TW201936952A

TW201936952A - 微粒子分散方法、以及使用有其之成膜方法及成膜裝置

Info

Publication number: TW201936952A
Application number: TW107146749A
Authority: TW
Inventors: 浪平隆男; 鈴木涼子; 西康孝
Original assignee: 國立大學法人熊本大學; 日商尼康股份有限公司
Priority date: 2018-02-21
Filing date: 2018-12-24
Publication date: 2019-09-16
Also published as: WO2019163189A1; JP2021079299A

Abstract

本發明之微粒子分散方法係對包含微粒子之液體13照射電漿。

Description

微粒子分散方法、以及使用有其之成膜方法及成膜裝置

本發明係關於一種微粒子分散方法、以及使用有其之成膜方法及成膜裝置。

使用有無機氧化物微粒子之薄膜應用於高折射材料、導電性材料等。該薄膜由包含無機氧化物微粒子之分散液成膜。分散液中之無機氧化物微粒子之分散狀態對膜表面或膜內部之均勻性造成較大影響。因此，關於用於薄膜形成之分散液，期待於分散液中均勻分散有無機氧化物微粒子。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]國際專利公報第2007／122956號
[專利文獻2]日本特開2016－161791號公報

本發明之第一態樣係一種微粒子分散方法，其包括對包含微粒子之液體照射電漿之步驟。

本發明之第二態樣係一種成膜方法，其包括如下步驟：使用第一態樣之方法使上述微粒子分散於上述液體之步驟；霧化上述液體之步驟；將霧化之上述液體供給於特定之基板之步驟；及使供給於上述基板之上述液體乾燥之步驟。

本發明之第三態樣係一種成膜裝置，其包括如下手段：包含第一態樣之方法之分散手段；及使用藉由上述分散手段分散有上述微粒子之上述液體來形成膜之成膜手段。

以下，視需要參照圖示並詳細說明用於實施本發明之形態（以下，稱為「本實施形態」）。以下之本實施形態係用於說明本發明之例示，而不是將本發明限定於以下之內容之主旨。然後，本發明可於其要旨之範圍內適當地變形實施。再者，圖示中，上下左右等位置關係除非特別說明，設定為根據圖示所示之位置關係者。進而，圖示之尺寸比率並不限於圖示之比率。

＜微粒子分散方法＞
本實施形態之微粒子分散方法係對包含微粒子之液體（以下，存在稱為「分散液」之情形）照射電漿之方法。

例如，於未進行分散處理之分散液、或分散處理不充分之分散液中，微粒子易於分散介質中凝集，造成由凝集所生長之微粒子於分散液中沈澱。為了防止相關現象，嘗試有習知藉由化學手法或機械手法進行分散處理。然而，於此種藉由化學手法進行分散處理之情形時，擔心有pH調整劑、分散劑、偶合劑等之除了微粒子以外之雜質添加於系統內，由該等所造成之污染。又，於藉由機械手法進行分散處理之情形時，亦擔心有源自浸漬於分散液中之超音波探針或液中電漿電極等之污染。進而，藉由進行該等處理，亦存在相較由微粒子單獨理想地製作之膜性能變低之問題。

本實施形態之微粒子分散方法採用照射電漿之手法，藉此，可使分散介質中之微粒子不接觸地有效地分散，並可有效地抑制微粒子之沈澱。進而，由於無需添加分散劑等添加劑，亦未使探針或電極等與分散介質接觸，故而亦可防止污染。其結果是亦可期待對使用微粒子所得之膜維持較高之性能。

微粒子較佳為無機氧化物。作為無機氧化物，並無特別限定，較佳為二氧化矽、氧化鋯、氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦等。該等可單獨使用，亦可任意組合2種以上。

微粒子之平均粒徑並無特別限定，可為30～1000 nm，可為50～1000 nm，可為100～800 nm，亦可為150～600 nm。再者，本說明書中之平均粒徑係藉由動態光散射法所求得之散射強度分佈之中值粒徑。

分散液之分散介質之種類並無特別限定，只要微粒子可分散即可。作為分散介質，例如可使用：水、異丙醇（IPA）、乙醇、甲醇等醇、丙酮、二甲基甲醯胺（DMF）、二甲基亞碸（DMSO）、乙酸乙酯、乙酸、四氫呋喃（THF）、二乙醚（DME）、甲苯、四氯化碳、正己烷等、及該等之混合物。其中，液體就分散性或介電常數等觀點而言，較佳為包含水作為溶劑，更佳為水溶劑。若對包含水之溶劑進行電漿照射，則產生OH自由基，由於該OH自由基修飾微粒子之表面提高微粒子彼此之排斥，故而可使微粒子更加分散（其中，本實施形態之作用效果不限定於此）。

分散液中之微粒子之濃度無特別限定，就獲得之分散效果等觀點而言，較佳為1～30質量%，更佳為2～25質量%，進而較佳為3～20質量%。

照射於分散液之電漿並無特別限定，較佳為電漿噴射（PJ）或水面上電漿。電漿照射較佳為於與分散液不接觸狀態下進行。例如，較佳為藉由於裝有分散液之容器之外側配置、施加電極而產生電漿。

電漿噴射係指例如藉由將1個以上之電極配置於液體之單方向並對電極施加電壓而於接觸設置於該電極之介電體與液體之液面之間產生之電漿。圖1係用於說明電漿噴射之分散方法之一例之概念圖。將G電極11與H.V電極12之2個電極配置於分散液13之上方，兩電極纏繞於圓柱狀石英管14（介電體）。然後，藉由短時間脈衝電源對兩電極間施加電壓，向石英管14內持續通入放電氣體，於石英管14與分散液13之液面之間產生電漿噴射。藉由以產生之電漿之前端相接於分散液13之方式配置各部位而自電漿與分散液13之界面產生OH自由基。再者，於圖1中，雖說明有使用2個電極之態樣，但亦可使用1個電極，亦可使用3個以上之電極。又，上述放電氣體亦可藉由供給水等之霧之手段等進行加濕。藉由加濕放電氣體，可產生更多之OH自由基。

電漿噴射之照射手法或裝置構成不限定於圖1所示之構成或手法，可適當採用公知者。

水面上電漿係指例如藉由將1個以上之電極配置於液體之單方向並對電極施加電壓而於該電極與液體之液面之間產生之電漿。圖2係用於說明水面上電漿之分散方法之一例之概念圖。藉由於裝有分散液23之容器24之底部配置G電極21並於分散液23之上方配置H.V電極22，而使G電極21與H.V電極22以不接觸狀態夾有分散液23。藉此，於H.V電極22與分散液23之間產生電漿，從而對分散液23照射電漿。其結果是可自電漿與分散液23之界面產生OH自由基。再者，於圖2中，雖說明有於容器24之底部設置G電極21之態樣，但亦可為不於容器24之底部設置電極之構成。又，於圖2中，雖說明有於分散液23之上方設置1個H.V電極22之態樣，但亦可為設置2個以上之電極之構成。

水面上電漿之照射手法或裝置構成不限定於圖2所示之構成或手法，可適當採用公知者。

作為上述G電極之材料，並無特別限定，例如可使用銅、不鏽鋼鋼材（SUS）、鈦、鐵等。又，作為H.V電極之材料，並無特別限定，例如可使用銅、鐵、鈦、鐵等。

成為產生電漿之電漿源之放電氣體之種類無特別限定，可使用公知者。作為放電氣體之具體例，例如可列舉氦、氬、氧、氮等。該等之中，較佳為穩定性較高之氦或氬。

電漿之照射時間並無特別限定，可為電漿噴射或水面上電漿之任一者，就使粒子良好地分散之觀點而言，照射時間之合計較佳為25～60秒，更佳為25～900秒，進而較佳為25～1800秒。又，照射亦可為連續照射（一次照射），亦可為斷續照射。於斷續照射之情形時，其合計照射時間亦較佳為上述照射時間。

於本實施形態之方法中，進而較佳為冷卻分散液。再者，於此處所指之冷卻中亦包括緩冷。雖存在藉由電漿照射而使分散液之溫度上升之情形，但可藉由冷卻抑制溫度上升。冷卻可與電漿照射同時進行，亦可於照射後進行，就抑制溫度上升之觀點而言，更佳為與照射同時進行。

藉由本實施形態之方法所獲得之分散液可使分散介質中之微粒子有效率地分散，且可抑制微粒子之沈澱。因此，相關之分散液可良好地用於下述成膜方法等。

＜成膜方法、成膜裝置＞
於本實施形態中，可設為包含上述微粒子分散方法之成膜方法。藉由本實施形態之微粒子分散方法所獲得之分散液由於分散介質中之微粒子不沈澱地均勻地分散，可製作均勻之膜。例如可設為包括進行上述微粒子分散方法之分散步驟、霧化液體之步驟、將霧化之液體供給於特定之基板之步驟及使供給於基板之液體乾燥之步驟之成膜方法。

成膜步驟無特別限定，可採用公知之方法。例如可列舉：噴霧法、滾筒塗佈法、浸漬塗佈法、由振動等引起之霧化等之方法。

於成膜於基板上之情形時，基板之種類並無特別限定，考慮到與分散液之相性等可選擇適當較佳者。作為基板之種類，例如可列舉：玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、醋酸丙酸纖維素等。

於本實施形態之成膜方法中，由於對成膜上之條件很少受到制約，故而於成膜於基板上之情形時，可成膜選擇性、任意的圖案。例如亦可應用於使用實施有預先所需之圖案之光罩，選擇性地曝光、圖案化基板上之抗蝕劑等一部分。進而，亦可為視需要由具有撥水膜等功能性層之多層所構成之基板進行成膜。

本實施形態之較佳之成膜方法包括包含上述微粒子分散方法之分散步驟及成膜步驟，該等之中，更佳為包括包含上述微粒子分散方法之分散步驟及霧沈積之成膜步驟。以下對此進行說明。

於本實施形態中可採用之霧沈積之成膜步驟，例如可使用霧電漿法進行成膜。霧電漿法係使包含微粒子之分散液霧化，將該霧經由電漿噴霧於基板，使微粒子膜成膜之手法。霧沈積法之手法並無特別限定，考慮到所需之膜之物性或裝置可採用適當較佳之手法。

圖3係用於說明霧電漿法之一例之圖。例如，霧輸送路徑31將自霧產生槽（不圖示）導入之霧引導至電極32A及電極32B之間。然後，受到電極間所產生之電漿c之影響之霧於特定時間向基板33噴霧。然後，藉由附著於基板33之霧之分散介質汽化而於基板33之表面成膜微粒子膜。

此時，基板33較佳為以相對於水平面成為傾斜之狀態之方式配置。霧附著於基板33，藉由汽化而對基板33形成薄膜，藉由使基板33相對於水平面傾斜而使附著於膜上之液滴化之霧流下，從而可抑制不均勻地形成膜。

或者，亦可相對於正交於朝著基板33對霧進行噴霧之方向之面傾斜。例如於對基板33預先設置撥水部（不圖示）等進行圖案化之情形時，可將附著於撥水部之霧用噴霧之勢頭高效率地去除。

成膜步驟亦可視需要進行進一步處理。例如進而亦可進行對附著於基板33上之分散液進行UV照射之步驟。藉由對包含微粒子之分散液進行UV照射而可使微粒子膜高效率地形成。再者，考慮到形成之微粒子膜之種類等，適當判斷是否進行UV照射即可。

於本實施形態之成膜方法中，藉由使用上述微粒子分散方法，可抑制成膜率之降低。通常，分散液中所含之微粒子凝集沈澱，該凝集之微粒子尺寸較大，無法包含於霧化之液體中運送。即，分散液中之微粒子隨時間經過而凝集，相應地霧中所含之微粒子變少，單位時間之基板所運送之微粒子較少，成膜率降低，但若使用本實施形態之微粒子分散方法，則可抑制微粒子之凝集，因此亦可抑制成膜率之降低。

藉由本實施形態所獲得之膜之膜厚並無特別限定，例如於形成透明導電膜之情形時，就可見透光率與導電性之觀點而言，較佳為30～1000 nm，更佳為50～500 nm，進而較佳為50～300 nm。根據本實施形態之成膜方法，為此種膜厚亦可防止污染且均勻地成膜。

於本實施形態中，可設為包括進行上述微粒子分散方法之分散手段、及藉由上述霧電漿成膜之成膜手段之成膜裝置。裝置構成並無特別限定，可採用適當較佳之構成。

本實施形態之成膜方法簡便，對基材等材料選擇或製造條件之制約較少。然後，可不污染地製成均勻之薄膜。就相關之觀點而言，藉由本實施形態所獲得之膜可良好地用於如要求有較高之精密性之高折射材料或導電性材料等。
[實施例]

藉由以下之實施例及比較例更加詳細地說明本發明，但本發明並不受到以下之實施例任何限定。

＜實施例1＞
藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，膠體氧化矽分散液「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%、平均粒徑300 nm）。再者，此處所指之平均粒徑係藉由動態光散射法所求得之散射強度分佈之中值粒徑，係使用大塚電子股份有限公司製造之ζ電位－粒徑測定系統ELSZ－2測量所得者。

於該分散液之液面使用具有圖1之構成之器具，連續照射電漿噴射（PJ）30分鐘，評價SiO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖4）。關於圖1所示之裝置構成，將銅箔自外側纏繞於內徑3 mm、外徑6 mm之石英管14，並施加電壓（H.V：高電壓、G：接地）。又，以流向分散液13之液面方向之方式向石英管14內導入He氣體。再者，以圖1之電極之寬度W1=10 mm、長度L1=30 mm、電極之寬度W2=10 mm、長度L2=10 mm、與液面之距離D=20 mm之方式進行設定。以此方式，測量使用奈秒脈衝電源、氦（He）氣體進行PJ照射時之照射時之I－V測定（圖5）。

其結果，確認到如下情形：當將靜置30分鐘後、電漿噴射照射30分鐘後分別與初始值即第0分鐘進行比較時，雖然吸光度低於初始值，但藉由照射電漿噴射而使吸光度高於靜置之情形。再者，吸光度藉由使用紫外－可見吸光光度計（日本分光股份有限公司製造，測定裝置「V560」）測定200～900 nm之透光率而求得。

＜實施例2＞
藉由加熱ZrO₂ 之甲醇分散液（堺化學工業股份有限公司製造，氧化鋯分散液「SZR－M」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得ZrO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作ZrO₂ 水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑300 nm）。然後，裝置構成為與實施例1同樣之裝置構成（圖1），連續照射電漿噴射30分鐘，評價ZrO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖6）。

其結果，確認到如下情形：當分別比較初始值即第0分鐘、靜置30分鐘後、及電漿噴射照射30分鐘後時，雖然吸光度低於初始值，但藉由照射電漿噴射而使吸光度高於靜置之情形。

＜實施例3＞
藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%、平均粒徑300 nm）。繼而，裝置構成為與實施例1同樣之裝置構成（圖1），於連續照射電漿噴射合計50秒鐘之情形（50秒鐘照射+50秒鐘靜置）、及成為合計50秒鐘照射之分為25秒×2次進行斷續照射之情形（25秒鐘靜置+25秒鐘照射+25秒鐘靜置+25秒鐘照射）之各自之條件下進行照射。然後，對兩者評價SiO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖7）。

其結果，確認到於連續照射50秒鐘之情形、及分成2次每次25秒鐘進行斷續照射之情形中，為相同程度之吸光度。

＜實施例4＞
藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%、平均粒徑300 nm）。裝置構成為與實施例1同樣之裝置構成（圖1），藉由改變照射時間連續照射電漿噴射（連續照射100秒鐘、連續照射50秒鐘+靜置50秒鐘）來評價SiO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖8）。

其結果是確認有，於連續照射100秒鐘之情形、及連續照射50秒鐘之情形中，為相同程度之吸光度。

＜實施例5＞
藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑300 nm）。然後，為圖2所示之裝置構成，改變照射時間連續照射（連續照射100秒鐘、連續照射25秒鐘+靜置75秒鐘）水面上電漿。再者，於圖2中，以分別使用SUS板作為G電極21，使用鐵針作為H.V電極22，與液面之距離D=10 mm之方式進行設定。以此方式進行水面上電漿照射，評價SiO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖9）。水面上電漿之產生使用奈秒脈衝電源，測量照射時之I－V測定（圖10）。

其結果，確認到於連續照射100秒鐘之情形、及連續照射25秒鐘之情形中，為相同程度之吸光度。

＜實施例6＞
藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑300 nm）。然後，裝置構成為與實施例5同樣之裝置構成（圖2），藉由變更使用之氣體之種類（氧（O₂ ）、氦（He））連續照射水面上電漿100秒鐘來評價SiO₂ 微粒子之抑制沈澱效果（圖11）。然後，以圖1之電極之寬度W1=10 mm、長度L1=30 mm、電極之寬度W2=10 mm、長度L2=10 mm、與液面之距離D=20 mm之方式進行設定。以此方式，測量使用奈秒脈衝電源、氦（He）氣體進行PJ照射時之照射時之I－V測定（圖12）。

確認到比起電漿之產生效率較低之氧，電漿之產生效率較高之He抑制沈澱之效果稍高。

＜比較例1＞
與實施例1同樣地，藉由加熱SiO₂ 之甲醇分散液（扶桑科學工業股份有限公司製造，「PL－MA」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得SiO₂ 微粒子之粉末。然後，相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作SiO₂ 水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑300 nm）。評價靜置30分鐘後之分散效果（圖4）。然後，藉由目測確認有分散液之沈澱。

＜比較例2＞
與實施例1同樣地，藉由加熱ZrO₂ 之甲醇分散液（堺化學工業股份有限公司製造，「SZR－M」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得ZrO₂ 微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作ZrO₂ 水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑300 nm）。評價靜置30分鐘後之分散效果（圖6）。然後，藉由目測確認有分散液之沈澱。

＜實施例1～6與比較例1、2之探討＞
於實施例1、2及比較例1、2中，使用2種無機氧化物微粒子評價電漿噴射之微粒子之抑制沈澱之效果。抑制沈澱之效果藉由紫外－可見吸光光度計確認。未沈澱之粒子越多，散射光越多。即，可評價為越抑制沈澱，吸光度越大。

確認有以任一條件剛製作後之分散液雖分散性降低，但照射電漿噴射之情形比靜置之情形更可維持較高之分散性。其理由尚未明確，但電漿中之自由基與分散介質即水接觸，產生OH自由基。考慮到藉由該OH自由基修飾無機氧化物微粒子之表面，增強微粒子彼此之排斥力而可抑制水中之較高之沈澱。

於實施例5、6中，使用水面上電漿。於該情形時亦可確認有抑制沈澱之效果。於實施例5中，確認有於水面上電漿中，無關照射時間而亦有同樣之抑制沈澱之效果。

於實施例6中，變更成為電漿源之氣體之種類。其結果，確認到比起電漿之產生效率較低之氧，電漿之產生效率較高之He抑制沈澱之效果稍高。其理由尚未明確，但電漿之產生效率與微粒子之分散狀態有關係，可認為電漿中之自由基量越多，抑制沈澱之效果越大。

＜實施例7＞
藉由加熱ITO奈米粒子（CIK NanoTek股份有限公司製造，商品名「ITO07N」）去除溶劑並用研缽進行粉碎而獲得ITO微粒子之粉末。相對於該粉末1 g加入40 mL蒸餾水，並充分攪拌，製作ITO水分散液（濃度2.4質量%，平均粒徑40 nm）。

其次，使用具有圖13所示之構成之裝置進行霧化及電漿照射。具體而言，將產生1.6 MHz之霧化頻率之振子41配置於裝有分散液43之容器42之底部，將分散液43霧化（霧化），且對分散液43照射電漿噴射（PJ），於基板44上成膜ITO粒子膜。再者，使用柵極網格（日本電子股份有限公司製造，商品名「Cu網格」）作為基板44。然後，以圖1之電極之寬度W1=10 mm、長度L1=30 mm、電極之寬度W2=10 mm、長度L2=10 mm、與液面之距離D=20 mm之方式進行設定。以此方式，測量使用奈秒脈衝電源、氦（He）氣體進行PJ照射時之照射時之I－V測定（圖14）。

然後，藉由TEM（日本電子股份有限公司製造，原子解析度電子顯微鏡「JEM－ARM」）觀察於振子41正上之捕捉位置A1、及成膜位置A2中成膜之粒子之狀況。

其結果是，藉由電子能量損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy：EELS）測定捕捉位置A1中之粒子之厚度方向之估算後，其膜厚為47.7 nm。然後，確認到於成膜位置A2中，可獲得均勻鋪滿奈米粒子之連續膜，藉由本手法可成膜均勻之奈米粒子膜。

＜比較例3＞
除了不進行電漿噴射照射之方面以外，以與實施例7同樣之條件嘗試成膜。其結果，以與實施例7同樣之條件藉由EELS所測定之膜厚為34.1 nm。再者，關於所獲得之分散液，藉由目測確認有產生沈澱。

11、21‧‧‧G電極

12、22‧‧‧H.V電極

13、23、43‧‧‧分散液

14‧‧‧石英管

24、42‧‧‧容器

31‧‧‧霧輸送路徑

32A、32B‧‧‧電極

33、44‧‧‧基板

41‧‧‧振子

A1‧‧‧捕捉位置

A2‧‧‧成膜位置

c‧‧‧電漿

D‧‧‧與液面之距離

L1、L2‧‧‧長度

W1、W2‧‧‧（電極之）寬度

圖1係電漿噴射之分散方法之一例之示意圖。

圖2係水面上電漿之分散方法之一例之示意圖。

圖3係用於說明霧沈積法之一例之示意圖。

圖4係表示電漿噴射SiO₂ 連續照射（30 min）之結果之圖。

圖5係表示電漿噴射之I－V特性之曲線圖。

圖6係表示電漿噴射ZrO₂ 連續照射（30 min）之結果之圖。

圖7係表示電漿噴射SiO₂ 斷續照射（50 sec）之結果之圖。

圖8係表示電漿噴射SiO₂ 照射時間變化之結果之圖。

圖9係表示水面上電漿SiO₂ 照射時間變化之結果之圖。

圖10係表示水面上電漿之I－V特性（O₂ ）之圖。

圖11係表示水面上電漿SiO₂ 氣體種類變化之結果之圖。

圖12係表示水面上電漿之I－V特性（He）之圖。

圖13係實施例7之成膜裝置之概念圖。

圖14係表示實施例7之V－I特性之圖。

Claims

一種微粒子分散方法，其包括對包含微粒子之液體照射電漿之步驟。
如請求項1所述之方法，其中，上述微粒子為無機氧化物。
如請求項1或2所述之方法，其中，上述微粒子之平均粒徑為30～1000 nm。
如請求項1至3中任一項所述之方法，其中，上述液體含有水作為溶劑。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其藉由電漿噴射照射上述電漿。
如請求項1至4中任一項所述之方法，其自上述液體之液面隔開配置1個以上之電極，使上述1個以上之電極與上述液體之上述液面之間產生上述電漿。
一種成膜方法，其包括如下步驟：使用請求項1至6中任一項所述之方法使上述微粒子分散於上述液體之步驟；霧化上述液體之步驟；將霧化之上述液體供給於特定之基板之步驟；及使供給於上述基板之上述液體乾燥之步驟。
一種成膜方法，其包括如下步驟：使用請求項1至6中任一項所述之方法使上述微粒子分散於上述液體之步驟；及成膜步驟，上述成膜步驟包括如下步驟：霧化上述液體之步驟；將霧化之上述液體經由電漿供給於特定之基板之步驟；使供給於上述基板之上述液體乾燥之步驟。
一種成膜裝置，其包括如下手段：包含請求項1至6中任一項所述之方法之分散手段；及使用藉由上述分散手段分散有上述微粒子之上述液體來形成膜之成膜手段。