TWI311024B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI311024B
TWI311024B TW094121692A TW94121692A TWI311024B TW I311024 B TWI311024 B TW I311024B TW 094121692 A TW094121692 A TW 094121692A TW 94121692 A TW94121692 A TW 94121692A TW I311024 B TWI311024 B TW I311024B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
disposed
signal processing
processing unit
image sensing
sensing module
Prior art date
Application number
TW094121692A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200701774A (en
Inventor
Zung Peter
Tzu Han Lin
Fang Chang Liu
Original Assignee
Visera Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Visera Technologies Co Ltd filed Critical Visera Technologies Co Ltd
Priority to TW094121692A priority Critical patent/TW200701774A/zh
Priority to US11/226,223 priority patent/US20060289733A1/en
Publication of TW200701774A publication Critical patent/TW200701774A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI311024B publication Critical patent/TWI311024B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/941—Dispositions of bond pads
    • H10W72/9413—Dispositions of bond pads on encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

1311024 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明係與影像感應模組有關，/特別是指一種堆疊式 - 影像感應模組。 且， 5【先前技術】 越來越多的電子產品具有數位照相功能，例如手機、 > roA’歧筆記型電腦料，而上述具有照相功能的電子 產品通常都設有一影像感測器；一種習用的影像感測器， 其係直接於一可撓性電路板(FPC)設一影像感测晶片以及 一多晶片模組，多晶片模.组具有一數位信號控制器(Digital Signal Processor，Dsp)、一記憶體晶片，與其他電子元件 ㈣由電路板將影像感測晶片與多晶片模組相互電性連 接在一起，該影像感測器即可直接使用於電子產品上。 然而，於上述影像感測器之結構中，由於影像感測晶 15片以及數位信號控制器必須利用電路板才能整合在〆起， 因而使得整體影像感測器之體積較大，進而影像感測器應 用於電子產品時，電子產品可設置組成元件的空間會被影 像感測器佔去-大部分，使得產品體積不易縮小，造成產 - 品設計時之困擾。 • 20 【發明内容】 因此，本發明之主要目的乃在於提供一種影像感應模 組’該感應模組之各組成構件係呈堆疊狀地相互結合，使 整體影像感應模組之體積較小，增加應用影像感應模組時 1311024 之便利性。 為達成前揭目的’本發明所提供之堆疊式影像感應模 組，包含有一感應單元、一訊號處理單元、多數銲點，以 及一鏡片組；該感應單元具有一第一面以及一第二面，該 5第一面具有多數第一導電部，該訊號處理單元具有多數第 二導電部’該訊號處理單元係設於該感應單元之第一面' 且各e玄第一導電部係電性連接於各該第一導電部，各該鲜 點係電性連接於該訊號處理單元之各第二導電部，而該鏡 片組係設於該感應單元之第二面，且覆蓋各該第一導電 10部；藉此，本發明利用該感應單元與該訊號處理單元相互 間呈堆疊狀方式結合，即可達到使影像感應模組之體積較 小’增加應用時之便利性的目的。 【實施方式】 15 以下，茲配合圖式舉二較佳實施例，用以對本發明之 結構與功效做詳細說明，其中各圖式之簡要說明如下： 第一圖係本發明第一較佳實施例之結構示意圖；以及 第二圖係本發明第二較佳實施例之結構示意圖。 請參閱第一圖所示，係為本發明第一較佳實施例所提 2〇供之堆疊式影像感應模組(10)，影像感應模組(10)包含有一 感應單元(20)、一訊號處理單元(3〇)、多數銲點(5〇)，以及 一鏡片組(60)。 該感應單元(20)包括有一感光晶片（21)以及一封裝件 (22)，感光晶月（21)係為互補性氧化金屬半導體 1311024 (Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS)，封裝 件(22)係為環氧樹脂(Epoxy)材質，感光晶片（21)具有多數接 點(23)，封裝件(22)具有多數對應於各接點(23)位置之通孔 (24) »感應早元(20)係利用晶圓級封裝（Wafer Level Chip 5 Scale Package，WLCSP)製成，使感應單元(20)形成出一第一 面(25)與一第二面(26)，感光晶片（21)之可感光區域以及各 接點(23)則外露於第二面(26)，感應單元(20)於第二面(26) 具有將各接點(23)重佈(Redistribution)後之多數第一導電部 (27)，各第一導電部(27)環繞於感光晶片（21)之外圍，各通 10孔(24)貫通於第一面(25)與第二面(26);第二面(26)覆設一保 護層(28) ’保護層(28)係覆蓋於該等第一導電部(27)，且於 對應感光晶片（21)之位置上方形成出一間隔空間(29)，感應 單元(20)之第二面(26)設有一遮板(55)，遮板(55)位於間隔空 間(29)内’用以保護感光晶片（21)外露出第二面p6)之可感 15 光區域。 該訊號處理單元(30)包括有一數位訊號處理器（Digital
Signal Processor，DSP)(31)以及一封裝件(32)，封裝件(32)係 為環氧樹脂(Epoxy)材質’數位訊號處理器(31)具有多數接 點(33) ’封裝件(32)具有多數對應於各接點(33)位置之通孔 2〇 (34)’ 號處理皁元(30)亦為利用晶圓級封裝(Wafer Level
Chip Scale Package, WLCSP)製成，使訊號處理單元(30)之 底面具有將各接點(33)重佈(Redistribution)後之多數第二導 電部(35);訊號處理單元(30)係藉由一黏膠(36)貼附於感應 單元(20)之第一面(25) ’使感光晶片（21)與數位訊號處理器 6 1311024 (31)之間呈堆疊狀，而訊號處理單元(30)之封裝件(32)的通 孔(34)連通於感應單元(2〇)之封裝件(22)的通孔(24)。 - —訊號處理單元(3〇)之底面設有一底層(40)，底層(40)為 環氧樹脂(Epoxy)材質，底層(40)具有多數貫通頂、底二面 5之通孔(42)，部份通孔(42)連通於訊號處理單元(3〇)之通 (34);訊號處理單元(30)之各通孔(34)、感應單元(2〇)之各通 孔(24)，以及底層(4〇)之各通孔(42)内皆設有導電材料(44)， 使感應單元(20)之各第一導電部卩7)電性連通於訊號處理 單元(30)之第二導電部(35)，而各該銲點(5〇)係設於底層(4〇) 10之底面對應於各通孔(42)位置，同時藉由導電材料(44)而電 性連接於訊號處理單元(30)之各第二導電部(35)。 該鏡片組(60)係為利用透明UV聚合材料經模製成形 方式(UV Replication Process)製成，鏡片組(60)係利用一黏 著塗料(62)貼附於感應單元(2〇)之保護層(28)，使鏡片組(6〇) I5 位於感光晶片（21)之上方。 經由上述結構之說明，當一電子產品（圖中未示)欲應用 本發明時’該電子產品可直接將各銲點(5〇)焊接於電子產品 之電路板’利用鏡片組(60)與感應單元(20)接收外界光線之 後所產生的電氣訊號’再藉由訊號處理單元(30)進行訊號的 -2〇運算以及處理，電子產品即可具有擷取影像的功能；由於 感應單元(20)、訊號處理單元(30)以及鏡片組(60)係利用晶 圓級封裝方式製成，而且相互之間呈堆疊狀地結合在一 起，使整體影像感應模組(10)之體積較小，可較為方便地與 電子產品之其他電子元件共同設置在電路板上。 7 1311024 藉此’本發明即可達到使影像感應模組之體積較小， 增加應用時之便利性的目的。 另外，如第二圖所示，係為本發明第二較佳實施例所 提供之堆疊式影像感應模組(70)，其主要組成構件與第一較 5佳實施例大致相同，包含有呈堆疊狀之一感應單元(71)、一 訊號處理單元(72)、多數銲點p3),以及一鏡片組(74)，特 點在於：鏡片組(74)之底面（75)另貼附一透明板(81)、一 IR-CUT形式之濾光層(76)、一遮光層(Aperture)(77)、以及 一透鏡(78),而鏡片組(74)與感應單元(71)之間藉由一間隔 ίο件(79)相互結合’濾光層(76)可用以過濾光線中之紅外線； 藉此’利用濾光層(76)、遮光層(77)以及透鏡(78)之相互搭 配組合’可增加影像感應模組(7〇)之光學特性，同時，亦可 達到本發明之發明目的。 1311024 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明第一較佳實施例之結構示意圖；以及 第二圖係本發明第二較佳實施例之結構示意圖。
【主要元件符號說明】
10 15
10堆疊式影像感應模組 20感應單元 21感光晶片 22封裝件 23接點 24通孔 25第一面 26第二面 27第一導電部 28保護層 29間隔空間 30訊號處理單元 31數位訊號處理器 32封裝件 33接點 34通孔 35第二導電部 36黏膠 40底層 42通孔 44導電材料 50銲點 55遮板 60鏡片組 62黏著塗料 70堆疊式影像感應模組 71感應單元 72訊號處理單元 73銲點 74鏡片組 75底面 76濾光層 77遮光層 78透鏡 79間隔件 81透明板 9 20

Claims (1)

  1. ,1311024 r7^/fn% 、申請專利範圍： w >-· 促 1.種堆疊式影像感應模組，包含有： -感應單元，該感應單元具有―感光晶片及—
    15 l牛燒於該感光晶片周邊，該感光晶片與該‘ 構有—第—面以及-第二面，該封裝件具有多數言 哕面及第二面之通孔’該通孔内設有一導電材料， 第n:該第二面上具有多數與該導電材料電性連接之 理器單元，該訊號處理單元具有—數位訊號處 封裝件，該封裝件圍繞於該訊號處理單元 面 具有多數通孔’該通孔内設有一導電材料，該訊 二 ％7C #面上具有多數與該導電材料電性連接之第 一電部，該訊號處理單元係設於該感應單元之第一 且各該第二導電部係電性連接於各該第-導電部；
    多數焊點’各該銲點係電性連接於該訊號處理單元之 各第一導電部；以及 一鏡片組，該鏡片組係利用一黏著塗料而設於該感應 單元之第二面，且覆蓋各該第一導電部。 2.依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 組，其中該感光晶片係為互補性氧化金屬半導體(c]Vl0S)元 20件，該感光晶片具有多數接點，各該第一導電部係電性連 接於各S亥接點，而該鏡片組覆設於該感光晶片。 3·依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 組，其中該數位訊號處理器具有多數接點，各該第二導電 部係電性連接於各該接點。 1311024 4. 依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 組，其中該訊號處理單元設有一底層，各該銲點係設於該 底層。 5. 依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 5組，其中該鏡片組與該感應單元之間設有一濾光層，該濾 光層係用以過濾光線中之紅外線。 6. 依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 組，其中該鏡片組與該感應單元之間設有一遮光層。 7. 依據申請專利範圍第1項所述之堆疊式影像感應模 ίο組，其中該鏡片組與該感應單元之間設有一間隔件，該間 隔件内設有一透鏡。 11
TW094121692A 2005-06-28 2005-06-28 Stack-type image sensor module TW200701774A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094121692A TW200701774A (en) 2005-06-28 2005-06-28 Stack-type image sensor module
US11/226,223 US20060289733A1 (en) 2005-06-28 2005-09-15 Stack-type image sensor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094121692A TW200701774A (en) 2005-06-28 2005-06-28 Stack-type image sensor module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200701774A TW200701774A (en) 2007-01-01
TWI311024B true TWI311024B (zh) 2009-06-11

Family

ID=37566210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094121692A TW200701774A (en) 2005-06-28 2005-06-28 Stack-type image sensor module

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060289733A1 (zh)
TW (1) TW200701774A (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090032925A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 England Luke G Packaging with a connection structure
US9231012B2 (en) * 2007-08-01 2016-01-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor package
CN102449995B (zh) * 2009-12-24 2015-03-11 京瓷株式会社 摄像装置
TW201137489A (en) 2010-04-28 2011-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light blocking member, method for making same and lens module having same
US20120281113A1 (en) * 2011-05-06 2012-11-08 Raytheon Company USING A MULTI-CHIP SYSTEM IN A PACKAGE (MCSiP) IN IMAGING APPLICATIONS TO YIELD A LOW COST, SMALL SIZE CAMERA ON A CHIP
US9685414B2 (en) 2013-06-26 2017-06-20 Intel Corporation Package assembly for embedded die and associated techniques and configurations
US9679936B2 (en) 2014-02-27 2017-06-13 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with through-oxide via connections
CN108140649B (zh) * 2015-10-01 2022-05-06 奥林巴斯株式会社 摄像元件、内窥镜以及内窥镜系统
US10644046B2 (en) * 2017-04-07 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out sensor package and optical fingerprint sensor module including the same
TWI668851B (zh) * 2018-01-31 2019-08-11 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 晶圓級感應模組及其製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122009A (en) * 1995-05-31 2000-09-19 Sony Corporation Image pickup apparatus fabrication method thereof image pickup adaptor apparatus signal processing apparatus signal processing method thereof information processing apparatus and information processing method
US6809421B1 (en) * 1996-12-02 2004-10-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Multichip semiconductor device, chip therefor and method of formation thereof
JP4285966B2 (ja) * 2002-09-27 2009-06-24 三洋電機株式会社 カメラモジュール
US6870208B1 (en) * 2003-09-24 2005-03-22 Kingpak Technology Inc. Image sensor module

Also Published As

Publication number Publication date
TW200701774A (en) 2007-01-01
US20060289733A1 (en) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6882020B2 (en) Camera module
US6396116B1 (en) Integrated circuit packaging for optical sensor devices
JP4650896B2 (ja) イメージセンサモジュール及びその製造方法、並びにこれを利用したカメラモジュール
US7643081B2 (en) Digital camera module with small sized image sensor chip package
CN100515039C (zh) 相机模块封装
TW201103128A (en) Image sensor and the method for package of the same
CN100512379C (zh) 摄像装置和半导体装置
TWI311024B (zh)
JP2016100573A (ja) 電子モジュール、及びカメラモジュール
TW201110676A (en) Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set
KR20130114352A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2006278726A (ja) 半導体装置モジュール及び半導体装置モジュールの製造方法
CN113488493B (zh) 芯片封装结构及其制作方法和模组
JP2008258949A (ja) 固体撮像装置
TWI630557B (zh) 取像模組及其製造方法
US20070152345A1 (en) Stacked chip packaging structure
WO2019007412A1 (zh) 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
JP2007282195A (ja) カメラレンズモジュールおよびその製造方法
JP4314825B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4174664B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
TWM470285U (zh) 影像擷取模組及其影像感測單元
JP2004274164A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP2013085095A (ja) 撮像デバイス
CN100423560C (zh) 堆栈式影像感应模块
JP4292383B2 (ja) 光デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees