TW439105B - In situ chemical generator and method - Google Patents

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Ronny Bar-Gadda
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Description

4 3 :- ： G 5 A7 B7 五、發明説明（） 1 本發明通常係關於半導體裝置之製造且更特定地係關 於在不同材料及層之沈積，蝕刻，淸潔及成長中產生重要 化學物質的方法及裝置。 一般而言，本發明之目的是要提供一種新而改良的化 學產生器及方法以在化學物質被使用之位置上或附近產生 它們。 本發明之另外目的是要提供一種有以上特色之化學產 生器及方法，其特別適合供產生化學物質以在半導體裝置 中使用。 這些和其它目的依本發明藉提供一化學產生器及方法 以供在使用點上如反應槽之室中產生化學物質而達成，在 其中一工件如半導體晶片被加工。這些物質藉生成自由基 ，且結合自由基以在使用點上產生化學物質》 圖1是一合倂本發明之在原處之化學產生器之一實體 的圖解圖= 圖2是沿著圖1之線2 - 2所取之放大截面圖。 如圖1中所說明的，化學產生器包括一自由基源|其 具有一或多室，其中自由基被生成且傳遞以再結合成穩定 物質。在所說明之實體中，此源具有三室·其由延長之同 心管1 2 - 1 4所形成。這些室包括在外管1 2及中間管 1 3間之第一環狀室1 6 ，在中間管1 3及內管1 4間之 第二環狀室，及內管內之第三室i 8.。諸管用如陶瓷，石 英或金屬製。 在產生器中所要之管的數量依所產生之化學物質及所 冬紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 -4- A7 __B7___五、發明説明（) 2 藉以形成之反應而定，對方法中所用之每一型的自由基而 言，通常提供有一分離的室’但此卻非必須地。 形成自由基之氣體或其它先質化合物自源2 1 - 2 3 I 或藉其它合適的裝置引入室中。此種先質可以是氣態’液 態及/或固態，或其結合物。 在室中形成等離子體以生成自由基，且在所閱明之實 體中，供產生電離子體之裝置包括一與管同心排列之感應 線圈，一藉由配合網2. 8連接至線圈之無線電頻率（R F )電力產生器2 7，及一供衝擊電弧以點燃等離子體之特 斯拉（Tesla )線圈29 »然而，等離子體可以藉任何其它合 適的裝置R F電極或微波來形成。 在管的下游，自由基再結合以形成所要之物質。在所 述之實體中，再結合發生在室3 1中，其是反應器3 2之 一部分，在其中半導體晶片被加工。再結合可以藉任何合 適的裝置，如藉冷卻3 6及/或藉觸媒3 7之使用而促進 0 冷卻可以用多種方式實施，包括冷卻劑如惰性氣體， 液態氮，液態氦或冷卻水經由諸管的循環或與反應氣體有 熱交換關係之其它合適裝置。亦可藉以下方式實施：使氣 體通過一膨脹噴嘴以降低其溫度，或使用永久磁鐵或電磁 鐵以會聚，而後膨脹等離子體以降低其溫度。 觸媒可置於冷卻區中或其下游。它可以是例如澱積在 反應氣體所通過之室或管之壁上的薄膜形式，置於氣流中 之網或一塡充床。重要的是觸媒被安置以使所有的氣體能 ^^^1 1*: - - I— nn ^^^1 ^^^1 ·- ^^^1 I -- -I Tm TJ m ------- /·/ i 讀 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準（〇奶）入4規格（210父297公釐） -5- A7 B7 五、發明説明（） 3 接觸其表面且與之反應。 若想要’可以提供偵測儀器如光學發射分光計以偵測 參數如物質分佈及蒸汽產生3 在所述實體中，化學產生器是反應器之一部分1且所 產生之物質在接近晶片被加工之區域中形成。那是產生器 之有利的應用，雖然它也可以用獨立應用方式來使用。它 可以附加在已存在之方法反應器以及被構造成新反應器之 製體部分或作爲獨立系統。 產生器可以以多種不同應用來使用以產生在半導體裝 置製造中所用之不同物質1以下給予其某些實例。 氧化 依S 1 + HsO— S i 〇2 + H2之反應在一濕氧化方 法中所用以產生S : 〇2之蒸汽可以依本發明藉H2及〇2 進入等離子體產生室中而產生。當等離子體被撞擊時| H2 和0 2在矽晶片附近區域中反應以形成蒸汽。若想要，單獨 或與N2及/或A r —同進入之〇2可以被使用以產生臭氧 (0 3 )以降低溫度以供氧化及/或改良裝置特徵。 已知在用〇2對矽的氧化中，NO的使用可以因改良矽 及作爲硼阻礙之氧化矽間的介面而改良晶體管的裝置特徵 。一般而言，NO自源頭如一圓筒供應至反應器室’且因 爲NO是有毒的’需採取特別的警戒以避免在連接源頭至 反應器的氣體管線中有洩漏。並且’ N〇氣體的純度在砂 與氧化矽間所形成之介面的最終純度方面是一顯著因素’ 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，ys 線 經濟部眢慧財產局員工消費合作社印製 4391 05 ： A7 B7 五、發明説明（） 4 但難以產生極純的N 0。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
使用本發明，在使用點上1經由 N2 + O2— 2NO 之反應可以產生高純度的NO，係藉N 2及〇2進入室之一 且撞擊等離子體。當等離子體受撞擊時，^2及〇2結合以 在晶片附近形成Ν 0，因此，Ν Ο僅當需要時且正在使用 點上才產生，藉此消除了昂貴且潛在有害之氣體管線之需 〇 NO也可以藉其它反應產生，如僅含氮及氧之分子如 N2〇的裂解。NO藉著使N2〇本身或與〇2進入等離子 體之室而產生。若想要，可以使用氣體如A r作爲載運氣 體以促進等離子體之形成。 經濟部皙慧財產局員工消費合作社印焚 n2〇可以藉以下方式裂解：添加少量的〇2至n2〇 以形成N ◦ 2，後者而後解離成N 0及0 2。在快速熱加工 室及擴散爐中（其中溫度高於使N〇2完全解離成N〇及 〇2之溫度（ 6 2 0 °C)) ，N〇2之添加有助於門電路應 用之矽的氧化，其中已發現氮有助於作爲硼擴散之障礙。 在溫度低於6 5 0 aC時，可以使用觸媒以促進N 0 2轉化成 N 0及〇 2。若想要1可以藉添加水蒸汽或合適比例之額外 的Ha及〇2而產生硝酸。 類似地，可以在等離子體室中結合ΝΗ3&〇2以在使 用點上產生NO及蒸汽，此係經由ΝΗ3+〇2— ΝΟ + Η 2 0之反應。 藉使用此二試劑氣體，可以模擬濕氧化方法中之Ν〇 本紙浪尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） Α7 Β7 4391 05 五、發明説明 之效率。 常想要包括氯在一氧化方法中，因爲已發現它會加強 氧化以及獲取不想要之外來雜質。使用任何氯源如T C Α 或D C Ε，可以在〇2的存在下達成完全燃燒’產生 HC 1 + H2〇 + C〇2使用氯與Ha及〇2也會產生HC ： 及 Η 2 0。 當使用TCA或DCE於氧化方法中時’它在7 〇 〇 t：以上的溫度下在如以.下反應中完全氧化成H C 1及二氧 化碳：
C2H3C l3+2〇2-2C〇2 + 3HC 1 C2H2C la+2〇2— 2C〇2 + 2HC I H C i進一步在以下平衡反應中氧化： 4HC 1 + 〇2-2H2〇 + C la 在高溫下不同的有機氯化物與氧之分解會提供氯及含 氧試劑以供於諸如矽加工中之稍後之反應。此種分解通常 是以下形式
CxHyC ly + Oa^ xC〇2+yHC 1 ’ 其中x及y典型是2，3或4。 所有的前述反應可以在大氣壓下或低於大氣壓下進行 ，且產物可以在有或沒有觸媒如鉛之情況下產生。 本發明也可應用於供爐之石英管的淸潔中或於來自石 英或氧化矽層之氮化物或聚矽的選擇性蝕刻或汽提中。此 係藉送入含氟及氯之試劑如氟利昂氣體或液體’即 C , H y F 2 C I ,- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ
1才 ι V 本紙银尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -8 ** A7 B7 寸 五、發明説明（ 其中 y Q 且氟的量等於或大於氯的量。也可能使用氟化氣體（如 CHF3，CF4等）及氯化液體（如CHC 13，CC1 等）之混合物，其比例會提供氯化物或聚矽層有效的汽提 介電膜 其它的介電膜可以自合適的先質氣體形成。可以使用 S 1 H2及或僅甲矽烷來形成。甲矽烷可以引入產生器 之下游以避免成核作用及粒子形成。 可以藉使用NH3或N2與甲矽烷（S i H4)或較高 級矽烷類（如S i 2HS)之一來形成氮化矽。甲矽烷可以 引入產生器之下游以避免成核作用及粒子形成。 除了氣體之外’化學產生器也能使用液體及固體作爲 原料’以致先質如T E 0 S可用於等角塗層之形成中。臭 氧及T E ◦ S已發現是供均勻層之沈積有效的混合物。 金屬和金屬氧化物膜 金屬和金屬氧化物膜可以依本發明經由不同的先質來 沈積。例如，廣泛地應用於記憶裝置中的T a 2 0 5膜可以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公董） , - ί : : :^泰 t~. »1 [ ... 訂 錄 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- A7 ί； *_#' w __________Β7 五、發明説明（7 ) 藉以"F方式形成：經由T a C 1 5之還原產生先質如 Ta C 15，接著氧化TaC 15成丁32〇5。以更普通的 意義而言’產生T a Ξ〇5之先質可表示爲T a Χτη，其中 X是鹵族’且111是化學計量數。 銅可以經由以下反應沈積成一膜或氧化物。
CuC ia + Ha-^Cu+HC i ’ 且其它金屬可以用相同方式來形成。除了氣態先質之 外，固態先質也可以使用。 晶片和室淸潔 應用本發明，來自先前方法步驟之圈有機殘留物可以 藉使用〇2以形成對有機污染之除去極有效的臭氧而有效地 除去。此外，Η 2與過多的0 2反應會產生蒸汽和0 2以及 其它氧自由基，所有這些均會有效地除去有機殘留物。室 中溫度應低於7 0 0 t，若晶片存在，以防止淸潔期間氧 化物的形成。 在一般晶片淸潔中所用之硫酸，硝酸及氫氟酸也可以 用本發明來有效地產製。硫酸（Ha S 〇4 )藉以下方式產 生：反應S，SO或S〇2與H2及，依如以下反應：
S + 2 . 5O2+2H2-H2SO4 + H2O S 0 + 1 . 5O2 + H2— H2SO4 S〇2+l . 5〇2+2H2->H2S〇4 + H2〇 而後在觸媒存在或不存在下快速冷卻所形成之自由基。 硝酸（HN〇3)藉反應NHs與H2&〇2，或藉如以 (請先κ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 镍 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - A7 __B7__ 五、發明説明（β ) 〇 下之反應而產生： N 2 4- 3 5〇2 + H2— 2HN〇3 十 H2〇 NH3+2〇2->2HNOj + H2〇 氫氯酸藉H2和02與含氟之化合物如N F 3或 CXH:.FZ2共反應而產生，其中 1 1 } 4 * ^ * § m Q 1 1 1 ...... * ' < z — 1 1 2 j ......... 藉如以下之反應，可自單一先質產生混合酸：
SF0 + 4H2 + 2〇2 H2SO4 + 6HF NH2 + H2 + 1.5〇2-^HN〇3 + HF 2NHF + H2 + 3〇2 - 2HNO3 + 2HF NF30 + 2H2 + 〇2^HN〇3 + 3HF NF2CI 十 2H2 + 1-5〇2 — HNO3 + 2HF + HCI N2F4 + 3H2 + 3〇2 ** 2HNO3 + 4HF N2F4 + 2H2 + 3〇2 2HNO3 + 2HF NF3 + 2H2 + 1.5〇2 HN〇3 + 3HF NF2 + 1.5H2 + 1.5〇2-*HN〇3 + 2HF NF + H2 + 1.5〇2^HN〇3 + HF NS + 1.5H2 + 3.502 -^HN〇3 4* H2S04 2N20F + 2H2 + 〇2 ^ 2HNO3 + 2HF NOF3 + 2H2 + 〇2^HN〇3 + 3HF NOF + H2 + 〇2 ^ HNO3 + HF NOCl + H2 + 〇2 ^ HNO3 + HCI N〇Br + H2 + 〇2 HN〇2 + HBr N〇2CI + 2H2 + 〇2 — 2HN03 + HCI
S2F10 + 7H2 + 4〇2 — H2SO4 + 10HF
$2^2 + 3H2 + 4〇2 H2SO4 + 2HF SF + l-SHj + 2〇2~*H2S〇4_ + HF 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（2 ί 0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
'1T 線 -11 - f 五、發明説明（ 9 A7 B7
SF2 + 2H2 + 2〇2 4 H2S〇4 十 2HF SF3 + 2.5H2 十 2〇2，H2S〇4· + 3HF $F4 + 3H2 + 2〇2 ^ H2S〇4 + 4HF SF5 + 3.5H2 + —H2S〇4 十 SHF SFg + 4H2 + 2〇2 H2SO4 + 6HF SBrFg + 4H2 + 2〇2 H2SO4 + 5HF + HBr $2Βγ2 + 3H2 + 4〇2 2H2SO4 + 2HBr S6r2 + 2H2 + 2〇2 H2SO4 + 2HBr SO2F2 十 2H2 + 02 — H2S04 + 2HF S0F4 十 3H2 + 1.502 H2S04 + 4HF SOF2 + 2H2 + 1.502^^^2504 + 2HF SOF + 1.5H2 + 1_5〇2 — h2S〇4 + HF S〇2〇IF + 2H2 + 〇2 ^ H2SO4 + HF + HCI SOCIj 十 2H2 + 1.5〇2 4H2S04> 十 2HCI SOCl + 1.5H2 + 1.5〇2H2S〇4 + HCi S〇Br2 + 2H2 + 1.5〇2^H2S〇4 + 2HBrCI SF2CI + 2.5H2 + 2〇2- H2S〇4 + 2HF + HCI SCIF5 + 4H2 + 2〇2 H2S〇4 + 5HF + HCI S〇2Cl2 + 2H2 十 〇2，H2S〇4 + 2HCI S2CI + 2.5H2 + 4〇2-*2H2S〇4 + HCi SCI2 + 2H2 + 2〇2 H2S〇4 + 2HCI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ''參.
、1T
I 這些僅是諸多能依本發明產生混合酸的反應的一些實 例3在反應中包括更多的H2和〇2會使蒸汽被產生，除了 酸之混合物之外。 土 P l 爲了揮發HC 1 ，HF，H2S〇4或HN〇3之反應 的各種不同的所得產物，H2〇或^[2及〇2可以共同噴出 以形成蒸汽，以致水之溶離作用會分散在產物溶液中。水 本紙乐尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -12- A7 B7 10 43 91 05 五、發明説明（ 之溫度須充份冷卻以使水之薄膜會冷凝在晶片表面上。提 升水的溫度會蒸發水溶液’且旋轉晶片會進一步有助於除 去方法》 天然氧化物之去除 當矽晶片曝於大氣時，經常存在之天然氧化物可以藉 以下方式選擇性地消除：藉添加氟源如N F 3或C F 4至試 劑氣體如1^2和〇2形成HF及蒸汽之結合。爲了使天然氧 化物之消除更有效率，反應室應保持在低於一大氣壓下。 光阻汽提’ Η 2和0 2也可反應以形成蒸汽，以供用於光阻之汽提 中，該光阻一般用於積體電路產製中之矽晶片的成圖中。 此外，其它也用本發明來產生之成份如HF，H2 SO 4及 Η N 0 3可以與蒸汽有不同之結合而使用以自晶片表面有效 地除去光阻。硬植（Hard implanted )的光阻以及Vlas中之 殘留物也可以用蒸汽結合以這些酸來除去。 用在有機光阻之汽提中的s 〇3可以藉添加0 2至 S 0 2而產生。類似地，如以上討論的，N 2 0可以轉化成 N〇2，後者是也可用於光阻之汽提中的強氧化劑。 用於光阻之汽提中的氫氯酸可以依以下任一反應在原 位上產生：
CF4 + 2H2 十 〇2 ** 十 4HF CF4 + 1.5〇2 + 3H2-► C〇2 + 4HF + H2O NF3 + 〇2 + 5H2 N2 + 6HF + 2H2〇 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 訂 土 -13- 4391 05 A7 B7 五、發明説明 11 由以上顯然可知的，已提供一種新而改良的化學產生 器及方法。雖然僅某些現今之有利實體已詳細描述，但正 如對那些熟於此技藝者是明顯的’可以完成某些改變及修 飾卻不會偏離以下申請專利範圍所定義之本發明範圍。 I.---------Μ------訂------線 t (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公袭：） -14-

Claims (1)

  1. A q A8 ^ ^ c ^ . ：J B8 C8 _____ DS六、申請專利範圍 1 · 一種於一反應器中加工一半導體晶片所用之化學 物質的產生設備，一自由基源及結合來自源之自由基的裝 置以形成化學物質於室中之接近晶片處。 2 ·如申請專利範圍第1項之設備，其中自由基源包 括供形成先質材料之離子化的等離子體以產生自由基之裝 置。 3 .如申請專利範圍 括多個經延長之同心管， 源的室。 第1項之設備，其中自由基源包 其限制諸個在其中會形成自由基 4 ·如申請專利範圍第3項之設備，其中諸管包括一 第一管，其中形成第一室，一環繞第一管之第二管，而第 二室形成在第一 而第三室形成在 第 之間，及環繞第二管之第三管> 三管之間。 5 .如申請專利範圍第3項之設備，其中自由基源進 步包括一與諸管同心安置之感應線圈，及供應R F電力 和第 至線圈之裝置。 6 .如申請專利範圍 基之裝置包括供冷卻自由 7 .如申請專利範圍 第1項之設備，其中供結合自由 基以促進化學物質形成之裝置。 第1項之設備，其中供結合自由 化學物質形成之觸媒。 基之裝置包括一種會促進 8 . —種在使用點上產生化學物質的設備，其中一工 件卻用該物質來加工：一 由基的裝置以在使用點上 9 .如申請專利範圍 自由基源，及供結合來自源之自 形成化學物質。 第8項之設備，其中自由基源包 (請先閱璜背面之注意事項再填寫本頁) ----I-- ! -T---------線 — ^口 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -15- i
    A8 B8 CS D8 ---ϊ 六、申請專利範圍 括供形成先質材料之離子化的等離子體以產生自由基之裝 m 〇 1 0 .如申請專利範圍第8項之設備，其中自由基源 包括限定諸室之多個延長之同心管，在各室中自由基被形 成。 i 1 .如申請專利範圍第1 〇項之設備，其中諸管包 括一第一管，其中形成第一·室，圍繞第一管之一第二管， 而第二室形成於第一管及第二管間，及圍繞第二管之一第 三管，而第三室形成於第二及第三管間。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之設備，其中自由基 源進一步包括與諸管同心地安置之感應線圏及供應R F電 力至線圈之裝置。 1 3 .如申請專利範圍第8項之設備，其中供結合自 由基之裝置包括供冷卻自由基以促進化學物質之形成的裝 1 4 .如申請專利範圍第8項之設備，其中供結合自 由基之裝置包括一種會促進化學物質形成之觸媒。 1 5，一種在反應室中產生在加工一半導體晶片中所 用之化學物質的方法，其步驟是：產生自由基，且在晶片 附近區域中在室中結合自由基以形成化學物質。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法，自由基係藉 形成先質材料之離子化的等離子體而產生。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之方法，其中等離子 體是在多個限定各室之延伸之同心管中形成，該室中形成 1 請! 先 閱I 讀! 背I 面 I 之 I ;主 I 意 I 事I 項 I 再 I 4 1 頁i tj 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16 - 六、申請專利範圍 自由基。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之方法，其中等離子 體形成在一電場中，該電場係藉施用R F電力至一與諸管 同心排列之感應線圏而產生。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項之方法’其中結合自 由基之步驟包括冷卻自由基以促進化學物質形成之步驟。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中結合自 由基之步驟包括使用一種會促進化學物質形成的觸媒。 2 1 .—種在使用點上產生化學物質的方法’其中一 工件用化學物質來加工，其步驟包括：產生自由基，且結 合自由基以在使用點上形成化學物質。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之方法，自由基藉形 成先質材料之離子化的等離子體而產生。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中等離子 體形成在多個限定各室的延伸同心管中，該室中形成自由 基。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之方法，其中等離子 體形成在一電場中，該電場藉施用RF電力至一與諸管同 心排列之感應線圈而產生。 2 5 .如申請專利範圍第2 1項之方法，其中結合自 由基之步驟包括冷卻自由基以促進化學物質形成之步驟。 2 6 .如申請專利範圍第2 1項之方法，其中結合自 由基之步驟包括使用一種會促進化學物質形成的觸媒。 2 7 .—種在使用點上在原處產生化學物質的方法， -17- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 DS 一 _ _ . ____ _ _ - 六、申請專利範圍 產生自由基，且結合自由基以在使用點上形成化學物質。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中氮和氧 之自由基由一先質氣體獲得且結合以形成Nx〇>.，其中X 和y是正整數。 2 9 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中N ◦藉 使N 2和0 2自由基進入一室中，且撞擊室中之等離子體以 結合N 2和◦ 2而形成N 0。 3 0 .如申請專利範圍第2 了項之方法，其中N 0 2轉 變成N 0和◦ 2且結合以氫而形成硝酸（Η N 0 3 )。 3 1 如申請專利範圍第2 7項之方法，其中氮和氫 之自由基獲自氨（ΝΗ3)且在觸媒存在下結合以氧而形成 硝酸（Η Ν 0 3 )。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項之方法，其中觸媒是 鉑。 3 3 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中氮和氫 之自由基獲自氨（ΝΗ3)且結合以氧。 3 4 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中〇2結合 以S 0 2以形成S 0 3。 3 5 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中擇自由 氫和氧（Η2和〇2)及水（Η2〇)組成之群中的物質與 擇自由S，SO，S〇2及其結合物組成之群中的物質反應 以形成硫酸（H 2 S 0 4 )。 3 6 如申請專利範圍第3 5項之方法，其中擇自由 氫和氧（Η 2和0 2 )及水.（Η 2 0 )組成之群中的物質在 - - - -----------33^ ------I 訂---— — — — — - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- 43 91 05 Α8 Β8 C8 D8 L· 々、申請專利範圍 觸媒存在下與擇自由S，SO，S〇2及其結合物組成之群 中的物質反應。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項之方法.其中觸媒是 鉑。 3 8 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中含氟和 氯之先質結合以氧化劑而形成氫氯酸（H C 1 )及氫氟酸 (H F )。 3 9 .如申請專利範圍弟2 7項之方法，其中氫氯酸 (HC 1 )形成自含碳，氫及氯之先質。 4 0 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中氫氟酸 (HF)形成自含碳，氫及氟之先質。 4 1 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中聚砂形 自一擇自由矽烷（S i xHr)本身及矽烷結合以氫者所組 成之群中的先質。 4 2 .如申請專利範圍第2 7項之方法 形成自矽烷（S i 先質及含氮物質。 4 3 .如申請專利範圍第2 7項之方法 T E ◦ S先質用於等角的塗層。 4 4 如申請專利範圍第4 3項之方法，其中臭氧與 TE0S先質結合使用。 4 5 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中μ X m先 質用於金屬膜之形成中’其中M是金屬’ x是鹵族，且m 是化學計量數。 4 6 ·如申請專利範圍第4 5項之方法，其中 其中氮化矽 其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ^ --------訂---------線— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -19 - 4 3 51 C 5 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 質在還原物質存在下使用。 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 4 7 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中含氮和 氟之先質與氫和氧結合使用以產生混合的酸。 4 8 ,如申請專利範圍第2 7項之方法1其中Η 2和 0 2反應以形成蒸汽，供光阻之汽提中使用。 4 9 .如申請專利範圍第4 8項之方法，其中擇自由 HF，H2〇S4和組成之群中的酸在原處產生 且結合以蒸汽。 5 ◦.如申請專利範圍第2 7項之方法，其中〇2結合 以S 〇2以形成S 〇3，供有機光阻之汽提中使用。 5 1 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中Ν 2 Ο轉 變成N 0 2，供用於光阻汽提中。 5 2 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中N 2〇轉 變成NO和N〇2，供用於氮化氧化物膜以作爲離子滲透之 障礙。 5 3 ·如申請專利範圍第2 7項之方法，其中 質在氧化物質的存在下使用於金屬氧化物膜之形成中，其 中Μ是金屬，X是鹵族，且m是化學計量數。 5 4 ·如申請專利範圍第5 2項之方法，其中氧化物 質選自由〇2&H2 ◦及其結合物組成之群中。 5 5 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中Η 2和 〇2反應以形成蒸汽，烘S i 〇2層成長在S i上。 5 6 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中聚矽形~ 成自由矽烷（S i xHy)先質，含氫物質及其結合物組成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 4 Α8 Β8 C8 D8 :、申請專利範圍 之群中者。 5 7 .如申請專利範圍第2 7項之方法 形成自一含有氮，氫和氟之先質。 其中氫氟酸 5 8 .如申請專利範圍第2 7項之方法，其中氫氧酸 形成由一擇自由一含有氮，氫和氟之先質及一含有碳，氟 及氫之先質，及其結合物組成之群中的先質，供用於自矽 上除去天然氧化物 5 9 · —種在矽晶片表面上揮除產物的方法，其步驟 包括： 自一擇自由一含有氮，氫和氟之先質，一含有碳，氟 和氫，之先質，〇2，H2和其結合物組成之群中的先質， 形成氫氟酸（H F )； 自一含有氮，氫和氧之先質，形成硝酸； 用一擇自由S，SO，S〇2及其結合物組成之群中的 物質形成硫酸（Η 2 S 0 4 )； 自一含有碳，氫和氯的先質形成氫氯酸； 結合HF和ΗΝ〇3，H2S〇4及HC 1以形成反應 產物； 用含有反應產物之水溶液，在溫度低到足以使水薄膜 冷凝在晶片表面上之溫度下’溶解在晶片表面上之產物； 提升晶片溫度以蒸發水溶液；且 旋轉晶片以進一步有助於水溶液之除去。 6 ◦.—種在矽晶片表面上揮除產物的方法，其步驟 包括： ----；--I*-------裝---------訂----------線 — (琦先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - A8B8C8D8 六、申請專利範圍 自一擇自由一含有氮，氫和氟之先質，一含有碳，氟 和氫之先質，0 2 Η 3和其結合物組成之群中的先質，形成 氫氟酸； 結合氫氯酸與氫，氮和氧以形成ΗΝΟ及蒸汽： 用一含有ΗΝ〇3之溶液及蒸汽，在溫度低到足以使水 薄膜冷凝在晶片表面上之溫度下，溶解在晶片表面上之產 物； 提升晶片之溫度以蒸發溶液：且 旋轉晶片以進一步有助於溶液之除去。 6 1 . —種在矽晶片表面上揮除產物的方法，其步驟 包括： 自一擇自由一含有氮，氫和氟之先質，一含有碳，氟 和氫之先質，〇2，Η2及其結合物組成之群中的先質，形 成氫氟酸（H F ); 結合氫氟酸與氫，氮和氧以形成^^1^〇3和蒸汽； 用含有Η Ν 0 3之水溶液及蒸汽，在溫度低到足以使水 薄膜冷凝在晶片表面上的溫度下，溶解在晶片表面上的產 物； 提升晶片之溫度以蒸發水溶液：且 旋轉晶片以進一步有助於水溶液的除去。 6 2 . —種在矽晶片表面上揮除產物的方法，其步驟 包括： 自一擇自由一含有氮，氫和氟之先質，一含有碳，氟 和氫之先質，〇2 ’ 1^2和其結合物組成之群中的先質，形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .〇0 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^·-------訂---------線 — I n 1 tt It —L n n _ A8 B8 C8 DS 六、申請專利範圍 成氫氟酸： 結合氬氟酸與s i 0 2以形成反應產物； 用含有反應產物之水溶液，在溫度低到足以使水薄膜 冷凝在晶片表面上之溫度下’溶解在晶片上的產物； 提升晶片溫度以蒸發水溶液；且 旋轉晶片以進一步有助於水溶液之除去= (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -* --------訂 *--------線 — 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規烙（210 x 297公釐） -23-
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