構均勻地分佈至聚醯亞胺基質整體而使用分配係數(LogP)為正數的溶劑、特別是使用分配係數(LogP)為正數的胺類溶劑,更具體而言,藉由使用包括溶劑的分子具有兩親媒性的結構的溶劑,不僅可解決因使用極性溶劑引起的製程問題,而且因具有兩親媒性的分子結構而即便僅使用一種溶劑亦可使聚醯亞胺均勻地分佈,因此非常適於解決因相分離引起的問題,藉此可提供一種霧度特性得到明顯改善的聚醯亞胺。
根據一實施例,上述四羧酸二酐可為選自於分子結構中包括下述化學式2a至化學式2h的四價有機基團的四羧酸二酐中的一者。 [化學式2a][化學式2b][化學式2c][化學式2d][化學式2e][化學式2f][化學式2g][化學式2h]
於上述化學式2a至化學式2h中,上述R11 至R24 可分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基, 上述a1可為0至2的整數,a2為0至4的整數,a3為0至8的整數,a4及a5分別獨立地為0至3的整數,a7及a8分別獨立地為0至3的整數,a10及a12分別獨立地為0至3的整數,a11為0至4的整數,a15及a16分別獨立地為0至4的整數,a17及a18分別獨立地為0至4的整數,a6、a9、a13、a14、a19、a20分別獨立地為0至3的整數, n為1至3的整數, A11 至A16 可分別獨立地為選自由-O-、-CR'R"-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,其中上述R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
除上述化學式1的二胺以外,本發明可包括於整體二胺含量中包括80莫耳%至99莫耳%的於分子結構中包含下述化學式3的二價有機基團的二胺作為二胺。 [化學式3]
於上述化學式3中, 上述R31 、R32 可分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基,較佳為選自鹵素原子、鹵代烷基、烷基、芳基及氰基中的取代基。例如,上述鹵素原子可為氟(-F),鹵代烷基作為包括氟類原子的碳原子數為1至10的氟烷基,可為選自氟甲基、全氟乙基、三氟甲基等中的一者,上述烷基可為選自甲基、乙基、丙基、異丙基、第三丁基、戊基、己基中的一者,上述芳基可為選自苯基、萘基中的一者,更佳為可為包括氟原子及氟烷基等氟類原子的取代基。
Q可為選自由單鍵、-O-、-CR'R"-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,此時上述R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
於此,本發明的「氟類取代基」不僅是指「氟原子取代基」,而且是指「含有氟原子的取代基」。
具體而言,上述化學式3的二胺可為選自以下述化學式3a至化學式3d表示的化合物中的一者。
於上述化學式3a至化學式3d中,Q與如上所述的內容相同。
根據一實施例,上述四羧酸二酐可於整體四羧酸二酐中包括20莫耳%至80莫耳%、較佳為30莫耳%至80莫耳%、更佳為30莫耳%至70莫耳%的包含下述化學式4的結構的四羧酸二酐。 [化學式4]
根據一實施例,上述四羧酸二酐可於整體四羧酸二酐中包括20莫耳%至80莫耳%、較佳為20莫耳%至60莫耳%、更佳為20莫耳%至50莫耳%的包含下述化學式5的結構的四羧酸二酐。 [化學式5]
於上述化學式5中, Q1 及Q2 分別獨立地為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者。
根據一實施例,上述化學式5可為下述化學式5a至化學式5e的化合物。
可藉由在聚醯亞胺結構中包括包含上述茀結構的重複結構而減小膜的厚度方向的相位差。
本發明可連同上述化學式4或化學式5的四羧酸二酐一併使用選自包括下述化學式6a至化學式6r的四價有機基團結構的四羧酸二酐中的一種以上。
於上述6l中,A2 可為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,v為0或1的整數,於上述6r中,x為1至10的整數。
再者,存在於上述6a至6r的四價有機基團中的1個以上的氫原子可由選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基取代。
可選地,本發明可一併使用上述化學式4及化學式5的四羧酸二酐,於一併使用上述化學式4及化學式5的四羧酸二酐的情形時,相對於上述四羧酸二酐的總含量,可包括10莫耳%至30莫耳%、較佳為10莫耳%至25莫耳%、更佳為15莫耳%至25莫耳%的含量的上述化學式5的四羧酸二酐。包括上述茀結構的化學式5的化合物與以化學式4表示的化合物一併用於製備聚醯亞胺,藉此因熱產生的面方向收縮特性得到緩和,從而可改善於加熱製程後進行冷卻製程時產生的膜收縮現象且提高如玻璃轉換溫度的耐熱性。
根據本發明的一實施例,四羧酸二酐的總含量與上述二胺的含量能夠以1:1.1至1.1:1的莫耳比進行反應,為了提高反應性及加工性,較佳為以上述四羧酸二酐的總含量多於二胺的方式進行反應、或以二胺的含量多於四羧酸二酐的總含量的方式進行反應。
根據本發明的一實施例,較佳為上述四羧酸二酐的總含量與二胺的含量能夠以1:0.99至0.99:1、較佳為1:0.98至0.98:1的莫耳比進行反應。
再者,作為可使用於上述聚合反應的有機溶劑,可為於25℃下的分配係數(LogP的值)為正數、沸點為180℃以下且密度為1 g/cm3 以下者,更具體而言,分配係數(LogP)的值可為0.01至3、0.1至2或0.5至1.5。二甲基丙醯胺(dimethylpropanamide,DMPA)及二乙基丙醯胺(diethylpropanamide,DEPA)的分配係數分別為0.504及1.275,密度為約0.876 g/cm3 及0.870 g/cm3
上述分配係數可使用ACD/Labs公司的ACD/Percepta平台(platform)的ACD/LogP模組(module)進行計算,ACD/LogP模組利用分子的二維結構,利用基於定量結構性質關係(Quantitative Structure-Property Relationship,QSPR)方法論的演算法。
於上述分配係數值為正數的情形時,意味著溶劑的極性為疏水性,根據本發明者等人的研究,可知若使用分配係數值為正數的特定溶劑製備聚醯亞胺前驅物組成物,則溶液的捲曲特性得到改善。再者,如上所述,本發明使用分配係數(LogP)為正數的溶劑,因此具有如下效果:即便不使用如調平劑的調節素材的表面張力及塗膜的平滑性的添加劑,亦可控制溶液的液體捲曲現象,由於不使用添加劑等附加的添加劑,因此不僅可消除於最終產物中含有低分子物質等品質及製程問題,而且可更有效率地形成具有均勻的特性的聚醯亞胺膜。
例如,於將聚醯亞胺前驅物組成物塗覆至玻璃基板的製程中,於硬化時或於濕度條件下放置塗覆液時,會產生因塗覆層的收縮引起的溶液捲曲現象。此種塗覆溶液的液體捲曲現象會使膜的厚度產生偏差,從而膜的耐彎曲性不足而會產生膜斷裂、或於切割時邊角破裂的現象,因此會產生製程上的作業性較差且產率下降的問題。
再者,於具有極性的微小異物流入至塗佈於基板上的聚醯亞胺前驅物組成物的情形時,包括分配係數(LogP)為負數的極性溶劑的聚醯亞胺前驅物組成物會因上述異物所具有的極性而以異物的位置為基準局部地發生塗層的龜裂或厚度變化,但於使用分配係數(LogP)為正數的疏水性溶劑的情形時,即便流入具有極性的微小異物,亦可減少或抑制因塗層的龜裂引起的厚度變化等。
具體而言,包括分配係數(LogP)為正數的溶劑的聚醯亞胺前驅物組成物的以下述式1定義的捲曲率(dewetting ratio)可為0%至0.1%以下。
[式1] 捲曲率(%)=[(A-B)/A]×100
於上述式1中, A:聚醯亞胺前驅物組成物完全塗覆於基板(100 mm×100 mm)上的狀態下的面積, B:自塗覆有聚醯亞胺前驅物組成物或PI膜的基板的邊緣末端產生捲曲現象後的面積。
會於塗覆聚醯亞胺前驅物組成物溶液後30分鐘以內產生此種聚醯亞胺前驅物組成物及膜的液體捲曲(dewetting)現象,特別是自邊緣開始捲起,因此會較厚地形成邊緣的厚度。
於將本發明的聚醯亞胺前驅物組成物塗覆至基板後,放置10分鐘以上(例如於濕度條件下放置10分鐘以上、例如40分鐘以上的時間)後的所塗覆的上述樹脂組成物溶液的捲曲率可為0.1%以下,例如於20℃至30℃的溫度下,以40%以上的濕度條件、更具體而言以40%至80%的範圍的濕度條件(即40%、50%、60%、70%、80%的各濕度條件)、例如以50%的濕度條件放置10分鐘至50分鐘後,亦可表現出0.1%以下的非常小的捲曲率,較佳為可表現出0.05%、更佳為幾乎接近0%的捲曲率。
於硬化後亦保持如上所述的捲曲率,例如,於將聚醯亞胺前驅物組成物塗覆至基板後,於放置10分鐘以上、例如於20℃至30℃的溫度下以40%以上的濕度條件、更具體而言以40%至80%的範圍的濕度條件(即40%、50%、60%、70%、80%的各濕度條件)、例如以50%的濕度條件放置10分鐘至50分鐘後,硬化的聚醯亞胺膜的捲曲率可為0.1%以下,即,於藉由熱處理進行的硬化製程中,亦幾乎不產生捲曲或不存在捲曲,具體而言,可表現出0.05%、更佳為幾乎接近0%的捲曲率。
本發明的聚醯亞胺前驅物組成物可藉由解決此種液體捲曲現象而獲得具有更均勻的特性的聚醯亞胺膜,從而可進一步提高製備製程的產率。
再者,可藉由美國材料試驗協會(American Society for Testing Materials,ASTM)D1475的標準測定方法而測定本發明的溶劑的密度,上述密度可為1 g/cm3 以下,於密度具有1 g/cm3 以上的值的情形時,相對黏度會變高,從而製程效率會下降。
可根據聚醯亞胺前驅物的典型聚合製備方法(如溶液聚合)來實施使上述四羧酸二酐與二胺反應的方法,具體而言,可藉由如下方法製備:將二胺溶解於有機溶劑中後,於所獲得的混合溶液中添加四羧酸二酐以進行聚合反應。
根據一實施例,可藉由包括如下步驟的方法進行聚合: a)將上述化學式1的二胺投入至有機溶劑的步驟; b)將化學式3的二胺投入至在上述a)步驟中製備的溶液的步驟; c)將一種以上的四羧酸二酐投入至在上述b)步驟中製備的溶液的步驟;及 d)於特定的反應溫度下聚合於上述c)步驟中製備的溶液的步驟。
上述反應可於惰性氣體或氮氣氣流下實施,且可於無水條件下執行。
再者,於進行上述聚合反應時,可於-20℃至80℃、較佳為0℃至80℃的反應溫度下實施。於反應溫度過高的情形時,反應性變高而分子量會變大,前驅物組成物的黏度上升,因此會於製程上不利。
考量到膜形成製程時的塗佈性等加工性,根據上述製備方法製備的聚醯亞胺前驅物組成物較佳為包括能使上述組成物具有適當的黏度的量的固體成分。根據一實施例,能夠以整體聚醯亞胺前驅物的含量成為8重量%至25重量%、較佳為10重量%至25重量%、更佳為10重量%至20重量%以下的方式調節組成物的含量。
可選地,上述聚醯亞胺前驅物組成物可為以具有3,000 cP以上或4,000 cP以上的黏度的方式調節,上述聚醯亞胺前驅物組成物的黏度較佳為以具有10,000 cP以下、較佳為9,000 cP以下、更佳為8,000 cP以下的黏度的方式調節。於聚醯亞胺前驅物組成物的黏度超過10,000 cP的情形時,在對聚醯亞胺膜進行加工時,消泡效率下降,因此不僅製程效率下降,而且所製備的膜亦會因氣泡的產生而表面粗糙度欠佳,從而電特性、光學特性、機械特性下降。
再者,本發明的聚醯亞胺的分子量可具有10,000 g/mol至200,000 g/mol、20,000 g/mol至100,000 g/mol或30,000 g/mol至100,000 g/mol的重量平均分子量。再者,本發明的聚醯亞胺的分子量分佈(Mw/Mn)較佳為1.1至2.5。於聚醯亞胺的重量平均分子量或分子量分佈脫離上述範圍的情形時,存在會難以形成膜、或透射度、耐熱性及機械特性等聚醯亞胺類膜的特性下降的疑慮。
接著,將上述聚合反應後所獲得的聚醯亞胺前驅物醯亞胺化,藉此可製備透明的聚醯亞胺膜。此時,具體而言,上述醯亞胺化製程可包括化學醯亞胺化方法或熱醯亞胺化方法。
例如,可藉由如下方法獲得聚醯亞胺:於在所聚合的上述聚醯亞胺前驅物組成物中添加脫水劑及醯亞胺化觸媒後,以50℃至100℃的溫度加熱而藉由化學反應進行醯亞胺化、或同時使上述溶液回流與去除醇而進行醯亞胺化。
於上述化學醯亞胺化方法中,可使用吡啶、三乙胺、甲基吡啶或喹啉等作為上述醯亞胺化觸媒,除此之外,有經取代或未經取代的含氮雜環化合物、含氮雜環化合物的N-氧化物化合物、經取代或未經取代的胺基酸化合物、具有羥基的芳香族烴化合物或芳香族雜環狀化合物,特別是亦可使用1,2-二甲基咪唑、N-甲基咪唑、N-苄基-2-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、5-甲基苯并咪唑等咪唑衍生物、異喹啉、3,5-二甲基吡啶、3,4-二甲基吡啶、2,5-二甲基吡啶、2,4-二甲基吡啶、4-正丙基吡啶等取代吡啶、對甲苯磺酸等。
可使用乙酸酐等酸酐作為上述脫水劑。
可選地,可藉由在基板上塗佈上述聚醯亞胺前驅物組成物後進行熱處理的方法進行醯亞胺化。
上述聚醯亞胺前驅物組成物可呈溶解於有機溶劑中的溶液形態,於呈此種形態的情形時、或例如於在有機溶劑中合成聚醯亞胺前驅物的情形時,溶液可為所獲得的反應溶液其本身,亦可為以其他溶劑稀釋上述反應溶液所得者。再者,於以粉末形式獲得聚醯亞胺前驅物的情形時,亦可為將上述粉末溶解至有機溶劑而製成的溶液。
本發明提供一種聚醯亞胺膜的製備方法,其包括: 將上述聚醯亞胺前驅物組成物塗佈至基板上的步驟;及 對所塗佈的上述聚醯亞胺前驅物組成物進行熱處理的步驟。
將上述聚醯亞胺前驅物組成物塗佈至基板,於紅外線(Infrared,IR)烘箱、熱風烘箱內或加熱板上進行熱處理,此時,上述熱處理溫度可為300℃至500℃、較佳為320℃至480℃的溫度範圍,亦可於上述溫度範圍內按照多步驟進行加熱處理。上述熱處理製程可進行20分鐘至70分鐘,較佳為可進行20分鐘至60分鐘左右。
含有於本發明的聚醯亞胺前驅物組成物的上述有機溶劑可使用與上述合成反應時使用的有機溶劑相同者。
只要在不損害效果的範圍下,本發明亦可添加矽烷偶合劑、交聯性化合物及以有效率地進行醯亞胺化為目的的醯亞胺化促進劑等。
再者,上述聚醯亞胺類膜的霧度(Haze)可具有2以下、較佳為1以下或0.9以下的霧度值,從而可提供一種透明性得到改善的聚醯亞胺膜。此時,上述聚醯胺膜的厚度可為8 μm至15 μm,較佳為可為10 μm至12 μm。
再者,可為如下的無色透明的聚醯亞胺膜:於5 μm至30 μm的膜厚範圍內,380 nm至760 nm波長的光的透射度為80%以上,黃色度(YI)為約15以下、較佳為約10以下、更佳為約8以下。由於具有如上所述般優異的透光度及黃色度,因此可表現出得到明顯改善的透明度及光學特性。
再者,上述聚醯亞胺類膜的面內相位差值(Rin )可為約0 nm至100 nm,厚度方向的相位差值(Rth )為約1000 nm以下或0 nm至700 nm、較佳為0 nm至600 nm、更佳為0 nm至500 nm。於上述厚度方向的相位差的範圍內,可表現出適於顯示器的視感性,於厚度方向的相位差為1000 nm以上的情形時,在聚醯亞胺膜中產生相位差而光失真,因此視感性會明顯下降。
再者,本發明的聚醯亞胺膜的玻璃轉換溫度(Tg)可為350℃以上,較佳為可為360℃以上、更佳為370℃以上。
再者,本發明的聚醯亞胺膜與溫度變化對應的熱穩定性可較優異,例如,於在100℃至400℃的溫度範圍內經由n+1次的加熱及冷卻製程後的熱膨脹係數可具有-10 ppm/℃至100 ppm/℃的值,較佳為可為-7 ppm/℃至90 ppm/℃、更佳為80 ppm/℃以下。
於本發明的又一實施例中,提供一種包括上述聚醯亞胺共聚物的成形品(article)。
上述成形品可為膜、纖維(fiber)、塗覆材料、接著材料等,但並不限定於此。上述成形品可使用上述共聚物與無機粒子的錯合物組成物而藉由乾濕法、乾式法、濕式法等形成,但並不限定於此。具體而言,上述成形品可如上所述般為光學膜,於此情形時,包括上述聚醯亞胺共聚物的組成物可藉由如下方式容易地製備:於利用旋轉塗覆等方法應用至基板上後,對其進行乾燥及硬化。
本發明的聚醯亞胺可保持因堅固的結構實現的耐熱性、機械強度等特性,特別是,不僅可對會於高熱製程時產生的熱收縮行為表現出優異的耐熱性,而且可表現出優異的無色透明的特性,因此可使用於如元件用基板、顯示器用覆蓋基板、光學膜(optical film)、IC(integrated circuit)封裝體、黏合膜(adhesive film)、多層FPC(flexible printed circuit)、膠帶、觸控面板、光碟用保護膜等的各種領域。
根據本發明的又一實施例,提供一種包括上述成形品的顯示裝置。具體而言,上述顯示裝置可列舉液晶顯示裝置(liquid crystal display device,LCD)、有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)等,特別是可適於使用需要高溫製程的低溫多晶矽(low temperature polycrystalline silicon,LTPS)製程的OLED器件,但並不限定於此。
以下,詳細地對本發明的實施例進行說明,以便在本發明所屬的技術領域內具有常識者可容易地實施。然而,本發明能夠以多種不同的形態實現,並不限定於此處所說明的實施例。
<實施例1>
於流通氮氣氣流的攪拌機內填充164 g的二甲基丙醯胺(dimethylpropanamide,DMPA)(分配係數為0.504),之後於將反應器的溫度保持為25℃的狀態下,在相同的溫度下添加0.0017 mol的兩封端胺基改質DMS-DPS(分子量為5000 g/mol)及0.0518 mol的2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-聯苯二胺(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine,TFMB)而溶解。於相同的溫度下向添加有上述DMS-DPS及TFMB的溶液添加0.0321 mol的均苯四甲酸二酐(Pyromellitic Dianhydride,PMDA)及0.0214 mol的9,9'-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐(9,9'-bis(3,4-dicaroxyphenyl)fluorene dianhydride,BPAF)而攪拌3小時,之後於80℃下攪拌4小時來製備前驅物組成物。
於實施例1中所使用的DMS-DPS的NMR分析結果如圖2。於化學式1的DMS-DPS結構中,p=73.3,q=26.7。
<實施例2>
於流通氮氣氣流的攪拌機內填充100 g的二乙基丙醯胺(diethylpropanamide,DEPA)(分配係數為1.275)作為溶劑,之後於將反應器的溫度保持為25℃的狀態下,在相同的溫度下添加0.0014 mol的兩封端胺基改質DMS-DPS(分子量為5000 g/mol)及0.0306 mol的TFMB(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine)而溶解。於相同的溫度下向添加有上述DMS-DPS及TFMB的溶液添加0.03211 mol的PMDA(Pyromellitic Dianhydride)而攪拌3小時,之後於80℃下攪拌4小時。
<比較例1>
於流通氮氣氣流的攪拌機內填充96 g的N-甲基吡咯啶酮(N-Methylpyrrolidone,NMP)(分配係數為-0.28),之後於將反應器的溫度保持為25℃的狀態下,在相同的溫度下添加0.0017 mol的兩封端胺基改質DMS-DPS(Diphenylsiloxane-dimethylsiloxane共低聚物(co-oligomer),分子量為4400 g/mol,p=95.2,q=4.8)及0.0304 mol的TFMB(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine)而溶解。於相同的溫度下向添加有上述DMS-DPS及TFMB的溶液添加0.0321 mol的PMDA(Pyromellitic Dianhydride)而攪拌3小時,之後於80℃下攪拌4小時。
<比較例2>
於流通氮氣氣流的攪拌機內填充137 g的NMP(分配係數為-0.28),之後於將反應器的溫度保持為25℃的狀態下,在相同的溫度下添加0.0014 mol的兩封端胺基改質DMS-DPS(分子量為5000 g/mol,p=50.8,q=49.2)及0.0306 mol的TFMB(2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine)而溶解。於相同的溫度下,向添加有上述DMS-DPS及TFMB的溶液添加0.03211 mol的PMDA(Pyromellitic Dianhydride)而攪拌3小時,之後於80℃下攪拌4小時。
<製備例>
將於上述實施例1至實施例2及比較例1至比較例2中製備的聚醯亞胺共聚物以9.5 μm至11 μm的厚度旋轉塗覆至玻璃基板。將塗佈有聚醯亞胺共聚物的玻璃基板放入至烘箱而以2℃/min的速度進行加熱,於80℃下保持15分鐘、於150℃下保持30分鐘、於220℃下保持30分鐘、於400℃下保持1小時而進行硬化製程。於硬化製程結束後,將玻璃基板浸入至水中來剝離形成於玻璃基板上的膜,於烘箱內以100℃進行乾燥而製備聚醯亞胺膜。
對所製備的上述聚醯亞胺膜的黃色度(YI)、霧度、厚度方向的相位差、CTE、玻璃轉換溫度(Tg)及玻璃應力(彎曲(Bow))進行測定而示於表1。
<黃色度(YI)>
利用Color Eye 7000A測定黃色度(YI)。
<霧度(Haze)>
使用霧度計(Haze Meter)HM-150而藉由ASTM D1003的方法測定霧度。
<厚度方向的相位差>
利用Axoscan測定厚度方向的相位差(Rth )。於將膜切割成固定的尺寸而測定厚度後,利用Axoscan測定相位差,為了補償相位差值而沿C-板(plate)方向修正而輸入測定到的厚度。
<熱膨脹係數(CTE)及玻璃轉換溫度(Tg)>
於以5 mm×20 mm的尺寸準備上述膜後,利用配件裝載試樣。實際測定的膜的長度統一為16 mm。將拉伸膜的力設定為0.02 N,於100℃至350℃的溫度範圍內以5℃/min的升溫速度進行1次升溫製程,之後利用熱機械分析儀(Thermo Mechanical Analyzer,TMA)(TA公司的Q400)測定於350℃至100℃的溫度範圍內以4℃/min的冷卻速度進行冷卻(cooling)時的熱膨脹變化情況。
此時,以玻璃轉換溫度(Tg)表示於1次升溫製程中在升溫區間內表現出的反曲點。
<玻璃應力>
玻璃應力表現為彎曲(Bow)值,測定方法如下。
將10 cm×10 cm的玻璃設置至應力測定儀(TENCOR公司的FLX2320),於利用雷射掃描中央後,在自除兩側1 cm以外的共8 cm的中心部分向左右兩側4 cm間的距離測定玻璃彎曲的程度(高度)偏差。
[表1]
根據表1可知,實施例1至實施例2的聚醯亞胺共聚物藉由使用DMS-DPS嵌段的莫耳比為73.3:26.7的DMS-DPS而無溶液白濁現象且膜的霧度特性提高。相反地,比較例1的DMS嵌段的比率較高而發生溶液白濁且膜的霧度亦不良。再者,可知於如比較例2般DPS嵌段的比率相對較高的情形時,表現出較高的殘餘應力。
再者,可知實施例1及實施例2藉由使用分配係數(LogP)為正數且密度為1 g/cm3 以下的溶劑而光學特性與耐熱性較比較例1提高。
以上,詳細地對本發明內容的特定部分進行了記述,於業界具有常識者應瞭解,此種具體記述僅為較佳的實施方式,本發明的範圍並不限制於此。因此,本發明的實質性的範圍由隨附的發明申請專利範圍與其等效物界定。
圖1是用以對由本發明的前驅物組成物製備的共聚物的結構進行說明的示意圖。 圖2是實施例1中所使用的DMS-DPS低聚物的核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)分析結果。

Claims (15)

  1. 一種聚醯亞胺前驅物組成物,包括含有酸二酐、二胺、下述結構式表示的二甲基矽氧烷-二苯基矽氧烷低聚物、及於25℃下的分配係數為正數且密度為1 g/cm3 以下的溶劑作為聚合成分:於所述結構式中,p及q為莫耳分率,於p+q=100時,p為70至90,q為10至30。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述溶劑為醯胺類溶劑。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述醯胺類溶劑為二甲基丙醯胺或二乙基丙醯胺。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述二甲基矽氧烷-二苯基矽氧烷低聚物的分子量為4,000 g/mol以上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述酸二酐為選自於分子結構中包括下述化學式2a至化學式2h的四價有機基團的四羧酸二酐中的一種以上: [化學式2a][化學式2b][化學式2c][化學式2d][化學式2e][化學式2f][化學式2g][化學式2h]於所述化學式2a至所述化學式2h中,R11 至R24 分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基或者碳原子數為6至20的芳基中的取代基, 其中a1可為0至2的整數,a2為0至4的整數,a3為0至8的整數,a4及a5分別獨立地為0至3的整數,a7及a8分別獨立地為0至3的整數,a10及a12分別獨立地為0至3的整數,a11為0至4的整數,a15及a16分別獨立地為0至4的整數,a17及a18分別獨立地為0至4的整數,a6、a9、a13、a14、a19、a20分別獨立地為0至3的整數, n為1至3的整數, A11 至A16 分別獨立地為選自由-O-、-CR'R"-、-C(=O)-,-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,其中R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述二胺包括於分子結構中包含下述化學式3的二價有機基團的二胺: [化學式3]於所述化學式3中, R31 、R32 分別獨立地為選自包括-F、-Cl、-Br及-I的鹵素原子、羥基(-OH)、硫醇基(-SH)、硝基(-NO2 )、氰基、碳原子數為1至10的烷基、碳原子數為1至4的鹵代烷氧基、碳原子數為1至10的鹵代烷基、碳原子數為6至20的芳基中的取代基, Q為選自由單鍵、-O-、-CR'R"-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者,此時R'及R"分別獨立地為選自由氫原子、碳原子數為1至10的烷基及碳原子數為1至10的氟烷基所組成的族群中的一者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述酸二酐於整體四羧酸二酐中包括20莫耳%至80莫耳%的包含下述化學式4的結構的四羧酸二酐: [化學式4]
  8. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述酸二酐於整體四羧酸二酐中包括20莫耳%至80莫耳%的下述化學式5的四羧酸二酐: [化學式5]於所述化學式5中, Q1 及Q2 分別獨立地為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的聚醯亞胺前驅物組成物,其中所述酸二酐一併包括下述化學式4及化學式5的四羧酸二酐: [化學式4][化學式5]於所述化學式5中, Q1 及Q2 分別獨立地為選自由單鍵、-O-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-C(=O)NH-、-S-、-SO2 -、伸苯基及其組合所組成的族群中的一者。
  10. 一種聚醯亞胺膜,其由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的聚醯亞胺前驅物組成物製備。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的聚醯亞胺膜,其中所述聚醯亞胺膜的霧度為2以下。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的聚醯亞胺膜,其中所述聚醯亞胺膜的玻璃轉換溫度為350℃以上。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的聚醯亞胺膜,其中所述聚醯亞胺膜的熱膨脹係數為100 ppm/℃以下。
  14. 一種氧化物薄膜電晶體用透明聚醯亞胺基板,其由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的聚醯亞胺前驅物組成物製備。
  15. 一種低溫多晶矽用透明聚醯亞胺基板,其由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的聚醯亞胺前驅物組成物製備。
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