TWI296830B

TWI296830B -

Info

Publication number: TWI296830B
Application number: TW090127784A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Shiho; Kato Hitoshi; Okada Sachiko; Yasuo Matsuki
Original assignee: Jsr Corp
Priority date: 2000-11-21
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2008-05-11
Also published as: US20030003235A1; AU2002224015A1; WO2002043131A1; US6806210B2; KR20020072289A

Description

1296830 A7 _；_._ B7 五、發明説明（V) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關氧化鉅膜形成用組成物，氧化鉅膜之形成方法’氧化鉅膜及其用途。更詳言之，係有關用以形成適用作D R A Μ之電容器用絕緣膜等之半導體裝置用絕緣膜等氧化鉅膜之組成物，氧化鉅膜及其形成方法，以及氧化鉅膜於絕緣膜之用途。先行技術’ 以往，因半導裝置之高積體化，D R A Μ (隨機存取記憶體）中之電容器面積漸小。爲不致隨電容器面積縮小電容下降，引發軟性誤差等之裝置誤動作，必須在電容器面積縮小時確保充分電容。解決該問題之一方法係，以高比介電率之絕緣膜（高介電物膜）作電容器絕緣膜之方法。習知電容器絕緣膜一般係用S i〇2、s i 3 Ν 4，以記憶格之三維化確保電容。但隨最近D R A Μ快速高積體化、微細化，要以習知方法確保電容已有困難。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製氢化鉅之特徵有，較之慣用作電容器絕緣膜之S i〇2 、S i 3N4等，比介電率大3倍以上，並可藉CVD法輕易沉積階差覆蓋佳之薄膜。因此，作爲次世代D R A Μ電容器絕緣膜之氧化钽，已在硏究中。應用物理69 (9) ，ρ1067 (2000)中揭示氧化鉬以C V D法成膜爲絕緣膜之方法。又，電子材料2 0 0 0年7月號，ρ 1 8對用於c V D法之鉅原料作種種探討。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4 - 1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2 ) ~" 但’這些以習知方法形成之氧化钽絕緣膜，多含來与原料、成膜法之雜質、氧缺損，造成漏電並有絕緣耐壓變差之問題。又，以C V D法成膜之際用作原料之醇化钽水解性高，且有膜中多有碳等雜質之問題。又，再，以C V D法成膜時所需設備大，不僅設備本身昂貴，又有大量耗能之真空系統、電漿系統、產品成本架高。發明之揭示本發明之目的在提供用以解決上述問題，輕易有效形成高品質氧化钽膜之含鉅組成物及其製造方法。本發明之另一目的在提供高品質氧化鉅膜及其形成方法。本發明之又一目的在提供氧化钽膜之用途。本發明之其它目的及優點可由以下說明得知。用以解決課題之手段根據本發明，其上述目的及優點，第一是藉其特徵爲含 (A 1 ) ( a 1 )醇化鉬，及與（a 2 )選自胺基醇，分子內有2以上羥基之化合物（除胺基醇外），/3 -二酮， /3 —酮醇，/3 -二酸酯，乳酸，乳酸酯，及1 ，5 —環辛二烯所成群之至少1種化合物之反應產物，以及（A 2 ) 該反應產物之水解物所成群中選出之至少1種含鉅產物之本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 -5- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 1r

1296830 A7 B7 五、發明説明（3 ) 氧化鉅膜形成用組成物達成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明，其上述目的及優點，第二係藉其特徵爲 :將上述組成物塗布於基板上，再作熱處理及/或光處理之氧化鉅膜形成方法達成。本發明之上述目的及優點，第三係藉經上述形成方法形成之氧化鉬膜達成。本發明之上述目的及優點，第四係藉含經上述形成方法形成之氧化钽膜之半導體裝置用絕緣膜達成。圖面之簡單說明第1圖係合成例1所得產物之1 Η - N M R圖譜。第2圖係合成例2所得含钽產物之1 Η - N M R圖譜。弟3圖係合成例7所得產物之1 Η - N M R圖譜。第4圖係合成例10所得白色固體之1H-NMR圖譜〇第5圖係實施例1所得T a 2〇5膜之E S C Α圖譜。第6係實施例4所得氧化鉅膜之E S C A圖譜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第7係實施例9所得氧化鉅膜之E S C A圖譜。第8係實施例1 4所得氧化鉬膜之E S C A圖譜。發明之較佳實施形態 (a 1 )成分用於本發明之（a 1 )醇化鉬係以例如下述式（i ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x297公釐） -6 - 1296830 A7 B7 五、發明説明（4) T a ( 0 R ) 5 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (其中R係碳原子數1至6之院基，5個R可係相同或不同）之化合物爲佳。醇化鉅之具體例有，五甲醇化鉅、五乙醇化鉋、五異丙醇化鉬、五丁醇化鉅等。其中以五乙醇化鉅、五異丙醇化鉅及五丁醇化鉅爲佳。這些醇化鉅可單獨或2種以上倂用。 (a 2 )成分用於本發明之（a 2 )成分係選自胺基醇，分子內有 2以上羥基之化合物（除胺基醇外），Θ -二酮，；5 一酮醇，/5 -二酸酯，乳酸’乳酸酯，及1 ，5 -環辛二烯所成群之至少1種化合物。該分子內有2以上羥基之化合物（除胺基醇外）有例如，分子內有2以上羥基之醇類（除胺基醇外），分子內有2 以上羥基之酚類。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述化合物中，以用胺基醇，分子內有2以上羥基之醇類（除胺基醇外），分子內有2以上羥基之酚類爲佳。以用胺基醇，分子內有2以上羥基之醇類（除胺基醇外）爲更佳。該胺基醇顧有例如，三乙醇胺、二乙醇胺、三異丙醇胺、二異丙醇胺、甲基二異丙醇胺、乙基二乙醇胺等化合物。其中以三乙醇胺、二乙醇胺爲特佳。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1296830 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（5 ) 上述分子內有2以上羥基之醇類（除胺基醇外）之具體例有，乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、庚二醇、辛二醇、壬二醇、癸二醇、二乙二醇、雙三亞甲二醇、甘油單甲醚、甘油單乙醚、氫醌等二醇類；甘油等多元醇類。其中以二乙二醇、丁二醇及戊二醇爲特佳。上述分子內有2以上羥基之酚類其具體例有，兒茶酚、間苯二酚、氫醌、均苯三酚等多元酚類。其中以氫醌爲特佳。上述/3二酮有例如，乙酰丙酮、丙酰丙酮、甲基二乙酰甲烷、二丙酰甲烷、正丁酰丙酮、異丁酰丙酮、3 -甲基一 2，4 一己二酮、二乙酰乙基甲烷、正戊酰丙酮、丙酰正丁酰甲烷、3 -甲基—2，4 一庚二酮、異戊酰丙酮、戊酰丙酮、異丙基二乙酰甲烷、己酰丙酮、2 ，2，6 ，6 -四甲基—3 ，5 -戊二酮、苯甲酰丙酮、3 —苯基一 2 ，4 一戊二酮、二苯甲酰甲烷、乙氧基羰基二乙酰甲烷、1，1，1，5，5，5—六氟一2，4—戊二酮等化合物。其中以乙酰丙酮、丙酰丙酮爲特佳。上述Θ -酮酯有例如，甲基乙酰醋酸酯、乙基乙酰醋酸酯、甲基-α —甲基乙酰醋酸酯等化合物。其中以甲基乙酰醋酸酯、乙基乙酰醋酸酯爲特佳。上述石—二酸酯有例如，丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、丙二酸二己酯、丙二酸二辛酯、丙二酸雙十一酯、丙二酸雙十六酯、丙二酸雙一 9 一十八酯、丙二酸雙一 9， 1 2 -十八二烯酯、丙二酸雙一 9，1 1 ，1 3 —十八三本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝_ 訂

-8- 1296830 A7 _______B7 五、發明説明（6 ) 烯酯等化合物。其中以丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯爲特佳。上述化合物可單獨或混合2種以上使用。進f了上述（a 1)醇化組與（a2)成分之反應，係以對（a 1 )醇化鉅1莫耳，用（a 2 )成分〇 . 1至 1 ，000莫耳爲佳，以用〇 · 5至100莫耳爲更佳， 1至1 〇莫耳爲特佳。反應溫度係以—3 0至1 5 0 °C爲佳，以〇至1 〇〇 °C爲更佳，〇至7 0 °C爲特佳。反應壓力可係常壓，必要時亦可加壓或減壓進行。 (a 1 )醇化鉬與（a 2 )成分之反應，可於單醇類（除胺基醇外）及/或單酚類之存在下施行。單醇類（除胺基醇外）之具體例有，甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、三級丁醇、己醇、環己醇、辛醇、乙一醇單甲酿、乙一醇單乙醚、乙二醇單異丙酸、二乙二醇單甲i迷、一乙一醇單乙醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙麟、甘油二甲醚、甘油二乙醚等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，單酚類有例如，酚、甲酚、二甲酚、三曱酣、乙酚、二乙酚、三乙酚等其中以酚、甲酚及乙酚爲佳。 (a 1 )醇化鉬與（a 2 )成分之反應，於單醇類（除胺基醇外）及/或單酚類之存在下施行時，這些化合物之用里’對（a 2)成分1旲耳以在1 〇莫耳以下爲佳， 5莫耳以下爲更佳，3莫耳以下爲又更佳。若用量超過本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -9- 1296830 A7 B7 五、發明説明（7) 1 〇莫耳，有時會妨礙（a 1 )醇化鉅與（a 2 )成分之反應。上述反應必要時可於溶劑存在下施行。使用溶劑時以用不與（a 1 )醇化組，（a 2 )成分，或其反應產物反應者爲佳。此類溶劑之具體例有，正戊烷、環戊烷、正己烷、環己烷、正庚烷、正辛烷、環辛烷、環癸烷、雙環戊二烯氫化物、苯、甲苯、二甲苯、硬炔、茚、四氫萘、十氫萘、角鯊烯之類的烴系溶劑，二乙醚、二丙醚、二丁醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、四氫呋喃、四氫吡喃、1 ，2 —二甲氧基乙烷、雙 (2 -二甲氧基乙基）醚、對二噁烷之類的醚系溶劑；碳酸丙烯酯、r — 丁內酯、N —甲基一 2 -吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、乙腈、二甲亞硕、二氯甲烷、氯仿之類的極性溶劑。其中以二乙醚、二丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二甲基甲酰胺、乙腈、二甲亞硕、二氯甲烷、氯仿爲特佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製這些溶劑可單獨或2種以上混合使用。於溶劑存在下施行（a 1 )醇化鉅與（a 2 )成分之反應時，溶劑之用量通常係對（a 1 )醇化钽1克在1至 100毫升，以5至50毫升爲佳，5至30毫升爲更佳〇上述反應產物推斷係如下。 i) (a 2)成分含胺基醇類，分子內有2以上羥基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公董） -10- 1296830 A7 B7 五、發明説明（8 ) 之醇類或分子內有2以上羥基之酚類，乳酸，乳酸乙酯時，醇化鉅之烷氧基部份或全部脫離，（a 2 )成分中至少 1以上之羥基失去其氫原子，該失去氫原子之羥基中氧原子與鉅原子結合之反應產物。若（a 2 )成分一分子中有多數羥基參與反應，與其結合之鉅原子可係同一或不同。 i i ) (a2)成分含yS -二酮、/5 —酮酯，或/3 - 二酸酯時，醇化鉬之烷氧基部份或全部脫離，（a 2 )成分中2羧基間之CH2失去其氫原子，該失去氫原子之冷-二酮成共振構造，與1鉬原子螯合之反應產物。 iii ) ( a 2 )成分含乳酸時，醇化鉅之烷氧基部份或全部脫離，（a 2)成分中至少1以上之羧基失去其氫原子，該失去氫原子之羧基中氧原子與鉅原子結合之反應產物。此時，失去氫原子之羧基亦可成共振構造，與一鉬原子螯合。 iv) (a 2)成分含乳酸乙酯時，酯基之2氧原子與鉬原子結合之反應產物。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 v) 上述i )至iv)中與鉬原子結合所生之（a 2) 成分中之氧原子或氮原子更與其它反應產物或未反應醇化鉅之鉅原子結合之反應產物。 vi) (a2)成分含1，5 -環辛二烯時，醇化鉅之烷氧基部份或全部脫離，1 ，5 -環辛二烯中至少1雙鍵與至少1鉬原子配位結合之組成物。 vii) ( a 2 )成分或任意添加之單醇或單酚類之未反應物，其氧原子或氮原子與上述i )至i v)中之任一反應本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1296830 A7 B7 五、發明説明（9 ) 產物之鉬原子結合之反應產物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) viii)上述i )至vii)中之任一反應產物之鉅原子，與其它反應產物或未反應醇化鉅之鉬原子，介以氧原子結合之反應產物。 i X )上述i )至v i i i )中之任一反應產物之钽原子 ’與其它反應產物之鉬原子或未反應醇化鉅之鉬原子，介 •以殘留在該反應產物之烷氧基或未反應醇化鉅之烷氧基的氧原子橋接結合之反應產物。 X )上述任2種以上反應產物之混合物。在此，所形成之結合可係共價結合、離子結合、配位結合、氫鍵結合或介於這些之間的結合。如上述之反應產物有時含未反應之烷氧基或醇化鉅之烷氧基，與任意添加之單醇類起交換反應之烷氧基。如上述之反應產物有時含未反應之烷氧基或醇化钽之烷氧基，與任意添加之單醇類起交換反應之烷氧基（此後這些或統稱爲「未反應烷氧基」。）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用作本發明之〔A〕成分之反應產物，下述式（1 ) 所定義之反應轉化率在5 0莫耳％以上，7 〇莫耳％以上爲較佳，8 5莫耳％以上爲特佳。反應轉化率=丨1 -（反應產物中未反應烷氧基總數 /原料醇化钽之烷氧基總數）丨X 1 0 0 (莫耳％ ) 若該値不及5 0莫耳％，則有時形成之氧化鉅膜電特性差。上述反應產物之水解產物，可例如將上述反應產物對本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ' -12- 1296830 A7 B7 五、發明説明（1Q) 鉅原子1當量於0 · 0 1至1 ，〇〇〇莫耳水之存在下，於室溫至1 0 0 °c攪拌合成。上述反應產物之水解產物包含，可水解部份全部水解之化合物及其一部份水解一部份未水解之部份水解物。本發明中，上述反應產物及其水解產物可單獨或2種以上一倂使用。〔B〕原羧酸酯本發明組成物可更含〔B〕原羧酸酯使用本發明組成物形成氧化鉬膜時，特以當（A )成分係（a 1 )成分與（a 2 )成分之反應產物時，〔b〕原羧酸酯可減輕5環境中水分反應之溫度不良影響。因此，以含〔B〕原羧酸酯之本發明組成物形成之氧化鉅膜品質高。上述〔B〕原羧酸酯與水分之反應機制，推定係如下式（2 )。 R1C(OR2)3 + 3H2〇^R1COOH + 3R2OH + H2〇 ( 2 ) (其中R1及R2係烷基或芳基。）用於本發明之〔B〕原羧酸酯，具體例有原甲酸三甲酯、原甲酸三乙酯、原甲酸三丙酯、原甲酸三丁酯、原曱酸三戊酯、原甲酸二乙丙酯、原甲酸三苯酯、原醋酸三甲酯、原醋酸三乙酯、原醋酸三丙酯、原醋酸三丁酯、原醋本i張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 " f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 1296830 A7 B7 五、發明説明（u) 酸三戊醇、原醋酸二乙丙酯、原醋酸三苯酯、原丙酸三甲酯、原丙酸三乙酯、原丙酸三丙酯、原丙酸三丁酯、原丙酸三戊酯、原丙酸二乙丙酯、原丙酸三苯酯、原丁酸三甲酯、原丁酸三乙酯、原丁酸三丙酯、原丁酸三丁酯、原丁酸三戊醇、原丁酸二乙丙酯、原丁酸三苯酯、原月桂酸三甲酯、原月桂酸三乙酯、原月桂酸三丙酯、原月桂酸三丁酯、原月桂酸三戊酯、原月桂酸二乙丙酯、原月桂酸三苯酯、原苯甲酸三甲酯、原苯甲酸三乙酯、原苯甲酸三丙酯、原苯甲酸三丁酯、原苯甲酸三戊酯、原苯甲酸二乙丙酯原苯甲酸三苯酯、原乳酸三甲酯、原乳酸三乙酯、原乳酸三丙酯、原乳酸三丁酯、原乳酸三戊酯、原乳酸二乙丙酯原乳酸三苯酯等。這些原羧酸酯中，從與水之反應性，係以脂族酯爲佳，具體言之，以原甲酸三甲酯、原甲酸三乙酯及原苯甲酸三甲酯爲特佳。這些原羧酸酯可單獨或2種以上混合使用 0 本發明組成物中〔B〕原羧酸酯之用量，可依組成物含水率，形成氧化鉅膜之際周遭之濕度等適當設定，以占組成物全體0 . 05至50重量％爲佳，0 · 1至30重量％爲更佳，0 . 5至20重量％又更佳。而，水與原羧酸酯反應生成之羧酸類、醇類以及原乳酸酯之烴基可與膜形成組成物反應，不影響本發明效果。氧化鉬膜形成用組成物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 1296830 A7 B7 五、發明説明（12) 本發明組成物通常係將上述各成分溶於溶劑，作爲溶液組成物使用。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可用於本發明之溶劑，若可溶解上述各成分，而不與其反應者即無特殊限制。如此之溶劑有例示爲用於（a 1 ).醇化鉬與（a 2 )成分之反應的溶劑，此外可用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、環己醇、辛醇、癸醇、乙二醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單異丙醚、二乙二醇單甲醚 '二乙二醇單乙醚、丙二醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、甘油、甘油單甲醚、甘油二甲醚、甘油單乙醚、甘油二乙醚等醇系溶劑；乙二醇單甲醚醋酸酯、乙二醇單乙醚醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、丙二醇單乙醚醋酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等酯系溶劑〇這些溶劑可單獨或2種以上混合使用。其中，從各成分之溶解度及組成物之安定性，係以醇系溶劑，及醇系溶劑與其它極性溶劑之混合溶劑爲佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製醇系溶劑以例如丙二醇單甲醚、丙二醚單乙醚及丙二醇單丙醚爲佳。又，醇系溶劑與其它極性溶劑之混合溶劑，係以醇系溶劑/醚系溶劑之混合溶劑，及醇系溶劑/酯系溶劑之混合溶劑爲佳。上述醇系溶劑/醚系溶劑混合溶劑之較佳具體例有，丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、及丙二醇單丙醚中至少1 醇系溶劑與至少1選自雙（2 -甲氧基乙基）醚、二乙二醇二乙醚、及二乙二醇單乙醚之醚系溶劑之混合溶劑。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ' ** -15- A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296830 五、發明説明（13) 上述醇系溶劑/酯系溶劑混合溶劑之較佳具體例有，丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、及丙二醇單丙醚中至少1 醇系溶劑，與至少1選自丙二醇單甲醚醋酸酯及丙二醇單甲醚醋酸酯之酯系溶劑之混合溶劑。而上述之中，丙二醇單烷醚類有異構物存在，其任一均可使用，異構物之混合物亦可使用。上述（a 1 )醇化鉅與（a 2 )成分反應中使用溶劑時，可不去除該溶劑直接作本發明組成物之溶劑使用。亦可於反應後去除溶劑，必要時進行（a 1 )醇化鉅與（a 2 )成分之反應生成物的純化後，再添加溶劑。又，不去除用於反應之溶劑，再追加溶劑成本發明之組成物亦可。而，所用溶劑含羥基時，會與（a 1 )醇化鉅與（a 2 )成分之反應產物的殘餘烷氧基反應，但無妨於本發明效果。本發明組成物含溶劑時，溶劑用量可依所欲塗膜厚度適當設定，而以組成物中溶劑以外成分合計濃度，在5 0 重量％以下爲佳，0 . 5至5 0重量％爲更佳，1至3 0 重量％爲又更佳，1至20重量％爲特佳。本發明組成物中爲提高钽濃度，必要時可含上述以外之鉅化合物。又，本發明組成物在無損於目的功能之範圍內，必要時可添加氟系、矽氧系、非離子系等表面張力調節劑。所得組成物必要時可適當混合鋁、氧化銷、氧化鈦、氧化矽等之金屬氧化物微粒等使用。本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐) 一一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-16- 1296830 A7 B7 五、發明説明（14) 氧化钽膜之形成方法其次說明氧化鉅膜之形成方法將上述組成物塗布於基體上形成本發明組成物之塗膜。.基體表面可係平.面，有落差之非平面，或曲面。其立體形狀亦無特定，可係例如塊狀、板狀、膜狀等。基材之材質以可耐後續之熱處理爲佳。其具體例有玻璃、金屬、金屬化合物、塑膠、陶瓷及此等之層合體等。玻璃可用例如石英玻璃、硼矽酸玻璃、鈉玻璃、鉛玻璃等。金屬及金屬化合物可用例如，金、銀、銅、鎳、矽、鋁、鐵 '鉑、釕、鎢、鈦、鈷、鉬、銦、不銹鋼、鋁合金、矽化物、氮化鉅、氮化鈦、氧化釕等。塑膠有例如聚酰亞胺、聚醚碾、降冰片烯系開環聚合物及其加氫物等。上述溶液之塗布方法無特殊限制，可係例如旋塗、浸塗、流塗、幕塗、輥塗、噴塗、棒塗、噴墨、印刷等適當方法。塗布可於一次施行，或於多次施行。合適塗膜厚度可依所欲氧化鉅膜厚設定。例如膜厚以0 . 0 0 1至1 0 微米爲佳，0 · 0 0 5至1微米爲更佳。而組成物含溶劑時，上述膜厚指溶劑去除後之膜厚。本發明之塗布步驟係於濕度（環境氣體中水蒸氣含量 )5克/立方米以下，較佳者爲3克/立方米之環境下施行。若濕度超過5克/立方米，則形成之氧化鉬膜其絕緣特性會惡化。惟若本發明之上述組成物含選定量之原羧酸酯時，上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（15) 述塗膜形成步驟可不受濕度影響，例如，在超過5克/立方米濕度之環境下形成塗膜亦可得高品質氧化鉅膜，而在 7克/立方米以上，尤以9克/立方米以上之濕度環境中亦可形成高品質之氧化鉅膜。其次，如上形成之塗膜經熱及/或光處理轉化爲氧化鉬膜。上述熱處理溫度以2 0 0 t以上爲佳，3 〇 0至 9 0 0 °C以上爲更佳，3 5 0至8 0 0 °C爲又更佳。加熱時間可依膜厚等適當設疋’爲得尚品質膜以加熱5分鐘以上爲佳，15至90分鐘爲更佳，30至60分鐘又更佳 0 又，加熱之際，環境氣體中氧濃度愈高愈佳。上述加熱處理時之環境氣體可用空氣、純氧、臭氧或 N 2〇，或其混合氣體，或該等氧化性氣體與氮、氨、氬等惰性氣體之混合氣體。用於上述光處理之光源，可係低壓、高壓水銀燈，重氫燈或氬、氪、氙等稀有氣體之放電光，YA G雷射、氬雷射、二氧化碳雷射、XeF、XeCl、XeBr、 KrF、KrCl 、ArF、ArCl等之準分子雷射等。這些光源之輸出以10至5，000瓦爲佳，100至 1 ，0 0 0瓦爲更佳。照射時間以0 · 1至6 0分鐘爲佳，1至3 0分鐘爲更佳。光源波長無特定，以含1 7 0奈米至6 0 0奈米之波長爲佳。光處理時之環境氣體可用如同上述之加熱處理所用者本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 1T·

-18- 1296830 Α7 Β7 五、發明説明（16) 。光處理溫度無特殊限制，通常在室溫至5 〇〇它左右。光照射時爲只照射特定部位，可透過光罩照射。爲得高品質氧化鉅膜，以兼作上述熱處理及光處理爲佳。處理順序可任意設定，同時施行亦可。所得钽膜，隨熱處理及/或光處理條件，可成非晶狀或結晶狀態。如上形成之氧化鉅膜，必要時可更以氧電漿、U V -臭氧處理後使用。如上而得之氧化钽膜’非晶狀態下比介電率1 5至 2 5，結晶狀態下比介電率高達2 5至6 0左右，且漏電流小，適用作D R A Μ用電容器絕緣膜、閘極絕緣膜等，半導體裝置用絕緣膜等筒介電體膜，反射防止膜、鈍化膜、阻障膜等。而作爲半導體裝置用絕緣膜時，漏電流以i 〇 - 2安培 /平方公分以下爲佳，1 0—4安培/平方公分以下爲更佳 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3" Τ

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例其次以賓施例更詳細說明本發明，惟本發明並非僅限於該等實施例。合成例1 五乙醇鉬8 · 1克之四氫呋喃（T H F ) 6 7毫升溶液，在氮氣下一面攪拌一面於1 5分鐘添加三乙醇胺1 0 克與T H F 6 7毫升之混合液。添加完後於室溫再攪拌1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） -19- 1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（17) 小時。反應液由無色透明變微白濁。之後於減壓下濃縮，殘渣以己烷淸洗後，再溶解於少量四氫呋喃，以己烷再沈澱。將所得白色固體過濾，減壓乾燥。以1 Η - N M R分析，來自五乙醇化鉅之乙氧基之高峰消失，來自三乙醇胺之高峰出現。收率8 0 %。原料五乙醇化鉅之乙氧基的轉化率爲1 0 0莫耳％GP C分析之數均分子量爲1 ，5 0 0 〇 G P C量測條件如下（合成例2至5，7、8及1 0 亦同）。溶劑：四氫呋喃（T H F ) 濃度：0·1克鉅化合物溶於10毫升THF 標準：PRESSURE CHEMICAL公司製標準聚苯乙烯 •裝置：高溫高速凝膠滲透層析（1 5 0 〇 - C型 A L C / G P C，Waters 公司製）管柱：昭和電公（股）製SHODEX A-80M(長度50公分）量測溫度：4 0 °C 流速：1毫升/分鐘第1圖示NMR圖。合成例2 以氮充分取代後之2 0 0毫升茄形燒瓶，在氮氣下饋入五乙醇钽8· 12克（20毫莫耳）及THF50毫升。攪拌下於15分鐘添加二乙二醇8 . 1克（7 6毫莫耳 )。之後再於室溫攪拌1小時。本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公酱)' ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-20- 1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（18) 反應液仍無色透明，粘度略增。之後於減壓下將溶劑完全去除，得白色固體（含鉅產物）7 · 8克。以1 Η - N M R分析，確認有來自五乙醇鉅之未反應乙氧基之高峰，及來自與二乙二醇之反應產物之高峰，其積分比1 : 2 0。由此推算五乙醇鉅乙氧基之轉化率爲9 1 莫耳％。 G P C分析所量測之數均分子量爲7 3 0。元素分析計算出鉬含量爲4 0 · 9重量％。第2圖示產物之1 H — NMR圖。合成例3 除二乙二醇之量改1 6 . 2克（5 8 4毫莫耳）以外，如同合成例2得白色固體（含鉬產物）12 . 5克。所生固體以1 Η - N M R分析，有來自五乙醇鉬之未反應乙氧基之高峰，及來自與二乙二醇之反應產物之高峰，其積分比爲1 : 3 6。由此推算五乙醇钽之乙氧基之轉化率爲9 3莫耳％。 GP C分析之數均分子量爲6 8 0。元素分析計算鉅含量爲25·5重量％。合成例4 除二乙二醇8 · 1克改乙二醇2 · 9克（5 0毫莫耳 )外如同合成例2，得白色固體（含鉬產物）4 · 2克。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 許

-21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296830 Α7 Β7 五、發明説明（19) 所得固體以1 Η - N M R分析，有來自五乙醇鉅之未反應乙氧基之高峰，及來自與乙二醇之反應產物之高峰’其積分 &丨：1 4。由此推算五乙醇鉬之乙氧基之轉化率爲 9 1莫耳％。 G P C分析時分子量分布呈多模分布，有5 0 0至 i ，5 4 0之高峰。數均分子量計算値5 4 0。以元素分析計算鉅含量，爲54·2重量％。合成例5 二乙二醇8 . 1克改乙二醇5 . 8克（100毫莫耳 )外如同合成例2得白色固體（含鉅產物）8 . 8克。所得固體以1 Η - N M R分析，有來自五乙醇鉬之未反應乙氧基之高峰，及來自與乙二醇之反應產物之高峰，其積分比 1 : 3 0。由此推算五乙醇鉅之乙氧基之轉化率爲9 6莫耳％0 以G P C分析得多模分布之分子量分布，有5 0 0至 1 ，2 0 0之高峰。數均分子量計算値爲74 0。以元素分析計算鉬含量，爲3 9 . 2重量％。合成例6 氮氣充分取代後之2 0 0毫升茄形燒瓶，於氮氣下饋入五乙醇鉬8 . 1 2克（2 0毫莫耳）及四氫呋喃（ T H F ) 5 0毫升，攪拌下於室溫以1 5分鐘添加氫醌 5 . 5克（50毫莫耳）。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

-22- 1296830 A7 B7 五、發明説明（20) 氫醌滴入開始起，同時有白色固體析出，呈白濁。之後再於室溫攪拌1小時。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反應完後過濾分離所生固體，減壓下完全去除溶劑，得白色固體（含鉬產物）8 · 6克。所得固體以1 Η - N M R分析，有來自五乙醇鉅未反應乙氧基之高峰，及來自與氫醌之反應產物之高峰，積分比爲1 : 2 1。由此計算五乙醇鉅之乙氧基轉化率爲9 4莫耳％。又，以元素分析算出組含量爲39.8重量％。合成例7 氮氣充分取代後之3 0 0毫升茄形燒瓶，在氮氣下饋入五乙醇鉅1 5克（3 7毫莫耳）及四氫呋喃（THF) 1 5 0毫升，冷卻至〇 °C，攪拌下於室溫以1小時3 0分鐘添加二乙二醇9 · 8克（9 2毫莫耳）之7 5毫升 T H F溶液。之後再於0 °C攪拌8小時。反應液仍無色透明而粘度略增。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後於減壓下完全去除溶劑，以己烷2 5毫升淸洗，真空乾燥得白色固體1 3克。以1 H -NMR分析，有來自五乙醇鉅之未反應乙氧基之高峰，及來自與二乙二醇之反應產物之高峰，積分比1 :1 6。由此算出五乙醇钽之乙氧基轉化率爲8 6莫耳％。以G P C分析得數均分子量9 3 0。第3圖示產物之1H—NMR圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） -23 - 1296830 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（21) 合成例8 五異丙醇鉅8 . 1克溶於T H F 6 7毫升之溶液，氮氣下於室溫一面攪拌一面於1 5分鐘添加三乙醇胺1 0克與T H F 6 7毫升之混合液。添加完後於室溫再攪拌1小時。反勝液由無色透明變微白濁。之後於減壓下濃縮，殘渣以己烷淸洗後，再溶於少量T H F，以己烷再沈澱。所得沈澱物經過濾，減壓乾燥。產物以1 Η - N M R分析，來自五異丙醇組之異丙氧基之高峰消失，來自三乙醇胺之高峰出現。收率爲8 5 %。原料五異丙醇鉬之異丙氧基轉化率爲 1 00莫耳％。GPC分析得數均分子量1，8 00。合成例9 氮氣充分取代後之2 0 0毫升茄形燒瓶，氮氣下饋入五丁醇鉅1 1克（2 0毫莫耳）及T H F 5 0毫升，攪拌下於室溫以1 5分鐘添加氫醌5 · 5克（5 0毫莫耳）。與氫醌開始滴入同時，白色固體析出而呈白濁。之後於室溫再攪拌1小時。反應完後，過瀘分離生成之固體，減壓下完全去除溶劑，得產物1 2克。所得產物以1 Η - N M R分析，有來自五丁醇鉬之未反應丁氧基之高峰，及來自與氫醌之反應產物之高峰，其積分比爲1 : 2 1。由此算出五丁醇組之丁氧^基之轉化率爲 9 4莫耳％。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -装. 訏

本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -24- 1296830 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（22) 合成例1 〇氮氣充分取代後之2 0 0毫升茄形燒瓶，氮氣下饋入五乙醇鉅8 _ 12克（20毫莫耳）及THF50毫升，攪拌下，於室溫15分鐘添加二乙二醇5 . 3克（50毫莫耳）。之後更於室溫攪拌1小時。反應液仍無色透明，粘度略增。之後，減壓下完全去除溶劑，得白色固體7 · 8克。所得白色固體以1 Η - N M R分析，有五乙醇鉅之未反應乙氧基之高峰，及來自與二乙二醇之反應產物之高峰，積分比1 : 2 0。由此算出五乙醇鉬之乙氧基之轉化率爲 88莫耳％。以GPC分析得數均分子量870。第4圖示產物之1 H — NMR圖。合成例1 1 氫醌之量改3 . 3克（3 0毫莫耳）外如同合成例6 ，得白色固體5.3克。所得固體以1 Η - N M R分析，有來自五乙醇鉅之未反應乙氧基之高峰，及來自與氫醌之反應產物之高峰，其積分比爲1 : 2 · 4。由此算出五乙醇钽乙氧基之轉化率爲 6 4莫耳％。實施例1 合成例1所得之含鉅產物（鉅化合物）1克溶於二乙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -25- 1296830 A7 B7 五、發明説明（23) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 二醇單乙醚/水=9 0 / 1 0體積％混合液1 〇毫升，調製溶液。該溶液以孔徑〇 . 2微米之鐵氟龍（註冊商標）製濾材過濾去除異物後，於矽基板上以2，0 〇〇 r p m 旋塗。於空氣中蒸發溶劑後，空氣存在下於5 Ο 0 °C加熱 3. 0分鐘，得基板上之透明膜。其厚8 Ο 0埃。該膜以 E S C Α量測，於2 6電子伏特有T a 4 f 7 / 2軌道之高峰，於5 3 1電子伏特有〇i s軌道之高峰，判定該膜爲 Ta2〇5。該E SCA圖示於第5圖。實施例2 溶液二乙二醇單乙醚/水=9 0 / 1 〇體積％混合液改二乙二醇單乙醚/水/ 2 -丙氧基乙醇= 8 0/5/1 5體積％混合液2 0毫升外，如同實施例1 成膜。膜厚3 5 0奈米。該膜以E S C A量測時，如同實施例1，於2 6電子伏特有T a 4 f 7 / 2軌道之高峰，於 5 3 1電子伏特有〇i s軌道之高峰，故判定該膜爲 T a 2〇5膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例3 溶劑二乙二醇單乙醚/水=9 Ο / ;l 〇體積％混合液改二乙二醇單乙醚/ 2 -丙氧基乙醇= 5 0 / 5 0體積％混合液1 0毫升外，如同實施例1成膜。膜厚8 0 0奈米。以E S C Α量測時，於2 6電子伏特有Ta 4ί7/2軌道之尚峰’於5 3 1電子伏特有〇is軌道本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- A7 B7 1296830 五、發明説明（24) 之高峰，故判定該膜爲T a 2〇5。實施例4 合成例2所得含鉅產物1克溶於二乙二醇單甲醚9克，以孔徑0 · 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。該組成物在濕度2克/立方米之環境下，以 2，〇〇〇 r p m旋塗於徑鉑〇 . 2微米被覆之矽基板上 ’膜厚0 . 0 9 1微米。其次，於空氣中蒸發溶劑後，在空氣存在下於5 0 0 °C加熱3 0分鐘，得基板上之透明膜。膜厚0 · 0 3 0微米。以E S C A量測，於2 6電子伏特有T a4f7/2軌道之高峰，及5 3 1電子伏特之〇is軌道之高峰，判定該膜爲氧化鉅。該E S C A圖譜示於第6 圖。該膜上以鉑濺鍍成厚0 . 0 6 0微米之膜後，施加 1 . 5伏特電壓時漏電流爲1 0 _ 8安培/平方公分，呈示足爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例5 除用合成例3所得之含鉅產物1克外，如同實施例4 得透明膜。膜厚0 · 0 3 5微米。該膜以E S C A量測判定該膜爲氧化鉬。又，所得膜之漏電流爲1 〇 - 8安培/平方公分，呈示作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

-27- 1296830 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（25) 除用合成例4所得之含钽產物1克外，如同實施例4 得透明膜。該膜膜厚0 . 0 3 2微米，以E S C A量測判定爲氧化钽膜。漏電流爲1 0 -8安培/平方公分，呈示作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能.。實施例7 除用合成例5所得之含鉬產物1克外，如同實施例4 得透明膜。膜厚0 · 0 3 2微米，以E S C A量測判定爲氧化鉬膜。而所得膜之漏電流爲1 0 _ 8安培/平方公分，呈示作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例8 除用合成例6所得之含鉬產物1克外，如同實施例4 得透明膜，膜厚0 . 0 3 1微米。以E S C A量測判定該膜爲氧化鉬。又，所得膜之漏電流爲1 0 _ 8安培/平方公分，呈示半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例9 合成例7所得產物1 . 〇克及原甲酸甲酯〇 · 9克溶於1 一甲氧基一 2 -丙醇8 . 1克，以孔徑0 . 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。其次，該組成物於濕度7克/立方米之環境下，以 2，0 0 0 r p m旋塗於經鉑2 0 0奈米厚被覆之矽基板上，膜厚1 0 0奈米，於1 4 5 °C蒸發溶劑。去除溶劑後 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 杯

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 1296830 A7 B7 五、發明説明（26) 膜厚爲6 5奈米。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，於空氣中4 0 0 t加熱3 0分鐘，得基板上之透明膜。膜厚4 0奈米，以E S C A量測，於2 6電子伏特有T a 4 f 7 / 2軌道之高峰，於5 3 1電子伏特有〇i s軌道之高峰，判定該膜爲氧化鉅。第7圖示該E S C A圖譜。該膜上以鋁蒸鍍成1 0 0奈米厚之膜後，施加1 . 5伏特電壓時漏電流爲1 0 _ 8安培/平方公分，呈示作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例1 0 合成例7所得產物1 · 0克及原甲酸甲酯0 · 9克溶於1 一甲氧基一 2 -丙醇8 · 1克，以孔徑0 . 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。其次，將該組成物於濕度9克/立方米之環境下，以 2，〇〇〇 r p m旋塗於經鉑2 0 0奈米厚被覆之矽基板上，膜厚1 0 0奈米，於1 4 5 °C蒸發溶劑。去除溶劑後膜厚6 3奈米。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，空氣中於4 0 0 °C加熱3 0分鐘，得基板上之透明膜。膜厚4 0奈米。同樣方法重複二次，塗3層得層合膜。.層合膜之總厚度1 1 0奈米。以E S C A量測判定爲氧化鉬，漏電流爲1 0 — 8安培/平方公分，呈作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（27) 合成例7所得之產物1 . 〇克及原甲酸甲酯0 · 9克，溶於丙二醇單丙醚（異構物混合物）8 . 1克，以孔徑 0 · 2微米鐵氟龍製瀘材過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。其次，該組成物於濕度7克/立方米之環境下’旋塗於經鉑2 0 0奈米厚被覆之矽基板上，膜厚1 〇〇奈米’ 於1 4 5 t蒸發溶劑，去除溶劑後之膜厚爲6 0奈米。之後，於氧中以波長2 5 4奈米，曝光量 50，000焦耳/平方米作光處理，其次，於空氣中 4 0 0 t加熱3 0分鐘，得基板上之透明膜。膜厚爲3 5 奈米。以E S C A量測判定爲氧化钽。所得膜之漏電流爲 1 0 — 8安培/平方公分，具半導體裝置用絕緣膜之充分性會b 。實施例1 2 合成例8所得產物1·〇克及原甲酸乙酯〇·9克溶於二乙二醇8 . 1克外，如同實施例9得透明膜。膜厚 4 2奈米。經E S C A量測判定該膜爲氧化鉅。又，所得膜之漏電流爲1 0 _ 8安培/平方公分，具半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例1 3 合成例9所得產物1 . 〇克及原安息香酸甲酯〇 · 9 克溶於丁醇8 . 1克外，如同實施例9得透明膜。膜厚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21^^^--------- -30 - (請·先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝杯

1296830 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _______五、發明説明（28) 3 1奈米。E S C A量測判定該膜爲氧化鉅。所得膜之漏電流爲1 0 8安培/平方公分，具半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例1 4 合成例1 0所得之白色固體1克溶於丙二醇單甲醚（異構物混合物）9克，以孔徑0 . 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。該組成物於濕度3克/立方米之環境下，以 2，0 0 0 r p m旋塗於經鉑0 · 2微米厚被覆之矽基板上，空氣中濕度3克/立方米之環境下，於1 4 5 t之熱板上蒸發溶劑。溶劑去除後，膜厚〇 · 〇 5 0微米。之後，空氣中於4 0 0 °C加熱3 0份鐘，得基板上之透明膜。該膜厚0 . 0 3 0微米。以E S C A量測，於 2 6電子伏特有T a 4 f 7 / 2軌道之高峰，及5 3 1電子伏特有0 i s軌道之高峰，判定該膜爲氧化鉅。其E S C A圖譜示於第8圖。該膜上以鉑濺鍍成厚〇 . 〇 6 0微米厚之膜後，電場強度1 · 5伏特/公分—1之漏電流爲1 0 8安培/平方公分，呈作爲半導體裝置用絕緣膜之充分性能。實施例1 5 合成例1 0所得白色固體1克溶於丙二醇單甲醚（異構物混合物）9克，以孔徑〇 . 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化钽膜形成用組成物。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 杯

-31 - 1296830 A7 B7 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 過濾，調製氧化鉅膜形成用組成物。該組成物於濕度1克 /立方米之環境下，以2，0 0 0 r p m旋塗於經鉛〇· 2微米厚被覆之矽基板上，其次，空氣中濕度1克/ 立方米之環境下，於1 4 5 °C之熱板上蒸發溶劑。去除溶劑後之膜厚爲0 · 0 4 8微米。之後，於空氣中4 0 0 t加熱3 0分鐘，得基板上之透明膜。膜厚0 · 0 3 5微米。以E S C A量測判定該膜爲氧化鉅。又，所得膜之漏電流爲1 0 — 9安培/平方公分，示作爲半導體用絕緣膜之充分性能。實施例1 9 合成例1 1所得白色固體1克溶於丙二醇單甲醚（異構物混合物）9克，以孔徑0 · 2微米之鐵氟龍製濾材過濾，調製氧化鉬膜形成用組成物。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製該組成物於濕度3克/立方米環境下，以 2，0 0 0 r p m旋塗於經鉑0 . 2 0微米厚被覆之矽基板上，其次，空氣中濕度3克/立方米之環境下於1 4 5 °C之熱板上蒸發溶劑，去餘溶劑後之膜厚爲0 . 0 5 1微米。之後，空氣中4 0 0 °C加熱3 0分鐘後，於基板上得透明膜膜厚0 · 0 3 0微米。以E S C A量測判定該膜爲氧化鉬。膜上以鉑濺鍍成0 . 0 6 0微米厚之膜，電場強度1 . 5伏特/公分—1時之漏電流爲1 0 — 5安培/平方公分。示可作爲半導體裝置用絕緣膜之性能。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 -34-

Claims

Ι29683Ό A8 B8 C8 D8 961 i? 申請專利範圍i T λ! 第90127784號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國96年2月14日修正 1 _ 一種氧化組膜之形成方法，其特徵係將含有（ Α1)由（a 1)醇化鉅，與（a2)至少1種選自胺基醇、分子內有2個以上羥基之化合物（但胺基醇除外）、泠—二酮、沒一酮酯、，一二羧酸酯、乳酸、乳酸乙酯、及1 ’ 5 -環辛二烯所成群之化合物的反應產物、及（ A 2 )至少1種選自該反應產物之水解物所成群之含鉅產物的組成物塗佈於基板上，然後進行熱處理及光處理，其中醇化钽（a 1 )係下述式（1 )所示者，請先聞面之注

旁訂 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T a ( 0 R ) 5 其中R係碳原數1至6之烷基，5個R係可相同或不同，（a 2)成分係分子內有2以上羥基之混合物。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該鉬化合物係（a 1 )成分與（a 2 )成分之反應產物。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中（a 1 )與 (a2)成分之反應產物中，（a 1)成份之烷氧基之反應轉化率爲5 0莫耳％以上。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中（a 1 )成份與（a 2 )成份之反應產物之數均分子量在3 0 0至 1 〇，0〇0之範圍。本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Ι29683Ό A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中更含（B ) 原羧酸酯。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中係於濕度 0.5克/立方米以下之環境下進行塗布。 7 · —種氧化钽膜，其特徵係依申請專利範圍第1項之方法所形成。 8 . —種半導體裝置用絕緣膜，其特徵係由如申請專利範圍第7項之氧化鉅膜所構成。 (請先閲«背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 -