TW511108B - Carbon nanotube field emission display technology - Google Patents
Carbon nanotube field emission display technology Download PDFInfo
- Publication number
- TW511108B TW511108B TW090119797A TW90119797A TW511108B TW 511108 B TW511108 B TW 511108B TW 090119797 A TW090119797 A TW 090119797A TW 90119797 A TW90119797 A TW 90119797A TW 511108 B TW511108 B TW 511108B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- cathode
- layer
- plate
- metal
- patent application
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title abstract description 12
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 241000167854 Bourreria succulenta Species 0.000 claims description 6
- 235000019693 cherries Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 102000029749 Microtubule Human genes 0.000 claims 1
- 108091022875 Microtubule Proteins 0.000 claims 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 claims 1
- 210000004688 microtubule Anatomy 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 241000269333 Caudata Species 0.000 description 1
- 208000016169 Fish-eye disease Diseases 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 235000021168 barbecue Nutrition 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
- H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/952—Display
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
Η· t本發明係有關於-種場發射顯#器(field emission isp ap FED)技術,特別有關於一種碳微管㈧arb⑽ nano^be,CNT)場發射顯示器技術。 場,射顯不器(fleld efflissi〇n display,ρΕΐ^是一
,使用三極,構(包含有陽極、陰極與閘極)的高壓顯示元 ^利用其同電壓低電流的特性可以達到高亮度的目的, 因此FED除了具有液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)之輕薄的特性之外,更具有陰極射線管(cuhoh ray t<ube,CRT)之高亮度自發光的優點,使得FED成為極具競 =力的一種平面顯示器。FED的發光原理及技術,是將螢 光體設置於陽極板上,將具有尖端放電之電子發射源設置 於陰極板上’且在周圍設置有一閘極,則可利用閘極之高 電場將電子自尖端釋出,再藉由高壓加速電子撞及螢光體 以發出陰極螢光。 傳統FED之電子發射源的製作,是將鉬金屬製作成微 炎端(micro-tip),但礙於其製程較為繁雜且設備昂貴, 在量產上一直遭遇到很大的困難。近年來,fed之電子發 射源採用具有較佳之機械強度與電子發射性質的碳微管 (carbon nanotube,CNT),由於製程簡單且設備低廉之網 印技術、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)技術均可應用在CNT之製作上,使CNT塗佈或直接成長 在電子發射區域中,因此可以提高CNT - FED之量產產能, 並增加製作大面積之CNT-FED的可能性。 請參考第1圖,第1圖顯示習知CNT-FED 10的剖面示意
0698-6430TWF;00501-OPTO-Tl;Cherry.ptd 第4頁 511108
mfNT —剛1G是由兩片平行之陰極板12以及陽極板
有-空間支撐柱用來維持心 14之間的一定間距並抵抗大氣壓力。陽極板“包含有一玻 璃面,18,、複數個螢光層20係定義形成於玻璃面板18表面 之預定區域内,以及一平坦化的鋁膜22係覆蓋住螢光層2〇 。其中,鋁膜22具有以下幾點作用:第一是作為陽極板14 的導電層,第二是作為螢光體的反射層,第三是作為螢光 層20的保護層,以避免離子的撞擊和電場的吸附效應。另 外,/陰極板12包含有一玻璃基板24,複數個陰極層26係定 義形成於玻璃基板24表面之預定區域,複數個CNT結構34 係長成於每個陰極層26表面之電子發射區域中,一絕緣層 28係設置於玻璃基板24邊緣,以及一網狀金屬層32係以玻 璃膠黏著於絕緣層28上。其中,網狀金屬層32之開口 32a 係曝露出陰極層2 6之電子發射區域,而網狀金屬層3 2之金 屬部分係圍繞在陰極層26周圍,以用來作為一閘極層32/
然而,習知CNT-FED 1〇之結構設計與製造上仍遭遇許 夕問通,以致無法呈現出最佳的顯示品質。第一個問題: 利用CNT結構3 4發射電子時,位於電子發射區域周邊之CNT 會有邊緣效應(edge effect)發生,導致相對應位置之螢 光層20在發光時產生周圍較亮、中間較暗的情形,會使螢 光層20的發光亮度不均勻,進而影響到CNT_FED 1〇的發光 品質。第二個問題:習知製作閘極層32b的方法中,是先
0698-6430TW;00501-OFIO-TW;Cherry.ptd 唆 第5頁 511108 五、發明說明(3) ==之周圍製作絕緣層28 ’再將網狀金屬層32黏著 ,因此僅有網狀金屬層32之邊緣是藉由絕緣 2極板12上,而網狀金屬層32之中間區域則是 I在陰極板12上方。《而,隨著網狀金屬層32之面積變大 時’網狀金屬層32之中間區域易產生下垂或不平整的現象 雷=!電子自CNT結構34之尖端釋出時,閘極層32b會因 1子的直接㈣以及電場的不肖自性而產&㈣,甚或是 Κ = ί層32之剝離現象’ •而影響到相對應位置之 螢先層20的發光均勻性與發光效率。第三個問 (450〜500 °C)環境中進行有機物的去除製程時,部分鋁膜 22會形成氧化鋁’進而影響到鋁膜22的導電性發 :出:電子撞擊到陽極板14時,便會因鋁膜22的導電:不 佳而故成電荷累積,而且當電荷累積到一定量時, = 的方式排除累積的電荷,進而使陽極板“ 2冗八滅。此外’累積的電荷會產生排斥電場,使得 後々發射的電子無法在輕易地撞擊陽極板14,如此一 ==電:^提高1導致螢光層2°發出的亮度無 作盔:名恭:㈤題無淪是以金屬尖端或是CNT結構34 源’其發射的電子多會有散開⑷惜⑽) 的情形。而X,當電子之發射量較大時擾(過;:電 子會直射陽極板14,進而發生火花放電。 有鑑於此,為了解決上述之問題,本發明則提出 m-fed之改良結構及其製程,以有效地改善cnt—fed之顯
M11U« 五、發明說明(4) 示品質。 圖式簡單說明 第1圖顯示習知CNT_FED的剖面示意圖。 第2A圖顯示本發明第一實施例中CNT_FEI)之陰極板的 剖面示意圖。 第2B圖顯示習知電子發射區域的上視圖。 第2C與2D圖顯示本發明第一實施例之電子發射區域的 上視圖。 第3A至3C圖顯示本發明第二實施例中CNT-FED之閘極 層的製作方法的剖面示意圖。 第4A與4B圖顯示本發明第三實施例中CNT-FED之陽極 板的剖面示意圖。 第5A圖顯示本發明第四實施例之CNT-FED之陰極板的 剖面示意圖。 第5B至5D圖顯示第5A圖所示之金屬網的立體示意圖。 第6圖顯示本發明第五實施例之CNT-FED之剖面示意 圖。 [符號說明] 習知技術 1 2〜陰極板, 1 6〜空間支撐柱, 20〜螢光層; 24〜玻璃基板; 2 8〜絕緣層; 10〜CNT-FED ; 14〜陽極板; 18〜玻璃面板 22〜鋁膜; 26〜陰極層;
0698-6430TWF;00501-OPT0-W;Cherry.ptd 第7頁 511108 五、發明說明(5) 3 2 a〜開口; 34〜CNT結構。 41〜玻璃基板; 4 4〜絕緣層; 46〜網狀閘極層; 481、482、483〜次CNT 結構; A1、A2、A3〜次發射區域; 51〜玻璃基板; 54〜阻隔壁; 57〜開口 ; 5 9〜網孔; 61〜玻璃面板; 64〜鋁膜; 67〜開口; 3 2〜網狀金屬層; 32b〜閘極層; 本發明技術 40〜陰極板; 42〜陰極層; 45〜開口; 48〜CNT結構; A〜電子發射區域; ❿ 50〜陰極板 52〜陰極層 5 6〜閘極層 5 8〜金屬網板 6 0〜陽極板 62〜螢光層 6 6〜金屬片 68〜金屬接腳。 實施例說明 [第一實施例] 請參閱第2A至2D圖,第2A圖顯示本發明第_實施例中 CNT-FED之陰極板40的剖面示意圖,第2B圖顯示習知電子 發射區域的上視圖,第2C與2D圖顯示本發明第、一實施例之 電子發射區域的上視圖。如第2A圖所示,本發明第一實施 例提出一種CNT-FED之陰極板40,其包含有一 基板41 ,一陰極層42係定義形成於玻璃基板41表面之一預定區域
〇698.6430TW;00501.〇PTO-^;Cherry.ptd 第8頁 〜---
五、發明說明(6) 上’一絕緣層44係覆蓋於兩相鄰之陰極層42之空隙内,一 開口 45係貫穿絕緣層44以使陰極層42曝露出來,一網狀閘 極層46係定義形成於開口 45周圍之絕緣層44表面上,以及 一 CNT結構48係長成於陰極層42表面之電子發射區域中。 其中,CNT結構48係由複數個不連續之次CNT結構481 、48 2、483所構成,係以矩陣方式排列於整個電子發射區 域中。 如第2B圖所示之習知電子發射區域a之設計圖可知, 所有的CNT係填滿整個電子發射區域a,因此位於電子發射 區域A周邊之CNT會有邊緣效應發生,導致相對應位置之榮 光層在發光時產生周圍較亮、中間較暗的情形,進而影響 到CNT-FED的發光均勻性。為了解決邊緣效應所產生的不 均勻發光現象,如第2 C與2 D圖所示,本發明第一實施例係 將與原先面積相同之電子發射區域A分割成複數個非連續 之次發射區域Al、A2、A3,則複數個非連續之次CNT結構 481、48 2、483係分別長成於每個次發射區域A1、A2、A3 中。如此一來,邊緣效應會發生在每一個次發射區域A1、 A2、A3之周邊,可以有效改善相對應位置之螢光層的發光 均勻性’而且隨著次發射區域A1、A2、A3之面積縮小、間 隔距離縮短、分布密集度增加,越能獲得均勻度高、亮度 高之發光品質。 & 次發射區域A1、A2、A3之圖形設計可搭配適當製作方 式,裂作成第2C圖所示之四邊形、第2D圖所示之圓形、或 是其他任何的物理形狀。製作方式可使用網印技術,將
511108 五、發明說明(7) CNT漿料塗敷在預定的次發射區域A1、A2、中,盆 佳之間隔距離為80〜150 //m,較佳之次發射f a工^ a X 200 〇 &住之人發射區域面積為200 [第二實施例] 請參閱第3A至3C圖,其顯示本發明第二 ㈣的製作方法的剖面示意圖。本== 施 ,如出一種CNT-FED之陰極板5〇之閘極層的製作方法。貫 2’=第二圖所示’利用沉積加上微影的方式或是 Li一 =表面之預定區域上定義形成複數個陰 質二=自銀(Ag)、銅(Cu)或其他導電金屬材 網印^=所示’ W用沉積加上微影的方式或是 π ’於兩相鄰之陰極層52之間形成一厚度約為3〇〜 一〇〇 _的阻隔,(rib)54,並使每一個陰極層42上方形成 幵口 57。接著’如第3C圖所示,利用網一 =壁54表面上形成一閉極層56,而 材; 選自銀Ug卜銅(CU)或其他導電金屬材質 材= 阻隔壁54以及問極層56進行高溫燒烤處理。下來了對 相較於習知黏著網狀金屬層的方 = = 之陰極層52之間製作阻隔壁“= 著在每一個阻= : = = 係整體附 的發光均勻性與發i效车„象’進而改善cnt_fed 式,可於二電;⑴結構的製作* 坚個電子發射區域上成長CNT,也可
511108 五、發明說明(8) 以搭配第一實施例之設計,將Γ 次發射區域中。 f CNT成長在複數個非連續之 [第三實施例]
一 FED ft!與4B圖’其顯示本發明第三實施例中CNT
CimED之陪ιΛ剖面不意圖。本發明第三·實施例提供一種 光声62俜〜羞开板’其包含有—玻璃面板61,複數個螢 = 62:、疋義形成於玻璃面板61表面之預定區域内,一具 Ϊ 之紹膜64係覆蓋住螢光層62,以及-金屬片66 黏著於玻璃面板61上,以覆蓋住鋁膜64外圍, ^金屬片66與銘頻為等電位。其中,金屬片⑶包含有複 固f幵口 67 ’其位置係相對應於複數個螢光層62區域,使 Ϊϊί電子可撞擊到螢光層62,因此金屬片66只覆蓋住螢 光層62以外的區域。較佳之設計如第α圖所示,可於金屬 片66之開口67邊緣形成兩個向外折出之金屬接腳68,用來 巧住散射之電子,{吏電子直射而撞擊螢光層⑽,能夠避免 陽極之干擾現象。 雖然在高溫(450〜500。〇環境中進行有機物的去除製 程時,部分鋁膜64會形成氧化鋁,進而影響到鋁膜64的導 電性,但是藉由金屬片66之設置可以補償鋁膜64的導電性 ,以避免電荷累積而產生火花放電(arc)。而且,增設之 金屬接腳68可以擋住散射之電子,防止陽極之干擾現象。 [第四實施例] 請參閱第5A至5D圖,第5A圖顯示本發明第四實施例之 CNT-FED之陰極板50的剖面示意圖,第58至5])圖顯示第5八
511108 發明說明(9) 圖所示之金屬網板58的立體示意圖。為了避免電子的散開 (divergent)現象在陽極板上產生干擾,本發明第四實施# 例係於製作完成之陰極板上罩住一金屬網板,可以有效^ 擔斜射之電子。如第5 A圖所示,利用第二實施例之閘極層 56製作方式所提供的陰極板5 0,於陰極層μ上製作完成 CNT結構之後,將一金屬網板58罩住陰極板5〇之表面,其 中金屬網板58上包含有複數個網孔59,網孔59係相對應於 電子發射區域之位置(亦即相對應於螢光層之位置),且金 屬網板58與閘極層56之間有一小段間隔(約為〇. lmm〜
。金屬網板58係與閘極層56為等電位,閘極層56之功能是 吸收發射之電子,而金屬網板58之主要功能是使電子束聚 焦’由於金屬網板58所產生之電場會小於閘極層56所產生 之電場’因此金屬網板58不會因過多的電子撞擊而發生震 動的情形。如此一來,傾斜射出之電子會被金屬網板58擋 住’且可藉由金屬網板58導出’以避免陽極產生干擾的現 象。而且,藉由網孔59限制直射電子的發射空間,可以防 止過多的電荷累積在陽極板上,進而消除火花現象。
金屬網板58之網孔59的開口口徑約為3〇〇〜6〇〇 μ m,相 鄰網孔59之間距約為100〜200 //m。網孔59的形狀可設計成 第5 B圖所示之圓形網孔5 9、第5 C圖所示之四邊形網孔5 9或 是第5C圖所示之六邊形網孔59,其中六邊形網孔59之開口 面積較大,可以使直射的電子流達到較大值。 [第五實施例] 凊參閱第6圖’其顯示本發明第五實施例之[NT —fed之
511108 五、發明說明(ίο) 剖面示意圖。本發明第五實施例之CNT —FEI)係結合第4A圖 之陽極板60與第5A圖之陰極板5〇,可以同時利用金屬片66 之金屬接腳68以及金屬網板58之網孔59抵擋散射之電子, 以有效防止陽極之干擾現象。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上,然其並 以限定本發明,任何熟習此技藝者,纟不脫 神和範圍π,當可作些許之更動與潤飾,因此本 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。*月之保 0698-6430TWF; 00501 -OPTO-TYf ;Che r ry. pt d 第13頁
Claims (1)
- •一種碳微管場發射顯示器之陰極板,包括 一玻璃基板; 極展極層,係定義形成於該玻璃基板表面上,且該陰 曰…上定義有複數個不連續之電子發射區域;以及 域内、复數個叙微管結構,係分別長成於每一個電子發射區 2·如申請專利範圍第1項所述之陰極板, 個不連續之電子發射區域係以矩陣方式排列。中/複數 =3·如申請專利範圍第2項所述之陰極板,其中相鄰之 該電子發射區域的間距為8〇〜15〇//ιη。 4·如申請專利範圍第2項所述之陰極板,其中該電子 發射區域可為下列一種形狀:四邊形、圓形或其他物理形 狀。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之陰極板,其中該複數 個碳微管結構之製作係使用網印方式。 6· 一種碳微管場發射顯示器之陰極板的製作方法,包 括有下列步驟: 提供一玻璃基板,其表面上定義形成有複數個陰極 層; 於兩相鄰陰極層之空隙形成一阻隔壁,且該阻隔壁凸 出於該陰極層之表面至一預定高度; 利用網印技術於該複數個Ρ且隔壁表面上形成一網狀之 閘極層;以及 進行高溫燒烤處理。0698-6430TW;00501-OPT0-TW;Cherry.ptd 第14頁 M1108 -—·ι _ 六、申請專利範圍 7· 一種碳微管場發射顯示器之陽極板,包括有: 一玻璃面板; ’ 複ί個f光層,係定義形成於該玻璃面板表面上; 一具有平坦表面之鋁金屬膜,係覆蓋於該複數個螢光 層之表面上;以及 一金屬片,係覆蓋住該金屬膜之上方區域,其中該金 屬片包含有複數個開口,且該複數個開口之位係 於該複數個螢光層之位置。 # 8.如申請專利範圍第7項所述之之陽極板,其中該金 屬片之開口邊緣設置有兩個向外折出之金屬接腳。 9·如申請專利範圍第7項所述之陽極板,其中該金眉 片係以玻璃膠黏著於該玻璃面板上。 中A金屬 1 0 · —種碳微管場發射顯示器之陰極板,包括有: 一玻璃基板; —複數個陰極層,係定義形成於該玻璃基板表面上,且 每一陰極層表面之電子發射區域中設有一碳微管結構; 複數個阻隔壁,係形成於相鄰陰極層之空隙並凸出於 該陰極層之表面至一預定高度; 、 一網狀之閘極層,係形成於該複數個阻隔壁之 ;以及 仏W丄 一金屬網板,係覆蓋住該閘極層之上方區域,直 金屬網板包含複數個網孔,且該網孔之位置 應ς 陰極層表面之電子發射區域。 这 11.如申請專利範圍第10項所述之陰極板,其中該金0698-6430TWF;00501-OPT0-T^;Cherry.ptd 第15頁 511108 六、申請專利範圍 屬網板之網孔的口徑為3 〇 0〜6 〇 0 # m ° 1 2 ·如申請專利範圍第1 q項戶斤述之陰極板,其中該金 屬網板之網孔為圓形。 1 3 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之陰極板,其中該金 屬網板之網孔為四邊形。 . 1 4 ·如申請專利範圍第丨〇項所述之陰極板,其中該金 屬網板之網孔為六邊形。 15·如申請專利範圍第1〇項所述之陰極板,其中該金 屬網板係以玻璃膠黏著於該玻璃基板上。0698-6430TW; 00501 -OFIO-Tl«f ;Che r ry. pt d 第16頁
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090119797A TW511108B (en) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | Carbon nanotube field emission display technology |
| US10/011,281 US6774548B2 (en) | 2001-08-13 | 2001-12-11 | Carbon nanotube field emission display |
| JP2002076198A JP2003059436A (ja) | 2001-08-13 | 2002-03-19 | カーボンナノチューブ・フィールドエミッション・ディスプレイのカソード基板及びアノード基板とカソード基板の形成方法 |
| JP2004002043A JP2004119395A (ja) | 2001-08-13 | 2004-01-07 | カーボンナノチューブ(cnt)フィールドエミッション・ディスプレイのアノード基板 |
| US10/791,817 US20040169458A1 (en) | 2001-08-13 | 2004-03-04 | Carbon nanotube field emission display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090119797A TW511108B (en) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | Carbon nanotube field emission display technology |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW511108B true TW511108B (en) | 2002-11-21 |
Family
ID=21679049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090119797A TW511108B (en) | 2001-08-13 | 2001-08-13 | Carbon nanotube field emission display technology |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6774548B2 (zh) |
| JP (2) | JP2003059436A (zh) |
| TW (1) | TW511108B (zh) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL129230A (en) * | 1999-03-29 | 2003-04-10 | Nds Ltd | System for determining successful reception of a message |
| US6989631B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-01-24 | Sony Corporation | Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support |
| KR100343205B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2002-07-10 | 김순택 | 카본나노튜브를 이용한 삼극 전계 방출 어레이 및 그 제작방법 |
| JP2003016954A (ja) * | 2001-04-25 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 |
| US6756730B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-06-29 | Sony Corporation | Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method |
| US7002290B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-02-21 | Sony Corporation | Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate |
| US6682382B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-01-27 | Sony Corporation | Method for making wires with a specific cross section for a field emission display |
| FR2836279B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2004-09-24 | Commissariat Energie Atomique | Structure de cathode pour ecran emissif |
| JP2005535075A (ja) * | 2002-07-30 | 2005-11-17 | ポステック・ファウンデーション | 陽極酸化工程を用いて製造された3極構造を有する電界放出素子及びその製造方法 |
| KR20050059239A (ko) * | 2002-10-07 | 2005-06-17 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 자기 정렬 게이트 전극 구조를 가진 전계 방출 디바이스와,그 제조 방법 |
| US7012582B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-03-14 | Sony Corporation | Spacer-less field emission display |
| US20040145299A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Sony Corporation | Line patterned gate structure for a field emission display |
| US7521851B2 (en) * | 2003-03-24 | 2009-04-21 | Zhidan L Tolt | Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite |
| US20040189552A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Sony Corporation | Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects |
| US7071629B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-07-04 | Sony Corporation | Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects |
| US20050112048A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Loucas Tsakalakos | Elongated nano-structures and related devices |
| GB2436449B (en) * | 2003-11-25 | 2008-05-14 | Gen Electric | Elongated nano-structures and related devices |
| US7459839B2 (en) * | 2003-12-05 | 2008-12-02 | Zhidan Li Tolt | Low voltage electron source with self aligned gate apertures, and luminous display using the electron source |
| KR20050062742A (ko) * | 2003-12-22 | 2005-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자와, 이를 적용한 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20050072987A (ko) * | 2004-01-08 | 2005-07-13 | 삼성전자주식회사 | 면광원 장치 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| KR20050081537A (ko) * | 2004-02-14 | 2005-08-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출형 고주파 증폭기 |
| KR20050096534A (ko) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20050104035A (ko) * | 2004-04-27 | 2005-11-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자 |
| CN100397547C (zh) * | 2004-05-21 | 2008-06-25 | 东元奈米应材股份有限公司 | 具有反射层与栅极的场发射显示器 |
| US20060001356A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Teco Nanotech Co., Ltd. | FED including gate-supporting device with gate mask having reflection layer |
| KR20060019846A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
| KR20060019849A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20060029074A (ko) * | 2004-09-30 | 2006-04-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자방출 표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN100370571C (zh) * | 2004-11-12 | 2008-02-20 | 清华大学 | 场发射阴极和场发射装置 |
| KR20060059747A (ko) * | 2004-11-29 | 2006-06-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자방출 표시장치 |
| WO2007005014A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Thomson Licensing | Segmented conductive coating for a luminescent display device |
| KR20070040647A (ko) * | 2005-10-12 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브의 길이 균일화 방법 및 이를 이용한전계방출소자의 제조방법 |
| US20070247049A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | General Electric Company | Field emission apparatus |
| CN100573797C (zh) * | 2006-07-05 | 2009-12-23 | 清华大学 | 双面发光的场发射像素管 |
| CN101636810B (zh) | 2006-12-29 | 2011-11-23 | 塞莱斯系统集成公司 | 高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程 |
| CN101383264A (zh) * | 2007-09-07 | 2009-03-11 | 清华大学 | 场发射光源 |
| CN101425435B (zh) * | 2007-11-02 | 2013-08-21 | 清华大学 | 场发射电子源及其制备方法 |
| WO2009131754A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-10-29 | Georgia Tech Research Corporation | Cold cathodes and ion thrusters and methods of making and using same |
| CN101662894B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-09-21 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 封装基板以及封装结构 |
| CN101668383B (zh) * | 2008-09-03 | 2013-03-06 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 电路板以及电路板封装结构 |
| US9058954B2 (en) | 2012-02-20 | 2015-06-16 | Georgia Tech Research Corporation | Carbon nanotube field emission devices and methods of making same |
| US9169117B1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | MEMS device and method of forming the same |
| JP6849224B2 (ja) * | 2016-10-10 | 2021-03-24 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 照明光源及びその製造方法 |
| CN109700453B (zh) * | 2018-12-15 | 2022-06-14 | 深圳市中科先见医疗科技有限公司 | 一种复合阵列电极及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3252545B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | 電界放出型カソードを用いたフラットディスプレイ |
| US5552659A (en) * | 1994-06-29 | 1996-09-03 | Silicon Video Corporation | Structure and fabrication of gated electron-emitting device having electron optics to reduce electron-beam divergence |
| US5588893A (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-31 | Kentucky Research And Investment Company Limited | Field emission cathode and methods in the production thereof |
| US5872422A (en) * | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
| US5717287A (en) * | 1996-08-02 | 1998-02-10 | Motorola | Spacers for a flat panel display and method |
| KR100365444B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2004-01-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치 |
| JP2000123711A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 |
| US6250984B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
| JP2000243218A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Nec Corp | 電子放出装置及びその駆動方法 |
| KR20000074609A (ko) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | 김순택 | 카본 나노 튜브를 이용한 전계 방출 어레이 및 그 제조방법 |
| US6504292B1 (en) * | 1999-07-15 | 2003-01-07 | Agere Systems Inc. | Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same |
| JP3600126B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 電子源アレイ及び電子源アレイの駆動方法 |
| JP3483526B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
| KR100316780B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2001-12-12 | 김순택 | 격벽 리브를 이용한 3극관 탄소나노튜브 전계 방출 소자및 그 제작 방법 |
| JP3730476B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 |
| US6297592B1 (en) * | 2000-08-04 | 2001-10-02 | Lucent Technologies Inc. | Microwave vacuum tube device employing grid-modulated cold cathode source having nanotube emitters |
| US6448701B1 (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Self-aligned integrally gated nanofilament field emitter cell and array |
| US6525453B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-02-25 | Huang Chung Cheng | Field emitting display |
| US6769945B2 (en) * | 2002-08-24 | 2004-08-03 | Industrial Technology Research Institute | Method of growing isomeric carbon emitters onto triode structure of field emission display |
| JP3954002B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2007-08-08 | 韓國電子通信研究院 | 電界放出ディスプレイ |
| KR100879293B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2009-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조로 형성된 전자 방출원을 구비한 전계 방출표시장치 |
-
2001
- 2001-08-13 TW TW090119797A patent/TW511108B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-11 US US10/011,281 patent/US6774548B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002076198A patent/JP2003059436A/ja active Pending
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004002043A patent/JP2004119395A/ja active Pending
- 2004-03-04 US US10/791,817 patent/US20040169458A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040169458A1 (en) | 2004-09-02 |
| US6774548B2 (en) | 2004-08-10 |
| JP2003059436A (ja) | 2003-02-28 |
| US20030030356A1 (en) | 2003-02-13 |
| JP2004119395A (ja) | 2004-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW511108B (en) | Carbon nanotube field emission display technology | |
| JP3995567B2 (ja) | カーボン系物質で形成されたエミッタを有する電界放出表示装置 | |
| US7652418B2 (en) | Electronic emission device, electron emission display device having the same, and method of manufacturing the electron emission device | |
| JP2001357773A (ja) | カーボンナノチューブを利用した電界放出アレイ及びその製造方法 | |
| US20050184647A1 (en) | Electron emission device | |
| US7999453B2 (en) | Electron emitter and a display apparatus utilizing the same | |
| CN1210755C (zh) | 碳纳米管场发射显示器 | |
| TW200406726A (en) | Barrier metal layer for a carbon nanotube flat panel display | |
| TWI277120B (en) | Field emission device and field emission display device using the same | |
| JP3581296B2 (ja) | 冷陰極及びその製造方法 | |
| US7432645B2 (en) | Electron emission device and electron emission display using the same | |
| CN110832616B (zh) | 用于场发射装置的一种场发射阴极结构 | |
| JP3879101B2 (ja) | 電子増倍部を装着したfedデバイス及びその製造方法 | |
| JP2006286626A (ja) | 電子放出素子 | |
| KR20070105489A (ko) | 전자 방출 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2012185942A (ja) | 電界放出型発光装置およびその製造方法 | |
| JP3760878B2 (ja) | 陰極の製造方法 | |
| CN100367445C (zh) | 四极结构的场发射显示器及其制造方法 | |
| TWI282105B (en) | Field emission device and method of making same | |
| JP5293352B2 (ja) | 三極構造型の電界電子放出型ランプの製造方法 | |
| JP2004220896A (ja) | 発光装置とその製造方法および使用方法 | |
| JP2004047240A (ja) | 電子放出素子とその製造方法、および表示装置 | |
| JP2008181686A (ja) | 平面型画像表示装置及び平面型画像表示装置用スペーサ | |
| JP2007227348A (ja) | 電子放出デバイス、および電子放出デバイスを用いる電子放出表示デバイス | |
| JP2012221846A (ja) | 発光装置、発光方法および発光装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |