TWI291324B - Electromagnetic shield assembly - Google Patents
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- TWI291324B TWI291324B TW094119968A TW94119968A TWI291324B TW I291324 B TWI291324 B TW I291324B TW 094119968 A TW094119968 A TW 094119968A TW 94119968 A TW94119968 A TW 94119968A TW I291324 B TWI291324 B TW I291324B
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Description
1291324 •九、發明說明: 【先前技術】 電子電路構件係I , ^ ^ ^ 4 ^ 、為由屏蔽物(shie〗d)或覆蓋物(cover)
所%繞,以抑制於包括 J 電子電路構件所產生 quency)之通訊頻率的
生之危險或破壞性的電磁(EM 細麵—⑽射。於某㈣境中,電 = 入於某些形式之導電覆甚 牛係了為封 磁屏蔽係可為-心^± —妾至—電路接地。-電 …一)而包圍二:電:或!,成形以產生-腔室 於緊密―pact)電子環境,^ 經開發以運用 板。於該等緊密環境中,Μ 邊夕的笔子構件於一基 灌封電磁屏蔽而隔離於:/係可能難以運用個別的 屏蔽的電子電路之°然而:屏蔽係干擾於種種所 要以提供有效的電磁尸^戒。於料緊密環境中,存在需 其為於愈來愈多的+ ^路間的通矾而且維持 、包子裝置所期望之緊密的尺寸。 【發明内容】 種笔磁屏蔽組件 組件,复能約,首 件係了包括一電磁屏蔽、以及一導電 一,’、氕V通電流而作為一電路之邛八| 敝組件係可僉 ^路之口P刀者。該電磁屏 為能夠封入夕頂部與側邊’其係成形以形成-腔室而 體(—mate)所^個電路^件。該電磁屏蔽係可為由疊層 疊層體電磁屏/< ’或是藉由組合多層的材料而產生。該 伸為沿著一 /Γ糸可包括導電條(strip)與通孔㈣,苴延 或多個介電層以形成導電組件。於一些實例 12^1324 :如名:=::係可,擇或附加為包括-層的電阻材料, 吴’以提供電子共振之阻尼。 於一歧營/χ,ί山 電路組件:;=,—種電路結構係可包括…基板;- 基板且界定Γ該基板;及一封殼㈣〇叫,安震於 …腔室以實質封入該電路組件,該封殼 、緣係延伸鬼、VL益 ^又疋邊 之一電磁;: 。一封殼係可包括實質封入該腔室 該電:屏::二其延伸為沿著該電磁屏蔽且電氣隔離自 、次之一導電條。該電路組一泰 -裳於該基板μ導電純至該導電條。^兀件係可安 【實施方式】 二1圖係描繪—種簡化範例的電路結冑8 -磁屏敝組件10、或覆蓋且 說明於單一個❸人4、與Η 更而具有種種的特徵為 式,且可為;… 列。此等特徵係可具有種種的形 了為涸別或於種種其他的 組件。如運用;^太合 千 而只現於其他的屏蔽 電路㈣19 琶磁屏蔽組件係可容納一或多個 、’牛2,其可為個別或組合而形成一 #夕加〜 路、一或多個電路之-或多個部分、二夕70整的電 之-或多個租人、/ 電路的元件或構件 路構件,且了^合的電路'電路部分、與電 匕括共用(shared)的電路部分或構件。 接著’於此實例中,電磁屏蔽組件10係可安裝至—基 上。電磁屏蔽組件W亦稱為一封M日^•勺扛 土 值道)a、 封Λ又且可包括一電磁 如:二形成一屏蔽16 ’其具有1部20、與側邊22(諸 側邊223、一、與-)以形成-封入的腔室2: I291324 士°於第2圖之橫截面所示,電磁屏蔽組件係可為 或可為由多層所構成 … 該你 屯性的外層16係可延伸為沿著 :磁屏敝組件之整個外部。屏蔽16係可為由— 電氣或磁性)傳導材料~ & 屬,且… 才科所作成,邊如:铭、銅、或其他金 且可為由一組合之材料fJL 、— 諸如:一導”以万t ^ 一者為¥琶性)所形成,
Fl〆 及—非導電(介電)層或半導電層。介電 豆1 7係可直接鄰近至屏銶 於〜或多層。 屏敝16。介電體17係可進而為配置 切D屏2:' 16亦:=一或多個開°或切口 (⑽。m),諸如: 為進屮,Ί允终電流之通過(諸如:以訊號或功率的形式) 有 於月工至26 無需對於該屏蔽之實質折衷。儘管僅 可包括超過一個”且“切為:解的疋.電磁屏蔽16 頂卹+ 且5亥寺切口為可位於屏蔽組件1()之 -導鸿… 為看出,顯示為安裳於基板14之 、、在33係可通過切口 24以電氣 位於電磁屏蔽組件之外側 改 、、且十12與其 係可為-接绩_ 或構件。導線33 配置。、^線、或是能夠導通電流之任何其他 屏蔽16係可保護其 腔 組件12U备认班 月工至26之包硌組件(諸如: 、;%境與電磁的影響及/或隔離所# A & 組件。儘管未顯示,一屏蘇〗α 電路 分割該腔t 26… 可更包括一内壁,其可 多個電路組件。過-個子腔室而可為能夠隔離二或 电路組件12係可包括種種的構件。針對於說明之目 1291324 的’電路組件12係可包括個別的電路元件3〇與32,其為 由一適合的互連件所連接,諸如:藉由一接合線34。接合 線係可藉著連接至其為定位於電路組件之一端子3 1而連 ‘至一電路元件30。電路元件3〇係可包括一集總(lumped) 或分布(distributed)元件、或是被動及/或主動元件之組合 或網路,諸如:傳輸線路、電阻器、電容器、電感器、與 半導體元件,且可為安裝於其具有一介電質、半導電性或 導私性的基板之一電路晶片。再者,電路組件丨2係可包 括糸一積體電路(IC5 integrated circui〇或晶片之二極體與 電晶體的一者或一組合,積體電路或晶片係包括例如··單 片式微波積體電路(MMIC,m〇n〇llthic micr〇wave integrated ⑽uit)、特定應用積體電路(ASIc,卿以⑷⑽邛ecific gmed circuit)、或類似者。針對於說明之目的,電路 一牛 係可為包氣導線,用於傳送其為相對於電路元 件30之一訊號或功率。 如第2圖所示,電磁屏蔽16係可為於—或多個點而直 裝至基板14。於此實例中,基板14係導電性且提 對於屏蔽之一接地。苴他形式之$电丨且耠仏 ,、他办式之基板係可運用,諸如·一 二電質以及-或多個導電層。是以,屏蔽Μ係可 導電性的黏著齊"6而直接附接至基板1“導的 制係可包括:導電性的環氧樹脂(叩 电、·^占者 劑、銅辞合金焊接(brazinp)刼柢拆 ¥电墊(?日句、桿 于《 (brazing)材枓、變形金、 彈性體、或任何類似的導電性或電阻㈣。 $通的 一或多個型式之導電性的#著 ,可具有 以者』以運用於電磁屏蔽組件10 1291324 之安裝。應為注意的是··屏蔽側邊2 接至基板14之於切口 24 糸可此非為直接附 曰9區域。 選用而言,電磁屏蔽16係 接器(未顯示於此)以供接地… 或多個電氣接地連 此等接地連接H係可為金屬// 16至局部的電路接地。 之一或多個部分至美板至一 /式,其為延伸自該屏蔽 任何接地連接為可抑者。—鄰近的電磁屏蔽、或至無論 導線32與33係可運用絕 ^ 絕緣層係可為一絕緣環梟 、自而女裝於基板1 4上。 ❾螓氣 、〈对脂或其他黏著劑之形<、i? 、_。此等絕緣層係隔離該 式、或- 電路組件12之電路元件3〇 性的基板。 路元件30之背側係可運用導要求:為接地,其中,電 板14。 、包的黏著劑3 (5而附接至基 電體1〇係可更包括-導電組件-,其係由一介 所支#牙為相對於屏蔽16 ” 過該種屏蔽組件之—連^ %,,、仵39 ,糸可提供透 有分支、與多個路徑::ΐΠ路捏41。路徑41係可具 組件之構件係可延伸為沿著介;:體^载訊號或功率。導電 入於介電體17。介電體i 。:一表面,或為嵌 層的介電質,諸層係可為或是^早—層^介電質或負數 材料所分開。於此實例中,…為由一或多層的非介電 介電層42盥46 $与"电肢I?係包括第一與第二 曰〜興46 〇第一金筮一人^ 沿著電磁m a — 層42與46係可連續為 包兹屏敝16,延伸為沿著雷 瓜、仏、與咖。介電體17=敝頂部2()及側邊221 亦可延伸為僅於屏蔽1 6之 1291324 :或多個部分。於一些區域中’第_與第二介電層ο與牝 係可口併成為-層而未為由任何的非介電材料所分開。第 :介電層46係可具有其界以室%之—内面48。雖然介 电層42與46係顯示其延伸為跨於電磁屏蔽組件之頂部且 朝下於側邊’舉例而古公鬥 、 牛列向口刀開的介電層係可為運用以形成 〃作成該等側邊之介電體的部分者。 / 導電組件39係可包括一導電條… 或於介電體17。於圖示的配置,莫千a 申為通過 入 力、㈡不的配置,導電條44係夾設於第一 "電層42與第二介電層46之間。導電條44係可由直包 括上電性金叙任何適合料電材㈣構成。” 』電磁屏蔽侧邊22a與22c係可包括一或多個通孔5〇, 诸如:通孔50a與50c,其為延伸於 ::之間。通孔係可藉著鑽孔、姓刻、或 =二通孔52 (諸如··孔52a與叫而為形成。該等通孔(或 '、可延伸於第一與第二介電層42與46之間,或 為個別層。此等通孔係可接著為填 以形成該等通孔。 号V材抖 之整::Γ ’通孔5°a與5。“系可延伸於側邊仏與22c 一们-度。屏蔽組们0係可具有其為接觸於基板14之 二邊緣54。通孔池肖池係因此具有其定位為接近兮 开敝組件之下邊緣位置54a與5 μ 於個則从, W卜鳊,且朝上延伸以 山/ 、目父點56a與56c而接觸該導電條44。通孔之下 =係J分別為連接至訊號導線32與33,藉由任何適當方 。者如·導電性的黏著劑3 6之運用。 12 1291324 通孔他肖5Ge係可接觸於導電條$ 屏蘇έ曰杜1 π 一 乂升y成知電磁 屏敝、..且件10之内的導電 運用作為一带% , ¥电組件39係可為能夠 為电路之部分者。舉例而言,導缘33& 夠導通其為由電:線33係可為能 雷、、” Μ 之电路兀件30所運用或產生之 包飢或一訊號。一雷糸屬 土心 過端子3卜接一 導通自該電路元件30而通 妾a線34、訊號導線32、诵$ 通孔50c、盘導绩„ n L 通孔5如、導電條44、 .、 一 V線因此,透過導線33,一訊?卢式#农 係可為流通於電路組件 ° -電路之間。 ,、在所屏蔽的腔室%之外側的 第1至4圖係顯示一種電磁 例,其包括栽入於屏蔽組件10之= 之一個實施 分別為於相交1έ 56盥 個導電條44,且 +义+ 與56C而介面於通孔52a與52c。一 黾磁屏蔽組件1 〇孫 、 糸了匕括超過一個導電條或 且該等條係可推而山 $包你及V私組件, - 欠入於超過二個隔離的介電層之征 伸於一介兩尿〇_> A v < 間或延 、 私g或,丨電體。同理,儘管此箄pj』 形成於電磁屏蔽相杜沾, s此寺圖八係顯示其為 y 件的二個側邊之内的通孔,該等通孔将 可容納於屏蔽組件4通孔係 可妒且… 所有或任何組合的側邊之内。再者, 有夕個通孔於任—個側邊之内。用於實現-導電組 τ 之其他的形式或配置係可運用。 、 電磁屏蔽組件1G之内表面48係可包括部 科60,其可為有效於 包阻材 諸如腔室26 ΐ抑腔室26之不期望的電氣傳播。 工至2 ό之屏敝的封殼係 振,其係可能干脚室26之:種種的頻率之共 電阻材料⑽ 電路組件12的適當操作。 阻材抖6〇係可減小或提供阻尼 13 1291324 電阻材料6〇係可延伸為沿著介電層备 部或部分者。該電阻材料6〇亦可 、面48的全 如於數層的介電材料之間。 1位於其他方式,諸 電阻材料60係可為電阻性的 “ 電阻塗層、或是JL组入w、膜、塗料、其他的 曰次疋其組合。此材料係可 印刷、噴灑、注射、塗敷、胃者、,,罔版印刷、鏤版 % 土毅實墨印刷、 ”他便利的方法而施加至表面4 "、或任何 據一罔安/ 此电阻材料60伤可舻 ®木(pattern)之分布而施加至 糸了根 區域之電阻材料62與64。 面48,藉以產生多個 如於第2圖所示,内部屏蔽表面 阻材料區域62,其為均勻且’、匕括-第-電 邊22a而灣菩γ μ ^ '、,、口者屏敝10之頂部20與側 而伋盍该内部屏蔽表面之一。 例 包括一第二φ阳从 、 刀此内部表面亦可 —包阻材料區域64,其僅承 分。電阻材料俜可且 ”、、伋现側邊22c之一部 T t十係了具有均勻的厚度, 某些區域之電阻材料係可運用導電性的二改變。 至基板14。 ^者片彳3 6而連接 個替代貫施例係顯示於第 内部屏蔽表 、 回。如於此橫截面所示, 6〇。該可—為覆蓋其為均勾圖案化之—電阻材料 阻材料區域68 :二=:的絕緣區域%對於覆蓋的電 加於-薄片或膜,广比值。此電阻材料圖案7〇係可施 介於10歐姆/平方ίη1 / 胰係了界疋為具有 一平均電阻率。,⑽)與_歐姆/平方之間的 士為所迷’該電阻材料層之附加係可造成於腔室26的 14 J2yiJ24 共振與異質耦合之阻斥你 阻尼,電阻材料60係、可為頻率範圍。為了改善此 其之厚度與圖索而揠、。”、、x电阻率、該材料可施加於 其納入於屏蔽2 〇 (外’阻尼係可為藉由適當選擇 lf —與第二介雷® 49a 枓、及此介電材料之厚度而改盖。日a 46的介電材 電磁屏蔽組件10 電性與介電材料。 ^路板材料所製造,包括··導 I石兹屏蔽組件1 〇 包括電磁屏蔽組件】〇、 或基板14、或是其 組件〗2)的電路姓椹β 土板14、與關聯電路(諸如··電路 件而實施。於面物連同其列陣於面板之零 該等組件。 里衣k係可接著跟隨一操作以獨特 透過該種組件,可 26,且可能具有多個/室26有夕個電路組件12於各個腔室 外,-給定的電磁屏“件:各個電磁屏蔽組件10。另 電阻材料60,且可件係可能納入或省略用於阻尼之 是以,律;^ ^ v内八或省略導電組件39。 前述的揭示内二構:實施例係已經特定顯示且參照 他組合與次組合之::、:變:係可以於其内作成。其 無論其為針對 凡件、及/或性質係可運用。 不同、較寬、較窄=組合或針對於相同的組合,無論為 於本揭干內〜 寺於範疇’該等變化係亦視為納入 万' 本揭不内容之標的。 何單一特徵或元件係必尊^貫施例係說明性質,且無任 注安夕所古 、要於/、可為主張於此件或後續的申 I:二內可,合。是以,申請專利範圍係界定於前 述的揭不内容所揭示 丰♦明。於申請專利範圍係列舉 15 1291324 “一(a)”或“ 一第一(a first)”元件或其等效者,該等申 請專利範圍係包括一或多個該等元件,既不需要而且未排 除二或多個該等元件。再者,用於識別元件之順序指示(諸 如··第一、第二或第三)係運用以區別於該等元件,而非指 出該等元件之一需要或限制的數目,且非指出該等元件之 一特定位置或順序,除非為特定敘述者。 【圖式簡單說明】 第1圖係一種電路結構之平面圖,該電路結構係包括 安裝於一基板之一種電磁屏蔽組件。 第2圖係沿著第1圖的線2-2所取得之橫截面圖。 第3圖係沿著第2圖的線3-3所取得之橫截面圖。 第4圖係沿著第2圖的線4-4所取得之橫截面圖。 【主要元件符號說明】 8 電路結構 10 電磁(EM)屏蔽組件(封殼) 12 電路組件 14 基板 16 電磁屏蔽(層) 17 介電體(層) 20 電磁屏蔽頂部 22 、 22a 、 22b 、 > 2 2 c、2 2 d 電磁屏蔽侧邊 24 開口(切口) 16 1291324 26 腔室 30 電路元件 31 端子 32 電路元件(導線) 33 導線 34 接合線 36 黏著劑 38 絕緣層 39 導電組件 41 電氣路徑 42、46 介電層 44 導電條 48 内表面 50 、 50a 、 50c 通孔 52 、 52a 、 52c 54 、 54a 、 54c 邊緣 56a' 56c 相交點 60 、 62 、 64 電阻材料 66 開放區域(空間) 68 覆蓋區域 70 圖案 17
Claims (1)
1291324 十、申請專利範圍: 1 · 一種電磁屏蔽組件(1 〇),包含: 包磁傳導屏蔽(16),其係具有一頂部(20)與側邊(22) 、/成 I至(26),其係建構成當該屏蔽(16)係安裝於其支 牙/包路組件(12)之一基板(j 4)時封入一電路組件g 2)。 一介電體(17),其係沿著該屏蔽(16)之至少一部分延 伸;及 電體(17)延伸且與該 以連接至於該基板(14)
一導電組件(39),其係沿著該介 屏蔽(16)間隔開,該導電組件(39)係適 之一電路元件(3〇)。 2·如申請專利範圍第丨項之電磁屏蔽組件(1〇),其中, 該介電體(1 7)係沿著該屏蔽(16)之頂部(2〇)與至少一第一侧 邊(22)延伸,該導電組件(39)係包括延伸為沿著該屏蔽(Μ) 之頂^ (20)的-導電條(44),且—第—通孔(5㈣係延伸為 通過其沿者該屏蔽(16)之第—側邊(22)的該介電體(I?),該 k孔(5 0a)係連接至導電條…)且為結合於該導電條(4句而 形成其為沿著該介電體(17)之一連續電路路徑(41)。 3·如申請專利範圍第2項之電磁屏蔽組件(ι〇),其中, 該通孔(5Ga)係適以於該電磁屏蔽(i 6)之安裝至基板⑽的 期間而附接至電路元件(3〇)。 4.如申請專利範圍第3項之電磁屏蔽組件(1()),其中, 該電路組件(12)係包括該電路元件⑽,該電路元件⑽係 適以承載電流’且該導電組件(39)係配置於該屏蔽⑽之内 部。 18 1291324 人.請專利範圍帛4項之電磁屏蔽組件⑽,更包 , 第L孔(5〇C) ’其為與該第—通孔(50a)間隔開、其 A連接至該導電條(Μ)且苴得導雷 ;”係V电附接至延伸於該腔室(26) 之外側的一電氣導線(33)。 ▲ 6·如中請專利範圍第1項之電磁屏蔽組件⑽,其中, 该屏蔽(1 6)係包括一開口( 9 4、甘擅 從開口(24),其提供透過該屏蔽(16)至該 導電組件(39)之通路。 ;7•如申請專利範圍第1項之電磁屏蔽組件⑽,其中, ::電體(17)係包括一内表面(48)’其係至少部分為覆蓋以 一電阻材料(6G)而能夠阻抑於該腔室(26)之中的共振。 …8.如申請專利範圍第7項之電磁屏蔽組件⑽),其中, 口亥黾阻材料(6 〇)係一電阻膜。 …9.如申請專利範圍第7項之電磁屏蔽組件⑽,其中, 1亥电阻材料(6G)係以—圖案(7G)而施加至該内表面⑷)。 10·如申請專利範圍第9項之電磁屏蔽組件⑽,蓋中, 該圖案⑽係-均勾的圖案(7〇),其具有一預定比率:開放 。或(66)與覆蓋區域(68)’開放區域(66)為不具有電阻材料 (60)而覆蓋區域(68)具有電阻材料(6〇)。 U •一種電路結構(8),包含: 基板(14); 件(30); 電路組件(12),其包括安裝於該基板(14)之一 電路元 、—一封殼(10)’其係安裝於該基板(14)且界定一腔室(26) 以實質封入該電路組件⑽’該封殼⑽之一邊緣(54)係為 19 1291324 :者:基板⑽延伸,該封殼⑽係包括㈣封人該腔室⑽ 蔽⑽、及其延伸為沿著該電磁屏蔽⑽且電氣 Γ =以磁屏蔽(16)之—導電條(44),該導電條州係導 电耦接至該電路元件(3〇)。 i2.如中請專利範圍第u項之電路結構⑻,其中,該 ::06)係形成一外層(16),其包含一電磁傳導材料且封入 该導電條(44)。 U·如申請專利_ U項之電路結構(8),立中,該 封殼⑽係包括其分開該屏蔽⑽與導電條(Μ)之—第一介 電層(42) 〇 κ如申請專利範圍第13項之電路結構(8),其中,該 封殼⑽更包括-第二介電層(46) ’該導電條⑽係至少部 分為配置於第一與第二介電層(42、46)之間。
15•如申請專利範圍第14項之電路結構⑻,其中,第 二介電層(46)係包括其㈣該腔室(26)之—内表面⑷),該 封殼(1 〇)更包括於該内表面(48)之一層的電阻材料_。 丨6•如申請專利範圍第15項之電路結構⑻,1中,該 電阻層_係分布於其具有均勾間隔的開放空間(66)之一圖 案(70)。 17•如申請專利範圍f U項之電路結構(8),其中,該 屏蔽(16)係具有鄰近於—第—導電條端(5Qe)之一開口 (24),且该導電條(44)係具有耦接至電路組件(12)之一第二 端(50a),該電路結構(8)更包含一導線(33),其為安裝於基 板(14)而在封殼⑽之外側且為連接至第—導電條端(5〇c) 20 1291324 以‘通電流於該電路組件(丨2)與封殼(1 〇)的外部之間。 Η.—種電路結構(8),包含: 一基板(14); 一電路組件〇2),其係安裝於該基板(14);
一封殼(1〇),其係安裝於該基板(14)且界定一腔室(26) =質封人該電路组件(12),該封殼⑽係包括實質封入該 至(26)之一電磁屏蔽(16)、及其為能夠阻抑於該腔室(26) =中的共振之一電阻材料層(6〇),該電阻層0㈨係延伸為沿 著該電磁屏蔽⑽且電氣隔離自該電磁屏蔽(16)。 ’、如 19. 如申6月專利範圍第18工貝之電路結構⑻,其中,兮 屏蔽⑽係包括封人該電阻層⑽)之—層的電磁傳導材料了 20. 如申睛專利範圍第18項之電路結構⑻,其中,兮 封殼⑽係包括分開該屏蔽⑽與電阻層 : C42 、 46)。 兒膺 21.如申請專利範圍第18項之電路結構⑻,其中 =層⑽)係分布於具有均勾間隔的開放㈣(66)之一㈣ 1如申請專利範圍帛18項之電路結構⑻,其中 電阻層(60)係—電阻膜。 该 十一、圖式: 如次頁 21
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