TW202425212A - 晶圓搬送用手、晶圓交換裝置、帶電粒子束裝置及真空裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之晶圓搬送用手包含手本體、靜電吸盤、及易變形構件，靜電吸盤及易變形構件係以相鄰之方式配置於手本體之一個平面，易變形構件相較靜電吸盤而言具有高度。藉此，於晶圓搬送用手，即便減小靜電吸附力亦能夠防止晶圓之位置偏移，且能夠防止因殘留吸附力引起之晶圓彈跳。

Description

晶圓搬送用手、晶圓交換裝置、帶電粒子束裝置及真空裝置

本發明係關於一種晶圓搬送用手、晶圓交換裝置、帶電粒子束裝置及真空裝置。

先前，於半導體裝置之領域中，已知有與晶圓交換機器人等晶圓交換裝置相關之技術。尤其是在真空內之晶圓交換裝置中，為了縮短晶圓之交換時間，必須使機械手(以下亦簡稱為「手」)高速動作。又，隨著器件之多樣化，亦需要能夠應對易翹曲之晶圓。

於專利文獻1中揭示有：於基板搬送裝置中使用末端效應器，該末端效應器具有支持半導體晶圓之支持構件、設置於支持構件之靜電吸盤、及自支持面突出形成之作為保持部之保持銷，且保持銷沿著安裝孔以保持銷能夠在自支持面突出之方向上移動的方式設置，藉此，即便於半導體晶圓產生翹曲之情形時，亦可利用靜電吸盤來保持因翹曲引起之變形較少之半導體晶圓之中央部，並利用保持銷來保持中央部之周圍區域，因此，能夠按照因翹曲引起之變形充分地保持半導體晶圓。 先前技術文獻  專利文獻

專利文獻1：國際公開第2012/014442號

[發明所欲解決之問題]

於半導體晶圓之製造、測定、檢查等步驟中，為了提高裝置之每單位時間之晶圓處理片數即產能，必須進行半導體晶圓之高速之交換動作。又，有時亦需要處理翹曲之晶圓。

根據步驟之種類，在高速之晶圓交換之同時要求微米尺度之較高之位置精度。尤其相對於處理無圖案之裸晶圓之裝置而言，在處理附帶圖案之晶圓之裝置中，為實現微細電路之位置對準亦要求減小晶圓搬送時之晶圓之位置偏移。

另一方面，若提高加速度使晶圓交換機器人之動作高速化，以此來縮短晶圓搬送所耗費之時間，則有如下之虞：對晶圓施加之慣性力增大，晶圓於機械手上滑動，位置偏移變大。又，若晶圓之滑動過大，則亦考慮到如下事態：晶圓於裝置內落下，作為脆性材料之晶圓破裂，碎片於裝置內飛散，而難以繼續使用裝置。

因此，使晶圓於晶圓搬送裝置之機械手上不會滑動之橫向之最大力(以下稱為「耐橫向偏移力」)之增大成為課題。又，於晶圓翹曲之情形、晶圓背面附著有抗蝕劑等藥劑或異物之情形時，若耐橫向偏移力之降低幅度較大，則必須設定預想到該情形之安全係數，必須使動作速度大幅度降低，從而導致晶圓交換時間增大。即，提高翹曲晶圓、背面存在異物時之耐橫向偏移力之穩固性亦成為課題。

專利文獻1記載之基板搬送裝置係利用靜電吸盤固定半導體晶圓之中央部。於此情形時，使靜電吸盤之靜電吸附力作用於半導體晶圓，獲得摩擦力。靜電吸盤由陶瓷、聚醯亞胺膜形成，故與半導體晶圓相接之面上之摩擦係數相對較小。因此，於擔心對半導體晶圓施加之慣性力超過耐橫向偏移力之情形時，必須增大靜電吸附力。自零件之耐受電壓等觀點而言，較理想為減小靜電吸附力。

又，靜電吸盤之吸附力與面積成比例，故必須增大靜電吸盤之面積。若增大靜電吸盤之面積，則難以實現機械手之輕量化。進而，將靜電吸盤斷開(OFF)後殘留吸附力仍變大，將晶圓放置於試樣台等時晶圓彈跳而發生位置偏移，此亦成為課題。

本發明之目的在於，於晶圓搬送用手，即便減小靜電吸附力亦能防止晶圓之位置偏移，並且防止因殘留吸附力引起之晶圓彈跳。 [解決問題之技術手段]

本發明之一態樣之晶圓搬送用手包含手本體、靜電吸盤、及易變形構件，靜電吸盤及易變形構件以相鄰之方式配置於手本體之一個平面，易變形構件相較靜電吸盤而言具有高度。 [發明之效果]

根據本發明，於晶圓搬送用手，即便減小靜電吸附力亦能夠防止晶圓之位置偏移，並且能夠防止因殘留吸附力引起之晶圓彈跳。

首先，對藉由本發明之晶圓搬送用手支持晶圓之構成及原理進行說明。

晶圓搬送用手包含手本體、靜電吸盤、及易變形構件。易變形構件中包含黏彈性體。

通常而言，黏彈性體係由同時具有彈性特性及黏性特性作為力學特性之物質構成之構件，由橡膠等高分子材料構成。

此處，考慮在晶圓與黏彈性體之間作用摩擦力而不使晶圓滑動的條件。

於晶圓在水平方向上加速移動之情形時，會對晶圓施加慣性力F _I。

於該慣性力F _I低於摩擦力F _F之情形時，晶圓不會滑動。即，下述式(1)之關係成立。

F _I＜F _F(1) 若將晶圓之質量設為M，將晶圓交換機器人(晶圓交換裝置)之手部之最大加速度設為A，則施加至晶圓之慣性力F _I由下述式(2)表示。

F _I＝M×A (2) 另一方面，若將重力加速度設為G，將摩擦係數設為μ，則晶圓之背面(下表面)所產生之摩擦力F _F由下述式(3)表示。

F _F＝μ×M×G  (3) 並且，若將上述式(2)及(3)代入上述式(1)，則獲得下述式(4)。

M×A＜μ×M×G   (4) 從兩邊消除M，則獲得下述式(5)。

A＜μ×G   (5) 即，因重力加速度G為固定，故最大加速度A唯一依賴於摩擦係數μ，晶圓交換機器人之高速化受到限制。又，若晶圓之背面附著有抗蝕劑或異物，則擔心因摩擦係數降低而導致晶圓滑動，必須將加速度之安全係數預估得較大。因此，難以實現晶圓交換機器人之高速化。

本發明之晶圓搬送用手用於解決上述問題。

以下，參照附圖對本發明之晶圓搬送用手、晶圓交換裝置、帶電粒子束裝置及真空裝置之實施方式進行說明。 實施例1

晶圓交換裝置具有晶圓搬送用手。

圖1係表示實施例1之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖所示之晶圓搬送用手包含手本體103、黏彈性體102、及靜電吸盤201。黏彈性體102及靜電吸盤201設置於手本體103之上表面。手本體103之上表面呈平面狀。

於黏彈性體102之周圍，以包圍黏彈性體102之方式配置有靜電吸盤201。黏彈性體102相較靜電吸盤201而言更高。於本說明書中，將如此般組合黏彈性體102及靜電吸盤201而成之構成稱為「複合吸附手構造」。

換言之，靜電吸盤201及黏彈性體102以相鄰之方式配置於手本體103之一個平面。

再者，構成為：自未圖示之靜電吸盤放大器向靜電吸盤201施加高電壓，以使靜電吸盤201與晶圓101之間產生靜電吸附力。

靜電吸盤201可設為環狀之連續體，亦可設置複數個圓柱狀者。

因黏彈性體102高於靜電吸盤201，故黏彈性體102之上表面部分會與晶圓101接觸。另一方面，靜電吸盤201不與晶圓101接觸，而與晶圓101之間產生靜電吸附力。

即，構成為：晶圓101由黏彈性體102支持，於晶圓101與靜電吸盤201之間產生間隙(空間)。

靜電吸盤201產生用以確保黏彈性體102與晶圓101之背面之實際接觸面積的吸附力202。吸附力202例如設為施加至晶圓101之重力之2～3倍左右。黏彈性體102相較表面設置有陶瓷或聚醯亞胺等作為絕緣層之靜電吸盤201而言，摩擦係數大一位數左右。因此，相較僅使用靜電吸盤201之情形而言，能夠以小一位數之靜電吸附力獲得同等程度之耐橫向偏移力。

因所需之靜電吸附力較小，故靜電吸盤201之面積較小即可，能夠實現晶圓搬送用手之輕量化。尤其當對靜電吸盤201使用能夠以聚醯亞胺膜等膜積層構造形成之庫侖力方式時，有利於輕量化。

又，因靜電吸附力較小，故殘留吸附力亦變小，不會引起晶圓彈跳，不會產生位置偏移。

繼而，對晶圓搬送用手針對翹曲晶圓之對策進行說明。

圖2係表示於圖1之晶圓搬送用手載置有翹曲晶圓之狀態之側視圖。

本圖所示之黏彈性體102具有數百μm至數mm左右之厚度(高度)。藉由如此構成，於抓持翹曲晶圓401之情形時，能夠使黏彈性體102之表面形狀追隨於翹曲晶圓401之傾斜面。藉此，可使實際接觸面積固定，能夠抑制摩擦係數及耐橫向偏移力之變化，從而穩定地保持翹曲晶圓401。即，能夠有助於處理翹曲晶圓等工序中之晶圓交換之高速化。

圖3係表示實施例1之晶圓搬送用手之立體圖。

本圖中，設為三點支持，即，於手本體103上之三處設置複合吸附手構造。靜電吸盤201設為環狀之連續體，以包圍黏彈性體102之方式設置。

若為兩點支持，則無法穩定地支持晶圓，若為四點支持，則當一點高於其他點或低於其他點時，會產生晃動。

相對於該等，當為三點支持時，平面唯一確定，能夠穩定地支持晶圓而不會晃動。

圖4係表示變化例1之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖中，於黏彈性體102之外側配置有靜電吸盤201。

於靜電吸盤201之引力較大之情形時，如本圖所示，會存在晶圓101向上凸出變形的情況。因此，較理想為，藉由將靜電吸盤201之引力限制為既定值以下而防止晶圓101之變形(彎曲)。

圖5係表示靜電吸盤及黏彈性體之較佳之配置例之側視圖。

形成為如下構造：利用靜電吸盤201包圍黏彈性體102之周圍。本圖中，在兩處示出了靜電吸盤201及黏彈性體102之組，但實際為如圖3所示配置三處。即，較理想為以相鄰之方式配置之靜電吸盤201及黏彈性體102之組有三個。於此情形時，即便靜電吸盤之吸附力發揮作用，晶圓101整體亦不會彎曲，故吸盤解除時晶圓101亦不會振動，不會產生位置偏移。 實施例2

圖6係表示實施例2之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖中，於靜電吸盤201之周圍，以包圍靜電吸盤201之方式配置有黏彈性體102。黏彈性體102相較靜電吸盤201而言更高。該構造亦為「複合吸附手構造」。

於該配置之情形時，亦與實施例1(圖1)之情形同樣地，不會產生晶圓101整體彎曲般之變形，故不會產生吸盤解除時之晶圓振動、位置偏移。

實施例2相較實施例1而言，因黏彈性體102與晶圓101接觸之面積較大，故能夠確保摩擦力，能夠確實地防止位置偏移。

另一方面，實施例1之圖1相較實施例2而言，易增大靜電吸盤201之面積，故能夠以低電壓確保所需之靜電吸附力。

因此，根據晶圓交換裝置之規格來選擇實施例1或2之構成。

再者，於實施例1及2之任一者中，配置於複合吸附手構造之外周側之靜電吸盤201或黏彈性體102均可為圓柱形狀，亦可為角柱形狀。

圖7係表示變化例2之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖中，手本體903使用碳纖維強化塑膠(以下稱為「CFRP」)。其他構成與圖1相同。符號902表示CFRP之纖維方向。

CFRP作為輕量且高衰減之材料而為人所知。藉由利用CFRP形成手本體903，可使手本體903輕量。又，能夠使晶圓搬送用手之振動快速衰減。

作為手本體903之振動成為問題之情形，考慮在將晶圓101從晶圓搬送用手放置於晶圓支持台901時，因靜電吸盤201之微小之殘留吸附力904而導致手本體903變形，在放開晶圓101之瞬間手本體903振動。

本圖所示之晶圓搬送用手中，手本體903使用CFRP，故能夠使此種遞交時之振動快速衰減。如本圖所示，藉由將CFRP之纖維方向902設為手本體903之長度方向，可獲得最大之衰減效果。

繼而，就手本體使用CFRP時對翹曲晶圓之追隨進行說明。

圖8係表示於圖7之晶圓搬送用手載置有翹曲晶圓之狀態之側視圖。

圖8中，因手本體903由CFRP形成，故能夠誘發手本體903之變形，使對翹曲晶圓401之追隨效果進一步增大。即，能夠進一步提高針對晶圓翹曲之耐橫向偏移力之穩固性。

圖9係表示變化例3之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖所示之晶圓搬送用手係使用原子間力墊1101來代替圖1所示之黏彈性體102者。其他構成與圖1相同。

原子間力墊1101能夠不使用摩擦力而使用原子間力使物體吸附以獲得耐橫向偏移力。因此，即便於產生異物附著、抗蝕劑等藥液飛散、表面粗糙度、不均等晶圓背面之狀態變化之情形時，亦能將耐橫向偏移力之降低抑制為較小。即，能夠提高針對晶圓背面之狀態變化之穩固性。

繼而，對如下構成進行說明，即，將黏彈性體設為環狀體(中空圓筒形狀)，於其中央部之空間設置凸部，進行與靜電吸盤之間隙管理，使吸附力固定。

圖10A係表示變化例4之晶圓搬送用手之側視圖。

本圖中，將黏彈性體102設為環狀體，於其中央部之空間設置有凸部1201。凸部1201之高度低於黏彈性體102。凸部1201由較黏彈性體102硬之材料(難變形構件)形成。

圖10B係表示將圖10A之晶圓搬送用手之靜電吸盤接通(ON)之狀態的側視圖。

若自圖10A之狀態接通靜電吸盤201以使其產生吸附力，則如圖10B所示，晶圓101與凸部1201接觸。藉此，可使晶圓101與靜電吸盤201之間隙1202固定。

靜電吸盤201之吸附力與距作為吸附對象之晶圓101之距離之平方成反比例降低。藉由設置凸部1201，可使間隙1202固定，從而可使靜電吸盤201之吸附力固定。又，因使靜電吸盤201之吸附力固定，故可降低耐橫向偏移力之不均。此對裝置量產時之機差降低亦有效。

再者，自防止晶圓101帶電之觀點而言，凸部1201可設為導電性PEEK等導電性樹脂。此處，PEEK為聚醚醚酮之簡稱。

又，凸部1201係藉由以難變形構件形成而用以使被吸附之晶圓101之位置固定者，因此，凸部1201之位置並不限定於上述例。

圖11A係表示實施例1之晶圓搬送用手之側視圖。

圖11B係表示使圖11A之靜電吸盤產生吸附力之狀態之側視圖。

使用該等圖，對檢測靜電吸盤之吸附力之構成進行說明。

於考慮運用本發明之複合吸附手之情形時，若能夠確認靜電吸盤是否確實地動作或是否獲得所需吸附力，則對防止晶圓落下等有效。

如圖11A所示，於手本體103之上方設置雷射位移計(未圖示)，將雷射位移計之光軸1302照射至晶圓101。

並且，如圖11B所示，使靜電吸盤201產生吸附力，測量晶圓101下降時之下降量1301。

晶圓101之下降量1301預先根據黏彈性體102之彈性模數及尺寸而算出，並作為正常時之規定量預先記憶於裝置之記憶體(未圖示)中。正常時之規定量用於靜電吸盤201之動作判定。

再者，雷射位移計例如設置於試樣室上表面、加載互鎖腔室之上表面等。

圖12係表示雷射位移計之配置例之立體圖。

雷射位移計(未圖示)亦能夠以測量由虛線表示之晶圓外周部1401之3點之方式配置。藉由以3點進行測量而算出晶圓之斜率，能夠偵測3處靜電吸盤201是否全部正常動作。藉由測量晶圓外周部1401之位移，而容易檢測靜電吸盤201故障時因晶圓之斜率引起之位移，故即便使用精度相對較低之廉價變位感測器，亦能夠偵測故障。

圖13係表示靜電吸盤斷線時之晶圓交換裝置之動作例之流程圖。

晶圓交換裝置之控制部成為前提，其構成如下。

晶圓交換裝置之控制部具有：施加電壓調整部，其調整由對靜電吸盤施加高電壓之靜電吸盤放大器產生之電壓；斷線判定部，其判定靜電吸盤有無斷線；斷線偵測信號監視部，其接收該判定結果之信號而監視有無斷線；及手動作控制部。手動作控制部控制手之移動距離、移動速度、移動方向等動作。又，於靜電吸盤放大器設置有斷線偵測信號監視部，該斷線偵測信號監視部接收關於靜電吸盤有無斷線之判定結果之信號而監視有無斷線。

如本圖所示，於斷線偵測信號監視部，以固定週期收取來自斷線判定部之信號，監視靜電吸盤有無斷線(步驟S1501)。

斷線判定部判定有無斷線(步驟S1502)，於無斷線之情形時，返回至步驟S1501，繼續監視。

另一方面，於有斷線之情形時，將其信號自斷線判定部發送至斷線偵測信號監視部，並且對手動作控制部進行警報發送(步驟S1503)。手動作控制部於接收到警報發送時，將手轉變為低速模式(步驟S1504)。低速模式係使手於晶圓不會因黏彈性體所產生之摩擦力而落下之加速度之範圍內動作的模式。

其後，於經過一定等待時間後進行晶圓之回收(步驟S1505)。等待時間較理想為20秒左右。

此時，因存在基板之處理延遲時間，故若靜電吸盤斷線後立即失去吸附力，則有晶圓落下之虞。順帶而言，基板之處理延遲時間通常為數十毫秒左右。但是，靜電吸盤斷線時，不會進行強制施加反向電壓之吸盤斷開處理，故殘留吸附力較多地殘留。殘留吸附力需耗費數秒逐漸減弱，故殘留吸附力之大部分殘留之時間、即殘留吸附力維持時間為數秒左右。因此，於殘留吸附力維持時間之期間、即向低速模式之轉變完成之後，數秒期間內某種程度地維持殘留吸附力，晶圓不會從手中落下。又，藉由將等待時間如上文所述充分設為20秒左右，而殘留吸附力大致為零，故當利用升降機等回收晶圓時晶圓不會彈跳。

最後，對作為本發明之帶電粒子束裝置及真空裝置之實施方式的半導體測量裝置進行說明。本實施方式之半導體測量裝置例如係作為掃描型電子顯微鏡(SEM)之應用裝置之測距SEM。

圖14係表示具有晶圓搬送用手之半導體測量裝置之模式性剖視圖。

本圖所示之半導體測量裝置具備：進行對象物之定位之載台裝置1604、收容該載台裝置1604之真空腔室1601、密封真空腔室1601之蓋部1914、電子光學系鏡筒1602、制振座架1903、加載互鎖腔室1605、及晶圓交換機器人1606。

於真空腔室1601內收容有載台裝置1604。由真空腔室1601及蓋部1914密封之空間為減壓室1915。減壓室1915構成為藉由真空泵(未圖示)而成為較大氣壓更低之減壓狀態。真空腔室1601由制振座架1903支持。

半導體測量裝置係藉由載台裝置1604進行例如作為半導體晶圓等對象物之晶圓101之定位，自電子光學系鏡筒1602將電子束照射至對象物上，拍攝對象物上之圖案，進行圖案之線寬之測量、形狀精度之評估。載台裝置1604對保持於試樣台1608之半導體晶圓等對象物進行定位控制。

加載互鎖腔室1605於在與真空腔室1601之間交換晶圓101時處於真空狀態，於在與裝置外部之間交換晶圓101時處於大氣狀態。晶圓交換機器人1606用於在加載互鎖腔室1605與真空腔室1601之間交換晶圓101。晶圓交換機器人1606具有複合吸附手構造1607。

本實施方式之半導體測量裝置藉由具備具有複合吸附手構造之晶圓交換裝置，而能夠進行晶圓等對象物之高速且位置精度較高之交換動作。因此，能夠使作為帶電粒子束裝置之半導體測量裝置之產能及檢查精度提高。又，複合吸附手藉由原子間力墊、吸附力之偵測功能，即便於晶圓背面附著有異物之情形時亦能夠抑制晶圓偏移，能夠維持對於晶圓搬送時之位置精度較高之穩固性。

以下，對本發明之較理想之實施方式彙總地進行說明。

晶圓搬送用手中，靜電吸盤及易變形構件係以該等中之一者包圍另一者之方式配置。

以相鄰之方式配置之靜電吸盤及易變形構件之組較理想為三個。

手本體由碳纖維強化塑膠形成。

靜電吸盤具有其表面由膜覆蓋之構成。

易變形構件具有利用原子間力之表面構造。

晶圓搬送用手進而包含由難變形構件形成之凸部，易變形構件相較凸部而言具有高度。

晶圓交換裝置具有晶圓搬送用手。

帶電粒子束裝置具有晶圓交換裝置。

帶電粒子束裝置進而具有測量載置於晶圓搬送用手之晶圓之高度變化的變位感測器。

真空裝置具有晶圓交換裝置。

真空裝置進而具有測量載置於晶圓搬送用手之晶圓之高度變化的變位感測器。

再者，本發明之帶電粒子束裝置及真空裝置並不限定於半導體測量裝置。

以上，使用附圖對本發明之實施方式進行了詳細敍述，但具體構成並不限定於上述實施方式，不脫離本發明之主旨之範圍內之設計變更等亦包含於本發明中。

101:晶圓 102:黏彈性體 103, 903:手本體 201:靜電吸盤 202:吸附力 401:翹曲晶圓 901:晶圓支持台 902:CFRP之纖維方向 904:殘留吸附力 1101:原子間力墊 1201:凸部 1202:間隙 1301:下降量 1302:光軸 1401:晶圓外周部 1601:真空腔室 1602:電子光學系鏡筒 1604:載台裝置 1605:加載互鎖腔室 1606:晶圓交換機器人 1607:複合吸附手構造 1608:試樣台 1903:制振座架 1914:蓋部 1915:減壓室 S1501～S1505:步驟

圖1係表示實施例1之晶圓搬送用手之側視圖。 圖2係表示於圖1之晶圓搬送用手載置有翹曲晶圓之狀態之側視圖。 圖3係表示實施例1之晶圓搬送用手之立體圖。 圖4係表示變化例1之晶圓搬送用手之側視圖。 圖5係表示靜電吸盤及黏彈性體之較佳之配置例之側視圖。 圖6係表示實施例2之晶圓搬送用手之側視圖。 圖7係表示變化例2之晶圓搬送用手之側視圖。 圖8係表示於圖7之晶圓搬送用手載置有翹曲晶圓之狀態之側視圖。 圖9係表示變化例3之晶圓搬送用手之側視圖。 圖10A係表示變化例4之晶圓搬送用手之側視圖。 圖10B係表示將圖10A之晶圓搬送用手之靜電吸盤接通(ON)之狀態之側視圖。 圖11A係表示實施例1之晶圓搬送用手之側視圖。 圖11B係表示使圖11A之靜電吸盤產生吸附力之狀態之側視圖。 圖12係表示雷射位移計之配置例之立體圖。 圖13係表示靜電吸盤斷線時之晶圓交換裝置之動作例之流程圖。 圖14係表示具有晶圓搬送用手之半導體測量裝置之模式性剖視圖。

101:晶圓

102:黏彈性體

103:手本體

201:靜電吸盤

202:吸附力

Claims (11)

1. 一種晶圓搬送用手，其包含： 手本體、 靜電吸盤、及 易變形構件， 上述靜電吸盤及上述易變形構件以相鄰之方式配置於上述手本體之一個平面，且 上述易變形構件相較上述靜電吸盤而言具有高度， 上述晶圓搬送用手進而包含：由難變形構件形成之凸部， 上述易變形構件具有比上述凸部高之高度。
2. 如請求項1之晶圓搬送用手，其中上述靜電吸盤及上述易變形構件係以該等中之一者包圍另一者之方式配置。
3. 如請求項1之晶圓搬送用手，其中以相鄰之方式配置之上述靜電吸盤及上述易變形構件之組有三個。
4. 如請求項1之晶圓搬送用手，其中上述手本體係由碳纖維強化塑膠形成。
5. 如請求項1之晶圓搬送用手，其中上述靜電吸盤具有其表面由膜覆蓋之構成。
6. 如請求項1之晶圓搬送用手，其中上述易變形構件具有利用原子間力之表面構造。
7. 一種晶圓交換裝置，其具有如請求項1之晶圓搬送用手。
8. 一種帶電粒子束裝置，其具有如請求項7之晶圓交換裝置。
9. 如請求項8之帶電粒子束裝置，其進而具有測量載置於上述晶圓搬送用手之晶圓之高度變化的變位感測器。
10. 一種真空裝置，其具有如請求項7之晶圓交換裝置。
11. 如請求項10之真空裝置，其進而具有測量載置於上述晶圓搬送用手之晶圓之高度變化的變位感測器。