TWI282913B - A method to predict and identify defocus wafers - Google Patents

Description

1282913 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明主要是有關於半導體晶圓的製程，且特別是有關 於一種基於半導體晶圓表面構形（T〇P〇graphy)的製程。 【先前技術】 在半導體晶圓廠中，在一曝光製程步驟裡，掃描裝置中 的曝光模組以電磁波在一焦點上對焦，此焦點聚焦於半導體 晶圓表面上。此掃描的晶圓表面應該要光滑平坦，以做掃描 裝置焦點平面或焦點的準確定位。化學機械研磨 Mechanical Planarizati〇n ; CMp)研磨晶圓表面，以在晶圓上 製造出光滑平坦的表面。 在化學機械研磨後，平坦的晶圓表面上，表面構形包括 較高構形特徵區域與微米之階高變化的較低構形特徵區 ^。當較高表面構形特徵（或較低表面構形特徵）出現的數 莖足^主導表面構形時，他們即會模糊聚焦點。會模糊聚焦 點的高度值稱為偏移值，亦稱為焦點偏移，亦可稱為聚焦點 偏移（Focus Spot Deviati〇n ; FSD)。曝光模組有—晶圓承載 台設定點（Wafer stage Set p〇int)，會根據聚焦點偏移進 整，以调整晶圓表面上的聚焦點進入焦距。 現在描述-決定聚焦點偏移的製程。首先，讀取一批 :Γ:ί面構形，並分析讀取的資料，以計算聚焦點偏移 “、·:偏移是相對高度量測’其中聚焦點會因為晶圓表面 形的尚度變化而4隹 ιλ ^ ^ ^ “、、。妾者，聚“、、點偏移設定一曝光模組 晶圓承載台設定點 遥此伊 又疋點。曝先杈組設定至晶圓承載台設定點， 1282913 θ調整來焦點的咼度’以正確地聚焦在晶圓組中連續的晶圓 上。因此，聚焦點偏移的量測決定一新的晶圓承載台設定 點。已調整至新設定點的曝光模組會處理多批晶圓組。然 而各批Ba圓組中可能有晶圓具有會使聚焦點失焦的實際表 面構形，甚至在曝光模組已調整至根據聚焦點偏移數量而設 的新晶圓承載台設定點後。晶圓組中的此種晶圓稱為失焦晶 圓。因此，失焦晶圓具有需根據晶圓承載台設定點處理的表 面2形，此晶圓承载台設定點的值與計算過的聚焦點偏移所 決定的晶圓承載台設定點的可行值不同。處理與同一批其他 曰曰圓相似的失焦晶圓會降低晶圓組的良率。因此，需要一發 明，以找出失焦晶圓並避免使用失焦的焦點來處理它。更進 步需要一發日月，能焦點已修正的焦點，動態地重新 调整晶圓承載台設定點，以處理失焦晶圓。 在本發明之前，晶圓表面構形是藉由相當精確的量測裝 置，稱為水平感測裝置（Level Sensor Apparatus ; LS)，來量 測。水平感測裝置量測每單位表面積的表面構形之最高點的 高度變化。根據-演算法’㈣水平感測裝置測量法計算聚 焦點偏移。計算的結果紀錄於聚焦點偏移的即時監控二 Time Monitor; RTM)製程控制圖。在本發明之前，需要多 製程控制圖。因為晶圓的製造包括連續平坦化層的堆叠，二 層堆疊的越厚，聚焦點偏移的值越大。因此，每一連^平坦 化層分別需要一即時監控製程控制圖作聚焦點偏移。、更: 者，沒有即時監控製程控制圖能設定單獨準則，來 出失焦晶圓。 承載台設定點 在曝光模組中，其晶圓 是根據下述的製程 1282913 決定。首先，使用水平感測裝置測量法量測第一批晶圓组中 的晶圓表面構形。其次，利用統計學，得到表面構形的統計 學數據。分析統計學數據，以計算聚焦點偏移。製程控制圖 隨著聚焦點偏移更新。接著，調整曝光模組至聚焦點偏移所 決定的晶圓承載台設定點。隨後，已調整至新晶圓承載台設 定點的曝光模組開始處理這批晶圓組。 在曝光模組處理下一批接續而來的晶圓組前，新的水平 感測裝置測量法量測其表面構形’以得到新的聚焦點偏移， 來更新製程控制圖。在此方法中’當每批晶圓表面構形因為 每批的製程不同而改變時，曝光模組都會被調整至新的晶圓 承載台設定點。因此，每批的曝光模組都要調整至晶圓表面 構形中的變化。現㈣統的—個缺點就是，—批晶圓中的一 個或更多個晶圓為失焦晶圓，它們具有較大的聚焦點偏移， 而無法用新的晶圓承載台設定點補償。若能在曝光模組處理 失焦晶圓前先找出它們是較好的。隨後，可利用修正過的晶 圓豕載σ π又疋點重新凋整曝光模組，此晶圓承載台設定點會 聚焦：失焦晶圓上。藉著重新調整晶圓承載台設定點來處理 失焦晶圓，晶圓組的生產良率便會得到提昇。 【發明内容】 本發明是一動態聚焦點偏移的方法，藉由一新的演算 ，’可為掃描H，例如12，，ΑΤ雙階（Twin_stage)或三階掃描 y準確得至J亦即找出一失焦晶圓。此方法藉由得到—晶 圓承載ο δ又疋點與基於晶圓表面構形之實際量測的一已修 正的晶圓承載台設定點的差，來找出失焦晶圓。 1282913

根據本I aH 〜 ’一種找出失焦晶圓的方法，至少包括但並 个I良於如 V •驟。首先，藉由讀取一第一晶圓組中各晶圓 之一表面構开彡隹* ,^ ^ 收集負料。其次，從資料計算一聚焦點偏移， 愒移對應於一高度，此高度會使表面構形散焦一曝 九模組之一枣隹咖 、 著 Λ “、、^。以聚焦點偏移更新一製程控制圖。接 :’轉換聚焦點偏移至—對應的、曝光模組設定成的晶圓承 g°心點’以聚焦聚焦點於目前的晶圓組中之各晶圓上。 ::在目刖的晶圓組之各晶圓中找出一失焦晶圓，此失焦 曰曰圓就疋即使曝光模組已設定至與聚焦點偏移符合之晶圓 承載口 5又定點，仍會散焦該聚焦點之一表面構形的一晶圓。 此方法的一優點是不會漏失失焦晶圓。另一優點是此方 法可找出大量的失焦晶圓。又一優點是此方法可預防失焦晶 圓造成處理連續晶圓組的低良率。再一優點是此方法可減少 一基材上各連續層使用之分開的即時監控製程控制圖。 根據本發明之一實施例，此方法更包括重設此曝光模組 至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚焦聚焦點於此失焦晶 圓上。 根據本發明又一實施例，此方法更包括由重設至已修正 的晶圓承載台設定點的曝光模組曝光失焦晶圓的表面構形。 根據本發明另一實施例，此方法更包括在曝光模組曝光 一次一批連續的晶圓組中之晶圓之表面構形的一製程中，重 没曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚焦聚焦點 於失焦晶圓上’並由重設至已修正的晶圓承載台設定點的曝 光模組曝光失焦晶圓的表面構形。 更甚者，本發明是一種方法，可找出失焦晶圓並提供一 1282913

閘斷訊號’以啟動曝光模組之互補式回授失焦閘斷機構（A

Complementary Feedback Def0cus Gating Mechanism)。互補 式回授失焦閘斷機構是用來重設曝光模組至一已修正的晶 圓承載台設定點，以聚焦聚焦點於失焦晶圓上。根據本發明 一實施例，此方法更包括，把聚焦點偏移當作找出失焦晶圓 的晶圓閘斷訊號，供應至曝光模組之閘斷機構。此方法的一 優點是不需即時監控製程控制圖來閘斷失焦晶圓。 更甚者，本發明是一種方法，可為主控制器（M/C)的動 態操作做補充。此方法的一優點是此方法迅速地驗證主控制 器的動態操作。 根據本發明另一實施例，控制圖的設定點是由一製程控 制圖設定，包括以下步驟。計算一已更新的聚焦點偏移，此 聚焦點偏移對應於一高度，此高度會使次一批連續的晶圓組 之晶圓之表面構形散焦一曝光模組之一聚焦點。接著，以此 已更新的聚焦點偏移更新製程控制圖。本發明更與一使用一 水平感測裝置的方法有關，此方法至少包括如下步驟。首 先，以水平感測裝置掃描次一批晶圓組之各晶圓之表面構 形，以得到次一批晶圓組中之各晶圓每單位面積之高度量測 的掃描資料。其次，以掃描資料找出失焦晶圓。接著，在曝 光-人一批連續的晶圓組中之晶圓之表面構形的一製程中，重 設曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚焦聚焦點 於失焦晶圓上。最後，由重設至已修正的晶圓承載台設定點 的曝光模組曝光失焦晶圓的表面構形。 失焦晶圓具有一表面構形，其中常常出現的Z軸高 度曰在掃描中散焦聚焦點。在掃描裝置中，可調整晶圓台位 10 1282913 置的间度以在更多層半導體材料堆疊在晶圓上後，補償高 度變厚的晶圓。更甚者’可調整晶圓台位置的高度，以補償 由晶圓表面構形的z軸高度引起的失焦。然後，晶圓表面·. 會無誤地置放於掃描裳置的焦點平面上，其會在掃描中，無 _ 言夫地把晶圓放在焦點平面上。 本發明處理大量的晶圓，以即時找出失焦晶圓。

第1圖揭路一碩取資料的圖形i 〇〇，其紀錄晶圓表面構 形局度z在X-Y座標軸的量測。讀取資料產生數據，此數 據以微米為單位’可為RX、R# 2之設定點的統計學計算 的基礎。這些設定點相當於聚焦點偏移，此聚焦點偏移對應 業界所知f、點的高度。曝光模組會被晶圓組中晶圓表面構形 散焦。 第3圖揭露靜態聚焦點偏移3〇2的聚焦點偏移之頻率分 布圖形300。聚焦點偏移3〇2轉換至曝光模組設定的晶圓承 載台設定點，以修正失焦，並在晶圓組中聚焦於各晶圓上。 因此，聚焦點偏移302設定一曝光模組的晶圓承載台設定 點。曝光模組設定至晶圓承載台設定點，其會調整聚焦點的 高度，以正確地聚焦於晶圓組中連續的晶圓上。因此了由聚 焦點偏移302的量測決定了 一個新的晶圓承载台設定點。已 調整至新設定點的曝光模組會處理多批晶圓組。然而，各批 晶圓組中可能有晶圓具有會使聚焦點散焦的實際表面構 形，即使曝光模組已調整至對應於聚焦點偏移3〇2數量的新 晶圓承載台設定點。晶圓組中的此種晶圓稱為失焦晶^。因 π 1282913 失焦晶圓具有需根據晶圓承載台設定點處 形，此晶圓承載台設定點的值盥 面構 娇土〜日 值興叶异過的聚焦點偏移3〇2 斤決疋的曰曰圓承載台設定點的可行值不同。處理鱼 他晶圓相似的失焦晶圓會降低晶圓組的良率。- -

根據一更嚴重的缺點，晶圓是由許多層連 每層堆疊的越厚’對應的聚焦點偏移的值越大。、較：的聚隹 點偏移值造成失焦晶圓的漏失，並導致較低的製造良率。'、、、 在曝光模組處理下-批接續而來的晶圓組前，新水 測裝置測量法量測其表面構形，以得到新的聚焦點偏移，來 更新製程控制圖。在此方法中，當每批晶圓表面構形因為每 批的製程不同而改變時，曝光模組都會被調整至新的晶圓承 載台设定點。因此，每批的曝光模組都要調整至晶圓表面構 形中的變化。現行系統的一個缺點就是，一批晶圓中的—個 或更多個晶圓是失焦晶圓’它們具有較大的聚焦點偏移而 無法用新的晶圓承載台設定點補償。若能在曝光模組處理失 焦晶圓前先找出它們是較好的。隨後，可利用修正過的晶圓 承載台設定點重新調整曝光模組，此晶圓承載台設定點會聚 焦於失焦晶圓上。藉著重新調整晶圓承載台設定點來處理失 焦晶圓’晶圓組的生產良率便會得到提昇。 第4圖揭露一圖形400，其中，本發明產生動態的聚焦 點偏移404，其算法是實際量測並顯示於圖形4〇〇中的表面 構形高度，減去與第3圖中之靜態的聚焦點偏移302相同的 晶圓承載台設定點402，來決定處理晶圓時之真正聚焦點， 特別是在處理失焦晶圓時。本發明藉由動態聚焦點偏移方法 找出失焦晶圓。 12 1282913 一根據：發明’ 一種找出失焦晶圓的方法至少包括藉由讀 取一第一晶圓組中各晶圓表面構形收集資料。根據本發明之 二實施，’水平感測裝置讀取此表面構形。此方法更包括從 負料汁π聚焦點偏移302，此聚焦點偏移3〇2對應於一高 度，此高度會使表面構形散焦曝光模組的焦點。根據一實施 例:第丄圖揭露的資料庫2〇0具有適用於資料庫200各行的 内邻廣算法’可叶算聚焦點偏移3〇2。舉例而言，聚焦點偏 移3 〇 2是當成紀錄於圖形3 〇 〇中之表面構形高度量測之最高 ，率的“準差計算。更甚者，此方法包括，找出失焦晶圓就 疋具有會散焦聚焦點之表面構形的晶圓，即使曝光模組已設 定至與聚焦點偏移302符合之晶圓承載台設定點。根據一實 施例此方法更包括，藉由表面構形之每單位面積之高度量 測的掃描資料，找出失焦晶圓。根據又一實施例，此方法更 包括，重設曝光模組至已修正的晶圓承載台設定點4〇4，以 聚焦於失焦晶圓上。根據再一實施例，此方法更包括，在曝 光模組曝光晶圓表面構形的製程中，重設曝光模組至已修正 的晶圓承載台設定點404,以聚焦於失焦晶圓上，並由重設 至已修正的晶圓承載台設定點4〇4的曝光模組曝光失焦晶 圓的表面構形。 第5圖揭露一晶圓500,其具有多個定義半導體電路元 件區域之半導體晶粒502，並被光阻材料所覆蓋。光阻材料 要藉由曝光於業界所知的曝光模組之圖案化光束來圖案 化。弟5圖更揭露水平感測裝置之掃描路徑的軸線5〇4。第 6圖揭露水平感測裝置上之多個方形感測器6〇〇。中央的感 測器600在掃描中排列於軸線5〇4上。對應的半導體晶粒 1282913 502之曝光區域就像是正進行掃描。然而，只有中央的五個 感測器600會單獨地掃描半導體晶粒5〇2。最外面的感測器 6〇〇a不會掃描半導體晶粒5〇2的任何區域。因此，由感測 器600a所收集的資料不會用來計算聚焦點偏移。同樣地/，、 也不會使用由感測器600b所收集的資料，因為感測器 部：地掃描了半導體晶粒502外之區域。所以，只能使用感 測态600所讀取、完全掃描半導體晶粒5〇2内部區域 料，來計算聚焦點偏移。 、 根據本發明另一實施例，動態得到的聚焦點偏移會傳送 到水平感測裝置的互補式回授失焦閘斷機構。 雖然本發明已參照其較佳實施例敘述，但並非限制於其 中。更確切地說’應當廣泛地解釋後附的巾請專利範圍，以 包括本發明的其他變化與實施例，熟悉本技藝者在不脫離本 發明之申請專利脑之精神與範圍内，當可對其中之形式與 内各作不同之更動。 【圖式簡單說明】 ^第1圖繪示一晶圓表面的三維圖，與三個軸計算後之設 疋點的圖。 第2圖繪示部分的資料庫，此資料庫具有兩行X軸與γ 轴座標對Z軸的晶圓高度量測，與一行沿著z軸的聚焦點 偏移。 、第3圖繪示聚焦點偏#的頻率分布圖，從對應於一晶圓 载口认定點的靜恶聚焦點偏移，至曝光模組設定的聚焦點 偏移，以在晶圓組中聚焦聚焦點於晶圓上。 14 1282913 第4圖與第3圖類似，更進一步揭露曝光模組設定的一 已修正的晶圓承載台设疋點’以聚焦聚焦點於失焦晶圓上。 第5圖是〆具有半導體晶粒之晶圓的上視圖’更進一步 揭露一水平掃描裝置之掃描路徑軸向。 第6圖繪示水平掃描裝置的多個感測器與會被掃描裝 置掃過的曝光區。 【主要元件符號說明】 100 :圖形 300 :圖形 400 :圖形 404 · ^^焦點偏移 5〇2 :半導體晶粒 600 :感測器 600b :感測器

200 :資料庫 302 :聚焦點偏移 402 :晶圓承載台設定點 5 0 0 ·晶圓 5 04 :軸線 600a :感測器

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Claims (1)

1282913 十、申請專利範圍 1 . 一種找出失焦晶圓的方法，至少包括： 藉由讀取一第一晶圓組中各晶圓之一表面構形收集資 料； 從資料計算一聚焦點偏移，該聚焦點偏移對應於一高 度’該南度會使該表面構形散焦一曝光模組之一聚焦點； 以該聚焦點偏移更新一製程控制圖； 轉換該聚焦點偏移至一對應的、該曝光模組設定成的晶 圓承載台設定點，以聚焦該聚焦點於目前的晶圓組中之各晶 圓上；以及 在目前的晶圓組之各晶圓中找出一失焦晶圓，該失焦晶 圓就是即使該曝光模組已設定至與該聚焦點偏移符合之該 晶圓承載台設定點，仍會散焦該聚焦點之一表面構形的一曰 ^ ΘΘ 圓0 2 ·如申請專利範圍第1項所述之找出失焦晶圓的方癱 法，更至少包括重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設 定點，以聚焦該聚焦點於該失焦晶圓上。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： — 重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚 B 焦該聚焦點於該失焦晶圓上；以及 由重設至該已修正的晶圓承載台設定點的該曝光模組 16 1282913 曝光遺失焦晶圓的該表面構形。 4·如申請專利範圍第1項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 在該曝光模組曝光一次一批連續的晶圓組中之該晶圓 之該表面構形的一製程中，重設該曝光模組至一已修正的晶 圓承載台設定點，以聚焦該聚焦點於該失焦晶圓上；以及 由重設至該已修正的晶圓承載台設定點的該曝光模組 曝光邊失焦晶圓的該表面構形。 5·如申請專利範圍第4項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 什异一已更新的聚焦點偏移，該聚焦點偏移對應於一高 度，該高度會使該次一批連續的晶圓組之該晶圓之該表面構 形散焦一曝光模組之一聚焦點；以及 以该已更新的聚焦點偏移更新該製程控制圖。 6·如申請專利範圍f丨項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 將該聚焦點偏移當成可找*該失焦、晶圓之—晶圓閑斷 Λ號’供應至該曝光模組之一閘斷機構。 7·如申請專利範圍帛丨項所述之找出失焦晶 法，更至少包括： 方 掃描該第一晶圓組中之各晶圓之該表面構形，以得到該 17 1282913 第一晶圓組中之各晶 料；以及 母早位面積之咼度量測的掃描資 從該掃描資料計算該聚焦點偏移。 8 ·如申請專利範 法，更至少包括· 項所述之找出失焦晶圓的方 声面:二水、平❹裝置，掃描該第-晶圓組中之各晶圓之該 ^ 乂 ’以得到該第一晶圓組中之各晶圓每單位面積二 度量測的掃描資料； τ ^日日W母早位面積之面 在貝料庫中連結該掃描資料；以及 從該掃描資料計算該聚焦點偏移。 9·如申明專利範圍第1項所述之找出失焦、晶圓的方 法，更至少包括： 乃 知描4目刚晶圓組中之各晶圓之該表面構形，以得到 單位面積之高度量測的掃描資料； 以2掃描資料找出該失焦晶圓；以及 重叹為曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚 焦该聚焦點於該失焦晶圓上。 1〇·如申請專利範圍第1項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 以水平感測裝置，掃描該目前晶圓組中之各晶圓之該 表面構形’以得到每單位面積之高度量測的掃描資料； 以该掃描資料找出該失焦晶圓；以及 18 1282913 重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚-焦該聚焦點於該失焦晶圓上。 π·如申請專利範圍第丨項所述之找出失焦晶圓的方 · 法，更至少包括： Λ 掃描一次一批晶圓組之各晶圓之該表面構形，以得到該 - 次一批晶圓組中之各晶圓每單位面積之高度量測的掃描資 料； 以該掃描資料找出該失焦晶圓； 籲 在曝光該次一批連續的晶圓組中之該晶圓之該表面構 形的-製程中’重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設 定點，以聚焦该聚焦點於該失焦晶圓上；以及 由重設至該已修正的晶圓承載台設定點的該曝光模組 曝光該失焦晶圓的該表面構形。 12·如申明專利圍帛u項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 计π已更新的聚焦點偏移，該聚焦點偏移對應於一高 度’該高度會使該次一批連續的晶圓組之該晶圓之：表面構 形散焦一曝光模組之一聚焦點；以及 以該已更新的聚焦點偏移更新該製程控制圖。 法：:包請括專利範圍第1項所述之找…'晶圃的方 4 β目^ 圓組中之_光阻材料之該表面構形，該光 19 1282913 阻材料覆蓋晶圓上之p 宏 ^ 圆上之已圖案化的晶粒，以得到每單位面積之- 南度罝測的掃描資料； 以該掃描資料找出該失焦晶圓；以及 重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設定點，以聚 焦该聚焦點於該失焦晶圓上。 - 14_如申請專利麵13項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 以一具有多個感測器的掃描裝置，掃描該目前晶圓組中鲁 之一光阻材料之該纟面構形，該《阻材料覆蓋該已圖案化的 晶粒； 只有在所有的感測器同時掃過該已圖案化的晶粒，才會 得到有效的掃描資料。 曰 15·如申請專利刪13項所述之找出失焦晶圓的方 法，更至少包括： 计算一已更新的聚焦點偏移，該聚焦點偏移對應於—高 度，該高度會使一次一批晶圓組散焦該聚焦點；以及门 以該已更新的聚焦點偏移更新該製程控制圖。 16.一種使用一水平感測裝置來找出-失焦晶圓的彳 法，該方法至少包括： 以該水平感測裝置，掃描該第一晶圓組中之各晶圓之— 表面構形，以得到該第一晶圓組中之各晶圓每單位二之； 度量測的掃描資料； N 20 1282913 從該掃描資料計算一聚焦點偏矛多； . 以該聚焦點偏移更新一製程控㈣； # @ θ I焦、•點偏移至一對應的、該曝光模組設定成的晶 圓承載口 5又疋點’以聚焦該聚焦點於目前的晶圓組中之各晶 ' 圓上； · 以4水平感測裝置，掃描一次一批晶圓組之各晶圓之該 _ 表面構形，以侍到該次一批晶圓組中之各晶圓每單位面積之 高度量測的掃描資料； 以該掃描資料找出該失焦晶圓； # 在曝光該* 一批連續的日曰曰®組中之該晶圓之該表面構 形的一製程中，重設与Γ 0¾t ^ 里叹4曝先模組至一已修正的晶圓承載台設 定點’以聚焦該聚焦點於該失焦晶圓上；以及 又至。亥已修正的晶圓承載台設定點的該曝光模組 曝光該失焦晶圓的該表面構形。 17.如申請專利範圍第16項所述之方法，更至少包括： 在貝料庫整合掃描資料，該資料庫從每單位面積高度 _ 量測的高出現頻率’把該聚焦點偏移當作統計學的偏 算。 ^如申請專利範圍帛16項所述之方法，更至少包括： ^水平感測裝置，掃描該目前晶圓組中之—光阻材料 、：表面構形，該光阻材料覆蓋晶圓上之已圖案化的晶粒， 以传到每單位面積之高度量測的掃描資料； 以該掃描資料找出該失焦晶圓；以及 21 1282913 重汉該曝先模組至一已修正的晶圓 .^ π J日日W承载台設定點，以聚 焦该聚焦點於該失焦晶圓上。 19·如申請專利範圍第18項所述 只吓逆之方法，更至少包括： 以具有多個感測器的該水平咸測奘罢 〇 丁 A成1裝置，，掃描該目前晶 圓組中之一光阻材料之該表面構形贫 僻〜巧九阻材料覆蓋該已圖 案化的晶粒； 只有在所有的感測器同時掃過該光阻材料下之該已圖 案化的晶粒’才會得到有效的掃描資料。 20·如申請專利範圍第19項所述之方法，更至少包括： 在曝光一次一批連續的晶圓組中之該晶圓之該表面構 形的一製程中，重設該曝光模組至一已修正的晶圓承載台設 定點，以聚焦該聚焦點於該失焦晶圓上；以及 由重没至该已修正的晶圓承載台設定點的該曝光模組 曝光該失焦晶圓的該表面構形。 21. —種找出一失焦晶圓的系統，至少包括： 一水平感測器，製造一第一晶圓組中各晶圓之一表面構 形的讀取資料； 一製程控制圖，隨著從該讀取資料計算出的一聚焦點偏 移更新，該聚焦點偏移對應於一高度，該高度會使該表面構 — 形散焦一曝光模組之一聚焦點； 一曝光模組，設定至一對應的晶圓承載台設定點，該晶 圓承載台設定點與該聚焦點偏移對應，以聚焦該聚焦點於目 22 1282913 前的晶圓組中之各晶圓上；以及 一裝置’以在目前的晶圓組之各晶圓中找出一失焦晶 圓’該失焦晶圓就是具有會散焦該聚焦點之一表面構形的一 晶圓，即使該曝光模組已設定至與該聚焦點偏移符合之該晶 圓承載台設定點。 22·如申請專利範圍"項所述之找出一失焦晶圓的 =統’其中，該曝光模組可重設至—已修正的晶圓承載台設 定點’以聚焦該聚焦點於該失焦晶圓上。 “2,3二申二專利範圍第Η項所述之找出-失焦晶圓的 糸、、充”中该水平感測器具有多個表面構形掃描裝置。 24.如申請專利範圍第21項所 系統，其中，夂曰问 > 士 I找出一失焦晶圓的 各日日51之該表面構形對應於 化的晶粒之表面構形。 各曰曰回上之已圖案

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