TWI388043B - 線路板及其製作方法 - Google Patents

Description

線路板及其製作方法

本發明是有關於一種線路板及其製作方法，且特別是有關於一種具有凹槽的線路板及其製作方法。

由於市場對於電子產品有輕薄短小且攜帶方便的需求，因此電子產品中的電子元件與線路板的組裝厚度將朝向薄型化的方向發展。

習知技術是藉由在線路板上形成一凹槽並將電子元件(如晶片封裝結構)配置於凹槽中，來減少電子元件與線路板的組裝厚度。圖1繪示習知之線路板的剖面圖。請參照圖1，線路板100具有一核心層110以及分別配置於核心層110之上下兩側的線路結構120與線路結構130，其中核心層110具有一核心介電層112與分別配置於核心介電層112之上下兩側的二線路層114、116。凹槽R1貫穿線路結構120與核心介電層112並暴露出線路層116。

由於習知的線路板100的製程是從核心層110的上下兩側進行增層，以形成線路結構120與線路結構130，然後，移除部分的線路結構120與部分的核心介電層112以暴露出線路層116。因此，線路層116是內埋於線路結構130的介電層132中。

本發明提供一種線路板，具有相互堆疊的二核心層。

本發明提供一種線路板的製作方法，可製得一具有相互堆疊的二核心層的線路板。

本發明提出一種線路板，其具有一凹槽，線路板包括一第一核心層、一第二核心層與一中央介電層。第一核心層包括一核心介電層與一核心線路層，核心線路層配置於核心介電層上。第二核心層配置於第一核心層上。中央介電層配置於第一核心層與第二核心層之間。凹槽貫穿第二核心層與中央介電層並暴露出部分核心線路層。

在本發明之一實施例中，核心線路層突出於核心介電層的表面。

在本發明之一實施例中，線路板更包括一第一線路結構與一第二線路結構。第一線路結構配置於第一核心層之遠離中央介電層的一側。第二線路結構配置於第二核心層之遠離中央介電層的一側，且凹槽貫穿第二線路結構。

在本發明之一實施例中，第一線路結構包括一第一介電層與一第一線路層，第一介電層配置於第一核心層上，第一線路層配置於第一介電層上。

在本發明之一實施例中，第二線路結構包括一第二介電層與一第二線路層，第二介電層配置於第二核心層上，第二線路層配置於第二介電層上。

在本發明之一實施例中，核心線路層具有一雷射阻擋圖案，雷射阻擋圖案位於核心介電層之被凹槽所暴露出的部分的邊緣上。

在本發明之一實施例中，中央介電層覆蓋一部分的雷射阻擋圖案，凹槽暴露出另一部分的雷射阻擋圖案。

本發明提出一種線路板的製作方法如下所述。首先，提供一第一核心層、一第二核心材料層與一中心介電材料層。第一核心層包括一核心介電層與一核心線路層，核心線路層配置於核心介電層上，且核心線路層為一非內埋式線路層，第二核心材料層配置於第一核心層上，中心介電材料層配置於第一核心層與第二核心材料層之間。接著，壓合第一核心層、第二核心材料層與中心介電材料層，以形成一複合線路結構，複合線路結構具有一預移除區，且至少部分核心線路層位於預移除區內。然後，移除中心介電材料層之位於預移除區邊緣的部分以及第二核心材料層之位於預移除區邊緣的部分。之後，移除中心介電材料層之位於預移除區內的部分以及第二核心材料層之位於預移除區內的部分，以形成一中央介電層與一第二核心層。

在本發明之一實施例中，在壓合第一核心層、第二核心材料層與中心介電材料層時，更包括下述製程。首先，壓合一第一介電材料層與一第一導電層至第一核心層上，其中第一介電材料層位於第一核心層與第一導電層之間，以及壓合一第二介電材料層與一第二導電層至第二核心層上，其中第二介電材料層位於第二核心層與第二導電層之間。然後，圖案化第一導電層與第二導電層，以形成一第一線路層與一第二線路層。

在本發明之一實施例中，線路板的製作方法更包括在移除中心介電材料層之位於預移除區邊緣的部分以及第二核心材料層之位於預移除區邊緣的部分時，移除第二介電材料層之位於預移除區邊緣的部分，以及在移除中心介電材料層之位於預移除區內的部分以及第二核心材料層之位於預移除區內的部分時，移除第二介電材料層之位於預移除區內的部分，以形成一第二介電層。

在本發明之一實施例中，移除中心介電材料層之位於預移除區邊緣的部分以及第二核心材料層之位於預移除區邊緣的部分的方法包括雷射蝕刻。

在本發明之一實施例中，核心線路層具有一雷射阻擋圖案，雷射阻擋圖案位於預移除區邊緣。

在本發明之一實施例中，移除中心介電材料層之位於預移除區內的部分以及第二核心材料層之位於預移除區內的部分的方法包括剝除法。

在本發明之一實施例中，第一核心層更包括一保護層，其覆蓋核心線路層之位於預移除區內的部分。

在本發明之一實施例中，線路板的製作方法更包括在移除中心介電材料層之位於預移除區內的部分以及第二核心材料層之位於預移除區內的部分之後，移除保護層。

本發明提出一種線路板具有一凹槽，線路板包括一多層核心結構，多層核心結構包括交替堆疊的多個核心層與多個中央介電層，凹槽貫穿多層核心結構之部分核心層與至少部分中央介電層，且核心層其中之一位於凹槽的底部，凹槽暴露位於凹槽底部的核心層的一核心線路層。

在本發明之一實施例中，線路板更包括一第一線路結構與一第二線路結構。第一線路結構配置於多層核心結構的一第一側。第二線路結構配置於多層核心結構的一第二側，其中第一側相對於第二側，且凹槽貫穿第二線路結構。

在本發明之一實施例中，第一線路結構包括一第一介電層與一第一線路層。第一介電層配置於多層核心結構的第一側上。第一線路層配置於第一介電層上。

在本發明之一實施例中，第二線路結構包括一第二介電層與一第二線路層。第二介電層配置於多層核心結構的第二側上。第二線路層配置於第二介電層上。

基於上述，由於本發明的線路板具有交替堆疊的多個核心層與多個中央介電層，因此，當凹槽貫穿總介電層數之一半以上的層數時，凹槽可貫穿部分核心層與至少部分中央介電層並暴露出位於凹槽底部的核心層的核心線路層。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖2A為本發明一實施例之線路板的剖面圖，圖2B為圖2A之線路板的一種變化。請參照圖2A，本實施例之線路板200具有一凹槽R，線路板200包括一第一核心層210、一第二核心層220、一中央介電層230、一第一線路結構240與一第二線路結構250。

第一核心層210包括一核心介電層212以及二核心線路層214、216，核心線路層214、216分別配置於核心介電層212之上下二表面212a、212b上並相互電性連接。核心線路層214、216分別突出於核心介電層212的表面212a、212b。

第二核心層220配置於第一核心層210上。第二核心層220可包括一核心介電層222以及二核心線路層224、226，核心線路層224、226分別配置於核心介電層222之上下二表面222a、222b上並相互電性連接。中央介電層230配置於第一核心層210與第二核心層220之間。

第一線路結構240配置於第一核心層210之遠離中央介電層230的一側218。在本實施例中，第一線路結構240包括相互堆疊的二介電層242、246與二線路層244、248。介電層242配置於第一核心層210上，線路層244配置於介電層242上並位於介電層242、246之間，線路層248配置於介電層246之遠離線路層244的一側。當然，本實施例並不限定第一線路結構240的線路層與介電層的數量，換言之，線路層或介電層的數量可為一個或多個。

第二線路結構250配置於第二核心層220之遠離中央介電層230的一側228。在本實施例中，第二線路結構250包括相互堆疊的二介電層252、256與二線路層254、258，其中介電層252配置於第二核心層220上，線路層254配置於介電層252上並位於介電層252、256之間，線路層258配置於介電層256之遠離線路層254的一側。當然，本實施例並不限定第二線路結構250的線路層與介電層的數量，換言之，線路層或介電層的數量可為一個或多個。

線路板200的凹槽R貫穿第二核心層220、中央介電層230與第二線路結構250並暴露出部分核心線路層214。值得注意的是，在本實施例中，凹槽R貫穿的總介電層數(包括中央介電層230、核心介電層222與介電層252、256)大於凹槽R未貫穿的總介電層數(包括核心介電層212與介電層242、246)。換言之，凹槽R可貫穿(線路板200的)總介電層數之一半以上的層數。當然，在其他未繪示的實施例中，凹槽R可貫穿總介電層數之一半以下的層數。由於本實施例的線路板200具有相互堆疊的第一與第二核心層210、220，因此，當凹槽R貫穿總介電層數之一半以上的層數時，凹槽R可貫穿第二核心層220並暴露出第一核心層210的核心線路層214。

值得注意的是，在本實施例中，並不限制核心層的數目，換言之，核心層的數目亦可為三個或三個以上，凹槽可貫穿部分核心層與至少部分中央介電層，這些核心層其中之一位於凹槽的底部，且凹槽暴露位於凹槽底部的核心層的一核心線路層。舉例來說，請參照圖2B，本實施例之線路板200a包括一多層核心結構M，多層核心結構M具有一第一核心層210、一第二核心層220、一第三核心層270、配置於第一與第二核心層210、220之間的一中央介電層230以及配置於第二與第三核心層220、270之間的一中央介電層280。凹槽R貫穿第二與第三核心層220、270與中央介電層230、280並暴露出位於凹槽R的底部的第一核心層210的一核心線路層214。值得注意的是，本實施例並非用以限定多層核心結構M之被凹槽R貫穿的核心層數以及未被凹槽R貫穿的核心層數，換言之，凹槽R亦可只貫穿第三核心層270。

請再次參照圖2A，在本實施例中，核心線路層214具有一雷射阻擋圖案214a，雷射阻擋圖案214a位於凹槽R所暴露出的核心介電層212的邊緣。中央介電層230可覆蓋一部分的雷射阻擋圖案214a，且凹槽R可暴露出另一部分的雷射阻擋圖案214a。另外，在本實施例中，可在第一線路結構240、第二線路結構250與第一核心層210上分別形成一焊罩層260，以覆蓋並保護部分的線路層248、258與核心線路層214。

以下將詳細介紹本實施例之線路板200的其中一種製作方法。

圖3A～圖3E為本發明一實施例之線路板的製程剖面圖。

首先，請參照圖3A，提供一第一核心層210、一第二核心材料層220a、一中心介電材料層230a、一介電層242、一導電層244a、一介電材料層252a與一導電層254a。

第一核心層210的結構與圖2A的第一核心層210相同。第二核心材料層220a配置於第一核心層210上，中心介電材料層230a配置於第一核心層210與第二核心材料層220a之間。介電層242配置於第一核心層210之遠離中心介電材料層230a的一側，並位於第一核心層210與導電層244a之間。介電材料層252a配置於第二核心材料層220a之遠離中心介電材料層230a的一側，並位於導電層254a與第二核心材料層220a之間。

接著，請參照圖3B，壓合第一核心層210、第二核心材料層220a、中心介電材料層230a、介電層242、導電層244a、介電材料層252a與導電層254a，以形成一複合線路結構C，複合線路結構C具有一預移除區P，且部分核心線路層214位於預移除區P內。之後，可分別圖案化導電層244a與導電層254a，以形成一線路層244與一線路層254，以及形成多個導電通道V1、V2，以使線路層244與線路層254分別電性連接至第一核心層210與第二核心材料層220a。

之後，請參照圖3C，可以形成介電層242、線路層244、介電材料層252a與線路層254的方式，選擇性地於介電層242上形成一介電層246與一線路層248，並於介電材料層252a上形成一介電材料層256a與一線路層258。

然後，請參照圖3D，例如是以雷射蝕刻的方式移除位於預移除區P的邊緣的中心介電材料層230a、第二核心材料層220a、介電材料層252a、256a，以形成貫穿前述材料層230a、220a、252a、256a的一狹縫G。在本實施例中，核心線路層214可具有一位於預移除區P邊緣的雷射阻擋圖案214a，以保護核心介電層212免於遭受雷射蝕刻的破壞。此外，第一核心層210可具有一保護層A，其覆蓋核心線路層214之位於預移除區P內的部分，以於後續的移除製程中保護核心線路層214。此外，保護層A可為一離型層，其可有助於移除位於欲移除區P內的中心介電材料層230a。

之後，請參照圖3E，以例如剝除法移除位於預移除區P內的中心介電材料層230a、第二核心材料層220a與介電材料層252a、256a，以形成一中央介電層230、一第二核心層220、介電層252、256以及一凹槽R。介電層252、256與線路層254、258構成一第二線路結構250，凹槽R貫穿第二線路結構250、第二核心層220與中央介電層230。接著，移除保護層A。在其他實施例中，可同時移除保護層A與位於預移除區P內的中心介電材料層230a、第二核心材料層220a與介電材料層252a、256a。然後，在本實施例中，可在第一線路結構240、第二線路結構250與第一核心層210上分別形成一焊罩層260，以覆蓋並保護部分的線路層248、258與核心線路層214。

綜上所述，由於本發明的線路板具有交替堆疊的多個核心層與多個中央介電層，因此，當凹槽貫穿總介電層數之一半以上的層數時，凹槽可貫穿部分核心層與至少部分中央介電層並暴露出位於凹槽底部的核心層的核心線路層。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、200a．．．線路板

110．．．核心層

112、212、222．．．核心介電層

114、116、132、244、248、254、258．．．線路層

120、130．．．線路結構

132、242、246、252、256．．．介電層

210．．．第一核心層

212a、212b、222a、222b．．．表面

214、216、224、226．．．核心線路層

214a．．．雷射阻擋圖案

218、228．．．一側

220．．．第二核心層

220a．．．第二核心材料層

230、280．．．中央介電層

230a．．．中心介電材料層

240．．．第一線路結構

244a、254a．．．導電層

250．．．第二線路結構

252a、256a．．．介電材料層

260．．．焊罩層

270．．．第三核心層

A．．．保護層

C．．．複合線路結構

G．．．狹縫

M．．．多層核心結構

P．．．預移除區

R．．．凹槽

V1、V2．．．導電通道

圖1繪示習知之線路板的剖面圖。

圖2A為本發明一實施例之線路板的剖面圖。

圖2B為圖2A之線路板的一種變化。

圖3A～圖3E為本發明一實施例之線路板的製程剖面圖。

200．．．線路板

210．．．第一核心層

212、222．．．核心介電層

212a、212b、222a、222b．．．表面

214、216、224、226．．．核心線路層

214a．．．雷射阻擋圖案

218、228．．．一側

220．．．第二核心層

230．．．中央介電層

240．．．第一線路結構

242、246、252、256．．．介電層

244、248、254、258．．．線路層

250．．．第二線路結構

260．．．焊罩層

R．．．凹槽

Claims (11)

1. 一種線路板，具有一凹槽，該線路板包括：一第一核心層，包括一核心介電層與一核心線路層，該核心線路層配置於該核心介電層上，其中該核心線路層具有一雷射阻擋圖案，該雷射阻擋圖案位於該核心介電層之被該凹槽所暴露出的部分的邊緣上；一第二核心層，配置於該第一核心層上；以及一中央介電層，配置於該第一核心層與該第二核心層之間，其中該凹槽貫穿該第二核心層與該中央介電層並暴露出部分該核心線路層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之線路板，更包括：一第一線路結構，配置於該第一核心層之遠離該中央介電層的一側；以及一第二線路結構，配置於該第二核心層之遠離該中央介電層的一側，且該凹槽貫穿該第二線路結構。
3. 如申請專利範圍第2項所述之線路板，其中該第一線路結構包括：一第一介電層，配置於該第一核心層上；以及一第一線路層，配置於該第一介電層上。
4. 如申請專利範圍第2項所述之線路板，其中該第二線路結構包括：一第二介電層，配置於該第二核心層上；以及一第二線路層，配置於該第二介電層上。
5. 如申請專利範圍第1項所述之線路板，其中該中央 介電層覆蓋一部分的該雷射阻擋圖案，該凹槽暴露出另一部分的該雷射阻擋圖案。
6. 一種線路板的製作方法，包括：提供一第一核心層、一第二核心材料層與一中心介電材料層，該第一核心層包括一核心介電層與一核心線路層，該核心線路層配置於該核心介電層上，該第二核心材料層配置於該第一核心層上，該中心介電材料層配置於該第一核心層與該第二核心材料層之間，其中該核心線路層具有一雷射阻擋圖案；壓合該第一核心層、該第二核心材料層與該中心介電材料層，以形成一複合線路結構，該複合線路結構具有一預移除區，且至少部分該核心線路層位於該預移除區內，其中該雷射阻擋圖案位於該預移除區邊緣；進行一雷射蝕刻以移除該中心介電材料層之位於該預移除區邊緣的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區邊緣的部分；以及移除該中心介電材料層之位於該預移除區內的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區內的部分，以形成一中央介電層與一第二核心層。
7. 如申請專利範圍第6項所述之線路板的製作方法，其中在壓合該第一核心層、該第二核心材料層與該中心介電材料層時，更包括：壓合一第一介電材料層與一第一導電層至該第一核心層上，其中該第一介電材料層位於該第一核心層與該第 一導電層之間；壓合一第二介電材料層與一第二導電層至該第二核心層上，其中該第二介電材料層位於該第二核心層與該第二導電層之間；以及圖案化該第一導電層與該第二導電層，以形成一第一線路層與一第二線路層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之線路板的製作方法，更包括：在移除該中心介電材料層之位於該預移除區邊緣的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區邊緣的部分時，移除該第二介電材料層之位於該預移除區邊緣的部分；以及在移除該中心介電材料層之位於該預移除區內的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區內的部分時，移除該第二介電材料層之位於該預移除區內的部分，以形成一第二介電層。
9. 如申請專利範圍第6項所述之線路板的製作方法，其中移除該中心介電材料層之位於該預移除區內的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區內的部分的方法包括剝除法。
10. 如申請專利範圍第6項所述之線路板的製作方法，其中該第一核心層更包括：一保護層，覆蓋該核心線路層之位於該預移除區內的部分。
11. 如申請專利範圍第10項所述之線路板的製作方法，更包括：在移除該中心介電材料層之位於該預移除區內的部分以及該第二核心材料層之位於該預移除區內的部分的同時或之後，移除該保護層。