TW455741B - Stencil mask and method for forming the same - Google Patents

Description

455741 I五、發明說明（l) 丨【發明所屬技術領域】 · 本發明係有關於一種用於半導體元件之微細加工的電 子束曝光、離子束曝光及X射線曝光等所使用的圖罩以及 該圖罩之形成方法。 【習知技術】

I 圖罩乃一種在已製成於金屬薄膜或石夕基板上之圖案的 丨形狀啦邬份地設置了孔之罩幕，以用於電子束曝光、離子 束曝光及X射線曝光等之上。當使用上述圖罩時，係將電 子束或離子束照射於圖罩以使入射於開口部之粒子透過， 並使透過之光束照射在基板上之光阻等之上而進行曝光。 以該圖罩而言，係為由構成圖案形成側之矽基板與構， 成支承台側之矽基板相層壓而成之晶圓所製成者。此外， :亦可使用由一於矽基板上已摻雜了雜質之矽層所磊晶成長 成之晶圓所製成者。以目前一般而言，係以使用層壓而成 之晶圓為主流。無論如何，圖罩用之晶圓皆須具備有構成 圖案形成側之石夕層與構成支承台側之碎層。在此處所謂的 支承台’係指對於圖罩之耐變形強度高且在裝附於圖罩之 =光，置時可支承一般係位於下側（裏面側）之圖案形成 W不變形的支承台之形成側而言^此外，在構成支承台侧 之石夕層施行蝕刻之際’於介在於上述二層之間製作用以抑 =上述餘刻之層的情形亦很多。此介在於内部之層為S i 〇2 ^之無機膜之圖罩乃至於其之形成方法（當作習知技術1 5係在特開平5 一 2 1 6 2 1 6之發明中被提出。此外，在特開平| 1 6中之習知技術之項，係揭示了此介在於内部之層|

第4頁 五、發明說明（2) 丨技術2 )子植八層之圖罩乃至於其之形成方法（當作為習知 1 丁之^明\就上述之習知技術而對特開平進行以 [習知技術1 ] 圖。第2圖係表示習知技術！之圖翠形成方法之步驟剖面 在特開平5-216216中，習知技術i係如下所述。 ^在第一丰導體矽基板111上層壓1微来（#m)厚之矽 虱化獏作為無機膜112 (第2圖（a ))，再使第二本導體 矽基板113接觸於該無機膜上，進行n〇〇t、2小時之熱處 理’以使二片矽基板層壓（第2圖（b))。其次，將^層 壓的矽基板11 3利用研磨技術進行姓刻，以使矽基板薄膜 化成約30 //m。在該半導體石夕基板的兩面上形成奈米 (nm )厚之作為保護無機膜114之矽氧化膜，並在矽基板 裏面之無機膜上利用微影技術形成光阻圖案，以該光阻圖 案作為罩幕來進行無機膜之蝕刻，以使第一半導體矽基板 111之裏面選擇性地露出。更進一步，以上述圖案作為罩 幕，使用乙烯二胺·鄰苯二酚溶液將第一半導體矽基板 Π 1由裏面進行蝕刻’以使矽氧化膜11 2的裏面露出（第2 圖（c )回蝕步驟）。 之後，將保護無機棋114全部去除，並在第二半導體 矽基板113之表面上使用微影技術形成光阻圖案115 (第2 圖（d))。更進一步’藉著以該光阻圖案作為罩幕而對 第二半導體矽基板11 3以及矽氧化膜1 1 2進行蝕刻以使圖案

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五 '發明說明（3) 貫穿而形成貫穿部200，即可很容易地形成機械強度優 異、熱穩定性高之圖罩（第2圖（e))。 又 若依照習知技術1所述’則如上述般，可藉由將半導 體矽基板氧化並令二片矽基板層壓來大幅簡化圖罩之製 步騾=此外，亦可报容易的形成用於半導體矽基板之裏成 姓刻中之抑止物（stopper )’且即使是在電子束的加面 電壓為50KV的情況下亦能遮蔽電子，而形成膜厚均句性、 異且實用的電子束縮小轉錄微影用圖罩。另外，此處於$ 一半導體矽基板ill上所形成之無機膜112可為矽氧化膜， 亦可為矽氮化膜。 ' [習知技術2 ] 第3圖係表示習知技術2之圖罩形成方法之步驟剖面 圖。 在習知技術2中，係以加速電壓50〜100KV、劑量lx | 102t)cm2來對半導體碎基板ill進行领離子142之植入，以形 | |成離子植入層141 (第3圖（a))。在其上形成矽之磊晶 I ^層143，並進一步於該磊晶層上與半導體矽基板1U之裏面 層壓作為保護膜之矽氮化膜1 44 (第3圖（b ))。之後， 使用微影技術及乾式蝕刻技術將半導體矽基板111之裏面 的矽氮化膜1 44選擇性地去除，再以矽氮化膜1 44作為罩 幕，使用乙稀二胺.鄰笨二酚溶液將半導體矽基板111之 裏面蝕刻至硼植入層141為止，而將保護膜全部去除（第3 ：圖（c):回蝕刻步騾）。其次，在磊晶層之上使用電子 |束微影技術來進行光阻圖案145之形成（第3圖（d))。

2124^3419-?! -ptd 第6頁 45 57 4 五、發明說明（4) 以該光阻圖 之蝕刻，而 若依照 在電子束縮 離子植入層 用來當作蝕 在以上 構，係由石夕 用的晶圓之 度雜質矽層 【發明所欲 以上之 率不均勻之 在回银 方向垂直的 行蝕刻之後 下稱為晶圓 刻之過程中 晶圓内部之 得之钱刻加 的平坦面， 但是， 速率會不均 晶圓内部之 案1 4 5作為罩幕’進行磊晶層以及離子彳羞入層 形成罩幕圖案（第3圖（e) ) ^ 習知技術2所述’即可藉由以上之方法來形成 小轉錄微影中所使用的圖罩。在此處，形成高 乃是為了在對半導體矽基板由裏面進行蝕刻時 刻之抑制物使用。 之習知技術1中所使用的層壓晶圓之剖面結 層S i 〇2 -石夕層所構成’而在習知技術2中所使 剖面結構，則係由矽層-高濃度雜質矽層-低濃 所構成。 解決之課題】 習知技術中，在回蝕步驟内存在有肇因於蝕刻 問題點。 1 步驟中理想的狀態，係姓刻率在與姓刻之進行 面上為均勻的。換言之，即垂直於晶圓表面進 ’在與晶圓表面平行的晶圓之任一截面内（以 面内）其蝕刻率皆均等。也就是說，在進行蝕 各部份之蝕刻深度及寬度是相同的。然後，在 姑刻停止時，即可得到在蝕刻步驟已終了後所 工面上未產生過度蝕刻及蝕刻不定等起伏現象 故最為理想。 在非理想狀態下，蝕刻步驟中晶圓面内之蝕刻 句’各部份之姓刻深度也會有誤差。因此，在 姓刻停止時，就會在蝕刻步驟已終了後所得之

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第7頁 —丨丨丨丨 (5) 蝕刻加 '^面上產生過度餘刻及触刻不定等之起伏現>，故 襄,】少班中之晶圓面内有姓刻率之誤差產生時，因# :之應力就會在晶圓面内偏斜作用。一旦局部的备 辦系> J *〜、 等之歪斜’使得標的物之囷罩的圖案形成部份產生 刻 A〆作用’則該應力之產生部份就會發生彎曲、扭赫 遽應力 辨 及1T、g地變形’而形成歪斜之圖罩圖案。如上所述，在麵 不构择中，甴於亦會因晶圓内之雜質濃度之誤差而導致晶 到過油，故在已歪曲的晶圓上施行圖案化即會與原來的圖 誤差。亦即，會產生所謂圖案位置精確度降低之問 上所述者都是肇因於蝕刻過程之問題點，而在習知 伸縮 圓裘 案虞生 題術1以及習知技術2中則並未將上述問題解決。 技4在習知技術1以及習知技術2之中，晶圓面内之蝕刻率 產生誤差之原因，乃由於矽層ill内之雜質濃度的偏差。 例如，以硼（B )為雜質 '以KOH (氩氧化鉀）溶液等之鹼 溶液為蝕刻液時，已知矽層内之雜質濃度愈高、蝕刻率就 愈慢。又，若以磷（P )為雜質、以氟酸溶液為蝕刻液 時，則已知矽層内之雜質濃度愈高、蝕刻率就愈快。 因此，若使用雜質濃度均勻之矽晶圓的話，就可解決 上述之問題點。 然而，雜質濃度均勻之矽晶圓非常高價。在元件活性 區域中，即使高價亦必須使用雜質濃度均勻之矽晶圓。 因此，當圖罩之支承台側之晶圓欲完成圖罩時，為了 不因雜質濃度之不均勻性而造成特性劣化等不良影響，故

2124-3419—i.j;d 第8頁 4 5 5 7 4 ί 五、發明說明（6) 係以使用低價的CZ晶圓（拉晶結晶）者較佳。若使•用雜質 濃度均勻之梦晶圓’雖然可解決上述之拮術問 但反古 之’就必須花費掉過度的成本，所以並非有效的解決方 法。 更進一步而言，還有因蝕刻之完成精確度所導致之問 題點。特別是在習知技術2之中尤其明顯。習知技術2之高 濃度雜質矽層不僅是蝕刻率慢，且幾乎為完全地蝕刻抑止 物’僅^會溶解少許。又，習知技術i之“化層比起習知技 術2之高濃度雜質矽層而言，雖然溶解量少，但並非完全 不溶解。因此，在蝕刻步驟終了後所得到之蝕刻加工面有 過度蝕刻的情形發生時，就會產生圖案缺陷。又，一旦在 蝕刻加工面上有過度蝕刻及蝕刻不定等之起伏現象產I， 而在圖案形成部有厚度之誤差產生時，則圖罩於受到電子 二：熱時若產生應力’京尤會使圖罩不均勻的變形，圖罩之 ;案亦因此歪斜。結果就是導致與原來的圖案產生了誤 -亦即產生所謂的圖案位置精確度下降之問題。 本發明即係冑H &以上習知&術中之問％，而提供一 :，由圖罩裏面蝕刻（回蝕刻）時晶圓面内蝕刻率之均 勻性提高且圖案位置精確度亦高之圖罩。 【用以解決課題之手段】 用以解決上述課題之本案第丨發明之圖罩包括：一 安圖案形成層：卩及―支承台，其係連接於上述罩幕圖 案形Ϊ層之下部之既定位置而形成…，從上述支承台 之下端往上方更包括有：由對特定之蝕刻液蝕刻率較高之

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石夕層至蝕刻率較低之矽層所層壓成之3層以上的碎廣以及 在上述3層以上之矽層之上所層壓的其他矽層，且以從下 端起之至少2層來構成上述支承台，並以至少最上部之層 I來構成上述罩幕圖案。 } I 因此’在形成本案第1發明之圖覃之際，係使用上述 丨丨 !特疋之银刻液來進行回姓，先是對姓刻率較高的石夕層進行 蝕刻’即便晶圓面内之蝕刻率有產生誤差的傾向，但依序 對#刻率較低的矽層進一步進行蝕刻時，即可抑制蝕刻率 之誤差。所以，的確可在蝕刻步驟終了後使蝕刻率之晶圓 j面内均勻性往上提昇，因而能抑制在上述回蝕步驟中筆因 |於#刻率之不均勻而產生的不良影響。因此，若依據本案i i的第1發明之圖罩’即可確保高圖案位置精確度。 本! 就控制矽層之蝕刻率高低之方面而言，係4以控制矽中 之雜質濃度的方式較佳。有雜質濃度變高則蝕刻率 (變快）之情形以及雜質濃度變高則蝕刻率就變低變； I )之情形。為了使蝕刻率之晶圓面内均勻性往上 又 I係以積極地抑制對矽晶圓之蝕刻率較佳。 幵，故 因此，本案第2發明之圖罩n 1 層；以及一支承台，其係連接於上述罩幕圖案莱化成 部之既定位置而形成；其中，從上述支承台‘ 3層之下 更包括有：、由雜質濃度較低之石夕層至濃度較高之 壓成之3層以上的矽層以及在上述3層以上之矽 層| 壓的其他矽層；上述雜質係具有濃度愈高、對 士所層 液之矽層蝕刻率就愈低之特性，且以從下端起之至=層刻

2124-341?-?ί·?：ί 第10頁 I五、發明說明（8) ' Ί !來構成上述支承台’並以至少最上部之層來構成上·述罩幕 圖案。 形成具有不同雜質濃度之石夕層之方法，有蠢晶成長法 及離子植入法。使用遙晶成長法時，可藉由控制；晶構成 |物質中之雜質供給比例來形成多層具有不同雜質漢度之石夕 !層。使用離子植入法時’可藉由控制已離子化之元素| ;的加速電壓以及植入量來形成多層具有不同雜質濃度之矽 層。藉著在一個矽晶圓上反覆進行磊晶成長或離子植入， 即可形成多層具有不同雜質濃度之矽層。然而，藉由層壓 在不同條件下已施行磊晶成長或離子植入之2個石夕晶圓， 可更有利於形成多層具有不同雜質濃度之碎層。 利用磊晶成長法或離子植入法所形成的高濃度雜質矽i '層可提升對主體（bulk)層之濃度均句性。此外，若使蝕i 刻率最低之矽層的氧化矽、氮化矽等之矽絕緣物層（矽絕 緣膜）介在其間，則更可提升蝕刻加工之精確度。、 因此’本案第3發明之圖罩，包括：一箪幕圖案形成 層，以及一支承台，其係連接於上述罩幕圖案形成層之下 部之既定位置而形成；其中，從上述支承台之下端往上方 ;更包括有按照以下①〜④之順序來進行層壓之矽層，下述 雜質係具有濃度愈局、對於特定#刻液之珍層餘刻率就愈 低之特性，上述蝕刻溶液大體上無法溶解掉矽絕緣物，且 以從下端起之至少2層來構成上述支承台，並以至少最上 i部之層來構成上述罩幕圖案； !①雜質濃度較低之矽主體層

4557 4 1 五、發明說明（9) 0雜質濃度較高之矽蠢晶層或離子植入層（在^ 上時’係設定成愈上層雜質濃度愈高） ③ 矽絕緣物層 ④ 其他^夕層。 當特定之蝕刻液為ΚΟΗ (氫氧化鉀）溶液時，且 度愈高、對於特定蝕刻液之矽層蝕刻率就愈低之特性的 質乃為硼（Β )。此外，比起高濃度硼矽層而言，'緣' 物層對於ΚΟΗ溶液之蝕刻率仍遠遠較其為低。° ' 因此，本案第4發明係為：在本案第2發明或本案 發明之圖罩中，雜質為硼。 一 ^ 在本案第3發明之圖罩中若以硼作為雜質’ 發明表示如下。亦即，本案第3發明之圖罩，包括一置 ;以及一支承台，其係連接於上述罩幕圖案 形成層之下部之既定位置而形成；其中，從上述支承台之 Γ:fit更包括有’由硼濃度較低之矽層至硼濃度較高 之矽層所層屋成之2層以上的矽層、在上述2層以上之石夕層 =上所層壓之矽絕緣物層以及在上述矽絕緣物層之上所層 層’且以從下端起之至少2層來構成上述支承 。，並以至少最上部之層來構成上述罩幕圖案。 其-人’就用以解決上述課題的圊罩之形成方法進行說

第12頁 以f絕緣物層而言’係以使用氧化石夕層、氮化石夕層較 …。在前述情況下，可利甩CVD法等來將氧化矽或氮化矽 :儿，被覆於石夕基板上’或是亦可利用熱氧化法等使矽基 板本身^化或氮化來形成氧化矽層或氮化矽層。

，5 5 7 4 J 五、發明說明（10) 明。 · I 用以解決上述課題之本案第5發明之囷罩之形成方

I法，包括下列步驟：一形成so I基板之步驟，其係先在第 丨一矽基板上形成一絕緣膜，並於第二矽基板上形成一對於 特定蝕刻液之蝕刻率比第二矽基板更低之矽層（以下稱為 低蝕刻率矽層）’再將上述絕緣膜之表面與低蝕刻率矽層 之表面予以層壓；一形成罩幕圖案之第一步驟，其係對構 |成上述SOi基板之第一矽基板的矽層或是矽層及上述絕緣 j |膜進行選擇性蝕刻；以及一形成圖罩之支承台之第二步 I |騍’其係利用上述特定之蝕刻液而對構成上述so I基板之 | 第二矽基板進行選擇性蝕刻。 丨 在第―步驟中，當僅選擇性蝕刻第一矽基板之石夕層 (去除絕緣膜的部份）來形成罩幕圖案時，係於第二步驟 之後再加入選擇性蝕刻上述絕緣膜以形成圖罩之支承台之 ：步驟。結果，所餘下的絕緣膜即構成支承台的基端部。 I 在第—步驟中，當係選擇性蝕刻第一矽基板之矽層以 及上述絕緣膜來形成罩幕圖案時’則於第—步驟前進行第 二步驟。在第二步驟（回蝕步驟）中’絕緣膜因為具有抑 制蝕刻之功能，故以其作為蝕刻抑止物。 因此，若依據本案第5發明的圖罩之形成方法，在施 | 行使用上述特定之独刻液來對構成上述SOI基板之第二石夕 ^ 丨基板進行選擇性蝕刻以形成圖罩之支承台的步驟之際，先 是對钱刻率較高的矽層進行蝕刻，即便晶圓面内之蝕刻率 有產生誤差的傾向’但依序對蝕刻率較低的矽層進一步進

五、發明說明（π) " ' 行蚀刻時，即可抑制触刻象夕Μ呈 步驟終了後使㈣，可·在㈣ 在上述回钱步驟中筆因於钱刻率:二 上提昇’以抑制 鄉蝕刻旱之不均勻而產生的不良影 響，並達到所謂的高圖案位置精確度之效果。 ㈣低=ϊ ΐ層可僅為一’，亦可為以餘刻率更低之低 列以而形成為2層以上者。但是，當低钱 施行步驟之次數較少，故在成本 面上較有利。 ，上所述，就控财層之㈣率高低之方面而言 列率铺缴玄m 2式較 有雜質濃度變高則飯 二氏形以及雜質濃度變高_率就 1性能往上提昇’故係以積極地抑制對矽晶圓之蝕刻率^ 因此’本案第6發明的圖罩之形成方法包括下列步 驟一形成S〇I基板之步驟，其係先在第一石夕基板上 -絕緣膜’並於第二石夕基板上形成一雜質濃度比第二石夕基 板更兩之矽層’再將上述絕緣膜之表面與上述雜 5 之石夕層之表面予以層壓；一形成罩幕圖案之第一步驟，： 係對構成上述so I基板之第一矽基板的矽層或是矽層及上、 述絕緣膜進行選擇性蝕刻；以及一形成圖罩之支承台之第 二步驟’其係利用上述特定之㈣液而對構成上述S0I基， 板之第二矽基板進行選擇性蝕刻：其中，上述雜質係且有 濃度愈高' 對於特定姓刻液之石夕層姓刻率就愈低之特性。 成的 —絕 形成 祺之 成罩 矽基 及一 蝕刻 刻； 矽層 明之 以爛 【圖 剖面 符 高濃度雜質矽層可提升對主體層之濃度均勻性。… 因此’本案第7發明的圖罩之形成方法，包括下列步 —形成SOI基板之步驟，其係先在第一矽基板上形成 緣膜5並於第二矽基板上藉由磊晶成長或離子植入 一雜質濃度比第二矽基板更高之矽層，再將上述絕緣 表面與上述雜質濃度高之矽層之表面予以層壓：_形 幕圖案之第一步驟’其係對構成上述5〇1基板之第一/ 板的碎層或是矽層及上述絕緣膜進行選擇性蝕刻；以 形成圖罩之支承台之第二步驟，其係利用上述特定之 液而對構成上述SOI基板之第二矽基板進行選擇性蝕 其中，上述雜質係具有濃度愈高、對於特定蝕刻液之 餘刻率就愈低之特性。 又，本案第8發明係為：在本案第β發明或本案第7發 囷罩之形成方法中，以氫氧化鉀溶液為特定蝕 為雜質。 式簡單說明] 第1圖係本發明之一實施例的圖罩之形成方法的步驟 圖。 第2圖係習知的圖罩形成方法之步驟剖面圖。 第3圖係習知的其他圖罩形成方法之步驟剖面圖。 號說明】 卜圖案形成側矽基板 2〜支承台側矽基版

第15頁 4557 4 1 I--------------- I五、發明說明（13) | 3〜罩幕圖案 · | 4〜支承σ i Π〜矽絕緣犋 21〜尚濃度蝴石夕層 2 2〜低濃度爛<6夕層 【發明之實施例】 | 以下’就本發明之一實施例的圖罩及圖罩之形成方 ;法，參照第1圖進行說明s I 第1圖係尽實施例的圖罩之形成方法之步驊剖面圖。 如第1圖所示，於本實施例之圖罩形成中所使用的晶 圓係由構成圖案形成側之第一矽基板（圖案形成側矽基板 j 1 )以及構成支承台側之第二矽基板（支承台侧矽基板2 ) i所構成。支承台側矽基板2係選擇含有硼來作為雜質。在 j支承台側碎基板2處若使用CZ晶圓（拉晶結晶）則成本會 i降低而較佳。 首先’就圖罩之形成方法進行說明。 [絕緣膜形成步驟.雜質植入步驟（第1圖（a))] (絕緣膜形成步驟） 在圖案形成側矽基板1之層壓面上形成S丨02等之矽絕 緣膜U。上述膜之形成法係利用C VD法等將S i 02等之化合 I物堆疊層歷於矽基板上或是利用熱氧化法等使矽基板本身 氧化來進行之。 (雜質植入步驟） 在支承台側矽基板2之層壓面上施行硼之離子植入，

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成高濃度蝴妙層2 1。將此時的主· 硼矽層22 = ㈣主體（bulk)層當作低 以形 濃度 [基 (基 合， 矽基 (基 薄膜 研磨 板層壓步驟.基板研磨步驟（第 板層壓步驟） u V Μ Ϊ:欠=絕緣膜U的表面與高濃度”層21相接 施盯熱處理，即得到圖案形成

板2相層壓之S(M基板。 土极興又u貝J 板研磨步驟） 接著’將圖案形成侧矽基板i之表面施行研磨加工以 化。研磨加工係利用機械研磨、化學機械研磨等— 技術來進行。 [罩幕圖案形成步驟（第1圖（C))] 在圖案形成側_基板i之表面上使用微影技術來形成 光阻圖案（未圖示）。更進一步，以該光阻圖案作為罩 幕，利用乾式蝕刻法將圖案形成側矽基板1之矽層（圖案i j形成側矽基板1之内除去矽絕緣膜u之層）10施行蝕刻以 开;> 成圖案，再將罩幕圖案3進行更高精確度之加工。 [蝕刻步驟（第1圖（d ))] 於該SOi基板之兩面上形成SiN等之保護膜（未圖示 )，再利用微影技術在支承台側矽基板2之裏面的保護膜 上形成光阻圖案。藉由該光阻圖案作為罩幕來進行裏面保..丨 i護膜之姓刻，以選擇性地露出支承台侧矽基板2之裏面。丨 更進一步’以刻晝有上述圖案之裏面的保護膜作為罩 幕’利用K0H溶液等之鹼性溶液將支承台側矽基板2由裏面

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;五、發明說明05) - I 來進行蝕刻而令珍絕緣膜11之襄面露出。此時，係·先蝕刻 低濃度硼矽層2 2，再餘刻高濃度硼矽層2 1。 由於低濃度棚石夕層2 2之删濃度比較不均勻，故在蝕刻 率上會產生誤差’因此欲藉由高濃度硼矽層21之作用來抑 制蝕刻率之誤差’以達到均勻化之目的矽絕緣膜n則具j I有抑制K0H溶液等之鹼性溶液之蝕刻的功能。 、j [絕緣膜蝕刻步驟（第1圖（e ))] 再來’對矽絕緣膜施行蝕刻’並使貫穿罩幕圖案3。 之後’將兩面的保護膜皆去除，即得到如第1圖（e ) 所示之本實施例的圖罩。 本實施例之圖罩’係如第1圖（e )所示般，為由支承* |台4之下端往上方之方向1按照低濃度硼矽層22、高濃度 硕石夕層2 1、砍絕緣膜11以及用來形成罩幕圖案之石夕層j 〇的 順序所層壓而成。支承台4則係由矽絕緣膜11、高濃度删 矽層2 1以及低濃度硼矽層22所構成。 | 以上之圖罩以及圖罩形成方法乃本發明之一例而已。 |依據上述罩幕圖案形成步驟，亦可先進行回蝕（back ! etching)步驟，以在罩幕圖案形成步驟中，將圖案形成 侧矽基板1之矽層以及矽絕緣膜11施行蝕刻而貫穿圖案。 該情形下’上述絕緣膜蝕刻步驟即可略去。此外，在該情 形下’支承台4係由尚濃度蝴碎層2 1以及低濃度蝴石夕層2 2 所構成^ ; 又’亦可It由在圖案形成側碎基板1之層壓面上施行 ! 硼之離子植入來取代絕緣膜形成步驟，以形成濃度比高濃j

2!24-34!9-5:-5*(! 第 18 頁 4 5 5 7 4 -- (五、發明說明（16) i I |

ΐ度硼矽層21高更多之高濃度硼植入層，並以此硼植'入層取 I |代矽絕緣膜11之功能。 | 【發明之效果】 依據上述之本發明，可使得圖罩之回触中敍刻速率之 晶圓面内均句性向上提昇，以達到圖罩之圖案位置精確度 i向上提昇之效果。

2124-3U9-?i'ptd 第19頁

Claims (1)

1. 4 5 5 7 4 六、申請專利範圍 1. 一種圖罩，包括： · 一罩幕圖案形成層；以及 一支承台’其係連接於上述罩幕圖案形成層之下邻 既定位置而形成； ^之 其中， 從上述支承台之下端往上方更包括有：由對特定之 刻液蝕刻率較高之矽層至蝕刻率較低之矽層所層壓成之3 層以上的矽層以及在上述3層以上之矽層之上所層壓的 他石夕層，且以從下端起之至少2層來構成上述支承台，並 以至少最上部之層來構成上述罩暮圖案。 ' 2 ·—種圖罩，包括： 一罩幕圖案形成層；以及 一支承台，其係連接於上述罩幕圖案形成層 既定位置而形成； 战增之下部之 其中； 低之：端二上方更包括有：由雜質濃度: 層至诙度較问之矽層所層壓成之3層以上的矽s 以丄之…上所屠壓的其”層= 、、艰度愈间對特疋蝕刻液之矽層蝕刻率就愈低. 备，i、曰且以從下端起之至少2層來構成上述支承台s並以 至>、瑕上部之層來構成上述罩幕圖案。 3‘ —種圖罩，包括： 罩幕圖案形成層；以及 支承台，其係連接於上述罩幕圖案形成層之下部之

   第20頁 4 5 5 7 4 i :六'申請專利範圍 既定位置而形成； · 其中’ 從上述支承台之下端往上方更包括有按照以下①〜④ 之順序來進行層壓之矽層’下述雜質係具有濃度愈高 '對 I特定姓刻液之矽層敍刻率就愈低之特性，上述餘刻溶液大j I體上無法溶解掉矽絕緣物’且以從下端起之至少2層來構i 成上述支承台’並以至少最上部之層來構成上述罩幕圖 案； ① 雜質濃度較低之矽主體層 ② 雜質ί農度較南之石夕蟲晶層或離子植入層（在設有2層以 j 上時，係設定成愈上層雜質濃度愈高） | !③矽絕緣物層 ④其他矽層。 4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之圖罩，其中該 雜質為硼。 ^ 5. —種圖罩之形成方法’包括下列步驟： i 一形成SOI基板之步驟，其係先在第一梦基板上形成 | —絕緣膜，並於第二矽基板上形成一對於特定蝕刻液之蝕 刻率比第二矽基板更低之矽層（以下稱為低蝕刻率矽層 ) 再將上述絕緣膜之表面與低触刻率石夕層之表面予以層 壓； ) I 二形成罩幕圖案之第一步驟，其係對構成上述SOI基j 丨 之第妙基板的矽層或是矽層及上述絕緣膜進行選擇性丨 ;银刻：以及 |

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   六'申請專利範圍 一形成圖罩之支承台之第二步驟，其係利用上•述特定 之蝕刻液而對構成上述SOI基板之第二矽基板進行選擇性 姓刻ε 6.—種圖罩之形成方法，包括下列步驟： 一形成SOi基板之步驟，其係先在第—矽基板上形成 | 一絕緣膜，並於第二矽基板上形成一雜質濃度比第二矽基 |板更高之矽層再將上述絕緣膜之表面與上述雜質濃度高| i之矽層之表面予以層壓； 一形成罩幕圖案之第一步驟，其係對構成上述I基 板之第一碎基板的矽層或是矽層及上述絕緣膜進行選擇性 蝕刻；以及 I 一形成圖罩之支承台之第二步驟，其係利用上述特定| ;之蝕刻液而對構成上述SOI基板之第二矽基板進行選擇性i :蝕刻； i 其中， 上述雜質係具有濃度愈高 對於特定银刻液之;g夕層钱 刻率就愈低之特性 7·種圖罩之升>成方法’包括下列步驟： 一形成SO!基板之步驟，其係先 —維缕梅· Α.Λ Λ* 币 砂暴板上形成 七澡膜，並於第二矽基板上藉由石a 形成一雜皙嘈许μ·笙_二# _a由秘日日成長或離子植入來 骐之表面輿1 =雜晳土板更咼之矽層，再將上述絕緣 之“與上逃雜質濃&高之石夕層之表面丨 —形成罩幕圖案之第一步驟，層 板之第-石夕基板的石夕層或是^ 或上述則基 一 夕層及上述絕緣膜進行選擇性 4 5 5 7 4 \、申請專利範圍 蝕刻；以及 * 一形成圖罩之支承台之第二步驟，其係利用上述特定 之蝕刻液而對構成上述SOI基板之第二矽基板進行選擇性 其中， 上述雜質係具有濃度愈高、對於特定蝕刻液之矽層蝕 刻率就愈低之特性。 8.如申請專利範圍第6項或第7項所述之圖罩之形成方 法，其中該特定蝕刻液為氫氧化鉀溶液，雜質為硼。

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