TWI492373B - 可撓式顯示模組的製作方法 - Google Patents

可撓式顯示模組的製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI492373B
TWI492373B TW101128841A TW101128841A TWI492373B TW I492373 B TWI492373 B TW I492373B TW 101128841 A TW101128841 A TW 101128841A TW 101128841 A TW101128841 A TW 101128841A TW I492373 B TWI492373 B TW I492373B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
release film
display module
photosensitive release
light
flexible display
Prior art date
Application number
TW101128841A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201407763A (zh
Inventor
柯聰盈
王培筠
王品凡
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW101128841A priority Critical patent/TWI492373B/zh
Priority to CN201210385224.XA priority patent/CN102931136B/zh
Priority to US13/893,363 priority patent/US9308697B2/en
Publication of TW201407763A publication Critical patent/TW201407763A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI492373B publication Critical patent/TWI492373B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • B29D11/0073—Optical laminates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6758—Thin-film transistors [TFT] characterised by the insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

可撓式顯示模組的製作方法
本發明是有關於一種顯示元件的製作方法，且特別是有關於一種可撓式顯示模組的製作方法。
隨著顯示技術的突飛猛進，顯示器已從早期的陰極射線管(CRT)顯示器逐漸地發展到目前的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)。相較於硬質載板(諸如玻璃基板)所構成的平面顯示器，可撓性基板(諸如塑膠基板)具有可撓曲及耐衝擊等特性。因此，近年來已著手研究將主動元件製作於可撓式基板上的可撓式顯示器。
一般而言，可撓式顯示面板的製作方式是先將可撓式基板固定在玻璃基板上。之後，再於可撓式基板上進行顯示元件的製作程序。待完成顯示元件的製作後，再將可撓式基板從玻璃基板上取下。
然而，已知可撓式基板與玻璃基板之間的離型介面，容易受到後續製程條件(例如溫度)的影響，導致離型機制失效或不穩定，影響製程良率。此外，某些選用犧牲層做為離型介面的技術因受限於後續製程條件，導致犧牲層材料的選擇性有限，無法因應製程需求做出適當的調整。另外，部分採用機械方式或是高功率雷射的離型技術也存在良率不佳或高成本的問題
在此，提出一種可撓式顯示模組的製作方法，主要包括下列步驟。提供一透光載具，其具有一承載面以及相對於承載面的一背面。形成一感光離型膜(photosensitive release film)於承載面上。提供一可撓式基板於感光離型膜上。形成一畫素陣列於該可撓式基板上。在形成畫素陣列的過程中或是在形成畫素陣列之後，由透光載具的背面對感光離型膜全面照光，以弱化感光離型膜與透光載具之間的接著力或是同時弱化感光離型膜與透光載具之間的接著力以及感光離型膜的結構強度。之後，將可撓式基板由透光載具上移除，其中至少一部分的感光離型膜脫離承載面並且留在可撓式基板上。
在本發明之一實施例中，形成畫素陣列的步驟包括形成多個主動元件於可撓式基板上，以及形成一顯示元件於該些主動元件上。
在本發明之一實施例中，對感光離型膜全面照光的步驟是在形成主動元件之後，並且在形成顯示元件之前進行。
在本發明之一實施例中，所述可撓式顯示模組的製作方法更包括在形成畫素陣列之前，對感光離型膜進行熱處理，以提高感光離型膜與透光載具之間的接著力。
在本發明之一實施例中，前述熱處理包括退火。
在本發明之一實施例中，所述感光離型膜包括紫外光敏感(UV-sensitive)材料。
在本發明之一實施例中，所述感光離型膜的材質包括 聚對二甲苯(parylene)或光阻材料。
在本發明之一實施例中，對所述感光離型膜照射的光線為紫外光。
在本發明之一實施例中，對感光離型膜照射的光線的功率大於等於5mW/cm2 ，小於等於300mW/cm2 。
在本發明之一實施例中，所述可撓式基板的材質包括聚亞醯胺(polyimide,PI)。
在本發明之一實施例中，所述感光離型膜完全覆蓋可撓式基板的底面。
在本發明之一實施例中，所述可撓式顯示模組的製作方法更包括形成一輔助曝光層(Assist-BUV layer)於感光離型膜與承載面之間。
在本發明之一實施例中，所述可撓式顯示模組的製作方法更包括形成一輔助曝光層(Assist-BUV layer)於感光離型膜與可撓式基板之間。
在本發明之一實施例中，所述可撓式顯示模組的製作方法更包括形成一阻障層(barrier layer)於該輔助曝光層與該可撓式基板之間。
基於上述，本發明的可撓式顯示模組的製作方法可藉由感光離型膜在可撓式基板與透光載具之間形成良好、穩定的離型介面。此感光離型膜具有良好的溫度耐受性，可提高製程彈性與材料選擇性。另一方面，本發明藉由對感光離型膜照光來降低感光離型膜與透光載具之間的接著力，其中可採用低功率光源(如紫外光)，以降低成本。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A~1F繪示依照本發明之一實施例的一種可撓式顯示模組的製作流程。
首先，如圖1A所示，在透光載具110的承載面112上形成感光離型膜120。在此，透光載具110例如是玻璃基板等具有透光性且可提供充分的支撐強度的板材。感光離型膜120例如是對紫外光敏感(UV-sensitive)或對特定波段之光線敏感的有機材料(polymer)，其材質可包括聚對二甲苯(parylene)或光阻材料。所述聚對二甲苯可為N型、C型、D型或HT型的聚對二甲苯，而所述光阻材料可為正型光阻或負型光阻。更具體而言，正型光阻例如是酚醛樹脂(phenol formaldehyde resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA，或稱Acrylic)，而負型光阻例如是環氧基體樹脂(epoxy-base resin)或壓克力型樹脂(acrylic series)。所述透光載具110與感光離型膜120具有良好的溫度耐受性，並且可藉由後續的高溫製程(例如大於250℃)來強化透光載具110與感光離型膜120之間的接著力。
接著，如圖1B所示，提供可撓式基板130，並藉由感光離型膜120將可撓式基板130固定於透光載具110上。在此，由於後續的高溫製程可強化透光載具110與感 光離型膜120之間的接著力，因此可撓式基板130會被穩固地附著在透光載具110上。可撓式基板130的材質可包括聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)等有機材料。此外，本實施例的感光離型膜120例如是完全覆蓋可撓式基板130的底面130a，也就是，不需要對感光離型膜120進行圖案化製程，而是在可撓式基板130的接合面上形成全面的感光離型膜120。
然後，如圖1C所示，形成畫素陣列140於可撓式基板130上。具體而言，畫素陣列140可包括形成於可撓式基板130上的多個主動元件142以及位於主動元件142上的顯示元件144。在此，畫素陣列140會隨著可撓式顯示模組的類型而有不同的組成。例如，主動元件142為薄膜電晶體，而顯示元件144為電泳顯示(Electro-Phoretic Display,EPD)元件或有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示元件。另外，在已知的顯示架構中，畫素陣列140還可能包括掃描線、資料線、顯示電極等構件，而所述畫素陣列140的製作例如經過塗佈、沈積、蝕刻、高溫處理等程序。
接著，如圖1D所示，在完成前述畫素陣列140的製作之後，由透光載具110的背面114對感光離型膜120照光L，以弱化感光離型膜120與透光載具110之間的接著力。由於透光載具110整體為透光體，因此感光離型膜120 可以全面且均勻地受光，以使感光離型膜120可均勻地受光裂解以達到使感光離型膜120與透光載具110之接合面上的每一點的接著力受到相同程度的弱化。在此，對感光離型膜120提供照光L的光線例如是紫外光，其功率例如介於5~300mW/cm2 。當然，隨著所選用的感光離型膜120的感光特性的不同，可能對感光離型膜120照射不同波段與不同功率的光線。
之後，再如圖1E所示，將可撓式基板130由透光載具110上移除。由於感光離型膜120與透光載具110之間的接著力藉由前述照光步驟被弱化了，因此感光離型膜120會由透光載具110的承載面112被剝離，並且留在可撓式基板130上。留在可撓式基板130上的感光離型膜120可以增加取下之可撓式顯示模組之阻水阻氧之能力。實際所需的離型力會隨著感光離型膜120與透光載具110的材質變化，以及對感光離型膜120進行的照光或其他處理，而有所不同。
如此，可得到如圖1F所示的可撓式顯示模組100。
另一方面，依據感光離型膜120的材料選擇，在圖1D所示的照光步驟後，除了感光離型膜120與透光載具110之間的接著力會被弱化之外，感光離型膜120本身的結構強度也可能因為照光而被弱化。因此，將可撓式基板130由透光載具110上移除時，若感光離型膜120之結構強度的弱化速度大於感光離型膜120與透光載具110之間的接著力的弱化速度，則感光離型膜120本身會斷開。換言之， 如圖2A所示，僅有一部分的感光離型膜120a脫離承載面112並且留在可撓式基板130上，而剩餘部分的感光離型膜120b會留在透光載具110的承載面112上，而得到如圖2B所示的可撓式顯示模組102。
需說明的是，本發明對感光離型膜照光的時間點並不限於是在完成畫素陣列的製作之後，也可以選擇在畫素陣列的製作過程中對感光離型膜照光，以在照光步驟以及畫素陣列的各個製作步驟之間取得良好的搭配。以前述實施例所述的製程為例，如圖3所示，吾人可以選擇在形成主動元件142之後，先對感光離型膜120照光L。之後，再繼續於主動元件142上形成如圖1C所示的顯示元件144。
另外，如圖4所示，為了確保感光離型膜120與透光載具110之間的穩固接合，吾人可以選擇在前述圖1B的步驟之前，對感光離型膜120進行熱處理，以提高感光離型膜120與透光載具110之間的接著力。所述熱處理例如是退火(annealing)或其他可能的製程。
圖5繪示依照本發明另一實施例的可撓式顯示模組。相較於前述實施例，本實施例更在感光離型膜120與透光載具110的承載面112之間設置一輔助曝光層(Assist-BUV layer)150，以提高由透光載具110的背面114對感光離型膜120照光時的效果，確保感光離型膜120可以受到光線的均勻照射。當將可撓式基板130由透光載具110上移除時，輔助曝光層150會脫離感光離型膜120，而保留在透光載具110上。此輔助曝光層150例如是在圖1A的形成 感光離型膜120的步驟之前，先被形成在透光載具110的承載面112上。輔助曝光層150的材質例如為多孔的無機材料，其包括鋁(aluminum)、鉑(platium)、銀(silver)、鈦(titanium)、鉬(molybdenum)、鋅(zinc)、錫(tin)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鈦(titanium oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鉬(molybdenum oxide)、氧化銦(indium oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化銦錫(indium tin oxide)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)、正型光阻、負型光阻等。
此外，圖6繪示依照本發明另一實施例的可撓式顯示模組。相較於圖5所示的實施例，本實施例改為將輔助曝光層150設置於感光離型膜120與可撓式基板130之間。此輔助曝光層150例如是在圖1A的形成感光離型膜120的步驟之後，被形成在感光離型膜120上。之後，再將可撓式基板130配置於輔助曝光層150上。此輔助曝光層150同樣具有阻水氧的特性。當將可撓式基板130由透光載具110上移除時，輔助曝光層150與感光離型膜120會脫離透光載具110。此時，輔助曝光層150亦可加強可撓式顯示模組106之阻水阻氧的能力。
除此之外，如圖7所示，本發明還可以選擇在輔助曝光層150與可撓式基板130之間形成一阻障層(barrier layer)160，以加強前述阻水氧的特性。此阻障層160可為無機材料，如鋁等金屬、氧化鋁等金屬氧化物，或是氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)等無機材料，或是 以上材料的組合。
綜上所述，本發明的可撓式顯示模組的製作方法可藉由感光離型膜在可撓式基板與透光載具之間形成良好、穩定的離型介面。待製程完成後，再對感光離型膜照光，降低感光離型膜與透光載具之間的接著力，以將可撓式基板連同感光離型膜自透光載具上移除。此感光離型膜製作容易，不需要進行圖案化等步驟，且感光離型膜具有良好的溫度耐受性，可提高製程彈性與材料選擇性。另一方面，此可撓式顯示模組的製作方法可藉由調整照光強度或照光時間來控制感光離型膜與透光載具之間的接著力，且可採用功率低於雷射光的紫外光等作為照射光源，降低成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、102、104、106‧‧‧可撓式顯示模組
110‧‧‧透光載具
112‧‧‧透光載具的承載面
114‧‧‧透光載具的背面
120、120a、120b‧‧‧感光離型膜
130‧‧‧可撓式基板
130a‧‧‧可撓式基板的底面
140‧‧‧畫素陣列
142‧‧‧主動元件
144‧‧‧顯示元件
150‧‧‧輔助曝光層
160‧‧‧阻障層
L‧‧‧照光
圖1A~1F繪示依照本發明之一實施例的一種可撓式顯示模組的製作流程。
如圖2A~2B、3~4分別繪示可在本發明的可撓式顯示模組的製作流程中變更或選擇實施的製程步驟。
圖5-7分別繪示依照本發明其他實施例的可撓式顯示模組。
110‧‧‧透光載具
112‧‧‧透光載具的承載面
120‧‧‧感光離型膜
130‧‧‧可撓式基板
140‧‧‧畫素陣列
142‧‧‧主動元件
144‧‧‧顯示元件

Claims (14)

  1. 一種可撓式顯示模組的製作方法，包括：提供一透光載具，該透光載具具有一承載面以及相對於該承載面的一背面；形成一感光離型膜(photosensitive release film)於該承載面上，該感光離型膜的材質包括聚對二甲苯或光阻材料；提供一可撓式基板於該感光離型膜上；形成一畫素陣列於該可撓式基板上；形成該畫素陣列之前，對該感光離型膜進行熱處理，以提高該感光離型膜與該透光載具之間的接著力；在形成該畫素陣列的過程中或在形成該畫素陣列之後，由該透光載具的背面對該感光離型膜全面照光，以弱化該感光離型膜與該透光載具之間的接著力或是同時弱化該感光離型膜與該透光載具之間的接著力以及該感光離型膜的結構強度；以及將該可撓式基板由該透光載具上移除，其中至少一部分的該感光離型膜脫離該承載面並且留在該可撓式基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中形成該畫素陣列的步驟包括：形成多個主動元件於該可撓式基板上；以及形成一顯示元件於該些主動元件上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中對該感光離型膜全面照光的步驟是在形成 該些主動元件之後，並且在形成該顯示元件之前進行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該熱處理包括退火。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該感光離型膜包括一紫外光敏感(UV-sensitive)材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該感光離型膜的材質包括聚對二甲苯(parylene)或光阻材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中對該感光離型膜照射的光線為紫外光。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中對該感光離型膜照射的光線的功率大於等於5mW/cm2 ，小於等於300mW/cm2 。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該可撓式基板的材質包括聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)或聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該感光離型膜完全覆蓋該可撓式基板的底面。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，其中該感光離型膜完全脫離該承載面並且留在 該可撓式基板上。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，更包括形成一輔助曝光層(Assist-BUV layer)於該感光離型膜與該承載面之間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示模組的製作方法，更包括形成一輔助曝光層(Assist-BUV layer)於該感光離型膜與該可撓式基板之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的可撓式顯示模組的製作方法，更包括形成一阻障層(barrier layer)於該輔助曝光層與該可撓式基板之間。
TW101128841A 2012-08-09 2012-08-09 可撓式顯示模組的製作方法 TWI492373B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101128841A TWI492373B (zh) 2012-08-09 2012-08-09 可撓式顯示模組的製作方法
CN201210385224.XA CN102931136B (zh) 2012-08-09 2012-10-11 可挠式显示模块的制作方法
US13/893,363 US9308697B2 (en) 2012-08-09 2013-05-14 Method for fabricating flexible display module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101128841A TWI492373B (zh) 2012-08-09 2012-08-09 可撓式顯示模組的製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201407763A TW201407763A (zh) 2014-02-16
TWI492373B true TWI492373B (zh) 2015-07-11

Family

ID=47645907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101128841A TWI492373B (zh) 2012-08-09 2012-08-09 可撓式顯示模組的製作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9308697B2 (zh)
CN (1) CN102931136B (zh)
TW (1) TWI492373B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI458406B (zh) * 2013-03-22 2014-10-21 友達光電股份有限公司 製作可撓式基板的方法及其裝置
CN103325731B (zh) * 2013-05-20 2017-04-19 Tcl集团股份有限公司 柔性显示装置的制造方法
CN103337500B (zh) * 2013-05-24 2015-12-23 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板及其制造方法
KR102108360B1 (ko) * 2013-06-19 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리방법 및 이를 이용해 제조된 플렉서블 디스플레이 장치
TWI561325B (en) * 2014-08-01 2016-12-11 Au Optronics Corp Display module manufacturing method and display module
US9515272B2 (en) 2014-11-12 2016-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate
US9743513B2 (en) 2014-12-26 2017-08-22 Industrial Technology Research Institute Flexible electronic device
CN104617031B (zh) * 2015-01-28 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示面板
US10011104B2 (en) * 2016-06-06 2018-07-03 Ncc Nano, Llc Method for performing delamination of a polymer film
KR102527366B1 (ko) 2016-10-19 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈의 박리 방법 및 표시 모듈의 제조 방법
KR102649238B1 (ko) 2016-10-26 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시패널, 이를 포함하는 적층 기판, 및 표시패널 제조방법
CN106784311A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 柔性面板及其制作方法
CN106920779B (zh) * 2017-03-09 2019-09-06 三星半导体(中国)研究开发有限公司 柔性半导体封装件的组合结构及其运输方法
CN108987338B (zh) * 2017-05-31 2021-12-03 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 软性电子装置的形成方法
CN107574408B (zh) * 2017-08-18 2019-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种高分子掩膜版及其制作方法和应用
TWI651698B (zh) * 2018-01-17 2019-02-21 友達光電股份有限公司 可撓性顯示器及其製造方法
CN110233207B (zh) * 2018-03-05 2020-12-08 上海和辉光电股份有限公司 显示面板制作方法、显示面板及显示装置
US11462432B2 (en) * 2018-03-15 2022-10-04 Intel Corporation Dual side de-bonding in component carriers using photoablation
CN108963111B (zh) * 2018-05-03 2020-07-28 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
JP6692003B2 (ja) * 2018-05-09 2020-05-13 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
JP6694558B2 (ja) * 2018-05-09 2020-05-13 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
CN112256088A (zh) * 2019-07-22 2021-01-22 和鑫光电股份有限公司 可挠性电子装置以及其制作方法
CN112309257B (zh) * 2020-10-30 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
US12525572B2 (en) 2021-03-31 2026-01-13 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Direct bonding and debonding of carrier
TWI807844B (zh) * 2021-05-05 2023-07-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置的製造方法
TWI773298B (zh) * 2021-05-05 2022-08-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置的製造方法
CN116009300A (zh) * 2022-11-30 2023-04-25 上海天马微电子有限公司 柔性调光装置及其制备方法、玻璃组件、汽车和玻璃幕墙

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201011427A (en) * 2008-09-15 2010-03-16 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
TW201211660A (en) * 2003-01-15 2012-03-16 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method
CN102509719A (zh) * 2011-09-21 2012-06-20 友达光电股份有限公司 可挠式显示器的制作方法以及可挠式显示器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3083588B2 (ja) * 1991-06-04 2000-09-04 株式会社きもと 表面保護フィルム
JP3482880B2 (ja) * 1998-08-04 2004-01-06 凸版印刷株式会社 構造物の製造方法、絶縁体パターンを有するガラス基板の製造方法。
GB0327093D0 (en) * 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
TWI287298B (en) 2005-10-21 2007-09-21 Univ Nat Chunghsing Flexible thin film transistor substrate and method of fabricating the same
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8168511B2 (en) * 2007-09-20 2012-05-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device manufacturing method and laminated structure
TWI380115B (en) 2008-01-04 2012-12-21 Prime View Int Co Ltd Method and apparatus for manufacturing electrophoretic display
TWI370940B (en) 2008-03-14 2012-08-21 E Ink Holdings Inc Carrier and method for manufacturing a flexible display panel
TWI505410B (zh) * 2008-12-30 2015-10-21 財團法人工業技術研究院 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 財團法人工業技術研究院 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 財團法人工業技術研究院 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
JP5209123B2 (ja) * 2009-11-04 2013-06-12 パナソニック株式会社 表示パネル装置及びその製造方法
CN102194829B (zh) * 2010-03-11 2013-07-10 财团法人工业技术研究院 基板结构及其制造方法
TWI486259B (zh) * 2010-12-27 2015-06-01 Au Optronics Corp 可撓式基板結構及其製作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201211660A (en) * 2003-01-15 2012-03-16 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method
TW201011427A (en) * 2008-09-15 2010-03-16 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
CN102509719A (zh) * 2011-09-21 2012-06-20 友达光电股份有限公司 可挠式显示器的制作方法以及可挠式显示器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102931136A (zh) 2013-02-13
TW201407763A (zh) 2014-02-16
US20140042649A1 (en) 2014-02-13
US9308697B2 (en) 2016-04-12
CN102931136B (zh) 2014-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI492373B (zh) 可撓式顯示模組的製作方法
US8784599B2 (en) Laser induced thermal imaging apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the same
US11581507B2 (en) Display panel and method for manufacturing same, and display apparatus
US9620572B2 (en) OLED display panel, method for manufacturing the same and display device
JP7005246B2 (ja) 半導体装置の作製方法
TW200511893A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device, and display device equipped with organic electroluminescent display device
CN103500756A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
US20160035894A1 (en) Oxide thin film transistor, array substrate, methods of manufacturing the same and display device
KR20180025280A (ko) 반도체 장치의 제작 방법
US10957722B2 (en) Method of manufacturing flexible device using multidirectional oblique irradiation of an interface between a support substrate and a flexible substrate
KR102336684B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2021036282A1 (zh) 显示基板、显示面板以及显示装置
WO2019237644A1 (zh) 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
JP2017191283A (ja) 表示装置及びその製造方法
US10355228B2 (en) Method of manufacturing flexible substrate and flexible substrate
US9425223B1 (en) Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof
CN102738080B (zh) 具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法
US11307688B2 (en) Thermal transfer substrate, touch display panel and manufacturing methods therefor, and display device
US10468600B2 (en) Method of fabricating an organic electroluminescent display device
KR101666582B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8603857B2 (en) Thin film transistor fabricating method
US20070275511A1 (en) Method of fabricating thin film transistor
JP2017211540A (ja) フレキシブルデバイスおよびその製造方法、ならびに電子機器
US20260084246A1 (en) Laser processing apparatus and method of manufacturing display device using the same
KR102104358B1 (ko) 박막 트랜지스터와 그 제조방법 및 표시장치