TW201934209A - 清洗裝置、清洗方法及電腦記錄媒體 - Google Patents

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兒玉宗久
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

用來清洗被處理體之清洗裝置,具有:旋轉體,將前述被處理體的清洗面的徑向作為中心軸旋轉;以及複數之清洗器,設在前述旋轉體,並清洗前述清洗面;且前述複數之清洗器,在前述旋轉體的表面上沿軸向延伸,且沿該旋轉體的周向排列配置。

Description

清洗裝置、清洗方法及電腦記錄媒體
(關連申請的交叉引用)
本申請基於2018年1月9日於日本申請之日本特願2018-000981號,主張優先權,並將其內容援用於此。
本發明關於將被處理體加以清洗之清洗裝置、使用該清洗裝置之清洗方法及電腦記錄媒體。
近年來,半導體元件的製造程序之中,針對正面形成有複數之電路等元件而成之半導體晶圓(以下稱作晶圓),研磨該晶圓的背面,而進行薄化晶圓。
晶圓的背面之研磨,例如使用專利文獻1~3所記載之研磨裝置(加工裝置)而進行。研磨裝置,設有將晶圓的背面加以研磨之研磨機構,此外設有:清洗機構,清洗晶圓的正面、或搬運晶圓之搬運墊片中之晶圓之吸附面等。
例如專利文獻1,就將晶圓的正面加以清洗之機構而言,揭露有:清洗刷具機構,使刷具抵接在晶圓的正面而清洗該正面;以及刷具清洗液供給機構,於清洗刷具機構抵接在晶圓的正面之際,將清洗液供給至該正面。例如專利文獻2,就將晶圓的正面加以清洗之機構而言,亦揭露有:刷具清洗裝置,使刷具抵接在晶圓的正面而清洗該正面。
又,例如專利文獻3,就將搬運墊片的吸附面加以清洗之機構而言,揭露有 :清洗機構,具備抵接在吸附面而將該吸附面加以清洗之清洗刷具。
[先前技術文獻]
〔專利文獻〕
專利文獻1:日本特開2011-66198號公報
專利文獻2:日本特開2002-343756號公報
專利文獻3:日本特開2008-183659號公報
〔發明所欲解決之問題〕
上述專利文獻1~3所揭露之清洗機構,分別是清洗晶圓的正面或搬運墊片的吸附面中任一者,但研磨裝置中會有將此等兩者清洗之情形,此情形下須複數之清洗機構。又,亦會有利用複數之清洗機構而清洗晶圓的正面或搬運墊片的吸附面中任一者之情形。而且,如上所述,於研磨裝置設有複數之清洗機構之情形下,設置此等清洗機構之空間為必要,但以往的研磨裝置未考慮確保如此空間。因此,以往的研磨裝置有改善的餘地。
本發明鑒於上述情事而成,目的係於使用複數之清洗器而清洗被處理體之情形下,達成具備該複數之清洗器之清洗裝置之省空間化。
〔解決問題之方式〕
解決上述問題之本發明一態樣係將被處理體加以清洗之清洗裝置,具備:旋轉體,將前述被處理體的清洗面的徑向作為中心軸而旋轉;以及複數之清洗器,設在前述旋轉體,並清洗前述清洗面;且前述複數之清洗器,在前述旋轉體的表面上沿軸向延伸,並且沿該旋轉體的周向排列配置。
其它觀點之本發明一態樣係將被處理體加以清洗之清洗方法,使用具備下者之清洗裝置:旋轉體,將前述被處理體的清洗面的徑向作為中心軸而旋轉;以及複數之清洗器,在前述旋轉體的表面上沿軸向延伸,並且沿該旋轉體的周向排列配置;且該清洗方法,依前述被處理體而選擇前述複數之清洗器中之一清洗器,並使前述旋轉體旋轉而使前述一清洗器係與前述清洗面相向配置,使用該一清洗器來清洗前述清洗面。
依據別的觀點之本發明一態樣,則係一種可讀取之電腦記錄媒體,收納有:程式,其在將清洗裝置加以控制之控制部的電腦上動作,俾藉由前述清洗裝置而執行前述清洗方法。
〔發明之效果〕
依據本發明一態樣,則於使用複數之清洗器清洗被處理體之情況下,將複數之清洗器設置在一旋轉體,因此可實現具備該複數之清洗器之清洗裝置之省空間化。
〔實施發明之較佳形態〕
以下,參照圖式說明本發明的實施形態。此外,本說明書及圖式之中,針對實質上具有同一功能構成之元素標註同一符號而省略重複說明。
<基板處理系統>
首先,說明本實施形態之基板處理系統的構成。圖1係將基板處理系統1的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。此外,以下為了使位置關係明確,而規定相互正交之X軸方向、Y軸方向、及Z軸方向,並將Z軸正向定為垂直往上方向。
本實施形態的基板處理系統1將圖2所示之作為基板的晶圓W進行薄化。晶圓W例如係矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體晶圓。晶圓W的正面W1形成有元件(未圖示),再者,該正面W1貼附有用以保護元件之保護材例如保護條帶P。而且,針對晶圓W的背面W2而進行研磨等預定處理,使該晶圓薄化。
基板處理系統1具有將下者加以連接之構成:搬入站2,將處理前的晶圓W收納在匣盒C內,並以匣盒單位而將複數之晶圓W自外部搬入至基板處理系統1;搬出站3,將處理後的晶圓W收納在匣盒C內,並以匣盒單位而將複數之晶圓W自基板處理系統1搬出至外部;加工裝置4,針對晶圓W進行加工處理而薄化;後處理裝置5,進行加工處理後的晶圓W之後處理;以及搬運站6,在搬入站2、加工裝置4及後處理裝置5之間搬運晶圓W。搬入站2、搬運站6、及加工裝置4在X軸負向側之中沿Y軸方向以此順序排列配置。搬出站3與後處理裝置5在X軸正方向側之中沿Y軸方向以此順序排列配置。
(搬入站)
搬入站2設有匣盒載置台10。圖示例之中,匣盒載置台10,沿X軸方向呈一列自由載置有複數個例如二個匣盒C。
(搬出站)
搬出站3亦具有與搬入站2同樣的構成。搬出站3設有匣盒載置台20,且匣盒載置台20例如沿X軸方向呈一列自由載置有二個匣盒C。此外,搬入站2與搬出站3亦可統合為一個搬入出站,此情形下,則搬入出站設有共通的匣盒載置台。
(加工裝置)
加工裝置4,針對晶圓W而進行研磨或清洗等加工處理。加工裝置4具有旋轉台30、搬運單元40、對齊單元50、第一清洗單元60、第二清洗單元70、粗略研磨單元80、中等研磨單元90、及修飾研磨單元100。
旋轉台30構成為藉由旋轉機構(未圖示)而自由旋轉。旋轉台30上設有隔著保護條帶P而將晶圓W的正面W1加以吸附固持之四個夾盤31。夾盤31在與旋轉台30同心的同一圓周上均等配置,亦即每90度配置一個。四個夾盤31可藉由旋轉台30旋轉而移動至傳遞位置A0及加工位置A1~A3。
本實施形態之中,傳遞位置A0係旋轉台30的X軸正方向側且係Y軸負方向側之位置,該傳遞位置A0的Y軸負方向側排列配置有設在貯槽33的內部之第二清洗單元70、對齊單元50、及第一清洗單元60。對齊單元50與第一清洗單元60係自上方以此順序層疊配置。第一加工位置A1係旋轉台30的X軸正向側且係Y軸正向側之位置,並配置有粗略研磨單元80。第二加工位置A2係旋轉台30的X軸負向側且係Y軸正向側之位置,並配置有中等研磨單元90。第三加工位置A3係旋轉台30的X軸負向側且係Y軸負向側之位置,並配置有修飾研磨單元100。
夾盤31固持在夾盤基座32。夾盤31及夾盤基座32構成為可藉由旋轉機構(未圖示)而旋轉。
搬運單元40係具備複數支例如三支臂41~43之多關節型機械臂。三支臂41~43經由關節部(未圖示)而連接,第一臂41與第二臂42藉由此等關節部而分別構成為以基端部為中心自由旋動。三支臂41~43中,前端之第一臂41安裝有將晶圓W加以吸附固持之搬運墊片44。搬運墊片44具有圓形狀,並吸附固持晶圓W的背面W2,其中,該圓形狀具有俯視下比晶圓W的直徑更長的直徑。又,搬運墊片44構成為藉由第一臂41所設之旋轉部(未圖示)而自由旋轉。又,三支臂41~43中,基端之第三臂43安裝在使臂41~43沿垂直方向移動之垂直移動機構45。而且,具備該構成之搬運單元40可將晶圓W搬運至傳遞位置A0、對齊單元50、第一清洗單元60、及第二清洗單元70。此外,在本實施形態之中,第二清洗單元70構成本發明中之清洗裝置。
對齊單元50,調整研磨處理前之晶圓W的水平方向的朝向。例如一邊使旋轉夾盤(未圖示)所固持之晶圓W旋轉,並且一邊利用偵出部(未圖示)來偵出晶圓W的缺口部的位置,藉以調整該缺口部的位置而調節晶圓W的水平方向的朝向。
第一清洗單元60清洗研磨處理後之晶圓W的背面W2,更具體而言則為旋轉清洗。例如一邊使旋轉夾盤(未圖示)所固持之晶圓W旋轉,並且一邊自清洗液噴嘴(未圖示)而將清洗液供給至晶圓W的背面W2。如此一來,則所供給之清洗液擴散在背面W2上,清洗該背面W2。
第二清洗單元70中,係清洗將研磨處理後之晶圓W加以固持在搬運墊片44之狀態之晶圓W的正面W1,亦即清洗貼附在正面W1之保護條帶P,並且清洗搬運墊片44之晶圓W之固持面。此外,此第二清洗單元70的構成將後述。
粗略研磨單元80將晶圓W的背面W2進行粗略研磨。粗略研磨單元80具有:粗略研磨部81,具備環狀形狀且自由旋轉之粗略研磨砥石(未圖示)。又,粗略研磨部81構成為可沿著支柱82而在垂直方向及水平方向移動。而且,於將夾盤31所固持之晶圓W的背面W2抵接在粗略研磨砥石之狀態下,使夾盤31與粗略研磨砥石分別旋轉,藉以將晶圓W的背面W2進行粗略研磨。
中等研磨單元90將晶圓W的背面W2進行中等研磨。中等研磨單元90具有:中等研磨部91,具備環狀形狀且自由旋轉之中等研磨砥石(未圖示)。又,中等研磨部91構成為可沿支柱92而在垂直方向及水平方向移動。此外,中等研磨砥石的磨粒的粒度小於粗略研磨砥石的磨粒的粒度。而且,將夾盤31所固持之晶圓W的背面W2抵接在中等研磨砥石之狀態下,使夾盤31與中等研磨砥石分別旋轉,藉以將背面W2進行中等研磨。
修飾研磨單元100將晶圓W的背面W2進行修飾研磨。修飾研磨單元100具有:修飾研磨部101,具備環狀形狀且自由旋轉之修飾研磨砥石(未圖示)。又,修飾研磨部101構成為可沿支柱102而在垂直方向及水平方向移動。此外,修飾研磨砥石的磨粒的粒度小於中等研磨砥石的磨粒的粒度。而且,於將夾盤31所固持之晶圓W的背面W2抵接在修飾研磨砥石之狀態下,使夾盤31與修飾研磨砥石分別旋轉,藉以將背面W2進行修飾研磨。
(後處理裝置)
後處理裝置5針對已利用加工裝置4加工處理之晶圓W,進行後處理。就後處理而言,進行例如將晶圓W經由晶粒切割條帶而固持在晶粒切割框架之黏片處理、將貼附在晶圓W之保護條帶P加以剝離之剝離處理等。而且,後處理裝置5,進行後處理並將晶粒切割框架所固持之晶圓W搬運至搬出站3的匣盒C。於後處理裝置5進行之黏片處理或剝離處理分別使用公知的裝置。
(搬運站)
搬運站6設有晶圓搬運區域110。晶圓搬運區域110設有:晶圓搬運裝置112,自由移動在沿X軸方向延伸之搬運道111上。晶圓搬運裝置112具有搬運叉113與搬運墊片114來作為將晶圓W加以固持之晶圓固持部。搬運叉113,其前端分歧為二支,並吸附固持晶圓W。搬運叉113搬運研磨處理前之晶圓W。搬運墊片114具有圓形狀,並吸附固持晶圓W,其中,該圓形狀具有俯視下比晶圓W的直徑更長之直徑。搬運墊片114搬運研磨處理後之晶圓W。而且,此等搬運叉113與搬運墊片114分別構成為沿水平方向、垂直方向、繞水平軸及垂直軸而自由移動。
(控制部)
基板處理系統1設有控制部120。控制部120例如係電腦,且具有程式收納部(未圖示)。程式收納部收納有一種程式,其控制基板處理系統1中之晶圓W之處理。又,程式收納部亦收納有一種程式,其用以控制上述各種處理裝置或搬運裝置等之驅動系統動作,來實現基板處理系統1中之後述晶圓處理。此外,前述程式亦可係例如記錄在電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記錄媒體H,且自記錄媒體H安裝在控制部120。
<第一實施形態>
其次,說明上述加工裝置4的第二清洗單元70的構成。如圖3及圖4所示,第二清洗單元70具有處理容器200。處理容器200的側面形成有:搬入出口201,將搬運單元40的搬運墊片44、及固持在搬運墊片44之晶圓W加以搬入及搬出。又,搬入出口201設有開閉擋門(未圖示)。
此外,圖示例之中,處理容器200係殼體,但處理容器200的形狀不限定於此。例如亦可具有處理容器200的上表面開口並省略搬入出口201之形狀。又,亦可省略處理容器200本身。此情形下,後述清洗機構210、旋轉機構220、及清洗液槽230分別設在貯槽33的內部。
處理容器200的內部設有:清洗機構210,清洗晶圓W的正面W1(保護條帶P)與搬運墊片44之晶圓W之固持面44a;旋轉機構220,使清洗機構210旋轉;以及清洗液槽230,將晶圓W的正面W1之清洗液加以儲存。此外,本實施形態之中,晶圓W與搬運墊片44構成本發明的被處理體,正面W1與固持面44a構成本發明的清洗面。
如圖4所示,清洗機構210具有以下構成:在旋轉體211的表面安裝有複數個例如四個清洗器212~215。旋轉體211將係晶圓W的正面W1的徑向(X軸方向)且係搬運墊片44的固持面44a的徑向(X軸方向)作為中心軸旋轉。又,旋轉體211例如具有長方體形狀。
如圖3及圖4所示,清洗機構210(旋轉體211)安裝在旋轉機構220。旋轉機構220具有:軸柄221,連接至旋轉體211的軸向(X軸方向)的兩端部;驅動部222,設在軸柄221的一端,使旋轉體211旋轉;以及支持部223,設在軸柄221的另一端,支持旋轉體211。驅動部222例如可內建致動器(未圖示),並藉由軸柄221而使旋轉體211旋轉。
如圖5所示,四個清洗器212~215具有作為基板清洗器之海綿清洗器212、作為基板乾燥器之空氣清洗器213、作為墊片清洗器之石材清洗器214、及作為墊片清洗器之刷具清洗器215。此等清洗器212~215分別在旋轉體211的表面沿軸向(X軸方向)延伸。又,清洗器212~215設在旋轉體211的四個表面,亦即沿旋轉體211的周向排列配置。
海綿清洗器212清洗晶圓W的正面W1(保護條帶P)。海綿清洗器212例如具有延伸為比正面W1的直徑更長之海綿。海綿清洗器212由圖3及圖4所示之清洗液槽230而被供給清洗液例如純水。而且,海綿清洗器212,其海綿含有清洗液,且對於晶圓W的正面W1供給清洗液並且進行接觸,來清洗該正面W1。
清洗液槽230設在清洗機構210的下方。清洗液槽230連接有:供液部231,將清洗液供給至清洗液槽230的內部;以及排液部232,將清洗液槽230的內部的清洗液加以排出。而且,由供液部231供給清洗液,並且由排液部232排出清洗液,而使清洗液槽230的內部始終儲存有清洗液。此外,亦可自清洗液槽230的上表面使清洗液溢流,而始終排出清洗液槽230的內部的清洗液。
又,清洗液槽230構成為藉由昇降機構233而自由昇降。此外,清洗液槽230與旋轉體211(海綿清洗器212)只要相對性昇降即可,可構成為使旋轉體211自由昇降、或使清洗液槽230與旋轉體211兩者自由昇降。又,亦可固定清洗液槽230與旋轉體211各者。此情形下,可始終藉由清洗液槽230所儲存之清洗液,而一邊清洗設在旋轉體211之清洗器212~215並且一邊清洗晶圓W或搬運墊片44即被處理體。
此情形下,利用海綿清洗器212清洗晶圓W的正面W1之際,首先,於使海綿清洗器212位在旋轉體211的下表面之狀態下使清洗液槽230上昇,並使海綿清洗器212浸漬於清洗液。藉此,將清洗液供給至海綿清洗器212。此後,使旋轉體211旋轉,且於將含有清洗液之海綿清洗器212配置在旋轉體211的上表面之狀態下,使該海綿清洗器212抵接在晶圓W的正面W1。此狀態下,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉一邊將清洗液供給至正面W1,並且使海綿清洗器212抵接在正面W1,藉以清洗正面W1的整面。
空氣清洗器213使已利用海綿清洗器212清洗之晶圓W的正面W1乾燥。具體而言,如圖5所示,空氣清洗器213具有例如將空氣噴射至正面W1之噴嘴213a。而且,使旋轉體211旋轉,並將空氣清洗器213配置在旋轉體211的上表面。其後,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊自空氣清洗器213的噴嘴213a將空氣噴射至正面W1,藉以乾燥正面W1的整面。此外,圖示例之中,噴嘴213a具有圓形狀,但噴嘴213a的形狀不限定於此。例如噴嘴亦可具有沿空氣清洗器213的長邊方向(X軸方向)延伸之狹縫形狀。
石材清洗器214清洗搬運墊片44的固持面44a。石材清洗器214具有例如延伸為比固持面44a的直徑更長之砥石。而且,使旋轉體211旋轉,並將石材清洗器214配置在旋轉體211的上表面。其後,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊使石材清洗器214抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。
刷具清洗器215清洗搬運墊片44的固持面44a。刷具洗淨具215具有例如延伸為比固持面44a的直徑更長之刷具。而且,使旋轉體211旋轉,並將刷具清洗器215配置在旋轉體211的上表面。其後,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊將刷具清洗器215抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。
<晶圓處理>
其次,說明使用如上構成之基板處理系統1而進行之晶圓處理。
首先,將收納有複數之晶圓W之匣盒C載置在搬入站2的匣盒載置台10。在匣盒C內,將晶圓W收納成該保護條帶所貼附之晶圓W的正面朝往上側,用以抑制保護條帶變形。
其次,藉由晶圓搬運裝置112的搬運叉113而取出匣盒C內的晶圓W,並搬運至加工裝置4。此際,藉由搬運叉113而以使晶圓W背面朝往上側之方式,翻轉正面背面。
將搬運至加工裝置4之晶圓W傳遞至對齊單元50。而且,對齊單元50調節晶圓W的水平方向的朝向(圖6的步驟S1)。
其次,將晶圓W藉由搬運單元40,而自對齊單元50搬運至傳遞位置A0,並傳遞至該傳遞位置A0的夾盤31。夾盤31固持晶圓W的正面W1。其後,使夾盤31移動至第一加工位置A1。而且,藉由粗略研磨單元80而將晶圓W的背面W2加以粗略研磨(圖6的步驟S2)。
其次,使夾盤31移動至第二加工位置A2。而且,藉由中等研磨單元90而將晶圓W的背面W2加以中等研磨(圖6的步驟S3)。
其次,使夾盤31移動至第三加工位置A3。而且,藉由修飾研磨單元100而將晶圓W的背面W2加以修飾研磨(圖6的步驟S4)。
其次,使夾盤31移動至傳遞位置A0。在此,使用清洗液噴嘴(未圖示),而將晶圓W的背面W2藉由清洗液而進行粗略清洗(圖6的步驟S5)。此步驟S6進行將背面W2的髒汚清除至某種程度之清洗。
其次,將晶圓W藉由搬運單元40,而自傳遞位置A0搬運至第二清洗單元70。第二清洗單元之中,首先如圖7(a)所示,於使海綿清洗器212位在旋轉體211的下表面之狀態下使清洗液槽230上昇,而將海綿清洗器212浸漬於清洗液L。藉此,將清洗液L供給至海綿清洗器212。其後如圖7(b)所示,使旋轉體211旋轉,並於使含有清洗液L之海綿清洗器212配置在旋轉體211的上表面之狀態下,亦即將海綿清洗器212定為與晶圓W的正面W1相向配置之狀態下,使該海綿清洗器212抵接在正面W1。而且,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊將清洗液供給至正面W1,並使海綿清洗器212抵接在正面W1,藉以清洗正面W1(保護條帶P)的整面(圖6的步驟S6)。
其後,如圖7(c)所示,使旋轉體211旋轉,並將空氣清洗器213配置在旋轉體211的上表面,且一併藉由搬運墊片44使晶圓W上昇。而且,於使空氣清洗器213係與晶圓W的正面W1相向配置之狀態下,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊自空氣清洗器213將空氣噴射至正面W1,藉以乾燥正面W1的整面(圖6的步驟S7)。
此等步驟S6、S7之中,於晶圓W固持在搬運墊片44之前,使用第二清洗單元70的石材清洗器214與刷具清洗器215來清洗搬運墊片44(圖6的步驟T1)。具體而言,如圖8(a)所示,於將石材清洗器214配置在旋轉體211的上表面之狀態下,亦即使石材清洗器214係與搬運墊片44的固持面44a相向配置之狀態下,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊將石材清洗器214抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。又,如圖8(b)所示,於將刷具清洗器215配置在旋轉體211的上表面之狀態下,亦即使刷具清洗器215係與固持面44a相向配置之狀態下,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊使刷具清洗器215抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。
此外,搬運墊片44之清洗,可利用石材清洗器214與刷具清洗器215中任一者進行,或亦可利用兩者進行。又,搬運墊片44之清洗,係於步驟S6為止之任意時機進行。
其次,將晶圓W藉由搬運單元40而自第二清洗單元70搬運至第一清洗單元60。而且,第一清洗單元60使用清洗液噴嘴(未圖示),而藉由清洗液將晶圓W的背面W2進行修飾清洗(圖6的步驟S8)。此步驟S8之中,將背面W2清洗乾燥至期望清潔度。
其後,將晶圓W藉由晶圓搬運裝置112而自第一清洗單元60搬運至後處理裝置5。而且,後處理裝置5進行將晶圓W固持在晶粒切割框架之黏片處理、或將貼附在晶圓W之保護條帶P加以剝離之剝離處理等後處理(圖6的步驟S9)。
其後,將已施行全部處理之晶圓W搬運至搬出站3的匣盒載置台20的匣盒C。如上所述,結束基板處理系統1中之一連串的晶圓處理。
如以上實施形態,第二清洗單元70,於清洗晶圓W的正面W1與搬運墊片44的固持面44a之際,須複數之清洗器212~215。即使於此情形下,亦因為如本實施形態之清洗機構210,將複數之清洗器212~215安裝在旋轉體211的表面,所以可實現第二清洗單元70之省空間化。而且僅利用使旋轉體211旋轉即可選擇適當的清洗器212~215,並可適當清洗晶圓W的正面W1或搬運墊片44的固持面44a。
又,如本實施形態,在第二清洗單元70之中,將清洗機構210配置成自搬入出口201沿X軸方向延伸。在此,於例如將四個清洗器212~215在俯視之中並排配置之情形下,第二清洗單元70的佔據面積會變大,但依據本實施形態,則可縮小第二清洗單元70的佔據面積。此外,清洗機構210亦可沿Y軸方向延伸配置。
<第二實施形態>
以上實施形態之中,第二清洗單元70的構成不限定於上述。
以上實施形態之清洗機構210之中,旋轉體211具有長方體形狀,但旋轉體211的形狀不限定於此。例如旋轉體211亦可具有三角柱形狀,且旋轉體211的表面設有海綿清洗器212、石材清洗器214、及刷具清洗器215。此情形下,如圖9所示,將空氣清洗器213配置成在清洗機構210的搬入出口201側沿Y軸方向延伸。而且,於搬運墊片44所固持之晶圓W通過空氣清洗器213之際,自空氣清洗器213將空氣噴射至正面W1,乾燥該正面W1。
此外,空氣清洗器213亦可非沿Y軸方向延伸之形狀,例如係將空氣加以噴射之單一噴嘴。此情形下,空氣清洗器213的噴嘴宜藉由移動機構(未圖示)而沿Y軸方向自由移動。而且,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉、一邊自空氣清洗器213的噴嘴將空氣噴射至正面W1,乾燥該正面W1。
又,旋轉體211,其側面形狀亦可具有五角形以上之多角柱形狀。此情形下,旋轉體211的側面,除了四個清洗器212~215,亦可設有例如清洗晶圓W的背面W2之清洗器。
以上實施形態之清洗機構210之中,旋轉體211及清洗器212~215分別沿伸為長於搬運墊片44的固持面44a的直徑(晶圓W的正面W1的直徑),但清洗器212~215的軸向的長度不限定於此。如同上述,於步驟S6、S7之中,晶圓W的正面W1之清洗,係一邊使晶圓W旋轉一邊進行。因此,海綿清洗器212與空氣清洗器213若分別至少係正面W1的直徑的一半以上,則可清洗該正面W1的整面,並使其乾燥。同樣,步驟T1之中,搬運墊片44的固持面44a之清洗,亦係一邊使搬運墊片44旋轉一邊進行,因此石材清洗器214與刷具清洗器215若分別至少係固持面44a的直徑的一半以上則可清洗該固持面44a的整面。
以上實施形態之中,清洗晶圓W的正面W1與搬運墊片44的固持面44a之際,使搬運墊片44繞垂直軸旋轉,但搬運墊片44與清洗機構210只要相對地旋轉即可。例如可藉由旋轉機構(未圖示)而使清洗機構210繞垂直軸旋轉、或亦可使搬運墊片44與清洗機構210兩者繞垂直軸旋轉。
以上實施形態,自清洗液槽230而將清洗液供給至海綿清洗器212,但朝往海綿清洗器212之清洗液的供給方法不限定於此。例如,海綿清洗器212亦可內建清洗液噴嘴(未圖示),並自該清洗液噴嘴而將清洗液供給至海綿清洗器212的海綿。
又,以上實施形態之中,晶圓W的正面W1為了保護元件而貼附有保護條帶P,但元件的保護材不限定於此。例如晶圓W的正面W1亦可貼合有支持晶圓或玻璃基板等支持基板,此情形亦可使用本發明。
<第三實施形態>
此外,以上實施形態的清洗機構210之中,將清洗器212~215分別設在旋轉體211的側面,但清洗機構210的構成不限定於此。
如圖10所示,依據第三實施形態,則清洗機構210沿Y軸方向以此順序排列配置有、工件乾燥工具300、夾盤清洗工具301、及工件清洗工具302。
工件乾燥工具300設有:空氣清洗器213,將空氣噴射至晶圓W的正面W1,而乾燥該正面W1。又,工件乾燥工具300構成為藉由移動機構303而在第二清洗單元70的內部沿X軸方向自由移動。
夾盤清洗工具301設有旋轉體211,且該旋轉體211的表面至少設有石材清洗器214及刷具清洗器215。此外,石材清洗器214及刷具清洗器215,例如分別具有在X軸方向上延伸成長於固持面44a的直徑之砥石及刷具。
工件清洗工具302設有海綿清洗器212、海綿清洗噴嘴304、及海綿清洗輥305。又,海綿清洗器212係安裝至內建有致動器(未圖示)之旋轉機構(未圖示),且構成為藉由軸桿(未圖示)而自由旋轉。再者,工件清洗工具302,構成為藉由昇降機構(未圖示)而自由昇降,且被控制成於清洗晶圓W的正面W1之際突出至比夾盤清洗工具301的上端部更上方。此外,海綿清洗器212具有例如在X軸方向上延伸為比晶圓W的正面W1的直徑更長之海綿。
其次,說明使用第三實施形態之清洗機構210進行的、作為被處理體而言的晶圓W的正面W1及搬運墊片44的固持面44a之清洗方法。
於清洗晶圓W的正面W1之情形下,首先自海綿清洗噴嘴304將清洗液L(例如純水等)供給至海綿清洗器212。其後,如圖11(a)所示,於使海綿清洗器212及海綿清洗輥305旋轉之狀態下,使工件清洗工具302藉由昇降機構而上昇,並使含有清洗液L之海綿清洗器212抵接在晶圓W的正面W1。而且,一邊藉由搬運墊片44使晶圓W沿Y軸方向移動、一邊使海綿清洗器212抵接在正面W1,藉以清洗正面W1(保護條帶P)的整面。
此際,海綿清洗器212含有清洗液L,因此可適當去除晶圓W的正面W1的髒汚。又,將由海綿清洗器212所去除之髒污,藉由海綿清洗輥305而適當自海綿清洗器212去除。
此外,於清洗該正面W1之情形下,亦可將晶圓W藉由搬運墊片44旋轉。
其後,如圖11(b)所示,藉由搬運墊片44而使晶圓W移動至工件乾燥工具300的上方。而且,如圖11(c)所示,一邊於使空氣清洗器213係與晶圓W的正面W1相向配置之狀態下藉由搬運墊片44使晶圓W旋轉,並且一邊於自空氣清洗器213將空氣噴射至正面W1之狀態下使空氣清洗器213沿X軸方向移動,藉以乾燥正面W1(保護條帶P)的整面。
於清洗此等晶圓W的正面W1(保護條帶P)之情形下,將晶圓W固持在搬運墊片44之前,使用夾盤清洗工具301清洗搬運墊片44。具體而言,如圖12(a)所示,於將石材清洗器214配置在旋轉體211的上表面之狀態下,亦即於使石材清洗器214係與搬運墊片44的固持面44a相向配置之狀態下,一邊使搬運墊片44旋轉、一邊使石材清洗器214抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。又,如圖12(b)所示,於將刷具清洗器215配置在旋轉體211的上表面之狀態下,亦即於使刷具清洗器215係與固持面44a相向配置之狀態下,一邊使搬運墊片44旋轉、一邊使刷具清洗器215抵接在固持面44a,藉以清洗固持面44a的整面。
此外,於清洗搬運墊片44之情形下,亦可自搬運墊片44的固持面44a所連接之清洗液供給管線(未圖示)供給清洗液(例如純水等)。清洗液供給管線,例如在搬運墊片44的內部之中連接成可與晶圓W的吸附管線切換,且係於清洗搬運墊片44之際切換自吸附管線。如上所述,可藉由將清洗液供給至搬運墊片44,而適當去除搬運墊片44的固持面44a的髒污。
此外,搬運墊片44之清洗,可利用石材清洗器214與刷具清洗器215中之任一者進行、或亦可利用二者進行。又,搬運墊片44之清洗,係於晶圓W的正面W1之清洗為止的任意時機進行。
以上,已說明本發明的實施形態,但本發明不限定於前述例。本發明所屬領域之中具有通常知識者,顯然可想到申請專利範圍所記載之技術思想的範疇內各種變更例或修正例,此等亦當然屬於本發明的技術範圍。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入站
3‧‧‧搬出站
4‧‧‧加工裝置
5‧‧‧後處理裝置
6‧‧‧搬運站
10‧‧‧匣盒載置台
20‧‧‧匣盒載置台
30‧‧‧旋轉台
31‧‧‧夾盤
32‧‧‧夾盤基座
33‧‧‧貯槽
40‧‧‧搬運單元
40‧‧‧搬運單元
41‧‧‧第一臂
42‧‧‧第二臂
43‧‧‧第三臂
44‧‧‧搬運墊片
44a‧‧‧固持面
45‧‧‧垂直移動機構
50‧‧‧對齊單元
60‧‧‧第一清洗單元
70‧‧‧第二清洗單元
80‧‧‧粗略研磨單元
81‧‧‧粗略研磨部
82‧‧‧支柱
90‧‧‧中等研磨單元
91‧‧‧中等研磨部
92‧‧‧支柱
100‧‧‧修飾研磨單元
101‧‧‧修飾研磨部
102‧‧‧支柱
110‧‧‧晶圓搬運區域
111‧‧‧搬運道
112‧‧‧晶圓搬運裝置
113‧‧‧搬運叉
114‧‧‧搬運墊片
120‧‧‧控制部
200‧‧‧處理容器
201‧‧‧搬入出口
210‧‧‧清洗機構
211‧‧‧旋轉體
212‧‧‧海綿清洗器
213‧‧‧空氣清洗器
214‧‧‧石材清洗器
215‧‧‧刷具清洗器
220‧‧‧旋轉機構
221‧‧‧軸柄
222‧‧‧驅動部
223‧‧‧支持部
230‧‧‧清洗液槽
231‧‧‧供液部
232‧‧‧排液部
300‧‧‧工件乾燥工具
301‧‧‧夾盤清洗工具
302‧‧‧工件清洗工具
A0‧‧‧傳遞位置
A1~A3‧‧‧加工位置
C‧‧‧匣盒
L‧‧‧清洗液
P‧‧‧保護條帶
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧正面
W2‧‧‧背面
圖1係將具備第一實施形態之第二清洗單元之基板處理系統的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。
圖2係將晶圓的構成的概略加以顯示之側視圖。
圖3係將第二清洗單元的內部構成的概略加以顯示之俯視圖。
圖4係第二清洗單元的內部構成的概略加以顯示之側視圖。
圖5係清洗機構的構成的概略加以顯示之立體圖。
圖6係將晶圓處理的主要程序加以顯示之流程圖。
圖7(a)~(c)係將利用第二清洗單元來清洗晶圓的正面之樣子加以顯示之說明圖。
圖8(a)、(b)係將利用第二清洗單元來清洗搬運墊片的固持面之樣子加以顯示之說明圖。
圖9係將第二實施形態之第二清洗單元的內部構成的概略加以顯示之俯視圖。
圖10係將第三實施形態之第二清洗單元的內部構成的概略加以顯示之俯視圖。
圖11(a)~(c)係將利用第三實施形態之第二清洗單元來清洗晶圓的正面之樣子加以顯示之說明圖。
圖12(a)、(b)係將利用第三實施形態之第二清洗單元來清洗搬運墊片的固持面之樣子加以顯示之說明圖。

Claims (15)

  1. 一種被處理體之清洗裝置,用來清洗被處理體,包含: 旋轉體,以該被處理體的清洗面的徑向作為中心軸而旋轉;以及 複數之清洗器,設在該旋轉體,用來清洗該清洗面; 且該複數之清洗器,在該旋轉體的表面上沿軸向延伸,並且沿該旋轉體的周向排列配置。
  2. 如申請專利範圍第1項之被處理體之清洗裝置,其中, 該被處理體,包含正面設有保護材之基板, 該清洗面,係設於該基板的正面之該保護材, 該複數之清洗器,包含:基板清洗器,抵接於對該清洗面並對該清洗面供給清洗液,而清洗該清洗面。
  3. 如申請專利範圍第2項之被處理體之清洗裝置,其中, 該複數之清洗器,包含:基板乾燥器,將氣體供給至該清洗面而使該清洗面乾燥。
  4. 如申請專利範圍第2項之被處理體之清洗裝置,其中,更包含: 清洗液槽,儲存該清洗液,將該清洗液供給至該基板清洗器。
  5. 如申請專利範圍第1項之被處理體之清洗裝置,其中, 該被處理體,包含將正面設有保護材之基板加以固持而搬運之搬運墊片, 該清洗面,係該搬運墊片的該基板之固持面, 該複數之清洗器,包含抵接在該清洗面而清洗該清洗面之墊片清洗器。
  6. 如申請專利範圍第5項之被處理體之清洗裝置,其中, 該被處理體,包含正面設有保護材之基板, 該清洗面,包含於作為第二清洗面之該基板的正面所設置的該保護材, 該清洗裝置,具有: 基板清洗器,係與該旋轉體獨立設置,且於含有清洗液之狀態下抵接在該第二清洗面,而清洗該第二清洗面;以及 基板乾燥器,係與該旋轉體獨立設置,且將氣體供給至該第二清洗面,而使該第二清洗面乾燥。
  7. 如申請專利範圍第1項之被處理體之清洗裝置,其中, 該清洗器,係以至少為該清洗面的直徑之一半以上的長度而在該旋轉體的表面上沿軸向延伸。
  8. 如申請專利範圍第1項之被處理體之清洗裝置,其中, 該被處理體與該清洗器,以與該清洗面正交之方向作為中心軸而相對地旋轉。
  9. 一種被處理體之清洗方法,使用一清洗裝置以清洗被處理體,該清洗裝置具備:旋轉體,以該被處理體的清洗面的徑向作為中心軸而旋轉;以及複數之清洗器,在該旋轉體的表面上沿軸向延伸,並且沿該旋轉體的周向排列配置; 且該清洗方法,依該被處理體而選擇該複數之清洗器中之一清洗器,並使該旋轉體旋轉而使該一清洗器與該清洗面相向配置,使用該一清洗器來清洗該清洗面。
  10. 如申請專利範圍第9項之被處理體之清洗方法,其中, 該被處理體,包含正面設有保護材之基板, 該清洗面,係該基板的正面所設之該保護材, 且自該一清洗器將清洗液供給至該清洗面,並使該一清洗器抵接在該清洗面,來清洗該清洗面。
  11. 如申請專利範圍第10項之被處理體之清洗方法,其中, 自與該一清洗器不同之其它清洗器來將氣體供給至該清洗面,而使該清洗面乾燥。
  12. 如申請專利範圍第9項之被處理體之清洗方法,其中, 該被處理體,包含將正面設有保護材之基板加以固持而搬運之搬運墊片, 該清洗面,係該搬運墊片之該基板之固持面, 使該一清洗器抵接在該清洗面,而清洗該清洗面。
  13. 如申請專利範圍第12項之被處理體之清洗方法,其中, 該被處理體,包含正面設有保護材之基板, 該清洗面,包含在作為第二清洗面之該基板的正面所設置之該保護材, 將與該旋轉體係獨立設置之其它清洗器,於含有清洗液之狀態下抵接在該第二清洗面,而清洗該第二清洗面, 自與該旋轉體係獨立設置之又另外之清洗器,將氣體供給至該第二清洗面,而使該第二清洗面乾燥。
  14. 如申請專利範圍第9項之被處理體之清洗方法,其中, 在使用該一清洗器而清洗該清洗面之際,使該被處理體與該一清洗器,以與該清洗面正交之方向作為中心軸而相對地旋轉。
  15. 一種可讀取之電腦記錄媒體,收納有程式,該程式在將清洗裝置加以控制之控制部之電腦上動作,俾藉由該清洗裝置而執行將被處理體加以清洗之清洗方法;其中, 該清洗方法使用一清洗裝置,該清洗裝置具備:旋轉體,以該被處理體的清洗面的徑向作為中心軸而旋轉;以及複數之清洗器,在該旋轉體的表面上沿軸向延伸,且沿該旋轉體的周向排列配置; 該清洗方法,係依該被處理體而選擇該複數之清洗器中之一清洗器,並使該旋轉體旋轉而使該一清洗器與該清洗面相向配置,使用該一清洗器來清洗該清洗面。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7542360B2 (ja) * 2020-08-13 2024-08-30 株式会社ディスコ 切削装置
JP7481198B2 (ja) * 2020-08-20 2024-05-10 株式会社ディスコ ウェーハ清掃装置、及び保持面清掃装置
JP7650590B2 (ja) * 2021-03-29 2025-03-25 株式会社ディスコ 研磨装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2654314B2 (ja) * 1992-06-04 1997-09-17 東京応化工業株式会社 裏面洗浄装置
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
DE19950068B4 (de) * 1999-10-16 2006-03-02 Schmid Technology Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln und Ablösen von Substratscheiben
JP2002343756A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ平面加工装置
JP3776779B2 (ja) * 2001-09-28 2006-05-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4996157B2 (ja) * 2006-07-21 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ スクリュー搬送機構およびこれを用いるディスク洗浄装置
JP2008183659A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP5241317B2 (ja) * 2008-05-15 2013-07-17 株式会社東京精密 クリーニング装置
JP2010147262A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2011066198A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 研削加工装置
DE102010045098A1 (de) * 2010-09-13 2012-03-15 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln und Transportieren von Substraten
JP5746532B2 (ja) * 2011-03-24 2015-07-08 三鈴工機株式会社 ベルト洗浄装置
JP6158721B2 (ja) * 2014-02-19 2017-07-05 インテル コーポレーションIntel Corporation 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6366544B2 (ja) * 2014-07-04 2018-08-01 株式会社荏原製作所 洗浄装置及びロール洗浄部材
CN107221491B (zh) * 2016-03-22 2021-10-22 东京毅力科创株式会社 基板清洗装置
JP6665042B2 (ja) * 2016-06-21 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体

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