TW201925436A - 液晶介質 - Google Patents

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蒙妮卡 鮑爾
瑪提娜 威得侯斯特
馬可斯 路特
克莉絲汀 薇絲
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Abstract

本發明係關於液晶介質，其包含至少一種選自式IA至IH化合物之群之化合物，


其中
Z1 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-(CH2 )4 -、 -CHFCHF-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C≡C-、-CF=CF-、-CH=CHCHO-或-CH2 CF2 O-，
且係關於其用於尤其基於VA、PSA、PS-VA、PALC、FFS、PS-FFS、SA-VA、PS-IPS或IPS效應之主動矩陣顯示器之用途。

Description

液晶介質
本發明係關於液晶介質，其包含至少一種選自式IA至IH化合物之群之化合物，


其中
Z1 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-(CH2 )4 -、-CHFCHF-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C≡C-、-CF=CF-、-CH=CHCHO-或-CH2 CF2 O-。
此類型之介質可尤其用於具有基於ECB效應之主動矩陣定址之光電顯示器及用於IPS (平面內切換型)顯示器或FFS (邊緣場切換型)顯示器。
電控雙折射之原理(ECB效應亦或DAP (配向相形變)效應)首次闡述於1971年(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon，「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」, Appl. Phys. Lett. 19 (1971), 3912)中。隨後J.F. Kahn (Appl. Phys. Lett. 20 (1972), 1193)及G. Labrunie與J. Robert (J. Appl. Phys. 44 (1973), 4869)之論文對此加以闡述。
由J. Robert及F. Clerc (SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30), J. Duchene (Displays 7 (1986), 3)及H. Schad (SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)顯示，液晶相必須具有高彈性常數比率K3 /K1 值、高光學各向異性值Dn及Δε ≤ -0.5之介電各向異性值以適用於基於ECB效應之高資訊顯示器元件中。基於ECB效應之光電顯示器元件具有垂面邊緣配向(VA技術=垂直配向)。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂的IPS或FFS效應之顯示器。
使用ECB效應之顯示器(如所謂的VAN (垂直配向向列型(v erticallya lignedn ematic))顯示器)，例如呈MVA (多域垂直配向(m ulti-domainv erticala lignment)，例如：Yoshide, H.等人之論文3.1：「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ...」，2004年SID國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第I卷，第6至9頁，及Liu, C.T.等人之論文15.1：「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ...」，2004年SID國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第II卷，第750至753頁)、PVA (圖案化垂直配向(p atternedv erticala lignment)，例如：Kim, Sang Soo之論文15.4：「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」，2004年SID國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第II卷，第760至763頁)、ASV (先進超視覺(a dvanceds uperv iew)，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi之論文15.2：「Development of High Quality LCDTV」，2004年SID國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第II卷，第754至757頁)模式，已使其成為除IPS (平面內切換型(i n-p lanes witching))顯示器(例如：Yeo, S.D.之論文15.3：「An LC Display for the TV Application」，2004年SID國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第II卷，第758及759頁)及習知之TN (扭轉向列型(t wistedn ematic))顯示器以外目前最重要的三種較新型液晶顯示器(尤其用於電視應用)中之一者。比較該等技術之一般形式，例如見於Souk, Jun，2004年SID研討會，會議M-6：「Recent Advances in LCD Technology」，研討會演講記錄M-6/1至M-6/26；及Miller, Ian，2004年SID研討會，會議M-7：「LCD-Television」，研討會演講記錄M-7/1至M-7/32。儘管現代ECB顯示器之反應時間已藉由使用過驅動之定址方法顯著改良(例如：Kim, Hyeon Kyeong等人之論文9.1：「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」，SID 2004國際研討會，Digest of Technical Papers，XXXV，第I卷，第 106頁至第109頁)，但達成視頻兼容反應時間(尤其對於灰階切換)仍係尚未得到滿意解決之問題。
此效應在光電顯示器元件中之工業應用需要必須滿足多種要求之LC相。此處尤其重要的是對水分、空氣及物理影響(例如，熱、紅外線、可見光及紫外線輻射及直流及交流電場)之化學抗性。
此外，要求工業上可用之LC相在適宜溫度範圍及低黏度下具有液晶中間相。
迄今所揭示之各系列具有液晶中間相之化合物均不包括滿足所有該等要求之單一化合物。因此，通常製備2至25種、較佳3至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。然而，由於迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料，故尚且不能容易地以此方式製備最佳相。
矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)已為人所已知。可用於個別切換個別像素之非線性元件係(例如)主動元件(即電晶體)。因此使用術語「主動矩陣」，其中可在以下兩種類型之間加以區分：
1. MOS (金屬氧化物半導體)電晶體，位於作為基板之矽晶圓上
2. 薄膜電晶體(TFT)，位於作為基板之玻璃板上。
在類型1之情形下，所用光電效應通常係動態散射或賓-主效應。由於即使是多個部分顯示器之模塊式組裝亦會導致在連接處出現問題，因此使用單晶矽作為基板材料可限制顯示器大小。
在更有希望之較佳類型2之情形下，所用光電效應通常係TN效應。
在以下兩種技術間加以區分：包含化合物半導體(例如CdSe)之TFT或基於多晶矽或非晶矽之TFT。全世界正對後一種技術進行廣泛的研究。
將TFT矩陣施加至顯示器之一個玻璃板內部，同時另一玻璃板在其內側載有透明反電極。與像素電極之大小相比，TFT極小且對影像幾乎無不利作用。此技術亦可擴展至能顯示全色彩之顯示器，其中佈置紅色、綠色及藍色濾色器之鑲嵌以使得濾色器元件與每一可切換像素對置。
術語MLC顯示器在此涵蓋任一具有積體非線性元件之矩陣顯示器，即除主動矩陣外，亦涵蓋具有被動元件(例如，變阻器或二極體(MIM =金屬-絕緣體-金屬))之顯示器。
此類型之MLC顯示器尤其適合於TV應用(例如袖珍TV)或適用於汽車或飛機構造中之高資訊顯示器。除涉及反差比之角度依賴性及反應時間的問題外，在MLC顯示器中亦會出現由液晶混合物之不夠高的比電阻造成之困難[TOGASHI, S.、SEKIGUCHI, K.、TANABE, H.、YAMAMOTO, E.、SORIMACHI, K.、TAJIMA, E.、WATANABE, H.、SHIMIZU, H., Proc. EuroDisplay 84, 1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings，第 141頁及下文，Paris；STROMER, M., Proc. EuroDisplay 84, 1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays，第 145頁及下文，Paris]。隨著電阻降低，MLC顯示器之反差比降低。由於液晶混合物之比電阻通常會因與顯示器之內表面相互作用而在MLC顯示器壽命期間降低，因此對在長操作期內必須具有可接受電阻值之顯示器而言，高(初始)電阻極為重要要。
因此，業內仍迫切需具有極高比電阻、同時具有大工作溫度範圍、短響應時間及低臨限電壓，借助其可產生不同灰階的MLC顯示器。
常用MLC-TN顯示器之缺點係由於其相對較低之反差比、相對較高之視角依賴性及難以在該等顯示器中產生灰階所致。
VA顯示器具有顯著更佳之視角依賴性且因此主要用於電視及監測器。然而，此處仍需要改良響應時間。然而，必須同時不會損害諸如低溫穩定性及可靠性等性質。
本發明係基於提供尤其用於基於ECB效應或基於IPS或FFS效應之監測器及TV應用之液晶混合物之目的，該等液晶混合物不具有上文所指示之缺點或或僅具有少數上文所指示之缺點。特定而言，必須確保監測器及電視亦可在極高及極低之溫度下工作且同時具有短響應時間，並同時具有經改良之可靠性行為，尤其在長操作時間後不展現影像殘留或影像殘留顯著降低。
若需要具有快速響應時間之液晶混合物，則經常採用具有末端雙鍵之中性二環化合物，例如下式化合物
。
然而，此類型之化合物之缺點在於，在一些應用中，其導致顯示器性質受損，例如影像殘留之發生增加。
下式化合物

(其中n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6)之缺點在於，其通常不能以高濃度溶解於液晶混合物中，此進而對響應時間具有不良效應。
因此，本發明之目標係尋找如下液晶混合物：一方面具有快速響應時間且另一方面由於使用在液晶混合物中具有良好溶解性之中性化合物而具有良好可靠性。
令人驚訝的是，較佳對於VA、IPS及FFS顯示器而言，若在液晶混合物中、尤其在具有負介電各向異性Δε之LC混合物中使用一或多種、較佳地至少一種或兩種通式IA至IH之化合物，則可改良旋轉黏度值且由此改良響應時間。借助於含有非末端雙鍵之式IA至IH化合物，可製備具有短響應時間、同時具有良好相性質及良好低溫行為之液晶混合物，較佳地VA、PS-VA、PSA、IPS及FFS混合物。
本發明之液晶混合物之突出特徵尤其在於旋轉黏度與彈性常數(較佳地K3 )之極佳比率。特定而言，可靠性得以改良。此尤其包括ODF彩紋亦及與外周材料(例如黏著框)之相互作用，其通常亦稱為「角彩紋」。此外，影像殘留最小化。
因此，本發明係關於液晶介質，其包含至少一種式IA、IB、IC、ID、IE、IF、IG及/或IH之化合物。
本發明之混合物較佳展現澄清點≥ 65℃、較佳≥ 70℃、尤其≥ 75℃之極寬向列相區域、極有利之電容臨限值、相對較高之保持率值且同時在-20℃至-30℃下之極佳低溫穩定性，以及極低之旋轉黏度值及短響應時間。此外，本發明之混合物可因以下事實而表現突出：除旋轉黏度γ1 之改良以外，亦可觀察到用於改良響應時間之相對較高之彈性常數值K33 。式IA至IH之化合物尤其適用於製備具有負Δε之液晶混合物。
下文指示本發明之混合物之一些較佳實施例。
在式IA至IH之化合物中，Z1 彼此獨立地較佳表示單鍵。
下文顯示較佳之式IA至IH化合物：



較佳如下製備式IA至IH之化合物：
方案 1

R’ = C3 H7 、C4 H9 、環丙基、環丁基或環戊基
如下製備尤佳化合物：
方案 2
本發明之介質較佳地包含一或兩種來自式IA至IH化合物之群之化合物。
式IA至IH之化合物較佳以1重量%至50重量%、較佳5重量%至50重量%且極尤佳10重量%至50重量%之量用於液晶介質中。
下文指示本發明之液晶介質之較佳實施例：
a) 另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC化合物之群之化合物之液晶介質：


其中
R2A 、R2B 及R2C 各自彼此獨立地表示H；具有最多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外該等基團中之一或多個CH2 基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-替代；環丙基環；環丁基環；或環戊基環，
L1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ，
L5 表示H或CH3 ，
Z2 及Z2’ 各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-CF=CF-、-CºC-、-CH=CHCH2 O-，
p 表示0、1或2，其中若p = 0，則Z2 表示單鍵，
q 表示0或1，且
v 表示1至6。
在式IIA及IIB之化合物中，Z2 可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z2 及Z2’ 可具有相同或不同含義。
在式IIA、IIB及IIC之化合物中，R2A 、R2B 及R2C 各自較佳表示具有1至6個C原子之烷基，尤其CH3 、C2 H5 、n-C3 H7 、n-C4 H9 、n-C5 H11 ，此外表示烯基、尤其CH2 =CH、CH3 CH=CH、C2 H5 CH=CH、C3 H7 CH=CH。
在式IIA及IIB之化合物中，L1 、L2 、L3 及L4 較佳表示L1 = L2 = F且L3 = L4 = F，此外表示L1 = F且L2 = Cl、L1 = Cl且L2 = F、L3 = F且L4 = Cl、L3 = Cl且L4 = F。式IIA及IIB中之Z2 及Z2' 較佳各自彼此獨立地表示單鍵，此外表示-C2 H4 -橋。
若在式IIB中Z2 = -C2 H4 -或-CH2 O-，則Z2' 較佳係單鍵，或若Z2' = -C2 H4 -或-CH2 O-，則Z2 較佳係單鍵。在式IIA及IIB之化合物中，(O)Cv H2v+1 較佳表示OCv H2v+1 ，此外表示Cv H2v+1 。在式IIC化合物中，(O)Cv H2v+1 較佳表示Cv H2v+1 。
在式IIC化合物中，L3 及L4 較佳各自表示F。
在式IIA及IIB之化合物中，L5 表示H或CH3 ，較佳表示H。
下文指示較佳之式IIA、IIB及IIC化合物：













其中烷基及烷基*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。烯基較佳表示CH2 =CH、CH3 CH=CH或CH2 =CHC2 H4 。
本發明之尤佳混合物包含一或多種以下各式之化合物：IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIA-50、IIB-2、IIB-11、IIB-16、IIB-17及IIC-1。
式IIA及/或IIB之化合物在整體混合物中之比例較佳為至少20重量%。
本發明之尤佳介質包含至少一種式IIC-1化合物，
，
其中烷基及烷基*具有上文所指示之含義，其量較佳＞ 3重量%、尤其＞ 5重量%且尤佳為5重量%至25重量%。
b) 另外包含一或多種式III化合物之液晶介質，

其中
R31 及R32 各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烯基氧基，且
表示 或
Z3 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-C4 H8 -、-CºC-、-CF=CF-。
下文指示較佳之式III化合物：

其中
烷基及
烷基* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
烯基及
烯基* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
c) 另外包含一或多種以下各式之四環化合物之液晶介質


其中
R7-10 各自彼此獨立地具有技術方案4中針對R2A 所指示含義中之一者，且
w及x 各自彼此獨立地表示1至6。
尤佳者係包含至少一種式V-9化合物及/或式V-10化合物之混合物。
d) 另外包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物之液晶介質


其中R14 至R19 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z及m各自彼此獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。
本發明之介質尤佳包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物，其量較佳為³ 5重量%。
e) 另外包含一或多種式T-1至T-22之氟化聯三苯之液晶介質，



其中
R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，且m = 0、1、2、3、4、5或6且n表示0、1、2、3或4。
R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
本發明之介質較佳以2重量%至30重量%、尤其5重量%至20重量%之量包含式T-1至T-22之聯三苯。
尤佳者係式T-1、T-2、T-5、T-20及T-21之化合物。在該等化合物中，R較佳表示烷基，此外表示烷氧基，其各自具有1至6個C原子。在式T-20化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其烷基。在式T-21化合物中，R較佳表示烷基。
若欲使混合物之Dn值³ 0.1，則在本發明之混合物中較佳採用聯三苯。較佳混合物包含2重量%至20重量%之一或多種選自化合物T-1至T-22之群之聯三苯化合物。
f) 另外包含一或多種式B-1至B-3之聯苯之液晶介質，

其中
烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且
烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
式B-1至B-3之聯苯在整體混合物中之比例較佳為至少3重量%、尤其5重量%。
在式B-1至B-3之化合物中，式B-1及B-2之化合物尤佳。
尤佳聯苯係

其中烷基*表示具有1至6個碳原子之烷基。本發明之介質尤佳包含一或多種式B-1a及/或B-2c之化合物。
較佳之式B-1a化合物尤其係以下各式之化合物：
g) 另外包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物之液晶介質，


其中R具有針對R2A 所指示之含義且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。
h) 另外包含至少一種式O-1至O-17之化合物之液晶介質，


其中R1 及R2 具有針對R2A 所指示之含義。R1 及R2 較佳各自彼此獨立地表示直鏈烷基或烯基，其中式O-17化合物與式IA及IB之化合物不同。
較佳介質包含一或多種以下各式之化合物：式O-1、O-3、O-4、O-6、O-7、O-10、O-11、O-12、O-14、O-15、O-16及/或O-17。
本發明之混合物極尤佳地包含式O-10、O-12、O-16及/或O-17之化合物，其量尤其為5重量%至30重量%。
較佳之式O-17化合物係選自以下各式化合物之群：




此外，較佳者係式O-17化合物，其在烯基側鏈中含有非末端雙鍵：


式O-17化合物在整體混合物中之比例較佳為至少5重量%。
i) 另外包含至少一種下式化合物之液晶介質
及/或
及/或
，
該化合物之總量較佳³ 5重量%、尤其³ 10重量%。
此外，較佳者係包含以下化合物(縮寫字：CC-3-V1)之本發明混合物
，
該化合物之量較佳為2-15重量%。
較佳混合物包含5重量%至60重量%、較佳10重量%至55重量%、尤其20重量%至50重量%之下式化合物(縮寫字：CC-3-V)
。
此外，較佳者係包含以下之混合物：下式化合物(縮寫字：CC-3-V)

及下式化合物(縮寫字：CC-3-V1)
，
該等化合物之量較佳為10重量%至60%重量%。
j) 另外包含選自以下化合物之群之至少一種式O-10化合物及至少一種式O-17化合物之液晶介質：

本發明之介質尤佳包含式O-10a及/或式O-10b之三環化合物與一或多種式O-17a至O-17d之二環化合物之組合。式O-10a及/或O-10b之化合物與一或多種選自式O-17a至O-17d之二環化合物之化合物之組合的總比例為5%至40%，極佳為15%至35%。
極尤佳之混合物包含化合物O-10a及O-17a：

化合物O-10a及O-17a基於整體混合物較佳以15%至35%、尤佳15%至25%且特別較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
極尤佳之混合物包含化合物O-10b及O-17a：

化合物O-10b及O-17a基於整體混合物較佳以15%至35%、尤佳15%至25%且特別較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
極尤佳之混合物包含以下三種化合物：

化合物O-10a、O-10b及O-17a基於整體混合物較佳以15%至35%、尤佳15%至25%且特別較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
較佳混合物包含至少一種選自以下化合物之群之化合物：

其中R1 及R2 具有上文所指示之含義。在化合物O-6、O-7及O-17中，R1 較佳表示分別具有1至6個或2至6個C原子之烷基或烯基，且R2 較佳表示具有2至6個C原子之烯基。在式O-10化合物中，R1 較佳表示分別具有1至6個或2至6個C原子之烷基或烯基，且R2 較佳表示具有1至6個C原子之烷基。
較佳混合物包含至少一種選自式O-6a、O-6b、O-7a、O-7b、O-17e、O-17f、O-17g及O-17h之化合物之群之化合物：


其中烷基表示具有1至6個C原子之烷基。
式O-6、O-7及O-17e-h之化合物較佳以1重量%至40重量%、尤其2重量%至35重量%及極尤佳2重量%至30重量%之量存在於本發明之混合物中。
k) 本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，例如式N-1至N-5之化合物，

其中R1N 及R2N 各自彼此獨立地具有針對R2A 所指示之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且
Z1 及Z2 各自彼此獨立地表示-C2 H4 -、-CH=CH-、-(CH2 )4 -、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CH=CHCH2 CH2 -、-CH2 CH2 CH=CH-、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CºC-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 -或單鍵。
l) 較佳混合物包含一或多種選自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及BS-2之化合物之群之化合物，


其中
RB1 、RB2 、RCR1 、RCR2 、R1 、R2 各自彼此獨立地具有R2A 之含義。c為0、1或2且d為1或2。R1 及R2 較佳彼此獨立地表示分別具有1個或2至6個C原子之烷基、烷氧基、烯基或烯基氧基。
本發明之混合物較佳以3重量%至20重量%、尤其以3重量%至15重量%之量包含式BC、CR、PH-1、PH-2及/或BF之化合物。
尤佳之式BC及CR化合物係化合物BF-1、BF-2、BS-1及BS-2，



其中
烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，
烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且
(O)烷基及(O)烷基* 分別表示烷基或O烷基及烷基*或O烷基*。
極尤佳者係包含一種、兩種或三種式BC-2、BF-1a及/或BS-1a之化合物之混合物。
m) 較佳混合物包含一或多種式In之二氫茚化合物，

其中
R11 、R12 、
R13 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R12 及R13 另外表示鹵素，較佳表示F，
表示

i 表示0、1或2。
較佳之式In化合物係下文所指示之式In-1至In-16之化合物：



尤佳者係式In-1、In-2、In-3及In-4之化合物。
式In及子式In-1至In-16之化合物較佳以≥ 5重量%、尤其5重量%至30重量%且極尤佳5重量%至25重量%之濃度用於本發明之混合物中。
n) 較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，


其中
R、R1 及R2 各自彼此獨立地具有技術方案4中針對R2A 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。穩定示1或2。
尤佳者係式L-1及L-4之化合物、尤其L-4之化合物。
式L-1至L-11之化合物較佳以5重量%至50重量%、尤其5重量%至40重量%且極尤佳10重量%至40重量%之濃度採用。
下文指示尤佳混合物之概念：(所用縮寫字在表A中予以解釋。此處n及m各自彼此獨立地表示1至15，較佳表示1至6)。
本發明之混合物較佳包含
- CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，基於整體混合物其濃度較佳＞ 5%、尤其為10%至30%，
及/或
- CY-n-Om，較佳CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY5-O4，基於整體混合物其濃度較佳＞ 5%、尤其為15%至50%，
及/或
- CCY-n-Om，較佳CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，基於整體混合物其濃度較佳＞ 5%、尤其為10%至30%，
及/或
- CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，基於整體混合物其濃度較佳＞ 5%、尤其為10%至30%，
及/或
- CK-n-F，較佳CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，基於整體混合物其濃度較佳＞ 5%，尤其為5%至25%。
此外，較佳者係包含以下混合物概念之本發明之混合物：
(n及m各自彼此獨立地表示1至6。)
- CPY-n-Om及CY-n-Om，基於整體混合物其濃度較佳為10%至80%，
及/或
- CPY-n-Om及CK-n-F，基於整體混合物其濃度較佳為10%至70%，
及/或
- Y-nO-Om，較佳Y-4O-O4，基於整體混合物其濃度尤其為2重量%至20重量%，
及/或
- CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，基於整體混合物其濃度較佳為10%至45%，
及/或
- CPY-n-Om及CLY-n-Om，基於整體混合物其濃度較佳為10%至80%，
及/或
- CCVC-n-V，較佳CCVC-3-V，基於整體混合物其濃度較佳為2%至10%，
及/或
- CCC-n-V，較佳CCC-2-V及/或CCC-3-V，基於整體混合物其濃度較佳為2%至10%，
及/或
- CC-1V-V2，基於整體混合物其濃度較佳為5%至50%，
及/或
- CC-2V-V2，基於整體混合物其濃度較佳為5%至50%。
本發明之較佳混合物概念包含以下液晶化合物組合中之一者(除非另有定義，否則n、m = 1、2、3、4、5或6)：
- CC-4-V1 + CCH-nm + CY-3-O2
- CC-4-V1 + CCH-nm + CY-3-O2 + CCY-3-O2
- CC-4-V1 + CCOY-n-O2，其中n = 2、3或4
- CC-4-V1 + CCOY-V-Om，其中m = 2或3
- CC-4-V1 + CCY-1V-O2
- CC-4-V1 + CCY-V-O1
- CC-4-V1 + CCY-V-O2
- CC-4-V1 + CCY-V-O4
- CC-4-V1 + CCY-V2-O2
- CC-4-V1 + PY-3-O2
- CC-4-V1 + COY-n-O2，其中n = 2或3
- CC-4-V1 + COY-1V-O2
- CC-4-V1 + COY-1V-O1
- CC-4-V1 + CPY-V-Om，其中m = 2或4
- CC-4-V1 + CY-V-Om，其中m = 2或4
- CC-4-V1 + PY-V2-O2
- CC-4-V1 + CC-3-V1
- CC-3-V2 + CCH-nm + CY-3-O2
- CC-3-V2 + CCH-nm + CY-3-O2 + CCY-3-O2
- CC-3-V2 + CCOY-n-O2，其中n = 2、3或4
- CC-3-V2 + CCOY-V-Om，其中m = 2或3
- CC-3-V2 + CCY-1V-O2
- CC-3-V2 + CCY-V-O1
- CC-3-V2 + CCY-V-O2
- CC-3-V2 + CCY-V-O4
- CC-3-V2 + CCY-V2-O2
- CC-3-V2 + PY-3-O2
- CC-3-V2 + COY-n-O2，其中n = 2或3
- CC-3-V2 + COY-1V-O2
- CC-3-V2 + COY-1V-O1
- CC-3-V2 + CPY-V-Om，其中m = 2或4
- CC-3-V2 + CY-V-Om，其中m = 2或4
- CC-3-V2 + PY-V2-O2
- CC-3-V2 + CC-3-V1。
本發明之介質較佳地包含一種以上式CC-n-Vm化合物，其中n = 2至6且m = 1至6。該等式CC-n-Vm化合物尤其包括式CC-4-V1、CC-3-V1及CC-3-V2之化合物。該等式CC-n-Vm化合物在本發明混合物中之總濃度較佳為5重量%至45重量%、尤其為15%至35%。
在較佳實施例中，本發明之介質除一或多種式IA至IH之化合物以外亦包含至少一種選自以下各式化合物之群之化合物：T-20、T-21、IIA-26、IIA-28、IIIA-33、IIA-39、IIA-50、IIA-51、IIB-16、BF-1、BF-2、V-10、O-6a、L-4及CC-3-V。
此外，本發明係關於具有基於dem ECB、VA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、SA-VA、UB-FFS、FFS或PS-FFS效應之主動矩陣定址之光電顯示器，其特徵在於其含有技術方案1至16中一或多項之液晶介質作為電介質。
本發明之液晶介質較佳具有£ -20℃至³ 70℃、尤佳地£ -30℃至³ 80℃、極尤佳地£ -40℃至³ 90℃之向列相。
本文中表述「具有向列相」意指，一方面在相應溫度之低溫下觀察不到層列相及結晶且另一方面在加熱時向列相仍不出現澄清。在相應溫度下在流量式黏度計中實施低溫研究並藉由在具有對應於光電用途之層厚度的測試單元中儲存至少100小時來檢查。若在相應測試單元中在-20℃溫度下之儲存穩定性為1000 h或更長時間，則該介質稱為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別為500 h及250 h。在高溫下，在毛細管中藉由習用方法量測澄清點。
液晶混合物較佳具有至少60 K之向列相範圍且在20℃下具有至多30 mm2 × s-1 之流動黏度n20 。
在液晶混合物中雙折射值Dn通常介於0.07與0.16之間、較佳地介於0.08與0.13之間。
本發明之液晶混合物之Δε為-0.5至-8.0、尤其為-2.5至-6.0，其中Δε表示介電各向異性 在20℃下之旋轉黏度γ1 較佳地£ 150 mPa×s、尤其£ 120 mPa×s。
本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓值(V0 )。其較佳在1.7 V至3.0 V範圍內、尤佳£2.5 V且極尤佳£2.3 V。
除非另有明確指示，否則對於本發明而言，術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V0 )，亦稱為弗裡德裡克茲(Freedericks)臨限值。
另外，本發明之液晶介質在液晶單元內具有高電壓保持率值。
一般而言，具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現低於具有較高定址電壓或臨限電壓之彼等之電壓保持率且反之亦然。
對於本發明，術語「介電正性化合物」表示Δε ＞ 1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5 ≤ Δε £ 1.5之彼等且術語「介電負性化合物」表示Δε ＜ -1.5之彼等。本文中化合物之介電各向異性係藉由以下方式來測定：將10%之化合物溶解於液晶主體中，且在至少一個在每一情形下具有20 μm之層厚度以及1 kHz下之垂面及均勻表面配向之測試單元中測定所得混合物之電容。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但總低於所研究各別液晶混合物之電容臨限值。
針對本發明所指示之所有溫度值均係以℃表示。
本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，例如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物持續型VA)及PS-VA (聚合物穩定型VA)、SA-VA (表面配向VA)、SS-VA (表面穩定型VA)。此外，其亦適用於具有負Δε之IPS(平面內切換型)及FFS(邊緣場切換型)應用。
本發明之顯示器中之向列型液晶混合物通常包含兩種組分A及B，該等組分自身由一或多種個別化合物組成。
組分A具有顯著的負介電各向異性且給出介電各向異性£ -0.5之向列相。除一或多種式IA至IH之化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC之化合物、此外一或多種式O-17化合物。
組分A之比例較佳介於45%與100%之間，尤其介於60%與100%之間。
對組分A而言，較佳選擇一種(或多種) Δε值≤ -0.8之個別化合物。必須係此值愈負，A在整體混合物中之比例愈小。
組分B具有顯著之向列性及在20℃下不大於30 mm2 ×s-1 、較佳地不大於25 mm2 × s-1 之流動黏度。
熟習此項技術者可自文獻獲知多種適宜材料。尤佳者係式O-17化合物。
組分B中尤佳之個別化合物係在20℃下具有不大於18 mm2 ×s-1 、較佳地不大於12 mm2 ×s-1 之流動黏度之極低黏度向列型液晶。
組分B具有單變性或雙變性向列型、不具有層列相並能防止在降至極低溫度時在液晶混合物中出現層列相。舉例而言，若將各種高向列態材料添加至層列型液晶混合物中，則該等材料之向列態可經由對所達成之層列相之阻抑程度來進行比較。
混合物視情況亦可包含組分C，其包含具有Δε ³ 1.5之介電各向異性之化合物。基於整體混合物，該等所謂的正性化合物通常以£ 20重量%之量存在於負介電各向異性混合物中。
若本發明之混合物包含一或多種具有Δε ³ 1.5之介電各向異性之化合物，則該等化合物較佳係一或多種選自式P-1至P-5化合物之群之化合物，


其中
R 表示各自分別具有1或2個至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烯基，或具有3、4或5個C原子之環烷基環，且
X 表示F、Cl、CF3 、OCF3 、OCHFCF3 或CCF2 CHFCF3 ，較佳表示F或OCF3 。
式P-1至P-5之化合物較佳以1%至15%、尤其2%至10%之濃度用於本發明之混合物中。
尤佳者係下式化合物：

其較佳以2%至15%之量用於本發明之混合物中。
另外，該等液晶相亦可包含多於18種組分、較佳地18至25種組分。
除一或多種式IA至IH之化合物以外，該等相較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤佳＜ 10種式IIA、IIB及/或IIC之化合物及視情況一或多種式O-17化合物。
除式IA至IH之化合物及式IIA、IIB及/或IIC之化合物及視情況式O-17化合物以外，其他成分亦可以(例如)整體混合物之至多45%、但較佳至多35%、尤其至多10%之量存在。
其他成分較佳選自向列型或向列性物質，尤其來自以下類別之已知物質：氧偶氮苯、亞苄基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯基或環己基酯、環己烷甲酸苯基或環己基酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基或環己基二噁烷，視情況鹵代二苯乙烯、苄基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。
適宜作為此類型液晶相成分之最重要化合物可由式IV來表徵
R20 -L-G-E-R21 IV
其中L及E各自表示來自由以下形成之群之碳環或雜環系統：1,4-二取代苯及環己烷環、4,4’-二取代聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-二取代萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉，
G表示 -CH=CH- -N(O)=N-
-CH=CQ- -CH=N(O)-
-CºC- -CH2 -CH2 -
-CO-O- -CH2 -O-
-CO-S- -CH2 -S-
-CH=N- -COO-Phe-COO-
-CF2 O- -CF=CF-
-OCF2 - -OCH2 -
-(CH2 )4 - -(CH2 )3 O-
或C-C單鍵，Q表示鹵素(較佳氯)或-CN，且R20 及R21 各自表示具有最多18個、較佳最多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或該等基團中之一者另一選擇為表示CN、NC、NO2 、NCS、CF3 、SF5 、OCF3 、F、Cl或Br。
在大部分該等化合物中，R20 及R21 彼此不同且該等基團中之一者通常係烷基或烷氧基。所提供取代基之其他變化形式亦很常見。許多該等物質亦或其混合物可自市面購得。所有該等物質均可藉由文獻已知之方法來製備。
對於熟習此項技術者不言而喻的是，本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含其中(例如) H、N、O、Cl及F已經相應同位素替代之化合物。
此外，可以基於混合物較佳0.01重量%至5重量%、尤佳0.2重量%至2重量%之濃度向本發明之混合物添加可聚合化合物(所謂的反應性液晶原(RM)，例如如U.S. 6,861,107中所揭示)。該等混合物亦可視情況包含起始劑，如(例如) U.S. 6,781,665中所闡述。起始劑(例如來自BASF之Irganox-1076)較佳係以0%至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂的聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物持續型VA)中，其中意欲在液晶混合物中進行該等反應性液晶原之聚合。前提係液晶混合物自身不包含任何可聚合組分。
在本發明之較佳實施例中，可聚合化合物係選自式M化合物，
RMa -AM1 -(ZM1 -AM2 )m1 -RMb M
其中個別基團具有以下含義：
RMa 及RMb 各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF5 、NO2 、烷基、烯基或炔基，其中該等基團RMa 及RMb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-，
P 表示可聚合基團，
Sp 表示間隔基團或單鍵，
AM1 及AM2 各自彼此獨立地表示較佳具有4至25個環原子、較佳C原子之芳香族、雜芳香族、脂環族或雜環基團，其亦包括或可含有稠合環，且其可視情況經L單取代或多取代，
L 表示P、P-Sp-、OH、CH2 OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx )2 、-C(=O)Y1 、-C(=O)Rx 、-N(Rx )2 、視情況經取代之矽基、具有6至20個C原子之視情況經取代之芳基或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中另外一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-替代，較佳表示P、P-Sp-、H、OH、CH2 OH、鹵素、SF5 、NO2 、烷基、烯基或炔基，
Y1 表示鹵素，
ZM1 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-SCH2 -、-CH2 S-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CF2 S-、-SCF2 -、 -(CH2 )n1 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-(CF2 )n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CºC-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR0 R00 或單鍵，
R0 及R00 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，
Rx 表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中另外一或多個非毗鄰CH2 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、 -S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-替代；具有6至40個C原子之視情況經取代之芳基或芳基氧基；或具有2至40個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳基氧基，
m1 表示0、1、2、3或4且
n1 表示1、2、3或4，
其中所存在基團RMa 、RMb 及取代基L中之至少一者、較佳一者、兩者或三者、尤佳一者或兩者表示基團P或P-Sp-或含有至少一個基團P或P-Sp-。
尤佳之式M化合物係以下彼等，其中
RMa 及RMb 各自彼此獨立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF5 或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基，其中另外一或多個非毗鄰CH2 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經 -C(R0 )=C(R00 )-、-CºC-、-N(R00 )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-替代，其中基團RMa 及RMb 中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-，
AM1 及AM2 各自彼此獨立地表示1,4-伸苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、茀-2,7-二基、香豆素、黃酮(其中另外該等基團中之一或多個CH基團可經N替代)、環己烷-1,4-二基(另外，其中一或多個不相鄰CH2 基團可經O及/或S替代)、1,4-伸環己烯基、二環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、六氫吡啶-1,4-二基、十氫化萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基、二氫茚-2,5-二基或八氫-4,7-亞甲基二氫茚-2,5-二基，其中所有該等基團均可未經取代或經L單取代或多取代，
L 表示P、P-Sp-、OH、CH2 OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx )2 、-C(=O)Y1 、-C(=O)Rx 、 -N(Rx )2 、視情況經取代之矽基、具有6至20個C之原子之視情況經取代之芳基，或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中另外一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-替代，
P 表示可聚合基團，
Y1 表示鹵素，
Rx 表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中另外一或多個非毗鄰CH2 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式經-O-、 -S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-替代；具有6至40個C原子之視情況經取代之芳基或芳基氧基；或具有2至40個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳基氧基。
極佳者係式M化合物，其中RMa 及RMb 中之一者或二者表示P或P-Sp-。
根據本發明可用於液晶介質及PS-VA顯示器或PSA顯示器之適宜且較佳之RM或單體或共單體係選自(例如)以下各式：







其中個別基團具有以下含義：
P1 、P2 及P3 各自相同或不同地表示可聚合基團，其較佳具有上文及下文針對P所指示含義中之一者，尤佳表示丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧雜環丁烷、乙烯氧基或環氧基團，
Sp1 、Sp2 及Sp3 各自彼此獨立地表示單鍵或間隔基團，其較佳地具有上文及下文針對Spa 所指示含義中之一者，且尤佳表示-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -CO-O-或-(CH2 )p1 -O-CO-O-，其中p1係1至12之整數，且其中在最後提及之基團中係經由O原子連接至毗鄰環，
其中，基團P1 -Sp1 -、P2 -Sp2 -及P3 -Sp3 -中之一或多者亦可表示Raa ，條件係所存在基團P1 -Sp1 -、P2 -Sp2 -及P3 -Sp3 -中之至少一者不表示Raa ，
Raa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或具支鏈烷基，其中另外一或多個非毗鄰CH2 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經C(R0 )=C(R00 )-、-CºC-、-N(R0 )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-替代，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、CN或P1 -Sp1 -替代，尤佳表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰基氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且具支鏈基團具有至少三個C原子)，
R0 、R00 各自彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基，
Ry 及Rz 各自彼此獨立地表示H、F、CH3 或CF3 ，
X1 、X2 及X3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵，
Z1 表示-O-、-CO-、-C(Ry Rz )-或-CF2 CF2 -，
Z2 及Z3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -或-(CH2 )n -，其中n係2、3或4，
L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5 或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈、視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，較佳表示F或CH3 ，
L'及L'' 各自彼此獨立地表示H、CH3 、F或Cl，
r 表示0、1、2、3或4，
s 表示0、1、2或3，
t 表示0、1或2，
x 表示0或1。
在式M1至M36之化合物中，
較佳表示 或，
其中L在每次出現時相同或不同地具有上文含義中之一者，且較佳表示F、Cl、CN、NO2 、CH3 、C2 H5 、C(CH3 )3 、CH(CH3 )2 、CH2 CH(CH3 )C2 H5 、OCH3 、OC2 H5 、COCH3 、COC2 H5 、COOCH3 、COOC2 H5 、CF3 、OCF3 、OCHF2 、OC2 F5 或P-Sp-，尤佳表示F、Cl、CN、CH3 、C2 H5 、OCH3 、COCH3 、OCF3 或P-Sp-，極尤佳表示F、Cl、CH3 、OCH3 、COCH3 或OCF3 ，尤其表示F或CH3 。
適宜可聚合化合物列示於(例如)表D中。
本申請案之液晶介質較佳包含總計0.1%至10%、較佳0.2%至4.0%、尤佳0.2%至2.0%之可聚合化合物。
尤佳者係式M及式RM-1至RM-102之可聚合化合物。
此外，本發明之混合物可包含習用添加劑，例如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微粒等。
本發明之液晶顯示器之結構符合如(例如) EP-A 0 240 379中所闡述之普通幾何形狀。
以下實例意欲解釋本發明而非對其加以限制。在上文及下文中，百分比數據表示重量百分比；所有溫度均係以攝氏度(degrees Celsius)表示。
在整個專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環繪示如下：
或；或。
伸環己基環係反式-1,4-伸環己基環。
在整個專利申請案及工作實例中，液晶化合物之結構係藉助縮寫字來指示。除非另有指示，否則根據表1至表3實施至化學式之轉變。所有基團Cn H2n+1 、Cm H2m+1 及Cm' H2m'+1 或Cn H2n 及Cm H2m 均分別為直鏈烷基或伸烷基，在每一情形下分別具有n個、m個、m'個或z個C原子。n、m、m'及z各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳表示1、2、3、4、5或6。在表1中編碼各別化合物之環要素，在表2中列示橋接成員，且在表3中指示化合物之左手側或右手側鏈之符號之含義。
表 1 ：環要素


表 2 ：橋接成員
表 3 ：側鏈
除一或多種式IA至IH之化合物以外，本發明之混合物較佳包含一或多種化合物來自下文所提及表A之化合物。
表 A
使用以下縮寫：
(n、m、m’、z：各自彼此獨立地為1、2、3、4、5或6；
(O)Cm H2m+1 意指OCm H2m+1 或Cm H2m+1 )



















可根據本發明使用之液晶混合物係以本身習知之方式來製備。一般而言，將所需量之以較少量使用的組分溶解於構成主要成分之組分中，該溶解在升高溫度下實施較為有利。亦可在有機溶劑中混合該等組分之溶液，例如在丙酮、氯仿或甲醇中，且在充分混合後再藉由(例如)蒸餾來去除溶劑。
藉助適宜添加劑，本發明之液晶相可經改質以使其可用於迄今為止已揭示之任何類型的(例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA) LCD顯示器。
該等電介質亦可包含熟習此項技術者已知且闡述於文獻中之其他添加劑，例如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0%至15%之多色性染料、穩定劑(例如酚、HALS (位阻胺光穩定劑(h indereda minel ights tabiliser) )，例如Tinuvin 770 (=癸二酸雙(2,2,6,6-四甲基-4-六氫吡啶基)酯))或手性摻雜劑。本發明混合物之適宜穩定劑尤其係表B中所列示之彼等。
舉例而言，可添加0%至15%之多色染料，此外添加其他導電鹽(較佳地，乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸銨、四丁基四苯基酸銨或冠醚之複鹽(參見例如Haller等人，Mol. Cryst. Liq. Cryst.，第24卷，第249頁至第258頁(1973)))以改良電導性，或可添加物質以改變介電各向異性、黏度及/或向列相之配向。此類型之物質闡述於(例如) DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。
表 B
表B顯示可添加至本發明之混合物中之可能摻雜劑。若該等混合物包含摻雜劑，則其以0.01重量%至4重量%、較佳0.01重量%至3重量%之量添加。

表 C
下文顯示可以(例如) 0重量%至10重量%、較佳0.001重量%至5重量%、尤其0.001重量%至1重量%之量添加至本發明之混合物之穩定劑。






表 D
表D顯示可在本發明之LC介質中較佳用作反應性液晶原化合物之實例化合物。若本發明之混合物包含一或多種反應性化合物，則其較佳以0.01重量%至5重量%之量採用。可能亦需要添加起始劑或兩種或更多種起始劑之混合物用於聚合。起始劑或起始劑混合物較佳以基於混合物0.001重量%至2重量%之量添加。適宜起始劑係(例如) Irgacure (BASF)或Irganox (BASF)。














在較佳實施例中，本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，較佳選自式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此類型之介質尤其適用於PS-VA、PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中所示之反應性液晶原中，化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-11、RM-15、RM-17、RM-35、RM-41、RM-44、RM-64、RM-83、RM-95、RM-98及RM-100尤佳。
若介質包含一種以上液晶原化合物，則其較佳採用兩種液晶原化合物。以下液晶原化合物較佳地一起採用：

。
工作實例 ：
以下實例意欲解釋本發明而非對其加以限制。在實例中，m.p.表示熔點，且C表示液晶物質之澄清點(以攝氏度計)；沸騰溫度由b.p.表示。此外：
C表示結晶固態，穩定示層列相(指數表示相類型)，N表示向列態，Ch表示膽固醇相，I表示各向同性相，Tg 表示玻璃轉變溫度。兩個符號之間的數字指示轉化溫度(以攝氏度計)。
用於測定式IA至IH化合物之光學各向異性Dn之主體混合物係市售混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。介電各向異性Δε係使用市售混合物ZLI-2857來測定。擬研究化合物之物理數據係自添加擬研究化合物後主體混合物介電常數之變化且外推至採用100%該化合物獲得。一般而言，將10%之擬研究化合物溶解於主體混合物中，此端視溶解度而定。
除非另有說明，否則份數或百分比數據表示重量份數或重量百分比。
在上文及下文中：
Vo 表示在20℃下之電容性臨限電壓[V]，
ne 表示20℃及589 nm下之非尋常折射率，
no 表示20℃及589 nm下之尋常折射率，
Dn 表示20℃及589 nm下之光學各向異性，
e^ 表示在20℃及1 kHz下垂直於指向矢之介電容率，
e÷÷ 表示在20℃及1 kHz下平行於指向矢之介電容率，
Δε 表示在20℃及1 kHz下之介電各向異性，
cl.p., T(N,I) 表示澄清點[℃]，
γ1 表示在20℃下量測之旋轉黏度[mPa×s]，其係在磁場中藉由旋轉方法測定，
K1 表示20℃下之彈性常數「展曲」形變[pN]，
K2 表示20℃下之彈性常數「扭轉」形變[pN]，
K3 表示20℃下之彈性常數「彎曲」形變[pN]，
LTS 表示低溫穩定性(向列相)，其係在塊體樣品中測定。
除非另外明確註明，否則本申請案中針對溫度所指示之所有值(例如，熔點T(C,N)、自層列(S)相至向列(N)相之轉變T(S,N)及澄清點T(N,I))均係以攝氏度(℃)指示。M.p.表示溶點，cl.p. =澄清點。此外，Tg = 玻璃態，C =結晶態，N =向列相，S =層列相且I=各向同性相。該等符號之間的數字代表轉變溫度。
除非另外明確指示，否則對於本發明而言，術語「臨限電壓」係指電容性臨限值(V0 )，亦稱為弗裡德裡克茲臨限值(Freedericksz threshold)。在實例中，按通常習慣，亦可指示對應於10%相對反差比之光學臨限值(V10 )。
用於量測電容性臨限值電壓之顯示器係由兩個間隔為20 µm之平面平行玻璃外板組成，其各自在內部具有電極層且在頂部具有未經摩擦之聚醯亞胺配向層，其引起液晶分子之垂面邊緣配向。
用於量測傾斜角之顯示器或測試單元由兩個間隔為4 µm之平面平行玻璃外板組成，其各自在內部具有電極層且在頂部具有聚醯亞胺配向層，其中該兩個聚醯亞胺層彼此反平行地摩擦且引起液晶分子之垂面邊緣配向。
可聚合性化合物係在顯示器或測試單元中藉由用具有界定強度之UVA光(通常為365 nm)輻照預定時間來聚合，其中同時向顯示器施加電壓(通常為10 V至30 V交流電，1 kHz)。在實例中，除非另有指示，否則使用50 mW/cm2 汞蒸氣燈，且使用裝配有365 nm帶通濾波器之標準UV計(型號Ushio UNI計)量測強度。
藉由旋轉晶體實驗(Autronic-Melchers TBA-105)測定傾斜角。在此低值(即，偏離90°角較大)對應於大傾斜。
如下量測VHR值：將0.3%可聚合單體化合物添加至LC主體混合物，且將所得混合物引入至TN-VHR測試單元中(以90°摩擦，TN聚醯亞胺配向層，層厚度d » 6 µm)。於1 V、60 Hz、64 µs脈衝下UV曝光2 h (日照測試)之前及之後5 min於100℃下測定HR值(量測儀器：Autronic-Melchers VHRM-105)。
為研究低溫穩定性(亦稱為「LTS」)，即LC混合物在低溫下自個別組分自發結晶出之穩定性，將含有1 g LC/RM混合物之瓶儲存在-10℃下，並定期檢查混合物是否已結晶出。
所謂的「HTP」表示LC介質中光學活性或手性物質之螺旋扭轉力(以µm計)。除非另有指示，否則在20℃之溫度下量測市售向列型LC主體混合物MLD-6260 (Merck KGaA)之HTP。
除非另外明確註明，否則本申請案中之所有濃度均係以重量百分比指示且係關於相應整體混合物，其包含所有固體或液晶組分而無溶劑。除非另外明確指示，否則所有物理性質均係根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, Merck KGaA, Germany測定且適用於20℃之溫度。
以下具有負介電各向異性之混合物實例尤其適用於具有至少一個平面配向層之液晶顯示器，例如IPS及FFS顯示器、尤其UB-FFS (=超量FFS)，且適用於VA顯示器。
混合物實例
實例 M1
實例 M2
實例 M3
實例 M4
實例 M5
實例 M6
實例 M7
實例 M8
實例 M9
實例 M10
實例 M11
實例 M12
實例 M13
實例 M14
實例 M15
實例 M16


實例 M17
實例 M18
實例 M19
實例 M20


實例 M21
實例 M22
實例 M23
實例 M24
實例 M25
實例 M26
實例 M27
實例 M28
實例 M29
實例 M30
實例 M31
實例 M32
實例 M33
實例 M34
實例 M35
實例 M36
實例 M37
實例 M38
實例 M39
實例 M40


實例 M41
實例 M42
實例 M43
實例 M44
實例 M45
實例 M46
實例 M47
實例 M48
實例 M49
實例 M50
實例 M51
實例 M52
實例 M53
實例 M54
實例 M55
實例 M56
實例 M57
實例 M58
實例 M59
實例 M60
實例 M61
實例 M62
實例 M63
實例 M64
實例 M65
實例 M66
實例 M67
實例 M68
實例 M69
實例 M70
實例 M71


實例 M72
實例 M73
實例 M74
實例 M75


實例 M76
實例 M77
實例 M78
實例 M79
實例 M80
實例 M81
實例 M82
實例 M83


實例 M84
實例 M85
實例 M86
實例 M87
實例 M88
實例 M89
實例 M90
實例 M91
實例 M92
實例 M93
實例 M94
實例 M95
實例 M96
實例 M97
實例 M98
實例 M99
實例 M100
實例 M101
實例 M102
實例 M103
實例 M104
實例 M105
實例 M106
實例 M107
實例 M108
實例 M109
實例 M110
實例 M111
實例 M112
實例 M113
實例 M114
實例 M115
實例 M116
實例 M117
實例 M118
實例 M119
實例 M120
實例 M121
實例 M122
實例 M123
實例 M124
實例 M125
實例 M126
實例 M127
實例 M128
實例 M129
實例 M130
實例 M131
實例 M132
實例 M133
實例 M134
實例 M135
實例 M136
實例 M137
實例 M138
實例 M139
實例 M140
實例 M141
實例 M142
實例 M143
實例 M144
實例 M145
實例 M146
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M145之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M147
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M1之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M148
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M2之混合物與0.2%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M149
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M5之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M150
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M11之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M151
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M17之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M152
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M18之混合物與0.2%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M153
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M19之混合物與0.2%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M154
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M20之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M155
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M21之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M156
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M21之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M157
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M22之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M158
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M22之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M159
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M22之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M160
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M23之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M161
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M25之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M162
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M30之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M163
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M31之混合物與0.2%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M164
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M32之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M165
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M36之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M166
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M37之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M167
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M37之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M168
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M40之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M169
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M41之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M170
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M44之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M171
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M44之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M172
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M173
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M174
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M175
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M176
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M177
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M52之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M178
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M55之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M179
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M58之混合物與0.2%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M180
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M89之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M181
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M90之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M182
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M91之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M183
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M92之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M184
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M92之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M185
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M95之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M186
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M96之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M187
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M97之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M188
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M98之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M189
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M99之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M190
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M99之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M191
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M100之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M192
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M100之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M193
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M101之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M194
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M102之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M195
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M103之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M196
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M104之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M197
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M105之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M198
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M105之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M199
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M106之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M200
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M107之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M201
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M108之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M202
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M109之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例M1-M202另外亦可包含選自表C之兩種穩定劑中之一者。
本發明之包含可聚合化合物(反應性液晶原)之PS-VA混合物展現更高之聚合速率、穩定傾斜角及極短之響應時間。
實例 M203
實例 M204
實例 M205
實例 M206
實例 M207
實例 M208
實例 M209
實例 M210
實例 M211
實例 M212
實例 M213
實例 M214
實例 M215
實例 M216
實例 M217
實例 M218
實例 M219
實例 M220
實例 M221
實例 M222
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M221之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M223
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M221之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M224
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M221之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M225
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M221之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M226
實例 M227
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M226之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M228
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M226之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M229
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M226之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M230
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M226之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M231
實例 M232
實例 M233
實例 M234
實例 M235
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M234之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M236
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M234之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M237
實例 M238
實例 M239
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M238之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M240
實例 M241
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M240之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M242
實例 243


實例 M244
實例 245
實例 M246
實例 M247
實例 M248
實例 M249


實例 M250

實例 M251


實例 M252
實例 M253


實例 M254
實例 M255
實例 M256
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M255之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M257
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M255之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M258
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M255之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M259
實例 M260
實例 M261
實例 M262
實例 M263
實例 M264
實例 M265
實例 M266
實例 M267
實例 M268
實例 M269
實例 M270
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M269之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M271
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M269之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M272
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M269之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M273
實例 M274
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M273之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M275
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M273之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M276
實例 M277
實例 M278
實例 M279
實例 M280
實例 M281
實例 M282
實例 M283
實例 M284
實例 M285
實例 M286
實例 M287
實例 M288
實例 M289
實例 M290
實例 M291
實例 M292
實例 M293
實例 M294
實例 M295
實例 M296
實例 M297
實例 M298
實例 M299
實例 M300
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M299之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M301
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M299之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M302
實例 M303

實例 M304
實例 M305
實例 M306
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M305之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M307
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M305之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M308
實例 M309
實例 M310
實例 M311
實例 M312
實例 M313
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M312之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M314
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M312之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M315
實例 M316
實例 M317
實例 M318
實例 M319
實例 M320
實例 M321
實例 M322
實例 M323
實例 M324
實例 M325
實例 M326
實例 M327
實例 M328
實例 M329
實例 M330
實例 M331
實例 M332
實例 M333
實例 M334
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M333之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M335
實例 M336
實例 M337
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M336之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M338
實例 M339
實例 M340
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M339之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M341
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M339之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M342
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M339之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M343
實例 M344
實例 M345
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M344之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M346
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M344之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M347
實例 M348
實例 M349
實例 M350
實例 M351
實例 M352
實例 M353
實例 M354
實例 M355
實例 M356
實例 M357
實例 M358
實例 M359
實例 M360
實例 M361
實例 M362
實例 M363
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M362之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M364
為製備SA-VA (自配向-VA)-混合物，將實例M362之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物
，
0.001%之Irganox 1076及
0.6%之下式化合物
。
實例 M365
實例 M366
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M365之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M367
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M365之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M368
實例 M369
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M368之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M370
實例 M371
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M370之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M372
實例 M373
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M372之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M374
實例 M375
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M372之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M376
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M362之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M377
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M242之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M378
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M361之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M379
實例 M380
利用0.04%之下式化合物使實例M379之混合物穩定
。
實例 M381
利用以下使實例M379之混合物穩定：0.04%之下式化合物

及
0.03%之下式化合物
。
實例 M382
實例 M383
利用以下使實例M379之混合物穩定：0.04%之下式化合物

及
0.03%之下式化合物
。
實例 M384
實例 M385
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M384之混合物與以下混合：0.25%之下式可聚合化合物

及0.01%之下式化合物
。
實例 M386
利用0.01%之下式化合物使實例M384之混合物穩定
。
實例 M387
實例 M388
實例 M389
實例 M390
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M389之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M391
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M389之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M392
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M389之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M393
實例 M394
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M393之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M395
實例 M396
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M395之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M397
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M395之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M398
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M395之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M399
實例 M400
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M399之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M401
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M399之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M402
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M399之混合物與0.25%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M403
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M399之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M404
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M399之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M405
實例 M406
實例 M407
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M406之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M408
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M406之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M409
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M406之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M410
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M406之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M411
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M406之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M412
實例 M413
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M412之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M414
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M412之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M415
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M412之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M416
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M412之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M417
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M412之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M418
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M231之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M419
對於SA-VA混合物之製備，將實例M418之混合物與0.4%之下式化合物混合：
。
實例 M420
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M232之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M421
實例 M422
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M421之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M423
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M237之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M424
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M237之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M425
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M233之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M426
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M240之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M427
實例 M428
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M427之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M429
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M427之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M430
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M427之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M431
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M427之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M432
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M427之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M433
實例 M434
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M433之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M435
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M433之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 436
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M421之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M437
實例 M438
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M437之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M439
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M437之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M440
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M437之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M441
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M437之混合物與0.35%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M442
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M437之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M443
將以下穩定劑添加至實例M437之混合物：
實例 M444
將以下穩定劑添加至實例M382之混合物：
實例 M445
將以下穩定劑添加至實例M382之混合物：
實例 M446
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M14之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M447
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M14之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及0.001%之Irganox 1076。
實例 M448
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M14之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M449
將以下穩定劑添加至實例M14之混合物：
實例 M450
實例 M451
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M450之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物
，
0.001% Irganox 1076及
實例 M452
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M451之混合物與0.6%之下式化合物混合：
。
實例 M453
實例 M454
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M453之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
實例 M455
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M454之混合物與0.6%之下式化合物混合：
。
實例 M456
實例 M457
將以下穩定劑添加至實例M456之混合物：
。
實例 M458
將以下穩定劑添加至實例M456之混合物：
。
實例 M459
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M456之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及
。
實例 M460


實例 M461
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將M460之混合物實例與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及
。
實例 M462
將以下穩定劑添加至實例M460之混合物：
。
實例 M463
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M389之混合物與以下混合：
0.3%之下式可聚合化合物
，
0.001% Irganox 1076及
0.6%之下式化合物
。
實例 M464
實例 M465
將以下穩定劑添加至實例M464之混合物：
。
實例 M466
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M389之混合物與以下混合：
0.3%之下式可聚合化合物
,
0.001% Irganox 1076及
0.6%之下式化合物
。
實例 M467
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M464之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：

及
實例 M468


實例 M469
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M468之混合物與以下混合：0.35%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
。
實例 M470
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M468之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
。
實例 M471
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M468之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
。
實例 M472


實例 M473
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M472之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

及
。
實例 M474
實例 M475
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M474之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
實例 M476


實例 M477
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M476之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
。
實例 M478
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M477之混合物與0.6%之下式化合物混合：
。
實例 M479
實例 M480
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M479之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
。
實例 M481
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M479之混合物與以下混合：0.3%之下式可聚合化合物

0.001% Irganox 1076及
實例 M482
對於SA-VA (自配向VA)混合物之製備，將實例M480之混合物與0.6%之下式化合物混合：
。
實例 M483
實例 M484
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M483之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M485
對於PS (聚合物穩定型)混合物之製備，例如對於PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器，將實例M483之混合物與0.3%之下式可聚合化合物混合：
。
實例 M486
實例 M487


實例 M488
實例 M489
實例 M490
實例 M491
實例 M492
實例 M493

Claims (22)

  1. 一種液晶介質，其特徵在於其包含至少一種選自式IA至IH化合物之群之化合物， 其中 Z1 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-(CH2 )4 -、-CHFCHF-、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-C≡C-、-CF=CF-、-CH=CHCHO-或-CH2 CF2 O-。
  2. 如請求項1之液晶介質，其中其包含至少一種以下各式之化合物： 。
  3. 如請求項1或2之液晶介質，其中該(等)式IA至IH之化合物在整體混合物中之比例為1重量%至50重量%。
  4. 如請求項1或2之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群之化合物， 其中 R2A 、R2B 及R2C 各自彼此獨立地表示H；具有最多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF3 單取代或至少經鹵素單取代，其中另外該等基團中之一或多個CH2 基團可以使得O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、、-CºC-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-替代；環丙基環；環丁基環；或環戊基環， L1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ， Z2 及Z2’ 各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-CF=CF-、-CºC-、-CH=CHCH2 O-， p 表示0、1或2， q 表示0或1，且 v 表示1至6。
  5. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III化合物， 其中 R31 及R32 各自彼此獨立地表示具有最多12個C原子之直鏈烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基氧基，且表示 或 Z3 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、 -OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、 -C4 H9 -、-CºC-或-CF=CF-。
  6. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物， 其中 R、R1 及R2 各自彼此獨立地具有請求項4中針對R2A 所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基，且 s 表示1或2。
  7. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式T-1至T-22之聯三苯， 其中 R 表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基， m 表示0、1、2、3、4、5或6，且 n 表示0、1、2、3或4。
  8. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至O-17之化合物， 其中 R1 及R2 各自彼此獨立地具有請求項4中針對R2A 所指示之含義。
  9. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及BS-2之化合物之群之化合物， 其中 RB1 、RB2 、RCR1 、RCR2 、R1 、R2 各自彼此獨立地具有請求項4中R2A 之含義，c表示0、1或2且d表示1或2。
  10. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種以下各式之化合物： 。
  11. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含5%至60%之下式化合物(縮寫字：CC-3-V)。
  12. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自式P-1至P-5之化合物之群之化合物， 其中 R 表示各自分別具有1或2個至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基或烯基，且 X 表示F、Cl、CF3 、OCF3 、OCHFCF3 或CCF2 CHFCF3 。
  13. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種選自以下各式化合物之群之化合物： 其中 該等式T-20及T-21之化合物中之R、n及m具有請求項7中所指示之含義， 該等式BF-1、BF-2、BS-1及BS-2中之R1 、R2 、c及d具有請求項9中所指示之含義， 該等化合物V-10及L-4中之R及R10 各自彼此獨立地具有請求項4中R2A 之含義， 烷基及烷基* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基， 烯基及烯基* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基， x 表示1至6。
  14. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含式CC-4-V1化合物及式CC-3-V1化合物： 及。
  15. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物。
  16. 如請求項1或2之液晶介質，其中該介質包含一或多種添加劑。
  17. 如請求項16之液晶介質，其中該添加劑係選自自由基清除劑、抗氧化劑、摻雜劑及/或UV穩定劑之群。
  18. 一種製備如請求項1至17中任一項之液晶介質之方法，其特徵在於將至少一種式IA至ID之化合物與至少一種其他液晶原化合物混合，且視情況添加一或多種添加劑及視情況至少一種可聚合化合物。
  19. 一種如請求項1至17中任一項之液晶介質之用途，其係用於光電顯示器中。
  20. 一種具有主動矩陣定址之光電顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至17中任一項之液晶介質作為電介質。
  21. 如請求項20之光電顯示器，其中其係VA、PSA、PA-VA、PS-VA、SA-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS、UB-FFS或PS-FFS顯示器。
  22. 如請求項21之光電顯示器，其中其係具有平面配向層之IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS顯示器。
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