TW202025200A - 具有遠心照明之多束電子表徵工具 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種多束電子源。該多束電子源包含一電子源、一格柵透鏡總成及一多透鏡陣列總成。該多透鏡陣列總成包括跨一基板安置之一組透鏡。該格柵透鏡總成經組態以引起來自該電子束源之一次電子束遠心著陸於該多透鏡陣列總成上。該多透鏡陣列總成經組態以將來自該電子束源之該電子束分裂成複數個一次電子束。該格柵透鏡總成包含一第一透鏡元件及一第二透鏡元件，其中該第一透鏡元件及該第二透鏡元件由一選定距離之一間隙分離。該格柵透鏡總成進一步包含一格柵元件，其包含一組孔隙，其中該格柵元件安置於該第一透鏡元件與該第二透鏡元件之間的該間隙內。

Description

具有遠心照明之多束電子表徵工具
本發明大體上係關於電子束樣本表徵，且更特定言之，本發明係關於一種具有遠心照明之多束電子表徵工具。
半導體器件(諸如邏輯及記憶體器件)之製造通常包含使用大量半導體製程來處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體器件之各種特徵及多個層級。隨著半導體器件大小變得越來越小，開發增強檢測及複查器件及程序變得很關鍵。一此檢測技術包含基於電子束之檢測系統，諸如掃描電子顯微鏡(SEM)。格柵及箔透鏡已用於減少探針成形SEM系統中之球面像差。此等格柵用於獲得大面積光束且使光束聚焦於一小點。格柵及箔一般已被高亮度陰極及高品質磁透鏡替代。此外，格柵及箔通常經由在一箔內散射或在光束通過格柵時透鏡化/阻擋光束之一部分來使光束品質降級。將有利地提供一種解決先前方法中所見之缺點之系統及方法。
根據本發明之一或多個實施例，揭示一種多束電子源。在一實施例中，該多束電子源包含一電子源。在另一實施例中，該多束電子源包含一格柵透鏡總成。在另一實施例中，該多束電子源包含一多透鏡陣列總成，其中該多透鏡陣列總成包括跨一基板安置之複數個透鏡。在另一實施例中，該格柵透鏡總成經組態以引起來自該電子束源之一電子束遠心著陸於該多透鏡陣列總成上。在另一實施例中，該多透鏡陣列總成經組態以將來自該電子束源之該電子束分裂成複數個一次電子束。在另一實施例中，該格柵透鏡總成包括：一第一透鏡元件及一第二透鏡元件，其中該第一透鏡元件及該第二透鏡元件由一選定距離之一間隙分離；及一格柵元件，其包含複數個孔隙，其中該格柵元件安置於該第一透鏡元件與該第二透鏡元件之間的該間隙內。
根據本發明之一或多個實施例，揭示一種多束掃描電子顯微鏡裝置。在一實施例中，該裝置包含經組態以固定一樣本之一樣本台。在另一實施例中，該裝置包含經組態以形成複數個一次電子束之一多束電子源總成，其中該多束電子源總成包括一電子源、一格柵透鏡總成及一多透鏡陣列總成。在另一實施例中，該多透鏡陣列總成包括跨一基板安置之複數個透鏡。在另一實施例中，該格柵透鏡總成經組態以引起來自該電子束源之一電子束遠心著陸於該多透鏡陣列總成上。在另一實施例中，該多透鏡陣列總成經組態以將來自該電子束源之該電子束分裂成複數個一次電子束。在另一實施例中，該格柵透鏡總成包括：一第一透鏡元件及一第二透鏡元件，其中該第一透鏡元件及該第二透鏡元件由一選定距離之一間隙分離；及一格柵元件，其包含複數個孔隙，其中該格柵元件安置於該第一透鏡元件與該第二透鏡元件之間的該間隙內。在另一實施例中，該裝置包含一電子光學腔總成，其包含經組態以將該複數個電子束之至少一部分導引至該樣本之一部分上的一組電子光學元件。在另一實施例中，該裝置包含經組態以回應於該等一次電子束之一或多者而偵測自該樣本之該表面發出之電子的一偵測器總成。
根據本發明之一或多個實施例，揭示一種掃描電子顯微鏡之方法。在一實施例中，該方法包含產生一次電子束。在另一實施例中，該方法包含使該一次電子束透射穿過一第一透鏡元件。在另一實施例中，該方法包含使該一次電子束透射穿過一彎曲格柵及第二透鏡元件，使得該一次電子束遠心著陸於一多透鏡陣列上。在另一實施例中，該方法包含將自該多透鏡陣列發出之複數個一次細光束導引至一樣本上。在另一實施例中，該方法包含回應於該複數個一次細光束而自該樣本偵測複數個信號細光束。
應瞭解，以上一般描述及以下詳細描述兩者僅供例示及說明且未必限制本發明。併入本說明書中且構成本說明書之一部分的附圖繪示本發明之實施例且與一般描述一起用於闡釋本發明之原理。
現將詳細參考附圖中所繪示之揭示標的。大體上參考圖1至圖4，描述根據本發明之用於具有遠心照明之多束掃描電子顯微鏡之一系統及方法。
圖1及圖2繪示根據本發明之一或多個實施例之一多束SEM系統100之簡化示意圖。在一實施例中，系統100包含一多束電子束源總成101、一電子光學總成104、一樣本台106、一偵測器總成108及/或一控制器110。
在一實施例中，多束電子源總成101包含一電子源102、一格柵透鏡總成103及經組態以將一初始照明束120分裂成多個電子束105之一多透鏡陣列總成109。在另一實施例中，格柵透鏡總成103經組態以引起來自電子束源102之一電子束120遠心著陸於多透鏡陣列總成109上。據此而言，電子束120 (或構成束120之細光束)可依法線入射照射多透鏡陣列總成109。
在一實施例中，多透鏡陣列總成109包含透鏡111之一陣列。例如，透鏡111可跨一基板113分佈且經形成以穿過基板113。應注意多透鏡陣列總成109中之各透鏡111充當一微透鏡且將一對應細光束105聚焦於樣本107上之一小點。透鏡111跨基板113之離距用於使光束分離一選定節距。
多透鏡陣列總成109之透鏡111之照明係保持多透鏡陣列總成109中之各透鏡111之高解析度的關鍵。應進一步注意，隨著越來越多光束添加至系統100，照明區域明顯變大，使得最外透鏡111無法以足夠角均勻性照射以導致最外光束缺乏均勻性。使用遠心輸入照明有助於減輕由角不均勻性引起之效應，藉此提高多個光束105跨多透鏡陣列總成109之均勻性。除提供法線入射照明之外，格柵元件121可遮蔽透過庫侖(Coulomb)或電子-電子交互作用來致使光束劣化之無用電子。
現參考圖2，在一實施例中，格柵透鏡總成103包含由一選定距離之一間隙分離之一第一透鏡元件122及一第二透鏡元件123。在另一實施例中，格柵元件121定位於第一透鏡元件122與第二透鏡元件123之間的間隙內。格柵元件121可包含形成於一基板/板中之一組孔隙。在一實施例中，格柵元件121呈一彎曲形狀。例如，格柵元件121可包含具有一截斷貝塞爾(Bessel)函數之一形狀之一彎曲基板/板。如圖2中所描繪，彎曲格柵元件121之頂點可具有相對於格柵元件之平坦最外部分之一高度(h)。應注意，格柵元件121之彎曲表面可用於產生遠心束120 (入射於多透鏡陣列總成109上)，同時亦限制致使光束120之空間電荷模糊之過量電子。
在另一實施例中，第一透鏡元件122係維持一第一電壓之一第一電子光學透鏡(例如靜電或電磁透鏡)且第二透鏡元件123係維持不同於第一電壓之一第二電壓之一第二電子光學透鏡(例如靜電或電磁透鏡)。例如，第一透鏡元件122可為維持一第一電壓之一第一柱面且第二透鏡元件123可為維持不同於第一電壓之一第二電壓之一第二柱面。第一透鏡元件122及第二透鏡元件123可為大口徑柱面(例如電子光學柱面透鏡)。可基於系統100之操作條件來判定第一電壓及第二電壓。例如，第一透鏡元件122可包含設定為一選定電壓(例如30 kV)之一電子光學透鏡，而第二透鏡元件123可包含設定為一選定電壓(例如聚焦電壓(Vf ))以將自格柵元件121發出之光束/細光束聚焦至多透鏡陣列總成109上之一第二電子光學元件。
在另一實施例中，格柵透鏡總成103包含一或多個額外電子光學元件。例如，如圖2中所展示，格柵透鏡總成103可包含(但不限於)經組態以使來自第二透鏡元件123之光束/細光束之電子自多透鏡陣列總成109加速至樣本107之一加速元件202 (例如電子光學透鏡)。
圖3A至圖3B繪示根據本發明之一或多個實施例之與格柵透鏡總成103相關聯之三維電子分佈之一概念圖。圖3A係根據本發明之一或多個實施例之沿格柵透鏡總成103之透鏡元件122、123之長度(x-z平面)之一模擬電子分佈之一概念圖。圖3B係根據本發明之一或多個實施例之跨格柵透鏡總成103之透鏡元件122、123之區域(x-y平面)之模擬電子分佈之一概念圖。
再次參考圖1，電子源102可包含本技術中已知之任何電子源。例如，電子源102可包含(但不限於)一電子發射器。例如，電子源102可包含(但不限於)一電子槍(例如一場發射槍(陰極))。
在另一實施例中，偵測器總成108經組態以回應於一次電子束/細光束105之一或多者而偵測自樣本之表面發出之電子。系統100之偵測器總成108可包含適合於自樣本107之表面偵測多個電子信號之本技術中已知之任何偵測器總成。在一實施例中，偵測器總成108包含一電子偵測器陣列。據此而言，偵測器總成108可包含一電子偵測部分陣列。此外，偵測器總成108之偵測器陣列之各電子偵測部分可經定位以自樣本107偵測與入射電子束105之一者相關聯之一電子信號。據此而言，偵測器總成108之各通道對應於多個電子束105之一特定電子束。偵測器總成108可獲取多個影像(或「子影像」)。據此而言，電子束105之各者引起一對應電子信號(例如二次電子信號或反向散射電子信號)形成一組信號束117。接著，信號束117在偵測器總成108處形成一組對應影像或子影像。接著，由偵測器總成108獲取之影像傳輸至控制器110用於分析、儲存及/或顯示給一使用者。
偵測器總成108可包含本技術中已知之任何電子偵測器，諸如(但不限於)二次電子偵測器及/或反向散射電子偵測器。例如，偵測器總成108可包含一微通道板(MCP)、一PIN或p-n接面偵測器陣列，諸如(但不限於)二極體陣列或雪崩光二極體(APD)。舉另一實例而言，偵測器總成108可包含一高速閃爍器/PMT偵測器。
在另一實施例中，控制器110通信地耦合至偵測器總成108。控制器110可依任何適合方式(例如藉由圖1中所展示之線指示之一或多個傳輸媒體)耦合至偵測器總成108之輸出，使得控制器110可接收由偵測器總成108獲取之輸出。在一實施例中，控制器110包含一或多個處理器116及一記憶體媒體118 (或記憶體)。一或多個處理器116經組態以執行保存於記憶體媒體118中之一組程式指令以引起一或多個處理器實施本發明中所描述之各種步驟之一或多者。
系統100之樣本台106可包含適合於固定樣本107之本技術中已知之任何樣本台。樣本107可包含適合於使用電子束顯微鏡(諸如(但不限於)一基板)來檢測/複查之任何樣本。基板可包含(但不限於)一矽晶圓。在另一實施例中，樣本台106係一可致動台。例如，樣本台106可包含(但不限於)適合於可選擇地沿一或多個線性方向(例如x方向、y方向及/或z方向)平移樣本107之一或多個平移台。舉另一實例而言，樣本台106可包含(但不限於)適合於使樣本107沿一旋轉方向選擇性旋轉之一或多個旋轉台。舉另一實例而言，樣本台106可包含(但不限於)適合於可選擇地使樣本沿一線性方向平移及/或使樣本107沿一旋轉方向旋轉之一旋轉台及一平移台。在此應注意，系統100可以本技術中已知之任何掃描模式操作。
電子光學總成104可包含適合於使用多個電子束來照射一樣本且獲取與多個電子束相關聯之多個影像之本技術中已知之任何電子光學總成。在一實施例中，電子光學總成104包含用於將多個電子束105導引至樣本107之表面上之一組電子光學元件。電子光學元件組可形成一電子光學腔。腔之電子光學元件組可將電子束105之至少一部分導引至樣本107之多個部分上。電子光學元件組可包含適合於將一次電子束105聚焦及/或導引至樣本107之各種區域上之本技術中已知之任何電子光學元件。在一實施例中，電子光學元件組包含一或多個電子光學透鏡。例如，一或多個電子光學透鏡可包含(但不限於)用於自多透鏡陣列總成109收集電子之一或多個聚光透鏡(例如磁性聚光透鏡)。舉另一實例而言，電子光學透鏡可包含(但不限於)用於將一次電子束105聚焦至樣本107之各種區域上之一或多個物鏡114 (例如磁性物鏡)。
在另一實施例中，電子光學總成104包含用於回應於多個一次電子束105而收集自樣本107發出之電子(例如二次電子及/或反向散射電子)且將該等電子導引及/或聚焦至偵測器總成108之一組電子光學元件。例如，電子光學總成104可包含(但不限於)用於聚焦多個電子信號束117以在偵測器總成108處形成樣本107之各種部分之多個影像的一或多個投影透鏡115。
應注意，系統100之電子光學總成104不限於為圖1中所描繪之電子光學元件(其僅供說明)。應進一步注意，系統100可包含將多個光束104導引/聚焦至樣本107上且回應性地收集對應信號束117且使其成像至偵測器總成108上所需之任何數目及類型之電子光學元件。
例如，電子光學總成104可包含一或多個電子束掃描元件(圖中未展示)。例如，一或多個電子束掃描元件可包含(但不限於)適合於控制光束105相對於樣本107之表面之一位置的一或多個電磁掃描線圈或靜電偏轉器。此外，一或多個掃描元件可用於使電子束105依一選定圖案跨樣本107掃描。
舉另一實例而言，電子光學總成104可包含用於使自樣本107之表面發出之多個電子信號與多個一次電子束105分離的一光束分離器(圖中未展示)。
再者，電子光學總成104可包含一電子光學腔陣列，其中各電子光學腔與一次電子束105之一者及對應信號束117對應。為簡單起見，圖1中描繪一單一電子束腔，但本發明之範疇不應被解譯為受限於一單一電子腔。以下各者中揭示一多腔SEM架構：2017年6月2日申請之美國專利申請案第15/612,862號、2017年6月7日申請之美國專利申請案第15/616,749號、2018年5月2日申請之美國專利申請案第15/969,555號及2016年9月21日申請之美國專利申請案第15/272,194號，該等案之全部內容以引用的方式併入本文中。
控制器110之一或多個處理器116可包含本技術中已知之任何處理元件。據此而言，一或多個處理器116可包含經組態以執行軟體演算法及/或指令之任何微處理器型器件。在一實施例中，一或多個處理器116可由一桌上型電腦、主機電腦系統、工作站、影像電腦、並行處理器或經組態以執行經組態以操作系統100之一程式之任何其他電腦系統(例如網路電腦)組成，如本發明中所描述。應認識到，本發明中所描述之步驟可由一單一電腦系統或替代地，多個電腦系統實施。一般而言，術語「處理器」可經廣義界定為涵蓋具有執行來自非暫時性記憶體媒體118之程式指令之一或多個處理元件之任何器件。
記憶體媒體118可包含適合於儲存可由相關聯之一或多個處理器116執行之程式指令之本技術中已知之任何儲存媒體。例如，記憶體媒體118可包含一非暫時性記憶體媒體。記憶體媒體118可包含(但不限於)一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體器件(例如磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及其類似者。在此應注意，記憶體媒體118可經組態以儲存來自偵測器總成108之一或多個結果及/或本文所描述之各種步驟之一或多者之輸出。應進一步注意，記憶體媒體118可與一或多個處理器116一起容置於一共同控制器外殼中。在一替代實施例中，記憶體媒體118可相對於一或多個處理器116之實體位置遠端定位。例如，一或多個處理器116可存取可透過一網路(例如網際網路、內部網路及其類似者)存取之一遠端記憶體(例如伺服器)。
圖1及圖2中所繪示之系統100之實施例可如本文所描述般進一步組態。另外，系統100可經組態以執行本文所描述之(若干)方法實施例之任何者之(若干)任何其他步驟。
圖4係繪示根據本發明之一或多個實施例之具有遠心照明之多束SEM之一方法400中所執行之步驟的一流程圖。在此應注意，方法400之步驟可完全或部分由系統100實施。然而，應進一步認識到，方法400不受限於系統100，因為額外或替代系統級實施例可實施方法400之所有或部分步驟。在步驟402中，產生一次電子束。在步驟404中，使一次電子束透射穿過一第一透鏡元件。接著，在步驟406中，使一次電子束透射穿過一彎曲格柵及第二透鏡元件，使得一次電子束遠心著陸於一多透鏡陣列上。在步驟408中，將一組一次細光束自多透鏡陣列導引至一樣本上。在步驟410中，回應於複數個一次細光束而自樣本偵測一組信號細光束。
本文所描述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於記憶體媒體118中。結果可包含本文所描述之結果之任何者且可依本技術中已知之任何方式儲存。在儲存結果之後，結果可存取於記憶體媒體中且由本文所描述之方法或系統實施例之任何者使用、經格式化以顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用等等。另外，結果可「永久」、「半永久」、暫時儲存或儲存一段時間。
熟習技術者應認識到，最先進技術已進展至其中系統之態樣之硬體與軟體實施方案之間幾乎無差別之程度；使用硬體或軟體一般(但非總是，因為在特定背景中，硬體與軟體之間的選擇可變得很重要)為表示成本對效率權衡之一設計選擇。熟習技術者應瞭解，存在可藉由其來實現本文所描述之程序及/或系統及/或其他技術之各種載具(例如硬體、軟體及/或韌體)，且較佳載具將隨其中部署程序及/或系統及/或其他技術之背景變動。例如，若一實施者判定速度及準確度最重要，則實施者可選擇一以硬體及/或韌體為主之載具；替代地，若靈活性最重要，則實施者可選擇一以軟體為主之實施方案；或替代地，實施者可選擇硬體、軟體及/或韌體之一些組合。因此，存在可藉由其來實現本文所描述之程序及/或器件及/或其他技術之若干可能載具，其等之任何者不固有地優於其他載具，因為利用任何載具係取決於其中將部署載具之背景及實施者之特定關注(例如速度、靈活性或可預測性)(其等之任何者可變動)之一選擇。熟習技術者應認識到，實施方案之光學態樣通常將採用光學定向硬體、軟體及/或韌體。
熟習技術者應認識到，本技術內常依本文所闡述之方式描述器件及/或程序，且其後使用工程實踐來將此等描述器件及/或程序整合至資料處理系統中。即，本文所描述之器件及/或程序之至少一部分可經由合理數量之實驗來整合至一資料處理系統中。熟習技術者應認識到，一典型資料處理系統一般包含以下之一或多者：一系統單元外殼、一視訊顯示器件、一記憶體(諸如揮發性及非揮發性記憶體)、處理器(諸如微處理器及數位信號處理器)、運算實體(諸如作業系統、驅動程式、圖形使用者介面及應用程式)、一或多個交互器件(諸如一觸控墊或螢幕)及/或包含回饋迴路及控制馬達(例如用於感測位置及/或速度之回饋、用於移動及/或調整組件及/或數量之控制馬達)之控制系統。一典型資料處理系統可利用任何適合市售組件(諸如常見於資料運算/通信及/或網路運算/通信系統中之組件)來實施。
可認為，將藉由以上描述來理解本發明及其諸多隨附優點，且應明白，可在不背離所揭示之標的或不犧牲其所有材料優點之情況下對組件之形式、構造及配置作出各種改變。所描述之形式僅供說明，且以下申請專利範圍意欲涵蓋及包含此等改變。
100:多束掃描電子顯微鏡(SEM)系統 101:多束電子束源總成 102:電子源/電子束源 103:格柵透鏡總成 104:電子光學總成 105:電子束/細光束 106:樣本台 107:樣本 108:偵測器總成 109:多透鏡陣列總成 110:控制器 111:透鏡 113:基板 114:物鏡 115:投影透鏡 116:處理器 117:電子信號束 118:記憶體媒體 120:照明束/電子束/遠心束 121:格柵元件 122:第一透鏡元件 123:第二透鏡元件 202:加速元件 400:方法 402:步驟 404:步驟 406:步驟 408:步驟 410:步驟
熟習技術者可藉由參考附圖來較佳理解本發明之諸多優點，其中： 圖1係根據本發明之一或多個實施例之具有一多束源內之遠心照明之一多束掃描電子顯微鏡系統之一方塊圖。 圖2係根據本發明之一或多個實施例之多束源之一簡化示意圖。 圖3A係根據本發明之一或多個實施例之沿多束源之透鏡元件之長度(x-z平面)之一模擬電子分佈之一概念圖。 圖3B係根據本發明之一或多個實施例之跨多束源之透鏡元件之區域(x-y平面)之一模擬電子分佈之一概念圖。 圖4係描繪根據本發明之一或多個實施例之多束掃描電子顯微鏡之一方法的一程序流程圖。
100:多束掃描電子顯微鏡(SEM)系統
101:多束電子束源總成
102:電子源/電子束源
103:格柵透鏡總成
104:電子光學總成
105:電子束/細光束
106:樣本台
107:樣本
108:偵測器總成
109:多透鏡陣列總成
110:控制器
111:透鏡
113:基板
114:物鏡
115:投影透鏡
116:處理器
117:電子信號束
118:記憶體媒體
120:照明束/電子束/遠心束
121:格柵元件
122:第一透鏡元件
123:第二透鏡元件

Claims (21)

  1. 一種多束掃描電子顯微鏡裝置，其包括： 一樣本台，其經組態以固定一樣本； 一多束電子源總成，其經組態以形成複數個一次電子束，其中該多束電子源總成包括一電子源、一格柵透鏡總成及一多透鏡陣列總成，其中該多透鏡陣列總成包括跨一基板安置之複數個透鏡，其中該格柵透鏡總成經組態以引起來自該電子束源之一電子束遠心著陸於該多透鏡陣列總成上，其中該多透鏡陣列總成經組態以將來自該電子束源之該電子束分裂成複數個一次電子束，其中該格柵透鏡總成包括： 一第一透鏡元件及一第二透鏡元件，其中該第一透鏡元件及該第二透鏡元件由一選定距離之一間隙分離；及 一格柵元件，其包含複數個孔隙，其中該格柵元件安置於該第一透鏡元件與該第二透鏡元件之間的該間隙內； 一電子光學腔總成，其包含經組態以將該複數個電子束之至少一部分導引至該樣本之一部分上的一組電子光學元件；及 一偵測器總成，其經組態以回應於該等一次電子束之一或多者而偵測自該樣本之該表面發出之電子。
  2. 如請求項1之裝置，其中使該第一透鏡元件維持一第一電壓且使該第二透鏡元件維持不同於該第一電壓之一第二電壓。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第一透鏡元件或該第二透鏡元件之至少一者包括一靜電透鏡或一電磁透鏡之至少一者。
  4. 如請求項1之裝置，其中該第一透鏡元件包括一柱面且該第二透鏡元件包括一柱面。
  5. 如請求項1之裝置，其中該格柵元件包括一彎曲格柵，該彎曲格柵包含一孔隙陣列。
  6. 如請求項5之裝置，其中該彎曲格柵具有對應於一截斷貝塞爾(Bessel)函數之一形狀。
  7. 如請求項1之裝置，其中該第一透鏡元件或該第二透鏡元件之至少一者包括一大口徑柱面電子光學透鏡。
  8. 如請求項1之裝置，其中該多束電子源總成進一步包括一加速電子光學元件，該加速電子光學元件經組態以自該多透鏡陣列總成接收一或多個一次電子束且經進一步組態以使該一或多個一次電子束之電子加速。
  9. 如請求項1之裝置，其中該多透鏡陣列總成之該等透鏡在一或多個方向上由一選定節距分離。
  10. 如請求項1之裝置，其中該電子光學總成包括一電子光學腔陣列。
  11. 如請求項1之裝置，其中該偵測器總成包括一二次電子偵測器或一反向散射電子偵測器之至少一者。
  12. 一種多束電子源，其包括： 一電子源； 一格柵透鏡總成；及 一多透鏡陣列總成，其中該多透鏡陣列總成包括跨一基板安置之複數個透鏡， 其中該格柵透鏡總成經組態以引起來自該電子束源之一電子束遠心著陸於該多透鏡陣列總成上， 其中該多透鏡陣列總成經組態以將來自該電子束源之該電子束分裂成複數個一次電子束， 其中該格柵透鏡總成包括： 一第一透鏡元件及一第二透鏡元件，其中該第一透鏡元件及該第二透鏡元件由一選定距離之一間隙分離；及 一格柵元件，其包含複數個孔隙，其中該格柵元件安置於該第一透鏡元件與該第二透鏡元件之間的該間隙內。
  13. 如請求項12之多束電子源，其中使該第一透鏡元件維持一第一電壓且使該第二透鏡元件維持不同於該第一電壓之一第二電壓。
  14. 如請求項12之多束電子源，其中該第一透鏡元件或該第二透鏡元件之至少一者包括一靜電透鏡或一電磁透鏡之至少一者。
  15. 如請求項12之多束電子源，其中該第一透鏡元件包括一柱面且該第二透鏡元件包括一柱面。
  16. 如請求項12之多束電子源，其中該格柵元件包括一彎曲格柵，該彎曲格柵包含一孔隙陣列。
  17. 如請求項16之多束電子源，其中該彎曲格柵具有對應於一截斷貝塞爾函數之一形狀。
  18. 如請求項12之多束電子源，其中該第一透鏡元件或該第二透鏡元件之至少一者包括一大口徑柱面電子光學透鏡。
  19. 如請求項12之多束電子源，其進一步包括一加速電子光學元件，該加速電子光學元件經組態以自該多透鏡陣列總成接收一或多個一次電子束且經進一步組態以使該一或多個一次電子束之電子加速。
  20. 如請求項12之多束電子源，其中該多透鏡陣列總成之該等透鏡在一或多個方向上由一選定節距分離。
  21. 一種方法，其包括： 產生一一次電子束； 使該一次電子束透射穿過一第一透鏡元件；及 使該一次電子束透射穿過一彎曲格柵及第二透鏡元件，使得該一次電子束遠心著陸於一多透鏡陣列總成上； 將自該多透鏡陣列總成發出之複數個一次細光束導引至一樣本上；及 回應於該複數個一次細光束而自該樣本偵測複數個信號細光束。
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