TW201944157A - 雷射光線的焦點位置檢測方法 - Google Patents
雷射光線的焦點位置檢測方法Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 81
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 28
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
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- Dicing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
[課題]可容易且確實地檢測雷射加工用的雷射焦點位置。[解決手段]照射波長對檢查用晶圓(TS)具有吸收性的脈衝雷射光線。藉由該照射,在垂直方向的聚光位置形成相異的多個雷射點(LS),且間隙(S)介於鄰接的雷射點間。然後,藉由攝像手段(50)拍攝各雷射點,藉由控制手段(60)從拍攝的各雷射點的影像擷取各雷射點的輪廓,計算與預先記憶於記憶手段(61)的理想雷射點形狀的輪廓的類似度。然後,將最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
Description
本發明關於一種雷射光線的焦點位置檢測方法,檢測從雷射加工裝置的雷射光線振盪手段振盪產生並藉由聚光器聚光的雷射光線的焦點位置。
半導體元件製造步驟中,在大致圓板形狀的半導體晶圓的正面上,藉由形成為格子狀的多條分割預定線劃分多個區域,並在該劃分的區域形成有IC、LSI等的元件。沿著分割預定線分割半導體晶圓的方法,為將波長對晶圓具有吸收性的脈衝雷射光線藉由聚光器聚光於期望的位置,並沿著分割預定線進行照射,藉此形成作為斷裂起點的雷射加工槽。有人已提出一種沿著形成有作為斷裂起點的雷射加工槽的分割預定線施加外力,藉此進行切斷的方法(例如參照專利文獻1)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2006-294674號公報
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2006-294674號公報
[發明所欲解決的課題]
在更換保持半導體晶圓的卡盤台時、或伴隨雷射加工裝置的使用而產生光學系統的狀態改變等時,會有聚光位置改變的情形。為了應對這種情況,會使聚光位置在檢查用晶圓改變而形成脈衝雷射痕,且以操作者的目視來判斷要在哪個聚光位置使脈衝雷射痕的邊緣變得清晰,進而檢測及修正合焦(just-focus)位置。因此,成為會涉入操作者主觀的煩雜作業,而在信頼性、作業性存在課題。
在更換保持半導體晶圓的卡盤台時、或伴隨雷射加工裝置的使用而產生光學系統的狀態改變等時,會有聚光位置改變的情形。為了應對這種情況,會使聚光位置在檢查用晶圓改變而形成脈衝雷射痕,且以操作者的目視來判斷要在哪個聚光位置使脈衝雷射痕的邊緣變得清晰,進而檢測及修正合焦(just-focus)位置。因此,成為會涉入操作者主觀的煩雜作業,而在信頼性、作業性存在課題。
因而,本發明的目的為提供一種雷射光線的焦點位置檢測方法,可容易且確實地檢測雷射光線的焦點位置。
[解決課題的技術手段]
若依本發明,則提供一種雷射光線的焦點位置檢測方法,在雷射加工裝置中檢測由雷射光線照射手段照射的雷射光線的焦點位置,該雷射加工裝置具備:保持手段,保持工件;雷射光線照射手段,具備從保持於該保持手段的工件的上表面側照射雷射光線並形成聚光點的聚光器;聚光點位置調整手段,使該聚光器形成的雷射光線的聚光點在與該保持手段的工件保持面垂直的方向移動;加工進給手段,使該保持手段及該雷射光線照射手段在加工進給方向相對地移動;攝像手段,拍攝保持於該保持手段的工件的上表面;以及控制手段,其中,該雷射光線的焦點檢測方法具備:檢查用晶圓載置步驟,將正、背面呈平坦的檢查用晶圓載置於該保持手段上;雷射點形成步驟,在實施該檢查用晶圓載置步驟後,在包夾該檢查用晶圓上表面位置的垂直方向的預定範圍內,使該雷射光線聚光位置變化多次並進行定位,將波長對該檢查用晶圓具有吸收性的脈衝雷射光線以間隙介於鄰接的雷射點間的方式連續地照射,而在預定範圍的多個聚光位置形成多個雷射點;以及合焦位置決定步驟,在實施該雷射點形成步驟後,藉由該攝像手段拍攝各聚光位置的雷射點,並藉由該控制手段從拍攝的雷射點影像擷取該雷射點形狀,依各聚光位置計算每個與預先記憶於記憶手段的理想雷射點形狀的類似度,將最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
若依本發明,則提供一種雷射光線的焦點位置檢測方法,在雷射加工裝置中檢測由雷射光線照射手段照射的雷射光線的焦點位置,該雷射加工裝置具備:保持手段,保持工件;雷射光線照射手段,具備從保持於該保持手段的工件的上表面側照射雷射光線並形成聚光點的聚光器;聚光點位置調整手段,使該聚光器形成的雷射光線的聚光點在與該保持手段的工件保持面垂直的方向移動;加工進給手段,使該保持手段及該雷射光線照射手段在加工進給方向相對地移動;攝像手段,拍攝保持於該保持手段的工件的上表面;以及控制手段,其中,該雷射光線的焦點檢測方法具備:檢查用晶圓載置步驟,將正、背面呈平坦的檢查用晶圓載置於該保持手段上;雷射點形成步驟,在實施該檢查用晶圓載置步驟後,在包夾該檢查用晶圓上表面位置的垂直方向的預定範圍內,使該雷射光線聚光位置變化多次並進行定位,將波長對該檢查用晶圓具有吸收性的脈衝雷射光線以間隙介於鄰接的雷射點間的方式連續地照射,而在預定範圍的多個聚光位置形成多個雷射點;以及合焦位置決定步驟,在實施該雷射點形成步驟後,藉由該攝像手段拍攝各聚光位置的雷射點,並藉由該控制手段從拍攝的雷射點影像擷取該雷射點形狀,依各聚光位置計算每個與預先記憶於記憶手段的理想雷射點形狀的類似度,將最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
較佳地,在合焦位置決定步驟中,計算各聚光位置的類似度的近似曲線,並將近似曲線中最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
[發明功效]
若依據本發明的雷射光線的焦點位置檢測方法,因利用攝像手段對檢查用晶圓拍攝在相異的多個聚光位置形成的雷射點,並計算與理想雷射點形狀的類似度而檢測出合焦位置,故不須另外設置特殊的機構,可簡單且確實地自動進行檢查。
若依據本發明的雷射光線的焦點位置檢測方法,因利用攝像手段對檢查用晶圓拍攝在相異的多個聚光位置形成的雷射點,並計算與理想雷射點形狀的類似度而檢測出合焦位置,故不須另外設置特殊的機構,可簡單且確實地自動進行檢查。
以下,參照隨附圖式,對涉及本實施方式的脈衝雷射光線的焦點位置檢測方法加以說明。圖1為涉及本實施方式的雷射加工裝置的一例的立體圖。另外,涉及本實施方式的脈衝雷射光線的焦點位置檢測方法所使用的雷射加工裝置並非限定於圖1所示的構成,只要是可和本實施方式同樣地能夠加工晶圓,則可為任意加工裝置。
如圖1所示,雷射加工裝置1構成為對保持於基台2上的卡盤台(保持手段)3的圓板狀晶圓(工件)W,藉由設於卡盤台3上方的雷射光線照射手段4進行加工。晶圓W藉由形成為格子狀的多條切割道ST而在正面劃分有多個區域,且在該劃分的區域形成有IC、LSI等的元件D。在晶圓W的背面黏貼有由合成樹脂片構成的保護膠膜T,且晶圓W透過保護膠膜T裝設於環狀的框架F。另外,晶圓W只要在如後所述地藉由脈衝雷射光線形成雷射點的範圍內,可採用各種晶圓。例如,可為在矽、砷化鎵等的半導體基板形成有IC、LSI等的半導體元件的半導體晶圓,也可為在藍寶石、碳化矽等的無機材料基板形成LED等的光元件的光元件晶圓。
在卡盤台3的表面形成有藉由多孔質陶瓷材而從背面側吸附保持晶圓W的保持面(工件保持面)3a。保持面3a則通過卡盤台3内的流路連接於吸引源(未圖示)。卡盤台3具有圓盤形狀,且設成藉由未圖示的旋轉手段而能夠以圓盤中心為軸進行旋轉。在卡盤台3的周圍透過支撐臂設有一對夾具9。藉由空氣致動器驅動各夾具9,藉此從X軸方向兩側將晶圓W周圍的框架F挾持固定。
卡盤台3的下方設有藉由圓筒構件10支撐的蓋板11。圓筒構件10設於分度進給手段13的上方。分度進給手段13具有平行於Y軸方向的一對導軌14及滾珠螺桿15、以及能夠滑動地設置在一對導軌14的Y軸工作台16。在Y軸工作台16的背面側形成有未圖示的螺母部,滾珠螺桿15則螺合於該螺母部。而且,藉由連結於滾珠螺桿15的一端部的驅動馬達17進行旋轉驅動,使Y軸工作台16沿著導軌14在分度進給方向(Y軸方向)移動。
分度進給手段13設於構成加工進給手段20的X軸工作台21上。加工進給手段20又包含配置在基台2上且平行於X軸方向的一對導軌22及滾珠螺桿23,X軸工作台21則能夠滑動地設置在一對導軌22。在X軸工作台21的背面側形成有未圖示的螺母部,滾珠螺桿23則螺合於該螺母部。而且,藉由連結於滾珠螺桿23的一端部的驅動馬達24進行旋轉驅動,使X軸工作台21沿著導軌22在加工進給方向(X軸方向)移動。
雷射光線照射手段4設成可藉由支撐機構(聚光點位置調整手段)27而在卡盤台3上方於Y軸方向及Z軸方向(垂直方向)移動。支撐機構27具有配置於基台2上的平行於Y軸方向的一對導軌28、以及能夠滑動地設置於一對導軌28的馬達驅動的Y軸工作台29。Y軸工作台29形成為俯視呈矩形狀,在其X軸方向的一端部立設有側壁部30。
再者,支撐機構27具有設置於側壁部30的壁面且平行於Z軸方向的一對導軌32(僅圖示1支)、以及能夠滑動地設置於一對導軌32的Z軸工作台33。此外,在Y軸工作台29、Z軸工作台33的背面側分別形成有未圖示的螺母部,滾珠螺桿34、35螺合至該些螺母部。而且,藉由連結於滾珠螺桿34、35的一端部的驅動馬達36、37進行旋轉驅動,使雷射光線照射手段4沿著導軌28、32再Y軸方向及Z軸方向移動。
雷射光線照射手段4包含懸臂支撐於Z軸工作台33的圓筒形狀的外殼40、以及裝設於外殼40前端的聚光器44。有關於該雷射光線照射手段4,參照圖2說明如下。圖2為裝設於上述雷射加工裝置的雷射光線照射手段的方塊構成圖。如圖2所示,雷射光線照射手段4具備:雷射光線振盪手段42,配設於圖1的外殼40内;光學系統43,將藉由雷射光線振盪手段42振盪產生的脈衝雷射光線進行傳送;聚光器44,將藉由光學系統43傳送的脈衝雷射光線聚光並照射於保持在卡盤台3的晶圓W而生成聚光點;以及波長變換機構45,配設於光學系統43與聚光器44之間,將藉由雷射光線振盪手段42振盪產生的脈衝雷射光線的波長變換為適於晶圓W加工的短波長。
雷射光線振盪手段42由振盪產生例如波長為1064nm的脈衝雷射的脈衝雷射振盪器421、以及設定脈衝雷射振盪器421振盪的脈衝雷射的重複頻率的重複頻率設定手段422構成。光學系統43配設於雷射光線振盪手段42與聚光器44之間。光學系統43由將從雷射光線振盪手段42振盪產生的脈衝雷射光線的光束徑進行調整的光束徑調整器431、以及將從雷射光線振盪手段42振盪產生的脈衝雷射光線輸出調整為預定輸出的輸出調整手段432組成。雷射光線振盪手段42的脈衝雷射光線振盪器421及重複頻率設定手段422、光學系統43的光束徑調整器431及輸出調整手段432則由後述的控制手段60控制。
聚光器44具備:方向變換反射鏡441,將從雷射光線振盪手段42振盪產生、藉由光學系統43傳送且藉由後述的波長變換機構45變換波長的脈衝雷射光線變換方向而朝向卡盤台3;以及聚光透鏡442,將藉由方向變換反射鏡441變換方向的脈衝雷射光線聚光並向晶圓W照射。波長變換機構45配設於光學系統43與聚光器44之間。波長變換機構45例如將通過光學系統43的波長1064nm的脈衝雷射光線變換成波長532nm或266nm的脈衝雷射光線。
返回圖1,外殼40的前端部配設有攝像手段50。攝像手段50設成能夠對藉由顯微鏡放大成預定倍率並投影的晶圓W正面區域進行拍攝。攝像手段50具備CCD等的攝像元件(未圖示),攝像元件則以多個像素構成,且可獲得與各像素的受光量相應的電訊號。因而,攝像手段50藉由拍攝晶圓W的正面而能夠拍攝並檢測切割道ST。基於攝像手段50的拍攝影像,使雷射光線照射手段4和晶圓W對準。
雷射加工裝置1設有對裝置的各構成要件進行整合控制的控制手段60。控制手段60以執行各種處理的處理器構成。除了攝像手段50檢測所得的訊號以外,亦將來自省略圖示的各種檢測器的檢測結果輸入至控制手段60。控制訊號則從控制手段60輸出到驅動馬達17、24、36、37、雷射光線振盪手段42等。
再者,雷射加工裝置1中設有記憶各種參數或程式等的記憶手段61。記憶手段61是由記憶體構成。記憶體依照用途而由ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等的一種或多種記憶媒體構成。記憶手段61中記憶有關於後述的理想雷射點LS(參照圖3)的形狀輪廓的資料、或有關該輪廓的後述類似度的閾值等。
接著,說明有關晶圓的加工方法。利用本實施方式的雷射加工裝置的加工方法中,沿著晶圓W的切割道ST按每個預定間隔形成多個雷射點LS(參照圖3)。
在本實施方式的加工方法中,首先實施晶圓載置步驟。在晶圓載置步驟中,藉由未圖示的搬送手段等,對於圖1所示的卡盤台3而載置透過保護膠膜T支撐於環狀框架F的晶圓W。然後,藉由運作未圖示的吸附手段,晶圓W透過保護膠膜T吸附保持於卡盤台3。此外,框架F藉由夾具9予以固定。
晶圓載置步驟實施後實施雷射點形成步驟。在雷射點形成步驟中,首先,卡盤台3藉由加工進給手段20定位於攝像手段50的正下方位置,藉由攝像手段50及控制手段60執行檢測晶圓W應進行雷射加工的區域的對準。在對準操作中,為了雷射光線照射手段4的聚光器44與晶圓W之間的對位,而以控制手段60對藉由攝像手段50拍攝的晶圓W的切割道ST進行圖案匹配等的影像處理。
然後,基於在控制手段60的計算結果,控制卡盤台3的移動、旋轉,以正交的切割道ST的任一者與X軸方向呈平行並且延伸的方式使晶圓W對位。接著,對於卡盤台3上的晶圓W,使雷射光線照射手段4的聚光器44定位於與X軸方向呈平行的切割道ST。而且,使從聚光器44照射的脈衝雷射光線的聚光點定位在保持於卡盤台3的晶圓W上。然後,一邊從聚光器44照射波長對晶圓W具有吸收性的脈衝雷射光線,一邊藉由加工進給手段20使卡盤台3與聚光器44在作為加工進給方向的X軸方向相對地移動。
藉此,如圖3所示地,在晶圓W上沿著切割道ST基於脈衝雷射光線的波長的每個脈衝節距形成多個雷射點LS。換句話說,藉由脈衝雷射光線的連續照射,會形成間隙S介於鄰接的雷射點LS間的狀態。圖3為已實施雷射點形成步驟的晶圓的局部放大俯視圖。圖3中,雷射點LS的形狀形成為邊角圓弧四角形狀或長孔狀,但並不受此限制,也能夠作成圓形、楕圓形、矩形(方形)等種種變更。
沿著對象的切割道ST形成多個雷射點LS後,停止脈衝雷射光線的照射,且使卡盤台3與聚光器44在Y軸方向對應切割道ST的間隔相對移動(分度進給)。藉此,即可將聚光器44對準鄰接於對象切割道ST的切割道ST。接著,沿著鄰接的切割道ST同樣地形成多個雷射點LS。重複該動作,沿著在X軸方向延伸的全部切割道ST形成雷射點LS,然後,使卡盤台3繞旋轉軸旋轉90°,沿著在Y軸方向延伸的切割道ST形成雷射點LS。
不過,在雷射加工時照射的雷射光線為設定成對晶圓W在Z軸方向(垂直方向)的預定位置聚焦形成雷射點LS。雷射加工裝置1出貨時,設定從雷射光線照射手段4照射的雷射光線的聚光位置作為設計值。更換卡盤台3時,或因伴隨裝置使用而雷射光線照射手段4的狀態變化(透鏡的變形或汙染、光學系統的微細位置偏離等)時,雷射光線照射時對晶圓W的聚光位置會有從設計值改變的情形,因而在進行加工前,有將實際的雷射光線聚光位置加以檢測的必要。
本實施方式即為藉由控制手段60的控制自動執行這種雷射光線的焦點位置檢測的技術,就其檢測方法加以說明。在該檢測方法中,使用檢查用晶圓來代替上述的晶圓W。作為檢查用晶圓,只要能與上述同樣地形成雷射點LS,則可利用與製造商品時使用的晶圓W相同的晶圓,也可利用與該晶圓W相異材質(相異價格)的晶圓。
本實施方式的雷射光線焦點位置檢測方法是按晶圓載置步驟、雷射點形成步驟、合焦位置決定步驟的順序實施。
在本實施方式的雷射光線的焦點位置檢測方法中,對上述加工方法將晶圓W變更為檢查用晶圓,與上述同樣地實施晶圓載置步驟後,實施雷射點形成步驟。因而,作為檢查用晶圓,加註括弧且將符號TS一併記載於圖1及圖3的晶圓W的符號,有關晶圓載置步驟的詳細說明則予以省略。如圖4所示,檢查用晶圓TS的正、背面呈平坦狀,在晶圓載置步驟中保持在卡盤台3上的狀態下,檢查用晶圓TS的上表面U(圖4)呈水平。另外,圖4為表示檢查用晶圓TS在X軸方向及Y軸方向的一部分,檢查用晶圓TS的實際外形形狀與圖4所示者並不相同。
在焦點位置檢測方法的雷射點形成步驟中,與上述加工方法的雷射點形成步驟同樣地在檢查用晶圓TS上使X軸方向的間隙S介在而形成多個雷射點LS。但,形成該些雷射點LS時,如圖4所示,在包夾檢查用晶圓TS的上表面U位置的Z軸方向(垂直方向)的預定範圍內,使雷射光線的聚光位置改變多次進行對位(使散焦量改變),而在Z軸方向相異的多個位置形成各雷射點LS(LS1~LS6)。圖4中,形成各雷射點LS1~LS6的Z軸方向聚光位置的差異以一點鏈線M作假想性的表示。另外,以雷射點形成步驟形成的雷射點數目為任意,並不限定於圖4所示的數目。
依此方式實施雷射點形成步驟後實施合焦位置決定步驟。在合焦位置決定步驟中實施攝像步驟、擷取步驟、計算步驟、及決定步驟。
攝像步驟中,使先前的雷射點形成步驟中形成的聚光位置(散焦量)相異的多個雷射點LS(圖4)定位於攝像手段50的正下方,在作為加工進給方向的X軸方向多處,藉由攝像手段50拍攝各雷射點LS。所拍攝的在各聚光位置的雷射點LS的影像資料輸入控制手段60。
攝像步驟實施後實施擷取步驟。在擷取步驟中,以控制手段60從拍攝的在各聚光位置的雷射點LS的影像資料實施擷取其雷射點LS的輪廓的適當處理。舉例而言,從在各聚光位置的雷射點LS的影像資料藉由預定的演算法實施對該雷射點LS的輪廓作線狀擷取的影像處理。為了在下一個計算步驟獲得適當的計算結果,在擷取步驟的輪廓擷取處理是對全部在聚光位置的雷射點LS的影像資料以相同條件進行。
在擷取步驟中,就攝像步驟拍攝的各雷射點LS之中,以圖3中虛線框圍繞的兩端部分E作為對象進行輪廓的擷取處理。由於雷射點LS的兩端部分E並非單純的直線,而是包含了特徵性的形狀,故適合邊緣檢測,可高精確度地進行輪廓的擷取。另外,非屬如圖3的邊角圓弧四角形的雷射點LS的情況中,較佳為以雷射點長邊方向的兩端部分作為輪廓的擷取對象。
實施擷取步驟後實施計算步驟。在實施計算步驟之前的階段,基於脈衝雷射光線的照射條件等,使可作為雷射點LS的形狀達到理想輪廓的基準資料預先記憶於記憶手段61。此處所稱的理想形狀,例如能夠由雷射點LS形成用的控制雷射光線通過的遮罩形狀等來設定。
在計算步驟中,利用控制手段60將在擷取步驟中擷取的各聚光位置的雷射點LS(圖4)的各個影像資料(特別是兩端部分E的輪廓影像資料)、與記憶於記憶手段61的基準資料分別比較,並藉由圖案匹配等預定的影像判定法計算各個影像資料相對於基準資料的類似度。類似度為表示影像資料相對於基準資料的偏離度的方式,偏離度越大時類似度越低;偏離度較小時則類似度較高。
如圖4所示,使聚光位置相異而形成的多個雷射點LS1~LS6在Z軸方向的形成部位亦各不相同。因此,因散焦量的差異,在攝像步驟拍攝時各雷射點LS1~LS6的輪廓鮮明度(模糊量)各不相同。基於該鮮明度的差異,在擷取步驟中從各個雷射點LS1~LS6擷取的影像資料就各不相同。結果,在計算步驟中,各雷射點LS1~LS6的影像資料相對於基準資料的類似度會發生差異。亦即,在計算步驟中計算的類似度差異會與各個的各雷射點LS1~LS6的聚光位置的差異對應。
實施計算步驟後實施決定步驟。在決定步驟中,就多個雷射點LS的影像資料在計算步驟所計算的類似度之中,將相對於上述理想輪廓的類似度為最大的雷射點LS的聚光位置決定為合焦位置。
圖5為表示將聚光位置相異的多個雷射點LS(LS1~LS6)作為對象的類似度判定概念圖。圖5的例子中,在各雷射點LS1~LS6之中,雷射點LS4的影像資料相對於基準資料的類似度達到最大。決定步驟的第1態樣為將該最大類似度的雷射點LS4的聚光位置直接決定為合焦位置。
決定步驟的第2態樣為從各雷射點LS的聚光位置(散焦量)、與各雷射點LS的影像資料的輪廓鮮明度(與基準資料的類似度)之間的關係,作成類似度的近似曲線AC(圖5),並將該近似曲線AC上最大類似度的聚光位置LS-V(圖5)決定為合焦位置。藉由依此方式作成近似曲線,即使未在攝像步驟進行拍攝的聚光位置也能設定合焦位置,故可實現更高精確度的合焦判定。
控制手段60將經由以上各步驟決定的合焦位置作為基準,並定位雷射光線的聚光位置,上述檢測方法就告結束。接著,基於該檢測後(修正後)的聚光位置,控制雷射光線照射手段4的Z軸方向位置,執行上述加工方法中對晶圓W的雷射加工。
依上述方式,在本實施方式的檢測方法中,基於雷射點LS的攝像結果,可利用控制手段60決定屬於合焦位置的雷射聚光位置。藉此方式,即使不藉由操作人員進行目視,也可防止因操作人員的熟練度導致檢測精確度變不穩定的情形,而能以優異精確度穩定檢測雷射光線的焦點位置。此外,與操作人員的目視相比,能夠縮短判定所需的處理時間,可謀求檢測的效率化。
而且,由於可使用晶圓W對準用的攝像手段50檢測雷射點LS,可以不必增設用於此種檢測的感測器或攝像機器,故可謀求裝置構成的簡化。
另外,也可對決定步驟的基準資料類似度判定設定閾值。攝像步驟及擷取步驟中取得的多個雷射點LS的全部影像資料,在相對於計算步驟所計算的基準資料的類似度中有低於閾值(類似度過低)的情形時,則有雷射光線照射手段4中的雷射照射或檢查用晶圓TS的保持狀態等發生某種錯誤而未適當形成雷射點的可能性。在這種情況時,控制手段60可不執行決定步驟中的合焦位置決定,並且用顯示或聲音等的告知手段(圖示省略)對操作人員告知錯誤狀態。
另外,本發明的實施方式並非限定於上述的各實施方式,在不脫離本發明技術性思想的要旨的範圍內,也可作各種的變更、置換、及變形。甚至,藉由技術的進步或衍生的其他技術,只要能夠以其他方法實現本發明的技術性思想,也可用該方法來實施。因而,申請專利範圍涵蓋本發明技術性思想的範圍内所能含括的全部實施態樣。
上述實施方式中,雖在計算步驟中利用圖案匹配來計算與理想雷射點形狀的類似度,但2個雷射點形狀的類似度的計算方法,但只要能夠計算彼等的相關程度,則無特別限定而可採用各種方法。
此外,攝像手段50雖以兼用於雷射點LS的檢測與晶圓W的對準的情況來說明,但分別設置專用的攝像手段亦無妨。
如以上所說明,本發明具有可容易且確實地判定雷射光線的焦點位置的功效,對工件照射雷射光線形成雷射點而進行加工時甚為有用。
1‧‧‧雷射加工裝置
3‧‧‧卡盤台(保持手段)
3a‧‧‧保持面(工件保持面)
4‧‧‧雷射光線照射手段
13‧‧‧分度進給手段
16‧‧‧Y軸工作台
20‧‧‧加工進給手段
21‧‧‧X軸工作台
27‧‧‧支撐機構(聚光點位置調整手段)
29‧‧‧Y軸工作台
33‧‧‧Z軸工作台
42‧‧‧雷射光線振盪手段
43‧‧‧光學系統
44‧‧‧聚光器
45‧‧‧波長變換機構
50‧‧‧攝像手段
60‧‧‧控制手段
61‧‧‧記憶手段
AC‧‧‧近似曲線
LS‧‧‧雷射點
LS-V‧‧‧近似曲線上最大類似度的聚光位置
TS‧‧‧檢查用晶圓
W‧‧‧晶圓(工件)
圖1為表示本實施方式的雷射加工裝置的一例的立體圖。
圖2為裝設於上述雷射加工裝置的雷射光線照射手段的方塊構成圖。
圖3為實施雷射點形成步驟的晶圓局部放大俯視圖。
圖4為本實施方式的焦點位置檢測方法中,在雷射點形成步驟形成的聚光位置相異的多個雷射點的立體圖。
圖5為各雷射點的影像資料與基準資料的類似度判定態樣的曲線圖。
Claims (2)
- 一種雷射光線的焦點位置檢測方法,在雷射加工裝置中檢測由雷射光線照射手段照射的雷射光線的焦點位置,該雷射加工裝置具備: 保持手段,保持工件; 雷射光線照射手段,具備從保持於該保持手段的工件的上表面側照射雷射光線並形成聚光點的聚光器; 聚光點位置調整手段,使該聚光器形成的雷射光線的聚光點在與該保持手段的工件保持面垂直的方向移動; 加工進給手段,使該保持手段及該雷射光線照射手段在加工進給方向相對地移動; 攝像手段,拍攝保持於該保持手段的工件的上表面;以及 控制手段, 其中,該雷射光線的焦點檢測方法具備: 檢查用晶圓載置步驟,將正、背面呈平坦的檢查用晶圓載置於該保持手段上; 雷射點形成步驟,在實施該檢查用晶圓載置步驟後,在包夾該檢查用晶圓上表面位置的垂直方向的預定範圍內,使該雷射光線聚光位置變化多次並進行定位,將波長對該檢查用晶圓具有吸收性的脈衝雷射光線以間隙介於鄰接的雷射點間的方式連續地照射,而在預定範圍的多個聚光位置形成多個雷射點;以及 合焦位置決定步驟,在實施該雷射點形成步驟後,藉由該攝像手段拍攝各聚光位置的雷射點,並藉由該控制手段從拍攝的雷射點影像擷取該雷射點形狀,依各聚光位置計算每個與預先記憶於記憶手段的理想雷射點形狀的類似度,將最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射光線的焦點位置檢測方法,其中, 在該合焦位置決定步驟中,計算各聚光位置的該類似度的近似曲線,並將該近似曲線中最大類似度的聚光位置決定為合焦位置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018082206A JP7037425B2 (ja) | 2018-04-23 | 2018-04-23 | レーザー光線の焦点位置検出方法 |
| JP2018-082206 | 2018-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201944157A true TW201944157A (zh) | 2019-11-16 |
| TWI774950B TWI774950B (zh) | 2022-08-21 |
Family
ID=68388320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108113838A TWI774950B (zh) | 2018-04-23 | 2019-04-19 | 雷射光線的焦點位置檢測方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7037425B2 (zh) |
| SG (1) | SG10201903362XA (zh) |
| TW (1) | TWI774950B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7266254B2 (ja) | 2019-06-17 | 2023-04-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガラスパネルユニット、ガラスパネルユニットの製造方法 |
| CN112091413B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-07-12 | 广州新可激光设备有限公司 | 一种激光打标系统的打标焦距校正方法 |
| CN114688993B (zh) * | 2022-06-01 | 2022-08-16 | 江苏匠岭半导体有限公司 | 一种基于晶圆承载台三维形貌快速聚焦的方法 |
| CN117974766B (zh) * | 2024-03-28 | 2024-06-07 | 西北工业大学 | 基于时空依据的分布式双红外传感器多目标同一性判定方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3259462B2 (ja) * | 1993-08-30 | 2002-02-25 | 松下電器産業株式会社 | レーザ加工機の焦点位置検出方法およびその装置 |
| JP4158750B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2008-10-01 | ソニー株式会社 | オートフォーカス制御方法、オートフォーカス制御装置および画像処理装置 |
| JP2007229786A (ja) | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及び焦点合わせ制御方法 |
| US8993372B2 (en) * | 2011-03-01 | 2015-03-31 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for producing a semiconductor component |
| JP6423135B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2018-11-14 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターン付き基板の分割方法 |
| US12202070B2 (en) * | 2016-01-28 | 2025-01-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser output device |
-
2018
- 2018-04-23 JP JP2018082206A patent/JP7037425B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-15 SG SG10201903362X patent/SG10201903362XA/en unknown
- 2019-04-19 TW TW108113838A patent/TWI774950B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI774950B (zh) | 2022-08-21 |
| SG10201903362XA (en) | 2019-11-28 |
| JP2019188424A (ja) | 2019-10-31 |
| JP7037425B2 (ja) | 2022-03-16 |
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