TWI385193B - 高分子材料及使用該高分子材料之元件 - Google Patents

Description

高分子材料及使用該高分子材料之元件

本發明係有關高分子材料及使用該高分子材料之元件。

近年來，樹狀高分子作為元件用之機能材料廣受注目，例如高分子發光元件(高分子LED(Light Emitting Diode))用之材料已知含有在發光核心具有金屬配位體之樹狀高分子及非共軛系高分子之高分子材料(Thin Solid Films vol.416,p.212(2002))。

使用上述高分子材料之高分子發光元件，其驅動電壓變高等，在實用上其性能尚不足。

本發明之目的為提供含有樹狀高分子之高分子材料，用於元件時，可以低電壓來驅動等，係可獲致實用性優異之元件的高分子材料。

亦即，本發明係提供含有共軛系高分子(A)及樹狀高分子(B)之高分子材料。

(實施本發明之最佳形態)

本發明之高分子材料含有共軛系高分子(A)及樹狀高分子(B)。

樹狀高分子(B)可含在共軛系高分子(A)之分子內或亦可作為混合物而包含之，本發明之高分子材料之樣態可列舉：(i)含有共軛系高分子(A)及樹狀高分子(B)之組成物之高分子材料。

(ii)含有在同一分子內具有共軛系高分子(A)構造及樹狀高分子(B)構造之高分子的高分子材料。(ii)可列舉例如含有在共軛系高分子(A)之主鏈具有樹狀高分子(B)構造之高分子的高分子材料；含有在其軛系高分子(A)之末端具有樹狀高分子(B)構造之高分子的高分子材料；含有在共軛系高分子(A)之側鏈具有樹狀高分子(B)構造之高分子的高分子材料；等。

本發明之高分子材料中以能滿足下述式(Eq1)者較佳。

ET_A －ES_{A 0} ≧(ET_B －ES_{B 0} )－0.2eV (Eq1)

此處，ES_{A 0} 表示共軛系高分子(A)之基底狀態能量，ET_A 表示高分子化合物(A)之最低激發三重態能量，ES_{B 0} 表示樹狀高分子(B)之基底狀態能量，ET_B 表示樹狀高分子(B)之最低激發三重態能量。

(Eq1)中共軛系高分子(A)、由於三重激發態顯示發光之樹狀高分子(B)各自之基底狀態及最低激發三重態之能量差(順序為ET_A －ES_{A 0} 、ET_B －ES_{B 0} )，雖有以實測決定之方法，但是於本發明，通常因為樹狀高分子(B)之上述能量差與作為基材使用之共軛系高分子(A)之上述能量差之相對大小關係在獲得更高發光效率上甚重要，所以通常以計算科學之方法決定。

於滿足上述(Eq1)之範圍中，就獲得高發光效率之觀點而言以滿足下述(Eq1－2)更佳。

ET_A －ES_{A 0} ≧(ET_B －ES_{B 0} ) (Eq1－2)

此處，ET_A 、ES_{A 0} 、ET_B 、ES_{B 0} 表示與上述者同意義。

共軛系高分子(A)之最低激發三重態之能量ET_A 與樹狀高分子(B)之最低激發三重態之能量ET_B 之能量差ET_{A B} 、共軛系高分子(A)之基底狀態之最高占有軌道(HOMO，Highest Occupied Molecular Orbital)能量EH_A 與樹狀高分子(B)之基底狀態之HOMO能量EH_B 之差EH_{A B} 為滿足Eq2關係者：ET_{A B} ≧EH_{A B} (Eq2)

又，共軛系高分子(A)之最低激發單態準位ES_{A 1} 及樹狀高分子(B)之最低激發單態準位ES_{B 1} ，以滿足Eq3之關係：ES_{A 1} ≧ES_{B 1} (Eq3)，就獲得更高發光效率之點而言較佳。

用於求得上述之真空準位及LUMO(Lowest Unoccupied Molocular Orbital，最低未占有分子軌道)之能量差所使用之計算科學方法，已知有以半經驗方法及非經驗之方法為基礎之分子軌道法或密度泛函數法等。例如為求得激發能量，以使用Hartree－Fock(HF)法或密度泛函數法較佳。通常使用量子化學計算程式Gaussian98，求得三重態發光化合物及共軛系高分子之基底狀態與最低激發三重態狀態之能量差(以下稱為最低激發三重態能量)、基底狀態與最低激發單態之能量差(以下稱為最低激發單態能量)、基底狀態之HOMO能量準位及基底狀態之LUMO能量準位。

對於共軛系高分子之最低激發三重態能量、最低激發單態能量、基底狀態之HOMO能量準位及基底狀態之LUMO能量準位之計算，係對於單體(n＝1)、二聚物(n＝2)及三聚物(n＝3)進行，共軛系高分子之激發能量使用以n＝1至3之結果作為1/n之函數E(1/n)(此處，E為最低激發單態能量或最低激發三重態能量等所欲求得之激發能量值)，經由線形n＝0外插而算出之方法。又，共軛系高分子之反覆單元中，例如鏈長含有長的側鏈等時，可將計算對象之化學構造，即將側鏈部分簡化為最小單位(例如側鏈具有辛基時，將側鏈以甲基計算)。又，在共聚物之HOMO、LUMO、單態激發能量及三重態激發能量中，可由考慮共聚比之最小單位作為單元，根據與上述均聚物相同之計算方法即可求得。

對於本發明高分子材料所含之共軛系高分子(A)加以說明。

共軛系高分子為例如「有機EL之物語」(吉野勝美著作，日刊工業新聞杜)第23頁揭示之多重鍵及單鍵反覆連繫成為長鏈之分子，可列舉例如含有下述構造之反覆構造或含有將下述構造適當組合之構造的高分子作為代表例。

(上述R_{X 1} 至R_{X 6} 表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、矽烷氧基、取代矽烷氧基，R₁ 至R₄ 、R₅₁ 至R₇₃ 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、矽烷氧基、取代矽烷氧基、1價雜環基或鹵素原子)

共軛系高分子(A)可列舉主鏈未含芳環者(例如聚乙炔類)、主鏈含芳環者。

主鏈含有芳環者之中，可列舉以具有至少1種下述式(1)、(3)、(4)、(5)或(6)表示之反覆單位為特徵之高分子，又，從3高發光效率之點而言，以另含有下述式(1)表示之反覆單位者較佳。

[式中，P環及Q環各自獨立表示芳環，P環可存在亦可不存在。2個鍵結鍵於P環存在時，各自存在於P環及/或Q環上，P環不存在時各自存在於含有Y之5員環上及/或Q環上。在芳環上及/或含有Y之5員環上可具有取代基。Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R₃₁ )-、-C(R₁ )(R₂ )-、-Si(R₁ )(R₂ )-、-P(R₃ )-、-PR₄ (=O)-、-C(R₅₁ )(R₅₂ )-C(R₅₃ )(R₅₄ )-、-O-C(R₅₅ )(R₅₆ )-、-S-C(R₅₇ )(R₅₈ )-、-N-C(R₅₉ )(R₆₀ )-、-Si(R₆₁ )(R₆₂ )-C(R₆₃ )(R₆₄ )-、Si(R₆₅ )(R₆₆ )-Si(R₆₇ )(R₆₈ )-、-C(R₆₉ )=C(R₇₀ )-、-N=C(R₇₁ )-或-Si(R₇₂ )=C(R₇₃ )-，R₃₁ 表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽 烷基、取代矽烷基、矽烷氧基或取代矽烷氧基，R₁ 至R₄ 、R₅₁ 至R₇₃ 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、矽烷氧基、取代矽烷氧基、1價雜環基或鹵素原子。)

-Ar₁ - (2)

-Ar₄ -X₂ - (4)

-X₃ - (5) [式中，Ar₁ 、Ar₂ 、Ar₃ 及Ar₄ 各自獨立，表示芳撐基、2價雜環基或具有金屬配位體構造之2價基。X₁ 、X₂ 及X₃ 各自獨立，表示-CR₁₅ =CR₁₆ -、-C≡C-、-N(R₁₇ )-或-(SiR₁₈ R₁₉ )_m -。R₁₅ 及R₁₆ 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。R₁₇ 、R₁₈ 及R₁₉ 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、芳烷基或取代胺基。ff表示1或2。m表示1至12之整數。R₁₅ 、R₁₆ 、R₁₇ 、R₁₈ 及R₁₉ 各自複數存在時，該等可相同亦可不同。]

上述式(1)之芳環可列舉如苯環、萘環等芳族烴環；吡啶環、聯二吡啶(bipyridine)環、菲繞啉環、喹啉環、異喹啉環、噻吩環、呋喃環、吡咯環等雜芳環。

上述式(1)表示之反覆單位以具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基或取代羧基之基作為取代基者較佳。

上述式(1)表示之構造可列舉下述式(1－1)、(1－2)或(1－3)表示之構造： [式中，A環、B環及C環各自獨立，表示芳環。式(1－1)、(1－2)及(1－3)各自可具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基及氰基所成組群之取代基。Y表示與上述者同意義。]

下述式(1－4)或(1－5)表示之構造： [式中，D環、E環、F環及G環各自獨立，表示可具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基及氰基所成組群之取代基的芳環。Y表示與上述者同意義。]，以上述式(1－4)或(1－5)表示之構造較佳。

又，就獲得高發光效率之點而言，Y以－S－、－O－、－C(R₁ )(R₂ )－為佳，以－S－、－O－為更佳。此處，R₁ 、R₂ 表示與上述者同意義。

上述式(1－1)、(1－2)、(1－3)、(1－4)、(1－5)之芳環可列舉苯環、萘環、蒽環、四氫蒽環、稠五苯、芘環、菲環等芳族烴環；吡啶環、聯二吡啶環、菲繞啉環、喹啉環、異喹啉環、噻吩環、呋喃環、吡咯環等雜芳環。

上述式(1－1)、(1－2)、(1－3)、(1－4)、(1－5)表示之反覆單位以具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基或取代羧基之基作為取代基者較佳。

式(1－1)之具體例中無取代基者可列舉如下所示之例。

式(1－2)之具體例中無取代基者可列舉如下所示之例。

式(1－3)之具體例中無取代基者可列舉如下所示之例。

式(1－4)之具體例中無取代基者可列舉如下所示之例。

上述式中之R¹ 至R⁸ 各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、胺基、取代胺基、取代矽烷基、取代矽烷氧基、取代矽烷硫基、取代矽烷胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯基、芳乙炔基、羧基或氰基。R¹ 與R² ，R³ 與R⁴ 可各自互相結合形成環。

式(1－5)之具體例中無取代基者可列舉如下所示之例。

上述具體例從提昇溶解性之點而言以在該等芳族烴基或雜環上另具有取代基者較佳。取代基可列舉鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、胺基、取代胺基、取代矽烷基、取代矽烷氧基、取代矽烷硫基、取代矽烷胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯基、芳乙炔基、羧基或氰基，其亦可互相結合形成環。

上述式(1)中以(1－4)、(1－5)為佳，以(1－4)更佳，下述式(1－6)表示之構造又更佳。

[式中，R₅ 及R₆ 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基或取代羧基。a及b各自獨立，表示0至3之整數。R₅ 及R₆ 各自為複數時，該等可相同亦可不同。Y表示與上述者同意義。]，式(1－6)中Y較好為－S－、－O－、－C(R₁ )(R₂ )－，更好為－S－或－O－。

就對溶劑之溶解性觀點而言，以a＋b在1以上較佳。

上述式(1)、(1－1)至(1－8)中，P環、Q環、A環、B環、C環、D環、E環、F環及G環以芳族烴環較佳。

上述Ar₁ 、Ar₂ 、Ar₃ 及Ar₄ 中，芳撐基為從芳族烴去除2個氫原子之原子團，通常碳原子數為約6至60，較好為6至20。此處之芳族烴包含具有縮合環者、獨立之苯環或2個以上縮合環直接或藉由乙烯撐等基而結合者。

芳撐基可列舉苯撐基(例如下圖之式1至3)、萘二基(下圖之式4至13)、聯苯二基(下圖之式20至25)、聯三苯二基(下圖之式26至28)、縮合環化合物基(下圖之式29至35)、芴二基(下圖之式36至38)、茋二基(下圖之式A至D)、二茋二基(下圖之式E、F)等。其中以苯撐基、聯苯撐基、茋二基較佳。

又，2價雜環基可為從雜環化合物去除2個氫原子之殘餘原子團，碳原子數通常約為3至60。

上述雜環化合物為具有環式構造之有機化合物中，構成環之元素除了碳原子以外，在環內另含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、砷原子等雜原子者。

2價雜環基可列舉例如以下之基。

含有氮原子作為雜原子之2價雜環基：吡啶二基(下圖之式39至44)、二氮雜苯撐基(下圖之式45至48)、喹啉二基(下圖之式49至63)、喹喔啉二基(下圖之式64至68)、吖啶二基(下圖之式69至72)、聯二吡啶二基(下圖之式73至75)、菲繞啉二基(下圖之式76至78)等。

列舉含有矽原子、氮原子、硒原子等作為雜原子之具有芴構造之基(下圖之式79至93)。

含有矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子之5員環雜環基：可列舉如下圖之式94至98。

含有矽原子、氮原子、硒原子等作為雜原子之5員環縮合雜環基：可列舉如下圖之式99至110。

含有矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子之5員環雜環基，以其雜原子之α位結合成為二聚物或低聚物之基：可列舉如下圖之式111至112。

含有矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作為雜原子之5員環雜環基，以其雜原子之α位結合苯基之基：可列舉如下圖之式113至119。

含有氧原子、氮原子、硫原子等作為雜原子之5員環縮合雜環基經苯基或呋喃基、噻吩基取代之基：可列舉如下圖之式120至125。

於上述之式1至125中，R各自獨立，表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。又，式1至125之基所具有之碳原子可經氮原子、氧原子或硫原子取代，氫原子亦可經氟原子取代。

上述式(1)至(12)、(1－1)至(1－10)及上述例示式中表示之烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基都表示相同之意義。

烷基可為直鏈、支鏈或環狀之任何一種。碳原子數通常約1至20，較好碳原子數為3至20。具體而言可列舉如甲基、乙基、丙基、異－丙基、丁基、異－丁基、第三－丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2－乙基己基、壬基、癸基、3,7－二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，以戊基、己基、辛基、2－乙基己基、癸基、3,7－二甲基辛基較佳。

烷氧基可為直鏈、支鏈或環狀之任何一種。碳原子數通常約1至20，較好碳原子數為3至20。具體而言可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異－丙氧基、丁氧基、異－丁氧基、第三－丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2－甲氧基乙基氧基等，以戊氧基、己氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基較佳。

烷硫基可為直鏈、支鏈或環狀之任何一種。碳原子數通常為約1至20，較好碳原子數為3至20。具體而言可列舉如甲硫基、乙硫基、丙硫基、異－丙硫基、丁硫基、異－丁硫基、第三－丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2－乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7－二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，以戊硫基、己硫基、辛硫基、2－乙基己硫基、癸硫基、3,7－二甲基辛硫基較佳。

芳基之碳原子數通常約為6至60，較好為7至48。具體而言可列舉如苯基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基(C₁ 至C_{1 2} 表示碳原子數1至12。以下亦相同)、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基、1－萘基、2－萘基、1－蒽基、2－蒽基、9－蒽基、五氟苯基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基較佳。芳基為從芳族烴去除1個氫原子之原子團。芳族烴包含具有縮合環者、以及獨立之苯環或2個以上縮合環直接或藉由乙烯撐基等基結合者。

C₁ 至C_{1 2} 烷氧基具體而言可列舉如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異－丙氧基、丁氧基、異－丁氧基、第三－丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基、月桂基氧基等。

C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基具體而言可列舉如甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、二甲基苯甲基、甲基乙基苯基、異－丙基苯基、丁基苯基、異－丁基苯基、第三－丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

芳氧基之碳原子數通常為約6至60，較好為7至48。具體而言可列舉如苯氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯氧基、1－萘氧基、2－萘氧基、五氟苯氧基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯氧基較佳。

C₁ 至C_{1 2} 烷氧基具體而言可列舉如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異－丙氧基、丁氧基、異－丁氧基、第三－丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基、月桂基氧基等。

C₁ 至C_{1 2} 烷基苯氧基具體而言可列舉如甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1,3,5－三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異－丙基苯氧基、丁基苯氧基、異－丁基苯氧基、第三－丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

芳硫基之碳原子數通常約為6至60，較好碳原子數為7至48。具體而言可列舉如苯硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯硫基、1－萘硫基、2－萘硫基、五氟苯硫基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯硫基較佳。

芳烷基之碳原子數通常約為7至60，較好為7至48。具體而言可列舉如苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基、1－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷基、2－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基較佳。

芳烷氧基之碳原子數通常約為7至60，較好為7至48。具體而言可列舉如苯甲氧基、苯乙氧基、苯丁氧基、苯戊氧基、苯己氧基、苯庚氧基、苯辛氧基等苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基、1－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基、₂ －萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷氧基較佳。

芳烷硫基之碳原子數通常約為7至60，較好碳原子數為7至48。具體而言可列舉如苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基、1－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基、2－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷硫基較佳。

芳烯基之碳原子數通常約為7至60，較好碳原子數為7至48。具體而言可列舉如苯基－C₂ 至C_{1 2} 烯基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₂ 至C_{1 2} 烯基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₂ 至C_{1 2} 烯基、1－萘基－C₂ 至C_{1 2} 烯基、2－萘基－C₂ 至C_{1 2} 烯基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₂ 至C_{1 2} 烯基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₂ 至C_{1 2} 烯基較佳。

芳炔基之碳原子數通常為約7至60，較好為7至48，具體而言可列舉如苯基－C₂ 至C_{1 2} 炔基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₂ 至C_{1 2} 炔基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₂ 至C_{1 2} 炔基、1－萘基－C₂ 至C_{1 2} 炔基、2－萘基－C₂ 至C_{1 2} 炔基等，以C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₂ 至C_{1 2} 炔基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₂ 至C_{1 2} 炔基較佳。

取代胺基以經1個或2個選自烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基之基取代之胺基較佳，該烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基亦可具有取代基。碳原子數不包含該取代基之碳原子數者通常約為1至60，較好為碳原子數2至48。

具體而言可列舉如甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、丙胺基、二丙胺基、異－丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、異－丁胺基、第三－丁胺基、戊胺基、己胺基、環己胺基、庚胺基、辛胺基、2－乙基己胺基、壬胺基、癸胺基、3,7－二甲基辛胺基、月桂基胺基、環戊胺基、二環戊基胺基、環己胺基、二環己基胺基、吡咯啶基、六氫吡啶基、二－三氟甲胺基苯胺基、二苯基胺基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯胺基、二(C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基)胺基、二(C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基)胺基、1－萘胺基、2－萘胺基、五氟苯胺基、吡啶胺基、嗒胺基、嘧啶胺基、吡胺基、三醯胺基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷胺基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷胺基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷胺基、二(C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基)胺基、二(C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基)胺基、1－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷胺基、2－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷胺基等。

取代矽烷基以經1個、2個或3個選自烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基之基取代之矽烷基較佳，碳原子數通常約為1至60，較好碳原子數為3至48。又，該烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基可具有取代基。

具體而言可列舉如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三－異－丙基矽烷基、二甲基－異－丙基矽烷基、二乙基－異－丙基矽烷基、第三－丁基矽烷基二甲基矽烷基、戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二甲基矽烷基、2－乙基己基－二甲基矽烷基、壬基二甲基矽烷基、癸基二甲基矽烷基、3,7－二甲基辛基－二甲基矽烷基、月桂基二甲基矽烷基、苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基矽烷基、C₁ 至C_{1 2} 烷氧基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基矽烷基、C₁ 至C_{1 2} 烷基苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基矽烷基、1－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷基矽烷基、2－萘基－C₁ 至C_{1 2} 烷基矽烷基、苯基－C₁ 至C_{1 2} 烷基二甲基矽烷基、三苯基矽烷基、三－對－二甲苯基矽烷基、三苯甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、第三－丁基二苯基矽烷基、二甲基苯基矽烷基等。

鹵素原子可列舉如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

醯基之碳原子數通常約為2至20，較好碳原子數為2至18。具體而言可列舉如乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、苯甲醯基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基等。

醯氧基之碳原子數通常約為2至20，較好碳原子數為2至18。具體而言可列舉如乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、三甲基乙醯氧基、苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基等。

亞胺殘基可列舉從亞胺化合物(分子內具有－N＝C－之有機化合物。其例可列舉如醛亞胺、酮亞胺及該等N上之氫原子經烷基等取代之化合物)去除1個氫原子之殘基，通常碳原子數約為2至20，較好碳原子數為2至18。具體而言可列舉如以下構造式表示之基等。

醯胺基之碳原子數通常約為2至20，較好碳原子數為2至18。具體而言可列舉如甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯基胺基、二乙醯基胺基、二丙醯基胺基、二丁醯基胺基、二苯甲醯基胺基、二－三氟乙醯基胺基、二－五氟苯甲醯基胺基等。

醯亞胺基可列舉如從醯亞胺去除結合於其氮原子之氫原子而獲得之殘基，通常碳原子數約為2至60，較好碳原子數為2至48。具體而言可列舉以下構造式表示之基。

1價雜環基為從雜環化合物去除1個氫原子剩餘之原子團。碳原子數通常約為4至60，較好為4至20。又，雜環基之碳原子數不包含取代基之碳原子數。雜環化合物為具有環式構造之有機化合物中，構成環之元素不僅為碳原子，於環內另含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子等雜環原子者。具體而言可列舉如噻吩基、C₁ 至C_{1 2} 烷基噻吩基、吡咯啉基、呋喃基、吡啶基、C₁ 至C_{1 2} 烷基吡啶基、六氫吡啶基、喹啉基、異喹啉基等，以噻吩基、C₁ 至C_{1 2} 烷基噻吩基、吡啶基、C₁ 至C_{1 2} 烷基吡啶基較佳。

取代羧基之碳原子數通常為約2至60，較好碳原子數為2至48。以經烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基取代之羧基較佳，可列舉如甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異－丙氧基羰基、丁氧基羰基、異－丁氧基羰基、第三－丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2－乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3,7－二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。又，該烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基可具有取代基。取代羧基之碳原子數不包含該取代基之碳原子數。

上述中含有烷基鏈之基可為直鏈、支鏈或環狀之任何一種，亦可為該等之組合，不為直鏈時可列舉例如異戊基、2－乙基己基、3,7－二甲基辛基、環己基、4－C₁ 至C_{1 2} 烷基環己基等。又，亦可將2個烷基鏈之先端連結形成環。烷基鏈一部分之甲基或甲撐基可經含有雜原子之基或經1個以上氟原子取代之甲基或甲撐基替代。該等雜原子可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。

取代基之例中，其一部分含有芳基或雜環基時，該等另可具有1個以上之取代基。

為了提昇對有機溶劑之溶解性，Ar₁ 、Ar₂ 、Ar₃ 、Ar₄ 以具有取代基較佳，以含有1個以上環狀或長鏈狀之烷基、烷氧基較佳，可列舉如環戊基、環己基、戊基、異戊基、己基、辛基、2－乙基己基、癸基、3,7－二甲基辛基、戊氧基、異戊氧基、己氧基、辛氧基、2－乙基己氧基、癸氧基、3,7－二甲基辛氧基。

又，2個取代基亦可連結形成環。烷基鏈一部分之碳原子可經含有雜原子之基替代，該等雜原子可列舉如氧原子、硫原子、氮原子等。

上述(3)表示之反覆單位可列舉如下述式(7)、(9)、(10)、(11)、(12)、(13)或(14)表示之反覆單位。

[式中，Ar_{1 5} 及Ar_{1 6} 各自獨立，表示3價芳族烴基或3價雜環基，R_{4 0} 表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷矽烷基、烷胺基、可具有取代基之芳基或1價雜環基，X表示單鍵或下述基之任何一個。

(式中，R_{4 1} 各自獨立，表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。R_{4 1} 複數存在時，該等可相同亦可不同)]。

[式中，R_{2 0} 表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。n表示0至4之整數。R_{2 0} 複數存在時，該等可相同亦可不同]。

[式中，R_{2 1} 及R_{2 2} 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。o及p各自獨立，表示0至3之整數。R_{2 1} 及R_{2 2} 各自複數存在時，該等可相同亦可不同]。

[式中，R_{2 3} 及R_{2 6} 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。q及r各自獨立，表示0至4之整數。R_{2 4} 及R_{2 5} 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。R_{2 3} 及R_{2 6} 各自複數存在時，該等可相同亦可不同]。

[式中，R_{2 7} 表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。s表示0至2之整數。Ar_{1 3} 及Ar_{1 4} 各自獨立，表示芳撐基、2價雜環基或具有金屬配位體構造之2價基。ss及tt各自獨立，表示0或1。X₄ 表示O、S、SO、SO₂ 、Se或Te。R_{2 7} 複數存在時，該等可相同亦可不同]。

[式中，R_{2 8} 及R_{2 9} 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。t及u各自獨立，表示0至4之整數。X₅ 表示O、S、SO₂ 、Se、Te、N－R_{3 0} 或SiR_{3 1} R_{3 2} 。X₆ 及X₇ 各自獨立，表示N或C－R_{3 3} 。R_{3 0} 、R_{3 1} 、R_{3 2} 及R_{3 3} 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基。R_{2 8} 、R_{2 9} 及R_{3 3} 各自複數存在時，該等可相同亦可不同]。

[式中，R_{3 4} 及R_{3 9} 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。v及w各自獨立，表示0至4之整數。R_{3 5} 、R_{3 6} 、R_{3 7} 及R_{3 8} 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。Ar₅ 表示芳撐基、2價雜環基或具有金屬配位體構造之2價基。R_{3 4} 及R_{3 9} 各自複數存在時，該等可相同亦可不同]。

上述式(4)表示之反覆單位可列舉下述式(7)表示之反覆單位。

[式中，Ar₆ 、Ar₇ 、Ar₈ 及Ar₉ 各自獨立，表示芳撐基或2價雜環基。Ar_{1 0} 、Ar_{1 1} 及Ar_{1 2} 各自獨立，表示芳基或1價雜環基。Ar₆ 、Ar₇ 、Ar₈ 、Ar₉ 及Ar_{1 0} 可具有取代基。x及y各自獨立，表示0或1，0≦x＋y≦1。]

於本發明，上述式(7)表示之構造中以下述式(15)表示之構造較佳。

[式中，R_{2 2} 、R_{2 3} 及R_{2 4} 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基。x及y各自獨立，表示0至4之整數。z表示1至2之整數。aa表示0至5之整數。]

上述式(15)中，R_{2 4} 以烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代胺基較佳。取代胺基以二芳胺基較佳，以二苯胺基更佳。

上述中之理想組合係視與高分子組合之樹狀高分子而異，以上述式(1－6)及上述式(7)、(8)或(9)較佳，又以式(1－6)與式(8)、(9)之組合更佳。

於上述式(1－6)表示之構造中，以Y為－O－、－S－或－C(R₁ )(R₂ )更佳。[R₁ 、R₂ 與上述者同意義]

本發明使用之共軛系高分子之末端基，聚合活性基若以原狀殘留，則作成元件時之發光特性或壽命可能降低，因此，可用安定之基加以保護。以具有主鏈之共軛構造及連續之共軛鍵者較佳，例如藉由碳原子－碳原子鍵與芳基或雜環基結合之構造。具體而言，例如日本特開平9－45478號公報之化10揭示之取代基等。

本發明使用之共軛系高分子可為無規、嵌段或接枝共聚物，亦可為具有該等之中間構造之高分子，例如帶有嵌段性之無規共聚物。從獲得量子收率高之高分子之觀點而言，帶有嵌段性之無規共聚物、嵌段或接枝共聚物較完全無規之共聚物為佳。亦包含主鏈有分枝，具有3個以上末端部者或樹狀高分子。

本發明使用之共軛系高分子，聚苯乙烯換算之數平均分子量以10³ 至10⁸ 較佳，又以10⁴ 至10⁷ 更佳。

本發明之高分子材料中使用之共軛系高分子之製造方法，具體而言為可將作為單體，具有複數個反應性取代基之化合物，視需要溶解於有機溶劑，使用例如鹼或適當觸媒，在有機溶劑之融點以上沸點以下進行反應。可使用例如"有機反應(Organic Reaction)"第14卷，第270至490頁，約翰威廉及桑斯(John Wiley&Sons.Inc,)，1965年、"有機合成(Organic Synthesis)"收集本第6卷(Collective Volume Ⅵ)，第407至411頁，約翰威廉及桑斯1988年，化學評論(Chem.Rev.)，第95卷、第2457頁(1995年)、有機金屬化學期刊(J.Organomet.Chem.)，第576卷，第147頁(1999年)、大分子化學大分子專題研討會(Macromol.Chem.Macromol.Symp.)，第12卷，第229頁(1987年)等揭示之公知方法。

於本發明之高分子材料使用之共軛系高分子之製造方法中，縮聚方法藉由已知之縮合反應即可製造。於縮聚反應中生成雙鍵時，可列舉如特開平5－202355號公報揭示之方法。亦即，可列舉將具有甲醯基之化合物與具有鏻甲基(phosphonium methyl)之化合物或具有甲醯基與具有鏻甲基之化合物經由維悌希(Witting)反應而聚合、將具有乙烯基之化合物與具有鹵素原子之化合物經由哈克(Heck)反應而聚合、將具有2個或2個以上單鹵化甲基之化合物經由脫鹵化氫法進行縮聚、將具有2個或2個以上鋶甲基之化合物經由鋶鹽分解法進行縮聚、將具有甲醯基之化合物與具有氰基之化合物經由克內費納格爾(Knoevenagel)反應而聚合等方法、將具有2個或2個以上甲醯基之化合物經由麥克慕利(McMurry)反應而聚合等方法。

本發明之高分子經由縮聚，在主鍵生成參鍵時可利用例如哈克(Heck)反應。

於未生成雙鍵或參鍵時，可列舉例如從該單體經由鈴木(Susuki)偶合反應而聚合之方法、經由格林亞(Grignard)反應而聚合之方法、經由Ni(O)配位體而聚合之方法、經由FeCl₃ 等氧化劑而聚合之方法、以電化學進行氧化聚合之方法或將具有適當脫離基之中間體高分子分解之方法等。

該等方法之中，以經由維悌希反應聚合、經由哈克反應聚合、經由克內費納格爾反應聚合及經由鈴木偶合反應聚合之方法、經由格林亞反應聚合之方法、經由鎳零價配位體聚合之方法，由於構造容易控制而佳。

本發明使用之高分子原料單體具有之反應性取代基為鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸酯基時，以在鎳零價配位體存在下進行縮聚之製造方法較佳。

原料化合物可列舉二鹵化化合物、雙(烷基磺酸酯)化合物、雙(芳基磺酸酯)化合物、雙(芳烷基磺酸酯)化合物或鹵素－烷基磺酸酯化合物、鹵素－芳基磺酸酯化合物、鹵素－芳烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯－芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯－芳烷基磺酸酯化合物、芳基磺酸酯－芳烷基磺酸酯化合物。

本發明使用之高分子原料單體具有之反應性取代基為鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、硼酸基或硼酸酯基時，鹵素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳烷基磺酸酯基之莫耳數合計與硼酸基及硼酸酯基之莫耳數合計之比，實質上為1(通常在0.7至1.2之範圍)，以使用鎳觸媒或鈀觸媒進行縮聚之製造方法較佳。

具體之原料化合物組合可列舉二鹵素化合物、雙(烷基磺酸酯)化合物、雙(芳基磺酸酯)化合物或雙(芳烷基磺酸酯)化合物與二硼酸化合物或二硼酸酯化合物之組合。

又，可列舉鹵素-硼酸化合物、鹵素-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸酯化合物。

有機溶劑係依使用之化合物或反應而異，一般，為了抑制副反應，以對所用之溶劑實施充分脫氧處理，在惰性大氣下進行反應者較佳。又，同樣地以進行脫水處理者較佳。但是，如鈴木偶合反應係與水在2相系進行反應時則不在此限。

為了使反應進行，添加適當之鹼或觸媒，該等係視所使用之反應加以選擇即可。該鹼或觸媒以可充分溶解於反應所使用之溶劑者較佳。將鹼或觸媒混合之方法可列舉將反應液在氬氣或氮氣等惰性大氣下邊攪拌邊慢慢添加鹼或 觸媒之溶液的方法，或相反地在鹼或觸媒之溶液中慢慢添加反應液之方法。

將本發明使用之高分子化合物用於高分子LED時，由於其純度會影響發光特性等元件之性能，而以將聚合前之單體利用蒸餾、昇華精製、再結晶等方法精製後再進行聚合較佳。又聚合後以經由再沉澱精製、層析法分離等純化處理較佳。

接著，對於本發明高分子材料使用之樹狀高分子(B)加以說明。

樹狀高分子表示樹狀之超分岐聚合物，例如於文獻(高分子第47卷11月號第812頁，1998年)或WO02/066575介紹，以種種機能作為目的而設計、合成。樹狀高分子之例列舉下式之化合物。

CORE-[D¹ ]_Z1 [D² ]_Z2 [式中，CORE表示(Z1+Z2)價之原子或原子團，Z1及Z2表示1以上之整數。D¹ 及D² 各自獨立，表示具有樹枝構造之樹突，D¹ 及D² 複數個存在時，該等可相同亦可不同，D¹ 及D² 至少一個為含有可含有雜原子之芳環之共軛系。]

CORE表示(Z1+Z2)價之原子或原子團，列舉如IEEE2002，第195頁(Conference Procees)、WO02/066552、WO02/066575揭示者。

又，上述樹枝構造例如高分子52卷，8月號，第578頁(2003年)、M&BE，第14卷，No.3，第169頁(2003)所示，亦表現分岐構造。

可含有雜原子之芳環列舉如苯環、吡啶環、嘧啶環、萘環或上述通式(1)表示之環。

將樹狀高分子再以模式表示如下。

上圖中CORE表示發光性之構造單位，例如具有金屬配位體構造者。D₁ 、D₂ 、D₃ 表示樹突，為分岐單位。於上圖雖然只揭示至D₃ ，但是D₃ 以後亦可為反覆之分岐單位。分岐單位可為相同或不同之構造。n為1以上之整數、n為2以上時，各組所屬之分岐單位可相同亦可不同。分岐單位具有例如3價芳環、縮合環、雜環等之構造。又，在分岐結束之末端可具有表面基。表面基為氫原子以外之原子、烷基、烷氧基等。

從提昇溶解性之點而言，以樹狀高分子之至少一個表面基為氫原子以外者較佳。

樹狀高分子中之發光性樹狀高分子係由在中心(上圖之CORE)具有發光性構造單位之樹狀多分岐構造組成。發光性之構造單位可列舉至少含有1個茋、芳族縮合環、雜環、具有雜環之縮合環或金屬配位體構造之構造。

樹狀高分子中以發光性樹狀高分子較佳，以顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子更佳。

顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子包含例如磷光發光或該磷光發光加上觀測到螢光發光之化合物。

具體之樹狀高分子之例揭示於例如WO02/066552。又，樹狀高分子之發光部可列舉例如Nature,(1998),395,151、Appl.Phys.Lett,(1999),75(1),4、Proc.SPIE－Int.Soc.Opt.Eng.(2001),4105(Organic Light－Emitting Materials and Devices IV),199、J.Am.Chem.Soc.,(2001),123,4304、Appl.Phys.Lett.,(1997),71(18).2596、Syn.Met.,(1998),94(1),103、Syn.Met.,(1999).99(2),1361、Adv.Mater.,(1999).11(10),852等揭示之金屬配位體構造。

樹狀高分子以在部分構造中具有金屬配位體構造者較佳。

樹狀高分子核之中心金屬通常為原子序50以上之原子，係於該配位體具有自旋－軌道(spin－orbital)相互作用，可引起單態與三重態間之系間跨越(inter system crossing)之金屬。列舉例如錸、銥、鋨、鈧、釔、鉑、金，以及鑭系之銪、鋱、銩、鏑、釤、鐠、釓等，以錸、銥、鉑、金、銪、鋱較佳。

樹狀高分子核之配位基列舉例如8－喹啉酚及其衍生物、苯并喹啉酚及其衍生物、2－苯基－吡啶及其衍生物、2－苯基－苯并噻唑及其衍生物、2－苯基－苯并唑及其衍生物、卟啉及其衍生物等。

本發明材料中樹狀高分子(B)之量係依組合之共軛系高分子(A)之種類或所需之最適當特性而異，並無特別限制，以高分子(A)之量作為100重量份時，高分子(B)之量通常為0.01至80重量份，較好為0.1至60重量份。

本發明之高分子材料係共軛系高分子(A)可為分子內具有樹狀高分子(B)作為部分構造者。(上述(ii)之形式)

上述例可列舉含有通式(1)表示之反覆單位，以聚苯乙烯換算之數平均分子量為10³ 至10⁸ ，其側鏈、主鏈及/或末端具有樹狀高分子(B)者。主鏈具有樹狀高分子(B)時，除了線形聚合物之主鏈編入樹狀高分子(B)之外，亦包含自樹狀高分子(B)結合3個以上聚合物鏈者。

在共軛系高分子(A)之側鏈具有顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子(B)構造的高分子構造為例如下式所示。

[式中，Ar^{1 8} 表示二價芳基或具有1個以上選自氧原子、矽原子、鍺原子、錫原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子及碲原子所成組群之原子之二價雜環基，該Ar^{1 8} 為具有1個以上4個以下－L－X表示之基，X表示含有顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子之一價基，L表示單鍵、－O－、－S－、－CO－、－CO₂ －、－SO－、－SO₂ －、－SiR^{6 8} R^{6 9} 、－NR^{7 0} －、－BR^{7 1} －、－PR^{7 2} －、－P(＝O)(R^{7 3} )－、可經取代之烷撐基、可經取代之烯撐基、可經取代之炔撐基、可經取代之芳撐基或可經取代之2價雜環基，該烷撐基、該烯撐基、該炔撐基含有－CH₂ －基時，該烷撐基所含之1個以上之－CH₂ －基、或該烯撐基所含之1個以上之－CH₂ －基、或該炔撐基所含之1個以上之－CH₂ －基，各有可經選自－O－、－S－、－CO－、－CO₂ －、－SO－、－SO₂ －、－SiR^{7 4} R^{7 5} 、－NR^{7 6} －、－BR^{7 7} －、－PR^{7 8} －、－P(＝O)(R^{7 9} )－所成組群之基替代。R^{6 8} 、R^{6 9} 、R^{7 0} 、R^{7 1} 、R^{7 2} 、R^{7 3} 、R^{7 4} 、R^{7 5} 、R^{7 6} 、R^{7 7} 、R^{7 8} 、R^{7 9} 各自獨立，表示選自氫原子、烷基、芳基、1價雜環基及氰基所成組群之基。Ar^{1 8} 除了－L－X表示之基以外亦可具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基及氰基所成組群之取代基。Ar^{1 8} 具有複數個取代基時，該等可相同亦可不同。]

2價芳基可列舉苯撐基、吡啶撐基、嘧啶撐基、萘撐基或上述通式(1)表示之環。

於共軛系高分子(A)之主鏈具有顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子(B)構造的高分子構造為例如下式所示。

[式中L₁ 、L₂ 表示顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子構造，式中之2價或3價鍵結基係具有樹狀高分子構造末端之樹突及/或核心部之配位基，而與形成高分子主鏈之反覆單位結合。]

共軛系高分子(A)之末端具有顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子(B)構造的高分子構造為例如下式所示。

[式中L₃ 表示含有顯示從三重激發狀態發光之樹狀高分子之一價基，1價結合基為具有樹狀高分子構造末端之樹突及/或核心部之配位基，而與X鍵結。X表示單鍵、可經取代之烯撐基、可經取代之炔撐基、可經取代之芳撐基或可經取代之2價雜環基。]

在側鏈、主鏈、末端具有樹狀高分子構造之高分子，例如將具有樹狀高分子構造之單體作為原料之一使用，並使用上述之方法即可製造。

本發明係關於含有上述高分子材料之發光材料。

此種情況，樹狀高分子以發光性樹狀高分子較佳。

接著，對本發明之元件加以說明。

本發明之元件係以在由陽極及陰極組成之電極間具有含有本發明高分子材料之層為特徵。

本發明之元件可列舉高分子發光元件、光電元件等。

本發明之元件為高分子發光元件時，含有本發明高分子材料之層以發光層較佳。

本發明之高分子LED可列舉在陰極與發光層之間設置電子輸送層之高分子LED、在陽極與發光層之間設置電洞輸送層之高分子LED、在陰極及發光層之間設置電子輸送層且在陽極與發光層之間設置電洞輸送層之高分子LED等。

又，可列舉上述至少有一方之電極與發光層之間，鄰接該電極，設置含有導電性高分子之層的高分子LED；至少有一方之電極與發光層之間，鄰接該電極，設置平均膜厚2nm以下緩衝層之高分子LED。

具體而言列舉以下a)至d)之構造。

a)陽極/發光層/陰極b)陽極/電洞輸送層/發光層/陰極c)陽極/發光層/電子輸送層/陰極d)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極(此處，/表示各層係鄰接而層合者。以下亦相同)

發光層為具有發光機能之層，電洞輸送層為具有輸送電洞之機能之層，電子輸送層為具有輸送電子之機能之層。又，電子輸送層與電洞輸送層總稱為電荷輸送層。

發光層、電洞輸送層、電子輸送層亦可各自獨立使用2層以上。

鄰接電極而設置之電荷輸送層中，具有改善從電極注入電荷效率之機能，且具有降低元件驅動電壓效果者通常特別稱為電荷注入層(電洞注入層、電子注入層)。

為了提昇與電極之密著性或改善自電極之電荷注入，可鄰接電極而設置上述之電荷注入層或膜厚2nm以下之絕緣層，又，為了提昇界面之密著性或防止混合等，可於電荷輸送層或發光層之界面插入薄緩衝層。

為了輸送電子且關閉電洞，可在與發光層之界面插入電洞阻止層。

層合層之順序或數目及各層之厚度可考慮發光效率或元件壽命而適當使用。

於本發明中，設置電荷注入層(電子注入層、電洞注入層)之高分子LED可列舉鄰接陰極，設置電荷注入層之高分子LED、鄰接於陽極，設置電荷注入層之高分子LED。

具體而言可列舉例如以下e)至p)之構造。

e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極f)陽極/發光層/電荷注入層/陰極g)陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極h)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極i)陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極j)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極k)陽極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極l)陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送層/陰極o)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極

電荷注入層之具體例可例示：含有導電性高分子之層，設置於陽極與電洞輸送層之間，含有具有陽極材料與電洞輸送層所含電洞輸送材料中間值之離子化電位之材料之層，設置於陰極與電子輸送層之間，含有具有陰極材料與電子輸送層所含電子輸送材料中間值之電子親和力之材料之層等。

上述電荷注入層為含有導電性高分子之層時，該導電性高分子之電導率以10^{－ 5} S/cm以上10³ S/cm以下較佳，為了使發光畫素間之洩漏電流變小，以10^{－ 5} S/cm以上10² S/cm以下更佳，以在10^{－ 5} S/cm以上10¹ S/cm以下更佳。

通常，為了使該導電性高分子之電導率在10^{－ 5} S/cm以上10³ S/cm以下，於該導電性高分子中摻雜適量之離子。

摻雜之離子之種類在電洞注入層為陰離子，在電子注入層為陽離子。陰離子之例可列舉聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等，陽離子之例可列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁銨離子等。

電荷注入層之膜厚為例如1nm至100nm，較好為2nm至50nm。

電荷注入層中使用之材料只要依電極或鄰接之層之材料間的關係作適當選擇即可，可列舉聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯撐乙烯撐及其衍生物、聚噻吩撐乙烯撐及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主鏈或側鏈含有芳族胺構造之聚合物等導電性高分子、金屬酞菁(銅酞菁等)、碳等。

膜厚2nm以下之絕緣層為具有使電荷注入容易之機能之層。上述絕緣層之材料可列舉金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子LED可列舉鄰接陰極，設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子LED、鄰接陽極，設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子LED。

具體而言可列舉例如以下q)至ab)之構造。

q)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/陰極r)陽極/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極s)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極t)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極u)陽極/電洞輸送層/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極v)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極w)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極x)陽極/發光層/電子輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極y)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/電子輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極z)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極aa)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極ab)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極

電洞阻止層為具有輸送電子且關閉從陽極輸送來之電洞作用之層，設置於發光層陰極側之界面，具有比發光層離子化電位更大之離子化電位的材料，例如由巴壽普因(Bathocuproin)、8－羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體等構成。

電洞阻止層之膜厚為例如1nm至100nm，較好為2nm至50nm。

具體而言可列舉例如以下ac)至an)之構造ac)陽極/電荷注入層/發光層/電洞阻止層/陰極ad)陽極/發光層/電洞阻止層/電荷注入層/陰極ae)陽極/電荷注入層/發光層/電洞阻止層/電荷注入層/陰極af)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/陰極ag)陽極/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/電荷注入層/陰極ah)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/電荷注入層/陰極ai)陽極/電荷注入層/發光層/電洞阻止層/電荷輸送層/陰極aj)陽極/發光層/電洞阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極ak)陽極/電荷注入層/發光層/電洞阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極al)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/電荷輸送層/陰極am)陽極/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極an)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電洞阻止層/電子輸送層/電荷注入層/陰極

製作高分子LED時，經由使用本發明之高分子材料，從溶液成膜時，將該溶液塗布後僅經由乾燥除去溶劑即可，又，於將電荷輸送材料或發光材料混合時亦可適用同樣之方法，在製造上非常有利。從溶液成膜之方法可使用自旋塗覆法、鑄塑法、微凹板塗覆法(micro gravure coat)、凹板塗覆法、棒條塗覆法、滾筒塗覆法、線環塗覆(wire－coat)法、浸漬塗覆法、噴霧塗覆法、網版印刷法、柔性板印刷(Flexo print)法、膠版印刷法、噴墨印刷法等塗抹法。

印墨組成物(例如於印刷法等作為溶劑使用)係只要含有至少1種本發明之高分子材料即可。

該印墨組成物除了本發明之高分子材料之外，通常可含有溶劑或電洞輸送材料、電子輸送材料、發光材料、安定劑、調節黏度及/或表面張力用之添加劑、抗氧化劑等添加劑。

該印墨組成物中對於除去溶劑之該印墨組成物總重量而言，本發明高分子材料之比例通常為20重量%至100重量%，較好為40重量%至100重量%。

對印墨組成物總重量而言，印墨組成物中溶劑之比例為1重量%至99.9重量%，較好為60重量%至99.9重量%，更好為90重量%至99.5重量%。

印墨組成物之黏度係依印刷法而異，於噴射印刷法等印墨組成物係經由吐出裝置者時，為了防止吐出時網眼阻塞或飛行拐彎，黏度以於25℃為1至20mPa．s之範圍較佳。

印墨組成物中使用之溶劑，以可將本發明之高分子材料溶解或均一分散者較佳。該溶劑可列舉氯仿、二氯甲烷、1,2－二氯乙烷、1,1,2－三氯乙烷、氯苯、鄰－二氯苯等氯系溶劑、四氫呋喃、二烷等醚系溶劑、甲苯、二甲苯等芳族烴系溶劑、環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烴系溶劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮系溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑、乙二醇、乙二醇一丁基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇一乙基醚、丙三醇、1,2－己二醇等多元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶劑、二甲亞碸等亞碸系溶劑、N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。該等有機溶劑可單獨或複數個組合使用。上述溶劑中以含有1種以上具有至少含有1個以上苯環之構造且融點在0℃以下，沸點在100℃以上之有機溶劑較佳。

溶劑之種類就本發明高分子材料對有機溶劑之溶解性、成膜時之均一性、黏度特性等觀點而言，以芳族烴系溶劑、脂肪族烴系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑較佳，以甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、正丙基苯、異－丙基苯、正丁基苯、異－丁基苯、第二－丁基苯、甲氧基苯、乙氧基苯、1－甲基萘、環己烷、環己酮、環己基苯、聯環己烷、環己烯基環己酮、正庚基環己烷、正己基環己烷、2－丙基環己酮、2－庚酮、3－庚酮、4－庚酮、2－辛酮、2－壬酮、2－癸酮、二環己基酮較佳，又以含有二甲苯、甲氧基苯、環己基苯、聯環己烷中之至少一種更佳。

印墨組成物之溶劑種類，從成膜性之觀點或元件特性之觀點而言，以2種以上較佳，又以2至3種更佳，以2種最佳。

印墨組成物中含有2種溶劑時，其中之1種溶劑於25℃可為固體狀態。從成膜性觀點而言，以1種溶劑為沸點180℃以上之溶劑，另1種溶劑為沸點180℃以下之溶劑較佳，又以1種溶劑為沸點在200℃以上之溶劑，另1種溶劑為沸點在180℃以下之溶劑較佳。又，從黏度觀點而言以2種溶劑於60℃均可將1重量%以上之本發明高分子材料溶解者較佳，以2種溶劑中之1種溶劑於25℃可將1重量%以上之本發明高分子材料溶解者較佳。

印墨組成物中含有3種溶劑時，其中之1至2種溶劑於25℃可為固體狀態。從成膜性觀點而言以3種溶劑中至少1種溶劑為沸點180℃以上之溶劑，至少1種溶劑為沸點180℃以下之溶劑較佳，又以3種溶劑中至少1種溶劑為沸點200℃以上300℃以下之溶劑，至少1種溶劑為沸點180℃以下之溶劑更佳。又，從黏度觀點而言，以3種溶劑中之2種溶劑為於60℃可將1重量%以上之本發明高分子材料溶解者較佳，以3種溶劑中之1種溶劑於25℃可將1重量%以上之本發明高分子材料溶解者較佳。

印墨組成物含有2種以上之溶劑時，從黏度及成膜性之觀點而言，以沸點最高之溶劑為印墨組成物全溶劑重量之40至90重量%較佳，以50至90重量%更佳，以65至85重量%最佳。

本發明之印墨組成物從黏度及成膜性之觀點而言，以由甲氧基苯及聯環己烷所成之組成物、由甲氧基苯及環己基苯所成之組成物、由二甲苯及聯環己烷所成之組成物、由二甲苯及環己基苯所成之組成物較佳。

本發明之印墨組成物可含有之添加劑中：電洞輸送材料可列舉聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對苯撐乙撐)或其衍生物或聚(2,5－噻吩撐乙烯撐)或其衍生物。

電子輸送材料可列舉二唑衍生物、醌基二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二吩醌(dipheno quinone)或其衍生物、8－羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物。

發光材料可列舉萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚甲炔(polymethine)系、呫噸系、香豆素系、花菁(cyanine)系等色素類、8－羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體、芳族胺、四苯基環戊二烯或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物等。

安定劑可列舉酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。

用於調節黏度及/或表面張力之添加劑係將提高黏度用之高分子量之高分子化合物(增黏劑)或弱溶劑、降低黏度用之低分子量化合物、降低表面張力用之界面活性劑等適當組合即可使用。

上述之高分子量之高分子化合物係在與本發明之高分子材料相同之溶劑中為可溶性，且不會阻礙發光或電荷輸送者即可。例如可使用高分子量之聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或本發明之高分子化合物中分子量大之化合物等，其重量平均分子量以50萬以上較佳，100萬以上更佳。

亦可使用弱溶劑作為增黏劑。亦即，添加少量對溶液中之固形分為弱溶劑之溶劑，可提高黏度。以該目的添加弱溶劑時，只要在溶液中之固形分不會析出之範圍內可選擇溶劑之種類及添加量。若考慮到保存時之安定性，則對於溶液全體而言，弱溶劑之量以50重量%以下較佳，30重量%以下更佳。

抗氧化劑係在與本發明之高分子材料相同之溶劑中為可溶性，且不會阻礙發光或電荷輸送者即可，可列舉酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。經由使用抗氧化劑，可改善本發明高分子材料、溶劑之保存安定性。

從本發明高分子材料對溶劑之溶解性觀點而言，以溶劑之溶解度參數與高分子化合物之溶解度參數之差為10以下較佳，7以下更佳。

溶劑之溶解度參數與本發明高分子材料之溶解度參數可根據「溶劑手冊(日本，講談公司出版，1976年)」揭示之方法求得。

印墨組成物中所含之本發明高分子材料可為1種，亦可為2種以上，在不損壞元件特性等之範圍，亦可含有本發明高分子材料以外之高分子化合物。

發光層之膜厚其最適值係視使用之材料而異，只要在使驅動電壓及發光效率成為適當值之範圍內加以選擇即可，例如為1nm至1 μ m，較好為2nm至500nm，更好為5nm至200nm。

於本發明之高分子LED中，在發光層中亦可將本發明發光材料以外之發光材料混合使用。又，於本發明之高分子LED中，含有本發明以外之發光材料之發光層可與含有本發明發光材料之發光層進行層合。

該發光材料可使用公知之材料。低分子化合物可使用例如萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、聚甲炔系、呫噸系、香豆素系、花菁系等色素類、8-羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體、芳族胺、四苯基環戊二烯或其衍生物、四苯基丁二烯或其衍生物。

具體而言可使用例如日本特開昭57-51781號、特開昭59-194393號公報揭示之材料等公知之材料。

本發明之高分子LED具有電洞輸送層時，所使用之電洞輸送材料可列舉聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對-苯撐乙撐)或其衍生物或聚(2,5-噻吩撐乙烯撐)或其衍生物。

具體而言，該電洞輸送材料可列舉特開昭63-70257號公報、特開昭63-175860號公報、特開平2-135359號公報、特開平2-135361號公報、特開平2-209988號公報、特開平3-37992號公報、特開平3-152184號公報揭示之材料。

其中，電洞輸送層中使用之電洞輸送材料以聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(對-苯撐乙撐)或其衍生物或聚(2,5-噻吩撐乙烯撐)或其衍生物等高分子電洞輸送材料較佳，更好為聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物。為低分子電洞輸送材料時，以分散於高分子黏合劑中使用較佳。

聚乙烯咔唑或其衍生物例如可由乙烯單體經陽離子聚合或自由基聚合而獲得。

聚矽烷或其衍生物可列舉化學．評論(Chem.Rev.)第89卷、第1359頁(1989年)、英國專利GB2300196號公開說明書所揭示之化合物等。合成方法亦可使用該等所揭示之方法，又以使用奇平(Kipping)法較佳。

聚矽氧烷或其衍生物由於矽氧烷骨架構造幾乎無電洞輸送性，因而以在側鏈或主鏈具有上述低分子電洞輸送材料構造者較適用。可列舉於側鏈或主鏈具有電洞輸送性之芳族胺者。

電洞輸送層之成膜方法並無特別之限制，低分子電洞輸送材料方面可列舉從與高分子黏合劑之混合溶液成膜之方法。又，高分子電洞輸送材料方面可列舉從溶液成膜之方法。

從溶液成膜時所使用之溶劑係只要能將電洞輸送材料溶解者即可，並無特別之限制。該溶劑可列舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑，四氫呋喃等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳族烴系溶劑，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。

從溶液成膜之方法可使用下列塗覆法以溶液進行塗覆：自旋塗覆法、鑄塑法、微凹板塗覆法、凹板塗覆法、棒條覆法、滾筒塗覆法、線環塗覆法、浸漬塗覆法、噴霧塗覆法、網版印刷法、柔性板印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等塗覆法。

混合之高分子黏合劑以對電荷輸送無極度阻礙者較佳，較好使用對於可見光之吸收不強者。該高分子黏合劑可列舉聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。

電洞輸送層之膜厚其最適值係依使用之材料而異，只要在使驅動電壓及發光效率成為適度值之下加以選擇即可，惟至少需有不會發生針孔之厚度，若太厚則元件之驅動電壓變高，不理想。所以該電洞輸送層之膜厚為例如1nm至1 μ m，較好為2nm至500nm，更好為5nm至200nm。

本發明之高分子LED具有電子輸送層時，使用之電子輸送材料可使用公知之材料，可列舉二唑衍生物、蒽醌基二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二吩醌衍生物、8－羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。

具體而言可列舉日本特開昭63－70257號公報、特開昭63－175860號公報、特開平2－135359號公報、特開平2－135361號公報、特開平2－209988號公報、特開平3－37992號公報、特開平3－152184號公報所揭示之化合物等。

該等中，以二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、8－羥基喹啉或其衍生物之金屬配位體、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物較佳，又以2－(4－聯苯基)－5－(4－第三－丁基苯基)－1,3,4－二唑、苯醌、蒽醌、三(8－喹啉酚)鋁、聚喹啉更佳。

電子輸送層之成膜法並無特別之限制，低分子電子輸送材料方面可列舉從粉末之真空蒸鍍法、從溶液或熔融狀態成膜之方法，高分子電子輸送材料方面可列舉從溶液或熔融狀態成膜之方法。於溶液或熔融狀態成膜時可併用高分子黏合劑。

從溶液成膜時所使用之溶劑係只要能將電子輸送材料及/或高分子黏合劑溶解者即可，並無特別之限制。該溶劑可列舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑，四氫呋喃等醚系溶劑，甲苯、二甲苯等芳族烴系溶劑，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。

從溶液或熔融狀態成膜之方法可使用自旋塗覆法、鑄塑法、微凹板塗覆法、凹板塗覆法、棒條塗覆法、滾筒塗覆法、線環塗覆法、浸漬塗覆法、噴霧塗覆法、網版印刷法、柔性板印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等塗覆法。

所混合之高分子黏合劑以對於電荷輸送無極度阻礙者較佳，較好使用對於可見光之吸收不強者。該高分子黏合劑可列舉聚(N－乙烯咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(對－苯撐乙烯撐)或其衍生物、聚(2,5－噻吩撐乙烯撐)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚矽氧烷等。

電子輸送層之膜厚其最適值係依使用之材料而異，只要在使驅動電壓及發光效率成為適度值之下加以選擇即可，至少需有不會發生針孔之厚度，若太厚則元件之驅動電壓變高，不理想。因此該電子輸送層之膜厚為例如1nm至1 μ m，較好為2nm至500nm，更好為5nm至200nm。

形成本發明高分子LED之基板係只要形成電極，且在形成該高分子LED之各層時不會產生變化者即可，列舉例如玻璃、塑膠、高分子薄膜、矽基板等。為不透明之基板時，以相反之電極為透明或半透明者較佳。

通常，由陽極及陰極組成之電極中至少有一方為透明或半透明，以陽極側為透明或半透明者較佳。

該陽極之材料係使用導電性之金屬氧化物膜、半透明之金屬薄膜等。具體而言可使用以氧化銦、氧化鋅、氧化錫及該等複合體之氧化銦錫(ITO(indium tin oxide))、氧化銦鋅(IZO)等所成之導電性玻璃作成之膜(NESA等)或金、鉑、銀、銅等，以ITO、IZO、氧化錫較佳。製作方法可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、電鍍法等。該陽極亦可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機透明導電膜。

陽極之膜厚可考慮光之透過性及電導率適當選擇之，例如為10nm至10 μ m，較好為20nm至1 μ m，更好為50nm至500nm。

在陽極上，為了使電荷容易注入，可設置由酞菁衍生物、導電性高分子、碳等所成之層或由金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料等所成之平均膜厚在2nm以下之層。

本發明之高分子LED所使用之陰極材料以功函數小之材料較佳。可使用例如鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬及該等中2個以上之合金或該等中1個以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中1個以上所成之合金、石墨或石墨層間化合物等。合金之例可列舉鎂－銀合金、鎂－銦合金、鎂－鋁合金、銦－銀合金、鋰－鋁合金、鋰－鎂合金、鋰－銦合金、鈣－鋁合金等。陰極亦可作成2層以上之層壓構造。

陰極之膜厚可考慮電導率或耐久性適當加以選擇，例如為10nm至10 μ m，較好為20nm至1 μ m，更好為50nm至500nm。

陰極之製作方法係使用真空蒸鍍法、濺鍍法或將金屬薄膜熱壓著之層壓法等。又，陰極與有機物層之間可設置由導電性高分子所成之層或由金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料等所成之平均膜厚在2nm以下之層，陰極製作後可安裝用於保護該高分子LED之保護層。為使該高分子LED可長期安定使用，或為了從外部保護元件，以安裝保護層及/或保護罩較佳。

該保護層可使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。保護罩可使用玻璃板、於表面施予低透水率處理之塑膠板等，以使用將該保護罩用熱效果樹脂或光硬化樹脂與元件基板貼合使密閉之方法較佳。只要使用間隔板(spacer)維持空間，即容易防止元件受損。只要於該空間封入例如氮氣或氬氣等惰性氣體即可防止陰極氧化，又，經由在該空間內設置氧化鋇等乾燥劑，即容易抑制在製造步驟所吸附之水分對元件造成之傷害。該等中以使用任1個以上之對策較佳。

本發明之高分子發光元件可使用面狀光源、區段顯示裝置、點矩陣(dot matrix)顯示裝置或液晶顯示裝置之背光照明。

使用本發明之高分子LED，為了獲得面狀之發光只要將面狀之陽極及陰極疊合配置即可。為了獲得圖案狀之發光，有在上述面狀發光元件表面設置設有圖案狀之窗之遮罩之方法、形成非常厚之非發光部有機物層，使實質上不發光之方法、陽極或陰極之任一者或二者之電極形成圖案狀之方法。經由使用該等之任一種方法形成圖案，將數個電極以可獨立開/關之方式配置，獲得可顯示數字、文字或簡單符號等之區段型顯示元件。為了作成點矩陣元件，以使陽極及陰極同時形成線條狀，垂直配置即可。經由使用複數種類之發光色不同之發光材料塗抹區分之方法、使用濾色器或發光轉換過濾器之方法，而可顯示部分色彩或顯示多彩。點矩陣元件亦可被動驅動，亦可與TFT(Thin Flim Transis tor，薄膜電晶體)等組合而自動驅動。該等顯示元件可作為電腦、電視、手提終端機、行動電話、汽車衛星導航系統(carnavigation)、電視彩色之檢影器等之顯示裝置使用。

上述面狀之發光元件係自發光薄型，可適用作為液晶顯示裝置之背光照明用之面狀光源或面狀之照明用光源。又，只要使用柔性基板，亦可作為曲面狀之光源或顯示裝置使用。

本發明之高分子材料可作為半導體材料使用。以與上述揭示之發光元件製作方法相同之方法即可進行製膜、元件化，該半導體薄膜係以電子移動度或電洞移動度較大之一方為10^{－ 5} cm² /V/秒以上較佳。

接著對於本發明另一形式之光電元件加以說明。

光電元件有光電轉換元件，可例示如：在至少一方為透明或半透明之二組電極間會挾本發明之高分子材料層之元件或在基板上於製膜之高分子材料層上形成之梳形電極之元件。為了提昇特性，可將富勒烯(Fullerene)或奈米碳管等混合。

光電轉換元件之製造方法可例示專利第3146296號公報揭示之方法。具體而言可例示在具有第一電極之基板上形成高分子薄膜，而在該薄膜上形成第二電極之方法、在基板上形成之一組梳形電極上形成高分子薄膜之方法。第一或第二電極中之一方為透明或半透明。

高分子薄膜之形成方法或將富勒烯、奈米碳管混合之方法並無特別之限制，可適當利用於發光元件所例示之方法。

以下列舉實施例對本發明作更詳細之說明，但本發明並不只限於該等例。

聚苯乙烯換算之數平均分子量係使用四氫呋喃作為溶劑，經由凝膠滲透層析法(GPC(Gel Permeation Chromatography)：HLC-8220GPC、東索公司製或SCL-10A、島津製作公司製)求得。

實施例1

調製在下述高分子化合物(1-1)中添加下述樹狀高分子(D-1)40重量%之混合物之1.8重量%甲苯溶液。

在用濺鍍法塗上厚度150nm ITO膜之玻璃基板上，使用聚(乙二氧噻吩(poly(ethylenedioxy thiophene))/聚苯乙烯磺酸溶液(拜耳公司製造，BaytronP)，以自旋塗覆法形成50nm厚度之膜，再於熱盤上於200℃乾燥10分鐘。接著，使用上述調製之甲苯溶液，以自旋塗覆法，以1000rpm之回轉速度形成膜。膜厚約100nm。將該膜在減壓下於80℃乾燥1小時後蒸鍍約4nm LiF作為陰極緩衝層，蒸鍍約5nm鈣作為陰極，接著蒸鍍約80nm鋁，而製作EL元件。在真空度達到1×10^-4 Pa以下後開始金屬之蒸鍍。獲得之元件藉由外加電壓，獲得於520nm具有高峰之EL發光。該元件於約5V顯示100cd/m² 之發光。最大亮度在30000cd/m² 以上。最大發光效率為36cd/A。

以計算科學方法算出之高分子化合物1－1與樹狀高分子(D－1)之最低激發三重態能量分別為2.82eV及2.71eV。

又，計算對象之化學構造，高分子化合物(1－1)為下述式(1－1M)，樹狀高分子(D－1)為下述式D－1M。

以模型高分子(1－1M)為

模型樹狀高分子(D－1M)為 ，計算係以發明之詳細說明揭示之方法實施。

具體而言，首先係對模型樹狀高分子(D－1M)及模型高分子1－1M，以Hatree－Fock(HF)法使構造最適化者。此時，基礎函數對於模型樹狀高分子(D－1M)含有之銥，係使用lan12dz，對於模型樹狀高分子(D－1M)中除此之外之原子及高分子化合物1－1，係使用6－31g*。對最適化構造而言，係使用與最適化構造相同之基底，藉由b3p86水平之時間依存型密度泛函理論(TDDFT(time－dependent density functional theory))法尋求最低激發單態能量、最低激發三重態能量、HOMO值及LUMO值。將經實施計算之化學構造如上述般簡略化之妥當性，在事前先進行如下之操作確認。

假設以側鏈OCH₃ 、OC₃ H₇ 、OC₅ H_{1 1} 、OC₈ H_{1 7} 替代高分子化合物1－1之側鏈OC₈ H_{1 7} ，使用上述揭示之基礎函數6－31g*之HF法計算所獲得之基態之HOMO值、基態之LUMO值、最低激發單態能量及最低激發三重態能量如下所述。

經由此，根據上述計算方法之計算，認為在HOMO值、LUMO值、最低單態激發能量、最低三重態激發能量中，側鏈長度依存性小。因此，對於高分子化合物1－1，將作為計算對象之化學構造之側鏈簡化為OCH₃ 計算。又，關於樹狀高分子，計算下述配位體(配位體1)之最低激發三重態能量時為2.76eV，與結合於樹突之(D－1M)幾乎為相同值，確認樹突對於最低激發三重態能量幾乎沒有影響。

高分子化合物(1－1)係以EP1344788揭示之方法合成(聚苯乙烯換算之數平均分子量Mn＝1.1×10⁵ ，重量平均分子量Mw＝2.7×10⁵ )樹狀高分子(D－1)係以WO02/066552揭示之方法為基準而合成。

實施例2

調製在上述高分子化合物1－1中添加樹狀高分子(D－2)2重量%之混合物之1.5重量%甲苯溶液，與實施例1相同，製作元件。製膜時之自旋塗覆回轉數為2000rpm，膜厚為約95nm。

獲得之元件藉由外加電壓，獲得於625nm具有高峰之EL發光。該元件於約10V顯示100cd/m² 之發光。最大發光效率為4.9cd/A。

與實施例1同樣求得之樹狀高分子(D－2)之最低激發三重態能量為2.3eV。計算係以下述分子(D－2M)作為模型。

樹狀高分子(D－2)係以WO02/066552揭示之方法為基準而合成。

實施例3

調製將下述高分子化合物(1－2)、(3－1)及實施例2揭示之樹狀高分子(D－2)以76：19：5之比率(重量比)混合之混合物之1.0重量%甲苯溶液，與實施例1同樣，製作元件。製膜時之自旋塗覆回轉數為2200rpm，膜厚為約90nm。

獲得之元件藉由外加電壓，獲得於625nm具有高峰之EL發光。該元件於約5V顯示100cd/m² 之發光。最大發光效率為4.7cd/A。

高分子化合物(1－2)係以特開2004－143419號揭示之方法為基準而合成。該高分子化合物(1－2)之聚苯乙烯換算之數平均分子量Mn＝1.2×10⁴ ，重量平均分子量Mw＝7.7×10⁴ 。又，高分子化合物(3－1)係以特開2004－002654號揭示之方法為基準而合成，聚苯乙烯換算之數平均分子量Mn＝3.5×10⁵ ，重量平均分子量Mw＝1.1×10⁵ 。

實施例4

合成在高分子末端具有樹狀高分子之下述高分子化合物(1－3)。調製高分子化合物(1－3)之2.0重量%甲苯溶液，與實施例1同樣，製作元件。製膜時之自旋塗覆回轉數為1000rpm，膜厚為約100nm。

獲得之元件藉由外加電壓，獲得於630nm具有高峰之EL發光。又，高分子化合物(1－3)係以如下所述之操作合成。

將下述化合物A 57mg(0.038mmol)、2,7－二溴－3,6－辛氧基二苯并呋喃852mg(1.463mmol)、2,2’－聯吡啶562mg放入反應容器後將反應系內用氮氣置換。加入預先經冒泡通入氬氣、使脫氣之四氫呋喃(無水溶劑)45ml。於該混合溶液中加入雙(1,5－環辛二烯)鎳(0){Ni(COD)₂ }990mg，於室溫攪拌30分鐘後於60℃進行反應3.3小時。反應係在氮氣中進行。反應後，將該溶液冷卻後注入甲醇45ml/離子交換水45ml/25%氨水5.4ml之混合溶液中，攪拌約2小時。接著將生成之沉澱物經由過濾回收。該沉澱物減壓乾燥後溶解於甲苯中。將該溶液過濾，除去不溶物後使該溶液通過填充氧化鋁之管柱而加以精製。該溶液用1N鹽酸、2.5%氨水、離子交換水洗淨，注入甲醇中，進行再沉澱，回收生成之沉澱。將該沉澱減壓乾燥，獲得高分子化合物(1－2)230mg。

該高分子化合物(1－2)之聚苯乙烯換算之數平均分子量Mn＝3.6×10⁴ ，重量平均分子量Mw＝7.8×10⁴ 。

化合物A之製法

化合物A係以如下所述之操作合成。

在氬氣中放入化合物A－3 1.05g(0.4mmol)、化合物A－10.29g(1.2mmol)、碳酸鈉0.25g、2－乙氧基乙醇20ml，用氬氣脫氣後於室溫反應7小時。蒸餾除去溶劑，加入氯仿/己烷＝1/1，通過矽膠管柱。將獲得之濾液濃縮。將獲得之紅紫色粉體溶解於甲苯後通過矽膠管柱，將獲得之濾液濃縮，獲得紅紫色粉體0.45g(收率：37%)。

¹ H－NMR(300MHz/CDCl₃ )：δ9.08(d、2H)、8.54(m、4H)、7.92(bd、2H)、7.40~7.80(m、30H)、7.34(d、2H)、7.06(m、2H)、6.60(d、2H)、5.87(s、1H)、1.94(s、3H)、1.36(s、36H)MS(APCI(＋))：(M＋H)^＋ 1521

化合物A－1在氬氣中放入氫化鈉1.73g(72mmol)，以冰浴冷卻。在冰浴下，於1小時滴下4－溴乙醯苯7.96g(40mmol)之乙酸乙酯60ml溶液。加熱回流，進行反應4小時半。冷卻至室溫，用1N鹽酸、離子交換水洗淨、分液。有機層以無水硫酸鈉乾燥，經濃縮而獲得淡橙色之粗生成物7.35g。於乙醇中再結晶，獲得白色針狀結晶3.37g(收率：35%)。

¹ H－NMR(300MHz/CDCl₃ )：δ2.00(s、3H)、6.14(s、1H)、7.60(d、2H)、7.74(d、2H)、16.1(bs、1H)MS(APCI(＋))：(M＋H)^＋ 241

化合物A－2以WO02/066552揭示之合成法為基準獲得下式表示之化合物。收量3.0g(收率100%)。

¹ H－NMR(300MHz/CDCl₃ )：δ8.71(d、1H)、8.24(d、1H)、8.10(bs、1H)、7.97(d、1H)、7.86~7.94(m、3H)、7.68~7.82(m、7H)、7.54~7.66(m、4H)、7.22~7.36(m、2H)、1.44(s、18H)

化合物A－3於氬氣中放入化合物A－21.92g(3.5mmol)、IrCl．3H₂ O0.56g(16mmol)、2－EtOEtOH 15ml、離子交換水5ml，回流7小時。放入適量之離子交換水，吸引過濾析出之固體。獲得之固體用乙醇、離子交換水洗淨後乾燥，獲得紅褐色粉體1.77g(收率：84%)。

實施例5

合成在高分子末端具有樹狀高分子之下述高分子化合物(1－4)。調製高分子化合物(1－4)之2.0重量%甲苯溶液，與實施例1同樣製作元件。製膜時之自旋塗覆回轉數為1100rpm，膜厚為約80nm。

高分子化合物(1－4)

獲得之元件藉由外加電壓，獲得於520nm具有高峰之EL發光。該元件於約9V顯示100cd/m² 之發光，最大亮度在6000cd/m² 以上。又，高分子化合物(1－4)係以如下所述之操作合成。

將下述化合物B 57mg(0.040mmol)、2,7－二溴－3,6－辛氧基二苯并呋喃1.142g(1.960mmol)、2,2’－聯吡啶750mg放入反應容器後將反應系內用氮氣置換。加入預先經冒泡通入氬氣使脫氣之四氫呋喃(無水溶劑)42ml。於該混合溶液中加入雙(1,5－環辛二烯)鎳(O){Ni(COD)₂ }1.320g，於室溫攪拌30分鐘後於60℃反應3.3小時。反應係在氮氣大氣中進行。反應後，將該溶液冷卻後注入甲醇42ml/離子交換水42ml/25%氨水7.2ml之混合溶液中，攪拌約2小時。接著將生成之沉澱物經由過濾回收。該沉澱物減壓乾燥後溶解於甲苯中。將該溶液過濾，除去不溶物後使該溶液通過填充氧化鋁之管柱加以精製。該溶液用1N鹽酸、2.5%氨水、離子交換水洗淨，注入甲醇中，進行再沉澱，回收生成之沉澱。將該沉澱減壓乾燥，獲得高分子化合物(1－3)760mg。

該高分子化合物(1－3)之聚苯乙烯換算之數平均分子量Mn＝4.0×10⁴ ，重量平均分子量Mw＝8.6×10⁴ 。

化合物B係以WO02/066552揭示之合成法為基準而獲得。

MALDI TOF MASS m/z＝1414

實施例6

合成在高分子側鏈具有樹狀高分子之下述高分子化合物(1－5)。調製高分子化合物(1－5)之1.5重量%甲苯溶液，與實施例1同樣製作元件。製膜時之自旋塗覆回轉數為2500rpm，膜厚為約75nm。

獲得之元件藉由外加電壓，獲得於520nm具有高峰之EL發光。該元件於約8V顯示100cd/m² 之發光，最大發光效率為11cd/A。又，高分子化合物(1－5)係以如下所述之操作合成。

將下述化合物(C)25mg(0.017mmol)、2,7－二溴－3,6－辛氧基二苯并呋喃475mg(0.82mmol)、2,2’－聯吡啶351mg放入反應容器後將反應系內用氮氣置換。加入預先經冒泡通入氬氣使脫氣之四氫呋喃(無水溶劑)35ml。於該混合溶液中加入雙(1,5－環辛二烯)鎳(O){Ni(COD)₂ }618mg，於室溫攪拌30分鐘後於60℃反應3.3小時，反應係在氮氣中進行。反應後，將該溶液冷卻後注入甲醇15ml/離子交換水15ml/25%氨水2.5ml之混合溶液中，攪拌約2小時。接著將生成之沉澱物經由過濾回收。該沉澱物減壓乾燥後溶解於甲苯中。將該溶液過濾，除去不溶物使將該溶液通過填充氧化鋁之管柱加以精製。該溶液用1N鹽酸、2.5%氨水、離子交換水洗淨，注入甲醇中，進行再沉澱，回收生成之沉澱。將該沉澱減壓乾燥，獲得高分子化合物(1－5)140mg。

該聚合物之聚苯乙烯換算之數平均分子量為8.5×10⁴ ，聚苯乙烯換算重量平均分子量為6.7×10⁵ 。

2,7－二溴－3,6－辛氧基二苯并呋喃係以EP1344788揭示之方法合成。

化合物C係以如下所述之操作合成。將3,5－二氯苯基硼酸0.1g(0.5mmol)、上述化合物B 0.71g(0.5mmol)放入4口燒瓶中，並以氬氣置換。放入甲苯30ml、乙醇10ml、碳酸鉀0.1g(0.8mmol)溶解於離子交換水10ml之溶液，冒泡通入氬氣15分鐘。放入Pd(PPh₃ )₄ 0.01g(0.01mmol)，再冒泡通入氬氣5分鐘，再加熱回流7小時。進行矽膠管柱精製(溶出液：氯仿/己烷＝1/2)，獲得黃色粉體580mg(收率78%)。

¹ H－NMR(300MHz/CDCl₃ )：δ1.38(s、36H)、6.95~7.00(m、3H)、7.04(s、1H)、7.07(s、2H)、7.24~7.25(m、3H)、7.40~7.41(m、3H)、7.48(d、8H)、7.64(d、8H)、7.59~7.68(m、3H)、7.71(s、3H)、7.81~7.84(m、6H)、8.00(s、3H)、8.04(d、3H)LC/MS：ESI法(posi KCl添加)[M＋K]＋＝1518

[產業上利用之可能性]

使用本發明高分子材料之元件於低電壓可驅動等方面之實用性優異。所以，本發明之高分子材料可適用於高分子LED之發光材料等。

Claims (29)

1. 一種高分子材料，係含有共軛系高分子(A)及樹狀高分子(B)其中，該共軛系高分子(A)具有至少1種下述式(1)、式(2)、式(3)、式(4)或式(5)表示之反覆單位 [式中，P環及Q環各自獨立，表示芳環，惟P環可存在亦可不存在，於P環存在時2個鍵結鍵分別存在於P環及/或Q環上，P環不存在時則各自存在於含有Y之5員環上及/或Q環上，在芳環上及/或含有Y之5員環上可具有取代基，Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R₃₁ )-、-C(R₁ )(R₂ )-、-Si(R₁ )(R₂ )-、-P(R₃ )-、-PR₄ (=O)-、-C(R₅₁ )(R₅₂ )-C(R₅₃ )(R₅₄ )-、-O-C(R₅₅ )(R₅₆ )-、-S-C(R₅₇ )(R₅₈ )-、-N-C(R₅₉ )(R₆₀ )-、-Si(R₆₁ )(R₆₂ )-C(R₆₃ )(R₆₄ )-、Si(R₆₅ )(R₆₆ )-Si(R₆₇ )(R₆₈ )-、-C(R₆₉ )=C(R₇₀ )-、-N=C(R₇₁ )-或-Si(R₇₂ )=C(R₇₃ )-，R₃₁ 表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、矽烷氧基、取代矽烷氧基，R₁ 至R₄ 、R₅₁ 至R₇₃ 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、矽烷氧基、取代矽烷氧基、1價雜環基或鹵素原子) -Ar₁ - (2) -Ar₄ -X₁ - (4) -X₃ - (5)[式中，Ar₁ 、Ar₂ 、Ar₃ 及Ar₄ 各自獨立，表示芳撐基、2價雜環基或具有金屬配位體構造之2價基，X₁ 、X₂ 及X₃ 各自獨立，表示-CR₁₃ =CR₁₄ -、-C≡C-、-N(R₁₅ )-或-(SiR₁₆ R₁₇ )_m -，R₁₃ 及R₁₄ 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基，R₁₅ 、R₁₆ 及R₁₇ 各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價雜環基、芳烷基或取代胺基，ff表示1或2，m表示1至12之整數，R₁₃ 、R₁₄ 、R₁₅ 、R₁₆ 及R₁₇ 各自存在複數個時，可相同亦可不同]，該樹狀高分子(B)為下述通式(8)表示者：CORE-[D¹ ]_Z1 [D² ]_Z2 (8)[式中，CORE表示(Z1+Z2)價之原子或原子團，Z1及Z2表示1以上之整數，D¹ 及D² 各自獨立，表示樹狀構造，D¹ 及D² 存在複數個時，可相同，亦可不同，D¹ 及D² 至少有1個為共軛系，且包含可含有雜原子之芳環]。
2. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其中，該高分子材料含有在同一分子內具有共軛系高分子(A)構造及樹狀高分子(B)構造的高分子。
3. 如申請專利範圍第2項之高分子材料，其中，該高分子材料含有在共軛系高分子(A)之主鏈具有樹狀高分子(B)構造之高分子。
4. 如申請專利範圍第2項之高分子材料，其中，該高分子材料含有在共軛系高分子(A)之末端具有樹狀高分子(B)構造之高分子。
5. 如申請專利範圍第2項之高分子材料，其中，該高分子材料含有在共軛系高分子(A)之側鏈具有樹狀高分子(B)構造之高分子。
6. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其係含有共軛系高分子(A)及樹狀高分子(B)之組成物。
7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之高分子材料，其中，該共軛系高分子(A)為主鏈含有芳環者。
8. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之高分子材料，其中，共軛系高分子(A)以聚苯乙烯換算之數平均分子量為10⁴ 至10⁷ 。
9. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其中，上述式(1)表示之反覆單位，係具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基或取代羧基之基作為取代基者。
10. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其中，上述式(1)表示之反覆單位為下述式(1-1)、(1-2)或(1-3)表示之反覆單位： [式中，A環、B環及C環各自獨立，表示可具有取代基之芳環，式(1-1)、(1-2)及(1-3)各自可具有取代基，Y表示與上述者同意義]。
11. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其中，上述式(1)表示之反覆單位為下述式(1-4)或下述式(1-5)表示之反覆單位： [式中，D環、E環、F環及G環各自獨立，表示可具有取代基之芳環，Y表示與上述者同意義]。
12. 如申請專利範圍第1項之高分子材料，其中，P環及Q環為芳族烴環。
13. 如申請專利範圍第11項之高分子材料，其中，上述式(1-4)表示之反覆單位為選自下述式(1-6)、(1-7)及(1-8)之反覆單位： [式中，R₅ 至R₁₀ 各自獨立，表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基或取代羧基，a及b各自獨立，表示0至3之整數，c、d、e及f各自獨立，表示0至5之整數，R₅ 至R₁₀ 各自存在複數個時，可相同亦可不同，Y表示與上述者同意義]。
14. 如申請專利範圍第1項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，Y為-O-、-S-或-C(R₁ )(R₂ )-[R₁ 及R₂ 表示與上述者同意義]。
15. 如申請專利範圍第1項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中係具有至少1種選自上述式(1)及上述式(2)、式(3)、式(4)或式(5)表示之反覆單位。
16. 如申請專利範圍第1項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，上述式(3)表示之反覆單位為以下述式(6)表示之反覆單位： [式中，Ar₁₅ 及Ar₁₆ 各自獨立，表示3價芳族烴基或3價雜環基，R₄₀ 表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺基、可具有取代基之芳基或1價雜環基，X表示單鍵或下述基之任一者： -O-,-S-,,, (式中，R₄₁ 各自獨立，表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、取代矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、取代羧基或氰基，R₄₁ 存在複數個時，可相同亦可不同)]。
17. 如申請專利範圍第1項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，上述式(4)表示之反覆單位為下述式(7)表示之反覆單位： [式中，Ar₆ 、Ar₇ 、Ar₈ 及Ar₉ 各自獨立，表示芳撐基或2價雜環基，Ar₁₀ 、Ar₁₁ 及Ar₁₂ 各自獨立，表示芳基或1價雜環基，Ar₆ 、Ar₇ 、Ar₈ 、Ar₉ 及Ar₁₀ 可具有取代基，x及y各自獨立，表示0或1，0≦x+y≦1]。
18. 一種發光材料，係含有如申請專利範圍第1項至第17項中任一項之高分子材料。
19. 如申請專利範圍第1項至第6項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，該上述通式(8)之CORE為含有茋、芳族縮合環、雜環、具有雜環之縮合環或金屬配位體構造中之至少一種者。
20. 如申請專利範圍第19項之高分子材料，其中，樹狀高分子之表面基團至少有1個為氫原子以外者。
21. 如申請專利範圍第1項至第6項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，樹狀高分子在部分構造具有金屬配位體。
22. 如申請專利範圍第1項至第6項、第9項至第13項中任一項之高分子材料，其中，該高分子材料另含有至少1種選自電洞(hole)輸送材料、電子輸送材料及發光材料之材料。
23. 一種半導體材料，係含有如申請專利範圍第1項至第17項、第19項至第22項中任一項之高分子材料者。
24. 一種印墨組成物，其特徵為：含有至少1種如申請專利範圍第1項至第17項、第19項至第22項中任一項之高分子材料者。
25. 如申請專利範圍第24項之印墨組成物，其中，該組成物之黏度於25℃為1至20mPa‧s。
26. 一種元件，其特徵為：在由陽極及陰極組成之電極間具有含有如申請專利範圍第1項至第17項、第19項至第22項中任一項之高分子材料之層。
27. 如申請專利範圍第26項之元件，其中，於陽極及陰極組成之電極間復含有電荷輸送層。
28. 如申請專利範圍第26項之元件，其中，該元件係高分子發光元件。
29. 如申請專利範圍第26項之元件，其中，該元件係光電元件。