TWI528595B - 晶圓等級ｌｅｄ封裝及其製造方法 - Google Patents

晶圓等級ｌｅｄ封裝及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI528595B
TWI528595B TW101102898A TW101102898A TWI528595B TW I528595 B TWI528595 B TW I528595B TW 101102898 A TW101102898 A TW 101102898A TW 101102898 A TW101102898 A TW 101102898A TW I528595 B TWI528595 B TW I528595B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
layer
lead electrode
semiconductor layer
semiconductor
Prior art date
Application number
TW101102898A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201244183A (en
Inventor
徐大雄
李貞勳
Original Assignee
首爾偉傲世有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 首爾偉傲世有限公司 filed Critical 首爾偉傲世有限公司
Publication of TW201244183A publication Critical patent/TW201244183A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI528595B publication Critical patent/TWI528595B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

晶圓等級LED封裝及其製造方法 【相關申請案的交互參照】
本申請案主張2011年1月28號提申的韓國申請案第10-2011-0008736號的優先權。該申請案的整體內容在此併入本案，以供任何目的所需之參考。
本發明例示性實施例是關於發光二極體(light-emitting diode；LED)封裝及其製造方法，且特別是一種關於晶圓等級LED封裝及其製造方法。
LED的特性在於輕薄、節能及使用壽命長。因而，LED已廣泛地被用於包括行動電話等具有顯示器裝置的背光單元。而裝設有多個LED的LED封裝，則可實現具有高演色性指數(high color rendering index)的白光。因此，LED已取代如日光燈等白色光源，為一般照明裝置所用。
一般來說，習知的LED封裝是將個別的LED晶片裝設到具有引線電極的封裝上方，使用接合接線將LED晶片連接到引線電極，並使用封膠材料來包覆LED晶片。
在這種傳統LED封裝的製造方法中，LED晶片是採取個別的處理。因此，在LED封裝大量生產時勢必耗費大量時間與金錢，導致產能低落。而且，由於在裝設LED晶片之後須再次形成接合接線，所以製造LED封裝的製程頗為複雜。另外，由於使用毛細管(capillaries)所進行之接線接合製程必須留有讓毛細管移動的空間，因此對於封裝 尺寸的縮小會造成限制。此外，接合失敗或接線分離常常可造成封裝的失敗。
近來用於成長磊晶層的成長基板之尺寸已由2英吋增加到4英吋，甚至達到6英吋，數以萬計的LED晶片可在單一成長基板上製造。因此，使用此等LED晶片來快速且大量製造LED封裝的需求也隨之增加。然而，習知技術對於應付上述需求有著相當的困難。
本先前技術中所揭露之資訊僅用於加強對本發明背景之理解，因而可包含不形成習知技術中任何部分，且非習知技術中可能予以該領域中具通常知識者提示的資訊。
本發明之例示性實施例提供一種適合經由簡化製程來大量生產的LED封裝，以及其製造方法。
本發明之例示性實施例另提供一種適合微型化的LED封裝，以及其製造方法。
本發明之例示性實施例另提供一種結構上穩定的LED封裝，以及其製造方法。
本發明之例示性實施例另提供一種適合實現混色光線，特別是白光的LED封裝，以及其製造方法。
本發明其他特徵將描述如下，其部份將出現於本說明中，或可經由實施本發明之過程中習得。
本發明之例示性實施例提供一種LED封裝的製造方法。LED封裝的製造方法包括：在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第 二導電型半導體層以及主動層，主動層配置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層間；耦接多個半導體堆疊到第二基板，第二基板包括對應半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極；以及於耦接完成之後將第一基板與第二基板切割成多個封裝。
本發明之例示性另一實施例提供一種晶圓等級LED封裝。晶圓等級LED封裝包括：第一基板；半導體堆疊，配置於第一基板的前面，半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，主動層配置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層間；第二基板，第二基板包括第一引線電極與第二引線電極；多個連接部，將半導體堆疊電性連接到第一引線電極與第二引線電極；以及波長轉換層，覆蓋第一基板的背面。
須知前面的一般敘述與接下來的詳細敘述皆為示範性與說明性的例子，旨在提供本發明之權利要求更詳盡的說明。
以下將配合圖式參考以詳細描述本發明例示性實施例。提供此等實施例旨在使本揭露內容透徹且完整，並將向熟習此項技術者充分地傳達本發明概念之範疇。本發明可以不同形式來實施，然而，不該被解釋為限定用於以下實施例。在各圖式中，為了清楚起見可能誇大其中元件的寬度、長度與厚度。遍及本文之圖式與文字敘述中，相同標號用於代表相同元件。
須知當一元件，例如層、區域或基板被稱為「在…上」、「連接到」或「耦接到」另一元件時，所述元件可直接在所述另一元件上或連接到或耦接到所述另一元件，或可存在介入元件。相對而言，當一元件或層被稱為「直接在…上」、「直接連接到」或「直接耦接到」另一元件時，不存在介入元件。須知為描述本揭露之目的，用語「X、Y或Z其中至少之一」，可解釋為僅X、僅Y、僅Z或X、Y及Z中兩個或兩個以上的項目組合(例如，XYZ、XYY、YZ與ZZ)。
空間相對術語，如「在下面的」、「下方」、「下部的」、「在上方」、「上面的」等，此處可用來簡易描述圖片裡說明一個元件或特徵和另一個元件或特徵的關係。須知除圖中所示方向外，空間相對術語意圖包括圖中裝置在使用或操作時出現之不同方向。例如，如果圖中的裝置反轉，則描述為位於其他元件或特徵「下面」或「下方」的元件將位於上述其他元件或特徵的「上面」。所以，例示性用語「在下面」可視情況包含上面和下面兩個方位。裝置可另有其他轉向(向九十度或其他方向旋轉)，且此處所述空間相對術語亦可作為其解釋之依據。
圖1至圖7是根據本發明例示性實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
(晶圓20的製備)
參見圖1，製備晶圓20，其中於第一基板21上方形成多個半導體堆疊30。
晶圓20包括第一基板21，與排列在第一基板21上方的多個半導體堆疊30。另外，晶圓20更可包括歐姆接觸層31、絕緣層33、第一電極組36a、第二電極組36b、底膠40a以及緩衝層(未繪示)。各半導體堆疊30可包括第一導電型半導體層25、主動層27以及第二導電型半導體層29。另外，各第一電極組36a可包括第一電極墊35a與第一凸塊37a，且各第二電極組36b可包括第二電極墊35b與第二凸塊37b。
第一基板21可為可成長氮化物半導體層的成長基板。舉例而言，第一基板21可為藍寶石(sapphire)基板、碳化矽(silicon carbide)基板或尖晶石(spinel)基板。第一基板21為可透光之透明基板。
半導體堆疊30可經由傳統LED晶片製程來製造。亦即，於第一基板21上方生長包括第一導電型半導體層25、主動層27以及第二導電型半導體層29的磊晶層，並將磊晶層圖案化，以在第一基板21上方形成多個半導體堆疊30。為了讓部分的第一導電型半導體層25裸露出來，也可以部份移除第二導電型半導體層29與主動層27。
主動層27、第一導電型半導體層25以及第二導電型半導體層29可由III族氮化物半導體，例如，(Al、Ga、In)族氮化物半導體來形成。第一導電型半導體層25與第二導電型半導體層29各可為單層或多層。舉例來說，第一導電型半導體層25與/或第二導電型半導體層29可包括接觸層(contact layer)與包覆層(clad layer)。另外，第 一導電型半導體層25與/或第二導電型半導體層29可包括超晶格層(superlattice layer)。此外，主動層27可具有單一量子井結構或多重量子井結構。舉例來說，第一導電型可為n型與第二導電型可為p型；然而，本發明不侷限於以上所述。第一導電型可為p型且第二導電型可為n型。緩衝層(未繪示)緩解第一基板21與第一導電型半導體層25之間晶格的不匹配，致使半導體層25、27以及29內所發生之缺陷密度減少。
同時，在第二導電型半導體層29上方可形成歐姆接觸層31。在第一導電型半導體層25與第二導電型半導體層29上方可分別形成第一電極墊35a與第二電極墊35b。舉例來說，歐姆接觸層31可包括透明導電層(transparent conductive layer)，例如，鎳/金、氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)或氧化鋅；然而，本發明不侷限於以上所述。歐姆接觸層31也可包括反射金屬層(reflective metal layer)。第一電極墊35a與第二電極墊35b可包括選自鈦、銅、鎳、鋁、金以及鉻中一個或一個以上材料。第二電極墊35b可經由歐姆接觸層31與第二導電型半導體層29電性連接。在形成第一電極墊35a與第二電極墊35b之前，也可先形成覆蓋半導體堆疊30的絕緣層33。絕緣層33可由氧化矽(silicon oxide)或氮化矽(silicon nitride)來形成。
而且，在第一電極墊35a與第二電極墊35b上方可分別形成第一凸塊37a與第二凸塊37b。第一凸塊37a與第 二凸塊37b是將多個半導體堆疊30電性連接到第二基板51的第一引線電極53a與第二引線電極53b的連接部。第一凸塊37a與第二凸塊37b將多個半導體堆疊30結構上連接到第二基板51。
第一凸塊37a與第二凸塊37b可由金或銲料來形成。或者，在以如鎳或鎳合金等剛性金屬(rigid metal)形成凸塊之後，在凸塊上方可形成金或銲料。另外，第一凸塊37a與第二凸塊37b可使用打線接合(wire bonding)技術以釘狀凸塊(stud bump)來形成。
同時，可在上面有半導體堆疊30形成的第一基板21上方，形成底膠40a。底膠40a可由熱固性樹脂(thermosetting resin)或熱塑性樹脂(thermoplastic resin)來形成。另外，底膠40a可包括螢光粉與/或填充物。可加入螢光粉來轉換朝半導體堆疊30側邊放射的光之波長，且可加入填充物來調整底膠40a的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion)與彈性模數(modulus of elasticity)。舉例來說，底膠40a可使用旋塗(spin coating)或疊層(lamination)技術來形成。又例如，底膠40a可使用網板印刷(screen printing)技術利用擠壓來形成。因而，底膠40a可以覆蓋半導體堆疊30側邊與頂面的方式來形成。第一凸塊37a與第二凸塊37b可穿過底膠40a並裸露到外面。
在晶圓20的製備步驟中可將底膠40a固化；然而，本發明不侷限於以上所述。底膠40a在晶圓20的製備步驟 中也可保持在B階(B-stage)狀態。之後，在第一凸塊37a與第二凸塊37b接合到第一引線電極53a與第二引線電極53b時，可固化B階的底膠40a。
(封裝構件50的製備)
參見圖2，將包括第一引線電極53a與第二引線電極53b的第二基板51製備成封裝構件50。
第二基板51可為印有第一引線電極53a與第二引線電極53b的印刷電路板(printed circuit board；PCB)。舉例來說，第二基板51可為有機PCB板(例如FR4 PCB板)、金屬PCB板、金屬核心PCB板、陶瓷基板、矽基板、氮化鋁基板或碳化矽基板等。
在第二基板為導電基板(例如，金屬PCB板)的情況下，可經由絕緣層(未繪示)使第一引線電極53a與第二引線電極53b與導電基板絕緣。
第一引線電極53a與第二引線電極53b在第二基板51上方可具有內部端子或接墊，且在第二基板51下方可具有外部端子，來連接外部電源。第一引線電極53a與第二引線電極53b穿過第二基板51。第一引線電極53a與第二引線電極53b可填入第二基板51的貫穿孔；然而，本發明不侷限於以上所述。第一引線電極53a與第二引線電極53b也可沿著貫穿孔的側邊來形成。
(晶圓20與封裝構件50的耦接)
參見圖3，將第一凸塊37a與第二凸塊37b分別接合到第一電極墊53a與第二電極墊53b。使用熱壓接合 (thermocompression bonding)、熱音波接合(thermosonic bonding)或回銲(reflow)等接合技術，可將第一凸塊37a與第二凸塊37b接合到第一引線電極53a與第二引線電極53b。接合時，可在第二基板51上方形成例如金的金屬接墊。另外，在金屬接墊上方也可額外形成銲膏。
同時，舉例來說，在第一凸塊37a與第二凸塊37b是經由熱壓接合來接合的情況下，進行金屬接合時可調整熱壓接合製程的溫度分布來降低B階底膠40a的黏度，以避免B階底膠40a的流動。之後，當溫度維持或降低時，可進行固化B階底膠40a的製程。由此可知，底膠40a可強化晶圓20與封裝構件50的耦接。另外，可將填充物加入底膠40a，使底膠40a能減少晶圓20與封裝構件50之間熱膨脹係數的差異。因此，底膠40a可改善LED封裝結構上的穩定性與可靠度。
同時，於耦接之後，可經由研磨對第一基板21的背面作部份移除，使第一基板21變薄。
(波長轉換層60的形成)
參見圖4，在耦接製程完成之後，在第一基板21的背面形成波長轉換層60。波長轉換層60可利用螢光粉或內含螢光粉之樹脂的塗裝來形成。舉例來說，可將內含螢光粉之樹脂塗裝在第一基板21上方，且可利用擠壓來形成厚度均勻的波長轉換層60。或者，可將內含螢光粉的波長轉換層，例如，玻璃，附著到第一基板21。玻璃可使用黏著劑附著到第一基板21。另外，玻璃也可不經由黏合劑，而 以低溫直接接合(low-temperature direct bonding)技術附著到第一基板21。
(切割製程)
參見圖5，切割第一基板21與第二基板51。於底膠40a形成的同時，底膠40a也被切割。第一基板21與第二基板51可經由劃片(scribing)、剝裂(braking)、鋸切(sawing)、研磨(grinding)或雷射(laser)來切割。最後，個別LED封裝的製造到此完成。
第一基板21與第二基板51可於同一製程中使用雷射來切割。因此，第一基板21與第二基板51可形成為具有實質上相同的尺寸；然而，本發明不侷限於以上所述。在切割第一基板21之後，也可經由一獨立製程來切割第二基板51。這時，如圖5所繪示，第一基板21的尺寸可稍微小於第二基板51。
同時，內含螢光粉的波長轉換層60，其螢光粉特質可輕易被外部的濕氣滲透改變。尤其是，在波長轉換層60是由矽酮樹脂(silicone resin)形成的情況下，必須保護矽酮樹脂與螢光粉免於外部的濕氣滲透。為此，如圖6所繪示，防潮塗層(moisture barrier coating)70可以覆蓋波長轉換層60的方式來形成。
在切割第一基板21之前，防潮塗層70可在第一基板21上方以覆蓋波長轉換層60的方式來形成。之後，防潮塗層70可與第一基板21一起切割。或者，防潮塗層70可在切割第一基板21與底膠40a之後形成，或在切割第二 基板51之後形成。因此，覆蓋波長轉換層60與底膠40a側邊的防潮塗層70，可防止外部的濕氣滲透進入LED封裝。
舉例來說，防潮塗層70可包括氧化矽膜或氮化矽膜。如圖7所繪示，防潮塗層70可經由交替疊層有機材料層71與無機材料層73來形成。舉例來說，防潮塗層70可使用低溫真空沈積法(low-temperature vacuum deposition)，經由交替疊層透明聚合物與如矽(Si)或鋁(Al)等金屬的氧化物或氮化物來形成。防潮塗層70可延長濕氣滲透的路徑，以防止外部的濕氣滲透進入波長轉換層60。
根據此一例示性實施例，與裝設個別晶片之習知製造方法相比，以晶圓等級將多個半導體堆疊30裝設在封裝構件50的上方，可簡化製程並減少製造費用。另外，在根據本例示性實施例的封裝製程中，必須使用接合接線使引線電極與半導體堆疊電性連接。因此，可避免因接合接線破損或過短所造成的封裝失敗。
雖然在以上說明中，底膠40a是在晶圓20與封裝構件50接合之前，以覆蓋多個半導體堆疊30的方式來形成，但並非所有態樣中都需要使用底膠40a。另外，在晶圓20與封裝構件50耦接之後，底膠40a可使用將底膠材料注入於第一基板21與第二基板51之間空隙的方式來形成。
圖8至圖12是根據本發明另一例示性實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
參見圖8，製備接晶圓20與封裝構件50，並使其彼 此互相耦接，如以上參照圖1至圖3之描述。之後，於第一基板21的背面形成表面紋理(surface texture)T。表面紋理T可使用溼蝕刻法(wet etching)、電子束微影法(electron beam lithography)或奈米植入法(nano implant)等技術，以蝕刻第一基板21的方式來形成。舉例來說，表面紋理T可形成為其圖案的間距為數十奈米至幾微米且長寬比為1或1以上。表面紋理T可改善自半導體堆疊30所放射之光線的取光效率(light extraction efficiency)。
參見圖9，切割第一基板21。可使用鑽石刀或雷射來切割第一基板21，使其具有倒三角形的截面。因此，如圖9所繪示，在切割區域中，第一基板21的側邊可形成為傾斜於第一基板21的背面之垂直方向。第一基板21的傾斜側邊可改善自半導體堆疊30所放射之光線的取光效率。
同時，可部份移除切割區域下方的底膠40a。可將底膠40a移除，以使底膠40a部分留在晶圓51上方；然而，本發明不侷限於以上所述。也可將底膠40a移除以使第二基板51的表面裸露出來。
參見圖10，形成覆蓋第一基板21的波長轉換層60a。波長轉換層60a可利用內含螢光粉之樹脂來形成。波長轉換層60a覆蓋第一基板21的背面與側邊，並覆蓋切割區域內所露出之底膠40a的側邊。
參見圖11，切割第二基板51，以完成個別LED封裝的製造。切割區域下方的波長轉換層60a與殘留的底膠40a也可被切割。
參見圖12，可額外形成防潮塗層70來防止溼氣滲透進入波長轉換層60a，如以上參照圖6之描述。舉例來說，防潮塗層70可在移除切割區域下方的波長轉換層60a與殘留的底膠40a之後形成。防潮塗層70可於第二基板51的切割之前或之後形成。
根據本例示性實施例，於第一基板21的背面形成表面紋理T可改善取光效率。另外，切割第一基板21以使第一基板21的側邊傾斜，可進一步改善取光效率。形成表面紋理T與形成傾斜側邊的技術，並不限於本實施例，也可同樣應用於其他實施例。
同時，在本例示性實施例中，由於波長轉換層60a是在第一基板21與底膠40a部份移除之後形成，所以波長轉換層60a可形成為覆蓋半導體堆疊30的側邊。
圖13至圖16是根據本發明另一例示性實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
參見圖13，在晶圓20與封裝構件50耦接之後，於第一基板21的背面形成表面紋理T，並切割第一基板21使其側邊傾斜，如以上參照圖8與圖9之描述。然而，本實施例中，跳過了晶圓製備步驟中形成底膠40a的製程，以便與前述之實施例作對比。
參見圖14，形成覆蓋已切割之第一基板21的波長轉換層60b。另外，波長轉換層60b可填入第一基板21與第二基板51之間的空隙。亦即，底膠40a也可使用波長轉換層60b來形成。波長轉換層60b可利用內含螢光粉之樹脂 來形成。或者，波長轉換層60b可使用擠壓方式以均勻厚度在第一基板21上方形成。
參見圖15，切割第二基板51，以完成個別LED封裝的製造。配置於第一基板21切割區域中的波長轉換器60b也可被切割。
參見圖16，可額外形成防潮塗層70來防止溼氣滲透進入波長轉換層60b，如以上參照圖6之描述。舉例來說，在移除切割區域下方的波長轉換層60b之後，防潮塗層70可以覆蓋波長轉換層60b的方式來形成。防潮塗層70可於第二基板51切割之前或之後形成。
根據本發明例示性實施例，第一基板上方所形成之多個半導體堆疊與第二基板以晶圓等級耦接，並切割第一基板與第二基板來製造LED封裝。因此，晶片接合製程可被簡化且工作時間可顯著減少。另外，由於LED封裝以晶圓等級來製造，其亦適用於封裝微型化。另外，底膠可改善第一基板與第二基板的接合力。因此，可提供結構上穩定的LED封裝。而藉由防潮塗層的形成，可來防止外部的濕氣滲透進入LED封裝。
另外，混色光線，特別是白光，則可使用波長轉換層來實現。透過底膠與/或波長轉換層的使用，可對向著半導體堆疊的側邊、底部表面、甚至頂面放射的光線進行波長的轉換。
雖然本發明例示性實施例已連同圖示於上述特定實施例中說明，但須知任何我屬技術領域具有通常知識者， 在不脫離本發明的精神和範疇下，可對本發明作各種修改與變更。因此，上文所揭露之標的應視為例示性，而非限制性，且所附申請專利範圍意欲涵蓋其所屬之範疇內的修改、增強以及其他實施例。
20‧‧‧晶圓
21‧‧‧第一基板
25‧‧‧第一導電型半導體層
27‧‧‧主動層
29‧‧‧第二導電型半導體層
30‧‧‧半導體堆疊
31‧‧‧歐姆接觸層
33‧‧‧絕緣層
35a‧‧‧第一電極墊
35b‧‧‧第二電極墊
36a‧‧‧第一電極組
36b‧‧‧第二電極組
37a‧‧‧第一凸塊
37b‧‧‧第二凸塊
40a‧‧‧底膠
50‧‧‧封裝構件
51‧‧‧第二基板
53a‧‧‧第一引線電極
53b‧‧‧第二引線電極
60、60a、60b‧‧‧波長轉換層
70‧‧‧防潮塗層
71‧‧‧有機材料層
73‧‧‧無機材料層
為使本發明能更明顯易懂，下文特舉多本發明多個實施例，並配合本說明書所附圖式，作本發明原理之詳細說明如下。
圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6以及圖7是根據本發明例示性實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
圖8、圖9、圖10、圖11以及圖12是根據本發明例示性另一實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
圖13、圖14、圖15以及圖16是根據本發明例示性另一實施例一種LED封裝的製造方法所繪示之剖面圖。
21‧‧‧第一基板
25‧‧‧第一導電型半導體層
27‧‧‧主動層
29‧‧‧第二導電型半導體層
30‧‧‧半導體堆疊
31‧‧‧歐姆接觸層
33‧‧‧絕緣層
35a‧‧‧第一電極墊
35b‧‧‧第二電極墊
36a‧‧‧第一電極組
36b‧‧‧第二電極組
37a‧‧‧第一凸塊
37b‧‧‧第二凸塊
40a‧‧‧底膠
51‧‧‧第二基板
53a‧‧‧第一引線電極
53b‧‧‧第二引線電極
60‧‧‧波長轉換層
70‧‧‧防潮塗層

Claims (28)

  1. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括：在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；在所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層上方分別形成第一凸塊與第二凸塊；形成底膠，覆蓋所述半導體堆疊，其中所述第一凸塊與所述第二凸塊穿過所述底膠；耦接所述半導體堆疊到第二基板，所述第二基板包括對應所述半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極，將所述第一凸塊與所述第二凸塊分別耦接到所述第一引線電極與所述第二引線電極，使所述半導體堆疊耦接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；以及於耦接完成之後，將所述第一基板與所述第二基板切割成多個封裝，其中形成所述底膠的步驟包括：在所述第一基板上方形成B階底膠，並覆蓋所述半導體堆疊；於所述第一凸塊與所述第二凸塊耦接到所述第一引線電極與所述第二引線電極時固化所述B階底膠。
  2. 如專利範圍第1項所述之製造LED封裝的方法，其中所述底膠包括螢光粉與填充物至少其中之一。
  3. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括： 在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；在所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層上方分別形成第一凸塊與第二凸塊；形成底膠，覆蓋所述半導體堆疊，其中所述第一凸塊與所述第二凸塊穿過所述底膠；耦接所述半導體堆疊到第二基板，所述第二基板包括對應所述半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極，將所述第一凸塊與所述第二凸塊分別耦接到所述第一引線電極與所述第二引線電極，使所述半導體堆疊耦接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；當耦接完成之後，於所述第一基板的背面形成波長轉換層；以及於耦接完成之後，將所述第一基板與所述第二基板切割成多個封裝。
  4. 如專利範圍第3項所述之製造LED封裝的方法，其中所述波長轉換層於所述第一基板切割之後形成，並覆蓋所述第一基板的側邊。
  5. 如專利範圍第4項所述之製造LED封裝的方法，更包括：於所述第一基板切割之後，部份移除配置在切割區域下方的部份所述底膠， 其中形成所述波長轉換層，並覆蓋部份所述底膠移除之後所露出的側邊。
  6. 如專利範圍第5項所述之製造LED封裝的方法，更包括：形成防潮塗層，覆蓋所述波長轉換層。
  7. 如專利範圍第6項所述之製造LED封裝的方法，其中形成所述防潮塗層，以使所述波長轉換層埋在所述封裝之內。
  8. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括：在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；耦接所述半導體堆疊到第二基板，所述第二基板包括對應所述半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極；當耦接完成之後，於所述第一基板的背面形成波長轉換層；以及於耦接完成之後，將所述第一基板與所述第二基板切割成多個封裝。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之製造LED封裝的方法，其中所述波長轉換層包括內含螢光粉之玻璃。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之製造LED封裝的方法，其中所述玻璃以低溫直接接合法附著到所述第一基 板。
  11. 如專利範圍第8項所述之製造LED封裝的方法，更包括：形成防潮塗層，覆蓋所述波長轉換層。
  12. 如專利範圍第11項所述之製造LED封裝的方法，其中所述防潮塗層經由交替疊層有機材料層與無機材料層來形成。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之製造LED封裝的方法，其中所述波長轉換層，是於所述第一基板切割之後形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之製造LED封裝的方法，其中所述波長轉換層填入所述半導體堆疊與所述第二基板之間的空隙。
  15. 如專利範圍第14項所述之製造LED封裝的方法，更包括：以移除配置在所述第一基板的所述切割區域下方的所述波長轉換層之方式，於封裝基底上方切割所述波長轉換層；以及形成防潮塗裝層，並覆蓋被切割之所述波長轉換層。
  16. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括：在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間； 耦接所述半導體堆疊到第二基板，所述第二基板包括對應所述半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極；於第一基板的背面形成表面紋理，以改善取光效率；以及於耦接完成之後，將所述第一基板與所述第二基板切割成多個封裝。
  17. 一種製造發光二極體(LED)封裝的方法，包括：在第一基板上方形成多個半導體堆疊，各所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；耦接所述半導體堆疊到第二基板，所述第二基板包括對應所述半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極；以及於耦接完成之後，將所述第一基板與所述第二基板切割成多個封裝，其中切割所述第一基板，以使所述第一基板的側邊相對於所述第一基板的背面之垂直方向呈傾斜。
  18. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：第一基板；半導體堆疊，配置於所述第一基板的前面，所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間； 第二基板，包括第一引線電極與第二引線電極；多個連接部，將所述半導體堆疊電性連接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；波長轉換層，覆蓋所述第一基板的背面；以及底膠，配置於所述第一基板與所述第二基板之間，其中所述波長轉換層覆蓋至少部份所述底膠的側邊。
  19. 如專利範圍第18項所述之LED封裝，其中所述底膠包括螢光粉與填充物中至少之一。
  20. 如專利範圍第18項所述之LED封裝，更包括：防潮塗層，覆蓋所述波長轉換層。
  21. 如專利範圍第20項所述之LED封裝，其中所述防潮塗層覆蓋所述底膠的側邊。
  22. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：第一基板；半導體堆疊，配置於所述第一基板的前面，所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；第二基板，包括第一引線電極與第二引線電極；多個連接部，將所述半導體堆疊電性連接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；波長轉換層，覆蓋所述第一基板的背面；以及防潮塗層，覆蓋所述波長轉換層。
  23. 如專利範圍第22項所述之LED封裝，其中所述 防潮塗層包括交替疊層的有機材料層與無機材料層。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之LED封裝，其中所述波長轉換層填入所述第一基板與所述第二基板之間的空隙。
  25. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：第一基板；半導體堆疊，配置於所述第一基板的前面，所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；第二基板，包括第一引線電極與第二引線電極；多個連接部，將所述半導體堆疊電性連接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；以及波長轉換層，覆蓋所述第一基板的背面，其中所述波長轉換層包括內含螢光粉之玻璃。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之LED封裝，其中所述玻璃直接置在所述第一基板的背面上方。
  27. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：第一基板；半導體堆疊，配置於所述第一基板的前面，所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；第二基板，包括第一引線電極與第二引線電極； 多個連接部，將所述半導體堆疊電性連接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；以及波長轉換層，覆蓋所述第一基板的背面其中所述第一基板的背面為結構化。
  28. 一種發光二極體(LED)封裝，包括：第一基板；半導體堆疊，配置於所述第一基板的前面，所述半導體堆疊包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及主動層，所述主動層配置於所述第一導電型半導體層與所述第二導電型半導體層之間；第二基板，包括第一引線電極與第二引線電極；多個連接部，將所述半導體堆疊電性連接到所述第一引線電極與所述第二引線電極；以及波長轉換層，覆蓋所述第一基板的背面其中所述第一基板的側邊相對於所述第一基板的背面之垂直方向呈傾斜。
TW101102898A 2011-01-28 2012-01-30 晶圓等級ｌｅｄ封裝及其製造方法 TWI528595B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110008736A KR101761834B1 (ko) 2011-01-28 2011-01-28 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201244183A TW201244183A (en) 2012-11-01
TWI528595B true TWI528595B (zh) 2016-04-01

Family

ID=46581248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101102898A TWI528595B (zh) 2011-01-28 2012-01-30 晶圓等級ｌｅｄ封裝及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8592232B2 (zh)
EP (2) EP2720283B1 (zh)
JP (1) JP2014507804A (zh)
KR (1) KR101761834B1 (zh)
CN (1) CN103339749B (zh)
TW (1) TWI528595B (zh)
WO (1) WO2012102501A2 (zh)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9269878B2 (en) 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
KR101350159B1 (ko) * 2012-08-31 2014-02-13 한국광기술원 백색 발광 다이오드 제조방법
JP2014150196A (ja) 2013-02-01 2014-08-21 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
TWI622189B (zh) 2013-02-08 2018-04-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
JP6071661B2 (ja) * 2013-03-11 2017-02-01 株式会社東芝 半導体発光装置
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10236421B2 (en) 2013-05-13 2019-03-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device package, manufacturing method thereof, and vehicle lamp and backlight unit including same
JP6394052B2 (ja) 2013-05-13 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN104183682A (zh) * 2013-05-27 2014-12-03 崴发控股有限公司 覆晶式发光二极管元件及其封装结构
TWI540766B (zh) * 2013-07-10 2016-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝結構
JP2015056652A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 窒化物半導体発光装置
EP2854186A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module, fabrication method therefor, and backlight unit including the same
KR102100923B1 (ko) * 2013-09-30 2020-04-16 서울반도체 주식회사 발광 디바이스 및 제조방법
DE102013222200A1 (de) * 2013-10-31 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
CN103682006A (zh) * 2013-12-30 2014-03-26 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其制造方法
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR102098245B1 (ko) * 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
JP6349953B2 (ja) * 2014-05-20 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
JP6398381B2 (ja) * 2014-06-30 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI634675B (zh) * 2014-07-14 2018-09-01 新世紀光電股份有限公司 發光元件結構
JP6384202B2 (ja) * 2014-08-28 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6519127B2 (ja) * 2014-09-19 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20160036862A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 발광 소자
DE102014114372B4 (de) 2014-10-02 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN111490146B (zh) * 2014-11-18 2024-12-06 首尔半导体株式会社 发光装置
US9755105B2 (en) * 2015-01-30 2017-09-05 Nichia Corporation Method for producing light emitting device
TW201628217A (zh) * 2015-01-30 2016-08-01 聯京光電股份有限公司 改良之發光二極體封裝結構與方法
CN107258022B (zh) * 2015-03-16 2019-09-24 首尔伟傲世有限公司 包括金属块的发光元件
KR20160124375A (ko) * 2015-04-17 2016-10-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지의 제조 방법
CN104993029A (zh) * 2015-07-09 2015-10-21 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 半导体发光芯片级封装
CN104993032B (zh) * 2015-07-16 2018-04-20 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led器件及其制备方法
DE102015214222A1 (de) 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
TWI552385B (zh) * 2015-09-04 2016-10-01 錼創科技股份有限公司 發光元件
TWI581460B (zh) * 2015-09-04 2017-05-01 錼創科技股份有限公司 發光元件及其製作方法
US10170455B2 (en) 2015-09-04 2019-01-01 PlayNitride Inc. Light emitting device with buffer pads
TWI585844B (zh) * 2015-09-25 2017-06-01 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR102555242B1 (ko) * 2015-09-30 2023-07-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
US10332949B2 (en) * 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6776855B2 (ja) * 2016-12-06 2020-10-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018113922A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light emitting element with an optoelectronic semiconductor chip
CN107039363A (zh) * 2017-03-09 2017-08-11 广东美的制冷设备有限公司 功率模块及其制造方法
KR102514503B1 (ko) * 2017-03-13 2023-03-27 서울반도체 주식회사 디스플레이 장치 제조 방법
WO2018174434A1 (ko) 2017-03-23 2018-09-27 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
US10497845B2 (en) * 2017-03-27 2019-12-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
DE102017107834A1 (de) * 2017-04-11 2018-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauelement
US10658558B2 (en) 2017-10-10 2020-05-19 Lumileds Llc LED package including converter confinement
KR102565147B1 (ko) 2017-11-08 2023-08-18 서울바이오시스 주식회사 복수의 픽셀들을 포함하는 디스플레이용 발광 다이오드 유닛 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
KR102603411B1 (ko) * 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
CN109994593A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中芯长电半导体（江阴）有限公司 发光二极管芯片的封装结构及封装方法
TWI672834B (zh) * 2018-01-25 2019-09-21 Primax Electronics Ltd. 光源模組以及光源模組之製造方法
US10998297B1 (en) * 2018-05-15 2021-05-04 Facebook Technologies, Llc Nano-porous metal interconnect for light sources
US10643964B2 (en) * 2018-07-02 2020-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structures for bonding a group III-V device to a substrate by stacked conductive bumps
JP7348520B2 (ja) * 2018-12-25 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
CN109830589B (zh) * 2019-01-29 2021-04-16 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件及其制造方法
CN111987205B (zh) * 2019-05-22 2021-12-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基LED灯珠的封装方法
MX2022003387A (es) * 2019-10-23 2022-07-01 Seoul Viosys Co Ltd Dispositivo de visualizacion de led.
KR102751538B1 (ko) 2019-11-27 2025-01-10 삼성전자주식회사 반도체 패키지
TWI768433B (zh) 2020-08-19 2022-06-21 聯嘉光電股份有限公司 三合一RGB mini-LED製程方法
DE102021116242A1 (de) * 2021-06-23 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
CN113991004A (zh) * 2021-10-26 2022-01-28 东莞市中麒光电技术有限公司 Led基板制作方法、led基板、led器件制作方法及led器件
CN114361144B (zh) * 2021-12-31 2025-09-09 广东晶科电子股份有限公司 基板、集成封装器件及集成封装器件的制作方法
JP7469680B2 (ja) * 2022-03-28 2024-04-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20240047606A1 (en) * 2022-08-03 2024-02-08 Creeled, Inc. Wafer level fabrication for multiple chip light-emitting devices
DE102022121519A1 (de) * 2022-08-25 2024-03-07 Ams-Osram International Gmbh Strahlung emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von strahlung emittierenden halbleiterbauelementen

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151977A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Sharp Corp 光半導体装置
US5886383A (en) * 1997-01-10 1999-03-23 International Rectifier Corporation Integrated schottky diode and mosgated device
JPH10335383A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6706546B2 (en) * 1998-10-09 2004-03-16 Fujitsu Limited Optical reflective structures and method for making
JP4234269B2 (ja) * 1999-07-16 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6835963B2 (en) * 1999-12-22 2004-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting element and method of fabrication thereof
JP3589187B2 (ja) * 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
US6734453B2 (en) * 2000-08-08 2004-05-11 Translucent Photonics, Inc. Devices with optical gain in silicon
FI114740B (fi) * 2001-04-27 2004-12-15 Wallac Oy Kuvantavan mittauslaitteen varjostinlevy
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6611052B2 (en) * 2001-11-16 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Wafer level stackable semiconductor package
JP4277496B2 (ja) * 2001-11-21 2009-06-10 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置
JP2004087253A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電子デバイス
EP1603170B1 (en) * 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
DE10311820A1 (de) * 2003-03-13 2004-09-30 Schott Glas Halbleiterlichtquelle
KR20050034936A (ko) * 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
US7518158B2 (en) * 2003-12-09 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices and submounts
WO2005062905A2 (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Gelcore Llc Laser lift-off of sapphire from a nitride flip-chip
JP4163641B2 (ja) * 2004-02-25 2008-10-08 株式会社東芝 Ｌｅｄ素子
EP1719192A2 (en) * 2004-02-20 2006-11-08 OC Oerlikon Balzers AG Diffusion barrier layer and method for manufacturing a diffusion barrier layer
JP2005294820A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその形成方法、それを用いたランプ、光源
JP4543712B2 (ja) * 2004-03-17 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2006066868A (ja) * 2004-03-23 2006-03-09 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子および固体素子デバイス
KR100707100B1 (ko) * 2004-10-01 2007-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7098070B2 (en) * 2004-11-16 2006-08-29 International Business Machines Corporation Device and method for fabricating double-sided SOI wafer scale package with through via connections
KR100665121B1 (ko) * 2005-02-28 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법
JP2006269079A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Hitachi Lighting Ltd 光源モジュール、液晶表示装置および光源モジュールの製造方法
TWI294694B (en) * 2005-06-14 2008-03-11 Ind Tech Res Inst Led wafer-level chip scale packaging
EP1929532A1 (en) * 2005-09-19 2008-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Variable color light emitting device and method for controlling the same
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
JP2007250629A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法、並びに蛍光パターン形成物
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US20080035942A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method for manufacturing the same
JP4905009B2 (ja) * 2006-09-12 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
KR100845856B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2008171997A (ja) * 2007-01-11 2008-07-24 Rohm Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
EP2040316B1 (de) * 2007-09-20 2014-08-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2009099647A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Yokogawa Electric Corp 半導体実装方法
JP2009111102A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Mitsubishi Chemicals Corp 集積型発光源およびその製造方法
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR101428719B1 (ko) * 2008-05-22 2014-08-12 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치
JP2008263246A (ja) * 2008-08-06 2008-10-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
KR101539246B1 (ko) * 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
JP4799606B2 (ja) * 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
WO2010075177A2 (en) * 2008-12-24 2010-07-01 3M Innovative Properties Company Method of making double-sided wavelength converter and light generating device using same
JP5518502B2 (ja) * 2009-01-27 2014-06-11 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
US7842544B2 (en) * 2009-02-20 2010-11-30 National Semiconductor Corporation Integrated circuit micro-module
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
US9254506B2 (en) * 2010-07-02 2016-02-09 3M Innovative Properties Company Moisture resistant coating for barrier films
KR101230622B1 (ko) * 2010-12-10 2013-02-06 이정훈 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
JP5679869B2 (ja) * 2011-03-07 2015-03-04 スタンレー電気株式会社 光半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8592232B2 (en) 2013-11-26
EP2669963A4 (en) 2015-12-23
WO2012102501A3 (ko) 2012-09-20
EP2720283A3 (en) 2015-12-23
EP2669963B1 (en) 2018-08-22
TW201244183A (en) 2012-11-01
KR101761834B1 (ko) 2017-07-27
WO2012102501A2 (ko) 2012-08-02
EP2720283A2 (en) 2014-04-16
EP2669963A2 (en) 2013-12-04
JP2014507804A (ja) 2014-03-27
KR20120087505A (ko) 2012-08-07
CN103339749A (zh) 2013-10-02
US8916898B2 (en) 2014-12-23
US20140061709A1 (en) 2014-03-06
CN103339749B (zh) 2016-03-30
EP2720283B1 (en) 2018-05-16
US20130026518A1 (en) 2013-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8916898B2 (en) Wafer level LED package and method of fabricating the same
US10043955B2 (en) Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same
US10411175B2 (en) Light emitting element package and method of manufacturing the same
US7872410B2 (en) Light emitting device and light emitter
KR101230622B1 (ko) 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
CN103003966B (zh) 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
KR101978968B1 (ko) 반도체 발광소자 및 발광장치
US20090050926A1 (en) Light emitting device
WO2007102534A1 (ja) チップ型半導体発光素子
CN102683562A (zh) 发光二极管元件及发光二极管装置
US20170222104A1 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
US9059381B2 (en) Light emitting device having wavelength converting layer and method of fabricating the same
JP2006073618A (ja) 光学素子およびその製造方法
JP2012175069A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
US11133443B2 (en) Light emitting device package and method of manufacturing light emitting device package
KR20210069026A (ko) 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20120064838A (ko) 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
TWI414093B (zh) 晶圓級封裝之方法
KR20140134425A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101700899B1 (ko) 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스