TW449792B - Intermediate layer lithography - Google Patents

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4 ^9 79 2- 85 1 12 258 A7 專利申請案第85丨1225 ROC Patent Appln. No*85 中文说明書修王.頁'附件三 五、發明說明（/)

Amended specmcsuon m cnmese-fcncl. Ill (民8你年日达ju (Submitted on June 21» 2000)

輝請委寶^示，本衆修正後是否釔更原實質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 相關申請案之交互參考 下列之共同讓與、申請之美國專利申請案揭露相關之命 題：申請索號-_ ,申請日__，及__ ,申請曰—-一 _ 0 發明之背景 ， 本發明係關於一電子半導體装置，尤有關於此等裝置之 製造方法。 具有高密度裝置之半導體積體電路需要最小尺寸之結構 ，例如用於場效電晶體（FETs)之短閘，用於雙載子電晶體 之小面積射極，及在裝置間之窄的互速線。此等多晶矽或 金屬结構之構成通常牵涉藉由將感光耐蝕膜在通過一包含 想要的結構圖案之線網之光線中曝光以定出此等在一多晶 矽或金屬層上之感光耐蝕膜層中之結構。在感光耐蝕膜曝 光及顯像後，在下方之多晶矽或金屬層將有圖案之感光耐 餘膜做爲錄刻罩而非等向地蚀刻◊因此多晶梦或金屬之最 小線寬等於在感光耐蝕膜上可被顯像之最小線寬。目前光 學步進機使用波長365nm之光線（根據用以產生前述光線 之高壓水銀弧光燈中之相對應之放射線而命名爲卜線）來 使感光耐蝕膜曝光，在少於约0.3am且標準差少於約0.01 /zm之感光耐蝕膜中之圖樣線寬無法使用I-線製板術而產 生令人滿意之結果。 圓la-c例示一習知產生次製版之多晶矽閘結構之方法且 包含在一多晶矽層上之最小幾何辱樣化感光耐蝕膜（圖1a) 、等命蝕刻前述之感光耐蝕膜以ά減線寬（圖lb)、及以已 « -3 - — — — — — ..-I I I I - . “ V.....· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂· ο. g張疋度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 4 9 7 9 2--;--- g购-I__

.....mi J 五、發明說明（2 ) . 縮減線寬之感光耐蝕膜做爲蝕刻罩以非等向蝕刻前述之多 晶矽（圖lc) ◊此法有許多問題，包含多晶矽之污染。 使用感光耐蝕膜做爲罩以非等向蝕刻多晶矽閘可使殘餘 的硬化感光耐蚀膜隆起物在蝕刻之後留在多晶矽蘭之邊緣 。電漿蝕刻類在多晶矽蝕刻期間硬化感光耐蝕膜之邊牆， 且後續之氧電漿感光耐蝕膜剝除可能無法完全移除前述之 -隆起物；見圖Id。此外，可能使用個别之濕蝕刻以剝除前 述之隆起物但缺少對於修改之強健性。任何隆起之殘餘物 會在後續之熱處理中碳化且阻礙二矽化鈦（TiSi 2 )在一自 我對齊閘矽化過程中形成。因Λ簡易地且完全地移除感光 耐蝕膜殘餘物會是一個問題。 發明之综合説明 本發明提供次製版之圖樣，係藉由在感光时餘膜及欲餘刻 之材料中間使用一中間層，且配合以製版術定出之感光耐蝕 臈圖樣或中間層任一者之側邊姓刻用以減縮線寬。中間層做 為：（1)一供感光财敍膜曝光之抗反射層，⑵做為後續的側邊 蝕刻之蝕刻停止層或犧牲層，及/或⑶做為移除硬化之感光 耐银膜殘餘物之移除層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之優點包含提供一次製版圖樣及完整之感光对蚀 膜移除之簡易方法。 圖式之筋軍説明 下列圓式有助於了解本發明。 圖la-d顯示一習知之次製版之尋樣方法； 圖2a-h例示感光耐蝕膜圖樣化之第一較佳實施例之方法 -4 - %張尺度適用中國國家&準ϋέ)Α4 <格（21Q X 297公爱） ~ 组濟部中央標準局貝工消費合作社印製 449792 . A7

五、發明説明（3 ) 之剖面立視圖及俯視圖； 圖3係在使用第-較佳實施例之非等向㈣後 視圖； 圖㈣例示—感光_膜圖樣化之第二較佳實施例之方 法； 国5提議蝕刻之選擇性； '圖晶矽蝕刻； 圖面立視圖類示-第三較佳實施例之方法； 圖8a-e係一第四較佳實施例之方法的剖面圖；及 第9a-d以一剖面立視圖顯示一第四較佳實施例之方法。 較佳實施例之詳細插述 概述 次製版圖樣之創造之較佳實施例之方法在感光耐蝕膜及 欲蝕刻之材料間插入一中間層且使用下列步驟：首先在感 光耐蝕膜中以最小之線寬曝光及顯像一圖樣，接著侧邊地 (即等向地）移除感光耐蝕膜或中間層或兩者以均勻地縮 小中間層羊一次極小之線寬，其接著做爲欲蝕刻圖樣之材 料之蚀刻罩。前述之中間層可提供：⑴在感光财餘膜曝光 期間之抗反射功能，⑵在後績的側邊移除期間做爲一蝕刻 停止廣或一犧隹廣以保護下方之被赴層*及/或⑶在材料 被蝕刻成形之後氧爲一餘餘物移除層。 前述之次製版圖樣成形及殘餘物移除可在例如多晶矽、 •金屬、絶緣物、鐵電體等材料上產生。次製版圖樣可能定 出最小之尺寸項目，例如用於積體電路之閘極長度及互連 ~ 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀t-面之汰意事項再t本頁)

449 792 A7 _______ __ B7 五 '發明説明（4 ) 線寬。 第一較佳實施例 圖2a-h例示第一較佳實施例感光耐蝕膜圖樣成形方法， 可用於形成一用於閛極層多晶矽蝕刻之罩β特别是，從 ”通常具有Ρ及η型完全摻雜之區域以建構裝置之(1〇〇)方 命單晶矽基底202，加上絶緣氧化物203、厚度通常爲6-10 .nm之閘極氧化物204、厚度通常爲3〇〇-5〇〇nm且摻雜或未掺 雜或只在某些部分摻雜之閛級多晶矽層206"開始。接著進 行下列步驟： ⑴在多晶矽206上飛濺沉積一 55nm厚之氮化鈦（TiN)層208 。Tilif 208做爲一用於I-線製版術之埋藏的抗反射塗層 r'BARC");即TiN積極地吸收波長365nm之光線。如果沒有 TiN或其他的BARC，在下方之多晶矽206將會反射曝光之光 線使其滲入重疊之感光耐蝕膜並干擾感光耐蝕膜取決於位 置之曝光程度，原因在於感光耐蚀膜之厚度在例如絶緣氧 化物203之凸起物上變化。 ⑵在JiN BARC 208上旋壓约1/£1〇厚之1-線感光耐蝕膜層 210 ; 2的、廣之厚度取決於下方之地形。I-線感光耐蝕膜可 能由具有疊氛化物感光劑（azide sensitizers)之環化衆- 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 2-甲基丁二烯衆合體（cyclized polyisoprene polymers) 製成。如果有需要可軟烘焙感光耐蝕膜210。剖面立視圖 及俯視圖請見圖2a_b。 ⑶以一 I-線製版系統曝光感光耐蚀膜210以定出一具有 最小0.33a m線寬之圖樣。接著顯像已曝光之感光耐蚀膜 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS >A4规格（210x297公羞） 4 4 9-79 2 & - A7 ________B7_ 五、發明説明（5 ) 210且將其烘焙以使圖樣化之感光耐蝕膜一部分2Π及212 變形，如圖2c-d之剖面立視圖及俯視圖所示。以表示 之寬度可能係一最小線宽，例如0.33um。見圖2c-d，其 中圖2c係沿著圖2d之俯視圖中之C-C線之剖面圖。 ⑷施加一等向蝕刻以移除在感光耐蝕膜圖樣211-212中 之ΔΪ而產生感光耐蝕膜圖樣213-214，但是前述之蝕刻 -只移除極少量之TiN 208。此等向餘刻可爲一在1.5 mTorr 塵力下包含80%氦及20%氧之電漿蚀刻，其以160nm/min之 速率移除感光耐蝕膜。因此一 15秒之蝕刻將會移除0.04am 之感光耐蝕膜且將0.33 之線寬縮減至一 0.25 之線寬 。圖2e-f顯示被蝕刻之感光耐蝕膜圖樣213-214,以實線 定出一W-2AW之線寬，及原來感光耐蝕膜圖樣211-212， 以虚線定出一W之線寬〇 鯉濟部中央標準局員工消費合作社印製 ⑸施加一非等向蝕刻以移除前述之TiN層208曝光之一部 分且完成用於蝕刻多晶矽206之罩。一具有氯之螺旋電漿 蚀刻機（helicon plasma etcher)在6 mTorr之壓力下會以 約200 nn^min之速率蝕刻TiN，因此约15秒之蚀刻將會移 除曝光之TiN而留下217-218之TiN—部分。此蝕刻亦會以 大致相同之速率蝕刻多晶矽，但蝕刻在多晶矽206處停止 並不會有危險，原因在於多晶矽206接著就會被非等向蝕 刻。圓2g-h例示在下方之TiN部分217-218之上最後的感光 时独膜圖樣213-214，其形成用於多晶石夕206非等向蚀刻之 最小線寬W-2AW單。 多晶矽206之非等向蝕刻接著在约6 mTorr之壓力下以感 -7 - 本紙張尺度適用肀國國家襟準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐）

五、發明說明（6) 光耐蝕膜圖樣213-214做爲罩藉由一來自ci 2，HBr，及He /〇2 (80%/20%)混合氣體之螺旋激發電漿而進行。Br提供 邊牆鈍化作用以保證非等向性。C1 2 /HBr/He_〇 2電漿可 以比蝕刻氧彳匕物快300倍之速度蝕刻多晶♦，且重疊蝕刻 至氧化物204上時只會移去極小量之氧化物；見圓3。一 最後的氧電漿剝除前述之感光耐蝕膜，加上一氣電漿或一 .SCI洗淨劑⑽4 OH+H2 〇2 +H2 0溶液）在不影響多晶矽或 曝光之閘氧化層之下從被蝕刻之多晶矽上剝除TiN。 第二較佳實施例 圖4a-d例示第二較佳實施例之具有感光耐蝕膜圖樣成形 方法，也可用以形成一閘級多晶矽蝕刻之罩。特别是，再 一次從"具有絶緣氧化層403之（100)方向單晶矽基底402、 具有6 im厚度之閘氧化層404,加上具有400nra厚度之閛級 多晶石夕層406"開始。接著進行下列步骤： ⑴將一 200nm厚之有機BARC層408旋壓在多晶矽406上。 即，有機BARC層408積極地吸收365im波長之光線。有機 BARC層408可爲一附有染料群之聚合物，前述之染料群提 供吸收作用但不會改變聚合物之鍵結；例如聚酿胺酸聚合物 及共聚物。如前所述t如果缺少某種BARC，下方之多晶石夕 406將會反射曝光光線使其滲入重疊之感光耐蝕膜410並干 擾感光耐蝕膜取決於位置之曝光程度，原因在於感光耐蝕 膜之厚度改變了。 ⑵旋壓大约lam厚之感光財蝕蹲層410在BARC層408上； 層401之厚度取決於其下方之地形。圖4a顯示一剖面立視 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

-&J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 79 2 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7 ) 圖。 ⑶以一 I-線製版系統曝光感光耐蝕膜410以定出真有最 小線寬0.30am之圖樣。接著將感光耐蝕Μ顯像及烘焙以 使圖樣化之感光耐蝕膜部分411及412變形，如圖4b所示， .以"ff"表示之寬度可能爲一例如〇.3um之最小線寬。 ⑷在25-27 mTorr之壓力下在一平行板電漿蝕刻機中使 .用混合物CHF 3 /CF 4 /〇 2或CHF 3 /0 2 β葬等命地移除BARC 層408之曝光部分。此蝕刻亦以一取決於CHF 3對CF 4比之 速率等向地移除感光耐蝕膜：一CHF3及〇2之混合物以大 約等於其移除BARC之速率來移除感光耐蝕膜（其可能以一 衆合物或異戊二烯（isoprene)爲基礎），然而CF4及〇2 無法快速地移除感光耐蝕膜〇圖5提出感光耐蝕膜對BARC 蝕刻比例爲氣體混合物之函數。因此藉由選擇氣體混合物 ，在BARC蝕刻期間感光耐蝕膜圓樣411-412之AW可被移除 任何想要的0至200 nm之厚度以達到線寬之感光耐 蝕膜圖樣413-414。例如，假如感光耐蝕膜之侧邊蝕刻速 率约爲BARC之垂直蚀刻速率之1/10，在伴隨著重番蚀刻之 BARC移除期間以製版定出之線寬〇. 30 u m可以縮小至〇. 25 ttm。圖4c-d顯示侧邊及垂直蝕刻及定出一線寬爲f-2AW 之用於蝕刻多晶矽406之蝕刻感光耐蝕膜圖樣413-414。 多晶矽406之蝕刻接著以一來自SF6加上HBr之氣體混合 物電漿並使用感光耐蝕膜圖樣413-414做爲罩來進行。Br 提供邊牆鈍化作用以保證非等向性。此外，步驟⑷之barc 蚀刻沉積材料405在BARC之邊牆上，如圖4d所示；且在多 -9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） H- «τί ^^^1 ^^^^1 ^^^1 ^^^1 HBti 1 (請先聞讀f'面之ii-意事項再t^'·頁) -訂 449 *79 2 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（8 ) 晶矽蝕刻期間此邊牆材料移至形成之多晶矽邊牆，如圖6 所示，且限制在邊牆基底之微挖掘。使用Cl 2 /HBr/He-〇2 電漿蚀刻以結束並重疊蝕刻，原因在於此混合物以比蚀刻 氧化物快約300倍之速率蝕刻多晶矽，且一在氧化物404上 之重叠蚀刻只會移除極小量之氧化物β 一最後之氧電漿剝 除圖樣化的感光耐蝕膜加上BARC。 - 各種非等向之多晶矽蝕刻具有不同量之本質的線寬縮減 。因此’使用第二較佳實施例容許藉由調整BARC蝕刻氣體 混合物使得總線寬縮減（藉由BARC蝕刻之感光耐蝕膜線寬 縮減加上藉由多晶矽蝕刻之線寬縮減）維持常數以補償多 晶珍蚀刻。 第三較佳實施例 第三較佳實施例同樣使用一等向蚀刻以在金屬蚀刻之情 沉下縮減具有ΤίΝ抗反射塗廣之感光耐蝕膜罩之最小線寬 。特别是，鋁互連層常常具有TiH之鍍層以作爲擴散障礙 及電遷移抑制閘極。因此圖7a顯示具有絶緣閛極704之基 底702及具有以閘極704速接至FET之源極/汲極之填滿鎢 的通道708之平板化之氧化物絶緣層706，加上由710及714 之TiN包覆之鋁層712。 接著，在感光耐蝕膜720上旋壓且以一遮罩之I-線光線 曝光以得到線寬爲W之圖樣；上TiN鍍層714做爲抗反射塗 層。將感光耐蝕膜720顯像，接著施行一氧電漿蝕刻以將 圖樣化之感光耐蚀膜720之線寬縮減至並使用上 TiN鍍層714做爲蚀刻停止層；圖7b顯示圖樣化之感光耐蚀 -10 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（21〇Χ297公釐） ' (請先閲瘦背面之法意事項再本頁) -β Γ 經濟部中央操準局員工消費合作社印製 449792 A7 ______B7_' .__ 五·、發明説明（9 ) 膜之縮減〇 接著施行一以氣爲基底之非等向蝕刻以移除TiN 714、 A1 712且TiN 710未被圖樣化之感光耐蝕膜720遮罩。以一 氧電漿剝除圖樣化之感光耐蝕膜。在此情沉下TiN 714之 ，結構層亦做爲埋藏之抗反射塗層及感光耐蝕膜線寬縮減之 蝕刻停止層。 .第四較佳實施例 圖8a-d例示第四較佳實施例，亦可用以形成一用於蘭級 多晶矽蝕刻之罩。特别是，同樣以從"具有絶緣氧化層803 之（100)方向單晶矽基底802、具有6 nm厚度之閘極氧化物 804，加上具有400nm厚度之閛級多晶矽層406"開始。接著 進行下列步騍： ⑴在多晶矽806沉積一做爲I-線BARC之200im厚之TiN層 208。TiN沉積可藉由在N 2電漿中飛濺Ti或飛濺TiN而達成 。如前所述，BARC 808限制在一重疊之感光耐蝕膜層中之 反射性的干擾，否則會造成取決於位置之感光耐蝕膜之曝 光程度，孕因在於感光耐蝕膜之厚度改變。 ⑵旋磨大約lw m厚之感光耐蝕膜層81〇在BARC層808上； 層808之厚度取決^於其下方之地形。圓8顯示一剖面立視 圖0 ⑶以一 1_線製版系統曝光感光耐蚀膜81〇以定出一具有 最小線寬0.30it m之圖樣◊接著將感光耐勉膜顯像及烘焙 以使圖樣化之感光財独膜811及812變成如圖仙所示者。以 "F表示之寬度可能係一最小線寬，例如〇 3〇/im。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱度背面之法意事項再^sai^·頁) 裝' > HI )^1 —^1 49 792 Α7 Β7 五、發明説明（ 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ⑷施行一非等向蝕刻以移除BARC層808之曝光之部分； 如圖8c所示。一具有6 mTorr壓力氣氣之氣電漿蝕刻機用 於TiN BARC將會以約200 nm/nin之速率#刻TiN，因此一 約60秒之蝕刻將會移除曝光之TiN並留下BARC部分821-822 .。此蚀刻也會以大约相同之速率蝕刻多晶矽，但蝕刻在多 晶矽806處停止並不會有危險，原因在於多晶矽806會在步 .驟(6)中被非等向蚀刻。 ⑸施行一預定之等向蝕刻以侧向地移除約0.025 £iin之 BARC 821-822以形成窄的最小線寬爲0 · 25 u m之BARC部分 823-824 ;圖8d顯示最小線寬W-2AUf。此TiN BARC之等向 餘刻可爲一稀释之Η 2 〇 2之濕蚀刻，其以约5 im/min之速 率蝕刻Till，因此將會蝕刻5分鐘〇注意重疊之感光耐蝕 膜811-812限制BARC曝露在任何蚀刻劑下之量且大大地減 少鄰近效應以確保在整個晶圓中BARC之均句之0,025 tt m侧 邊移除。相似地，可採用一等向電漿蝕刻。窄化的BARC 823-824形成最後的蝕刻罩，W-2AW之最小線寬被用於多 晶矽806之非等向蝕刻上。 (6)首先以一氧電漿剝除重簦之感光耐蝕膜811-812，接 著以一BARC 823-824做爲罩以非等向蚀刻多晶矽806。注 意BARC 823-824之厚度容許使用略爲非選擇性之非等向多 晶矽蝕刻；即一電漿蝕刻可能移除BARC使用其至少以兩倍 之速度移除前述之多晶矽。見圖8e。最後，剝除BARC並留 下次製版圖樣之多晶矽。 注意，使用有機物BARC亦有可能使得感光耐蝕膜可被移 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 聞 A 之 項 頁 訂 449792 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（U ) 除而不會同時移除BARC。 第五鮫佳實施例 圖9a-d例示第五較佳實施例之方法，亦可與任何其他前 述之較佳實施例線宽縮減方法一起使用或單獨使用。第五 較佳實施例使用中間層（可爲BAKC)做爲一移除點以移除 重巷之感光財姓膜或感光时姓膜殘留物，步骤如下： ， ⑴以一在50im厚之TiN中間層部分917-918上之圖樣化之 感光耐蝕膜9Π-912開始，前述之中間層依序位於300nin厚 之多晶矽906上。TiN做爲BARC以使感光耐蝕膜圖樣化且， 選擇性地，感光耐蝕膜911-912可能已被等向蝕刻以縮減 線寬，相似於圖2g之結構。見圖9a。 ⑵以一 C1及Br基底之電漿及感光耐蝕膜911-912加上以 TiN 93L7-918做爲蝕刻單以非等向蝕刻多晶矽906。蝕刻電 漿亦從感光耐蝕膜911-912之邊牆處形成硬化之感光耐蝕 膜部分913-914。見圖9b。 ⑶在例如SCI (—分29%之NH4 0H，一分30%之H 2 0 2及 六分Η 2 〇之比例）之溶液中溶解TiN 917-918;此亦沿著 硬化之邊牆913-914移除感光耐蝕膜91卜912。見圈9c。選 擇性地，在溶解TiN 917-918之前，具有一氧電漿之感光 耐蝕膜911-912灰接著溶解TiN 917-918。此優先之灰化使 TiN 917-918之其他的面快速溶解且仍然容許移除氧電漿 無法移除之硬化邊牆部分913-914。圖9d顯示在感光耐蚀 膜灰化之後TiN溶解之前之結構。 中間層917-918可能已爲一有機BARC層，且此方法將依 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） —•^^^1 ^^^1 ^^^1 In Tn .、，1 \ 丨 .： ： (請先閲发背面之>£·意事項再1^本頁) 訂 449?92 a? B7 經濟部t央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（12 ) 循BARC溶解之同樣步騍，藉由有機溶劑提供硬化邊牆部分 913-914之移除。然而，有機BARC邊牆也有可能硬化，因 此可能需要一特别之溶劑以適應所採用之BAKC類型。且在 感光耐蝕膜下使用一中間層以移除硬化邊牆也應用在蝕刻 金屬層上，相似於第三較佳實施例，且用於蝕刻穿過絶緣 物之通道。 .改良輿麥化 前述之較佳實施例可以各種方法變化但仍維持一個以上 之使用中間層之特色，前述之中間層可做爲一用於線寬縮 減之埋藏抗反射塗層、蝕刻停止層或犧牲層，且亦可用以 移除重疊之感光耐蝕膜或殘留物或其他材料。 例如，第一、第二及第三較佳實施例之感先对蚀膜可被 剝除且圖樣化之BARC單獨做爲餘刻罩，使得蚀刻對於barc 具有足夠之選择性。用於縮減感光耐餘膜線寬之等兩蚀刻 可略爲非等向性使得足夠之感光蝕膜留下。層之厚度及線 寬及蝕刻化學性質及狀況皆可以改變。此外，較佳實施例 之描述皆埤用I-線製版術，然而使用同樣的或不同感光崎 蝕膜及抗反射塗層之其他曝光波長，同樣之方法亦可用。 再者，還可使用一單晶圓螺旋波電漿蝕刻或其他型式之電 漿姓刻包含RIE、ECR RIE群，及感應地耗合電漿。 -----------裝 — I r_y i I (請先聞t背面之ίΐ'意事項再#'寫本頁) -& 本紙張欠度適用中國國家榇準（〇阳）八4规格（210/25>7公釐）

Claims (1)

1. α 85112258

   imiiuiiu ninfflf jjim 飞民困》9年6月2i曰送里厂 (Submitted on June 2lt 2000) ?92 六、申請專利範圍 申.請♦利益圍4正i -附件— ^AntanAnA Πη|»*η jn ^hjng1t Γη il τ · ~K9年6片:ii曰送呈）’― 續請委C 本發修正後是否-更"實質内容 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 l 一種製版之方法，包含下列步驟： (a) 備妥一欲蝕刻圖樣之底層； (b) 在該底層上製作一中間層； (c) 在-談·中間層上製作一對輻射敏感之頂層； (d) 以輻射在頂層上製作圖樣以形成一圖樣化之頂 層； 0)同時側邊移除該圖樣化之頂層之一部分且垂直移 除曝光之該中間層之一部分以形成一縮減之在一圖樣化 之中間層上之圖樣化頂層；及 ⑴使用該第二圖樣化之中間層做為至少一部分之罩 以移除該底層之一部分。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中： (a) 中間層係由有機聚合物製成，該有機聚合物係選 自聚醯胺酸聚合物及共聚物之群；及 (b) 該頂層係由感光耐蝕膜製成。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中： (a)該同時地移除係藉由電漿蝕刻達成。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中： (a) 該底層係多晶矽； (b) 該底層部分之該移除係使用非等向電漿蝕刻。 5. —次製版術之圖樣化方法，包含步驟： 0)備妥一欲蝕刻圖樣之底層； (b)在該底層上製作一埋藏之抗反射塗層（BARC)，該 BARC層可吸收第一波長之輻射； -15 - 、、- \}, ----»--—ί ί,、 ----— 1 訂 ---------f、v (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 85349B 44^ 792 &8 C8 D8 六、申請專利範圍 (c) 在該BARC層上製作一感光耐蝕膜層，該感光耐 蝕膜層可由具有該第一波長之輻射曝光； (d) 以輻射在該感光耐蝕膜層上製作圖樣，該輻射包 含該第#玻長以形成一圖樣化之感光耐蝕膜層，其最小 線寬為W ; (e) 同時蝕刻該第一圖樣化層以從所有該第一圖樣化 之層之曝光之表面沿著一該BARC層表面之方向移除 △ W之量且蝕刻該BARC層移除曝光之部分以在該一 圖樣化之BARC上形成一第二圖樣化之感光耐蝕膜 層，其最小線寬為W-2AW ;及 (f) 使用該第二圖樣化之層及圖樣化之BARC層做為 蝕刻罩以非等向蝕刻該底層。 ' -*1 J - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）