TWI512077B - 黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜 - Google Patents

黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI512077B
TWI512077B TW100100300A TW100100300A TWI512077B TW I512077 B TWI512077 B TW I512077B TW 100100300 A TW100100300 A TW 100100300A TW 100100300 A TW100100300 A TW 100100300A TW I512077 B TWI512077 B TW I512077B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
weight
adhesive film
film
parts
adhesive
Prior art date
Application number
TW100100300A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201200573A (en
Inventor
金佑錫
金相弼
文基禎
申鉉民
黃湳翊
Original Assignee
東麗先端素材股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東麗先端素材股份有限公司 filed Critical 東麗先端素材股份有限公司
Publication of TW201200573A publication Critical patent/TW201200573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI512077B publication Critical patent/TWI512077B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/732—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between stacked chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Description

黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜 發明領域
此揭示內容整體而言係有關於一用於一堆疊CSP(晶片級封裝)之黏合性薄膜，更具體地係有關於一具有優異黏合性質與耐熱性的熱固性雙面黏合性薄膜，其係為用於為電線獲得空間、預防電子干擾、與提供將被堆疊之晶粒間之黏著的熱固性雙面黏合性薄膜，其係具有優異黏合性質與耐熱性，以及其係可預防於高溫加工時由該封裝內部吸收之含水量之高水蒸氣壓造成的封裝之界面剝離或爆米花爆裂現象之問題。
 發明背景
最近，一CSP(晶片級封裝)係因半導體晶片之一高整合性與微型化之新趨勢而被發展。如同可自其之名稱所得知，於此類之一CSP中，該晶片尺寸係被視為幾乎相同於該封裝尺寸。
作為一當前封裝趨勢之一部分，一堆疊CSP係為較先進之封裝之一。換言之，一個或多個晶片係被安裝於一晶片之上方，藉此遠較傳統封裝為高之容量係可被容納於一幾乎相同尺寸之封裝內。該堆疊CSP具有一增加容量之優點，且有減小一記憶體之尺寸之優點以便藉由將一薄膜核心基板材料和晶背研磨技術組合至傳統BGA表面安裝技術而使電子裝置之功能加倍。由於如此之技術，其係有可能有效地使用一主機板之面積且減少其之重量與尺寸，因此最終達到於一系統層次上降低成本之目標。另外，由於該堆疊CSP使在市場上之記憶體係有可能連接至許多元件，其係提供一更降低整個系統之成本的方法。
隨著晶片尺寸變得較小，於晶片與基板之間之空隙係變得更小，且發展一符合新封裝之黏合劑係亦成為必需的。於是，各種新技術係正在被發展。雖然糊漿係被主要地使用於先前技術，呈一黏合性薄膜之形式之新技術係因為生產力與樹脂滲出問題而正在被發展。
目前，大部分封裝係在未顧及其基板下被轉換成一CSP類型，以及多數的組裝公司係積極地專注於發展環境友善產品之一部分的無鉛產品。然而，此類產品與一傳統鉛銲料比較，係具有一較高熔點(約220℃)之缺點。為了克服此一缺點，由於其他使用於組裝之產品亦應克服由此類高溫所造成之爆米花爆裂或其他封裝問題，其需求之可靠度標準係變得較高。例如，雖然當一傳統焊料被使用時，其熔點約220℃係相對地低，但由於一目前的無鉛焊料之熔點係較高約260℃，該封裝內部吸收之水含量可能由於此一高溫加工期間之高溫而形成一高水蒸氣壓，其係因而造成諸如一封裝之爆米花爆裂現象或界面剝離等問題。
因此，一可克服以上提及問題之黏合性薄膜的發展係有一急迫之需要。
 發明概要
本揭示內容係提供一具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜，其係具有優異黏合性質與耐熱性，且其可預防諸如於高溫加工時由一封裝內部吸收之含水量之高水蒸氣壓造成的該封裝之界面剝離或爆米花爆裂現象之問題。
由本揭示內容之下列詳細說明，本揭示內容之許多目的與優點將變得清楚。
以上目的係可由一具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜達成，該熱固性雙面黏合性薄膜係一位於晶粒之間之黏合性薄膜，且具有塗佈於一聚醯亞胺薄膜二側上之黏合性層，其中該黏合性層含有每100重量份之含有1-10wt%之一羧基的NBR中，5-200重量份之一環氧樹脂、50-200重量份之一酚樹脂、與2-40重量份之一種或多種選自胺系或酸酐系固化劑之固化劑，以及其中該酚樹脂係具有一依照一環球法量測之60-120℃之軟化點。
在此，於125℃/1.5kg/1秒之條件下接合一晶粒(2cm×2cm)與另一晶粒(2cm×2cm)，且接續一固化加工(175℃/1小時)之後，該黏合性薄膜係具有在室溫下為5kg或更高與在260℃下為100g或更高之晶粒剪應力。
本揭示內容之作用
本揭示內容具有提供優異黏合性質與耐熱性、與預防諸如於高溫加工時由該封裝內部吸收之含水量之高水蒸氣壓造成之一封裝之界面剝離或爆米花爆裂現象之問題等作用。
圖式簡單說明
第1圖係一堆疊之晶片級封裝的斷面圖；第2圖係一依照本揭示內容之一具體實施例之於晶粒之間之黏合性薄膜的斷面圖。
1．．．電線
2．．．模製化合物
3．．．黏合性薄膜
4．．．銲料遮罩
5．．．式樣
6．．．基板
7．．．子晶粒
8．．．母晶粒
10．．．聚醯亞胺薄膜
20．．．黏合性層
30．．．剝離薄膜
 詳細說明
以下，本揭示內容之數個較佳具體實施例將參考其附加圖式被詳細地描述。本揭示內容之較佳具體實施例之詳細描述係應被理解為僅供描述，因此，於本揭示內容之精神與範疇內之許多變化與調整對於熟習此技藝者將是明顯的。
依照本揭示內容之一具體實施例，第1圖係一堆疊晶片級封裝之斷面圖，以及第2圖係於晶粒之間之一黏合性薄膜的斷面圖。
如同可自第2圖所察覺，一依照本揭示內容之具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜係具有一塗佈於一聚醯亞胺薄膜(10)二側上之黏合性層(20)。在此，每一黏合性層(20)包含含有一羧基之NBR、一環氧樹脂、一酚樹脂、一固化劑等等，且該黏合性層(20)之頂面係疊層一剝離薄膜(30)。
該用於該依照本揭示內容之具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜之聚醯亞胺薄膜(10)之厚度可依照一封裝之需求高度而被自由地挑選。
該依照本揭示內容之具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜之黏合性層(20)包含每100重量份的NBR中，5-200重量份之一多官能性環氧樹脂、與5-200重量份之一多官能性酚樹脂，以及可附加地包含一固化劑、一橡膠交聯劑與其他添加劑。
該含有羧基之NBR係具有一3,000-200,000之重量平均分子量，以及含有20-50wt%之丙烯腈與1-10wt%之羧基。於此情況下，若該重量平均分子量低於3,000，則在高溫下之黏合強度成為不足，而若高於200,000，則在一溶劑中之溶解度減小，可加工性係會於該溶液之準備時因增加的黏性而下降，且在室溫之黏合強度亦減小。若該NBR含有少於20wt%之丙烯腈，則在一溶劑中之溶解度減小，以及若該NBR含有多於50wt%之丙烯腈，則該電氣絕緣變得更差。另外，若該NBR含有1-10wt%之羧基，該NBR與其他樹脂和黏合性基板之間之鍵結成為較容易，因此也增加其之黏合強度。不具有一羧基之NBR將具有差的黏合強度。
再者，每100重量份之NBR係較佳地含有5-200重量份之環氧樹脂，且此類環氧樹脂可包含雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂，與酚醛環氧樹脂。該環氧樹脂之當量(g/eq)可為100-1,000。
此外，每100重量份之NBR係較佳地含有50-200重量份之酚樹脂，且若該酚樹脂係多於200重量份，則該黏合性層變成非常脆而其係幾乎不可能使該黏合性層以一薄膜之形式製造。另外，酚樹脂較佳地具有一200-900之分子量，且其較佳地使用一具有一依照一環球法量測得一60-120℃之軟化點之酚樹脂。若使用一具有一低於60℃之軟化點之酚樹脂，可能發生如同在糊漿的情況中發生的樹脂滲出，相反地，若該軟化點過高，其係必需應用非常高的溫度以連結該黏合性薄膜至一晶粒上，因此降低黏合強度。於是，使用一具有適當軟化點(60-120℃)之樹脂係需要的。
關於固化劑，其係較佳地分別地或共同地使用胺系固化劑與酸酐系固化劑，於每100重量份之NBR中，有2-40重量份之固化劑。另外，有機或無機的過氧化物可以每100重量份之NBR有1-5重量份而被使用，以作為該橡膠交聯劑。
該備置有以上組成物之黏合性層(20)係具有一200-1,500CPS之黏度，且係施用至一聚醯亞胺薄膜(10)之二側上，以使得該黏合性層於乾燥後之厚度可為10-30μm。之後，該帶有該黏合性層(20)塗佈於其上之聚醯亞胺薄膜(10)係在50-180℃被固化達2-10分鐘，接著係被塗佈一剝離薄膜(30)以生產一黏合性薄膜。該黏合性層之厚度可依照一封裝之需要高度被適當地變化。
雖然該用於該依照本揭示內容之具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜之剝離薄膜(30)的厚度不具有任何特別的限制，其一般較佳地具有38μm。此類被使用之剝離薄膜之範例可包括聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯薄膜，以及必需時藉由一矽氧樹脂而帶有剝離性質之前述薄膜。
該用於依照本揭示內容之具有優異黏合性質與耐熱性之熱固性雙面黏合性薄膜之黏合性薄膜較佳地於125℃/1.5kg/1秒之條件下接合一晶粒(2cm×2cm)與另一晶粒(2cm×2cm)，且接續一固化加工(175℃/1小時)之後，具有在室溫下為5kg或更高與在260℃下為100g或更高之晶粒剪應力。
以下，本揭示內容將經由較佳具體實施例與比較例被詳細地描述。
[具體實施例1]
首先，50重量份之一酚系酚醛環氧樹脂(環氧當量199)、150重量份之一由以下結構式1表示之酚樹脂、以及作為一固化劑之10重量份之六甲氧基甲基三聚氰胺與10重量份之鄰苯二甲酸酐係被添加至120重量份之NBR(含有27wt%之丙烯腈與5wt%之羧基)。接著，作為一橡膠交聯劑之2重量份之過氧化二異丙苯係被添加，以及藉由使用一丙酮溶劑調整該丙酮之數量，故該黏度變成400CPS。當溶液中所有如上述準備之成分在室溫下溶解之後，此黏合性溶液係施用至一具有一25μm厚度之聚醯亞胺薄膜之二側上，故於乾燥後該厚度為12μm。於一乾燥加工(150℃達三分鐘)之後，一具有一38μm厚度之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜係被層疊於上以產生一黏合性薄膜。
(結構式1，軟化點：110℃)
[具體實施例2]
除了該以上使用之酚樹脂係被一由以下結構式2表示之酚樹脂替代之外，一由與具體實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用以生產一黏合性薄膜。
(結構式2，軟化點：85℃)
[具體實施例3]
除了該以上使用之環氧樹脂係被一由以下結構式3表示之環氧樹脂替代之外，一由與實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用，生產一黏合性薄膜。
(結構式3)
[比較例1]
除了該以上使用之NBR係被一不含有一羧基之NBR替代之外，一由與具體實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用，以生產一黏合性薄膜。
[比較例2]
除了該酚樹脂之數量增加至250重量份之外，一由與具體實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用，以生產一黏合性薄膜。
[比較例3]
除了該酚樹脂之數量係減少至50重量份之外，一由與具體實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用，以生產一黏合性薄膜。
[比較例4]
除了該酚樹脂係被一具有相同結構但一125℃之軟化點之酚樹脂取代之外，一由與具體實施例1相同組成所製備之黏合性溶液係以與具體實施例1相同方式被使用，以生產一黏合性薄膜。
依照本揭示內容如上述生產之具體實施例與比較例之黏合性薄膜之性質係基於以下試驗實施例被評估，且其結果係顯示於表1。
[試驗實施例1：薄膜形式之保存的量測]
此為一用於檢查在一物理衝擊被施加於依照具體實施例與比較例生產之黏合性薄膜上之後，黏合性薄膜之形式是否被保留的試驗，以及其係被設計以試驗是否該黏合性薄膜係因為在使用此黏合性薄膜之半導體封裝之製造時施加於該黏合性薄膜之切割衝擊而毀壞。
該試驗方法係如下：該如上述生產之黏合性薄膜係被切割至一5cm×5cm之尺寸以放於一具有1cm厚度之玻璃板上，接著自一20cm之高度降落一具有一1cm×1cm之尺寸之一重物(重量：100g)至該黏合性薄膜；之後，該黏合性薄膜係被肉眼觀察以檢查是否該黏合性薄膜有毀壞或沒有。若其無裂痕被發現，其係被標示”良好”，以及若其有裂痕被發現，其係被標示”損壞”。
[試驗實施例2：室溫下晶粒剪應力之量測]
該黏合性薄膜之該晶粒剪應力係於125℃/1.5kg/1秒之條件下接合一晶粒(2cm×2cm)與另一晶粒(2cm×2cm)，且接續一175℃/1小時之固化加工之後，在室溫下使用一半自動晶粒黏合設備量測。通常，5kg或更高之晶粒剪應力係被需求，以防止於環氧樹脂模造混合或其他半導體組裝加工時被接合之晶粒的形變。
[試驗實施例3：高溫下晶粒剪應力之量測]
以與室溫下晶粒剪應力量測之相同方式接合和固化後，該黏合性薄膜之晶粒剪應力係在260℃下量測。
100g或更高之剪應力係被需求，以防止在該固化加工時施加之260℃高溫下，由於黏合強度之惡化之該與黏合性薄膜接合之晶粒的形變。
[試驗實施例4：PCT(壓力鍋試驗)之量測]
如同在室溫下晶粒剪應力量測中接合一晶粒與另一晶粒之後，該黏合性薄膜與該晶粒之間氣泡或剝離之出現係使用X-光檢查，接續著於85℃/85%RH/84小時下進行PCT。若其無氣泡或剝離被發現，其係被標示”通過”，以及若其有氣泡或剝離被發現，其係被標示”失敗”。
作為參考，商業使用之晶粒之間的黏合性薄膜在上述所有四個試驗中不應有任何”失敗”。
如同可自表1看出，該依照此揭示內容之具體實施例之使用於晶粒之間之黏合性薄膜在薄膜形式之保存、室溫下晶粒剪應力、高溫下晶粒剪應力、與PCT量測之試驗中表現優異結果，這些試驗係一黏合性薄膜所需之基本性質。
本揭示內容係特別參考發明人所進行之許多具體實施例中的實施例與具體實施例而被詳細地描述，但其將被理解在不背離本揭示內容之精神與範疇下，許多變化與調整可被熟知此技藝者實施。
1．．．電線
2．．．模製化合物
3．．．黏合性薄膜
4．．．銲料遮罩
5．．．式樣
6．．．基板
7．．．子晶粒
8．．．母晶粒
10．．．聚醯亞胺薄膜
20．．．黏合性層
30．．．剝離薄膜
第1圖係一堆疊之晶片級封裝之斷面圖；
第2圖係一依照此揭示內容之一最佳實施例之一於晶粒之間之黏合性薄膜之斷面圖。
10．．．聚醯亞胺薄膜
20．．．黏合性層
30．．．剝離薄膜

Claims (2)

  1. 一種將熱固性雙面黏合性薄膜用於將被堆疊之晶粒間之黏著的用途，該熱固性雙面黏合性薄膜具有優異黏合性質與耐熱性，且具有塗佈於一聚醯亞胺薄膜之二側上之黏合性層，其中該黏合性層含有每100重量份之含有1-10wt%之羧基的NBR中，5-200重量份之一環氧樹脂、50-200重量份之一酚樹脂、與2-40重量份之一種或多種選自胺系或酸酐系之固化劑，以及其中該酚樹脂係具有一依照一環球法量測之60-120℃之軟化點，且該NBR具有一3,000-200,000之重量平均分子量，以及含有20-50wt%之丙烯腈。
  2. 如申請專利範圍第1項之將熱固性雙面黏合性薄膜用於將被堆疊之晶粒間之黏著的用途，其中於125℃/1.5kg/1秒之條件下接合一晶粒(2cm×2cm)與另一晶粒(2cm×2cm)，且接續一固化加工(175℃/1小時)之後，該黏合性薄膜係具有在室溫下為5kg或更高與在260℃下為100g或更高之晶粒剪應力。
TW100100300A 2010-06-23 2011-01-05 黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜 TWI512077B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100059768A KR101171352B1 (ko) 2010-06-23 2010-06-23 내열성과 접착력이 우수한 열경화성 양면 접착 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201200573A TW201200573A (en) 2012-01-01
TWI512077B true TWI512077B (zh) 2015-12-11

Family

ID=45356577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100100300A TWI512077B (zh) 2010-06-23 2011-01-05 黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101171352B1 (zh)
CN (1) CN102295895B (zh)
TW (1) TWI512077B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103173175B (zh) * 2013-03-23 2014-07-02 广东新展化工新材料有限公司 一种有机硅改性环氧树脂密封胶及其制备方法
US11322449B2 (en) * 2017-10-31 2022-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package with fan-out structures
CN108912599B (zh) * 2018-06-26 2020-12-25 长春峰泰汽车胶业有限公司 一种丁腈橡胶和酚醛树脂复配得到的滤清器胶片

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1237274A (zh) * 1996-10-08 1999-12-01 日立化成工业株式会社 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
CN1763145A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 东丽世韩株式会社 用于电子元件的粘合带组合物

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635053B1 (ko) 2005-06-21 2006-10-16 도레이새한 주식회사 전자부품용 접착테이프
JP5003090B2 (ja) 2006-10-06 2012-08-15 住友ベークライト株式会社 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1237274A (zh) * 1996-10-08 1999-12-01 日立化成工业株式会社 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
CN1763145A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 东丽世韩株式会社 用于电子元件的粘合带组合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN102295895A (zh) 2011-12-28
TW201200573A (en) 2012-01-01
KR101171352B1 (ko) 2012-08-10
KR20110139599A (ko) 2011-12-29
CN102295895B (zh) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101617395B (zh) 热固化型芯片接合薄膜
JP6157890B2 (ja) アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法
WO1998015975A1 (fr) Dispositif semi-conducteur, substrat de montage d'une puce de semi-conducteur, leurs procedes de fabrication, adhesif, et film a double couche d'adhesif
KR101625264B1 (ko) 방열 접착 필름, 이를 포함하는 반도체 장치 및 상기 장치의 제조 방법
CN103124778B (zh) 用于制备半导体的粘合剂组合物及薄膜
JP2014210880A (ja) 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
KR20110040733A (ko) 열경화형 다이 본드 필름
JP5390209B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2016119493A (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置
CN107267091A (zh) 用于制备半导体封装的粘合剂组合物及粘合片材
CN107078102A (zh) 半导体背面用薄膜
WO2016125537A1 (ja) フィルム状接着剤、それを用いた半導体装置
CN104212374A (zh) 热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
JP5961015B2 (ja) アンダーフィル材及び半導体装置の製造方法
CN102070991A (zh) 薄片状粘接剂及晶片加工用胶带
JP5749314B2 (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
TWI512077B (zh) 黏合性質及耐熱性優異的熱固性雙面黏合性薄膜
JP5827878B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004247657A (ja) 接着シート及びそれを用いた半導体装置
WO2015174183A1 (ja) シート状樹脂組成物、積層シート及び半導体装置の製造方法
CN1923939B (zh) 半导体装置、粘合剂和粘合膜
JP4050290B2 (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP6193627B2 (ja) シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2001181586A (ja) 接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP2001131501A (ja) 三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置