TW202016280A - 表面處理組成物及方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露內容係關於用於處理晶圓之方法及組成物，該晶圓具有圖案設置於其表面上。

Description

表面處理組成物及方法
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年3月20日申請的美國臨時申請案序列號62/820,905、2018年11月7日申請的美國臨時申請案序列號62/756,644及2018年7月30日申請的美國臨時申請案序列號62/712,006之優先權，該等臨時申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。發明領域
本揭露內容一般係關於表面處理，且更特定言之，關於在需要形成疏水層之半導體表面的液體處理。
發明背景
在低於20 nm之臨界尺寸下，FinFET及介電質堆疊在濕式清潔及乾燥期間發生之圖案崩潰已成為半導體製程中之主要問題。圖案崩潰之習知理論表明沖洗及乾燥期間之高毛細管力係導致崩潰現象之主要促成因素。然而，其他化學及基體特性亦可能起重要作用，亦即，液體表面張力及黏度、基體機械強度、圖案密度及縱橫比，以及清潔劑化學物質對基體表面之損害。
發明概要
已發現，使半導體基體(例如矽或銅晶圓)之表面具有疏水層(例如疏水性單層)之低表面張力調節流體可使乾燥過程中驅使圖案崩潰之毛細管力降至最低。在不希望受理論束縛之情況下，咸信當接觸角，亦即液體(例如水)當接觸基體表面時產生之角度，呈或接近90度時，拉普拉斯壓力(Laplace pressure)降至最低。此與低表面張力流體之存在的組合可顯著減小引起圖案崩潰之力。
一般而言，本揭露內容提供用於處理半導體基體(例如圖案化晶圓)之圖案化表面的方法及組成物，其中在該表面上形成疏水層，藉此使該表面在半導體製程中經歷典型清潔及乾燥步驟時發生的圖案崩潰減至最少或得以防止。本文所揭露之方法採用在該表面上形成疏水層，以使得經處理表面具有至少約50度之水接觸角的組成物。
在一個態樣中，本揭露內容之特徵在於用於處理半導體基體之方法，該半導體基體具有圖案設置於晶圓之表面上。此類方法可包括使表面與表面處理組成物接觸以形成表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之水接觸角。表面處理組成物可包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成)至少一種溶劑(例如，至少一種有機溶劑)及至少一種三烷基矽烷基化合物，其選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群。表面處理組成物可實質上不含丙二醇甲醚乙酸酯且除至少一種三烷基矽烷基化合物外，實質上不含其他含Si化合物(例如，矽氧烷，諸如二矽氧烷、矽烷或矽氮烷)。該圖案可包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體(feature)。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於表面處理組成物，其包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成) (1)至少一種三烷基矽烷基化合物，其量為表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%，該至少一種三烷基矽烷基化合物係選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群；及(2)至少一種溶劑(例如，至少一種有機溶劑)，其量為表面處理組成物之約1 wt%至約99 wt%。表面處理組成物可實質上不含丙二醇甲醚乙酸酯且除至少一種三烷基矽烷基化合物外，實質上不含其他含Si化合物(例如，矽氧烷，諸如二矽氧烷、矽烷或矽氮烷)。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於用於處理半導體基體之方法，該半導體基體具有圖案設置於晶圓之表面上。此類方法可包括使表面與表面處理組成物接觸以形成表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之水接觸角。表面處理組成物可包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成)至少一種矽氧烷化合物及至少一種三烷基矽烷基化合物，其選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群。該圖案可包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於表面處理組成物，其包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成) (1)至少一種三烷基矽烷基化合物，其量為表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%，該至少一種三烷基矽烷基化合物係選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群；及(2)至少一種矽氧烷化合物，其量為表面處理組成物之約85 wt%至約99.9 wt%。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於用於處理半導體基體之方法，該半導體基體具有圖案設置於晶圓之表面上。此類方法可包括使表面與表面處理組成物接觸以形成表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之水接觸角。表面處理組成物可包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成)至少一種溶劑、至少一種磺酸或其鹽及至少一種三烷基矽烷基化合物，其選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群。除至少一種三烷基矽烷基化合物外，表面處理組成物可實質上不含其他含Si化合物。該圖案可具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於表面處理組成物，其包括(例如，包含以下、由以下組成或基本上由以下組成) (1)至少一種磺酸或其鹽，其量為表面處理組成物之約0.01 wt%至約10 wt%；(2)至少一種三烷基矽烷基化合物，其量為表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%，該至少一種三烷基矽烷基化合物係選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群；及(3)至少一種溶劑，其量為表面處理組成物之約1 wt%至約99 wt%。除至少一種三烷基矽烷基化合物外，表面處理組成物可實質上不含其他含Si化合物。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於包括半導體基體及由該半導體基體負載的本文中所述之表面處理組成物的製品。
本發明之其他特徵、目標及優勢將自本說明書及申請專利範圍顯而易見。
較佳實施例之詳細說明
在一些實施例中，本揭露內容係關於表面處理方法。此類方法可例如藉由使基體(例如，半導體基體，諸如矽或銅晶圓)之表面(例如，具有圖案之表面)與表面處理組成物接觸來進行，該表面處理組成物包括至少一種(例如，二種、三種或四種)溶劑及至少一種(例如，二種、三種或四種)三烷基矽烷基化合物，其選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群。該圖案可包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。一般而言，表面處理組成物在表面上形成表面處理層(例如疏水性單層)，以使得表面具有至少約50度之水接觸角。
在一些實施例中，表面處理組成物可實質上不含丙二醇甲醚乙酸酯及/或除至少一種三烷基矽烷基化合物外，實質上不含其他含Si化合物。如本文所用，術語「實質上不含」係指一種組分之重量%係至多約0.1%(例如至多約0.05%、至多約0.01%、至多約0.005%、至多約0.001%或約0%)。
在一些實施例中，可藉由本文所述之表面處理組成物處理的半導體基體係由矽、矽鍺、氮化矽、銅、III-V族化合物(諸如GaAs)或其任何組合構成。在一些實施例中，半導體基體可為矽晶圓、銅晶圓、二氧化矽晶圓、氮化矽晶圓、氮氧化矽晶圓、摻碳之氧化矽晶圓、SiGe晶圓或GaAs晶圓。半導體基體可另外在其表面上含有暴露的積體電路結構，諸如互連形貌體(例如金屬線及介電質材料)。用於互連形貌體之金屬及金屬合金包括但不限於鋁、鋁與銅之合金、銅、鈦、鉭、鈷、鎳、矽、多晶矽、氮化鈦、氮化鉭、錫、鎢、SnAg、SnAg/Ni、CuNiSn、CuCoCu及/或CoSn。半導體基體亦可含有層間介電質層、氧化矽層、氮化矽層、氮化鈦層、碳化矽層、碳氧化矽層、氮氧化矽層、氧化鈦層及/或摻碳之氧化矽層。
在一些實施例中，待用本文所述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括含SiO2 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge及/或W之形貌體。在一些實施例中，基體半導體表面包括含SiO2 及/或SiN之形貌體。
一般而言，待用本文所述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括藉由先前的半導體製程(例如微影製程，其包括施加光阻層，使該光阻層曝露於光化輻射，使該光阻層顯影，蝕刻在該光阻層下方之半導體基體及/或移除該光阻層)形成的圖案。在一些實施例中，圖案可包括具有至多約20 nm (例如至多約15 nm、至多約10 nm或至多約5 nm)及/或至少約1 nm (例如至少約2 nm或至少約5 nm)之至少一種(例如二種或三種)尺寸(例如長度、寬度及/或深度)的形貌體。
一般而言，本文所述之表面處理組成物可包括至少一種(二種、三種或四種)三烷基矽烷基化合物及至少一種(例如，二種、三種或四種)溶劑。在一些實施例中，三烷基矽烷基化合物可包括SiR3 基團，其中各R可獨立地為C1 -C16 烷基或C1 -C16 鹵烷基。舉例而言，三烷基矽烷基化合物可包括三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基或三丁基矽烷基。
在一些實施例中，三烷基矽烷基化合物可選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯，芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群。可用於本文所述之表面處理組成物中的適合三烷基矽烷基化合物之實例包括甲磺酸三烷基矽烷酯、三氟甲磺酸三烷基矽烷酯(trialkylsilyl trifluoromethanesulfonate)(亦即，三氟甲磺酸三烷基矽烷酯(trialkylsilyl triflate))、全氟丁磺酸三烷基矽烷酯、對甲苯磺酸三烷基矽烷酯、苯磺酸三烷基矽烷酯及三氟乙酸三烷基矽烷酯、三氯乙酸三烷基矽烷酯及三溴乙酸三烷基矽烷酯。適合的三烷基矽烷基化合物之具體實例為三氟甲磺酸三甲基矽烷酯。
在一些實施例中，至少一種三烷基矽烷基化合物可佔本文所述之表面處理組成物的至少約0.1 wt% (例如，至少約0.2 wt%、至少約0.3 wt%、至少約0.4 wt%、至少約0.5 wt%、至少約0.6 wt%、至少約0.7 wt%、至少約0.8 wt%、至少約0.9 wt%、至少約1 wt%、至少約2 wt%、至少約3 wt%、至少約4 wt%、至少約5 wt%、至少約6 wt%、至少約7 wt%、至少約8 wt%或至少約9 wt%)至至多約15 wt% (例如，至多約14 wt%、至多約13 wt%、至多約12 wt%、至多約11 wt%、至多約10 wt%、至多約9 wt%、至多約8 wt%、至多約7 wt%、至多約6 wt%、至多約5 wt%、至多約4 wt%、至多約3 wt%、至多約2 wt%、至多約1 wt%、至多約0.9 wt%、至多約0.8 wt%、至多約0.7 wt%、至多約0.6 wt%或至多約0.5 wt%)。
在一些實施例中，本文所述之表面處理組成物可包括至少一種溶劑(例如，至少一種有機溶劑)，諸如酐、腈、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、醇、羧酸(例如，pKa為至少0的羧酸)、磺酸及醚。適合溶劑之實例包括乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐、乙腈、C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、苯甲醚、二甲碸、二甲亞碸(DMSO)、環丁碸、碳酸伸丙酯、甲基乙基酮(MEK)、環己酮、乙酸正丁酯、乙酸己酯、乙酸苄酯、乙酸戊酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、丙酸丙酯、丁酸甲酯、乙酸、甲酸、甲磺酸、三氟乙酸、異丁基甲基酮、N-甲基-吡咯啶酮(NMP)、氫氟醚(例如，甲基九氟丁基醚及甲基九氟異丁基醚)或其組合。在一些實施例中，本文所述之表面處理組成物可包括水或可實質上不含水。
在一些實施例中，至少一種溶劑可佔本文所述之表面處理組成物的至少約1 wt% (例如，至少約5 wt%、至少約10 wt%、至少約20 wt%、至少約30 wt%、至少約40 wt%、至少約50 wt%、至少約60 wt%、至少約70 wt%、至少約75 wt%、至少約80 wt%、至少約85 wt%、至少約90 wt%或至少約95 wt%)至至多約99.9 wt% (例如，至多約99 wt%、至多約95 wt%、至多約90 wt%、至多約85 wt%、至多約75 wt%、至多約65 wt%、至多約55 wt%、至多約45 wt%、至多約35 wt%或至多約25 wt%)。
在一些實施例中，本文所述之表面處理組成物可進一步包括至少一種(例如，二種、三種或四種)磺酸或其鹽。至少一種磺酸可包括式(I)磺酸：R-SO3 H，其中R為任擇地經一或多個(例如，二個、三個或四個)鹵基(例如，F、Cl、Br、或I)取代之C1 -C16 烷基(例如，甲基或辛基)，或任擇地經一或多個(例如，二個、三個或四個) C1 -C16 烷基(例如，C12 烷基)取代之苯基。適合磺酸之實例包括對二甲苯-2-磺酸、對甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸及1H,1H,2H,2H-全氟辛磺酸。磺酸之適合鹽包括鈉鹽、鉀鹽及銨鹽。
在一些實施例中，至少一種磺酸或其鹽可佔本文所述之表面處理組成物的至少約0.01 wt% (例如，至少約0.02 wt%、至少約0.04 wt%、至少約0.05 wt%、至少約0.06 wt%、至少約0.08 wt%、至少約0.1 wt%、至少約0.2 wt%、至少約0.3 wt%、至少約0.4 wt%、或至少約0.5 wt%)至至多約10 wt% (例如，至多約8 wt%、至多約6 wt%、至多約5 wt%、至多約4 wt%、至多約2 wt%、至多約1 wt%、至多約0.9 wt%、至多約0.8 wt%、至多約0.7 wt%、至多約0.6 wt%、至多約0.5 wt%、至多約0.4 wt%、至多約0.3 wt%、至多約0.2 wt%、至多約0.1 wt%或至多約0.05 wt%)。
已意外地發現，上文所述的磺酸或其鹽可在用本文所述之表面處理組成物處理表面之後，顯著減少半導體製程中通常使用的乾燥步驟過程中半導體基體表面上的崩潰圖案形貌體(例如，具有至多約20 nm之尺寸)之數目。
在一些實施例中，當除了至少一種三烷基矽烷基化合物之外，本文所述之表面處理組成物亦包括含Si化合物時，至少一種溶劑可包括至少一種(例如，二種、三種或四種)矽氧烷化合物。矽氧烷化合物可為二矽氧烷、寡聚矽氧烷、環矽氧烷或聚矽氧烷。如本文所用，術語「寡聚矽氧烷」係指具有3至6個矽氧烷單元之化合物，且術語「聚矽氧烷」係指具有超過6個矽氧烷單元之化合物。
可用於本文所述之表面處理組成物中的適合矽氧烷化合物之實例包括六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯-二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、異稠六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、3-胺丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺乙基胺甲基)-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)咪唑-2-亞基六氯二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基-四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基-三矽氧烷、3-(四氫糠氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷、3-十二基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦氧基三矽氧烷、3-十八基七甲基三矽氧烷、糠氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷及三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
在一些實施例中，至少一種矽氧烷化合物可佔本文所述之表面處理組成物的至少約0.1 wt% (例如，至少約1 wt%、至少約5 wt%、至少約10 wt%、至少約20 wt%、至少約30 wt%、至少約40 wt%、至少約50 wt%、至少約60 wt%、至少約70 wt%、至少約80 wt%、至少約90 wt%、至少約91 wt%、至少約93 wt%、至少約95 wt%、至少約97 wt%、或至少約99 wt%)至至多約99.9 wt% (例如，至多約99 wt%、至多約98 wt%、至多約96 wt%、至多約94 wt%、至多約92 wt%、至多約90 wt%、至多約85 wt%、至多約80 wt%、至多約75 wt%、至多約70 wt%、至多約65 wt%、至多約60 wt%、至多約55 wt%、或至多約50 wt%)。
在一些實施例中，本文所述之表面處理組成物可僅包括二種類型之組分，亦即，(1)至少一種三烷基矽烷基化合物及(2)至少一種溶劑(例如，矽氧烷化合物)。在一些實施例中，本文所述之表面處理組成物可僅包括三種類型之組分，亦即，(1)至少一種三烷基矽烷基化合物、(2)至少一種磺酸及(3)至少一種溶劑。
在不希望受理論束縛之情況下、咸信本文所述之表面處理組成物可在半導體基體之圖案化表面上形成表面處理層(例如疏水層，諸如疏水性單層)，以使得圖案化表面具有至少約50度(例如，至少約55度、至少約60度、至少約65度、至少約70度、至少約75度、至少約80度、至少約85度、至少約89度、至少約90度、至少約95度或至少約100度)及/或至多約175度之水接觸角。在不希望受理論束縛之情況下、咸信此類表面處理層可在用本文所述之表面處理組成物處理表面之後，防止或使半導體製程中通常使用的乾燥步驟過程中半導體基體表面上的圖案化形貌體(例如，具有至多約20 nm之尺寸)之崩潰降至最低。
在一些實施例中，若有多於一種附加組分，本文所述之表面處理組成物可特別地排除或實質上不含呈任何組合形式的附加組分中之一或多者。該等組分係選自由以下所組成之群：非芳族烴、質子性溶劑(例如，醇或醯胺)、內酯(例如，具有5或6員環之內酯)、丙二醇甲醚乙酸酯、含Si化合物(例如矽氧烷，諸如二矽氧烷；矽烷；矽氮烷，諸如二矽氮烷、環矽氮烷或雜環矽氮烷；及具有Si-H基團或胺基矽烷基之含Si化合物)、聚合物、去氧劑、四級銨鹽(包括氫氧化四級銨)、胺、鹼(諸如鹼性鹼(例如，NaOH、KOH、LiOH、Mg(OH)2 及Ca(OH)2 ))、界面活性劑、消泡劑、含氟化合物(例如，HF、H2 SiF6 、H2 PF6 、HBF4 、NH4 F及氟化四烷基銨)、 氧化劑(例如，過氧化物、過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、過錳酸鉀、硝酸、亞氯酸銨、氯酸銨、碘酸銨、過硼酸銨、過氯酸銨、過碘酸銨、過硫酸銨、亞氯酸四甲銨、氯酸四甲銨、碘酸四甲銨、過硼酸四甲銨、過氯酸四甲銨、過碘酸四甲銨、過硫酸四甲銨、過氧化脲及過氧乙酸)、研磨劑、矽酸鹽、羥基羧酸、缺乏胺基的羧酸及聚羧酸、矽烷(例如，烷氧矽烷)、除本文中所述之環矽氧烷外的環狀化合物(例如含有至少二個環之環狀化合物，諸如經取代或未經取代之萘或經取代或未經取代之二苯醚)、螯合劑(例如，唑、二唑、三唑或四唑)、腐蝕抑制劑(諸如唑或非唑腐蝕抑制劑)、緩衝劑、胍、胍鹽、吡咯啶酮、聚乙烯吡咯啶酮、金屬鹵化物及含金屬催化劑。
在一些實施例中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在基體之表面與表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一種水性清潔溶液接觸。在此類實施例中，至少一種水性清潔溶液可包括水、醇、氫氧化銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、有機溶劑或其組合。
在一些實施例中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在基體之表面與至少一種水性清潔溶液接觸之後但在該表面與表面處理組成物接觸之前，使該表面與第一沖洗溶液(例如水、諸如異丙醇之有機溶劑，或其組合)接觸。在一些實施例中，本文所述之表面處理方法可進一步包括在表面與表面處理組成物接觸之後，使表面與第二沖洗溶液(例如水、諸如異丙醇之有機溶劑，或其組合)接觸。在一些實施例中，本文所述之表面處理方法可進一步包括乾燥表面(例如在表面與第一沖洗溶液、表面處理組成物或第二沖洗溶液接觸之步驟中之任一者之後)。在一些實施例中，本文所述之表面處理方法可進一步包括自表面移除表面處理層。
在一些實施例中，本揭露內容提供用於清潔半導體基體(例如晶圓)之方法，該半導體基體具有圖案設置於該基體之表面上。該等方法可例如藉由以下進行： a) 任擇地，使表面與水性清潔溶液接觸； b) 任擇地，使表面與第一沖洗溶液接觸； c) 使表面與表面處理組成物接觸，其中表面處理組成物包括至少一種三烷基矽烷基化合物及至少一種溶劑，且表面處理組成物在表面上形成表面處理層，以使得表面具有至少約50度之水接觸角； d) 任擇地，使表面與第二沖洗溶液接觸； e) 乾燥表面；及 f) 任擇地，移除表面處理層以形成清潔的圖案化表面。
在此類實施例中，圖案可包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。
在上述方法之步驟a)中，帶有圖案化表面之基體(例如晶圓)可任擇地用一或多種水性清潔溶液處理。當用二種或更多種水性清潔溶液處理圖案化表面時，可依序施加清潔溶液。水性清潔溶液可僅為水、僅為有機溶劑或可為含有水、溶質及任擇的有機溶劑之溶液。在一些實施例中，水性清潔溶液可包括水、醇(例如水溶性醇，諸如異丙醇)、氫氧化銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、有機溶劑(例如水溶性有機溶劑)或其組合。
在步驟b)中，可任擇地使用第一沖洗溶液沖洗掉來自步驟a)之清潔溶液。第一沖洗溶液可包括水、有機溶劑(例如異丙醇)或含有機溶劑之水溶液。在一些實施例中，第一沖洗溶液可與步驟a)中所用之清潔溶液至少部分地混溶。在一些實施例中，當步驟a)中所用之清潔溶液不具有濕敏性或不含任何可觀量之水時，可省去步驟b)。
在步驟c)中，可用上文所述的本揭露內容之表面處理組成物處理基體表面以形成具有表面處理層(例如疏水層)之經改質表面。由此形成的經改質表面可為疏水性的且可具有至少約50度之水接觸角。在一些實施例中，接觸角可為至少約55度(例如，至少約60度、至少約65度、至少約70度、至少約75度、至少約80度、至少約85度、至少約90度、至少約95度或至少約100度)及/或至多約175度。在一些實施例中，此步驟可在約20℃至35℃溫度下進行持續介於約10秒至約300秒範圍內之加工時間。
在步驟d)中，在用表面處理組成物處理基體表面之後，可用第二沖洗溶液沖洗表面。第二沖洗溶液可包括水、有機溶劑(例如異丙醇)或含有機溶劑之水溶液。在一些實施例中，此步驟可在約20℃至70℃溫度下進行。
在步驟e)中，可(例如藉由使用加壓氣體)乾燥基體表面。在不希望受理論束縛之情況下，咸信在用本文所述之表面處理組成物處理基體表面之後，在此乾燥步驟期間表面上的圖案之崩潰減至最少。
在步驟f)中，在乾燥步驟之後，可任擇地移除表面處理層(例如疏水層)。一般而言，可藉由多種方法移除表面處理層，其視改質表面之化學特徵而定。用於移除表面處理層之適合方法包括電漿濺射；電漿灰化；在大氣壓或低大氣壓下熱處理；用酸、鹼、氧化劑或含冷凝流體(例如超臨界流體，諸如超臨界CO2 )之溶劑處理；蒸氣或液體處理；UV照射；或其組合。
藉由上文所述之方法製備的具有清潔圖案化表面之半導體基體可進一步經加工以在該基體上形成一或多個電路，或可藉由例如裝配(例如切割及黏結)及包裝(例如晶片密封)加工以形成半導體裝置(例如積體電路裝置，諸如半導體晶片)。
在一些實施例中，本揭露內容之特徵在於包括半導體基體及由該半導體基體負載的本文所述之表面處理組成物的製品(例如在半導體裝置製造期間形成的中間半導體製品)。如上文所述，表面處理組成物可包括至少一種三烷基矽烷基化合物及至少一種溶劑。
在一些實施例中，本揭露內容之特徵在於包括以下之套組：第一容器，其包括上文所述的至少一種三烷基矽烷基化合物；及第二容器，其包括上文所述的至少一種溶劑。若需要，第一或第二容器可進一步包括至少一種有機溶劑以與各容器中之組分形成溶液。在一些實施例中，第一及第二容器中之組分可在將表面處理組成物施加至半導體基體之表面之前立即混合以在使用點形成表面處理組成物。在不希望受理論束縛之情況下，咸信此類方法特別適於保存期限相對較短之表面處理組成物。在表面處理組成物具有相對較長保存期限之實施例中，第一及第二容器中之組分可混合形成一種溶液，該溶液可在使用之前儲存一段相對較長時段。
本揭露內容將參照以下實例較詳細地說明，該等實例係出於說明之目的且不應解釋為限制本揭露內容之範疇。實例1
藉由在室溫下混合各組分來製備表面處理溶液(亦即，調配物1至16)。調配物1至16之組成概述於下表1中。除非另外指明，否則表1中所列之所有百分比均為重量百分比。
用調配物1至16處理含有SiO2 膜之半導體基體，且經處理表面之接觸角量測如下。將在Si基體上含SiO2 膜之試片切割成1×1吋正方形，且隨後在室溫下用異丙醇沖洗30秒。將試片豎直地浸入100 mL經攪拌(50 RPM)之表面處理溶液中且在室溫下保持30秒。隨後在50℃下用異丙醇沖洗試片60秒，且使用加壓氮氣乾燥。
將試片置放於AST VCA 3000接觸角工具上且遵循以下程序量測接觸角： 1.     將SiO2 試片置放於載台上。 2.     藉由順時針旋轉豎直旋鈕，使載台向上升，直至試樣剛好在針下方。 3.     施配一滴去離子水，輕輕地觸摸試樣表面，隨後降低試樣，直至液滴與針尖分離。 4.     使用橫向旋鈕調整載台，使該液滴處於視場之中心。 5.     藉由沿導軌移動載台，在視場中聚焦液滴，得到清晰影像。 6.     點擊「AutoFAST」按鈕以凍結該影像且進行計算。將展示二個數字；此等數字係左接觸角及右接觸角。 7.     為進行手動計算，使用滑鼠將五個標記物放在液滴周圍。 8.     自主選項單選擇液滴圖標以計算接觸角。 9.     此將在該影像上產生曲線擬合及切線。在螢幕之左角處將展示二個數字；此等數字係左接觸角及右接觸角。 10.   在3個基體位置重複以上程序且對所得接觸角求平均值，且平均值結果報導於表1中。表 1
Figure 108126824-A0304-0001
 1 「CA」係指接觸角(度) 2 「PGMEA」係指丙二醇甲醚乙酸酯 3 「四乙二醇二甲醚(Tetraglyme)」係指四乙二醇二甲醚(tetraethylene glycol dimethyl ether) 4 「EGBE」係指乙二醇丁醚 5 「DGDE」係指二乙二醇乙醚 6 「HMDSO」係指六甲基二矽氧烷 7. 「HFE-7100」係指甲基九氟丁基醚及甲基九氟異丁基醚混合物 如表1中所示，調配物1至8、10、11及13至18 (其含有三甲基矽烷基化合物及至少一種適合溶劑)在SiO2 表面上展現出相對較大接觸角。實例2
藉由在室溫下混合各組分來製備表面處理溶液(亦即，調配物19至44)。調配物19至44之組成概述於下表2至5中。除非另外指明，否則2至5中所列之所有百分比均為重量百分比。
用調配物19至44處理含有SiO2 膜之半導體基體。如實例1中所述量測經處理表面之接觸角。由處理後的基體之SEM相片測定未崩潰形貌體之數目。表 2
Figure 108126824-A0304-0002
 1 「CA」係指接觸角(度) 2 「pTSA」係指對甲苯磺酸 3 「DBSA」係指4-十二烷基苯磺酸 4 「PFOSA」係指1H,1H,2H,2H-全氟辛磺酸
如表2中所示，與調配物17 (其不含磺酸)相比，調配物19至22 (其中之各者含有磺酸)出人意料地展現顯著較高百分比之未崩潰形貌體。表 3
Figure 108126824-A0304-0003
勁度為圖案化晶圓上的Si柱之彎曲特性且報導為以mN/m為單位之力。表3顯示隨SI柱勁度而變化的調配物23至37之效能。如表3中所示，當經歷乾燥應力時，相較於具有較高勁度之Si柱，具有低勁度之Si柱更易於崩潰。表 4
Figure 108126824-A0304-0004
表4顯示隨三氟甲磺酸三甲基矽烷酯濃度而變化的調配物38至41之效能。如表4中所示，較高三氟甲磺酸三甲基矽烷酯濃度一般產生較高百分比之未崩潰形貌體。表 5
Figure 108126824-A0304-0005
 1 「IPA」係指2-丙醇 2 「DIW」係指去離子水
表5顯示藉由使用不同沖洗液體的調配物42至44之效能。如表5中所示，全部三種測試沖洗液體均能夠達成相對較高百分比之未崩潰形貌體。
其他實施例在以下申請專利範圍之範疇內。

Claims (56)

  1. 一種用於處理一半導體基體之方法，該半導體基體具有一圖案設置於一晶圓之一表面上，該方法包含： 使該表面與一表面處理組成物接觸以形成一表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之一水接觸角，該表面處理組成物包含至少一種溶劑及至少一種選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群的三烷基矽烷基化合物； 其中該表面處理組成物實質上不含丙二醇甲醚乙酸酯且除該至少一種三烷基矽烷基化合物外，實質上不含一其他含Si化合物，且該圖案包含具有至多約20 nm之一尺寸的一形貌體(feature)。
  2. 如請求項1之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含一SiR3 基團，其中各R獨立地為C1 -C16 烷基或C1 -C16 鹵烷基。
  3. 如請求項1之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基或三丁基矽烷基。
  4. 如請求項1之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含甲磺酸三烷基矽烷酯、三氟甲烷磺酸三烷基矽烷酯、全氟丁烷磺酸三烷基矽烷酯、對甲苯磺酸三烷基矽烷酯、苯磺酸三烷基矽烷酯、三氟乙酸三烷基矽烷酯、三氯乙酸三烷基矽烷酯或三溴乙酸三烷基矽烷酯。
  5. 如請求項1之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物佔該表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%。
  6. 如請求項1之方法，其中該至少一種溶劑選自由以下所組成之群：酐、腈、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、羧酸、磺酸以及醚。
  7. 如請求項1之方法，其中該至少一種溶劑包含乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐、乙腈、C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、苯甲醚、二甲碸、二甲亞碸、環丁碸、碳酸伸丙酯、甲基乙基酮、環己酮、乙酸正丁酯、乙酸己酯、乙酸苄酯、乙酸戊酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、丙酸丙酯、丁酸甲酯、乙酸、甲酸、甲磺酸、三氟乙酸、異丁基甲基酮、N-甲基-吡咯啶酮、氫氟醚或其等之一組合。
  8. 如請求項1之方法，其中該至少一種溶劑佔該表面處理組成物之約1 wt%至約99 wt%。
  9. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物實質上不含水。
  10. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物係由該至少一種三烷基矽烷基化合物及該至少一種溶劑組成。
  11. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物之一閃點為至少約10℃。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包含在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一種水性清潔溶液接觸。
  13. 如請求項12之方法，其中該至少一種水性清潔溶液包含水、醇、氫氧化銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、一有機溶劑或其等之一組合。
  14. 如請求項12之方法，其進一步包含在該表面與該至少一種水性清潔溶液接觸之後但在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第一沖洗溶液接觸。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包含在該表面與該表面處理接觸之後，使該表面與一第二沖洗溶液接觸。
  16. 如請求項1之方法，其進一步包含乾燥該表面。
  17. 如請求項1之方法，其進一步包含移除該表面處理層。
  18. 如請求項1之方法，其中該表面包含SiO2 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge或W。
  19. 一種表面處理組成物，其包含： 至少一種三烷基矽烷基化合物，其含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%，該至少一種三烷基矽烷基化合物係選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群；以及 至少一種溶劑，其含量為該表面處理組成物之約1 wt%至約99 wt%； 其中該表面處理組成物實質上不含丙二醇甲醚乙酸酯且除該至少一種三烷基矽烷基化合物外，實質上不含一其他含Si化合物。
  20. 如請求項19之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含一SiR3 基團，其中各R獨立地為C1 -C16 烷基或C1 -C16 鹵烷基。
  21. 如請求項19之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基或三丁基矽烷基。
  22. 如請求項19之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含甲磺酸三烷基矽烷酯、三氟甲烷磺酸三烷基矽烷酯、全氟丁烷磺酸三烷基矽烷酯、對甲苯磺酸三烷基矽烷酯、苯磺酸三烷基矽烷酯、三氟乙酸三烷基矽烷酯、三氯乙酸三烷基矽烷酯或三溴乙酸三烷基矽烷酯。
  23. 如請求項19之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物佔該表面處理組成物之約1 wt%至約10 wt%。
  24. 如請求項19之組成物，其中該至少一種溶劑選自由以下所組成之群：酐、腈、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、羧酸、磺酸以及醚。
  25. 如請求項19之組成物，其中該至少一種溶劑包含乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐、乙腈、C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇乙醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、苯甲醚、二甲碸、二甲亞碸、環丁碸、碳酸伸丙酯、甲基乙基酮、環己酮、乙酸正丁酯、乙酸己酯、乙酸苄酯、乙酸戊酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、丙酸丙酯、丁酸甲酯、乙酸、甲酸、甲磺酸、三氟乙酸、異丁基甲基酮、N-甲基-吡咯啶酮、氫氟醚或其組合。
  26. 如請求項19之組成物，其中該至少一種溶劑佔該表面處理組成物之約85 wt%至約99 wt%。
  27. 如請求項19之組成物，其中該表面處理組成物實質上不含水。
  28. 如請求項19之組成物，其中該表面處理組成物係由該至少一種三烷基矽烷基化合物及該至少一種溶劑組成。
  29. 如請求項19之組成物，其中該組成物之一閃點為至少約10℃。
  30. 如請求項19之組成物，其中該組成物在一表面上形成一表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之一水接觸角。
  31. 一種用於處理一半導體基體之方法，該半導體基體具有一圖案設置於一晶圓之一表面上，該方法包含： 使該表面與一表面處理組成物接觸以形成一表面處理層，以使得該表面處理層具有至少約50度之一水接觸角，該表面處理組成物係由至少一種矽氧烷化合物及至少一種選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群的三烷基矽烷基化合物組成； 其中該圖案包含具有至多約20 nm之一尺寸的一形貌體。
  32. 如請求項31之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含一SiR3 基團，其中各R獨立地為C1 -C16 烷基或C1 -C16 鹵烷基。
  33. 如請求項31之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基或三丁基矽烷基。
  34. 如請求項31之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含甲磺酸三烷基矽烷酯、三氟甲烷磺酸三烷基矽烷酯、全氟丁烷磺酸三烷基矽烷酯、對甲苯磺酸三烷基矽烷酯、苯磺酸三烷基矽烷酯、三氟乙酸三烷基矽烷酯、三氯乙酸三烷基矽烷酯或三溴乙酸三烷基矽烷酯。
  35. 如請求項31之方法，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物佔該表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%。
  36. 如請求項31之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物包含二矽氧烷、寡聚矽氧烷、環矽氧烷或聚矽氧烷。
  37. 如請求項31之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物包含六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、異稠六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、3-胺丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺乙基胺甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)咪唑-2-亞基六氯二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基三矽氧烷、3-(四氫糠氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷、3-十二基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦氧基三矽氧烷、3-十八基七甲基三矽氧烷、糠氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷或三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
  38. 如請求項31之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物佔該表面處理組成物之約85 wt%至約99.9 wt%。
  39. 如請求項31之方法，其中該表面處理組成物之一閃點為至少約10℃。
  40. 如請求項31之方法，其進一步包含在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一種水性清潔溶液接觸。
  41. 如請求項40之方法，其中該至少一種水性清潔溶液包含水、醇、氫氧化銨水溶液、鹽酸水溶液、過氧化氫水溶液、一有機溶劑或其等之一組合。
  42. 如請求項40之方法，其進一步包含在該表面與該至少一種水性清潔溶液接觸之後但在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第一沖洗溶液接觸。
  43. 如請求項31之方法，其進一步包含在該表面與該表面處理接觸之後，使該表面與一第二沖洗溶液接觸。
  44. 如請求項31之方法，其進一步包含乾燥該表面。
  45. 如請求項31之方法，其進一步包含移除該表面處理層。
  46. 如請求項31之方法，其中該表面包含SiO2 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge或W。
  47. 一種表面處理組成物，其係由以下組成： 至少一種三烷基矽烷基化合物，其含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約15 wt%，該至少一種三烷基矽烷基化合物係選自由烷基磺酸三烷基矽烷酯、芳基磺酸三烷基矽烷酯及乙酸三烷基矽烷酯所組成之群；以及 至少一種矽氧烷化合物，其含量為該表面處理組成物之約85 wt%至約99.9 wt%。
  48. 如請求項47之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含一SiR3 基團，其中各R獨立地為C1 -C16 烷基或C1 -C16 鹵烷基。
  49. 如請求項47之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基或三丁基矽烷基。
  50. 如請求項47之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物包含甲磺酸三烷基矽烷酯、三氟甲烷磺酸三烷基矽烷酯、全氟丁烷磺酸三烷基矽烷酯、對甲苯磺酸三烷基矽烷酯、苯磺酸三烷基矽烷酯、三氟乙酸三烷基矽烷酯、三氯乙酸三烷基矽烷酯或三溴乙酸三烷基矽烷酯。
  51. 如請求項47之組成物，其中該至少一種三烷基矽烷基化合物佔該表面處理組成物之約1 wt%至約10 wt%。
  52. 如請求項47之組成物，其中該至少一種矽氧烷化合物包含二矽氧烷、寡聚矽氧烷、環矽氧烷或聚矽氧烷。
  53. 如請求項47之組成物，其中該至少一種矽氧烷化合物包含六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、異稠六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、3-胺丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺乙基胺甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)咪唑-2-亞基六氯二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基三矽氧烷、3-(四氫糠氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷、3-十二基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦氧基三矽氧烷、3-十八基七甲基三矽氧烷、糠氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、異稠六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷或三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
  54. 如請求項47之組成物，其中該至少一種矽氧烷化合物佔該表面處理組成物之約90 wt%至約99 wt%。
  55. 一種製品，其包含： 一半導體基體；以及 由該半導體基體負載的如請求項19至30及47至54中任一項之表面處理組成物。
  56. 如請求項55之製品，其中該半導體基體為一矽晶圓、一銅晶圓、一種二氧化矽晶圓、一種氮化矽晶圓、一種氮氧化矽晶圓、一摻碳之氧化矽晶圓、一SiGe晶圓或一GaAs晶圓。
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