TWI413443B - 影像顯示系統 - Google Patents

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TWI413443B
TWI413443B TW098132280A TW98132280A TWI413443B TW I413443 B TWI413443 B TW I413443B TW 098132280 A TW098132280 A TW 098132280A TW 98132280 A TW98132280 A TW 98132280A TW I413443 B TWI413443 B TW I413443B
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Description

影像顯示系統
本發明關於一種包含電激發光裝置之影像顯示系統，特別關於一種包含全彩有機電激發光裝置之影像顯示系統。
近年來，隨著電子產品發展技術的進步及其日益廣泛的應用，像是行動電話及筆記型電腦的問市，使得與傳統顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器之需求與日俱增，成為目前最重要的電子應用產品之一。在平面顯示器當中，由於有機電激發光件具有自發光、高亮度、廣視角、高應答速度及製程容易等特性，使得有機電激發光件無疑的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
為了形成上發光(top-emission)有機電激發光件，美國專利5,739,545揭露一種具有透明陰極之有機電激發光件，其中該透明陰極係包含一低功函數金屬層，並在其上形成一寬能隙層。該寬能隙層可作為保護層防止其下之低功函數金屬層及有機材料層在後續製程上受到損傷。然而，由於該寬能隙層所形成之位置(形成於陰極金屬層之上)，然而該寬能隙層對於有機電激發光件本身之性質(例如色純度(color purity)及發光強度)並沒有任何之助益。
美國專利6,984,934揭露一種避免光散失在玻璃基板及陽極間的方法，其係在玻璃基板上形成微透鏡結構。雖然上述方法可增加光取出(light extraction)率，但該微透鏡結構係形成於元件之外，除微透鏡製程困難，有機電激發光件本身之色純度並無因該結構而有所增加。
本發明一實施例係提供一種影像顯示系統，包括：一全彩有機電激發光裝置，該全彩有機電激發光裝置包括：一下基板；一反射層、一第一透明電極、一有機電激發光單元、及一第二透明電極，依序配置於該反射層之上；以及，一光增強層，配置於該下基板與該第一透明電極之間。
根據本發明另一實施例，該透明連結層之上表面、該第一透明電極之上表面、及該保護層之下表面之至少一者，可具有複數之凸塊(bump)。
以下將配合圖示，以說明根據本發明所提供之包含全彩有機電激發光裝置之影像顯示系統。
請參照第1圖，係顯示根據本發明一較佳實施例所述之影像顯示系統所包含之全彩有機電激發光裝置100。全彩有機電激發光裝置100包含一下基板12，在下基板12之上依序包含一反射層14、一透明連結層16、一光增強層18、一第一透明電極20(例如作為陽極)、一有機電激發光單元22、及一第二透明電極24(例如作為陰極)。值得注意的是，由於本發明所述之有機電激發光裝置具有反射層14/透明連結層16/光增強層18/第一透明電極20此一特定順序的結構，可提昇元件本身的發光強度，並改善紅綠藍(RGB)三光色的色純度。
此外，全彩有機電激發光裝置100可更包含一上基板(封裝基板)32，並在上基板32的下方依序形成一彩色濾光片層30、及一保護層(passivation layer)28。接著，可藉由一緩衝層(buffer layer)26將具有保護層28及彩色濾光片層30的上基板32配置於第二透明電極24之上，最後再以一封裝膠層34封合上基板32及下基板12，請參照第1圖。根據本發明另一較佳實施例，彩色濾光片層(color filter)30亦可形成於上基板32之上，請參照第2圖。
下基板12可為玻璃基板、塑膠基板、或是半導體基板，基板12其上可已形成任何所需的元件(例如薄膜電晶體)，不過此處為了簡化圖式，僅以平整的基板表示之。反射層14可為一布拉格反射板(distributed Bragg reflector，DBR)，將朝下基板12散射的光全反射，其中反射層14之材質可包含銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、或其組合。透明連結層16具有高穿透率，其材質可包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、或其組合。光增強層18係由具有高折射率的材質所構成，光增強層18之折射率可大於透明連結層16、及第一透明電極20。光增強層18包含折射率大於2.1之材質，例如硒化鋅(ZnSe)(折射率2.6)、或硫化鋅ZnS(折射率2.4)。作為陽極之第一透明電極20之材質可為透光之金屬或金屬氧化物，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)或是氧化鋅(ZnO)。上述膜層(反射層14、一透明連結層16、一光增強層18、一第一透明電極20)之形成方法沒有限定，可例如為濺鍍、電子束蒸鍍、熱蒸鍍、或是化學氣相沉積。
有機電激發光單元22可至少包含一發光層(light emitting layer)，且更可以包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、或是電子注入層。有機電激發光單元22之各膜層可分別為小分子有機電激發光材料或高分子有機電激發光材料，若為小分子有機發光二極體材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機發光二極體材料層；若為高分子有機發光二極體材料，則可使用旋轉塗佈、噴墨或網版印刷等方式形成有機發光二極體材料層。此外，有機電激發光單元22之每一發光層可包含一有機電激發光材料及一摻雜物(dopant)，熟悉本技術者可視所使用之有機電激發光材料及所需之元件特性而改變所搭配的摻雜物之摻雜量。摻雜物可為能量傳移(energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集(carrier trapping)型摻雜材料。有機電激發光材料可為螢光(fluorescence)發光材料。而在本發明之某些較佳實施例中，有機電激發光材料亦可為磷光(phosphorescence)發光材料。熟悉本技術者可視所使用之有機電激發光材料及所需之元件特性而改變有機電激發光單元22，因此，有機電激發光單元22之膜層組成及材質非關本發明之特徵，非為限制本發明範圍之依據。
作為陰極之第二透明電極24之材質可為透光之金屬或金屬氧化物，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)或是氧化鋅(ZnO)，第二透明電極24之形成方法沒有限定，可例如為濺鍍、電子束蒸鍍、熱蒸鍍、或是化學氣相沉積。緩衝層(buffer layer)26可形成於第二透明電極24之上，用來組裝上基板32及下基板12，由於緩衝層26會與保護層28緊密密合，藉此可將殘留的空氣及水氣去除。當緩衝層26與保護層緊密密合後，即可進行硬化(curing)以完成組裝。緩衝層之材質可為紫外光或可見光可聚合材料，例如光可聚合樹脂，形成方式可為旋轉塗佈、噴墨或網版印刷。保護層(passivation layer)28係用來避免環境的水氣或氧氣滲透進有機電激發光裝置內，防止電極或有機材料受損所造成的元件使用壽命減少。保護層之材質可為氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氮化矽、氮氧化矽或其結合。所使用之彩色濾光片層(color filter)30並無限定，可為綠色濾光片、紅色濾光片、藍色濾光片、白色濾光片、或其所構成之排列組合，達到全彩顯示的效果。封裝基板32係為一透光基板，材質可為玻璃或塑膠。所使用之封裝膠並無限制，可為習知用來封裝有機發光裝置所使用之任何膠材。
根據本發明一實施例，本發明所述之全彩有機電激發光裝置100之製程方式，可分為兩部份。首先，第一部份的製程包括：在下基板12之上依序形成反射層14、透明連結層16、光增強層18、第一透明電極20、有機電激發光單元22、第一透明電極24、及緩衝層26。接著，進行第二部份的製程：在上基板32之下依序形成彩色濾光片30、及保護層28。接著，將第一部份及第二部份組裝，使得緩衝層26會與保護層28密合，再對緩衝層26進行硬化(例如UV curing)。最後，以封裝膠34封合上下基板間的空隙。
根據本發明其他較佳實施例，透明連結層56之上表面15、第一透明電極60之上表面17、及保護層68之下表面19之至少一者可具有複數之凸塊(bump)(請參照第3圖)，使得透明連結層56、光增強層58、第一透明電極60、及保護層68在其介面上具有不同之厚度。如此一來，除了有機電激發光裝置100所發出的光較容易射出至外界(增強光取出率)，更可同時提昇有機電激發光裝置其本身紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，並且改善色純度。凸塊(bump)之圖形並無限制，可例如為圓形、橢圓形、多邊形、或其結合，且圖形尺寸亦無限制。凸塊或凹陷之形成方法可例如為微形蝕刻製程或是採用半色調(halftoe)相移罩幕製程。在本發明一實施例中，凸塊之高度X與具有凸塊之膜層的高度Y之比值可介於1:1~1:3的範圍內，凸塊之高度X可例如為70nm，膜層的高度Y可例如為130nm。
以下，係列舉一對照組及數個實施例，並請配合圖示，以說明習知技藝之電激發光裝置及根據本發明之包含電激發光裝置之影像顯示系統。
對照組：
首先，藉由中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振盪將玻璃基板洗淨。於烘箱中將基板120烘乾(120℃)，進一步以UV/臭氧清潔。請參照第4圖，反射層140、第一透明電極200、有機電激發光單元220、第二透明電極240、緩衝層260、保護層280、彩色濾光片層300及封裝基板320係依序配置於基板120上。最後，以封裝膠340將封裝基板320與玻璃基板120封合，獲致有機電激發光裝置(1)。
以下係列出各層之材質及厚度。
反射層140：材質為鋁(Al)，厚度為150nm。
第一透明電極200：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，厚度為30nm。
有機電激發光單元220，由下而上依序包含：電洞注入層：厚度為5nm，材質為4,4',4"-三[N-3-甲基苯基-N-苯基氨基]三苯胺(4,4',4"-tris[N,(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino]-tripheny lamine、m-TDATA)；電洞傳輸層：厚度為10nm，材質為4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl、α-NPD)；第一發光層(紅光)：厚度為40nm，主體材料為8-羥基喹啉-鋁(8-hydroxyquinoline aluminum、Alq3 )，並摻雜有一紅光摻雜物(產品號為RD3，由Kodak製造販售)，其紅光摻雜物之重量百分比為0.5wt%；第二發光層(綠光)：厚度為40nm，主體材料為8-羥基喹啉-鋁(8-hydroxyquinoline aluminum、Alq3 )，並摻雜有摻雜物10-(2-苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-[1]苯并吡喃[6,7-8-i,j]-喹啉-11-酮(10-(2-Benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethy 1-1H,5H,11H-(1)benzopyropyrano(6,7-8-I,j)quinolizin-11-on e、C545T)，其綠光摻雜物之重量百分比為10wt%；第三發光層(藍光)：厚度為40nm，主體材料為9,10-雙-(2-萘基)蒽(9,10-bis(2-naphthyl)anthracene、ADN)，並摻雜有摻雜物雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯(Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl、DPAVBi)，其藍光摻雜物之重量百分比為7.5wt%；電子傳輸層：厚度為30nm，材質為雙-10-羥基苯喹啉鈹(bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium、BeBq2)；以及電子注入層：厚度為1nm，材質係為氟化鋰(LiF)。
第二透明電極240：材質為氧化銦鋅(Indium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩衝層260：材質為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(epoxy)，厚度為6μm。
保護層280：材質為氮化矽(SiNx)，厚度為400nm。
彩色濾光片層30：，厚度為1μm。
接著，測量有機電激發光裝置(1)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，結果請參照第5圖。如圖可知，有機電激發光裝置(1)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度分為別：0.013、0.015、以及0.022。
實施例1：
首先，使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振盪將玻璃基板12洗淨。於烘箱中將基板12烘乾(120℃)，進一步以UV/臭氧清潔。請參照第1圖，反射層14、透明連結層16、光增強層18、第一透明電極20、有機電激發光單元22、第二透明電極24、緩衝層26、保護層28、彩色濾光片層30及基板32係依序配置於該基板12之上。最後，以封裝膠34將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲致有機電激發光裝置(2)。
以下係列出各層之材質及厚度。
反射層14：材質為鋁(Al)，厚度為150nm。
透明連結層16：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，厚度為30nm。
光增強層18：材質為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極20：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，厚度為30nm。
有機電激發光單元22：膜層組成及順序與對照組相同。
第二透明電極24：材質為氧化銦鋅(Indium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩衝層26：材質為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(epoxy)，厚度為6μm。
保護層28：材質為氮化矽(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測量有機電激發光裝置(2)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，結果請參照第6圖。如圖可知，有機電激發光裝置(2)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度分為別：0.018、0.016、以及0.023。
由於對照組所述之有機電激發光裝置(1)與實施例1所述之有機電激發光裝置(2)相比缺少反射層/透明連結層/光增強層/第一透明電極此一疊層結構，因此實施例1所述之有機電激發光裝置(2)與對照組相比具有較佳的紅綠藍(RGB)三光色之發光強度。
實施例2：
使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振盪將玻璃基板12洗淨。於烘箱中將基板12烘乾(120℃)，進一步以UV/臭氧清潔。請參照第7圖，反射層14、透明連結層56、光增強層58、第一透明電極20、有機電激發光單元22、第二透明電極24、緩衝層26、保護層28、彩色濾光片層30及基板32係依序配置於基板12上。其中，透明連結層56之上表面15具有複數之凸塊，凸塊之高度X1 係為70nm，透明連結層56之膜層厚度Y1 係為130nm。最後，以封裝膠34將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲致有機電激發光裝置(3)。
以下係列出各層之材質及厚度。
反射層14：材質為Al(鋁)，厚度為150nm。
透明連結層56：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，凸塊之高度X1 為70nm，膜層厚度Y1 為130nm。
光增強層58：材質為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極20：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，厚度為30nm。
有機電激發光單元22，膜層組成及順序與對照組相同。
第二透明電極24：材質為氧化銦鋅(Indium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩衝層26：材質為丙烯酸樹脂(acrylic resin)或(epoxy)，厚度為6μm。
保護層28：材質為氮化矽(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測量有機電激發光裝置(3)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，結果請參照第8圖。如圖可知，有機電激發光裝置(2)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度分為別：0.0242、0.018、以及0.0293。
實施例2所述之有機電激發光裝置(3)由於具有反射層14/透明連結層56/光增強層58/第一透明電極20此一結構，且其透明連結層56之上表面形成有複數之凸塊，因此與對照組相比，實施例2所述之有機電激發光裝置(3)具有較佳的紅綠藍(RGB)三光色之發光強度。
實施例3：
首先，使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振盪將玻璃基板洗淨。於烘箱中將基板12烘乾(120℃)，進一步以UV/臭氧清潔。請參照第9圖，反射層14、透明連結層16、光增強層18、第一透明電極60、有機電激發光單元62、第二透明電極24、緩衝層26、保護層28、彩色濾光片層30、及基板32係依序配置於基板12之上。其中，第一透明電極60之上表面17具有複數之凸塊，凸塊之高度X2 係為70nm，膜層厚度Y2 係為130nm。最後，以封裝膠34將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲致有機電激發光裝置(3)。
以下係列出各層之材質及厚度。
反射層14：材質為鋁(Al)，厚度為150nm。
透明連結層16：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，厚度為30nm。
光增強層18：材質為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極60：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，凸塊高度X2 為70nm，膜層厚度Y2 為130nm。
有機電激發光單元62，膜層組成及順序與對照組相同。
第二透明電極24：材質為氧化銦鋅(Indium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩衝層26：材質為丙烯酸樹脂(acrylic resin)，厚度為6μm。
保護層28：材質為氮化矽(SiNx)，厚度為400nm。
接著，測量有機電激發光裝置(3)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，結果請參照第10圖。如圖可知，有機電激發光裝置(3)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度分為別：0.0234、0.021、以及0.0265。
實施例3所述之有機電激發光裝置(4)由於具有反射層/透明連結層/光增強層/第一透明電極此一結構，且其第一透明電極之上表面形成有複數之凸塊，因此與對照組之結構(第4圖)相比，實施例3所述之有機電激發光裝置(4)具有較佳的紅綠藍(RGB)三光色之發光強度。
實施例4：
使用中性清潔劑、丙酮、及乙醇，以超音波振盪將玻璃基板洗淨。於烘箱中將基板12烘乾(120℃)，進一步以UV/臭氧清潔。請參照第11圖，反射層14、透明連結層56、光增強層58、第一透明電極60、有機電激發光單元62、第二透明電極24、緩衝層66、保護層68、及彩色濾光片層30及基板32係依序配置於該基板12之上。其中，透明連結層56之上表面15、第一透明電極60之上表面17、及保護層68之下表面19皆具有複數之凸塊。最後，以封裝膠34將封裝基板32與玻璃基板12封合，獲致有機電激發光裝置(5)。
以下係列出各層之材質及厚度。
反射層14：材質為Al，厚度為150nm。
透明連結層56：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，凸塊之高度X1 係為70nm，透明連結層56膜層厚度Y1 係為130nm。
光增強層58：材質為硒化鋅(Zinc selenide、ZnSe)，厚度為5nm。
第一透明電極60：材質為氧化銦錫(Indium tin oxide、ITO)，凸塊之高度X2 係為70nm，第一透明電極60膜層厚度Y2 係為130nm。
有機電激發光單元62：膜層組成及順序與對照組相同。
第二透明電極24：材質為氧化銦鋅(Indium zinc oxide、IZO)，厚度為80nm。
緩衝層66：材質為丙烯酸樹脂(acrylic resin)，厚度為6μm。
保護層68：材質為氮化矽(SiNx)，其凸塊之高度X3 係為70nm，膜層厚度Y3 係為100nm。
接著，測量有機電激發光裝置(5)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，結果請參照第12圖。如圖可知，有機電激發光裝置(5)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度分為別：0.024、0.021、以及0.029。
實施例4所述之有機電激發光裝置(5)由於具有反射層/透明連結層/光增強層/第一透明電極此一結構，且其透明連結層、第一透明電極、及保護層之上表面形成有複數之凸塊，因此與對照組之結構(第4圖)相比，實施例4所述之有機電激發光裝置(5)同樣具有較佳的紅綠藍(RGB)三光色之發光強度，且請紅綠藍(RGB)三光色之半高寬也較實施例1所述之有機電激發光裝置(1)來得窄，因此具有較高之色純度，請參照第12圖。
與對照組相比，實施例1-4所述所述之全彩有機電激發光裝置具有特定順序的具有反射層/透明連結層/光增強層/第一透明電極結構，因此可提昇發光強度。此外，本發明可進一步形成具有複數之凸塊或凹陷之上表面的透明連結層、第一透明電極、或/及保護層，如實施例2~4所述之，更同時改善紅綠藍(RGB)三光色之發光強度及色純度。
第13圖係繪示出根據本發明另一實施例之影像顯示系統方塊示意圖，其可實施於顯示裝置300或電子裝置400，例如筆記型電腦、手機、數位相機、個人數位助理、桌上型電腦、電視機、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據本發明之全彩有機電激發光裝置100(例如第1圖所示之有機電激發光裝置)可設置於顯示裝置300，而顯示裝置300可為全彩有機電激發光顯示器。在其他實施例中，顯示裝置300可設置於電子裝置400中。如第13圖所示，電子裝置400包括：顯示裝置300及輸入單元350。輸入單元350係耦接至平面顯示器裝置300，用以提供輸入信號(例如，影像信號)至顯示裝置300以產生影像。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
12、120．．．基板
14、140．．．反射層
15．．．透明連結層之上表面
16、56．．．透明連結層
17．．．第一透明電極之上表面
18、58‧‧‧光增強層
19‧‧‧保護層之下表面
20、60、200‧‧‧第一透明電極
22、62、220‧‧‧有機電激發光單元
24、240‧‧‧第二透明電極
26、66、260‧‧‧緩衝層
28、68、280‧‧‧保護層
30、300‧‧‧彩色濾光片層
32、320‧‧‧封裝基板
34、340‧‧‧封裝膠層
100‧‧‧全彩有機電激發光裝置
300‧‧‧顯示裝置
350‧‧‧輸入單元
400‧‧‧電子裝置
X1 、X2 、X3 ‧‧‧凸塊之高度
Y1 、Y2 、Y3 ‧‧‧具有凸塊之膜層的總高度
第1圖係顯示根據本發明一實施例所述之全彩有機電激發光裝置之剖面示意圖；
第2圖係顯示根據本發明另一實施例所述之全彩有機電激發光裝置之剖面示意圖；
第3圖係顯示根據本發明又一實施例所述之全彩有機電激發光裝置之剖面示意圖；
第4圖係顯示本發明對照組所述之全彩有機電激發光裝置(1)之剖面示意圖；
第5圖係顯示本發明對照組所述之全彩有機電激發光裝置(1)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度關係圖；
第6圖係顯示本發明實施例1所述之全彩有機電激發光裝置(2)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度關係圖；
第7圖係顯示本發明實施例2所述之全彩有機電激發光裝置(3)之剖面示意圖；
第8圖係顯示本發明實施例2所述之全彩有機電激發光裝置(3)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度關係圖；
第9圖係顯示本發明實施例3所述之全彩有機電激發光裝置(4)之剖面示意圖；
第10圖係顯示本發明實施例3所述之全彩有機電激發光裝置(4)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度關係圖；
第11圖係顯示本發明實施例4所述之全彩有機電激發光裝置(5)之剖面示意圖；
第12圖係顯示本發明實施例4所述之全彩有機電激發光裝置(5)其紅綠藍(RGB)三光色之發光強度關係圖；以及
第13圖係繪示出根據本發明一實施例之影像顯示系統方塊示意圖。
12．．．基板
14．．．反射層
16．．．透明連結層
18．．．光增強層
20．．．第一透明電極
22．．．有機電激發光單元
24．．．第二透明電極
26．．．緩衝層
28．．．保護層
30．．．彩色濾光片層
32．．．封裝基板
34．．．封裝膠層
100．．．全彩有機電激發光裝置

Claims (18)

  1. 一種影像顯示系統，包括：一有機電激發光裝置，包括：一下基板；一反射層，設置於該下基板上；一第一透明電極、一有機電激發光單元、及一第二透明電極，依序配置於該反射層之上，其中該第一透明電極之上表面具有複數之凸塊，且該凸塊之高度與該第一透明電極的高度之比值係介於1：1~1：3的範圍內；以及一光增強層，配置於該反射層與該第一透明電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該反射層之材質包含係包含銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、或其組合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該光增強層之折射率係大於該第一透明電極之折射率。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該光增強層之折射率係大於2.1。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該光增強層之材質包含硒化鋅(ZnSe)、或硫化鋅(ZnS)。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該有機電激發光裝置更包含一透明連結層，配置於該光增強層與該反射層之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之影像顯示系統，其中該透明連結層之材質包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅鋁氧化物(AZO)、氧化鋅(ZnO)、或其組合。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之影像顯示系統，其中該光增強層之折射率係大於該透明連結層之折射率。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之影像顯示系統，其中該透明連結層之上表面具有複數之凸塊，且該凸塊之高度與該透明連結層的高度之比值係介於1：1~1：3的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該有機電激發光裝置更包含一緩衝層形成於該第二透明電極之上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之影像顯示系統，其中該緩衝層之材質係為紫外光或可見光可聚合材料。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之影像顯示系統，其中該有機電激發光裝置更包含：一保護層，配置於該緩衝層之上；以及一上基板，配置於該保護層之上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該保護層之下表面具有複數之凸塊，且該凸塊之高度與該保護層的高度之比值係介於1：1~1：3的範圍內。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該有機電激發光裝置更包含一彩色濾光片，配置於保護層與該上基板之間或該上基板之上。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該保護層之材質係為氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氮化矽、氮氧化矽。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，更包含一顯示裝置，該顯示裝置包含該有機電激發光裝置。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之影像顯示系統，更包含：一電子裝置，其中該電子裝置包含：該顯示裝置；以及一輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元係傳輸一訊號至該顯示裝置以產生影像。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之影像顯示系統，其中該電子裝置為行動電話、數位相機、個人數位助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車用顯示器、或攜帶式數位影音光碟播放器。
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