TW461966B - X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism - Google Patents

X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism Download PDF

Info

Publication number
TW461966B
TW461966B TW090105192A TW90105192A TW461966B TW 461966 B TW461966 B TW 461966B TW 090105192 A TW090105192 A TW 090105192A TW 90105192 A TW90105192 A TW 90105192A TW 461966 B TW461966 B TW 461966B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sample
illumination
light
ray
observing
Prior art date
Application number
TW090105192A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinjirou Kojima
Takao Segawa
Akihiro Ikeshita
Motoyuki Yamagami
Original Assignee
Rigaku Ind Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rigaku Ind Corp filed Critical Rigaku Ind Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW461966B publication Critical patent/TW461966B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 -------- 五、發明說明(1 ) 發明之背景 1 .發明之領域 本發明係有關於一種X射線光譜分析儀,具有一樣本 表面觀測機構,用以觀測例如爲一半導體晶圓等之樣本表 面。 2.習知技術之說明
在一半導體製造線上處理之矽晶圓,有時在其之被處 理途中,表面會受到污染。爲估計在晶圓表面上之該一污 染的原因,必須調查於其之受污染部份之化學元件,且爲 分析該種化學元件,可非常有效地使用或應用一全反射X 射線熒光分析儀。 習知地,在使用該一全反射X射線熒光分析儀進行分 析受污染部份處之化學元件的情況中,在X射線光譜分析 之前,需經由分離地預備之表面分析儀偵測晶圓表面之全 體面積,以界定出其上之受污染部份,如果表面分析之目 標係晶圓表面之全體面積,需要大量的時間進行偵測。然 後,在X射線光譜分析中,經由照射X射線在界定出之受 污染部份之坐標位置上,進行分析化學元件。 但是,依據該種方式,樣本必須設定在χ射線光譜分 析儀內(再次的,在由分離預備之分析儀界定受污染部份 之後),因而,作業成爲很麻煩,且有可能在將之重新設 定進入X射線光譜分析儀內的途中,樣本受到進一步污染 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐) -4 - — -裝 *!!!— 訂!1! — 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ------ B7 _ 五、發明說明(2 ) 而且,在經由使用該種全反射X射線熒光分析儀而在 晶圓表面上進行X射線光譜分析時,已知一種方法,其中 ,例如爲氫氟酸之溶液在通過晶圓表面以溶解氧化層與污 染物於其內之後被於一位置處收集,且被乾燥成爲一乾燥 剩餘於其上,然後,X射線照射在剩餘上,因而分析污染 物之化學元件。於此一情況,在照射X射線至晶圓表面的 剩餘應平置之某一區域上方時,於該位置處,自晶圓表面 產生之熒光X射線成爲最大強度,因而被界定爲剩餘之位 置,而於該界定之位置進行本質分析(即爲,X射線光譜 分析)。 但是,以此種界定剩餘之位置的方式,特別是在前述 溶液中之不純物濃度爲低的情況中,及/或在一胚料樣本 僅具有低於其之偵測極限之濃度的情況中,不只在測量例 如爲溶解氧化層及/或粘附至晶圓表面的污染物於其內的 前述溶液之不純物溶液時,亦於當測量含有非常小量之多 種化學元件或非常小量之含於一有機物質內的金屬於其內 之溶液時,即使當X射線被照射於其上時,自剩餘的位置 不會產生充份強度之熒光X射線,因而,困難以界定出剩 餘之位置。 然後,習知的,有時在該種情況中,包含一特定化學 元件於其內之材料被事先地添加至例如爲氣氟酸之溶液內 ,或進入將被滴落之溶液內,因而,經由自材料產生之X 射線之強度,辨識或界定剩餘的位置。但是,於此一情況 ,樣本被進一步的以該額外材料所污染,因而,其非一般 I -----^!-裝 i -----訂--- - - - - -- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2.10 X 297公釐) -5- A7 461966 B7___ 五、發明說明(3 ) 可應用之方法。 發明之槪要說明 依此,依據本發明之一目的係解決前述習知技術之該 種缺點,且提供一種具有用以観測一樣本表面之機構的X 射線光譜分析儀,以此,在樣本表面於暗視場下,可淸晰 地觀測受污染部份、剩餘等之形狀,但係於該樣本被設定 於X射線光譜分析儀中的條件下進行。 然後,依據本發明,爲使完成前述之目的,提供一種 X射線光譜分析儀,用以經由在一室內照射X射線於一樣 本上而分析該樣本,具有用以觀測通過之一樣本表面的機 構,包括:用以觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及一用 以照明一樣本表面之照明機構,經由傾斜地照射一照明光 線在該樣本表面上,而抑制入射在該觀視器裝置上之來自 照明光線的反射光線。 以該一構造,維持樣本設定在X射線光譜分析儀內, 可於暗視場下,由觀視器裝置淸晰地觀測樣本表面上之受 污染部份、剩餘等之形狀。 而且,依據本發明,提供如前述之具有用以觀測一樣 本表面之機構的X射線光譜分析儀,進一步包括一移動機 構,用以移動樣本至少在X射線被照射於其上的一 x射線 照射位置與進行一觀視的一觀視位置之間,及—位置指示 器機構,用以指示其上之樣本的觀視位置。 以該一構造,樣本可被移動機構自動地定位,因此, -----I-------裝— I I 訂·!-----線 (清先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 •-------B7____ 五、發明說明(4 ) X射線可被照射在觀視位置上,例如爲樣本表面上之受污 染部份或剩餘,且被顯示在位置指示器機構上。 進一步的,依據本發明,提供如前述之具有用以觀測 一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀,其中,該觀視器 _置包括一影像拾取元件,用以取得該樣本表面之圖像, 以使輸出一電信號之視頻信號。 以該一構造,被觀視器裝置所觀測之樣本表面情況, 可被顯示在一電腦等之顯示螢幕上,因而可輕易地觀測樣 本表面。 且進一步的,依據本發明,提供如前述之具有用以觀 測一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀,進一步包括一 被置於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整 機構,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明光線 與照明角度。 以該一構造,將被照射在樣本上之照明光線的照明方 向及/或照明角度,可經由照明調整機構自由地改變,因 而,可更加淸晰地觀測剩餘之形狀及/或污染物之情況。 圖形之簡要說明 由下述之配合所附圖形之詳細說明,本發明之那些及 其他特色、目的、及優點將可成爲更淸楚,其中: 圖1係一般結構圖,顯示依據本發明之一實施例的具 有用以觀測一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀: 圖2係一放大橫剖面圖,用以顯示相同x射線光譜分 本紙張尺度適用中國國家標卓(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — —— — ——-1--I I ^------II ^0 -------- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 461966 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明(5 ) 析儀之必要部份; 圖3係一平面圖,用以顯示在相同x射線光譜分析儀 中之纖維的尖梢部份之分佈狀況; 圖4係在相同X射線光譜分析儀中之一環的立體圖; 及 圖5係一用以顯示樣本表面之觀測的圖形,其係由相 同X射線光譜分析儀所獲致。 主要元件對照表 1 X射線光譜分析儀 2 室 2 a 壁 3 樣本 4 主要X射線 5 X射線源 6 移動機構 7 熒光X射線 8 偵測器 9 分析儀 I ◦窗 II 觀視器裝置 1 2 方格構件 16 X射線產生器 17 分光鏡 ----- I---r—---* 裝·! — — — — — 訂·!------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 6 19 6 6 五、發明說明(6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 樣 本 固 持 器 9 X — Y 級 0 驅 動 裝 置 1 電 腦 2 顯 示 裝 置 2 a 顯 示 螢 幕 •τττ· 3 C C D 相 機 4 透 鏡 系 統 5 鏡 式 圓 筒 6 鉛 玻 璃 7 可 變 光 闌 8 環 狀 鉛 玻 璃 1 照 明 機 構 2 光 源 3 光 學 纖 維 4 光 導 引 構 件 5 纖 維 尖 梢 部 份 6 方格 7 距 離 感 測 器 8 環 8 a 底 部 板 8 b 周 邊 壁 9 旋 轉 驅 動 裝 置 0 照 明 調 整 裝 置 I-----^--I Ί---------訂---I ---- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 461966 A7 丨一一 _______B7 五、發明說明(7 ) 4 1 齒輪 4 2 小齒輪 4 3 驅動機器 4 5 開縫 a 入射角度 A 剩餘 B 照明光線 較隹實施例之詳細説明 於後,經由參照所附圖形將完全地解釋依據本發明之 實施例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1係一依據本發明之實施例的X射線光譜分析儀之 一般結構圖。於此所示之此一 X射線光譜分析儀係一所謂 的全反射X射線光譜分析儀,其照射X射線在一室2內之 例如爲一半導體晶圓的具有一光學平面之樣本3表面上, 以使執行在樣本3之化學元件上的光譜分析。此一 X射線 光譜分析儀1包括一用以自其產生主要X射線4之X射線 源5、一用以在水平方向中移動樣本3之移動機構6、一 用以偵測由於主要X射線4照射於其上而自樣本表面產生 之熒光X射線的偵測器8、一用以依據偵測器8之輸出辨 識在樣本表面上之化學元件的分析儀9 . 一'用以允許樣本 被經由提供在前述室2之壁2 a上的窗觀視的觀視器裝置 1 1、及一(矩陣狀)方形或剖面構件1 2。 前述X射線源5包括一 X射線產生器1 6,及由一光 -10- 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ------E_---- 五'發明說明(8 ) 譜晶體或一多層的人造薄膜光柵所製成的分光鏡17’且 其以相等或少於0 · 1 °之入射角度α經由分光鏡1 7放 射一單元X射線至樣本表面上,因而完全地將之反射於其 上°前述移動機構6具有一Χ-Υ台1 9 ’其上裝配有— 用以支承樣本3於其上的樣本固持器18,且以正交之二 軸向方向水平地自由移動,及一驅動裝置20,用以移動 χ — Υ台1 9水平地至所需求之位置,包含一當分析時χ 射線放射的X射線照射位置,及相對於窗1 〇之一觀視位 置,如雙點鍵線所示。當樣本3之高度被距離感測器3 7 測量時,X- Υ台1 9被進一步移動進入將於後述之一距 離感測器3 7的一側中(即爲,左手側)。前述之X射線 源5與移動機構6均由一被建構具有一顯示器等之電腦 2 1所控制。 前述觀視器裝置11係被建構具有一影像拾取裝置或 元件2 3 (於後稱之爲一 CCD相機),其於樣本3之表 面上獲致圖像。輸出一視頻信號做爲電信號,及一前述電 腦2 1的顯示裝置22,用以顯示依據來自CCD相機 2 3之視頻信號的樣本表面之圖像。如示於圖2 t前述 C CD相機2 3係經由包括一宏觀透鏡、一可變焦距透鏡 等之透鏡系統2 4而連接至一鏡式圓筒2 5,其之一下部 未端面向前述之室壁2 a上的窗1 0。在鏡式圓筒2 5內 ,提供一鉛玻璃2 6與一可變光闌2 7 ,且一環狀鉛玻璃 2 8係被裝設在界定於前述之窗1 0與鏡式圓筒2 5的下 部末端之間的一開口中,因而預防X射線漏洩至室2的外 I---ΙΊΙΙΊ---"裝 —1· — 訂·!-線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -11 » 461966
五、發明說明(9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 側。 而且,在前述給玻璃2 8之向上方係提供一照明機構 3 1,用以照射被裝設在窗1 〇下方之樣本3的表面,因 而,自窗1 0的一周邊部份導引一照明光線傾斜地向下至 窗的中央部份。此一照明機構3 1具有一束光學纖維3 3 ,用以導引來自例如爲一鹵素燈等之光源3 2的照明光線 ,且如示於圖3的平面圖,該束光學纖維3 3係被裝設在 被環繞鏡式圓筒25提供的光導引構件34內,因此,每 --纖維尖梢部份3 5被徑向地導向窗1 0之中央部份,於 光學纖維之終端處形成一光放射部份。於每一光學纖維之 終端處的纖維尖梢部份3 5,係被徑向地分佈且被支承在 光導引構件3 4內,因此,其在導向至窗1 〇的中央部份 之半徑方向中,以傾斜於水平面之預定向下角度(例如爲 1 8 ° )被放置。 進一步的,在每一前述之纖維尖梢部份3 5的分佈位 置內側,一環3 8被與光導引構件3 4同心地裝設。此一 環3 8係被置於自纖維尖梢部份3 5照射之照明光線的一 光路上,因此,照明光線可選擇地被調整至被阻斷或被通 過,且可經由示於圖2中之旋轉驅動裝置39環繞環之中 心而可旋轉地移動。依據本發明,前述之環38與旋轉驅 動裝置3 9係構成一照明調整裝置。 前述之環3 8包括一由環狀平板製成之底部板3 8 a ,及一圓筒狀周邊壁38b,如示於圖4之立體圖,其中 ,環繞周邊壁38b之不同位置處,均開啓在其之周邊方 ------τι ΙΊ!!裝 il!!l 訂!!* 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ______B7____ 五、發明說明() 向中傾斜的多數之開縫4 5。示於圖2中之旋轉驅動裝置 3 9係被建構具有一齒輪4 1,其被形成於與其同心地前 述環38之下部末端處,一小齒輪42,與該齒輪4 1嚙 合,及驅動機器4 3,例如爲一伺服馬達,用以旋轉地驅 動小齒輪4 2。以此一構造,經由旋轉驅動裝置3 9旋轉 地移動前述之環3 8,以使選擇地在周邊方向中改變其之 位置,即爲,改變例如爲形成在周邊壁3 8 a上之穿透切 口的開縫4 5之位置,經由光學纖維3 3束自光源3 2導 引在樣本表面上之照明光,可自由地改變平行於樣本表面 之平面上的照射方向,以及在正交於該表面之平面上的照 射角度,因而,其可以一所需向下角度,如箭頭B所不, 自窗1 0之周邊部份進入其之中央部份的方向而被照射在 樣本表面上。但是,其亦可僅調整照射方向與照射角度的 其中之一。 矩陣型方格構件1 2係作用爲位置指示機構,用以指 示在樣本3上之觀視位置,係由在透明薄板的表面上劃出 方格所製成。此一方格構件1 2係被置於透鏡系統2 4之 途中。由此,如示於圖5,方格3 6均被添加在前述顯示 裝置2 2之顯示螢幕2 2 a上所顯示的圖像上,以做爲確 認其上之位置的一標準或標記。經由X 一 γ台1 9具有之 一平面矩形坐標(即爲.一 X - γ坐標),在方格3 6與樣 本3之表面上的一坐標位置可被製成一致。即爲,於方格 36上之原點處的位置,被輸入電腦21內’以做爲用以 指示移動機構2 0之X-Y台1 9所存在位置之坐標位置 L本紙張尺度適用'中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----I--,1 1---裝 ----!丨訂·! — !-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 ______五、發明說明(11 ) ,因而,樣本3表面上之坐標成爲(於方格3 6上之原點 處的坐標)+ (在方格3 6上之坐標)。然後,剩餘A之 坐標値均被在顯示方格3 6之顯示裝置2 2的顯示螢幕 2 2 a上的目視孔讀出,且而後,讀出之坐標値均被人工 地輸入電腦21內,因而,剩餘A之位置被輸入電腦21 內以做爲坐標値,即爲(讀出坐標値)+ (原點之坐標値 )° 進一步的,在不使用前述方格構件1 2情況下,亦可 指示出樣本3上之觀視位置,但係例如當由電腦2 1控制 移動機構6時,經由掣子在顯示螢幕2 2 a上的剩餘A而 讀出坐標値,且於同時計算在樣本3與X _ Y台1 9之間 的關係。於此情況,例如爲一滑鼠之掣子機構可構成依據 本發明之位置指示機構。 進一步的,在圖1中,被提供鄰近於偵測器8之雷射 裝置2 7,構成用以偵測樣本3表面之高度的一距離感測 器,其係位於偵測器8之下方。 於後,將說明經由使用前述之X射線光譜分析儀1分 析化學元件之步騾,特別是在以例如爲氫氟酸等之溶液處 理表面之後的一位置處,在例如爲半導體晶圓之樣本3表 面上形成的剩餘。 首先,電腦21控制移動機構6以使水平地移動被固 持在樣本固持器1 8上之樣本3,直到其之中心與被形成 在室2上的窗1 〇中心一致的位置爲止。於此—條件下, 樣本3之表面被觀視器裝置11所觀察。即爲,樣本3之 -----Ί--Ί!-裝 -------訂 - -------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14 - 4 61 96 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(12 ) 表面圖像被C C D相機2 3拾取,然後,依據被輸出之視 頻信號,在顯示裝置22上顯示樣本表面之圖像,因而, 經由該圖像,可相同表面上觀察剩餘A (示於圖3 )之情 況,以此一方式,因爲可經由顯示在顯示裝置22的螢幕 上之圖像觀察樣本表面,觀察之作業成爲容易。進一步的 ,CCD相機23之焦距可依據樣本表面之高度資訊而調 整,該資訊係由供使用以偵測高度之雷射3 7所偵測。 於此情況,經由照明機構3 1 ,照明光線B自窗1 〇 的周邊部份傾斜地導向至其之中央部份而照射在樣本表面 上,但是,因爲其絕不會直接地進入CCD相機23內, 在暗視場條件下,可淸晰地觀察剩餘A之情況。而且,因 爲方格構件12之方格36均被添加至前述之螢幕上,以 作用爲位置指示機構或由目視孔定位之標準或標記,因而 ,經由使用作用爲標準或標記的方格,可輕易地確認剩餘 A之位置坐標(X、Y )。即爲,剩餘A之坐標均被讀出 在X-γ坐標上,其均被指示在顯示裝置22之顯示螢幕 2 2 a上。X - Y坐標之原點可例如爲樣本之中心點。 在完成剩餘A上之觀察且確認其之位置後,依據剩餘 A之位置坐標(X ' Y ),電腦2 1控制移動機構6,以 使水平地將樣本3移動至來自X射線源5之主要X射線照 射在剩餘A上的該一位置,因而,於其上進行X射線光譜 分析。由此,在樣本表面上的剩餘A產生之熒光X射線被 偵測器8偵測,且含在剩餘A中之不純物的化學元件,由 分析儀9依據來自偵測器8的輸出而辨識。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ___ B7____五、發明說明(13 ) 但是,在前述作業中,僅依據在剩餘A上進行之觀察 ,且然後,在進行X射線光譜分析之前界定其之在樣本表 面上之位置來加以解釋,但是,例如,其亦可在剩餘A上 進行X射線光譜分析之後,由前述之觀視器裝置11觀察 剩餘A之形狀,因而,用以假定在形狀與X射線光譜分析 中的X射線強度之間的相互關係。 而且,在前述作業中,係解釋剩餘A在樣本表面上時 進行X射線光譜分析的情況,但是,X射線光譜分析直接 地在樣本表面上之受污染部份進行的情況中,可在相同步 驟中,在觀察受污染部份及確認其之位置之後進行分析, 因而可有效地進行X射線光譜分析。 此外,在前述實施例中指出觀視器裝置11之透鏡系 統2 4應由例如宏觀透鏡與可變焦距透鏡構成,但是,除 此之外,其可被建構具有一可變焦距單元、一雙用透鏡等 ,組合了多種之照明,例如爲同軸頂光、傾斜頂光、偏振 光、傾斜光等,用以獲致適合供多種粘附至樣本表面上的 異物用的觀察。 而且,在前述實施例中顯示一範例,其中,觀視器裝 置1 1及/或照明機構3 1均被提供在與樣本3之分析位 置分離之位置處,因而,於該位置處觀視樣本3,但是, 本發明不僅侷限於此,亦可於主要X射線4所照射而照明 樣本3表面之位置處進行觀視。 而且,當環3 8之周邊位置經由旋轉驅動裝置3 9旋 轉該環3 8而改變時,在環3 8之周邊壁3 8 b上之傾斜 ----IJi — 1 — nl ---11--I ^ . ------ - - *5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -16- A7
461 96 B 五、發明說明(14 ) 開縫4 5亦改變其之位置,由此,自每一纖維尖梢部份 3 5照射之照明光,可被選擇地阻斷或通過。依此,可自 該合適之方向與角度照射照明光至樣本表面上,而可輕易 地見到剩餘A。進一步的,亦可組合多數之在照明光以多 數之方向及/或高與低之角度照射下取得的圖像,或提供 多數之覲視器裝置1 1之C CD相機2 3,以使獲致剩餘 A等等之情況,以做爲樣本表面之3 _ 〇 (三維)資訊。 由此,可以更高之準確度或精確性界定剩餘A等等的位置 〇 如前之詳細說明,依據本發明,一 X射線光譜分析儀 具有一觀察機構,用以觀察通過之樣本表面,包括:用以 觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及一用以照明一樣本表 面之照明機構,經由傾斜地照射一照明光線在該樣本之表 面上,而抑制入射在該觀視器裝置上之來自照明光線的反 射光,因而,維持樣本設定在X射線光譜分析儀內,可於 暗視場情況下,由觀視器裝置淸晰地觀察樣本表面上之受 污染部份、剩餘等之形狀。 雖然已顯示且說明依據本發明之實施例與變化,必須 了解,在不離本發明之範疇下,所示實施例可有改變與修 正。因而,於此所示且說明之細節並非用以侷限,而係涵 蓋該種改變與修正於下述之申請專利範圍中。 I-----Till--I--裝---I--丨—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -17-

Claims (1)

  1. 46 1 96 6 鐘 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種X射線光譜分析儀,用以經由在一室內照射 X射線於一樣本上而分析該樣本,具有用以觀測通過之一 樣本表面之機構,包括: 用以觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及 一用以照射一樣本表面之照明機構,經由傾斜地照射 一照明光線在該樣本之表面上,而抑制入射在該觀視器裝 置上之來自照明光線的反射光。 2 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一移動 機構,用以移動樣本至少在X射線被照射於其上的一 x射 線照射位置與進行一觀視的一觀視位置之間,及一位置指 示器機構,用以指示其上之樣本上的觀視位置。 3 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,該觀視器裝置包括 一影像拾取元件,用以取得該樣本表面之圖像,以使輸出 一電信號之視頻信號。 垤濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I I —.1 — — — — — — —— · ! I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 線- 4 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測—樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整機構 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 5 .如申請專利範圍第2項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整機構 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格(210 « 297公f ) -18- 4 6 19 6 6 R8 (:8 D8 六、申請專利範圍 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 6 .如申請專利範圍第3項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的—光路上之照明調整機構 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公1 ) -19-
TW090105192A 2000-03-07 2001-03-06 X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism TW461966B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000062093A JP2001249090A (ja) 2000-03-07 2000-03-07 試料表面の観察機構を持つx線分析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW461966B true TW461966B (en) 2001-11-01

Family

ID=18582148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090105192A TW461966B (en) 2000-03-07 2001-03-06 X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20010021240A1 (zh)
EP (1) EP1136816A3 (zh)
JP (1) JP2001249090A (zh)
KR (1) KR20010088425A (zh)
TW (1) TW461966B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100609603B1 (ko) * 2002-05-17 2006-08-04 주식회사 미르기술 엑스레이 및 비주얼검사가 통합된 인쇄회로기판 검사장치
DE10230990A1 (de) * 2002-07-10 2004-02-05 Elisabeth Katz Vorrichtung zur Durchführung einer Online-Elementanalyse
KR100543469B1 (ko) 2003-12-23 2006-01-20 삼성전자주식회사 웨이퍼 홀더 및 웨이퍼 홀더가 구비된 웨이퍼 운반 장치
DE102006008840B4 (de) * 2006-02-25 2009-05-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beleuchtungsvorrichtung für zylindrische Objekte, damit durchgeführtes Oberflächenuntersuchungsverfahren und Computerprogrammprodukt
KR100899011B1 (ko) * 2007-05-04 2009-05-21 (주) 브이에스아이 카메라모듈과 반사형 근접센서를 이용한 휴대용 엑스선형광 금속분석장치 및 금속분석방법
JP4630313B2 (ja) * 2007-07-24 2011-02-09 株式会社リガク X線分析装置
JP5235447B2 (ja) * 2008-02-22 2013-07-10 株式会社日立ハイテクサイエンス X線分析装置及びx線分析方法
JP5307504B2 (ja) * 2008-08-22 2013-10-02 株式会社日立ハイテクサイエンス X線分析装置及びx線分析方法
US7972062B2 (en) * 2009-07-16 2011-07-05 Edax, Inc. Optical positioner design in X-ray analyzer for coaxial micro-viewing and analysis
JP2016017823A (ja) * 2014-07-08 2016-02-01 株式会社日立ハイテクサイエンス X線分析用試料板及び蛍光x線分析装置
KR102128656B1 (ko) 2018-08-24 2020-06-30 정준용 스테인레스 전용 금속성분 분석방법 및 스테인레스 전용 금속성분 분석장치
CN111487270A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 厦门汇美集智科技有限公司 一种射线诱导发光装置
DE102021127537A1 (de) 2021-10-22 2023-04-27 Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik Verfahren und Messgerät zur Messung von Messobjekten mittels Röntgenfluoreszenz
JP7833276B2 (ja) * 2021-11-18 2026-03-19 株式会社堀場製作所 X線分析装置、x線分析方法、及び、x線分析用プログラム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4377340A (en) * 1980-10-24 1983-03-22 Hamamatsu Systems, Inc. Method and apparatus for detecting particles on a material
JPH06281600A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Sanyo Electric Co Ltd 全反射蛍光x線分析装置
US5825482A (en) * 1995-09-29 1998-10-20 Kla-Tencor Corporation Surface inspection system with misregistration error correction and adaptive illumination
US5801824A (en) * 1996-11-25 1998-09-01 Photon Dynamics, Inc. Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces
JPH1172449A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Rigaku Ind Co 蛍光x線分析方法および装置
JP3101257B2 (ja) * 1998-01-30 2000-10-23 理学電機工業株式会社 試料表面の検査方法およびこれを使用するx線分析装置
JP4041606B2 (ja) * 1998-12-04 2008-01-30 株式会社堀場製作所 X線分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1136816A3 (en) 2003-01-29
JP2001249090A (ja) 2001-09-14
EP1136816A2 (en) 2001-09-26
KR20010088425A (ko) 2001-09-26
US20010021240A1 (en) 2001-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW461966B (en) X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism
KR102235580B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사를 위한 결함 마킹
US9074992B2 (en) X-ray diffraction apparatus and X-ray diffraction measurement method
US8411264B2 (en) Method and apparatus for inspecting defects
JP2020025126A (ja) イメージングシステム
JP2007526444A (ja) パターン化ウェハまたは非パターン化ウェハおよびその他の検体の検査システム
JP2001082926A (ja) 焦点位置制御機構及び方法、並びに、半導体ウェハの検査装置及び方法
CN1496478A (zh) 利用非线性光学现象的激光扫描晶片检查
CN108717062A (zh) 一种大口径超精密表面的暗场缺陷检测装置及其测量方法
JP2005106815A (ja) X線マイクロアナライザーの光学的心合せ
KR101387844B1 (ko) X선 분석 장치 및 x선 분석 방법
CN100345021C (zh) 显微镜以及试样观察方法
US4800282A (en) Apparatus and method for detecting residual organic compounds
CN102192908A (zh) 多晶硅薄膜检查方法及其装置
JP4583155B2 (ja) 欠陥検査方法及びシステム、並びにフォトマスクの製造方法
JP4388270B2 (ja) 表面検査方法及び表面検査装置
KR100532238B1 (ko) 박판막 검사방법, 이에 사용되는 장치 및 검사시스템
JP2008157638A (ja) 試料表面の欠陥検査装置及びその欠陥検出方法
US20090316981A1 (en) Method and device for inspecting a disk-shaped object
KR101360251B1 (ko) 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법
JP3736361B2 (ja) 異物特定方法、異物特定装置、および発塵源特定方法
JPH07128032A (ja) 板状材の表面うねり検査方法及び装置
TW200303410A (en) Method and apparatus for measuring a line width
JP3524756B2 (ja) 透明体の検査方法、検査装置、および検査システム
KR100807254B1 (ko) 결함 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees