TW563142B - Thin film capacitor, and electronic circuit component - Google Patents

Description

563142 A7 B7 五、發明説明（） 〔技術領域〕 本發明是有關薄膜電容及電子電路零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔背景技術〕 於第1圖表示習知薄膜電容的斷面模式圖。在基板1 上利用濺鍍裝置等進行金屬成膜後，經由一般的形成光阻 ，且經由乾式蝕刻等形成下部電極2。之後，以濺鍍或 CVD等形成介電質材料後，利用微縮術形成介電質3。 更利用與下部電極同樣的方法，形成上部電極4。在如上 的工程中，製成習知的薄膜電容。而日本特願平 9 — 2 8 9 6 1 1號公報中，如第2圖所示，揭示一種將 下部電極2端部的側壁面加工成平緩傾斜的角度後，形成 介電質3和上部電極4的薄膜電容。下部電極端部的側壁 面的加工法，是指在基板上形成金屬薄膜，且在其上形成 光阻後，以所規定的角度Θ ,將離子束照射到金屬薄膜上 的方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習知第1圖所示的電容中，介電質的下部電極端部的 段差部膜厚B是較下部電極上部膜厚A薄，結果造形成上 部電極和下部電極的距離變小。其結果絕緣耐壓降低，或 者易因介電質的缺陷等發生電極間的短路。而第2圖所示 的電容狀況，由於只在特定方向形成傾斜角，故在同一基 板上形成複數個電容時，上部電極的配線拉出方向被限制 在一方向，故在設計電路時受到很大的限制。 於曰本特開平4 一 3 3 6 5 3 0號公報中揭示一種與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 563142 A7 B7 五、發明説明（1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 透明晝素電極相對的保持容量下部電極的端面和令透明畫 素電極絕緣的介電質膜，形成比構成保持容量的介電質膜 厚的液晶顯示器，但應用在液晶顯示器的電容，由於厚度 很薄，並不會產生如上述般的問題。 本發明的目的在於提供一種防止薄膜電容元件的電極 間短路、絕緣耐壓降低，且不良率低、可靠性高的薄膜電 容。 並提供一種內裝此種電容的不良率低、可靠性高的電 子電路零件。 〔發明揭示〕 爲達成前述目的，按照本發明的第一發明，即能提供 一種具有由形成所定面的下部電極與形成前述下部電極上 的介電質材料所形成的介電質層；和形成在前述介電質層 上的上部電極的薄膜電容，其前述下部電極的端部，以介 •電質層以外的絕緣體被覆，且在前述介電質層與前述下部 電極之間，形成阻隔層爲特徵的薄膜電容。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 而按照第二發明，即能提供一種具有，在所定位置設 有複數個貫通孔的基板；和形成在其單邊或兩邊的一個或 複數個電容元件與一個或複數個感應器元件及一個或複數 個電阻元件；和被形成於設置在欲導電連接基板兩側的前 述基板的貫通孔內部的導體部；和供導電連接前述電容元 件、前述感應器元件、前述電阻元件及導體部的配線；和 令前述元件及配線間絕緣的層間絕緣層；和供輸出電子信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 563142 A7 B7 五、發明説明（g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 號的外部電極；且前述電容元件、前述感應器元件和前述 電阻元件是介著前述層間絕緣層而積層，前述電容元件貝ij 設有，形成在所定面的下部電極；和由形成在前述下部電 極上的介電質材料所形成的介電質層；和形成在前述介電 質層上的上部電極；且前述下部電極的端部是用介電質層 以外的絕緣體被覆，並且在前述介電質層與前述下部電極 之間形成阻隔層爲特徵的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本發明的下部電極最好是電阻低的導電性材料。具體 舉例有：金、銅、鎳、鋁、粗鉑、鎢、鉬、鐵、鈮、鈦、 鎳/鉻合金、鐵/鎳/鉻合金、氮化鉅等。特別是銅，電 阻小很適合。而下部電極圖1 〇其面需要很平，下部電極 圖1 〇其面的凹凸最好爲介電質厚度的1/2 5以下。下 部電極的形成方法是將前述導電性材料成膜爲所定膜厚後 ，形成光阻圖案，且除了利用乾式或濕式蝕刻形成外，於 形成光阻圖案後，可利用電解或無電解電鍍形成。而本發 明的下部電極的厚度則爲愈厚特性愈提昇，但未特別加以 規定。而下部電極的厚度爲介電質層厚度的6倍以上時， 易發生絕緣耐壓降低和電極間短路等問題，本發明的構造 特別有效。 本發明的阻隔層是形成在下部電極上。該材料最好是 氧透過性小，於介電質形成時氧不會擴散到下部電極內部 的材料。具體上除了鉻、鎢、粗鉑、鎳等金屬外，舉例有 氧化鎢、氧化緦、鎢/緦的氧化物、B a W 0 4、 A 1 2〇3、c e 0 2，鋇/緦/鎢的氧化物等。該些阻隔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 563142 A7 ____ _B7_ 五、發明説明（j 靥是經由濺鍍法裝置等形成在下部電極上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具體上除了 Ta2〇5, BST (Ba (x) Sr (1 ~~x)TiO(3), 〇<χ<1) 、SrTi〇3、

Ti〇2、Mn〇2、Y2〇3、Sn〇2、MgTi〇3 等 氧化物外，舉例有在鋇鈦氧化合物或鋇鈦氧化合物摻雜鉻 或錫的化合物、W 0 3、S r 0、混合的鋇/總氧化物、 B aW〇4、C e 〇2等。其形成法也未特別限制，也可採 用濺鍍法、電漿C V D法等乾式法、陽極氧化法等濕式法 。在此當中就屬T a 2 0 5絕緣耐壓高，特別的好。 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 本發明的介電質層一般是作爲電容材料所使用的介電 質材料，並未特別限制。本發明的絕緣體一般是作爲絕緣 膜使用的絕緣材料，並未特別限制。該絕緣體是藉著被覆 由下部電極圖1 0的面和下部電極端部側面所構成的下部 電極端部邊緣部以及下部電極的端部側面，以防止上部電 極和下部電極導電發生短路。因而爲一種能良好確實被覆 該下部電極邊緣部及下部電極的端部側面的材料。具體上 可爲聚醯亞胺樹脂、苯環丁烯樹脂、環氧樹脂、不飽和聚 酯樹脂、環氧異氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、馬來醯亞 胺環氧樹脂、氰酸酯樹脂、氰酸酯環氧樹脂、氰酸酯馬來 醯亞胺樹脂、苯酚樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、尿 烷樹脂、氰氨基樹脂、馬來醯亞胺氰氨基樹脂等各種熱硬 化性樹脂或組合兩種以上的上述樹脂的材料，或甚至是配 合無機塡充物等的材料。尤其聚醯亞胺樹脂是耐熱性和耐 藥品性優，獲得感光性，加工性也優得理想。而苯環丁烯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 563142 A7 B7 五、發明説明（g (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 樹脂是作爲介電正接低的高頻零件，於使用本發明的電容 時爲佳。同樣地包括具有以一般式（化1 )所示的複數種 苯乙烯基的交連成份，甚至含有重量平均分子量5 0 0 0 以上的高分子量體的低介電正接樹脂組成物也是作爲高頻 零件，於使用本發明的電容時，傳送損失減低爲佳。結合 該樹脂烴組成物的苯乙烯基間的架構，以含有甲叉，乙烯 等的烷撑基的架構爲佳。具體上舉例有：1，2 -雙（P 一聯苯）乙烷、1, 2-雙（m-聯苯）乙烷及其類似體 、於側鎖具有乙烯基的二乙烯基苯的單獨聚合體、乙烯等 的共聚合體等的低聚物。 除此以外還有氟橡膠、矽橡膠、氟化矽橡膠、丙烯酸 橡膠、氫化丁腈橡膠、乙烯基丙烯橡膠、氯磺化聚苯乙烯 、環氧氯丙烷橡膠、丁基橡膠、尿烷橡膠或聚碳酸酯/丙 烯腈- 丁二烯-苯乙烯合金、聚矽氧烷二甲叉對苯二醯基 /聚乙烯對苯二醯基共重合聚丁烯對苯二醯基/聚碳酸酯 合金、聚四氯乙烯、多花鹽基乙烯基丙烯、聚丙炔、聚醯 胺/丙烯腈- 丁二烯-苯乙烯合金、改性環氧、改性聚烯 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 烴、矽氧烷改性聚醯亞胺等的彈性率低的樹脂亦可。該些 有機材料以外的無機材料，只要能被覆下部電極堀部邊緣 部及下部電極的端部側面，就能作爲本發明的絕緣體使用 〇 該些絕緣體的形成法具有獲得感光性且利用所定的曝 光、顯影製程，控制形狀的方法、或用旋塗法等形成有機 絕緣材後，用雷射和乾式蝕刻等，形成圖案的方法，或組 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0、〆297公釐） -8- 563142 A7 B7__ 五、發明説明（4 合該些的方法。而當然也可用印刷法、噴塗法、電子照相 法等的圖案印刷法或薄膜貼合法等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的基板舉例有玻璃及陶瓷基板等，但不限於此 °本發明的基板由於需要供形成基板上下的導通層的導孔 加工，故最好爲加工性優良的基板。具體上是選擇含有 Sc、Y、La、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd 、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 群中的至 少一種稀土類元素的玻璃，由於耐久性優、加工性高，特 別理想。也可使用經由曝光、顯影工程而形成導孔的感光 性玻璃。 形成於設在本發明的基板上的貫通孔內部的導體部， 只要能將基板兩面導電連接即可，並未特別限制。具體上 在玻璃基板等利用雷射或噴砂淸理等進行孔加工後，利用 濺鍍法或CVD等，在貫通孔內部形成金層層，或在形成 金屬層後，用電鍍等形成亦可。而利用導電性樹脂等塡充 貫通孔内部而形成亦可。 經濟部智慧財產局S(工消骨合作社印製 本發明的配線層是用來導電連接電容元件的下部電極 或上部電極、感應元件、電阻元件、外部電極、貫通孔内 部的導體部，只要電阻很小，就不特別限制。具體上舉例 有：金、銅、鎳、鋁、粗粕、鎢、鉬、鐵、鈮、鈦、鎳/ 鉻合金、鐵/鎳/鉻合金、氮化釔等。特是是銅電阻小很 理想。形成法則是用濺鍍法形成金屬層後，利用光阻劑等 製作圖案罩幕後，利用蝕刻或電鍍等製成配線。 本發明的感應元件只要是誘導性電路要素就未特別限 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐〉 -9- 563142 Μ Β7 五、發明説明（} 制，例如形成平面的螺旋型，甚至將此重疊複數個，或是 使用螺線管型等。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甚至感應元件是與電容的下部電極和上部電極同一的 素材，或不同的素材亦可，根據電傳導性以及與周圍材料 的接合性、形成法等做適當選擇。甚至其 形成方法也 未特別地限制。例如用濺鍍法等形成c u亦可，考慮到與 周圍的材料的接著性，在其界面形成T i、C r等亦即。 當然甚至將用濺鍍法等成爲種膜的薄膜，以C u等形成後 ，以電鍍法等形成。甚至配線及感應元件的圖案化法能用 蝕刻法、微縮術法等的一般配線圖案化法。而使用含有 A g等金屬的樹脂膏，並以印刷法等形成亦可。更於介電 質形成溫度很高的時候，也可用P t等耐氧化性、耐熱性 高的金屬。 本發明的電阻元件是用兩個金屬電極夾住電阻材料的 構造，電阻材料只要是用一般電阻材料所用者就不特別限 制，例如可用C I* S i、T i N等。其形成法也未特別限 制，例如可用濺鑛法、電漿C V D法等。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 本發明的層間絶緣層只要是能防止配線或感應元件、 電容元件的導體部分彼此導電短路的絶緣材料就未特別限 制。可使用與前面出現的絶緣體同樣的材料。形成法可藉 由旋塗法或網版印刷、薄膜層壓法等，令絶緣層成膜後， 將連接層間部分利用雷射或微縮術工程、乾式蝕刻等形成 開口。 本發明的外部電極由於是將電子電路零件搭載在基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 563142 A7 _ B7_ 五、發明説明（& 上，而使用欲導電連接的導電體，具體上是使用含有錫、 鋅、鉛的焊接合金、銀、銅或金，或是用金被覆該些形成 球狀者。除此以外也可爲鉬、鎳、銅、白金、鈦等一種或 兩種以上組合的合金，或兩種以上的多重膜構造的端子。 形成阻隔層的材料可用鉻等電阻大的材料，故阻隔層 的厚度與下部電極、介電質層的厚度相比，最好形成薄狀 的。而介電質層則愈厚容量愈大，下部電極則愈厚電氣特 性愈提昇。由此情形成下部電極、介電質層、阻隔層的厚 度關係，以下部電極 >介電質層 阻隔層爲佳。 由下部電極端部的被覆性觀點來看，絶緣體的厚度形 成比下部電極厚度還厚爲佳。而下部電極和絶緣體的厚度 關係即爲絶緣體> T部電極，由於絶緣體平坦性提高，故 在多層形成配線的電子零件等時，也能得到良品率提高的 效果。 介電質的材料可用有機材料，也用與絶緣體相同的有 機材料。於介電質材料使用有機材料時，一般因爲有機材 料介電率低，於形成小容量的電容時是很有效的。而介電 質的材料是與絶緣體相同的有機材料的話，介電質和絶緣 體就能用同一裝置、試劑形成，就能用低成本形成效率佳 的電容或電子零件。 被覆下部電極的端部的絶緣體和層間絶緣膜的材料爲 相同材料的話，絶緣體及層間絶緣膜的形成就能用同樣的 製程進行，故能用低成本形成效率佳的電容或電子零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本發明的絶緣體由電氣特性的觀點來看，以低介電率

-11 - 563142 A7 B7 五、發明説明（g 爲佳，絶緣體和介電質的介電率關係以介電質^絶緣體爲 佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的下部電極、介電質、絶緣體的下部電極上開 口部、及上部電極的面積關係是以介電質-下部電極 >絶 緣體的下部電極上開口部 > 上部電極爲佳。防止絶緣耐壓 降低或電極間短路的觀點，也在下部電極的側面形成介電 質爲佳，介電質的面積大於下部電極的面積爲佳。下部電 極的端部是用絶緣體被覆的緣故，絶緣體的下部電極上開 口部的面積是小於下部電極的面積。而上部電極的圖案化 精度比絶緣體的開口精度佳的緣故，最好形成上部電極的 面積小於絶緣體的下部電極開口部的面積。就是形成上部 電極的面積小於絶緣體的下部電極開口部的面積的話，根 據上部電極的面積決定電容容量的緣故，能夠提高電容的 精度，還能提高良品率。 〔用以實施發明的最佳形態〕 以下採用圖面來說明本發明的實施形態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例1 ) 第3 - 1圖表示本發明之一例的薄膜電容的斷面圖。 第3 - 2 - a圖是本實施例的薄膜電容的平面圖。第3 -2 - b是本實施例的薄膜電容的分解圖。而第3 — 1圖相 當於第3 - 2 — a圖所示的切斷面的斷面圖。 該薄膜電容是利用以下方法製成的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 563142 A7 B7_ 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在玻璃基板5上用濺鍍法將粗粕成膜爲2 // m。接著 塗佈上正型液狀光阻劑OFPR800， 500cp(東 京應化製），且經過乾燥、曝光、顯影工程而形成下部電 極的光阻罩幕。接著利用離子銑削法進行乾式蝕刻，除去 不用部分的粗粕，且除去光阻罩幕而形成下部電極2。本 實施例中，如第3 — 2 — a圖、第3 — 2-b圖記載的， 下部電極形狀爲圓形。並在側面設有電極拉出用的配線。 接著，在前述下部電極上利用濺鍍法將T a 2 0 5成膜 爲5 0 0 nm的厚度。在該T a 2〇5上塗佈上正型液狀光 阻劑OFPR800, 500cp(東京應化製），且經 過乾燥、曝光、顯影工程，形成介電質的光阻罩幕。接著 用C F 4進行乾式蝕刻，除去不用部分後，除去光阻罩幕而 形成介電質層3。此時，形成介電質層的面積大於下部電 極的面積。換言之，以被覆形成圓形的下部電極的側面地 形成介電質層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用旋塗法塗佈上感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (曰立化成製），且用加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯 影工程，而露出下部電極上的介電質層。此時，如第3圖 地，聚醯亞胺的開口端部比下部電極端部還向2 Ο V m內 側地加以開口。將該聚醯亞胺在氮氣氛中進行2 5 0 °C / 2小時硬化，形成1 0 // m的絕緣體6。 接著，對自前述絕緣體及開口部露出的介電質層上， 用濺鍍法將C r成膜爲5 0 nm，更將C u成膜爲5 0 0 n m ,且以此作爲種膜。在該C u膜上旋塗上負型液狀光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 563142 A7 B7

五、發明説明（L (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 阻劑PMER — N — Ca 1 〇〇〇 (東京應化製），且用 加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯影工程而形成光阻罩幕 。在該光阻開口部以1 A/dm的電流密度進行1 〇 //m 電鍍銅。之後除去光阻罩幕，且用銅蝕刻液KOBURA 蝕刻（荏原電產製）除去銅種膜。更用過錳酸系C r蝕刻 液除去C r種膜，形成上部電極4。此時，以面積小於絕 緣體的開口部面積地形成上部電極4。換言之，如第3 -2 — a圖、第3 — 2 — b圖地，在絕緣體的開口部以介電 質層的第十圖的面的一部分自絕緣體的開口部露出地形成 上部電極。 對利用以上方法所製成的2 0個薄膜電容進行通電檢 查。結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良 率爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率則爲0/2 0。 (實施例2 ) 經濟部智慧財產局Μ工消资合作社印製 用與實施例1同樣的方法製作薄膜電容。此時，絕緣 體是旋塗上苯環丁烯樹脂SAIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU製），且進行預先烘烤後，經過曝光，顯 影工程，與實施例1同樣地，形成苯環丁烯樹脂的開口端 部比下部電極端部更靠近2 0 // m內側地加以開口。 接著在氮氣氛中以2 5 0 °C / 1小時硬化，形成1 〇 // m的絕緣體。進行用以上方法所製作的2 0個薄膜電容 的通電檢查。將結果標記於第1 0圖中。相對於比較例的 薄膜電容不良率爲1 4/2 0來看，本發明的不良率爲0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -14- 563142 A7 B7 五、發明説明（& /20。 (實施例3 ) 利用與實施例1同樣的方法製作薄膜電容。此時，絕 緣體是採用以下方法所製成的低介電正接材料，製作薄膜 電容。 將合成的1，2 -雙（乙烯基苯酚）乙烷爲3 0重量 部和環狀聚烯烴Zeonex480 (日本ΖΕΟΝ製） 爲70重量部、硬化觸媒ΡΑΗΕΚΙ S ΙΝ25Β爲 〇 . 3重量部的三種原料，於二甲苯溶媒中以固形量爲 3 8 %地加以溶解製作成淸漆。 將該淸漆利用旋塗法加以塗佈，在加熱板上1 2 0 t / 2分鐘後，進行2 0 0 °C / 5分鐘的分級固化，形成 1 0 // m的絕緣體。在該上旋塗正型液狀光阻劑 〇F P R 8 0 0 , 5 0 0 c p且乾燥後，經過曝光，顯影 工程，並形成開口端部比下部電極端部開口在2 0 β m內 側的光阻罩幕。接著，用CF4對上述低介電正接材料做乾 式鈾刻，使之露出下部電極上的介電質。最後剝離光阻。 在此，本實施例的絕緣體是使用包含具有下記一般式 (化1)所示的複數種苯乙烯基的交連成份，更使用含有 重量平均分子量5 0 0 0以上的高分子量體的低介電正接 樹脂組成物。 (化1 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 563142 A7 B7

_R η (但R是表示可爲具有置換基的烴架構，R1是表示氫、甲 基、乙基的任一種，m是表示1至4， η是表示2以上的 整數。） 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率爲0/2 0。 (實施例4 ) 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第4 - 1圖是本發明之一例的薄膜電容的斷面圖。第 4 一 2 - a圖是本實施例的薄膜電容的平面圖。第4 一 2 - b圖是本實施例的薄膜電容的分解圖。而第4 - 1圖是 相當於第4 一 2 - a圖所示的切斷面的斷面圖。 該薄膜電容是藉由以下方法所製成。 在玻璃基板5上以濺鍍法將C r成膜爲5 0 n m ,更 將C u成膜爲5 0 0 n m，以此作爲鍍銅給電用種膜。在 該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑Ρ Μ E R — N -C A 1 〇 〇 〇 (東京應化製），且用加熱板預先烘烤後， 經過曝光、顯影工程形成光阻罩幕。在該光阻開口部以1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -16- 563142 A7 __ B7 五、發明説明（j4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A / d m的電流密度進行1 0 // m電鍍銅。之後除去光阻 罩幕，以銅蝕刻液KOBURA蝕刻（荏原電產製）除去銅種 膜。更用過錳酸系C r蝕刻液除去C r種膜，形成下部電 極2。本實施例乃如第4 一 2 - a圖所記載的，下部電極 的形狀爲圓形。並在側面設有電極拉出用的配線。 接著阻隔層7是利用濺鍍法形成5 0 n m的C r。 接著在前述下部電極上利用濺鍍法將T a 2 0 5成膜爲 5 0 〇 nm的厚度。在該T a 2〇5上塗佈上正型液狀光阻 劑OFPR800, 500cp(東京應化製），經過乾 燥、曝光、顯影工程形成介電質的光阻罩幕。接著用C F 4 進行乾式蝕刻，除去不用部分後，除去光阻罩幕，更將不 用部分的阻隔層介著過錳酸系C r蝕刻液蝕刻而形成介電 質層3。此時與實施例1同樣地，介電質層的面積是以比 下部電極面積大地形成。 接著，利用旋塗法塗佈上感光性聚醯亞胺 HD6000(日立化成製），且用加熱板預先烘烤後， 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 經過曝光、顯影工程而露出下部電極上的介電質層。此時 ，如第4圖形成聚醯亞胺的開口端部比下部電極端部還向 2 0 // m內側地加以開□。將該聚醯亞胺在氮氣氛中進行 2 5 0 t/ 2小時硬化，形成1 0 # m的絕緣體6。 接著，在自前述絕緣體及開口部露出的介電質層上， 用濺鍍法將Cr成膜爲50nm,更將Cu成膜爲500 n m，以此作爲種膜。在該C u種上旋塗上負型準狀光阻 PMER — N— CA1000 (東京應化製），且用加熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17- 563142 A7 B7_ 五、發明説明（ 板預先烘烤後，經過曝光、顯影工程而形成光阻罩幕。在 該光阻開口部以1 A / d m的電流密度進行1 Ο V m電鍍 銅。之後除去光阻罩幕，且用銅蝕刻液KOBURA蝕刻（荏 原電產製）除去銅種膜。更用過錳酸系C r蝕刻液除去 C I*種膜，形成上部電極4。此時與實施例1同樣地，以 面積小於絕緣體開口部的面積地形成上部電極4。 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率爲0/2 0。 (實施例5 ) 利用與實施例4同樣的方法製成薄膜電容。此時絕緣 體是旋塗上苯環丁烯樹脂SAIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU製），且進行8 5 °C / 9 Os預先烘烤， 經1 2 0 0 m j / c m 2曝光後，以顯影液D S 3 0 0 〇進 行3 6 °C / 3 m 1 i η顯影後，與實施例4同樣地，以苯 環丁烯樹脂的開口端部比下部電極端部還向2 0 // m內側 地加以開口。接著在氮氣氛中進行2 5 0 °C / 1小時，形 成1 0 # m的絕緣體。 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 〇圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲14/2 0的而言，本發明的不良率爲〇/20。 (實施例6 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公A ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 -18 - 563142 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用與實施例4同樣的方法製作薄膜電容。此時，絕 緣體是採用以下方法所製成的低介電正接材料，製作薄膜 電容。 將合成的1，2 -雙（乙烯基苯酚）乙烷爲3 〇重量 部和環狀聚烯烴Zeonex480 (日本ΖΕΟΝ製）爲7 0重量部 、硬化觸媒PAHEKISIN25B爲〇 · 3重量部的三種原料， 於二甲苯溶媒中以固形量爲3 8 %地加以溶解製作成淸漆 〇 將該淸漆利用旋塗法加以塗佈，在加熱板上1 2 0 °C / 2分鐘後，進行2 0 0 °C / 5分鐘的分級固化，形成 1 0 // m的絕緣體。在該絕緣體上旋塗上正型液狀光阻劑 OFPR800, 500cp且乾燥後，經過曝光、顯影 工程，並形成開口端部比下部電極端部，開口在2 0 // m 內側的光阻罩幕。接著，用CF4對上述低介電正接材料做 乾式蝕刻，使之露出下部電極上的介電質。最後剝離光阻 〇 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率爲〇/2 0。 (實施例7 ) 用與實施例4同樣的方法製作薄膜電容。此時，下部 電極厚度製成3 //m。進行該2 0個薄膜電容的通電檢查 。將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） -19- 563142 A7 B7 五、發明説明（ 率爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率爲0/2 0。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (實施例8 ) 用與實施例4同樣的方法製作薄膜電容。此時，介電 質是用以下的方法形成苯環丁烯樹脂S AIKUROTEN4022 ( DAUKEMIKARU製）。在形成下部電極的基板上，旋塗苯 環丁 嫌樹脂 SAIKUR〇TEN4022 ( DAUKEMIKARU 製）後，以 85°(：/9〇8進行預先烘烤，且曝光120〇111〗/ c m 2後，用顯影液D S 3 0 0 0進行3 6 °C / 3 m i η顯 影後，在Ν2氣氛下進行250 °C/60mi η硬化，在下 部電極第十圖的面形成5 //m的介電質。 進行該2 0個薄膜電容的通電檢查。將結果標記於第 1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率爲1 4/2 0的 而言，本發明的不良率爲0/20。 (實施例9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5 - 1圖是本發明之一例的薄膜電容的斷面圖。第 5 - 2 - a圖是本實施例的薄膜電容的平面圖。第5 — 2 - b圖是本實施例的薄膜電容的分解圖。而第5 - 1圖是 相當於第5 - 2 - a圖所示的切斷面的斷面圖。 該薄膜電容是利用以下的方法製成的。 在玻璃基板5上用濺鍍法將粗鉑成膜爲2 μ m。接著 塗佈上正型液狀光阻劑OFPR800, 500cp (東 京應化製），經過乾燥、曝光、顯影工程，形成下部電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~" -20- 563142 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的光阻罩幕。接著利用離子銑削法進行乾式蝕刻，除去不 用部分的粗鉑，且除去光阻罩幕而形成下部電極2。本實 施例中，如第5 — 2 — a圖、第5 - 2 — b圖所記載地， 下部電極的形狀爲四角形。並於側面設有電極拉出用的配 線。 接著在前述下部電極上，利用濺鍍法將T a 2 0 5成膜 爲5 0 0 nm的厚度。在該T a 2〇5上塗佈正型液狀光阻 劑OFPR800， 500cp(東京應化製），經過乾 燥、曝光、顯影工程，形成介電質的光阻罩幕。接著用 C F 4進行乾式蝕刻，除去不用部分後，除去光阻罩幕形成 介電質層3。此時，與實施例1同樣地，介電質層的面積 是形成比下部電極的面積大。 接著利用旋塗法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( 曰立化成製），用加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯影工 程，在下部電極端部與上部電極的交叉部分，進行形成聚 醯亞胺絕緣體的處理。令該聚醯亞胺在氮氣氛中進行 2 5 0 °C / 2小時硬化，形成絕緣體6。 經濟部智慈財產局肖工消贫合作社印製 接著，在前述絕緣體及介電質層上，用濺鍍法將C r 成膜爲50nm,更將Cu成膜爲500nm,且以此作 爲種膜。在該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑Ρ Μ E R -N— CA1 000 (東京應化製），且用加熱板預先烘烤 後，經過曝光、顯影工程形成光阻罩幕。在該光阻開口部 以1 A / d m的電流密度進行1 〇 /ζ m電鍍銅。之後除去 光阻罩幕，以銅蝕刻液K 0 B U R A蝕刻（荏原電產製） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 563142 Α7 Β7 五、發明説明（：|9 除去銅種膜。更用過猛酸系C r触刻液除去C r種膜，形 成上部電極4。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲1 4/2 0的而言，本發明的不良率爲〇/2 0。 (實施例1 0 ) 用與實施例9同樣的方法製作薄膜電容。此時，絕緣 體是旋塗苯環丁矯樹月旨SAIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU 製），進行預先烘烤後，經過曝光、顯影工程，並與實施 例1同樣地，進行苯環丁烯樹脂成爲下部電極端部與上部 電極交叉的部分的處理。接著在氮氣氛中進行2 5 0 °C/ 1小時硬化，形成絕緣體。 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢査。 將結果標記於第1 0圖中。對於比較例的薄膜電容不良率 爲14/2 0的而言，本發明的不良率爲0/20。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例1 1 ) 用與實施例9同樣的方法製作薄膜電容。此時，絕緣 體是使用利用以下的方法所製成的低介電正接材料來製成 薄膜電容。 將合成的1，2 -雙（乙烯基苯酚）乙烷爲3 0重量 部和環狀聚烯烴Zeone;c480 (日本ΖΕΟΝ製）爲7 0重量部 、硬化觸媒PAHEKISIN25B爲〇 · 3重量部的三種原料， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -22- 563142 A7 ____B7 _ 五、發明説明（^ 於二甲苯溶媒中以固形量爲3 8 %地加以溶解製作成清漆 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將該淸漆利用旋塗法加以塗佈，在加熱板上1 2 〇 t / 2分鐘後，進行2 0 0 °C / 5分鐘的分級固化，形成 1 0 // m的絕緣體。在該絕緣體上旋塗上正型液狀光阻劑 OFPR800, 500cp且乾燥後，經過曝光、顯影 工程，並以絕緣體形成在下部電極端部與上部電極爲交叉 的部分地，形成光阻罩幕。接著，用CF4對上述低介電正 接材料做乾式蝕刻，使之露出下部電極上的介電質。最後 剝離光阻。 進行用以上方法所製成的2 0個薄膜電容的通電檢查 。將結果標記於第1 0圖中。相對於比較例的薄膜電容不 良率爲70%來看，本發明的不良率爲〇%。 (實施例1 2 ) 第6圖是本發明之一例的薄膜電容的斷面圖。該薄膜 電容是利用以下方法所製成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在前述玻璃基板5上，將C I*成膜爲5 0 n m，更將 C u成膜爲5 0 0 n m ,且以此作爲銅電鍍給電用種膜。 在該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑PMER - N -C A 1 〇 〇 〇 (東京應化製），且用加熱板預先烘烤後， 經過曝光、顯影工程形成光阻罩幕。在該光阻開口部以1 A / d m的電流密度進行1 〇 // m電鍍銅。之後除去光阻 罩幕，以銅蝕刻液KOBURA蝕刻（荏原電產製）除去銅種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - 563142 A7 B7 五、發明説明（^ 膜。更用過錳酸系C r蝕刻液除去C r種膜，形成下部電 極2 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著阻隔層7是將C r利用濺鍍法形成5 0 n m。 接著，在前述下部電極上利用濺鍍法將T a 2 0 5成膜 爲5 0 0 nm的厚度。在該T a 2〇5上塗佈上正型液狀光 阻劑OFPR800，500cp (東京應化製），經過 乾燥、曝光、顯影工程而形成介電質的光阻罩幕。接著用 C F 4進行乾式蝕刻除去不用部分後，除去光阻罩幕，更將 不用部分的阻隔層用過錳酸系C I*蝕刻液進行蝕刻而形成 介電質層3。 接著利用旋塗法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( 曰立化成製），用加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯影工 程，在下部電極端部與上部電極的交叉部，以形成聚醯亞 胺的絕緣體地進行加工。令該聚醯亞胺在氮氣氛中進行 2 5 0 °C / 2小時硬化，形成1 0 # m的絕緣體6。 經濟部智惡財產局員工消費合作杜印製 接著，在自前述絕緣體及開口部露出的介電質層上， 用濺鍍法將Cr成膜爲50nm,更將Cu成膜爲500 nm,且以此作爲種膜。在該c u膜上旋塗上負型液狀光 阻劑PMER — N— CA1 000 (東京應化製），且用 加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯影工程而形成光阻罩幕 。在該光阻開口部以1 A / d m的電流密度進行1 〇 // m 電鑛銅。之後除去光阻罩幕，用銅蝕刻液KOBURA蝕刻（ 桂原電產製）除去銅種膜。更用過錳酸系C r蝕刻液除去 C r種膜，形成上部電極4。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) A4規格（210X297公釐） -24- 563142 A7 B7 五、發明説明（& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。相對於比較例的薄膜電容不良 率爲1 4/2 0來看，本發明的不良率爲〇/2 0。 (實施例1 3 ) 利用與實施例1 2同樣的方法製作薄膜電容。此時， 絕緣體是形成旋塗上苯環丁烯樹脂S AIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU製），進行預先烘烤後，經過曝光、顯影 工程，此時與實施例1 2同樣地，以苯環丁烯樹脂形成在 下部電極端部和上部電極的交叉部地進行加工。接著在氮 氣氛中進行2 5 0 °C / 1小時硬化，形成1 〇 β m m的絕 緣體。 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。相對於比較例的薄膜電容不良 率爲1 4/2 0來看，本發明的不良率爲0/2 0。 (實施例1 4 ) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 利用與實施例1 2同樣的方法製作薄膜電容。此時， 絕緣體是採用以下方法所製成的低介電正接材料，製作薄 膜電容。 將合成的1 , 2 —雙（乙烯基苯酚）乙烷爲3 0重量 部和環狀聚烯烴Zeonex480 (日本ΖΕΟΝ製）爲7 0重量部 、硬化觸媒PAHEKISIN25B爲0 · 3重量部的三種原料， 於二甲苯溶媒中以固形量爲3 8%地加以溶解製作成淸漆 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -25- 563142 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7五、發明説明（^ 〇 將該淸漆利用旋塗法加以塗佈，在加熱板上1 2 〇 °c / 2分鐘後，進行2 0 0 °c / 5分鐘的分級固化，形成 1 0 // m的絕緣體。在該絕緣體上旋塗上正型液狀光阻劑 〇F P R 8 0 0，5 0 0 c p且乾燥後，經過曝光、顯影 工程，並以低介電正接材料形成在下部電極端部與上部電 極的交叉部地，形成光阻罩幕。接著，用c F 4對上述低介 電正接材料做乾式蝕刻，使之露出下部電極上的介電質， 在交叉部形成絕緣體。 進行用以上方法製作的2 0個薄膜電容的通電檢查。 將結果標記於第1 0圖中。相對於比較例的薄膜電容不良 率爲1 4/2 0來看，本發明的不良率爲〇/2 0。 (實施例1 5 ) 第7圖是本發明之一例的電子電路零件的斷面圖。該 電子電路零件是利用以下方法所製成。在〇 · 5 mm厚的 無鹼性玻璃基板Ο A - 1 〇 (日本電氣玻璃子製）上，層 壓1 0 0 // m的噴砂淸理用薄膜光阻劑ODEIRU (東京應化 製），經過曝光、顯影工程而形成蝕刻用光阻。接著利用 微噴砂淸理法在玻璃基板5上形成貫通孔8。接著剝離光 阻薄膜，利用濺鍍法在玻璃基板第十圖的面及導孔內壁上 ，進行電鍍用種膜Cr : 50nm, Cu : 500nm的 成膜。在該Cu膜上層壓電鍍用薄膜光阻HN920 (曰 立化成製）後，進行曝光、顯影而形成電鍍光阻罩幕後， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 563142 A7 B7 五、發明説明（& 利用電鍍c U形成導孔內部的導通層9。接著剝離光阻， 並剝離電鍍種膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該基板上利用與實施例1相同的方法製作複數個電 容1 0。接著第十圖的面的保護層是旋塗上感光性聚醯亞 胺HD6000 (HDMS製），進行預先烘烤後，做曝 光、顯影而形成條紋盲線等，且進行2 5 0 °C / 1 h硬化 而形成第十圖的面的保護層11。 接著爲了在形成電容面的相反側形成電阻元件，利用 濺鍍法形成5 0 0 nm的T a N膜。在該T a N膜上旋塗 正型液狀光阻劑OFPR800, lOOcp,進行預先 烘烤後，做曝光、顯影而形成光阻圖案罩幕。使用罩幕對 丁 a N膜做C F 4乾式蝕刻。 接著剝離光阻，形成複數個電阻元件1 2。 經濟部智慈財產局g(工消费合作社印製 在形成該電阻元件的面上，進行電鍍用種膜C r : 50nm, Cu:500nm的成膜。在該Cu膜上旋塗 上負型液狀光阻劑PMER - N— CA 1 0 0 0 (東京應 化製），進行預先烘烤後，做曝光、顯影而形成電鍍光阻 罩幕後，利用電鍍C u形成1 0 // m的電鍍膜。最後剝離 光阻，並剝離電鍍種膜，形成連接在貫通孔和電阻元件的 配線1 3。 在形成該配線的第十圖的面上旋塗上感光性聚醯亞胺 感光性聚醯亞胺HD6000 (HDMS製），進行預先 烘烤後，做曝光、顯影而形成欲連接層間的開口部1 4 , 進行2 5 0 °C / 1 h硬化而形成層間絕緣層1 5。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -27- 563142 A7 _B7_ 五、發明説明（^ 爲了在該層間絕緣層第十圖的面形成感應器元件和配 線，進行電鍍用種膜Cr : 50nm，Cu : 50〇nm 的成膜。在該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑ρ μ E R -N - C A 1 Ο Ο 0 (東京應化製），進行預先烘烤後，做 曝光、顯影而形成電鍍光阻罩幕後，利用電鍍C u形成 1 0 // m的電鍍膜。最後剝離光阻，並剝離電鍍種膜，形 成複數個感應器元件16及配線。 在形成該感應器元件的面上旋塗上感光性聚醯亞胺感 光性聚醯亞胺HD6000 (HDMS製），進行預先烘 烤後，做曝光、顯影而形成欲連接層間的開口部1 4 ,進 行2 5 0 °C / 1 h硬化而形成層間絕緣層1 5。 爲了在該層間絕緣層第十圖的面形成外部電極用接點 17，進行電鍍用種膜Cr : 50nm，Cu : 500 n m的成膜。在該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑 PMER — N— CA1000 (東京應化製），進行預先 烘烤後，做曝光、顯影而形成電鍍光阻罩幕後，利用電鍍 C u形成1 〇 μ m的電鍍膜後作爲阻隔層，更形成2 // m 的鎳電鍍膜。最後剝離光阻，並剝離電鍍種膜，形成複配 線及外部電極用接點1 7。 在形成該外部電極用接點1 7的面上旋塗上感光性聚 醯亞胺感光性聚醯亞胺HD6000 (HDMS製），進 行預先烘烤後，做曝光、顯影而形成供形成外部電極的開 口部，進行2 5 0 °C/lh硬化而形成第十圖的面保護層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慈財產局W工消費合作社印製 -28- 563142 A7 B7__ 五、發明説明（^6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對上述外部電極用接點第十圖的面施行無電解鍍金處 理後，將焊料的焊劑利用金屬罩幕塗佈在所定部分後，配 列2 0 0 # m圓徑的無鉛焊球，利用圓滑熱處理形成外部 電極1 8。 最後用切割裝置切成單片化，製成電子電路零件。對 利用以上方法所製成的2 0個電子電路零件進行特性檢查 。將結果標記於第1 0圖中。不良率爲0/2 0。 (實施例1 6 ) 第8圖是本發明之一例的電子電路零件的斷面圖。該 電子電路零件是藉由以下的方法所製作的。 首先藉由於實施例2同樣的方法，在玻璃基板5上製 作複數個電容1 0。在此形成下部電極時，形成供結線的 配線1 3 ,而形成絕緣體6時，即形成欲將前述配線拉到 絕緣體上的開口部1 4，更於形成上部電極時，也同時形 成爲了結線的配線和複數個螺旋感應器1 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在形成該上部電極及螺旋感應器的面上，旋塗上苯環 丁嫌樹 旨 SAIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU 製）,且進行 預先烘烤後，經過曝光、顯影工程而形成連接層間用的開 口部作爲層間絕緣層1 5。接著在氮氣氛中進行2 5 0 °C / 1小時硬化，形成1 〇 /z m的層間絕緣層。 爲了在該層間絕緣層第十圖的面形成外部電極用接點 17，即進行電鍍用種膜Cr : 50nm, Cu : 500 n m的成膜。在該c u膜上旋塗上負型液狀光阻劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐) -29- 563142 A7 B7 五、發明説明（& (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) PMER—N-CA1000(東京應化製），且進行預 先烘烤後，做曝光、顯影形成電鍍光阻罩幕後，利用電鍍 c U形成1 〇 # m的電鍍膜後，作爲阻隔層而更形成2 // m的鎳電鍍膜。最後剝離光阻，且剝離電鍍種膜，形成 配線及外部電極用接點1 7。 在形成該配線及外部電極接地線1 7的面上，旋塗上 苯環丁燒樹且旨 SAIKUROTEN4026 ( DAUKEMIKARU 製），且 進行預先烘烤後，經過曝光、顯影工程而形成連接層間用 的開口部作爲第十圖的面保護層。接著在氮氣氛中進行 2 5 0 °C/1小時硬化，形成1 〇 //m的第十圖的面保護 層1 1。 對上述外部電極用接點17第十圖的面，施以無電解 鍍金處理後，將焊劑利用金屬罩幕塗佈在所定的部分後， 配列2 0 0 // m球徑的無鉛焊球，利用圓滑熱處理形成外 部電極1 8。 經濟部智慧財產局Μ工消赀合作社印製 最後用切割裝置切成單片化，製成電子電路零件。對 利用以上方法所製成的2 0個電子電路零件進行特性檢查 。將結果標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 (實施例1 7 ) 第9圖是本發明之一例的電子電路零件的斷面圖。該 電子電路零件是利用以下的方法製成的。在0 · 5 m m厚 的無鹼性玻璃基板◦ A _ 1 0 (日本電氣玻璃製）上，層 壓1 0 0 // m的噴砂淸理用薄膜光阻劑〇D E I R U (東 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -30- 563142 A7 B7 五、發明説明（ 京應化製），經過曝光、顯影工程而形成蝕刻用光阻。著 接利用微噴砂淸理法，在玻璃基板5上形成貫通孔8。接 著剝離光阻薄膜，利用濺鍍法在玻璃基板第十圖的面及導 孔內壁，進行電鍍用種膜Ci* : 50nm, Cu : 500 n m的成膜。在該C u膜上層壓電鑛用薄膜光阻 HN9 2 0 (日立化成製）後，曝光、顯影而形成電鑛光 阻罩幕後，利用電鍍C u形成導孔內部的導通層9。接著 剝離光阻，且剝離電鍍種膜。 在該基板上利用與實施例3相同的方法，製成複數個 電容1 0。在此形成下部電極時，形成供結線的配線1 3 ，而形成絕緣體6時，即形成欲將前述配線拉到絕緣體上 的開口部1 4，更於形成上部電極時，也同時形成供結線 的配線1 3和複數個螺旋感應器1 6。 在形成該上部電極、配線、螺旋感應器的面上製作層 間絕緣層1 5，即使用低介電正接材料利用以下的方法製 成層間絕緣層1 5。 將合成的1 , 2 -雙（乙烯基苯酚）乙烷爲3 0重量 部和環狀聚烯烴Zeonex480 (日本ΖΕΟΝ製）爲7 0重量部 、硬化觸媒PAHEKISIN25B爲〇 · 3重量部的三種原料， 於二甲苯溶媒中以固形量爲3 8 %地加以溶解製作成淸漆 〇 將該淸漆利用旋塗法加以塗佈，在加熱板上1 2 0 °C / 2分鐘後，進行2 0 0 t/ 5分鐘的分級固化，形成 1 0 /z m的絕緣體。在該絕緣體上旋塗上正型液狀光阻劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4

，1T 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -31 - 563142 A7 B7 五、發明説明（^ OFPR800, 500cp且乾燥後，經過曝光、顯影 工程，並形成欲層間連接的開口部來形成光阻罩幕。接著 ，用C F 4對上述低介電正接材料做乾式蝕刻，形成開口部 1 4。最後剝離光阻。 在該層間絕緣層上爲了形成電阻元件，利用5 0 0 nm濺鍍法形成T a N膜。在該T a N膜上旋塗上正型液 狀光阻劑〇F P R 8 0 0 , 1 0 0 c p ,進行預先烘烤後 ，做曝光、顯影而形成光阻圖案罩幕。使用該罩幕對 T a N膜進行C F 4乾式蝕刻。接著剝離光阻，形成複數個 電阻元件1 2。 在形成該電阻元件的面上，進行電鍍用種膜C r : 5〇nm， Cu:500nm的成膜。在該Cu膜上旋塗 上負型液狀光阻劑PMER — N— CA 1 0 0 0 (東京應 化製），進行預先烘烤後，做曝光、顯影而形成電鍍光阻 罩幕後，利用電鍍C u形成1 〇 // m的電鍍膜。最後剝離 光阻，且剝離電鍍種膜，介著層間絕緣層開口部連接在上 部電極、螺旋感應器上，且形成連接在電阻元件的配線 13° 在形成該配線的第十圖的面，運用於上述同樣的方法 ，使用低電容率材料形成第十圖的面的保護層1 1。 在與形成該第十圖的面的保護層1的面相反的面，m 了形成配線1 3和外部電極用接點1 7 ,進行電鍍用種膜 Cr : 50nm, Cu : 500nm的成膜。在該 Cu 膜 上旋塗上負型液狀光阻劑PMER — N— CA 1 〇 〇 〇 ( 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 563142 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 東京應化製），進行預先烘烤後，做曝光、顯影而形成電 鍍光阻罩幕後，利用電鍍c u形成1 0 # m的電鍍膜後， 作爲阻隔層而更形成2 /z m的鎳電鍍膜。最後剝離光阻， 且剝離電鍍種膜，形成配線1 3和外部電極用接點1 7。 在形成該配線1 3和外部電極用接點1 7的面上旋塗 上感光性聚醯亞胺感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製），且進行預先烘烤後，做曝光、顯影而形成 欲形成外部電極的開口部，且進行2 5 0 t/ 1 h硬化， 形成第十圖的面的保護層1 1。 對上述外部電極用接點第十圖的面施以無電解鍍金處 理後，將焊劑利用金屬罩幕塗佈在所定的部分後，配列 2 0 0 // m球徑的無鉛焊球，利用圓滑熱處理形成外部電 極1 8。 最後使用切割裝置進行個片製成電子電路零件。進行 用以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 (實施例1 8 ) 用與實施例1 5同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例4的方法製作電容。進行用 以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結果 標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 (實施例1 9 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 563142 A7 B7 五、發明説明（、 用與實施例1 6同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例5的方法製作電容。進行用 以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結果 標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 (實施例2 0 ) 用與實施例1 7同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例6的方法製作電容。進行用 以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結果 標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 (實施例2 1 ) 用與實施例1 5同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例9的方法製作電容。進行用 以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢査。將結果 標記於第1 0圖中。不良率爲0/2 0。 (實施例2 2 ) 用與實施例1 6同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例1 0的方法製作電容。進行 用以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第1 0圖中。不良率爲0/20。 (實施例2 3 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 嬅_ 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -34- 563142 A7 B7 五、發明説明（^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用與實施例1 7同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例11的方法製作電容。進行 用以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第1 〇圖中。不良率爲〇/2 〇。 (實施例2 4 ) 用與實施例1 5同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例12的方法製作電容。進行 用以上方法製作的2 0個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第10圖中。不良率爲〇/2〇。 (實施例2 5 ) 用與實施例1 6同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例13的方法製作電容。進行 用以上方法製作的2 〇個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第1 〇圖中。不良率爲〇/2 〇。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 (實施例2 6 ) 用與實施例1 7同樣的方法製作電子電路零件。在此 製作複數個電容時，用實施例1 4的方法製作電容。進行 用以上方法製作的2 〇個電子電路零件的特性檢查。將結 果標記於第1 〇圖中。不良率爲〇/2 〇。 (比較例1 ) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨0'〆297公釐） -35- 563142 A7 B7__ 五、發明説明（^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用以下方法製成比較例方面的薄膜電容。在玻璃基 板上用濺鍍法將C r成膜爲5 0 n m，更將C U成膜爲 5 0 0 nm，且以此作爲鍍銅給電用種膜。在該c u膜上 旋塗上負型液狀光阻劑PMER — N— CA 1 〇 〇 〇 (東 京應化製），且用加熱板預先烘烤後，經過曝光、顯影工 程而形成光阻罩幕。在該光阻開口部以1 A / d m的電流 密度，進行10#m電鍍銅。之後除去光阻罩幕，且用銅 蝕刻液KOBURA蝕刻（荏原電產製）除去銅種膜。更用過 錳酸系C r蝕刻液，除去C I*種膜，形成下部電極。 接著利用濺鍍法形成5 0 n m的C r作爲阻隔膜。 接著在前述下部電極上利用濺鍍法將T a 2 0 5成膜爲 5 0 0 nm的厚度。在該T a 2〇5上旋塗上正型液狀光阻 劑OFPR800，500cp (東京應化製），經過乾 燥、曝光、顯影工程而形成介電質的光阻罩幕。接著用 CF4進行乾式蝕刻，除去不用部分後，除去光阻罩幕，更 將不用部分的阻隔層進行過錳酸系C r蝕刻液蝕刻而形成 介電質層。 經濟部智慧財產笱8工消費合作社印製 接著，在前述介電質層上利用濺鍍法，將Cr成膜爲 50nm,更將Cu成膜爲500nm,且以此作爲種膜 。在該C u膜上旋塗上負型液狀光阻劑Ρ Η E且—N — C A 1 0 0 0 (東京應化製），用加熱板預先烘烤後，經 過曝光、顯影工程，形成光阻罩幕。在該光阻開口部以1 A / d m的電流密度，進行1 0 // m銅電鍍。之後除去光 阻罩幕，且用銅蝕刻液KOBURA蝕刻（荏原電產製）除去 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 563142 A7 B7 五、發明説明（女 實施例的電子電路零件的斷面模式圖。 第5 — 1 、5 - 2 — a、5 — 2 — b圖是本發明之一 實施例的電子電路零件的斷面模式圖。 第6圖是本發明之一實施例的電子電路零件的斷面模 式圖。 第7圖是本發明之一實施例的電子電路零件的斷面模 式圖。 第8圖是本發明之一實施例的電子電路零件的斷面模 式圖。 第9圖是本發明之一實施例的電子電路零件的斷面模 式圖。 第10圖是表示各自指令不良率的圖表。 〔符號說明〕 2 :下部電極 3 :介電質層 4 :上部電路 5 :玻璃基板 6 :絕緣體 7 :阻隔層 8 :貫通孔 9 :導通層 1 0 :電容 11:第十圖的面保護層 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-38- 563142 A7 B7 五、發明説明（“ 1 2 :電阻元件 1 3 :配線 1 4 :開口部 15:層間絕緣層 16:感應器元件 1 7 :外部電極用接點 18:外部電極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財1局S工消资合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39-

Claims (1)

1. 563142 A8 B8 C3 D8 六、申請專利範圍 3 ~~ 1 1 ·如申請專利範圍第2項或第4項所述的薄膜電 容，其中，前述阻隔層爲鉻。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 ·如申請專利範圍第2項或第4項所述的薄膜電 容，其中，前述下部電極、前述介電質層、前述阻隔層的 厚度關係爲下部電極>介電質層>阻隔層。 1 3 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，前述下部電極、前述絕緣體的厚度關 係爲絕緣體 > 下部電極。 1 4 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，前述下部電極、前述上部電極的厚度 爲3 // m以上。 1 5 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，前述介電質和前述絕緣體是用同一有 機材料，厚度關係爲介電質 < 絕緣體。 1 6 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，保護前述下部電極端部部分的材質和 前述絕緣體爲同一有機材料^ 經濟部智S財產局員X消旁合作社印製 1 7 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，前述介電質的電容率和前述絕緣體的 電容率爲介電質^絕緣體。 1 8 .如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電谷，其中，前述介電質的面積、前述下部電極的 面積、前述絕緣體的下部電極上開口部的面積和前述上部 電極的面積爲介電質-下部電極 > 絕緣體的下部電極上開 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） -3 - 563142 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 4 口部〉上部電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9 ·如申請專利範圍第1項至第4項的任一項所述 的薄膜電容，其中，前述介電質的厚度和前述絕緣體的厚 度爲絕緣體 > 介電質。 2 0 · —種電子電路零件，其特徵爲： 具有在所定位置設有複數個貫通孔的基板、 和形成在其單側或兩側的一個或複數個電容元件、感 應器元件及電阻元件、 和設在供導竃連接基板兩側的前述基板的貫通孔內部 的導體部、 和供導電連接前述電容元件、感應器元件、電阻元件 及導體部的配線、 和供令前述元件及配線間絕緣的層間絕緣層、 和供輸出入電子信號的外部電極； 且具有前述電容元件、前述感應器元件和前述電阻元 件介著前述層間絕緣層而積層，前述電容元件的至少一個 形成在所定面的下部電極、 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 和形成在前述下部電極上的介電質層、 和形成在前述介電質層上的上部電極； 且前述下部電極的端部是用前述介電質層以外的絕緣 體被覆的。 2 1 · —種電子電路零件，其特徵爲： 具有在所定位置設有複數個貫通孔的基板、 和形成在其單側或兩側的一個或複數個電容元件、感 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -4 - ABCD 563142 六、申請專利範圍 5 應器元件及電阻元件、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 和設在供導電連接基板兩側的前述基板的貫通孔內部 的導體部、 和供導電連接前述電容元件、感應器元件、電阻元件 及導體部的配線、 和供令前述元件及配線間絕緣的層間絕緣層、 和供輸出入電子信號的外部電極； 且具有前述電容元件、前述感應器元件和前述電阻元 件介著前述層間絕緣層而積層，前述電容元件的至少一個 形成在所定面的下部電極、 和形成在前述下部電極上的介電質層、 和形成在前述介電質層上的上部電極； 且前述下部電極的端部是用前述介電質層以外的絕緣 體被覆的，並且在前述介電質層和前述下部電極之間形成 阻隔層。 2 2 . —種電子電路零件，其特徵爲： 具有在所定位置設有複數個貫通孔的基板、 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 和形成在其單側或兩側的一個或複數個電容元件、感 應器元件及電阻元件、 和設在供導電連接基板兩側的前述基板的貫通孔內部 的導體部、 和供導電連接前述電容元件、感應器元件、電阻元件 及導體部的配線、 和供令前述元件及配線間絕緣的層間絕緣層、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 563142 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 和供輸出入電子信號的外部電極； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 且具有前述電容元件、前述感應器元件和前述電阻元 件介著前述層間絕緣層而積層，前述電容元件的至少一個 形成在所定面的下部電極、 和形成在前述下部電極上的介電質層、 和形成在前述介電質層上的上部電極； 且在前述下部電極的端部與前述上部電極的一部分爲 交叉的部分的下部電極和上部電極之間，形成前述介電質 層以外的絕緣體。 2 3 · —種電子電路零件，其特徵爲： 具有在所定位置設有複數個貫通孔的基板、 和形成在其單側或兩側的一個或複數個電容元件、感 應器元件及電阻元件、 和設在供導電連接基板兩側的前述基板的貫通孔內部 的導體部、 和供導電連接前述電容元件、感應器元件、電阻元件 及導體部的配線、 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 和供令前述元件及配線間絕緣的層間絕緣層、 和供輸出入電子信號的外部電極； 且具有前述電容元件、前述感應器元件和前述電阻元 件介著前述層間絕緣層而積層，前述電容元件的至少一個 形成在所定面的下部電極、 和形成在前述下部電極上的介電質層、 和形成在前述介電質層上的上部電極； 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 563142 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 且在前述下部電極的端部與前述上部電極的一部分爲 交叉的部分的下部電極和上部電極之間，形成前述介電質 層以外的絕緣體，並且在前述介電質層和前述下部電極之 間形成阻隔層。 2 4 · —種無線端末裝置，其特徵爲··使用如申請專 利範圍第2 0項至第2 3項的任一項所述的電子電路零件 0 2 5 · —種無線基地局裝置，其特徵爲：使用如申請 專利範圍第2 0瑱至第2 3項的任一項所述的電子電路零 件。 2 6 · —種無線計測裝置，其特徵爲：使用如申請專 利範圍第2 0項至第2 3項的任一項所述的電子電路零件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} *1T 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印製 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS)M現格（210x297公釐）