TW201941507A - 傳導冷卻式板條雷射 - Google Patents

Abstract

一種二氧化碳氣體放電板條雷射裝配於一雷射外殼中。該雷射外殼由一中空之擠製件形成。該擠製件之一內部表面提供該雷射之一接地電極。另一帶電電極定位於該擠製件內，與該接地電極電絕緣且平行，從而形成該板條雷射之一放電間隙。該等電極藉由平行之陶瓷帶間隔開。該擠製件及該帶電電極皆不包括任何直接流體冷卻構件。該雷射外殼藉由附接至其外部之流體冷卻式板件冷卻。

Description

傳導冷卻式板條雷射

本發明大體係關於二氧化碳(CO₂ )雷射。本發明詳言之係關於具有板條組態之脈動CO₂ 氣體放電雷射。

CO₂ 雷射在工業製程中已使用了幾十年，其中CO₂ 雷射之紅外線(IR)波長及相對高的功率為有利的。CO₂ 雷射中之雷射作用介質為氣體混合物中的氣體放電。氣體混合物通常包括10%至20%之CO₂ 且維持於小於一個大氣壓。氣體混合物經激勵來藉由在兩個電極之間施加電流或射頻(RF)場而產生氣體放電。CO₂ 雷射可遞送在自約9微米(µm)至約11 µm之範圍內之紅外線波長下的輸出雷射輻射。CO₂ 雷射可組配為波導雷射或板條雷射。

在波導CO₂ 雷射中，氣體放電建立於長且比較窄之波導內。雷射-共振器藉由定位於波導之每一末端處的共振器鏡圍繞經激勵之氣體混合物而形成，該等共振器鏡在縱向方向上指引雷射輻射。窄的波導將一或多個雷射輻射模式約束於兩個相互正交之橫向方向上。雷射輻射係藉由受激發射在多次穿過氣體放電期間放大。此等CO₂ 波導雷射能夠以良好的功率及波長穩定性但以相對低的平均功率提供固有地高品質輸出射束。通常，在小於約150瓦特(W)之平均功率下。此波導CO₂ 雷射描述於美國專利第6,192,061號及美國專利第6,788,722號中，該等專利中之每一者藉由本發明之受讓人擁有且每一者的完整揭示內容特此以引用的方式併入本文中。

在板條CO₂ 雷射中，氣體放電建立於兩個緊密間隔之電極之平坦波導表面之間的容積中。雷射-共振器藉由兩個共振器鏡圍繞經激勵之氣體混合物而形成。在一橫向方向上，兩個電極之間的小間隙(「放電間隙」)界定約束雷射輻射模式之波導。在正交的橫向方向上，共振器鏡通常界定不穩定的雷射-共振器。雷射輻射退出不穩定之雷射-共振器作為近似準直之射束，從而通過共振器鏡中之一者中的孔洞或經過共振器鏡中之一者的外部邊緣。此板條CO₂ 雷射描述於美國專利第6,256,332號及美國專利第7,263,116號中，該等專利中之每一者藉由本發明之受讓人擁有且每一者的完整揭示內容特此以引用的方式併入本文中。

此等板條CO₂ 雷射能夠遞送在達至約8千瓦(kW)之平均功率下的輸出射束。然而，輸出射束固有地具有伸長橫截面。額外射束調節光學器件係需要的來將輸出射束變換為更有用之橫截面形狀。舉例而言，圓形形狀。

板條CO₂ 雷射通常在脈動模式下操作，從而遞送具有高峰值功率之雷射輻射的脈衝。在許多工業雷射製程中，較高平均功率轉譯為較高輸送量。製程效率證明隨平均功率按比例縮放之雷射成本。通常，成本按比例縮放由如下需要引起：提供複雜冷卻配置以應付在高平均功率下操作時所產生之廢熱。通常，流體冷卻劑經迫使通過電極中之一者或兩者內的通道。或者，空氣經迫使通過與電極中之一者或兩者直接熱接觸的金屬翼片之陣列。液體水在許多應用中為較佳冷卻劑，此係因為水具有用於有效地移除大量廢熱之比較高的熱容量且因為流體冷卻與等效之強制空氣冷卻相比產生較小的聲學雜訊。

近年來，脈動板條CO₂ 雷射在牙科應用中已愈來愈多地使用，包括硬組織及軟組織手術兩者，其中相對長的IR波長准許同時切割及凝結。工業板條雷射之相對高的成本對於牙科診所可為價格過高的，其中其他外科替代物為可利用的，但對於外科醫生較不便利且對於患者常常更疼。

使用CO₂ 雷射之牙科手術通常需要相對高的峰值功率，但此可處於相對低的任務循環，因此高的平均功率具有極小實用性。需要可以高峰值功率但以相對低的平均功率遞送輻射之CO₂ 板條雷射，藉此消除對增加成本之複雜冷卻配置的需要。

在一態樣中，根據本發明之氣體放電板條雷射包含一雷射外殼，該雷射外殼包括一中空之伸長擠製件，該伸長擠製件具有其形成一第一伸長電極之一內部表面。一第二伸長電極定位於該伸長擠製件內。該第二伸長電極與該第一伸長電極間隔開且平行。該等間隔開之第一及第二伸長電極界定該板條雷射之一放電間隙。該伸長擠製件及該第二伸長電極皆不包括任何流體冷卻構件。該第一伸長電極及該第二伸長電極係藉由橫向地分開且彼此平行之第一及第二伸長陶瓷帶間隔開。

現轉至圖式，其中相似特徵藉由相似參考數字指明，圖1為示意性地說明先前技術CO₂ 板條雷射10之基本特徵及功能的透視圖。雷射10分別包括上部電極12及下部電極14，該等電極各自具有矩形形狀。電極為間隔開的且彼此平行，從而在其間界定放電間隙16。在高功率板條雷射中，尤其是多千瓦板條雷射，通常經由電極提供直接流體冷卻，如在圖式中對於上部電極12所指示。

放電間隙16定位於藉由凹面鏡18及20所形成之不穩定共振器中。RF電源22電連接至上部電極12。下部電極14為接地的。通常，電極定位於含有氣體混合物之氣密外殼(未圖示)內。用於CO₂ 放電雷射之氣體混合物在此項技術中為熟知的。組份氣體及壓力可根據製造者偏好而變化且通常為專有的。

當RF功率施加至上部電極12以激勵氣體混合物時，氣體放電在放電間隙16中引發(struck)，藉此在藉由鏡18及20所形成之共振器中提供光學增益。雷射輻射在共振器中循環，如藉由虛線24所指示，且藉由放電間隙16中之氣體放電所提供的光學增益來逐步地放大。逐步放大之雷射輻射填充鏡20。其部分濺出共振器，經過鏡18，作為藉由虛線26所指示的輸出雷射輻射。

輸出雷射輻射26係呈具有矩形橫截面之擴展射束的形式。任選地，射束調節光學器件28可經提供來將射束轉換為更有用之形式，諸如具有約圓形橫截面的經準直射束30。射束調節光學器件通常定位於氣密外殼外部。此等射束調節光學器件在此項技術中為熟知的，且其詳細描述對於理解CO₂ 板條雷射之原理並非必要的。

圖2為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之一較佳實施例40的部分切掉之透視圖。雷射40具有氣密外殼42，包括伸長中空之擠製件44A，其展示為部分切掉的以說明雷射之內部組件及配置。擠製件優先地由鋁製成且處於電接地，如圖式中所描繪。包括一共振器鏡(圖式中不可見)之端板46為在一末端處密封雷射外殼42作準備。螺孔48為附接另一端板及另一共振器-鏡(皆未展示)、為在相對末端處密封雷射外殼42作準備。額外螺孔50為附接任選冷卻板作準備，下文進一步詳細描述。

擠製件44A之內部表面52A為雷射提供伸長接地電極，其沿著擠製件44A之長度延伸。具有下部表面56A之伸長帶電電極54A定位於擠製件44A內。帶電表面56A藉由橫向地分開且彼此平行之一對伸長陶瓷帶58A與接地表面52A間隔開。陶瓷帶58A較佳由具有相對高之熱導率的電絕緣陶瓷製成。舉例而言，由氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂ O₃ )或氧化鈹(BeO)製成。發明性陶瓷帶藉由畫對角影線而在圖式中強調。

間隔開之接地表面52A及帶電表面56A界定雷射40之放電間隙。特定言之，陶瓷帶58A之共同高度界定放電容積60A之高度，而陶瓷帶58A的邊緣62橫向地約束氣體放電且因此界定放電容積之寬度。總而言之，帶電電極54A之長度、放電間隙及邊緣62界定放電容積60A。放電容積在圖式中以橫截面描繪且藉由畫交叉影線來指示。接地表面52A及帶電表面56A較佳為拋光的。

一對絕緣體帶64電隔離帶電電極54A與接地之擠製件44A。彈簧帶66經提供以用於將帶電電極54A保持於擠製件內之適當位置。電饋通68經提供以用於將RF功率連接至帶電電極54A。饋通68電連接至帶電電極54A且與接地之擠製件44A電隔離。多個電感器70經提供以均質化沿著放電容積60A之氣體放電。

在雷射40中，接地之擠製件44A及帶電電極54A皆不具備任何內部流體冷卻構件。此避免在接地之擠製件及帶電電極內鑽孔之昂貴且困難的操作，接著將冷卻管配合於孔洞內。此鑽孔及配合操作將以其他方式顯著地促進雷射之製造成本。帶電電極54A為傳導冷卻的，從而經由陶瓷帶58A將熱量傳送至擠製件44A。

此處應注意，僅圖2之圖式之充分描述經提供以用於理解本發明的原理。圖式之其他細節的功能對於一般熟習此項技術者在經密封之RF激發板條雷射的構造及操作方面將為明顯的。亦應注意，儘管中空之擠製件允許發明性板條雷射之有效且便宜的製造，但如在此描述中且在所附申請專利範圍中所使用之術語「擠製件」被理解為包括任何等效機械結構。舉例而言，由多個經加工組件所形成之機械結構。

圖3為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之另一較佳實施例80的部分切掉之透視圖。雷射80類似於圖2之雷射40，除了接地表面52A及帶電表面56A間隔開之方式以外。雷射80之擠製件44A與雷射40之擠製件44A等同地組配，且帶電電極54A亦等同地組配。因此，僅足夠的參考數字提供於圖3中以描述不同的間距配置。

在雷射80中，表面52A及56A藉由具有兩個平行之凸起邊緣84的伸長陶瓷部件82間隔開。藉由凸起邊緣84所形成的在陶瓷部件82與接地表面52A之間的中空部界定放電容積60B。放電間隙藉由凸起邊緣之共同高度界定。放電容積之寬度藉由凸起邊緣之間的間隔界定。使用陶瓷部件82替代於雷射40之該對單獨的陶瓷帶消除對單獨地插入陶瓷帶且建立其平行性的需要。

陶瓷部件82之表面86在圖3中描繪為與帶電電極54A的帶電表面56A接觸。然而，陶瓷部件82將與其表面86類似地起作用來與擠製件44A之接地表面52A接觸。藉由凸起邊緣84所形成的在陶瓷部件82與帶電表面56A之間的中空部將接著在此配置中界定放電容積。

圖4為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之又一較佳實施例90的部分切掉之透視圖。雷射90類似於圖2之雷射40，除了放電容積60C之邊緣經界定的方式以外。因此，僅足夠的參考數字提供於圖4中以描述此等差異。

在雷射90中，擠製件44B包括沿著其延伸之一對溝槽或槽92，該等溝槽或槽92相互分開且彼此平行。在溝槽92之間的是表面52B，表面52B為雷射提供伸長接地電極。伸長帶電電極54B中之一對相應的溝槽94與擠製件44B中的溝槽92對準。在溝槽94之間的是帶電電極54B之表面56B。

陶瓷帶58B窄於雷射40之相應的陶瓷帶58A，使得其不會完全地覆蓋溝槽92及94。因此，在雷射90中，放電容積60C之寬度係藉由溝槽92之邊緣96及溝槽94的邊緣98界定。放電間隙係藉由接地表面52B與帶電表面56B之間的距離界定。此配置防止陶瓷間隔物與氣體放電之間的接觸，藉此避免陶瓷間隔物藉由氣體放電之可能侵蝕。

雷射90之變化(未圖示)係可能的，其中單獨的陶瓷帶58B用類似於雷射80之陶瓷部件82的單一陶瓷部件替代。在此變化中，陶瓷部件之凸起邊緣為間隔開的，使得放電容積60C之寬度如在雷射90中藉由溝槽92之邊緣96或溝槽94的邊緣98界定。

圖5為大體在圖4之方向5-5上所見的橫截面視圖，示意性地說明分別附接至雷射90之擠製件44B之下部及上部外部表面的兩個流體冷卻式冷卻板100及102。冷卻板100包括按壓至U形溝槽106中的具有D形橫截面之冷卻流體導管104。導管104較佳為連續的，在將要冷卻之區域之上以蜿蜒型式配置。冷卻板100鄰近於表面52B而定位，表面52B為接地電極。冷卻板102包括按壓至U形溝槽110中的具有D形橫截面之冷卻流體導管108。導管108亦較佳為連續的且以蜿蜒型式配置。冷卻板102提供擠製件44B之額外冷卻。

常用冷卻流體為水，常常具有防止腐蝕及冰凍之添加劑。使用單獨的冷卻板而非在擠製件44B內提供直接流體冷卻之優點在於，製造冷卻板100及102為簡單得多的：在擠製件44B內加工類似的蜿蜒冷卻路徑。此外，若任何腐蝕或其他損壞對導管發生，則導管可快速地且容易地替代。若必要，則交換整個冷卻板將甚至更快。

諸如冷卻板100及102之冷卻板可任選地附接至根據本發明之板條雷射的任何實施例。取決於施加至氣體放電之功率及板條雷射的效率，一或兩個板可為有利的。由於自帶電電極通過陶瓷間隔物及擠製件的相對短且無限制的熱路徑，冷卻板100將大體在傳導冷卻帶電電極時為最有效的。

圖6為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之再一較佳實施例120的剖視透視圖。雷射120類似於圖2之雷射40，除了每一陶瓷帶藉由多個陶瓷區段58C形成以外。在圖6中，帶電電極54A及其上方之所有元件已為說明之清晰性而省略。相鄰的陶瓷區段58C彼此稍微分開，間隔與每一陶瓷區段58C之長度相比為小的。

此分段式配置對於使陶瓷帶製造及安裝於雷射120內較不昂貴且亦對於降低聲學雜訊具有優點。聲學雜訊及大體而言振動，可引起輸出雷射輻射之射束參數中的雜訊(例如，射束指向之改變)且減少雷射之整體壽命。為了進一步降低聲學雜訊，本文所述之本發明的所有較佳實施例避免空氣冷卻構件，空氣冷卻構件將包括近熱狀態之冷卻翼片且因此與電極中之一者或兩者機械接觸。

儘管等同的陶瓷區段描繪於圖6中，但陶瓷區段亦可具有不同的長度來促進製造或減輕雷射120之聲學雜訊。圖3之陶瓷部件82及圖4之陶瓷帶58B可類似地分段來實現相同的優點。

應注意，儘管本發明在本文中參考具有CO₂ 氣體混合物之CO₂ 板條雷射來描述，但本發明之原理同樣地適用於具有一氧化碳(CO)氣體混合物的CO板條雷射。CO板條雷射遞送在自約4.5 µm至約6.0 µm之範圍內之波長下的輸出雷射輻射。亦應注意，儘管本發明之目標為以藉由牙科醫師覺得合理之成本提供用於牙科手術的雷射，但根據本發明之雷射在高功率先前技術板條雷射之價值將為價格過高的任何其他應用中可為有用的。

概述之，本發明在上文參考較佳實施例得以描述。然而，本發明不限於本文所述之實施例。實情為，本發明僅藉由附加至其之申請專利範圍限制。

10‧‧‧先前技術CO₂板條雷射

12‧‧‧上部電極

14‧‧‧下部電極

16‧‧‧放電間隙

18、20‧‧‧凹面鏡

22‧‧‧RF電源

24、26‧‧‧虛線

28‧‧‧射束調節光學器件

30‧‧‧經準直射束

40、80、90、120‧‧‧雷射

42‧‧‧氣密外殼

44A‧‧‧擠製件

44B‧‧‧擠製件

46‧‧‧端板

48、50‧‧‧螺孔

52A‧‧‧內部表面/接地表面

52B‧‧‧接地表面

54A、54B‧‧‧伸長帶電電極

56A‧‧‧下部表面/帶電表面

56B‧‧‧帶電表面

58A‧‧‧伸長陶瓷帶

58B‧‧‧陶瓷帶

58C‧‧‧陶瓷區段

60A、60B、60C‧‧‧放電容積

62、96、98‧‧‧邊緣

64‧‧‧絕緣體帶

66‧‧‧彈簧帶

68‧‧‧電饋通

70‧‧‧電感器

82‧‧‧伸長陶瓷部件

84‧‧‧凸起邊緣

86‧‧‧表面

92‧‧‧溝槽或槽

94‧‧‧溝槽

100、102‧‧‧流體冷卻式冷卻板

104、108‧‧‧冷卻流體導管

106、110‧‧‧U形溝槽

併入於說明書中且構成說明書之部分的隨附圖式示意性地說明本發明之較佳實施例，且連同上文所給出之一般描述及下文所給出之較佳實施例的詳細描述一起用以解釋本發明之原理。

圖1為示意性地說明先前技術CO₂ 板條雷射之基本特徵及功能的透視圖。

圖2為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之一較佳實施例的部分切掉之透視圖，包括伸長中空之擠製件，該擠製件為雷射提供接地電極，藉由一對伸長陶瓷帶與接地電極間隔開之帶電電極，其中陶瓷帶之邊緣界定雷射之放電容積的寬度。

圖3為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之另一較佳實施例的部分切掉之透視圖，該實施例類似於圖2之實施例，但具有藉由伸長陶瓷部件間隔開之兩個電極，該伸長陶瓷部件具有沿著其延伸之平行凸起邊緣，該等凸起邊緣界定雷射之放電容積的寬度。

圖4為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之又一較佳實施例的部分切掉之透視圖，該實施例類似於圖2之實施例，但其中放電容積之寬度係藉由沿著接地電極延伸之相互分開且平行的溝槽界定。

圖5為大體在圖4之方向5-5上所見的橫截面視圖，示意性地說明附接至伸長擠製件之上部及下部外部表面的流體冷卻式冷卻板。

圖6為示意性地說明根據本發明之CO₂ 板條雷射之再一較佳實施例的剖視透視圖，該實施例類似於圖2之實施例，但其中每一伸長陶瓷帶係藉由多個陶瓷區段形成。

Claims (27)

1. 一種氣體放電板條雷射，其包含： 一雷射外殼，其包括一中空之伸長擠製件，該伸長擠製件具有其形成一第一伸長電極之一內部表面； 一第二伸長電極，其定位於該伸長擠製件內，該第二伸長電極與該第一伸長電極間隔開且平行，該等間隔開之第一及第二伸長電極界定了該板條雷射之一放電間隙，該伸長擠製件及該第二伸長電極皆不包括任何流體冷卻構件；且 其中，該第一伸長電極及該第二伸長電極係藉由橫向地分開且彼此平行之第一及第二伸長陶瓷帶間隔開。
2. 如請求項1之板條雷射，其進一步包括：鄰近該第一伸長電極的附接至該伸長擠製件之一第一外部表面的一第一流體冷卻式板件。
3. 如請求項2之板條雷射，其進一步包括：附接至該伸長擠製件之一第二外部表面的一第二流體冷卻式板件，該第二流體冷卻式板件在該伸長擠製件之與該第一外部表面相對的一側上。
4. 如請求項1之板條雷射，其中在該第一伸長陶瓷帶及該第二伸長陶瓷帶之邊緣之間的一間隔界定了一放電容積之一寬度。
5. 如請求項1之板條雷射，其進一步包括：在該內部表面中且沿著該伸長擠製件延伸之一第一對溝槽，該第一對溝槽相互分開且彼此平行，在該第一對溝槽之邊緣之間的距離界定了一放電容積之一寬度。
6. 如請求項5之板條雷射，其進一步包括：沿著該第二伸長電極延伸且與該第一對溝槽對準之一第二對溝槽，在該第二對溝槽之邊緣之間的距離進一步界定了一放電容積之一寬度。
7. 如請求項1之板條雷射，其中該板條雷射為具有一種二氧化碳氣體混合物之一種二氧化碳板條雷射。
8. 如請求項1之板條雷射，其中該板條雷射為具有一種一氧化碳氣體混合物之一種一氧化碳雷射。
9. 如請求項1之板條雷射，其中該伸長擠製件由鋁製成。
10. 如請求項1之板條雷射，其中該等伸長陶瓷帶由氮化鋁、氧化鋁及氧化鈹所構成之一群組之陶瓷中的一者製成。
11. 如請求項1之板條雷射，其中該第一陶瓷帶及該第二陶瓷帶各自藉由多個稍微分開之陶瓷區段形成。
12. 一種氣體放電板條雷射，其包含： 一雷射外殼，其包括一中空之伸長擠製件，該伸長擠製件具有其形成一第一伸長電極之一內部表面； 一第二伸長電極，其定位於該伸長擠製件內，該第二伸長電極與該第一伸長電極間隔開且平行，該伸長擠製件及該第二伸長電極皆不包括任何流體冷卻構件；且 其中，該第一伸長電極及該第二伸長電極係藉由定位於該等伸長電極之間的一伸長陶瓷部件間隔開，該伸長陶瓷部件具有第一及第二凸起邊緣，該第一凸起邊緣及該第二凸起邊緣之一共同高度界定了該板條雷射的一放電間隙。
13. 如請求項12之板條雷射，其進一步包括：鄰近該第一伸長電極的附接至該伸長擠製件之一第一外部表面的一第一流體冷卻式板件。
14. 如請求項13之板條雷射，其進一步包括：附接至該伸長擠製件之一第二外部表面的一第二流體冷卻式板件，該第二流體冷卻式板件在該伸長擠製件之與該第一外部表面相對的一側上。
15. 如請求項12之板條雷射，其中在該陶瓷部件之該第一凸起邊緣與該第二凸起邊緣之間的一間隔界定了一放電容積之一寬度。
16. 如請求項12之板條雷射，其進一步包括：在該內部表面中且沿著該伸長擠製件延伸之一第一對溝槽，該第一對溝槽相互分開且彼此平行，在該第一對溝槽之邊緣之間的距離界定了一放電容積之一寬度。
17. 如請求項16之板條雷射，其進一步包括：沿著該第二伸長電極延伸且與該第一對溝槽對準之一第二對溝槽，在該第二對溝槽之邊緣之間的距離進一步界定了一放電容積之一寬度。
18. 如請求項12之板條雷射，其中該板條雷射為具有一種二氧化碳氣體混合物之一種二氧化碳板條雷射。
19. 如請求項12之板條雷射，其中該板條雷射為具有一種一氧化碳氣體混合物之一種一氧化碳雷射。
20. 如請求項12之板條雷射，其中該伸長擠製件由鋁製成。
21. 如請求項12之板條雷射，其中該陶瓷部件由氮化鋁、氧化鋁及氧化鈹所構成之一群組之陶瓷中的一者製成。
22. 如請求項12之板條雷射，其中該伸長陶瓷部件藉由多個稍微分開之陶瓷區段形成。
23. 一種氣體放電板條雷射，其包含： 一雷射外殼，其含有一氣體混合物； 一第一伸長電極，其藉由包括了相互分開且平行之一第一對溝槽的一表面來形成，該第一對溝槽沿著該第一伸長電極之長度延伸，在該第一對溝槽之邊緣之間的距離界定了一放電容積之一寬度； 一第二伸長電極，該第二伸長電極與該第一伸長電極間隔開且平行，該第一伸長電極及該第二伸長電極定位於該雷射外殼內；及 一陶瓷元件，其定位於該第一伸長電極與該第二伸長電極之間，氣體放電藉由激勵其間之該氣體混合物而引發； 其中，該第一伸長電極及該第二伸長電極藉由該陶瓷元件間隔開。
24. 如請求項23之板條雷射，其中該第一及該第二伸長電極皆不包括任何流體冷卻構件，且該第一及該第二伸長電極皆不包括任何空氣冷卻構件。
25. 如請求項23之板條雷射，其中該陶瓷元件為橫向地分開且彼此平行之一對伸長陶瓷帶，該等伸長陶瓷帶之一共同高度界定了該放電容積的一高度。
26. 如請求項25之板條雷射，其中該第二伸長電極包括沿著其延伸且與該第一對溝槽對準之一第二對溝槽，在該第二對溝槽之邊緣之間的距離進一步界定了該放電容積之一寬度。
27. 如請求項23之板條雷射，其中該陶瓷元件為一伸長陶瓷部件，該伸長陶瓷部件具有第一及第二凸起邊緣，該第一凸起邊緣及該第二凸起邊緣之一共同高度界定了該放電容積的一高度。