TW577190B - Internal power supply for an integrated circuit having a temperature compensated reference voltage generator - Google Patents

Description

577190 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1. 發明範疇 本發明係屬於半導體裝置，更特別者係屬於在半導體内 之内部參考電壓產生器及一内部電源供應器電壓產生器。 2. 相關技術的說明 傳統之半導體裝置，特別是在半導體記憶體裝置中，為 了提供穩定，低功率操作，由一外部電源電壓來產生一内 部電源供應器電壓且使用來用於做為晶片上每一電路之電 源供應器電源。於半導體裝置言，一電晶體内之電流按照 溫度之變化而變動且因之電路之性能具有電晶體波動，舉 例如，當溫度增加時，在強反轉時，電晶體之載體遷移率 降低，因此減低了電流且減低了電路操作速度。 為了減低此種由溫度變化所造成之半導體裝置之性能上 之波動，一傳統之内部電源供應器可包括有一在一較高溫 度上有一增加時增加其輸出供應電壓之特徵，藉此增加流 經晶片電晶體之電流，及在一較低溫度上將輸出供應電壓 予以減低，並伴有減低之電流。如此，電晶體之電流可保 持在定值且與溫度之變化無關。 此種方式之一為已使用之一按照溫度來變化内部電源供 應器電壓之帶-隙參考產生器。圖1顯示一傳統之帶-隙參 考產生器，其中將一參考電壓VREF提供至一用於產生一 内部電源供應器電壓之電路。圖1中所示之帶-隙參考產生 器能在一晶片上獨斷收調整及控制參考裝置之一溫度係數 且因之能如同一溫度之函數般來變動參考電壓之值。缺點 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（2 ) 為，參考電壓VREF之變化可能較一外部電源供應器電壓 EVDD正常之變動明顯的為大。 在一替代之方式中為如以上討論不使用一參考電壓變 動，而使用一補助金屬氧化半導體（CMOS)參考電壓產生 器來替代一帶-隙參考產生器以提供與外部電源供應器變 化成獨立之穩定之電壓操作。圖2顯示一此種傳統之 CMOS參考電壓產生器。圖2所示之CMOS參考電壓產生器 不受外部電源供應器上變動之影響且具有一穩定之操作但 缺點為在結合之電路内不能獨斷的控制溫度之相關性。 圖3顯示一傳統之内部電源供應器電壓產生器之一電路 圖。參考圖3，傳統之内部電源供應器電壓產生器包括一 用於接收一參考電壓VREF且產生一内部參考電壓VREFP 之内部參考電壓產生器31，一用於將一内部參考電壓 VREFP與一内部電源供應器電壓IVDD比較之比較器3 3， 及一用於接收一外部電源供應器電壓EVDD以便產生且輸 出内部電源供應器電壓IVDD之驅動器35。參考電壓為一 可由示於圖1之帶隙參考產生器或示於圖2之CMOS參考電 壓產生器來導出之電壓。内部參考電壓產生器31包括一差 動放大器31a，一第一電阻R1及一第二電阻R2。内部參 考電壓產生器3 1按照電阻R 1及R 2之電阻值之比值及參考 電壓VREF來產生内部參考電壓VREFP。内部參考電壓 VREFP由以下公式決定： VREFP = VREF(1+R1/R2) [1] 且不受製造製程及溫度之影響。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 577190 A7 B7 五、發明説明（3 ) 由於前述傳統之内部電源供應器電壓產生器不受溫度之 影響，内部參考電壓VREFP值不能由溫度上之變化來控 制。其結果為内部電源供應器電壓IVDD值亦不能按照溫 度上之變化來控制。 發明概要 為解決上述問題，本發明之一具體實施例之第一特徵為 在一半導體裝置内提供一内部電源供應器電壓產生器，該 產生器按照溫度上之變化來控制内部參考電壓之值。 本發明之一具體實施例之第二特徵為在一半導體内提供 一内部電源供應器電壓產生器，該產生器按照溫度上之變 化來控制一内部電源供應器電壓。 本發明之一具體實施例之第三特徵為提供一包括一用於 將一輸入參考電壓來除以便在分壓器之一輸出節點上產生 一溫度補償之輸出電壓之溫度補償參考分壓器之溫度補償 參考電壓產生器。 按照本發明之一第一具體實施例為實施第一特徵在一半 導體裝置内之一内部參考電壓產生器最好包括一用於將一 輸入至差動放大器之第一輸入端子内之第一參考電壓及將 一輸入至第一差動放大器之一第二輸入端子内之輸入電壓 予以差動放大以便將一内部參考電壓輸出至第一差動放大 器之一輸出端子之第一差動放大器；一連接在第一差動放 大器之輸出端子與第一差動放大器之輸入端子之間之第一 電阻；及一連接在一第二參考電壓與第一差動放大器之第 二輸入端子之間之第二電阻，第一及第二電阻形成一第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（4 ) 分壓器，第一電阻之阻抗值最好按照溫度上之變化動態的 由一電壓來變動。由於可變阻抗裝置為一般使用一主動裝 置來執行，故最好第一電阻包括一個或多個之PMOS電晶 體，該PMOS電晶體之閘極由按照溫度而變化之電壓來控 制。 按照本發明之第二具體實施例為實施第一特徵，在一半 導體裝置内之一内部參考電壓產生器最好包括一用於將一 輸入至第一差動放大器之一第一輸入端子之第一參考電壓 與一輸入至第一差動放大器之第二輸入端子之輸入電壓予 以差動放大以便對第一差動放大器之一輸出端子輸出一内 部參考電壓之第一差動放大器；一連接至差動放大器之/輸 出端子與第一差動放大器之第二輸入端子之間之第一電 阻；及一連接至第二參考電壓與第一差動放大器之第二輸 入端子之間之第二電阻，第一及第二電阻形成一第一分電 器。第一電壓之阻抗值最好由一按照溫度上之變化而變動 之一電壓來動態的變動。 最好第二電阻由一個或多個NMOS電晶體組成且NMOS 電晶體之閘極之電壓按照溫度來變化。最好内部參考電壓 產生器進一步包括一為按照溫度上之變化而變動用於產生 參考電壓之溫度補償可變電壓產生器。 並且最好，溫度補償可變電壓產生器亦包括一將輸入至 第二差動放大器之一第一輸入端子之一第三參考電壓及將 輸入至第三差動放大器之一第二輸入端子之一電壓差動放 大以便將第二差動放大器之一輸出端子輸出一輸出電壓之 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A7 B7 五、 發明説明 ( 5 ) 第 二 差 動放 大 器 ，一連接在第二差 動放大器之輸出端 子與 第 二 差 重々放 大 器 之第二輸入端子之 間之第三電阻，一 連接 在 第 二 參考 電 壓 與差動放大器之第 二輸入端子之間之 第 四 電 阻 及一 用 於對差動放大器之輸 出電壓及第三參考 電 壓 做 響 應 產生按 昭 溫度來變化而變化 之電壓之可變電壓 產 生 器 〇 第 三及 第 四 電阻形成一第二分, 壓器。 按 昭 本發 明 之 一第三具體實施例 為實施第二特徵， 一 半 導 體 裝 置内 之 一 内部電源供應器電 壓產生器最好包括 一 用 於產 生 一按 昭 溫 度變化而變化内部 參考電壓之内部參考 電 壓 產 生 器， 一 用 於將内部參考電壓 與一内部電源供應 器 電 壓 相 比 較之 比 較 器；及一用於接收 一外部電源供應器 電 壓 以 便對 比較 器 之 一輸出信號做響應 而輸出内部供應器 電 壓 之 驅 動 器。 按 昭 本發 明 之 一第四具體實施例 為實施第三特徵， 提供 有 具有 溫度補 償 分壓器之溫度補償 參考電壓產生器。 其 中 溫 度 補 償之 參考 分壓器最好包括至 少一具有一顯示一 正 溫 度係 數之第 一 輸 出阻抗之第一電子 元件及至少一具有 一 顯 示 一 負 溫度係 數之第二輸出阻抗之 第二電子元件，將 第 一 及 第 二 電子 元 件合併使得在溫度補 償之輸出上之變化 為 一 溫 度 上 變化 之 一 函數。第一電子元 件可為一 PMOS電 晶 體 及 第 二 電阻 元 件 可為一 NMOS電晶 體。此一情況時PMOS 電 晶 體 應在 一 弱 反轉區域内操作及NIOS電晶體應在 一 強 反轉 區 域内 操 作 。在第四具體實施例中溫度補償之輸 出 電 壓 為 不 是直 接 比 ^例於溫度上之變化就是反比於溫度 之 變 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（6 ) 本發明另外之特徵由本發明之第五具體實施例即提供一 溫度補償電源供應器來實施：其包括一為由至少二個參考 電壓產生之溫度補償之參考電壓及一用於在溫度補償之參 考電壓控制下自一輸入電壓產生一輸出電壓之調整之元件 及其特徵為在溫度增加時輸出電壓上升及在溫度減低時輸 出電壓下降。替代的，在本發明之一第六具體實施例中， 溫度增加時輸出電壓下降及溫度減低時輸出電壓上升。 最好，第五及第六具體實施例中，至少二個參考電壓之 一個為一溫度播償之參考電壓。 最好，該溫度補償之參考電壓為使用至少一電阻在一弱 反轉區域内操作及使用至少一電阻在一強反轉區域内操作 來產生者。在某些情況，二個參考電壓為約相同或相同。 本發明之這些或其他特徵對熟於此一技藝之上在閱讀以 下詳細說明及將獲得了解。 圖式簡單說明 本發明之上述特徵及優點可藉詳細所述之具體實施例配 合參考所附之圖式將更為明暸，其中： 圖1顯示一傳綵之帶-隙參考產生器之一電路圖； 圖2顯示一傳統之CMOS參考電壓產生器之一電路圖； 圖3顯示一傳統之内部電源供應器電壓產生器之一電路 圖； 圖4顯示一按照本發明之一第一具體實施例之一内部參 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 五、發明説明（7 ) 考電壓產生器之電路圖； 圖5顯示在一傳統之雷曰赚 η 4 、 曰植内不出電流對應閘極電壓之 變動及溫度之一繪圖； Η丄电Κ 圖6顯示按照本發明乏—哲 , + 艾矛二具體實施例之一内部參考 私壓產生為<一電路圖； 圖7顯示按照本發明之一笛一 ^^ 弟二具體實施例之一内部參考 包昼產生為足一電路圖； 圖8顯示按照本發明之一筮 m… ^ 弟四具體實施例之一内部參考 私壓產生為 < 一電路圖；及 ^顯。示按照本發明使用—按照本發明之—内部參考電 &產生态之-内邵電源供應器電壓產生器之—電路圖。 發明詳細說明 本發明為韓时财請N。G1_3976Q建檔於⑴日綱 内 生 年及名稱為”按照溫度變動能控制内部參考電壓之值之 邵參考電壓產生器及包括相同之内部電源供應器電壓產 器’’，以提及方式併入本文。 予 明 本發明以下就發明所選之具體實例併同參考所附圖式 以全面說明之。之後’藉對本發明所選具體實施例之說明 利用參考所附之圖式以詳細方式來加以說明。相同參考之 號碼在全部之圖式中適用於相同之元件。 圖4顯示一按照本發明之一第一具體實施例之—内部 考電壓產生器之-舉例之電路圖。參見圖4,内部參考 壓產生器最好包括一差動放大器41，—電阻尺2，一做為 —電阻用之PMOS電晶體P4 ’及一溫度_有關之可變電壓 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（8 ) 產生器43，電阻R2與PMOS電晶體P 4合併形成一電阻性 分壓器。 差動放大器41將一輸入至一第一輸入端子II内之第一 參考電壓VREF1及將一輸入至一第二輸入端子12内之輸入 電壓VIN差動放大器及將一參考電壓VREFP輸出至一輸出 端子Ο 1。差動放大器4 1為一傳統之負反饋型差動放大器 及可包括經P3之PMOS電晶體P1及經N3之NMOS電晶體 N1。電阻R2連接在一為一按地電壓VSS之第二參考電壓 與差動放大器41之第二輸入端子12之間。PMOS電晶體P4 連接在41之輸出端子01與差動放大器41之第二輸入端子 I 2之間。將溫度-相關之可變電壓產生器4 3之一可變輸出 電壓VTEMP加至PMOS電晶體P 4之閘極上。 溫度-相關之可變電壓產生器4 3接收一第三參考電壓 VREF2產生按照溫度變化而變動之可變輸出電壓VTEMP ，因之改變PMOS電晶體P 4之等效電阻/阻抗。第三參考 電壓VREF2可為與第一參考電壓VREF1相同或不同。溫 度-相關之可變電壓產生器43最好包括一差動放大器 4 3 a，一做為一電阻用之PMOS電晶體P 1 0，一做為一另 一電阻用之PMOS電晶體P 1 1，及一可變電壓產生器 43b ° 差動放大器43a將一輸入至一第一輸入端子13内之第三 參考電壓VREF2及將一輸入至一第二輸入端子14内之電壓 差動放大器以便對一輸出端子0 2輸出一輸出電壓。差動 放大器4 3 a為一與差動放大器4 1相似之負反饋型差動放大 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（9 ) 器可包括經P7之PMOS電晶體P5及經N6之NMOS電晶體 N4。 做為一電阻用之PMOS電晶體P 1 0連接在差動放大器 43a之輸出端子02與差動放大器43a之第二輸入端子14之 間。PMOS電晶體P 1 0之閘極及汲極二者均連接至第二輸 入端子14。做為一電阻用之PMOS電晶體P 1 1連接在為一 接地電壓VSS之一第二參考電壓與差動放大器43a之第二 輸入端子I 4之間。PMOS電晶體P 1 1之一閘極及汲極連接 至接地電壓V S S。 如果PMOS電晶體P 1 0及PMOS電晶體P 1 1之大小及輸出 阻抗為相等。則輸出至差動放大器4 3 a之輸出端子0 2之電 壓為2xVREF2。由於PMOS電晶體P 1 0與PMOS電晶體P 1 1 為做成最佳之匹配且在一相同之環境下因此具有一相同之 熱特性，此種阻抗合併因之與製造處理步驟及溫度上之變 動無影響。可使用一對NM0S電晶體或一對電阻來代替 PMOS電晶體P 1 0及P 1 1則有相同之結果。 可變電壓產生器4 3 b產生為一按照溫度變化而變動之可 變輸出電壓VTEMP。此種溫度所做變化為受來自差動放 大器43a之輸出端子02之電壓輸出及第三參考電壓VREF2 影響而變化者。可變電壓產生器43b最好包括一 PMOS電 晶體P 8，一 PMOS電晶體P9，及一 NM0S電晶體N7。 PMOS電晶體P 8之源極連接至差動放大器4 3 a之輸出端 子02，及PMOS電晶體P 8之一閘極連接至PMOS電晶體P8 之汲極。PM0S電晶體P 9之一源極連接至PM0S電晶體P 8 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 之源極，及PMOS電晶體P 9之閘極及汲極二者連接至一輸 出可變輸出電壓VTEMP之一節點上。NMOS電晶體N 7之 一汲極連接至VTEMP節點，及第三參考電壓VREF2加至 NMOS電晶體N 7之閘極上，及接地電壓V S S加至NMOS電 晶體N 7之一源極上。 特別是，PMOS電晶體P 8及PMOS電晶體P 9設計成在一 弱反轉區域内操作。對此一目的，PMOS電晶體P 8及P 9之 W/L之一比值成增加及NMOS電晶體N7之W/L之一比值 成減低，此處W指一電晶體之一閘極之寬度，及L指一電 晶體之閘極之長度。替代的，可使用一 NMOS電晶體或一 電阻來代替PMOS電晶體P 8及P9。 圖5顯示一示出有在一傳統之電晶體中電流對應閘電壓 及溫度變動之繪圖。參見圖5，按照示於圖4之本發明之第 一具體實施例之内部參考電壓產生器之操作將詳予說明 之。 溫度相對於電流I d s之變動係根據門檻電壓V t h而有不 同。在一電壓V g s (—電晶體之一閘極與一源極間之電壓） 較門檻電壓V t h為小之情況，此即，在一弱反轉區域内， 電晶體之一導通電壓在溫度增加下變得較小，及因之電流 Ids變大。另一方面，在電壓Vgs較門檻電壓Vth為大， 此即，在一強反轉區域内，在溫度增加下載體之遷移率減 低，藉此減低電流I d s。弱反轉區域亦可謂為次門檻區 域。 如此，在如圖4所示按照本發明之第一具體實施例之内 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 577190 A7 B7 五、發明説明（11 ) 部參考電壓產生器，内部參考電壓VREFP之變動與所選實 施之使用電晶體之弱反轉特性之溫度變動一致。此即，如 上述，最好將可變電壓產生器43 b之PMOS電晶體P8及P9 設計成操作在具有PMOS電晶體P 8及P 9之電壓V g s按照溫 度來變化（此即，在一較高之電壓V g s成減低，在一較低 溫度電壓V g s成增加）之弱反轉區域内。這樣會造成可變 電壓產生器43b的可變輸出電壓VTEMP在較高溫時增加而 在較低溫時降低。結果，經一其自已之閘極接收可變輸出 電壓VTEMP之PMOS電晶體P4之等值電阻值為按照溫度來 變動。 同樣的，在溫度增加時，可變電壓產生器4 3 b之可變， 輸出電壓VTEMP增加，PMOS電晶體P 4之等效電阻值增 加，及内部參考電壓VREFP增加。另一方面，在溫度減低 時，可變電壓產生器43b之可變輸出電壓VTEMP減低， PMOS電晶體P 4之等效電阻值減低，及内部參考電壓 VREFP減低。 圖6顯示一按照本發明一第二具體實施例之内部參考電 壓產生器之一舉例之電路圖。參見圖6，内部參考電壓產 生器最好包括一差動放大器41，一電阻R2，一做為一電 阻用之PMOS電晶體P 4，及一溫度-相關之可變電壓產生 器4 3。本發明之第二具體實施例之内部參考電壓產生器進 一步包括一未在所示之第一具體實施例之電路之圖4出現 之電阻R 1。 差動放大器4 1，電阻R2，PMOS電晶體P4，及溫度-相 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 577190 A7 B7 五、發明説明（12 ) 關之可變電壓產生器4 3與第一具體實施例之電路中者相 同。電阻R1與PMOS電晶體P4在差動放大器41之輸出端 子〇 1 —第二輸入端子I 2之間成併聯連接，藉此限制R 1 -P 4合併後之最大阻抗值。 圖7顯示一本發明之第三具體實施例之一内部參考電壓 產生器之一舉例之電路圖。其包括一差動放大器41，一電 阻R 1，一做為一電阻用之NMOS電晶體N 8，及一溫度-相 關之可變電壓產生器4 3。差動放大器4 1及溫度-相關之可 變電壓產生器43與圖4所示之第一具體實施例之電路中者 相同。電阻R1連接在差動放大器41之一輸出端子01與一 第二輸入端子12之間。NMOS電晶體N8連接在差動放大器 4 1之第二輸入端子I 2與接地電壓V S S之間，及溫度-相關 之可變電壓產生器43之可變輸出電壓VTEMP加至NMOS電 晶體N 8之一閘極上。溫度·相關之可變電壓產生器按照溫 度上之變動及經可變輸出電壓VTEMP之NMOS電晶體N 8 之一等效電阻值之變動而變動。 圖8顯示一按照本發明之一第四具體實施例之一内部參 考電壓產生器之一舉例之電路圖，其包括一差動放大器 41，一電阻R1，一做為一電阻用之NMOS電晶體N8及一 溫度-相關之可變電壓產生器4 3。按照本發明之第四具體 實施例之内部參考電壓產生器進一步包括一未在圖7中所 示之第三具體實施例之電路中出現之電阻R 2。差動放大 器4 1，電阻R 1，NMOS電晶體N 8及溫度-相關之可變電壓 產生器43與示於圖7之第三具體實施例之電路中者相同。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A7 B7 五、發明説明（13 ) 電阻R2連接在差動放大器41之一第二輸入端子12與接地 電壓V S S之間。 按照第二至第四具體實施例之内部參考電壓產生器之操 作基本上與如圖4所示之第一具體實施例相同及其詳細說 明予以略去，各具體實施例間之差別為提供用於輸出參考 電壓上之特別之電阻性元件之不同。 圖9顯示按照本發明使用按照本發明之内部參考電壓產 生器之任一具體實施例之一内部電源供應器電壓產生器之 一電路圖。參見圖9，按照本發明之内部電源供應器電壓 產生器最好包括一内部參考電壓產生器100，一比較器 6 3，及一驅動器6 5。如先前討論，圖9中之内部電源供應 器之内部參考電壓產生器如圖9所示，可由二個分別之參 考電壓VREF1及VREF2或由一為一耦合至内部參考電壓產 生器之二個輸入節點之單一參考電壓來控制。 内部參考電壓產生器1 0 0為按照本發明之具體實施例1 -4中先前所述之内部參考電壓產生器之一個。内部參考電 壓產生器100最好在溫度增加時一内部參考電壓VREFP增 加且在溫度減低時減低内部參考電壓VREFP。比較器6 3 將内部參考電壓VREFP與一自驅動器6 5來之電源供應器 電壓IVDD相比較。驅動器6 5包括一 PMOS電晶體，對比 較器6 3之一輸出信號做響應接收一外部電源供應器電壓 EVDD及輸出内部供應器電壓IVDD。 如果溫度增加，内部參考電壓VREFP成增加，及内部電 源供應器電壓IVDD成增加。如果溫度減低，内部參考電 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 577190 A7 B7 五、發明説明（14 ) 壓VREFP減低及内部電源供應器電壓IVDD減低。 如以上所述，按照本發明之任何一内部參考電壓產生器 及内部電源供應器電壓產生器之具體實施按照溫度上之變 化而能變動内部電源供應器電壓之值以便減低半導體之特 性上之波動。此即，内部參考電壓產生器及内部電源供應 器電壓產生器在一較高之溫度能增加内部電源供應器電壓 之值藉此增加流經電晶體電路之電流。進一步，内部參考 電壓產生器及内部電源供應器電壓產生器較低之溫度則減 低内部電源供應器電壓之值，藉此減低電晶體電路之電 流。因此，電晶體電路中之電流就溫度之變動言可維持一 定值。同樣的，按照本發明之具體實施例之内部參考電壓 產生器及内部電源供應器電壓產生器可防法半導體及其特 性上由於溫度而致之影響。 此處就本發明所選之具體實施例且經使用特定之方式已 予以揭示，但這些僅為按一般方式及說明之思考來加以說 明者並非以限制為目的。同樣的，對於熟於此一技藝之士 應了解在不達背本發明陳述於以下申請專利範圍之精神及 範圍下在形式上及細部上是可以做出不同的變動來的。 圖式元件符號說明 31 内部參考電壓產生器 3 1a 差動放大器 3 3 比較器 3 5 驅動器 4 1 差動放大器 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 577190 A7 B7 五、發明説明（15 ) 4 3 溫度-相關之可變電壓產生器 4 3a 差動放大器 43b 可變電壓產生器 6 3 比較器 6 5 驅動器 1 00 内部參考電壓產生器 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. 577190 A8 B8 C8 ., D8 六、申請專利範圍 1. 一種在一半導體内之内部參考電壓產生器，包含： 一用於產生一溫度補償之電壓之溫度補償可變電壓產 生器； 一用於對一連接性耦合至第一差動放大器之第一輸入 之第一參考電壓與一連接性耦合至第一差動放大器之第 二輸入之第一反饋電壓之間之一電壓差予以放大以便輸 入一内部參考電壓之第一差動放大器； Φ 一用於響應溫度補償之電壓以產生及輸出一第一反饋 電壓之第一分壓器，該第一分壓器進一步包括： 一在該第一差動放大器之一輸出端子與第二輸入端 子之間連接性耦合之第一電阻性元件；及 一在該第一差動放大器之第二輸入端子與一第二參 考電壓之間連接性耦合之第二電阻性元件；及 且其中第一反饋電壓係視溫度補償電壓之大小而定。 2. 如申請專利範圍第1項之内部參考電壓產生器，其中第 一電阻性元件之一阻抗值為動態變動之阻抗值。

   3. 如申請專利範圍第1項之内部參考電壓產生器，其中第 一電阻性元件包含一電晶體；及 一連接性耦合至溫度補償之電壓之電晶體控制端子。 4. 如申請專利範圍第1項之内部參考電壓產生器，其中第 二電阻性元件之阻抗值為動態變動之阻抗值。 5. 如申請專利範圍第1項之内部參考電壓產生器，其中第 二電阻性元件包含一電晶體；及 一連接性耦合至溫度補償之電壓之電晶體控制端子。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A8 B8 C8 ., D8 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第1項之内部參考電壓產生器，其中溫 度補償可變電壓產生器進一步包含： 一用於對一連接性搞合至一第二差動放大器之一第一 輸入端子之第三參考電壓與連接性耦合至第二差動放大 器之一第二輸入端子之第二回饋電壓之間之一電壓差予 以放大以便輸出一輸出電壓之第二差動放大器； 一用於產生第二反饋電壓之第二分壓器進一步包含： 一連接性耦合至第二差動放大器之一輸出端子與第 二差動放大器之第二輸入端子之間之第三電阻元件； 一連接性耦合至第二差動放大器之一輸出端子與第 二差動放大器之第二輸入端子之間之第四電阻性元件；及 一用於將來自第二差動放大器之輸出電壓產生溫度補 償之電壓之可變電壓產生器。 7. 如申請專利範圍第6項之内部參考電壓產生器，其中第 三參考電壓與第一參考電壓相等。 8. 如申請專利範圍第6項之内部參考電壓產生器，其中第 二參考電壓為接地電壓r。 9. 如申請專利範圍第6項之内部參考電壓產生器，其中第 三及第四電阻性元件包含電晶體。 10. 如申請專利範圍第6項之内部參考電壓產生器，其中溫 度補償可變電壓產生器包含： 一第一電晶體，輸出電壓加至第一電晶體之一第一端 子，及第一電晶體之一閘極連接至第一電晶體之一第二 端子； -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 577190 A8 B8 C8 · D8 六、申請專利範圍 一第二電晶體，第二電晶體之一第一端子連接至第一 電晶體之第二端子，及第二電晶體之一第二端子及一閘 極二者連接至為一輸出溫度補償之電壓之輸出節點；及 一第三電晶體，第三電晶體之一第一端子連接至輸出 節點，第三參考電壓加至第三電晶體之一閘極，及第二 參考電壓加至第三電晶體之源極。 11. 如申請專利範圍第6項之内部參考電壓產生器，其中第 一及第二電晶體為PMOS電晶體及第三電晶體作為一 NMOS電晶體。 12. 如申請專利範圍第1 1項之内部參考電壓產生器，其中第 一及第二電晶體作為在一弱反轉區域内操作内及第三電 晶體在一強反轉區域内操作。 13. —種溫度補償參考電壓產生器，包含一用於除以一輸入 參考電壓以便在分壓器之一輸出節點上產生一溫度補償 之輸出電壓之溫度補償分壓器。 H.如申請專利範圍第1 3項之溫度補償參考電壓產生器，其 中溫度補償分壓器包含： 至少一具有一顯示一正溫度係數之第一輸出阻抗之第 一電子元件；及 至少一具有一顯示一負溫度係數之第二輸出阻抗之第 二電子元件； 第一及第二電子元件合併成使得在溫度補償之輸出電 壓上之一變化為溫度上變化之函數。 15.如申請專利範圍第1 4項之溫度補償參考電壓產生器，其 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 577190 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中 第 一電子元件為一 PMOS電晶體及第二電子元件為 一 NMOS電晶體。 16·如 中 請專利範圍第1 5項之溫度補償參考電壓產生器， 其 中 PMOS電晶體在一弱反轉區域内操作及NMOS電晶 體 在 一 強反轉區域内操作。 17·如 中 請專利範圍第1 4項之溫度補償參考電壓產生器， 其 中 在 溫度補償之輸出電壓上之變化為直接比例於溫度 上 之 一 變化。 18.如 中 請專利範圍第1 4項之溫度補償參考電壓產生器， 其 中 在 溫度補償之輸出電壓上之變化為反比於溫度上一 變 化 〇 19· 一 種 溫度補償電源供應器，包含： 一 溫度補償之參考電壓，其係產生自至少二參考 電 壓 y 及 -— 自一輸出電壓由溫度補償之參考電壓所控制而用 於 產 生 一輸出電壓之調整元件； 藉 此在溫度增加時輸出電壓上升及在溫度減低時輸 出 電 壓 下降。 20.如 中 請專利範圍第1 9項之溫度補償電源供應器，其中 至 少 二 個參考電壓之一個為一溫度補償之參考電壓。 21.如 中 請專利範圍第2 0項之溫度補償電源供應器，其中 溫 度 補 償之參考電壓為由使用至少一電晶體在一弱反轉 區 域 内 操作及使用至少一電晶體在一強反轉區域内操作 所 產 生 〇 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 六、申請專利範圍 22·如申睛專利範圍第i 9項之溫度補償電源供應器，其中二 個參考電壓為約相同或相同。 23. —種溫度補償電源供應器，包含·· 來自至少二個參考電壓而產生之溫度補償之參考電 壓；及 义禾自一由溫度補償之參考電壓所控之輸入電壓 而產生一輸出電壓之調整元件； 壓=在溫度增加時輸出電壓下降及溫度減低時輸出電 24.如申請專利範圍第23項之溫度補償電源供應器，並中至 少二個參考電壓之一個為一溫度補償之參考電壓。 &如申請專利範圍第24項之溫度補償電源供應器， 度補償之參考電Μ為由使用至少—個電晶體在—弱反^ 區域内操作及由使用至少—個電晶體在 ^ 操作而產生者。 涵反轉£域内 26.如申請專利範圍第23項之溫度補償電源供應$， 個參考電壓為約相同或相同。 ” Τ 一