TW320749B - - Google Patents

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A7 320749 __B7_ 五、發明説明（i ) 本發明係關於對半導體晶圓之薄膜與基板實施高精密 蝕刻之蝕刻方法。 、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 半導體元件之製造領域中對次微米層次之超微細加工 之要求極高，而使微影蝕刻之光罩技術日益高精度化。特 別是伴隨著半導體元件之單層積體化及微細化之傾向， F E T (場效電晶體）之相鄰閘極間之間隔日益縮小，而 要求具高精度之蝕刻技術。微影蝕刻用以蝕刻被蝕刻層， 而形成圖型開口（例如，連接孔或線接孔）。此被蝕刻層 可爲由S i N或S i 02製得之閘極氧化膜或多晶矽層或 單晶矽基板等製成。 如圖1 A所示，因爲在被蝕刻層2之表面8 (曝光用 光6之反射面）具有微觀之凹凸存在，在此反射面8曝光 用光6會亂反射，而擴大光阻劑膜4之感光範圍。其結果 如圖1 B所示，圖型開口之線寬L2較目標線寬Li大許 多，而使光罩之精度劣化。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 因此如圖2 A所示，提出以分散於溶媒中之碳黑等碳 微粒子塗佈後，將溶媒蒸發以形成防止亂反射膜1 〇。以 防止亂反射膜1 0 (抗反射層，以下簡稱AR C )塗覆被 蝕刻層2，以防止曝光用之光6亂反射。ARC 1 〇具優 異平滑性，因此理想上反射面8爲平坦面。在ARC 1 〇 上塗覆光阻劑膜4 ，將其曝光、顯影，則如圖2 B所示， 圖型開口之線寬1^2與目標線寬L:實質上爲相同，而形 成精度高之光阻劑光罩。 因爲被蝕刻層2被ARC 1 〇所塗覆，必須蝕刻除去 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 經濟部中央揲準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（2 ) ARC，以便在圖型開口露出被蝕刻層2。一般而言爲除 去ARC 1 〇係採用臭氧中之氧原子自由基。但是，因爲 氧原子自由基具有等方性蝕刻之特性，不僅是ARC 1 0 ，連光阻劑膜4也會被氧原子自由基所蝕刻。其結果，如 圖2 C所示，圖型開口之線寬L2較目標線寬Li變大許 多。 以下參照圖9 A及圖9 B說明本發明所欲解決之另一 課題。 在如S i 02之氧化膜下存在鋁或鎢之類之金屬基底 層之場合，僅蝕刻被蝕刻層，且必須注意不致蝕刻到金屬 基底層。因此相對於金屬基底層必須採用對被蝕刻層具高 選擇性之蝕刻氣體。爲符合高選擇性蝕刻之要求，係採用 在一般所用之C4F8蝕刻氣體中添加C0而成混合氣體 〇 但近來伴隨電路之高積體化，在高選擇性要求之外， 對於蝕刻所形成之圖型開口（連接孔或線接孔）之形狀也 予以要求。 圖9係以往之圖型開口 8 6之縱剖面圖之一實例。金 屬基底層（鋁薄膜）8 3係形成於兩個絕緣層（S i 02 )82、84之間。在第2絕緣層84之上塗覆光阻劑膜 85，使光阻劑膜85曝光、顯影、蝕刻。此處對第2絕 緣層8 4實施高選擇性蝕刻。藉此高選擇性蝕刻在第2絕 緣層8 4上形成圖型開口8 6。圖型開口8 6實際上由垂 直之周圍側壁8 7所圍繞。在經異方性蝕刻之圖型開口 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----?--l·---f，衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -5 - A7 320749 _____B7_ 五、發明説明（3 ) 8 6中，若具高選擇性則周圍側壁8 7與底面間幾乎呈 9 ◦度。在除去光阻劑膜8 5之後，在圖型開口'8 6內充 填鋁等金屬而形成配線層8 8。 但是，如圖9 B所示在圖型開口 8 6之底部角落容易 產生空隙8 9之缺陷、而致在配線8 3、8 8間之導通不 良。特別目標線寬爲0. 2微米以下之超微細配線中 易於產生空隙等缺陷。因此，在超L S I電路之配線中要 求以金屬使圖型開口 8 6之充填性提高。 發明概要 本發明之目的係提供一種蝕刻方法，其可蝕刻防止亂 反射膜而不致在橫方向侵蝕光阻劑膜。 本發明之另一目的係提供獲得具高選擇性且同時利用 金屬使圖型開口形狀之充填性提高之蝕刻方法。 本發明係一種蝕刻方法，其特徵爲： 在基板上形成被蝕刻層，且以防止亂反射膜塗覆該被 蝕刻層，然後以光阻劑膜塗覆該防止亂反射膜之製程，及 使光阻劑膜製成圖型之曝光製程，及 使經曝光之光阻劑膜顯影，且使防止亂反射膜露出而 形成圖型開口部之製程，及 將基板移入密室內，使密室排氣形成減壓環境，至少 以〇2氣體及氣體中之一種與C4F8氣體相混呈混 合氣體而將之導入處理室內，使該混合氣體產生電漿，電 漿中之活性物質在基板上作用，藉此實質上不蝕刻圖型開 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 -6 - 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 —__B7 五、發明説明（4 ) 口部周圍側壁之光阻劑膜，而蝕刻在圖型開口部所露出之 防止亂反射膜，且然後蝕刻被蝕刻層之製程。、 形成防止亂反射膜係採用以旋轉塗佈機可易於塗覆在 晶圓表面上之成份溶液。此成份溶液包括含碳物質及揮發 性成份。例如碳黑等碳原子類粒子係適當之含碳物質。另 外揮發性成份係採用與例如包含在光阻劑溶液中之環己酮 或丙酮之揮發性成份相等或與此類似之物質。在此AR C 膜乾燥後具極佳之平坦特性，而易於實施異方性蝕刻。乾 燥後之ARC膜之膜厚較佳爲在4 0〜1 0 0 nm之範圍 〇 因爲採用至少以〇2氣體及n2氣體中之一種與 C4F8氣體相混之混合氣體蝕刻，大致上阻止了光阻劑 膜在橫方向（與膜厚垂直之方向）之蝕刻，而可以僅蝕刻 防止亂反射膜，藉此可使用尺寸精度爲高精度之光罩，而 可製得次微米層次之超微細線寬之電路。特別是，〇2氣 體及N2氣體之量爲C4F8氣體量之3〜5倍範圍，較 佳設定爲4倍時，約略可完成阻止光阻劑膜朝與膜厚垂直 之方向（橫方向）之侵蝕。 另外，採用在C4F8氣體中混合C ◦氣體以蝕刻時 ，雖然可獲得高選擇性比，圖型開口之周圍側壁與底面間 大致爲垂直（斜度角0約9 0° )。因此圖型開口之形狀 易於產生空隙89。 又，因爲C4F8在利用電漿解離而產生氟原子自由 活性基之時CO會失去活性’與絕緣膜（如s i 02 )反 _本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,4- -7 - ΑΊ 320749 __Β7 五、發明説明（5 ) 應之氣體種類會減少，且對絕緣膜之蝕刻程度會降低。此 處爲防止蝕刻程度降低，而單獨使用C4F8氣體，而在 絕緣膜上常會存在氟碳類沉積，其依舊妨害到提高蝕刻程 度之結果。另外因此類氟碳類沉積經常存在，使用蝕刻反 應無法進行，使可使用之密室內壓範圍縮小。 本發明係一種蝕刻方法，其特徵爲： 在基板上形成金屬基底層， ·在該金屬基底層上形成絕 緣層，然後以光阻劑膜塗覆該絕緣層之製程，及 使光阻劑膜製成圖型之曝光製程，及 使經曝光之光阻劑膜顯影，且使前述絕緣層露出而形 成圖型開口部之製程，及 將基板移入密室內，使密室排氣形成減壓環境，在氟 碳類氣體中在控制添加量之下選擇性地添加選自包括02 氣體、n2氣體、co2氣體、n2o 氣體、nf3氣體 、SF6氣體、S〇2氣體、He氣體、Ar氣體、Kr· 氣體、X e氣體、之1種或2種以上之氣體，並將氟碳類 氣體與前述添加氣體導入密室內，使其產生電漿，電漿中 之活性物質與絕緣層而蝕刻絕緣層，在周圍側壁與底面間 形成具傾斜鈍角之圖型開口之製程，及 在前述圖型開口中填滿金屬，形成金屬配線層而與前 述金屬基底層導通之製程。 絕緣膜係由S i 02膜、s i N膜、單晶矽膜或多晶 矽膜等。 氟碳類氣體除C4F8氣體之外，亦可使用CHF3、 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' _ 8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ί丨 經濟部中央棣準局負工消費合作社印装 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 Μ ___Β7__ 五、發明説明（6 ) 0卩4、（：2?8、（：3?8等之各種氣體。 另外調整基板載置台之溫度，以改變在基板與活性物 質間所產生之蝕刻作用，可控制圖型開口之形狀。 根據本發明人等之發現，添加氣體之量若超過氟碳類 氣體之量太多則選擇性蝕刻比會明顯降低很多。因此較佳 添加少於5 0體積百分比之比例之選自包括〇2、N2、 C02' N20 ' NF3' s F 6 ' S 0 2 ' He、Ar、 K r 、Xe氣體中之1種或2種以上之氣體。 C4F8氣體藉電漿解離而生成C F2+離子。此 CF2+離子係相對於以氟原子自由基進行金屬基底層蝕 刻之排斥性離子。因此金屬基底層8 3實際上不會被蝕刻 而僅蝕刻絕緣膜8 4而可實現高選擇性之蝕刻。 另外，C4F8氣體藉電漿解離而在進行蝕刻矽晶圓 表面之S i 02氧化膜。氟碳類膜（如CF2·)在圖型開 口之底部堆積，圖型開口之周圍側壁之傾斜面變大（斜度 角0成鈍角）。氟碳類膜雖然具有在Si02蝕刻時除去 所發生之〇2之性質，在S i 02中僅含02時，無法完 全實現預期之斜度角β。所以，在C4F8氣體中添加02 等添加氣體，以除去氟碳類膜時，可控制圖型開口周圍側 壁8 7之傾斜度。另外，圖型開口中較佳之斜度角Θ爲 1 0 0 0 〜1 1 0 ° 。 又，若晶圓爲高溫，由於氟碳類膜之堆積速度變慢， 圖型開口周圍側壁之斜度角0會變小（大致爲直角）。另 外若晶圓爲低溫，由於氟碳類膜之堆積速度變快，斜度角 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 320749 A7 B7 圖面之簡單說明 圖1 A及圖1 自爲說明一般蝕刻方法（無防止亂 反射膜）之剖面圖 d 圖2 A及圖淡自爲說明一般蝕刻方法（具防止亂 ί 五、發明説明（7 ) 0會變大（鈍角）。因此降低載置台之溫度以冷卻晶圓， 而形成大斜度角0之圖型開口’而獲得在圓型開、口處具高 填充性之金屬。 反射膜）之剖面 圖3係採用本發明之第1實施例之蝕刻方法之電漿蝕 刻裝置之剖面示意圖。 圖4係第1實施例蝕刻方法之流程圖： 圖5所示係半導體晶圓上之蝕刻對象之部份放大剖面 圖。 圖6所示係半導體晶圓上之蝕刻對象之部份放大剖面 圖。 圖7係C 4 F 8氣體添加量與光阻劑膜變化量關係之 示意圖。 圖8係高頻電力與光阻劑膜之變化量關係之示意圖。 圖9 Α及圖9 Β分別顯示以往的蝕刻圖型開口和金屬 充填圖型開口之縱剖面圖。 圖1 0係採用本發明之第2實施例之蝕刻方法之電漿 蝕刻裝置之剖面示意圖。 圖11所示係第2實施例之流程圖。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----->--L·---------訂------^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本1) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 10 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 圖1 2 A係蝕刻後之晶圓剖面圖。 圖1 2 B係配線後之晶圓剖面圖。 - 圖1 3係以蝕刻用氣體之成份流量作爲參數時連接孔 之孔徑與周圍側壁之斜度角關係之示意圖。 圖1 4係以蝕刻處理時之溫度作爲參數時連接孔之孔 徑與周圍側壁之斜度角關係之示意圖。 發明之較佳實施方式 以下說明參照所付圖面之本發明之較佳實施方式》 蝕刻裝置14係爲提供在半導體晶圓W上蝕刻形成薄 膜之雙極性磁控管電漿蝕刻器。蝕刻裝置1 4之處理室 1 6接地。處理室1 6之底部製備有與真空泵連通之排管 18，經由排氣使處理室16內達高真空度。另外，處理 室1 6之體稹約3 5升。 此處理室1 6內之底部中央在中間介有絕緣板2 0下 置備有鋁製載物支持台2 2 ’然後在支持台2 2上加置鋁 製置物台2 4。在置物支持台2 2之內部製成冷卻室2 6 。此冷卻室2 6各自與導入管2 7及排出管3 0相連’且 在中間介有此等管2 7、3 0下使冷媒在冷媒供給源（圖 中未示出）及冷卻室2 6之間循環。利用此類冷卻系統之 載物台2 4可調整溫度範圍於一2 0 0°C〜+ 2 0 0 °C。 載物台2 4與產生1 3 5 6MH z電漿之高頻電源 2 8在中間介有搭配電路3 0及封閉致冷裝置（blocking condenser ) 3 2下相連接。此高頻電源2 8藉輸出控制 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -11 - 320749 Μ 五、發明説明（9 ) 部3 4調整其輸出。另外，在載物台2 4之上面設置有以 靜電吸附固定晶圓W之靜電密室36。 、 另外，在處理室1 6內之上端部設置有與地端相接而 接地之洩流（SHOWER)電極4 0。此電極4 0係由非晶質碳 或S i C所製得，洩流電極4 0爲中空，下部具有多數個 孔4 2。洩流電極4 0之內部與氣體導入口 4 4連通.然 後氣體導入4 4與配管4 8連通。配管4 8之原起源端有 三叉管50、52、54。各分叉管50 ' 52、54各 自與氣體供給源68、70、72連通。各分叉管50、 52、54安裝有閥56、58、60及流量控制器62 、6 4、6 6。 第1氣體供給源6 8係儲存主要蝕刻氣體C4F8 ， 第2氣體供給源70係儲存添加用氣體〇2 ，第3氣體供 • V * 給源7 2.係儲存裝載用氣體A r。另_冰添加用氣體0 2亦 可用N2取代，而裝載用氣體Ar亦可用He氣體、Kr 氣體、X e氣體取代。 控制器7 4係控制監視蝕刻裝置1 4之各項動作之電 腦系統組合。在監控系統之輸入部份針對每一晶圓W輸入 蝕刻條件。控制器7 4之輸出部份與流量控制器6 2、 64、66，閥46、56、58、60，真空泵19連 接，根據所輸入之資料各自輸出指令訊號。 來自第1〜第3氣體供給源68、70、72之氣體 流量係各自控制。控制器7 4 係控制管理蝕刻裝置1 4 之動作之電腦系統組合。在其系統之輸入部份針對每一晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ ' . -12 - (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部中央橾準局更工消费合作社印製 經濟部中央梯準局負工消费合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（10) 圓W輸入各種蝕刻條件。 在上部電極4 0上方配置有具N極S極之永久電磁鐵 7 6。磁鐵7 6具有支撐之垂直軸，其可利用旋轉驅動方 法（圖中未示出）旋轉。藉此在處理室16內之晶圓W面 上形成1 0〜1 0 0 0 G厄斯特（oersted)之磁場。另外 ，在處理室1 6之側壁及上部電極4 0之縫處插入〇形環 ，使處理室1 6之內部封閉呈氣密性。另外，本實施例之 蝕刻方法中雖然係以使用雙極型磁控管電漿蝕刻裝置作爲 實施例予以說明，本發明並不僅限於此，使用所謂偶極性 磁控管蝕刻裝置亦可。 接著，參照圖4〜圖6使用上述之蝕刻裝置說明在晶 圓上蝕刻薄膜之方法。 使用CVD裝置或濺鍍裝置等在矽晶圓W上使S i N 膜80成膜（製程S1)。此SiN膜80係圖型蝕刻之 對象。順便說明，經CVD成膜之S iN膜80之表面， 例如中心線平均粗糙度R a係以0. 0 02〜0- 018微米之粗 糙度表示之，又最大高度Rm a X係以0. 03〜0. 06微米 之粗糙度表示之。另外，S i N膜80之膜厚約600微 米。 接著，將晶圓W載置在塗佈裝置之旋轉夾盤（CHUCK) 上，在晶圓W旋轉之時將適量之A R C用成份溶液滴在晶 圓W面上。滴下液在晶圓W上擴散，而形成表面實質上爲 平坦之防止亂反射膜1 0 (製程S 2 )。經塗佈之防止亂 反射膜1 0暫時乾燥，且乾燥後表面實質上呈平坦。此類 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,冬
、1T -13 - 經濟部中央梯準局属工消費合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明（11 ) 平坦防止亂反射膜1 0覆蓋於s i N膜8 0上_。另外，乾 燥後之防止亂反射膜1 0之膜厚在4 0〜1 0 0、nm範圍 內。 然後，在晶圓W旋轉之時將適量之光阻劑溶液滴在晶 圓W面上。滴下液在晶圓W上擴散，而形成實質上爲均一 膜厚之光阻劑膜4 (製程S3)。然後乾燥光阻劑膜並供 烤之。 接著’搬送晶圓W至曝光機，使光阻劑膜4曝光成預 期之圖型（製程S4)。曝光用光（紫外線）6透過光阻 劑膜4而在防止亂反射膜1 〇之上表面反射。此時因爲防 止亂反射膜1 0之上表面爲理論上爲平坦性，不致產生反 射光之亂反射而維持沿著入射路徑反射回光源。曝光後將 晶圓載置旋轉夾盤上，在晶圓W旋轉之時將適量之顯影液 滴在晶圓W面上。將經曝光成圖型之光阻劑膜4顯影（製 程S5)。藉此除去部份光阻劑膜4，而形成具圓型開口 之光阻劑圖型。在圖型開口露出防止亂反射膜1 〇。顯影 之後，將晶圓W以水洗淨，乾燥。 然後，將晶圓W經由入料密閉室（圖中未示出）搬入 蝕刻裝置1 4中。載置在靜電夾盤3 6上，以靜電吸著固 定之。在密室1 6排氣之時，分別由3個氣體供給源6 8 、7 0、7 2朝密室1 6內導入各別氣體。來自各氣體供 給源68、70 、72之流量由流量控制器56 、58、 6 0各自控制。此時〇2氣體以相對於C4F8氣體約4 倍之流量比例添加入。又以預定量之A r伴隨C4F8 / 本紙乐UiA用t關家辟（CNS ) ( 210X297公釐) ' ‘ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，4· 、1Τ ί丨 A7 320749 B7 五、發明説明（12 ) 〇2氣體（蝕刻用氣體）作爲裝載氣體。另外因排氣與氣 體導入同時實施，處理室1 6內壓壓力控制在如、4 0毫托 (m t 〇 r r )。 在上部電極4 0與下部電極2 4之間施加高頻電壓， 使在處理室1 6內產生電漿。氣體被電漿化，且藉此能量 將蝕刻用氣體依次解離而產生各種活性基。此等活性基到 達晶圓W時，與在圖型開口處露出之防止亂反射膜1 0作 用，其結果只有防止亂反射膜被蝕刻（製程S 6)。此處 ，因爲採用最佳混合比之C4F8氣體與〇2氣體之混合 氣體作爲蝕刻氣體，光阻劑膜4被控制於朝膜厚之垂直方 向（橫方向）蝕刻，而可於膜厚方向僅蝕刻防止亂反射膜 10，而形成高精度光罩。 然後，繼續實施同樣之蝕刻以除去在圖型開口所露出 之SiN層80 (製程S7)。或者防止亂反射膜10之 製程（製程S 6 )與進行除去S i N層8 0之蝕刻製程（ 製程S7)區別開亦可。S i N層80之圖型被蝕刻之後 ，在灰化裝置內將光阻劑膜4自晶圓W上完全除去。 根據本實施例，因爲可實質上阻止光阻劑膜4在膜厚 垂直方向（橫方向）之侵蝕，而提高了光罩之尺寸精度。 此場合中，〇2氣體或N2氣體之添加量相對於 C4F8氣體之量較佳設定在3〜5倍之範圍內。最佳爲 設定在4倍之程度。若C4F8氣體之量少於此最佳範圍 ，則蝕刻程度會變大。反之若C4F8氣體之量多於此最 佳範圍，則蝕刻生成物會附著於圖型開口之周圔側壁，圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ' -15 - (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁)
、1T 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 經濟部中央樣準局負工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 型開口會變小。 接著參照圖5〜圖8由實際之蝕刻結果說明土述之蝕 刻氣體之混合比例是否適合。 如圖5所示，在由S i N製得之基底層8 0上形成防 止亂反射膜1 0 ，且以光阻劑膜4作爲光罩以蝕刻防止亂 反射膜1 0。採用C4F8及〇2之混合氣體作爲蝕刻氣 體，進行各種改變此等混合比之蝕刻評估。 圖6係蝕刻後之光阻劑膜4、防止亂反射膜1 〇及基 底層8 0之示意剖面圖。自防止亂反射膜1 0之上表面各 自測得只在膜厚方向相離2 5 0 nm處之膜4寬度爲Wi 只在膜厚方向相離5 0 0 nm處之膜4寬度爲W2。由寬 度W 1、寬度W 2之量測結果，各、求得由於蝕刻所致之 光阻劑膜4之侵蝕量與由於沉積所致之光阻劑膜4之鼓起 量。爲評估蝕刻時之光阻劑膜4，光阻劑膜4經檢測得初. 期寬度W有0. 25微米及0. 375微米2種類。 製程條件係處理壓力4 0毫托、高頻電力輸出 1 4 0 0W、密室內壁之溫度6 0 °C、載置台2 4之溫度 20°C。然後〇2氣體量固定在20SCCM，且C4F8 氣體量在3〜7 S C CM之範圍作各種改變。參照圖7及 圖8說明此等結果。圖7之橫軸爲C F氣體供給量（ SCCM)、縱軸爲光阻劑膜之膜厚變化量（nm)，顯 示兩者關係之檢測結果以特性線圖表示。在縱軸所示之變 化量中負符號之場合表示光阻劑膜4因蝕刻所致之侵蝕量 ，正符號之場合表示蝕刻時反應生成物附著於光阻劑膜4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I)
、1T 一! 16 A7 B7 經濟部中央梯準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（14 ) 之量。在兩圖中各自表示如下：白圓點爲光阻劑膜4之線 寬Wi爲〇. 2 5微米時之結果，黑圓點爲光阻劑膜4之 線寬Wi爲〇 · 2 5微米時之結果，白圓點爲光阻劑膜4 之線寬Wi爲〇 . 3 7 5微米時之結果，白四方點爲光阻 劑膜4之線寬评2爲〇. 25微米時之結果，黑四方點爲 光阻劑膜4之線寬▽1爲〇. 375微米時之結果。 由圖7可明顯看出當C4F8氣體之添加量自3 s C CM至7 S C CM依次序增加時，蝕刻量依序減少， 其中由於反應生成物在途中附著，故光阻劑膜4之寬度W 明顯變大。 C4F8氣體添加量爲3 S C CM之場合，由光阻劑 膜4之寬度W2(對應於5 0 0 nm)之部份蝕刻所致之 侵蝕量特別大，如此爲不佳。C4F8氣體添加量爲5 S C CM之場合，寬度Wi及W2之部份變化量大致上爲 零，而顯示最佳值。又C4F8氣體添加量爲7SCCM 之場合，光阻劑膜4之側壁未被蝕刻，反之在此部份卻有 廣泛而少數之蝕刻反應物附著》 根據現在之微細加工技術，因爲圖型開口徑之容許誤 差範圍約爲±30nm，由圖7可明顯看出02氣體20 S C CM相對於C4F8氣體之量設在在4〜7 S C CM 之範圍內。因此可確定02氣體之供給量相對於爲C4F8 氣體之供給量設定在3〜5倍之範圍內，藉此可控制光阻 劑膜4之寬度W。 利用在如上述之範圍內設定C F氣體及0氣體之混合 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 - 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（15 ) 比，實質上可僅蝕刻防止亂反射膜1 0，而可維持光罩之 高精度。另外，如圖6所示，在蝕刻防止亂反射膜1 0時 .，雖然朝光阻劑膜4之膜厚方向蝕刻，此對於光罩精度不 致有所影響。 在圖8雖然C4F8氣體與〇2氣體維持在混合比1 :4之一定狀態下表示改變施加之高頻電力時光阻劑膜之
變化量，通常在所使用之高頻電力範圍內，例如7 0 0W 〜1 4 0 0W之範圍內光阻劑膜無變化量之變化，而可確 認上述之氣體混合比範圍。 因此將C4F8氣體與02氣體之混合比設定在適當 範圍內，可控制光阻劑膜4在與膜厚之垂直方向（撗方向 )之侵蝕及沉積量以蝕刻防止亂反射膜1 0，而能維持形 成高精度光罩。 ‘ 接著參照圖10〜4說明本發明之第2實施例。另外 此第2實施例與第1實施例共通之部份予以省略。 蝕刻裝置1 0 0之密室1 0 1接地。在密室1 0 1內 設置具備靜電夾盤36之載置台1 0 5。載置台1 0 5與 高頻電源2 8接續，藉絕緣材料1 0 4與密室1 0 1絕緣 。在載置台1 0 5之內部設置環狀冷媒室1 0 6。在此冷 媒室1 0 6內啁節溫度用之冷媒經由冷媒導入管1 0 7導 入，冷媒在冷媒室1 0 6內循環而由冷媒排出管1 0 8排 出。然後載置台1 0 5中設置與電源1 1 0接續之陶瓷加 熱器109。載置台105之溫度控制在負50 °C至正 6 0°C之範圍內》載置台1 〇 5之溫度控制係藉溫度感測 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*tT -18 - 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（16 ) 器（圖中未示出）與控制器104進行之。. 在載置台1 0 5之上方設置上部電極1 2 1'。此上部 電極1 2 1爲中空，在其下面有多數個開口的孔1 2 2。 在上部電極1 2 1之中空部份設置與氣體導入口 1 2 3連 接，然後此氣體導入口 1 2 3經由主閥1 2 4與3個氣體 洪給源127、130、133連通。第1氣體供給源 12 7係儲存主要蝕刻氣體C4F8 ，第2氣體供給源 130係儲存添加用氣體〇2 ，第3氣體供給源133係 儲存裝載用氣體1^2。各氣體供給源1 2 7、1 3 0、 1 3 3與主閥1 2 4之間各自設置有閥1 2 5及流量控制 器126。各流量控制器126與控制140之輸出部份 接續。控制140亦與真空泵151之電源接續。 真空泵1 5 1之吸入口與密室1 0 1之排氣管1 5 2 連通。排氣管1 5 2於密室1 0 1內在排氣環1 5 3之正 下方有一開口。排氣環1 5 3設置在載置台1 0 5周綠部 份與密室內壁之間，具有多數個孔1 5 3。藉此密室 1 0 1內壓可控制在5毫托〜1 〇 0毫托之範圍。 高頻源1 5 4經由整合器、阻塞電容器1 5 6與載置 台1 0 5接續，例如在載置台1 0 5上可施加頻率 13. 56MHz ，輸出1000〜2000W之間之任 意電力之高頻電力。 製程密室1 0 1之隔鄰設置進料密閉室9 0 ，兩個密 室9 0。1 0 1以閘閥9 2予以連通。在進料密室室9 0 內設置搬送臂9 1 。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 29了公釐） I-----^---^---------訂------^ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -19 - A7 B7 五、發明説明（17 ) 接著參照圖11〜4說明使用上述蝕刻裝置之蝕刻方 法。矽晶圓W裝入氧化裝置中，在其基板8 1上形成第氧 化矽膜（Si02 ) 82(製程S1)。晶圓W裝入 CVD裝置中，在第1氧化矽膜8 2上形成鋁層8 3 (製 程S12)。此鋁層83作爲接著層合之第2氧化矽膜 8 4 a之基底層。然後在CDV裝置內A 1基底層8 3上 形成第2氧化矽膜84a (製程S13)。 將晶圓W載置在旋轉塗佈裝置上，在第2氧化矽膜 84a上塗覆光阻劑85 (製程S14)。， 接著，搬送晶圓W至曝光機，使光阻劑膜8 5曝光成 預期之圖型（製程S 1 5 ) »曝光後將晶圓W載置於旋轉 夾盤上，在晶圓W旋轉之時將適量之顯影液滴在晶圓W面 上。將經曝光成圖型之光阻劑膜8 5顯影（製程S 1 6 ) 。藉此除去部份光阻劑膜85 ，而形成具圖型開口86a 之光阻劑圖型。圖型開口 8 6 a之直徑d約爲0. 2微米 。在圖型開口 86a露出第2氧化矽膜84a。顯影之後 ，將晶圓W以水洗淨，乾燥。 經濟部中央揉準扃貝工消費合作社印策 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，將晶圓W經由入料密閉室（圖中未示出）搬入 蝕刻裝置1 0 0中。載置在靜電夾盤3 6上，以靜電吸著 固定之。在密室1 Ο 1內排氣之時，分別由3個氣體供給 源127、130、133朝密室101內導入各別氣體 。來自各氣體供給源127、130、133之氣體流量 由流量控制器1 2 6各自控制。藉控制器1 4 0將密室 1 Ο 1內壓壓力控制在約4 0毫托。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公董） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 A7 __________B7 _ 五、發明説明（18 ) 針對載置台105由電源54施加頻率13. 56 MHz之1400W之高頻，使在兩電極1〇5、、121 之間產生電漿，且藉此生成之電漿將密室內之C4F8氣 體解離而產生CF2離子。此CF2+離子係相對於以氟 原子自由基進行金屬基底蝕刻之排斥性離子。因此金屬基 底8 3實際上不會被蝕刻而僅蝕刻絕緣膜8 4而可藉 C F2+實現高選擇性之蝕刻。 如圖1 2A所示，藉此CF2離子在圖型開口 8 6 a 露出第2氧化矽膜8 4 a而蝕刻之，在圖型開口 8 6 a露 出金屬基底層83 (製程S17)。在此製程S17之蝕 刻時，如氟碳類膜之CF2沉積質在圖型開口 8 6 a之底 部堆積，圖型開口 8 6 a之周圍側壁8 7 a之傾斜面變大 ，即圖型開口 8 6 a之斜度角0變成鈍角。在本實施例中 同時調整蝕刻氣體組成，藉控制載置台溫度斜度角可在 100°〜110°之範圍。例如在圖型開口86a之直 徑d〇. 8微米且31〇2層843之厚度D爲600 nm時，蝕刻S i 〇2層84a將斜度角Θ作成1 05° 爲較佳。 接著藉灰化除去光阻劑膜8 5 ，而在表面露出第2氧 化矽膜84a (製程S18)。然後將晶圓W裝入蒸鍍裝 置、濺鍍裝置、離子銨膜裝置或CVD裝置中，如圖 1 2 B所示，經由圖型開口 8 6 a製成與金屬基底層8 3 導通之A1配線層88a (製程S19)。此配線層 8 8 a係鋁製，爲使圖型開口 8 8 a之斜度角Θ爲鈍角’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-21 - Α7 Β7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 五、發明説明（19 ) 使圖型開口 8 6 a之底部角落部份完全充填。此結果可獲 得在具次微米層次線寬之超微細電路中無缺陷之高信賴性 配線。 接著參照圖13及圖14由本發明人等實際實施之蝕 刻處理說明所獲得之結果資料。· 首先，在蝕刻對象晶圓W上使用與上述相同之材料， S i 02層84 4之厚度D亦採用600nm。另外， S i02層843之蝕刻程度約爲500nm/分。各種 設定係採用下列條件。處理室1 0 1之內壓爲4 0毫托、 高頻電源28之電源爲1 40 0W、處理室1 0 1之上部 及側部上內壁之溫度分別爲6 0°C、載置台1 0 5之溫度 爲 2 0 °C。 C 4 F 8氣體之流量固定爲2 5 S C CM，而對應 CF氣體之02氣體之流量改變爲3SCCM、5 S C CM、7 S C CM時檢測在圖型開口直徑d所對應之 斜度角0之變化。其結果如圖13所示。由圖13可明顯 看出，相對於C4F8氣體增加02氣體之流量時，孔徑 d之大小不改變，而在此比例下可看出斜度0變小。因此 藉控制相對於C4F8氣體之02氣體添加量，可任意改 變斜度角Θ。 然後固定氣體流量比，即固定相對於C4F8氣體流 量25SCCM之02氣體流量爲7SCCM，此次載置 台1 0 5之溫度設定爲〇 °C及2 0 °C。在此條件下檢測圖 型開口孔徑d所對應之斜度角β之變化。其結果如圖1 4 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .丨卜丨-fi丨丨 訂--- ^ ------ -22 - 320749 A7 _____B7 五、發明説明（20 ) 所示。由圖1 3可明顯看出，孔徑d之大小不改變，而載 置台1 0 5之溫度變小時，可明顯看出斜度0變大。因此 藉控制載置台1 〇 5之溫度以改變晶圓W之溫度，可任意 改變斜度角Θ。 另外上述實施例中，雖然說明了在c4f8氣體中添 加〇2氣體之實施例，此〇2氣體亦可使用N2氣體或其 混合氣體或其它不活性氣體加以取代。 根據本發明，在確保不蝕刻金屬基底層而僅高選擇性 地除去絕緣層之外，可獲得金屬充填性之高形狀圖型開口 部。 另外’可提高絕緣膜之蝕刻層次，其結果提高生產量 。而處理室內之可使用設定壓力範圍廣泛。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "· ,11 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -23 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央棣準局工消费合作社印装 々、申請專利範圍 附件1 :第8 4 1 0 9 2 7 2號專利申請案 中文申請專利範園修正本 民國8 6年4月修正 1 種蝕刻方法，係具有： (a )在基板上形成被蝕刻層，且以防止亂反射膜塗 覆該被蝕刻層，然後以光阻劑膜塗覆該防止亂反射膜之製 程，及 (b )對於光阻劑膜進行圖型曝光之製程，及 (c )將經曝光後之光阻劑膜顯影，且使防止亂反射 膜露出而形成圖型開口部之製程，及 (d )將基板移入密室內，使密室排氣形成減壓環境 ，將至少以〇2及N2中之其中一種與C4F8氣體相混 之混合氣體導入處理室內，使該混合氣體產生電漿，令電 漿中之活性物質在基板上作用，藉此實質上不蝕刻圖型開 口部周園側壁之光阻劑膜，而僅蝕刻在圖型開口部所露出 之防止亂反射膜，然後蝕刻前述被蝕刻層之製程。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中〇2及\2 中之至少其中一種之添加量V係介於C 4F 8氣體置之3〜 5倍之範.圍。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中係將：添 加入〇2氣到C4F8氣中之混合氣體導入處理室內。 4. 如申請專利範園第1項之方法，其中將防止亂反 射膜蝕刻完成後，接著就蝕刻被蝕刻層。 · ' 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝. 320749 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 .如申請專利範圍第1項之方法，其中被蝕刻屉係 由二氧化矽膜、氮化矽膜、單晶矽膜或多晶矽膜所組成。 6 .如申請專利範園第1項之方法，其中在被蝕刻屉 之上塗佈成分溶液，將塗佈液乾燥而形成防止亂反射膜。 7 .如申請專利範園第1項之方法，其中防止亂反射 膜係以碳原子爲主之表面平坦膜。 8.如申請專利範圍第1項之方法，其中防止亂反射 膜之膜厚介於40〜lOOnm之範圍。 岁.如申請專利範圍第1項之方法，其中圖型開口部 之寬度爲少於1微米（"m)。 -------—^ 裝— (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消费 社印轚 本紙張尺度逍用中國國家梯準（CNS)A4规格（210x297公釐）-2 -
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928967A (en) * 1996-06-10 1999-07-27 International Business Machines Corporation Selective oxide-to-nitride etch process using C4 F8 /CO/Ar
US6210593B1 (en) * 1997-02-06 2001-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Etching method and etching apparatus
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JPH11140667A (ja) * 1997-11-13 1999-05-25 Dainippon Printing Co Ltd エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品
JPH11354499A (ja) * 1998-04-07 1999-12-24 Oki Electric Ind Co Ltd コンタクトホール等の形成方法
US6117786A (en) * 1998-05-05 2000-09-12 Lam Research Corporation Method for etching silicon dioxide using fluorocarbon gas chemistry
US6080272A (en) * 1998-05-08 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for plasma etching a wafer
US6228279B1 (en) 1998-09-17 2001-05-08 International Business Machines Corporation High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials
US20020003126A1 (en) * 1999-04-13 2002-01-10 Ajay Kumar Method of etching silicon nitride
US6379574B1 (en) * 1999-05-03 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Integrated post-etch treatment for a dielectric etch process
US6790783B1 (en) * 1999-05-27 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor fabrication apparatus
US6372151B1 (en) 1999-07-27 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Storage poly process without carbon contamination
US6617257B2 (en) * 2001-03-30 2003-09-09 Lam Research Corporation Method of plasma etching organic antireflective coating
US6630407B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Lam Research Corporation Plasma etching of organic antireflective coating
US6741445B1 (en) * 2002-01-16 2004-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system to monitor and control electro-static discharge
US20040045578A1 (en) * 2002-05-03 2004-03-11 Jackson David P. Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface
US8080453B1 (en) 2002-06-28 2011-12-20 Cypress Semiconductor Corporation Gate stack having nitride layer
US6653735B1 (en) * 2002-07-30 2003-11-25 Advanced Micro Devices, Inc. CVD silicon carbide layer as a BARC and hard mask for gate patterning
US6884733B1 (en) 2002-08-08 2005-04-26 Advanced Micro Devices, Inc. Use of amorphous carbon hard mask for gate patterning to eliminate requirement of poly re-oxidation
US6989332B1 (en) 2002-08-13 2006-01-24 Advanced Micro Devices, Inc. Ion implantation to modulate amorphous carbon stress
US6875664B1 (en) 2002-08-29 2005-04-05 Advanced Micro Devices, Inc. Formation of amorphous carbon ARC stack having graded transition between amorphous carbon and ARC material
US7521304B1 (en) 2002-08-29 2009-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming integrated circuit
US7084071B1 (en) 2002-09-16 2006-08-01 Advanced Micro Devices, Inc. Use of multilayer amorphous carbon ARC stack to eliminate line warpage phenomenon
US20040063008A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Post etch overlay metrology to avoid absorbing layers preventing measurements
US7229929B2 (en) * 2002-12-06 2007-06-12 Cypress Semiconductor Corporation Multi-layer gate stack
US6764947B1 (en) * 2003-02-14 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Method for reducing gate line deformation and reducing gate line widths in semiconductor devices
US6900123B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Texas Instruments Incorporated BARC etch comprising a selective etch chemistry and a high polymerizing gas for CD control
US6825114B1 (en) 2003-04-28 2004-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Selective stress-inducing implant and resulting pattern distortion in amorphous carbon patterning
US7015124B1 (en) 2003-04-28 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Use of amorphous carbon for gate patterning
US6773998B1 (en) * 2003-05-20 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Modified film stack and patterning strategy for stress compensation and prevention of pattern distortion in amorphous carbon gate patterning
US7129731B2 (en) * 2003-09-02 2006-10-31 Thermal Corp. Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing
US20050067147A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Loop thermosyphon for cooling semiconductors during burn-in testing
US20050067146A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Two phase cooling system method for burn-in testing
US7013956B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Thermal Corp. Heat pipe evaporator with porous valve
US7371637B2 (en) * 2003-09-26 2008-05-13 Cypress Semiconductor Corporation Oxide-nitride stack gate dielectric
US8252640B1 (en) 2006-11-02 2012-08-28 Kapre Ravindra M Polycrystalline silicon activation RTA
JP5530088B2 (ja) * 2008-10-20 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US20100163759A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Stmicroelectronics S.R.L. Radiation sensor with photodiodes being integrated on a semiconductor substrate and corresponding integration process

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950011563B1 (ko) * 1990-11-27 1995-10-06 가부시끼가이샤 도시바 반도체장치의 제조방법
US5240554A (en) * 1991-01-22 1993-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device

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