TW461966B - X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 claims description 20
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 71
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012496 blank sample Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 -------- 五、發明說明(1 ) 發明之背景 1 .發明之領域 本發明係有關於一種X射線光譜分析儀,具有一樣本 表面觀測機構,用以觀測例如爲一半導體晶圓等之樣本表 面。 2.習知技術之說明
在一半導體製造線上處理之矽晶圓,有時在其之被處 理途中,表面會受到污染。爲估計在晶圓表面上之該一污 染的原因,必須調查於其之受污染部份之化學元件,且爲 分析該種化學元件,可非常有效地使用或應用一全反射X 射線熒光分析儀。 習知地,在使用該一全反射X射線熒光分析儀進行分 析受污染部份處之化學元件的情況中,在X射線光譜分析 之前,需經由分離地預備之表面分析儀偵測晶圓表面之全 體面積,以界定出其上之受污染部份,如果表面分析之目 標係晶圓表面之全體面積,需要大量的時間進行偵測。然 後,在X射線光譜分析中,經由照射X射線在界定出之受 污染部份之坐標位置上,進行分析化學元件。 但是,依據該種方式,樣本必須設定在χ射線光譜分 析儀內(再次的,在由分離預備之分析儀界定受污染部份 之後),因而,作業成爲很麻煩,且有可能在將之重新設 定進入X射線光譜分析儀內的途中,樣本受到進一步污染 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐) -4 - — -裝 *!!!— 訂!1! — 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ------ B7 _ 五、發明說明(2 ) 而且,在經由使用該種全反射X射線熒光分析儀而在 晶圓表面上進行X射線光譜分析時,已知一種方法,其中 ,例如爲氫氟酸之溶液在通過晶圓表面以溶解氧化層與污 染物於其內之後被於一位置處收集,且被乾燥成爲一乾燥 剩餘於其上,然後,X射線照射在剩餘上,因而分析污染 物之化學元件。於此一情況,在照射X射線至晶圓表面的 剩餘應平置之某一區域上方時,於該位置處,自晶圓表面 產生之熒光X射線成爲最大強度,因而被界定爲剩餘之位 置,而於該界定之位置進行本質分析(即爲,X射線光譜 分析)。 但是,以此種界定剩餘之位置的方式,特別是在前述 溶液中之不純物濃度爲低的情況中,及/或在一胚料樣本 僅具有低於其之偵測極限之濃度的情況中,不只在測量例 如爲溶解氧化層及/或粘附至晶圓表面的污染物於其內的 前述溶液之不純物溶液時,亦於當測量含有非常小量之多 種化學元件或非常小量之含於一有機物質內的金屬於其內 之溶液時,即使當X射線被照射於其上時,自剩餘的位置 不會產生充份強度之熒光X射線,因而,困難以界定出剩 餘之位置。 然後,習知的,有時在該種情況中,包含一特定化學 元件於其內之材料被事先地添加至例如爲氣氟酸之溶液內 ,或進入將被滴落之溶液內,因而,經由自材料產生之X 射線之強度,辨識或界定剩餘的位置。但是,於此一情況 ,樣本被進一步的以該額外材料所污染,因而,其非一般 I -----^!-裝 i -----訂--- - - - - -- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2.10 X 297公釐) -5- A7 461966 B7___ 五、發明說明(3 ) 可應用之方法。 發明之槪要說明 依此,依據本發明之一目的係解決前述習知技術之該 種缺點,且提供一種具有用以観測一樣本表面之機構的X 射線光譜分析儀,以此,在樣本表面於暗視場下,可淸晰 地觀測受污染部份、剩餘等之形狀,但係於該樣本被設定 於X射線光譜分析儀中的條件下進行。 然後,依據本發明,爲使完成前述之目的,提供一種 X射線光譜分析儀,用以經由在一室內照射X射線於一樣 本上而分析該樣本,具有用以觀測通過之一樣本表面的機 構,包括:用以觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及一用 以照明一樣本表面之照明機構,經由傾斜地照射一照明光 線在該樣本表面上,而抑制入射在該觀視器裝置上之來自 照明光線的反射光線。 以該一構造,維持樣本設定在X射線光譜分析儀內, 可於暗視場下,由觀視器裝置淸晰地觀測樣本表面上之受 污染部份、剩餘等之形狀。 而且,依據本發明,提供如前述之具有用以觀測一樣 本表面之機構的X射線光譜分析儀,進一步包括一移動機 構,用以移動樣本至少在X射線被照射於其上的一 x射線 照射位置與進行一觀視的一觀視位置之間,及—位置指示 器機構,用以指示其上之樣本的觀視位置。 以該一構造,樣本可被移動機構自動地定位,因此, -----I-------裝— I I 訂·!-----線 (清先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 •-------B7____ 五、發明說明(4 ) X射線可被照射在觀視位置上,例如爲樣本表面上之受污 染部份或剩餘,且被顯示在位置指示器機構上。 進一步的,依據本發明,提供如前述之具有用以觀測 一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀,其中,該觀視器 _置包括一影像拾取元件,用以取得該樣本表面之圖像, 以使輸出一電信號之視頻信號。 以該一構造,被觀視器裝置所觀測之樣本表面情況, 可被顯示在一電腦等之顯示螢幕上,因而可輕易地觀測樣 本表面。 且進一步的,依據本發明,提供如前述之具有用以觀 測一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀,進一步包括一 被置於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整 機構,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明光線 與照明角度。 以該一構造,將被照射在樣本上之照明光線的照明方 向及/或照明角度,可經由照明調整機構自由地改變,因 而,可更加淸晰地觀測剩餘之形狀及/或污染物之情況。 圖形之簡要說明 由下述之配合所附圖形之詳細說明,本發明之那些及 其他特色、目的、及優點將可成爲更淸楚,其中: 圖1係一般結構圖,顯示依據本發明之一實施例的具 有用以觀測一樣本表面之機構的X射線光譜分析儀: 圖2係一放大橫剖面圖,用以顯示相同x射線光譜分 本紙張尺度適用中國國家標卓(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — —— — ——-1--I I ^------II ^0 -------- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 461966 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明(5 ) 析儀之必要部份; 圖3係一平面圖,用以顯示在相同x射線光譜分析儀 中之纖維的尖梢部份之分佈狀況; 圖4係在相同X射線光譜分析儀中之一環的立體圖; 及 圖5係一用以顯示樣本表面之觀測的圖形,其係由相 同X射線光譜分析儀所獲致。 主要元件對照表 1 X射線光譜分析儀 2 室 2 a 壁 3 樣本 4 主要X射線 5 X射線源 6 移動機構 7 熒光X射線 8 偵測器 9 分析儀 I ◦窗 II 觀視器裝置 1 2 方格構件 16 X射線產生器 17 分光鏡 ----- I---r—---* 裝·! — — — — — 訂·!------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 6 19 6 6 五、發明說明(6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 樣 本 固 持 器 9 X — Y 級 0 驅 動 裝 置 1 電 腦 2 顯 示 裝 置 2 a 顯 示 螢 幕 •τττ· 3 C C D 相 機 4 透 鏡 系 統 5 鏡 式 圓 筒 6 鉛 玻 璃 7 可 變 光 闌 8 環 狀 鉛 玻 璃 1 照 明 機 構 2 光 源 3 光 學 纖 維 4 光 導 引 構 件 5 纖 維 尖 梢 部 份 6 方格 7 距 離 感 測 器 8 環 8 a 底 部 板 8 b 周 邊 壁 9 旋 轉 驅 動 裝 置 0 照 明 調 整 裝 置 I-----^--I Ί---------訂---I ---- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 461966 A7 丨一一 _______B7 五、發明說明(7 ) 4 1 齒輪 4 2 小齒輪 4 3 驅動機器 4 5 開縫 a 入射角度 A 剩餘 B 照明光線 較隹實施例之詳細説明 於後,經由參照所附圖形將完全地解釋依據本發明之 實施例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1係一依據本發明之實施例的X射線光譜分析儀之 一般結構圖。於此所示之此一 X射線光譜分析儀係一所謂 的全反射X射線光譜分析儀,其照射X射線在一室2內之 例如爲一半導體晶圓的具有一光學平面之樣本3表面上, 以使執行在樣本3之化學元件上的光譜分析。此一 X射線 光譜分析儀1包括一用以自其產生主要X射線4之X射線 源5、一用以在水平方向中移動樣本3之移動機構6、一 用以偵測由於主要X射線4照射於其上而自樣本表面產生 之熒光X射線的偵測器8、一用以依據偵測器8之輸出辨 識在樣本表面上之化學元件的分析儀9 . 一'用以允許樣本 被經由提供在前述室2之壁2 a上的窗觀視的觀視器裝置 1 1、及一(矩陣狀)方形或剖面構件1 2。 前述X射線源5包括一 X射線產生器1 6,及由一光 -10- 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ------E_---- 五'發明說明(8 ) 譜晶體或一多層的人造薄膜光柵所製成的分光鏡17’且 其以相等或少於0 · 1 °之入射角度α經由分光鏡1 7放 射一單元X射線至樣本表面上,因而完全地將之反射於其 上°前述移動機構6具有一Χ-Υ台1 9 ’其上裝配有— 用以支承樣本3於其上的樣本固持器18,且以正交之二 軸向方向水平地自由移動,及一驅動裝置20,用以移動 χ — Υ台1 9水平地至所需求之位置,包含一當分析時χ 射線放射的X射線照射位置,及相對於窗1 〇之一觀視位 置,如雙點鍵線所示。當樣本3之高度被距離感測器3 7 測量時,X- Υ台1 9被進一步移動進入將於後述之一距 離感測器3 7的一側中(即爲,左手側)。前述之X射線 源5與移動機構6均由一被建構具有一顯示器等之電腦 2 1所控制。 前述觀視器裝置11係被建構具有一影像拾取裝置或 元件2 3 (於後稱之爲一 CCD相機),其於樣本3之表 面上獲致圖像。輸出一視頻信號做爲電信號,及一前述電 腦2 1的顯示裝置22,用以顯示依據來自CCD相機 2 3之視頻信號的樣本表面之圖像。如示於圖2 t前述 C CD相機2 3係經由包括一宏觀透鏡、一可變焦距透鏡 等之透鏡系統2 4而連接至一鏡式圓筒2 5,其之一下部 未端面向前述之室壁2 a上的窗1 0。在鏡式圓筒2 5內 ,提供一鉛玻璃2 6與一可變光闌2 7 ,且一環狀鉛玻璃 2 8係被裝設在界定於前述之窗1 0與鏡式圓筒2 5的下 部末端之間的一開口中,因而預防X射線漏洩至室2的外 I---ΙΊΙΙΊ---"裝 —1· — 訂·!-線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -11 » 461966
五、發明說明(9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 側。 而且,在前述給玻璃2 8之向上方係提供一照明機構 3 1,用以照射被裝設在窗1 〇下方之樣本3的表面,因 而,自窗1 0的一周邊部份導引一照明光線傾斜地向下至 窗的中央部份。此一照明機構3 1具有一束光學纖維3 3 ,用以導引來自例如爲一鹵素燈等之光源3 2的照明光線 ,且如示於圖3的平面圖,該束光學纖維3 3係被裝設在 被環繞鏡式圓筒25提供的光導引構件34內,因此,每 --纖維尖梢部份3 5被徑向地導向窗1 0之中央部份,於 光學纖維之終端處形成一光放射部份。於每一光學纖維之 終端處的纖維尖梢部份3 5,係被徑向地分佈且被支承在 光導引構件3 4內,因此,其在導向至窗1 〇的中央部份 之半徑方向中,以傾斜於水平面之預定向下角度(例如爲 1 8 ° )被放置。 進一步的,在每一前述之纖維尖梢部份3 5的分佈位 置內側,一環3 8被與光導引構件3 4同心地裝設。此一 環3 8係被置於自纖維尖梢部份3 5照射之照明光線的一 光路上,因此,照明光線可選擇地被調整至被阻斷或被通 過,且可經由示於圖2中之旋轉驅動裝置39環繞環之中 心而可旋轉地移動。依據本發明,前述之環38與旋轉驅 動裝置3 9係構成一照明調整裝置。 前述之環3 8包括一由環狀平板製成之底部板3 8 a ,及一圓筒狀周邊壁38b,如示於圖4之立體圖,其中 ,環繞周邊壁38b之不同位置處,均開啓在其之周邊方 ------τι ΙΊ!!裝 il!!l 訂!!* 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ______B7____ 五、發明說明() 向中傾斜的多數之開縫4 5。示於圖2中之旋轉驅動裝置 3 9係被建構具有一齒輪4 1,其被形成於與其同心地前 述環38之下部末端處,一小齒輪42,與該齒輪4 1嚙 合,及驅動機器4 3,例如爲一伺服馬達,用以旋轉地驅 動小齒輪4 2。以此一構造,經由旋轉驅動裝置3 9旋轉 地移動前述之環3 8,以使選擇地在周邊方向中改變其之 位置,即爲,改變例如爲形成在周邊壁3 8 a上之穿透切 口的開縫4 5之位置,經由光學纖維3 3束自光源3 2導 引在樣本表面上之照明光,可自由地改變平行於樣本表面 之平面上的照射方向,以及在正交於該表面之平面上的照 射角度,因而,其可以一所需向下角度,如箭頭B所不, 自窗1 0之周邊部份進入其之中央部份的方向而被照射在 樣本表面上。但是,其亦可僅調整照射方向與照射角度的 其中之一。 矩陣型方格構件1 2係作用爲位置指示機構,用以指 示在樣本3上之觀視位置,係由在透明薄板的表面上劃出 方格所製成。此一方格構件1 2係被置於透鏡系統2 4之 途中。由此,如示於圖5,方格3 6均被添加在前述顯示 裝置2 2之顯示螢幕2 2 a上所顯示的圖像上,以做爲確 認其上之位置的一標準或標記。經由X 一 γ台1 9具有之 一平面矩形坐標(即爲.一 X - γ坐標),在方格3 6與樣 本3之表面上的一坐標位置可被製成一致。即爲,於方格 36上之原點處的位置,被輸入電腦21內’以做爲用以 指示移動機構2 0之X-Y台1 9所存在位置之坐標位置 L本紙張尺度適用'中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -----I--,1 1---裝 ----!丨訂·! — !-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7 ______五、發明說明(11 ) ,因而,樣本3表面上之坐標成爲(於方格3 6上之原點 處的坐標)+ (在方格3 6上之坐標)。然後,剩餘A之 坐標値均被在顯示方格3 6之顯示裝置2 2的顯示螢幕 2 2 a上的目視孔讀出,且而後,讀出之坐標値均被人工 地輸入電腦21內,因而,剩餘A之位置被輸入電腦21 內以做爲坐標値,即爲(讀出坐標値)+ (原點之坐標値 )° 進一步的,在不使用前述方格構件1 2情況下,亦可 指示出樣本3上之觀視位置,但係例如當由電腦2 1控制 移動機構6時,經由掣子在顯示螢幕2 2 a上的剩餘A而 讀出坐標値,且於同時計算在樣本3與X _ Y台1 9之間 的關係。於此情況,例如爲一滑鼠之掣子機構可構成依據 本發明之位置指示機構。 進一步的,在圖1中,被提供鄰近於偵測器8之雷射 裝置2 7,構成用以偵測樣本3表面之高度的一距離感測 器,其係位於偵測器8之下方。 於後,將說明經由使用前述之X射線光譜分析儀1分 析化學元件之步騾,特別是在以例如爲氫氟酸等之溶液處 理表面之後的一位置處,在例如爲半導體晶圓之樣本3表 面上形成的剩餘。 首先,電腦21控制移動機構6以使水平地移動被固 持在樣本固持器1 8上之樣本3,直到其之中心與被形成 在室2上的窗1 〇中心一致的位置爲止。於此—條件下, 樣本3之表面被觀視器裝置11所觀察。即爲,樣本3之 -----Ί--Ί!-裝 -------訂 - -------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14 - 4 61 96 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(12 ) 表面圖像被C C D相機2 3拾取,然後,依據被輸出之視 頻信號,在顯示裝置22上顯示樣本表面之圖像,因而, 經由該圖像,可相同表面上觀察剩餘A (示於圖3 )之情 況,以此一方式,因爲可經由顯示在顯示裝置22的螢幕 上之圖像觀察樣本表面,觀察之作業成爲容易。進一步的 ,CCD相機23之焦距可依據樣本表面之高度資訊而調 整,該資訊係由供使用以偵測高度之雷射3 7所偵測。 於此情況,經由照明機構3 1 ,照明光線B自窗1 〇 的周邊部份傾斜地導向至其之中央部份而照射在樣本表面 上,但是,因爲其絕不會直接地進入CCD相機23內, 在暗視場條件下,可淸晰地觀察剩餘A之情況。而且,因 爲方格構件12之方格36均被添加至前述之螢幕上,以 作用爲位置指示機構或由目視孔定位之標準或標記,因而 ,經由使用作用爲標準或標記的方格,可輕易地確認剩餘 A之位置坐標(X、Y )。即爲,剩餘A之坐標均被讀出 在X-γ坐標上,其均被指示在顯示裝置22之顯示螢幕 2 2 a上。X - Y坐標之原點可例如爲樣本之中心點。 在完成剩餘A上之觀察且確認其之位置後,依據剩餘 A之位置坐標(X ' Y ),電腦2 1控制移動機構6,以 使水平地將樣本3移動至來自X射線源5之主要X射線照 射在剩餘A上的該一位置,因而,於其上進行X射線光譜 分析。由此,在樣本表面上的剩餘A產生之熒光X射線被 偵測器8偵測,且含在剩餘A中之不純物的化學元件,由 分析儀9依據來自偵測器8的輸出而辨識。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 461966 A7 ___ B7____五、發明說明(13 ) 但是,在前述作業中,僅依據在剩餘A上進行之觀察 ,且然後,在進行X射線光譜分析之前界定其之在樣本表 面上之位置來加以解釋,但是,例如,其亦可在剩餘A上 進行X射線光譜分析之後,由前述之觀視器裝置11觀察 剩餘A之形狀,因而,用以假定在形狀與X射線光譜分析 中的X射線強度之間的相互關係。 而且,在前述作業中,係解釋剩餘A在樣本表面上時 進行X射線光譜分析的情況,但是,X射線光譜分析直接 地在樣本表面上之受污染部份進行的情況中,可在相同步 驟中,在觀察受污染部份及確認其之位置之後進行分析, 因而可有效地進行X射線光譜分析。 此外,在前述實施例中指出觀視器裝置11之透鏡系 統2 4應由例如宏觀透鏡與可變焦距透鏡構成,但是,除 此之外,其可被建構具有一可變焦距單元、一雙用透鏡等 ,組合了多種之照明,例如爲同軸頂光、傾斜頂光、偏振 光、傾斜光等,用以獲致適合供多種粘附至樣本表面上的 異物用的觀察。 而且,在前述實施例中顯示一範例,其中,觀視器裝 置1 1及/或照明機構3 1均被提供在與樣本3之分析位 置分離之位置處,因而,於該位置處觀視樣本3,但是, 本發明不僅侷限於此,亦可於主要X射線4所照射而照明 樣本3表面之位置處進行觀視。 而且,當環3 8之周邊位置經由旋轉驅動裝置3 9旋 轉該環3 8而改變時,在環3 8之周邊壁3 8 b上之傾斜 ----IJi — 1 — nl ---11--I ^ . ------ - - *5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -16- A7
461 96 B 五、發明說明(14 ) 開縫4 5亦改變其之位置,由此,自每一纖維尖梢部份 3 5照射之照明光,可被選擇地阻斷或通過。依此,可自 該合適之方向與角度照射照明光至樣本表面上,而可輕易 地見到剩餘A。進一步的,亦可組合多數之在照明光以多 數之方向及/或高與低之角度照射下取得的圖像,或提供 多數之覲視器裝置1 1之C CD相機2 3,以使獲致剩餘 A等等之情況,以做爲樣本表面之3 _ 〇 (三維)資訊。 由此,可以更高之準確度或精確性界定剩餘A等等的位置 〇 如前之詳細說明,依據本發明,一 X射線光譜分析儀 具有一觀察機構,用以觀察通過之樣本表面,包括:用以 觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及一用以照明一樣本表 面之照明機構,經由傾斜地照射一照明光線在該樣本之表 面上,而抑制入射在該觀視器裝置上之來自照明光線的反 射光,因而,維持樣本設定在X射線光譜分析儀內,可於 暗視場情況下,由觀視器裝置淸晰地觀察樣本表面上之受 污染部份、剩餘等之形狀。 雖然已顯示且說明依據本發明之實施例與變化,必須 了解,在不離本發明之範疇下,所示實施例可有改變與修 正。因而,於此所示且說明之細節並非用以侷限,而係涵 蓋該種改變與修正於下述之申請專利範圍中。 I-----Till--I--裝---I--丨—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -17-
Claims (1)
- 46 1 96 6 鐘 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種X射線光譜分析儀,用以經由在一室內照射 X射線於一樣本上而分析該樣本,具有用以觀測通過之一 樣本表面之機構,包括: 用以觀視通過之樣本的一觀視器裝置;及 一用以照射一樣本表面之照明機構,經由傾斜地照射 一照明光線在該樣本之表面上,而抑制入射在該觀視器裝 置上之來自照明光線的反射光。 2 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一移動 機構,用以移動樣本至少在X射線被照射於其上的一 x射 線照射位置與進行一觀視的一觀視位置之間,及一位置指 示器機構,用以指示其上之樣本上的觀視位置。 3 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,該觀視器裝置包括 一影像拾取元件,用以取得該樣本表面之圖像,以使輸出 一電信號之視頻信號。 垤濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I I —.1 — — — — — — —— · ! I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 線- 4 .如申請專利範圍第1項之具有用以觀測—樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整機構 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 5 .如申請專利範圍第2項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的一光路上之照明調整機構 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格(210 « 297公f ) -18- 4 6 19 6 6 R8 (:8 D8 六、申請專利範圍 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 6 .如申請專利範圍第3項之具有用以觀測一樣本表 面之機構的X射線光譜分析儀,其中,進一步包括一被置 於來自該照明機構之照明光線的—光路上之照明調整機構 ,用以調整相關於樣本的照明光線之至少一照明方向與照 明角度。 (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公1 ) -19-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000062093A JP2001249090A (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 試料表面の観察機構を持つx線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW461966B true TW461966B (en) | 2001-11-01 |
Family
ID=18582148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090105192A TW461966B (en) | 2000-03-07 | 2001-03-06 | X-ray spectroscopic analyzer having sample surface observation mechanism |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010021240A1 (zh) |
| EP (1) | EP1136816A3 (zh) |
| JP (1) | JP2001249090A (zh) |
| KR (1) | KR20010088425A (zh) |
| TW (1) | TW461966B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2000
- 2000-03-07 JP JP2000062093A patent/JP2001249090A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-06 EP EP01105302A patent/EP1136816A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-06 TW TW090105192A patent/TW461966B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-07 KR KR1020010011649A patent/KR20010088425A/ko not_active Ceased
- 2001-03-07 US US09/799,532 patent/US20010021240A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1136816A3 (en) | 2003-01-29 |
| JP2001249090A (ja) | 2001-09-14 |
| EP1136816A2 (en) | 2001-09-26 |
| KR20010088425A (ko) | 2001-09-26 |
| US20010021240A1 (en) | 2001-09-13 |
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