TW384246B - Method for managing the particulate in a chemical-mechanical silicon polishing slurry - Google Patents

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A7 A7 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 五、發明説明（， 發明之技術領域 本發明係概括關於處 粒，尤指—種供自切化學二^切拋光漿體中之微 學機械式拋光過程所^顧切拋錢體，錄在化 及粒子之方法。 之矽及氧化矽之聚集體，沉澱物 發明之背景 本發明之背景配合處 ^0Β ^ 蛟理矽晶圓生產漿體作為實例予以 說明，而不限制其範圍。 :至目前’在此領域’石夕晶圓之化學機械式抛光，為 、’面化不規則頂面外形之裝置製造之各階段進行。例如 ，在製造新式半導體積體電路之過程，必要在先前形成之 結構上面形成其他結構之導電線路。然而，先前結構形成 常留下石夕晶圓頂面外形之高度不規則。由於此等不規則性 ’如果隨後材料層直接敷著在上述高度不規則表面上面， 其敷著可能容易導致不完全之覆蓋範圍，敷著材料上之破 裂’或空隙。如果不在每一主要處理步驟減輕不規則性， 表面不規則性之頂面外形將會變成甚至更不規則，在另外 處理半導體結構諸層相疊時，導致另外之問題。 依所使用材料之類型及其預計目的而定，在發生此等 敷著不規則性時，產生很多不希望有之特徵。絕緣氧化物 層之不完全覆蓋範圍’可能導致金屬化層間之短路。同樣 ’空隙可能截留空氣或處理氣體，污染另外之處理步驟， 或只是降低總裝置可靠性。導體上之尖銳點可能導致異常 ’不希望有之場效應。通常’在晶圓製造過程廣為人們認 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

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鯉濟部中央標率局員工消費合作杜印製 A7 --—__B7 _ 五、發明説明（） 項問題’為在高度不規則結構處理高密度電路，可 咸導致非常不良之產品及裝置性能。 因之’宜於影響某些型式之平面化或積體電路之變平 ，俾方便多層積體電路之處理，並改進其產品，性能，及 可#性。事實上，所有現今之高密度積體電路製造技術， 均利用某種方法’在製造過程之臨界點形成平面化結構。 習知為’用以平面化半導體晶圓之拋光裝置，有一常 稱作％轉台板之轉盤，及一在轉盤施加固定壓力之環。一 拋光墊片一般為附著至轉盤之上表面。將予以拋光之半導 體B曰圓置於拋光墊片上，並夾緊在頂環與轉盤之間。半導 體曰曰圓藉蠛，墊片，或經由吸力，可固著式固定至頂環之 下表面，致使半導體晶圓可在拋光時隨頂環整體旋轉。 在轉盤旋轉時，一計量拋光漿體流自一拋光漿體供給 源輸送至拋光墊片之上表面。一般為，拋光漿體為包含化 學品及一種磨料之液體。例如，拋光漿體化學性質通常由 有pH約為11之鹼性溶液組成。此鹼性拋光漿體也可 包含細微拋光粒子’諸如鹼態二氧化矽（Si〇2)。 晶圓製造技術進步時，内含積體電路之更快速及更強 力半導體之需求增加，半導體業界依賴具有愈來愈小配線 圖案之積體電路。此等較小配線圖案在較窄空間内互相連 接茜要改進之方法，供使石夕晶圓之不規則表面外形平面 化。若干參數經發現影響矽晶圓之化學滅械式拋光之品質 。特別是，機械因素，諸如頂環在轉盤所施加之壓力及台 板速度’影響產品。影響產品之化學因素包括所使用拋光 ------- 4 尺度適用中國國家標準（CNS )^72敝297公釐_ j--- (請先閱讀背面之注意事項再填离本頁)

經濟部中央椋準局員工消費合作社印製 A7 --------B7 五、f明説明（） '— 漿體之類型，拋光漿體pH，拋光漿體添加物，拋光漿體 =度，拋光漿體稀釋比，及拋光漿體批量，以及拋光漿體 容積流動速率。每種機械及化學因素均影響在矽晶圓之平 面化表面之品質，其在每一步驟共同影響半導體積體電路 過程之產品。 更明確而言’吾人發現，在平面化過程中，塞二之品 質與抛患槳邀邊崖有直接臚係。因此，所需要者為一種在 化學機械式拋光時，自用以處理矽晶圓之拋光漿體去除氧 化矽粒子之方法v改進孓你學機械式拋光方法將會增加拋 光漿體使用驵限，產生矽拋光漿體之較大再循環^來自減 少使用拋光漿體批量之較長拋光漿體使用期限，導致成本 節省’以及來自捨棄拋光漿體量之減少環境影響。 發明之概述 在本案所揭示之發明，包含一種改進之聚集體及沉澱 物去除系統，包含一過濾單元，供自拋光漿體去除在化學 機械晶圓拋多flf所造成之履趣物質。所揭示之過濾器:，矣 用以拋光半導體矽晶圓之拋光漿體.溶旗…r—導致使用.壽.命之 顯著增加。本發明也包括一種使用本發明之過濾器之方法 ’藉以在每一次生產循環後，允許再循環及重覆使用拋光 漿體。聚集體及沉澱物去除系統增加拋光漿體使用期限藉 以使捨棄拋光漿體之需要最小。 本發明之一方面為一種過濾單元，其配置在用以過濾 s i Ox聚集體及沉澱物之漿體再循環系統内。藉過濾氧化 矽聚集體及沉澱物，本發明之方法增加拋光漿體之穩定性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公瘦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------------'并衣------1Τ-- Φ____JII___ 經濟部中央標準局員工消費合作社印f 五、發明説明（ 及使用壽命，而藉以改進 -^』之技術。過濾單元可例如為 t丙稀過濾、器，有孔大小约 士…Α 々在25與_微米之間，孔 大小較佳約為50微米。 ^本發明之—方面，喊器或㈣單元在㈣再循環 二位於一可容易進入點。例如’過濾器或過遽單元可位 於罪近去泡沫單元。漿體過據器或過據單元可藉若干不同 !法附著至漿體再循環系統。-種方法例如為使用〇—形 裒位於過;單TL之末端’其滑動並抓緊㈣偏流器排出 另附著過濾器或過濾、單元之裝置為藉鍾式爽，其有 助將過慮器緊固至偏流器排出口。附著過爐器或過滤單元 之又一裝置為經由二有快速分開之彎頭，其允許操作者自 聚體偏流器排出口快速並清潔去除及更換過滤器或過滤器 32 一 早兀。 通电，該方法包含在拋光漿體再循環時，將預定孔大 小，有一内部濕潤表面之聚丙烯，聚乙烯，聚氯乙烯，聚 偏二氯乙烯，聚偏二氟乙烯，聚酯或玻璃織物過濾器，置 於一化學機械晶圓拋光裝置。在漿體再循環系統中去除聚 集體及沉澱之微粒物質，係藉—種合乎人體工學設計之過 慮器所導致，其在本案之再循環系統容易插入及更換。 精於此項技藝者自本發明之下列詳細說明，連同附圖 ’將會明白本發明之此等及其他諸多特色。 附圖之說明 在附圖中： 圖1為一種有過濾器之晶圓拋光裝置之簡化圖示； ______ 6 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） 一請先閱讀背面之注意事項再填寫本莨) 訂 麝.

•I A7 •I A7 經濟部中央標率局員工消費合作社印掣 II I I ί 丨 I 这 7 丄'發明説明（） 圖2為本發明之一種漿體過濾器之平面圖； 圖3為本發明之平面圖一種展開之漿體過濾器之平面圖； 圖4為一種有過濾單元之晶圓拋光裝置之簡化圖示；以及 圖5為本發明之一種過濾單元之更詳細視圖。 在不同之諸圖巾，除非料指明，對應之圖號及符號指 對應之部份。 發明之詳細說明 雖然以下詳細討論本發明各種實施例之作成及使用， 但明予察知，本發明提供很多適用之創新概念，其可在種 種特定範圍予以具體實施。在本案所討論之特定實施例， 僅例示作成及使用本發明之特定方式，並且不限定本發明 之範圍。 在圖1中，一種供化學機械式抛光各種工件諸如半導 體晶圓之代表性裝置，概括示為1〇。拋光裝置包括 一下台板12,有一在下台板12之上表面與其附著之拋 光墊片14。拋光裝置1〇可包括許多拋光單元16。每一 拋光單元16包括一軸18, 一上台板2〇,及一承載板 22。每一抛光單元16固持至少一半導體晶圓24。 在操作時’下台板12及拋光單元16予以逆向旋轉， 致使半導體晶圓24之下表面接觸拋光墊片14之上表面 。拋光單元16藉半導體晶圓24之拋光表面與拋光塾片 14間所產生之摩擦而旋轉。下台板12及上台板20均逆 鐘向旋轉’同時中心驅動裝置26順鐘向旋轉，同時均勻 分配拋光漿體28越過拋光塾片14，通過中心驅動裝置 _________7_ 本紙張尺度適家彳辑(CNS ) Αβ姚（210X297公奮) "~~ ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 五 、發明説明（） 26與拋光墊片14 F4之圓形間隙。拋光漿體28提供石夕晶 圓24之化學及機械拋光。 ，在拋光時，漿體28之溫度增加，並且漿體28夹帶化 學機械式拋光過程自半導體矽晶圓24所釋出之矽及氧化 矽粒子。漿體28然後予以再循環及重覆使用。漿體再循 環過程可包括一去泡沫室32，一 pH控制室34，一氧化 還原作用電位控制室35，及一溫度控制室36。漿體再循 環㈣也可包括槳體偏流器37及泵38 ’其賴體28再 循環至拋光單元16。將過濾器39附著至去泡沫室32之 排出口，可藉以使一過濾器39位於恰好在漿體偏流器 37之刖。雖然過濾器39示為在去泡沫室32之下游，但 精於此項技藝者將會察知，過濾器39可位於各不同位置 ，包括在pH控制室34與溫度控制室36之間，或緊接泵 38之上游或下游。 漿體28可包含直徑约2〇至1〇〇毫微米之二氧化石夕粒 子。漿體28也包含水，及藉鈉陽離子所穩定之氧化矽粒 子。二氧化矽粒子之表面藉水分子之水合，以及周圍之鈉 陽離子團，使漿體28穩定，以防凝固，沉降，凝膠，及 沉澱。然而，二氧化矽對鹼比之範圍，隨在拋光裝置1〇 使用聚體28而增加。二氧化石夕對鹼比之增加，使漿體 28不穩定，並導致來自漿體28之二氧化矽鹼態粒子之 聚集及》儿澱，其進一步改變二氧化矽對鹼比。聚集體及沉 澱物干擾拋光過程，並產生拋光缺陷。 在圖2及3中’示漿體39過濾器。本發明之改良過濾 ,—l !1 --11 1 I - - I- - - -- I m = . 策-- (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--- -J®. .In II - I* 本纸張尺度適用中國國家別趟公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 ___ _B7 五、發明説明（) 器39可包含—聚丙烯過濾器39，有孔大小約在25與 1 0 0微米之間，較佳約為5 〇微米。要不然，可使用一有 相同孔大小之親水性聚丙烯過濾器39，以去除來自拋光 漿體28之聚集體及沉澱物。 過;慮器3 9之必要性及孔大小，係通過理論及實驗研究 所獲得。過濾單元之形狀及可濕潤表面區域予以同樣確定 〇 本發明使用一有可濕潤表面區域72平方吋之過濾器 39，其經發現去除足夠二氧化矽聚集體及沉澱物，以增 加拋光漿體之可使用期限自六次運轉至至少3〇次運轉。 過濾器3 9之孔大小可供小二氧化矽聚集體及直徑甚至 400至600毫微米之大聚集體使用。 再者，因為使用增加及減少之漿體流動速率影響激體 28之溫度，在.化學機械式拋光時，過濾器39必須能處 理改變之流動速率。本發明之過濾器39能以例如每分鐘 二至二又二分之一公升之流動速率作用。供配合本發明使 用，在置於漿體再循環系統前，使過濾器39濕潤，經發 現有助減低通過過濾器39之流動阻力。過濾器39可例 如藉異丙醇予以濕潤。可使用其他類似醇，以濕潤過濾器 39。 一 可將過濾器39置於在漿體28之整個循環路徑之一個 或多個要衝位置。例如，過濾器39可置於進給漿體偏流 器37之排出口。一過濾器39也可置於一邱控制室以 ，或-溫度控制室36之後。敷體28通過—過渡器39後 度適用中國國参標準（CNS ) A4規格（2】〇χ297公着) —__________ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本J) . - -I — - - I .—I I I HI 1 - I— si I - - -I .''.Ί 、一'5 ------- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 A7 B7 五、發明説明（） ’―栗38使漿體28循環回至拋光墊片14之表面。圖4 示本發明之另一實施例，其中將一線上過濾單元41置於 泵38之下游。在此實施例，漿體28可行進通過去泡沫 室32，pH控制室34，氧化還原作用電位控制室35及溫 度控制至3 6。雖然過濾單元41示為在泵3 8之下游， 但精於此項技藝者將會察知，過濾單元4丨可位於各不同 位置’包括在去泡沫寞32與pH控制室34之間，在pjj 控制室34與溫度控制室36之間，或緊接泵38之上游。 在圖5中’示線上過濾器單元41之構形之一種實例。 線上過濾'單元41包括許多螺線管4 2，供控制漿體2 8之 流動方向。線上過濾單元41可構形為致使漿體2 8通過 過爐、單元41 ’而不通過過;慮器4 4。要不然，可使聚體 28通過一或二過濾器44。在此特定實例，可在拋光運轉 時’使過濾、器44與漿體 28隔離’藉以更換該過淚器 。過濾器44可自聚丙烯或一種親水性聚丙烯或其他材料 ，諸如聚乙烯’聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，聚偏二氟乙婦 ’聚酯或玻璃織物構造而成。過濾器44較佳為有孔大小 約在25與100微米之間，更佳約為50微米。 本發明可配合現有供碎半導體晶圓拋光之任何化學機 械式拋光單元使用。在一種實施例，本發明可配合一種 Applied Material之拋光單元使用。然而，所有類似 生產單元均可配合本發明之過濾器3 9或過濾單元41使 用。 本發明也可包含添加一種作用劑，以調整滎體2 8之 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Μ 五、發明説明（， PH—或氧化還原作用電位。一種控制劑可選自名為驗 ’諸如氫氧化鈉（ΜΟΗ)或氫氧化鉀（K〇H)之化學族。添 加此等鹼之一，允許漿體28之ρΗ維持约在9· 7與+ 請 先 閱 讀 背 © 之 注 意 事 項 再 % 本 頁 I1. 7之間。添加鹼也有助溶解漿體28中之任何氧化矽 聚集體，並使漿體28中之氧化矽之沉澱最少，或將其 除。 ^ 可在一 pH控制室34將鹼導入漿體28。可在整個漿體 28之循環路徑，自在要衝位置所取之漿體樣本，確定作 用劑在pH控制室34導入漿體28之必要性及量。例如， PH可接近中心驅動裝置26，在去泡沫室32，或在邡控 制室34予以測試。鹼可在pH控制室36自一作用劑儲器 予以導入（未圖示）。在槳體28通過pH控制室％後， 一栗38使漿體28循環回至拋光墊片14之表面。 拋光過程進行時，除別項外，漿體28由於矽由於拋光 過程導入漿體28，而變成中和。漿體28中和時，漿體 28之緩衝容量減少，並且減低矽晶圓之完工品質。 經漓部中央標準局貝工消費合作社印絮 為控制漿體28之pH，必須確定漿體28之中和速率及 漿體28之最後PH。在本發明，沿漿體循環路徑，在一 個或多個位置，對锻體28取樣，並以習知方式進行測試 聚體28之pH，藉以監視漿體之仰。例如，可使用一種 習知電子pH計連續監視漿體pH。 在本Μ ’可藉-如圖中所示之溫度控制室Μ ，改變拋光漿體2 8之溫度。可在漿體2 8之整個循環路 徑，自在一個或多個要衝位置所取之漿體溫度樣本確定 本紙張尺皮適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（2Κ)Χ297公釐 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（） ' 在溫度室34冷卻及加熱漿體28之必要性及量。例如， 溫度可接近中心驅動裝置26，在去泡殊室32，或緊接温 度控制至3 4之上游予以測試。在漿體2 8通過溫度控制 至34後，一泵38使漿體28循環回至拋光墊片14之表 面。 本發明之一種替代性實施例包含使用一溫度控制器室 34，其接收來自位於對拋光漿體溫度取樣之一支或多支 度探針之輸入。拋光漿體溫度可予以間隔取樣，或可予 以連續監視。來自諸探針之輸出可予以導至中央溫度控制 室36，其也可由操作者用以在拋光運轉時預先設定拋光 漿體溫度。在操作時，在拋光運轉前，設定一使用者界定 溫度，以例如使拋光漿體預加熱。依晶圓之特定需要而定 ，操作者所設定之溫度，在整個拋光運轉也可約在1 7與 7 〇度攝氏之間.變化。 溫度控制室36可例如包括一位於與一漿體冷卻器平行 之漿體加熱器。冷卻器及加熱器可代之為予以串聯合併。 配合在本發明使用之冷卻器機構之—種實施例，為螺旋形 冷卻器，其位於冷卻器内，並與漿體接觸。溫度控制室 3 6之一種實施例，為供配合本發明使用之加熱器機構， 為一螺旋形加熱器，其配置為與螺旋形冷卻器並排或在其 内’其中拋光漿體28幾乎同時與諸元件接觸。在另一實 施例’漿體冷卻器及漿體加熱器可為殼及管熱交換器。 加熱器及冷卻器之上游或下游處，有一支多或多支溫 度控制螺線管’其用以開啟漿體28流入冷卻器，加熱器 ________12_ 本紙張尺度適用f ^^標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) — --一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Φ! 經 濟 部 中 央 標 率 消 費 合 作 社 印 t A7 ------- B7五、發明説明（） ，或二者。溫度控制螺線管受—溫度感測單元之控制。精 Γ項技藝者將會認知，本發明之替代性實施例可使溫度 感測單元位於溫度控制室36前或後。事實上，可使用超 過-溫度感測單元44，控制溫度控制之螺線管。也可將 溫度控制螺線管置於冷卻器及加熱器前或後。 —將拋光漿體28加熱及冷卻，以控制並維持漿體溫度固 定’直接針對晶圓溫度上之小比例變化。例如，快速去除 拋光反應所形成之薄膜，對於維持固定之石夕抛光速率及表 面品質，具有重要性。除了溫度控制，控制二氧化石夕對驗 比，以防止漿體組份之凝固，沉降，膠凝及沉澱。 漿體28之氧化還原作用電位及緩衝容量，在本發 可予以控制。氧化還原作用電位容量之計算，示在聚體新 鮮時，亦即在其第-次使用前，代表性石夕酸裝體之氧化還 原作用電位為在其最大。代表性氧化還原作用電位值為— 75.3毫伏，其對應於使用鉑氧化還原作用電極，在室溫 具有銀/氯化銀參考電極之漿體之氧化還原作用電位。同. 時，漿體之pH經發現為10· 7，其對應於矽酸之第—及 第二離解常數pKa。使用代表性批量之槳體，氧化還原作 用電位在第-次運轉後降至_56〇毫伏。在第二次運轉 後，漿體28之氧化還原作用電位值每次運轉分別降至一 48.1，-40.2,-34. 1,-12.3 及+ 52.0 毫伏。 與在負範圍之理想值比較，氧化還原作用電位在第六 次運轉後已完全改變，同時pH已自初始ρΗ 1〇· 7降至 在第六次運轉結束時之PH9. 5。漿體23之氧化還原作用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^— - - . I -1 ........ · -訂 Ψ. -——__ 13 本紙張尺度適财國國@準（c^iFT2-10x297公釐） A7 A7 經 濟 部 中 央 標 率 局 員 X 消 費 合 作 社 印 B7 五、發明説明（） 一 電位上之漸進，及然後快速改變， 上之減少，縣由於拋切晶圓體之緩衝指標 酸之離解，疑體之電中和及保留導 行離解’石夕 結果。 導入漿體28之添加石夕之 拋綱28可在氧化還原作用電位控制室 動，以使拋光漿體28中SiO聚隹駚_ , 攪 消除。要不然，可將-種驗性作用或將其 以抵消漿體28之漸進中和。將― 猎 〇〇 〇〇 種虱化還原劑與漿體 28:併’減低聚體28之氧化還原作用電位之衰變速率 =二漿二IT化還原作用電位，並防止漿體 28之虱化還原作用電位上之變化所導致之門題 在-種實施例，可予以合併以調節氧化還原作 =作用劑，可為氧化劑或還原劑。供配合本發明之方法使 Ζ ’可使用若干氧化劑’及若干還原劑。—氧化還原作用 電位控制室35可位於漿體再循環路裡以内。可用 氧化還原電荷之氧化劑，其實例包括.ci2，〇 ， 牛低

Na〇C1。為減少拋光漿體，可使用還原劑諸如2s〇Bl：2’及 Na2so3MaHSG3e使用Nernst方程計算劑之 :響，為精於此項技藝者所知者，並經予併入二 氧化或還職之必要性及詩進人氧_原 中之漿體28之氧化還原作用電位所需要之量’可= 28之整個循環路徑，自在—個或多個㈣ ^ 體溫度樣本予以確定。例如，氧化還原作用電位可中 I---------14 本纸狀度朝巾 cm) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範園 心驅動裝置2 6，在去泡沫室3 2，在溫度控制室3 6，或 在一 pH控制室34予以測試。氧化或還原劑可自一作用 劑儲器（未圖示）予以導入氧化還原作用電位控制室35。 在漿體28通過氧化還原電位控制室35後’一泵38使漿 體28循環回至拋光墊片14之表面。 雖然本發明業經參照例證性實施例予以說明，但此說 明不意為以限制性意義予以解釋。精於此項技藝者參照說 明，將會明白例證性實施例之各種修改及組合，以及本發 明之其他實施例。因此，後附申請專利範圍意為包含任何 此等修改或實施例。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） (請先閎讀背面之注意事項再填窝本頁)

   A8g88 經濟部中央標準局員工消費合作社印I ¥、申請專利範圍 ''~~ 1. 一種化學機械拋光漿體微粒處理方法，該方法包含： 使拋光漿體在一化學機械晶圓拋光裝置中循環；—. 使拋光漿體通過一過濾系統；以及 自拋光漿體濾除微粒。 2. 根據中請專利範圍第i項之方法，其中過瀘系統包含 -自-種選自聚丙烯’聚乙烯，聚氯乙烤，聚偏二氯乙烯 ，聚偏二氟乙烯，聚酯及玻璃織物類組之材料所構成之過 3. 根據申請專利範圍第1項之方法 一親水性過濾器。 4 ·根據申請專利範圍第2項之方法 表面區域約為7 2平方时。 5. 根據申請專利範圍第2項之方法 光衆體通過前予以濕潤。 6. 根據申請專利範圍第2項之方法 大小約在2 5與1 〇 〇微米之間。 7. 根據申請專利範圍第2項之方法 大小約為5 0微米。 8. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中自拋光漿體濾 除微粒之步驟另包括自拋光漿體濾除聚集體。 9. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中自拋光漿體濾 除微粒之步驟另包括自拋光漿體濾除沉澱物。 其中過渡糸統包含 其中過滤器有一内 其中過濾器在使抛 其中過遽器具有孔 其中過濾器具有孔 i〇.根據申請專利範圍第1項之方法，其中自拋光漿體濾 除微粒之步驟另包括自拋光漿體濾除Si〇x之粒子。

   一 1- n —m ml —m In*I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T ! - - J 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 SS4246 ll ____ D8 六、申請專利範圍 11. 一種化學機械拋光漿體微粒處理方法，該方法包含： 使拋光漿體在一化學機械晶圓抛光裝置中循環； 監視拋光漿體之pH; 將一種作用劑合併至拋光漿體中，以調整拋光漿體之 pH; 使拋光漿體通過一過濾系統；以及 自拋光漿體濾除微粒。 12. 根據申明專利犯圍第11項之方法，其中使拋光裝體 通過過濾系統之步驟另包括使拋光漿體通過一有孔大小约 在2 5與1 0 0微米間之過濾器。 1 3 ·根據申請專利範圍第11項之方法，其中使拋光聚體 通過過濾系統之步驟另包括使拋光漿體通過一有孔大小約 為50微米之過濾器。 .魏 14·根據申請專利範圍第(g/丨^^善，其中將作用劑合 併至拋光漿體中，以調整拋光1:¾之pH之步驟，包含將 ；-種鹼合併至抛光廉體中。 ./气 1戶.根據申請專利範圍第姨/11)之#法，另包含維持抛光 漿體之pH約在9. 7與11. 7間之步驟。 16.根據申請專利範圍第法’另包含攪動拋光 漿體之步驟。 n Π.根據申請專利範圍第16項之方法，美中攪動抛光聚 體之步驟使拋光漿體中之SiOx聚集體之沉澱最少。 18. —種化學機械拋光漿體微粒處理方法，該方法包含. 使拋光漿體在一化學機械晶圓拋光襞置中循環； __ 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '— ---—- J---------士本-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T € 384246 ABCD 々、申請專利範圍 監視抛光漿體之pH; 將一種作用劑合併至拋光漿體中，以調整拋光漿體之 pH; 監視拋光漿體之溫度； 使拋光漿體暴露至一溫度控制元件 之温度； 使拋光漿體通過一過濾系統；以及 自拋光漿體濾除微粒》 19.根據申請專利範圍第18項之方法 通過過濾系統之步驟另包括使拋光漿體通過一有孔大小約 在25與100微米間之過濾器。 2 0.根據申請專利範圍第I 8項之方法，其中使拋光毅體 通過過濾系統之步驟另包括使拋光漿體通過一有孔大小約 為5 0微米之過濾器。 以調整拋光漿體 其中使拋光漿體 J---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '1T .#. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）