TWI559096B - 曝光設備及裝置製造方法 - Google Patents

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松本英樹
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Description

曝光設備及裝置製造方法
本發明係有關於一種曝光設備及裝置製造方法。
曝光設備是一種在半導體裝置或類此者的製造步驟的光微影處理中透過一投影光學系統將一原片(標線片或類此者)的圖案曝照至一光敏基材(如，表面被塗覆一光阻層的晶圓)上的設備。亦有一種沉浸式曝光設備，其使用沉浸式方法作為提高一將被投影至一基材上的圖案影像的解析度的技術。該沉浸式曝光設備被配置來在該投影光學系統的最後鏡片和該基材之間的間隔填充一沉浸液並將該圖案影像投影至該基材上。在另一方面，為了要改善每單位時間的產量，該沉浸式曝光設備亦可被設置多個被配置來固持基材的桌台。在只具有單一基材桌台的該沉浸式曝光設備中，在放置該基材的時候或在預測量的時候是不可能實施曝光操作，因而造成所謂的“停機時間(down-time)”。在另一方面， 一設有多個基材桌台(例如，兩個基材桌台)的沉浸式曝光設備可在把一基材放置在一基材桌台上的同時，對另一基材桌台上的基材進行曝光。此構造讓該沉浸式曝光設備能夠在完成第一基材桌台上的基材的曝光之後立即開始其它基材桌台上的下一片基材的曝光。換言之，就整個沉浸式曝光設備而言並沒有發生“停機時間”，每單位時間的產量藉由一構造而被提高，在該構造中永遠有一基材的曝光持續地被實施。
在此背景下，一具有多個基材桌台的沉浸式曝光設備首先完成在一基材桌台上的基材的曝光，然後在沉浸液被輸送至每一基材桌台之間的結果下快速地將另一基材桌台移至該投影光學系統底下並開始下一片基材的曝光。例如，一種方法亦被提出，在該方法中，當一片基材的曝光被完成時，沉浸液的供應即被停止，且在另一基材桌台被移動至該投影光學系統底下的時候，該沉浸液的供應即被重新開始。然而，此方法並不實用，因為在開始供應該沉浸液之後需要時間將該被供應的沉浸液的狀態穩定下來。在此背景下，一種方法已被提出，在此方法中被供應的沉浸液是在沒有從固持該已被曝光的基材的基材桌台改變至該固持將接受下一個曝光操作的基材的基材桌台的情形下被輸送。日本專利申請公開案第2008-124219號揭露一種沉浸式曝光設備，其預先決定一沉浸液的輸送位置於每一桌台上。此沉浸式曝光設備包括一鏡子，其被設置在每一基材桌台的一 側上且被用來測量每一基材桌台在曝光操作期間的即時位置。在此例子中的該沉浸液的輸送位置被視為是在該基材桌台的端部，藉以避免阻礙使用該鏡子的測量。在另一方面，日本專利申請公開案第2008-130745號揭露一種沉浸式曝光設備，其包括在該基材桌台上多個用於該沉浸液的輸送位置，用以減少輸送時間。
然而，揭露在日本專利申請公開案第2008- 124219號中的該沉浸式曝光設備要求的是，經過該預先決定的輸送位置的路徑在沉浸液的輸送期間必須一直被遵循，因而會因為在該輸送開始時該基材桌台的位置的關係而造成輸送期間的時間上的浪費。再者，揭露在日本專利申請公開案第2008-130745號中的該沉浸式曝光設備需要一較大的基材桌台的操作面積來輸送該沉浸液。因此，該設備的尺寸或成本會增加。
本發明例如提供一種沉浸式曝光設備，它在將沉浸液有效率地輸送於一介於多個基材桌台之間的表面上這方面是有利的。
本發明揭露一曝光設備，其包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統的最後一片鏡片和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含多 個桌台，其被配置來固持該基材且可移動於該曝光區和該測量區之間、及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動，其中在該等多個桌台的一個桌台被放置在該曝光區內且供應至該一個桌台的沉浸液被保留在該曝光區內且被輸送至另一桌台的情形中，該控制器被配置成根據該另一桌台的至少一第一處理位置來決定用於該另一桌台的浸泡液的輸送位置。
本發明的其它特徵從下面參考附圖之示範性實施例的描述中將被建變得明顯。
100‧‧‧曝光設備
14‧‧‧晶圓
15‧‧‧標線片
3‧‧‧投影光學系統
1‧‧‧照明系統
2‧‧‧標線片桌台
4‧‧‧沉浸液供應機構
5‧‧‧晶圓桌台
6‧‧‧對準偵測系統
7‧‧‧焦距偵測系統
20‧‧‧控制器
5a‧‧‧第一桌台
5b‧‧‧第二桌台
21‧‧‧桌台支撐件
14a‧‧‧第一晶圓
14b‧‧‧第二晶圓
22‧‧‧鏡子
23‧‧‧雷射干涉儀
12‧‧‧回收噴嘴
13‧‧‧沉浸液
7a‧‧‧投射系統
7b‧‧‧接收系統
9‧‧‧位置測量感測器
10‧‧‧參考板
16‧‧‧參考記號
17‧‧‧照明感測器
24‧‧‧漏水感測器
18‧‧‧象差計
圖1例示一依據本發明的第一實施例的曝光設備的組態。
圖2A至圖2C例示當沉浸液被輸送於各桌台之間時的組態。
圖3是一流程圖，其例示依據第一實施例的輸送操作的流程。
圖4A至圖4D例示依據第一實施例的輸送操作的流程的時間序。
圖5A及5B是一時機圖，其例示依據第一實施例的晶圓桌台。
圖6A是一立體圖，其例示一設置來取代一雷射干涉儀的位置測量感測器或類此者。
圖6B是一剖面圖，其例示一設置來取代一 雷射干涉儀的位置測量感測器或類此者。
圖7例示一組態，在此組態中一鏡子只被設置在未被輸送沉浸液的一側上。
圖8是一流程圖，其例示依據第二實施例的輸送操作的流程。
圖9A至圖9D例示依據第二實施例的輸送操作的流程的時間序。
圖10A至圖10C例示依據第二實施例的輸送操作的流程的時間序。
圖11是一時機圖，其例示依據第二實施例的晶圓桌台。
圖12A至圖12D例示一傳統輸送操作的流程的時間序。
用來實施本發明的實施例將於下文中參考附圖加以描述。
(第一實施例)
首先，依據本發明的第一實施例的曝光設備將被描述。圖1例示一依據此實施例之曝光設備100的示意性組態。該曝光設備100係以一投影式曝光設備為例子，其藉由一步進-及-重復的系統將一形成在一標線片15上的圖案曝光(轉移)至一晶圓14(基材)上且 其被使用在半導體裝置的製程中。再者，該曝光設備100被配置成一沉浸式曝光設備，其使用一沉浸方法來作為提高一被投影至該晶圓14上的圖案影像的解析度的技術。在圖1中將給出一種描述，其中Z軸係對準於和一投影光學系統3的光軸平行的方向(在此實施例中為垂直方向)、X軸係對準於該晶圓14在曝光期間在垂直於該Z軸的平面上的掃描方向、及Y軸係對準於和該X軸正交之非掃描方向上。該曝光設備100包括一照明系統1、一標線片桌台2、一投影光學系統3、一晶圓桌台5、一沉浸液供應機構4、一對準偵測系統6、一焦距偵測系統7、及一控制器20。這些構件中，該照明系統1、標線片桌台2、投影光學系統3及沉浸液供應機構4係被安裝在該曝光設備100的該曝光區內。另一方面，該對準偵測系統6及焦距偵測系統7係被安裝在該曝光設備100的該測量區內。以此方式，在該曝光設備100中，該曝光區具有一獨立於該測量區之外的組態，且如下文中所描述的，多個被配置為晶圓桌台5的桌台可交替地移動通過該曝光區及該測量區。
該照明系統1調整從一光源(未示出)發出 的光線，並照明該標線片15。該標線片15是一例如用石英玻璃製造的原片(original)，其形成一將被轉移至該晶圓14上的圖案(例如，電路圖案)。該標線片桌台2固持該標線片15且可移動於X軸及Y軸方向的每一方向上。該投影光學系統3用一預定的放大倍率(例如1/2 至1/5)將該標線片15上的該圖案影像(它被來自該照明系統1的光線照射)投射至該晶圓14上。該晶圓14例如是單晶矽的基材，其具有一光阻(光敏劑)的表面塗層。
該晶圓桌台5是一所謂的雙生桌台(twin- stage)的桌台裝置，其具有兩組粗動型桌台及微動型桌台，它們可交換彼此的位置且可彼此移動於一桌台支撐件21上。這兩組桌台的每一組被分別標示為“第一桌台5a”及“第二桌台5b”。第一桌台5a及第二桌台5b這兩者固持該晶圓14且可移動(可改變方位)於XYZ軸方向的每一方向上。在此組態中，該曝光設備100例如可在該第一桌台5a(其被放置在該曝光區內)上的第一晶圓14a的曝光期間，在該第二桌台5b上實施第二晶圓14b的替換、對準測量(預測量)或類此者。換言之，該曝光設備100具有提高每單位時間的產量的功效，因為可被避免掉沒有對任何晶圓14實施曝光的停機時間，且提出一種可持續不斷地對該等晶圓14的一個晶圓實施曝光的組態。每一桌台5a，5b的各側邊被設置一鏡子22，且每一桌台5a，5b在XY平面上的位置(桌台位置)可藉由用雷射干涉儀23測量介於該等鏡子22之間的距離來決定。在此實施例中，雖然晶圓桌台5係以雙生桌台組態為例子加以描述，但具有三組或更多組桌台的組態亦是可行的。
該沉浸液供應機構4被配置來供應沉浸液 13，用以用該沉浸液13來填充介於該投影光學系統3的最後一鏡片和該晶圓桌台5上(在圖1中為該第二桌台5b)的該晶圓14之間的固定的空間區域，以及在那之後回收該沉浸液13。該沉浸液供應機構4包括一供應該沉浸液13的供應噴嘴11及一將已被供應出去的沉浸液13回收的回收噴嘴12。該曝光設備100藉由使用一具有比空氣更高的折射係數的沉浸液13填充該區域並將該圖案影像投影至該晶圓14上而在以更清晰的細節來轉移一圖案這方面具有實用性。
該對準偵測系統6包括一投影系統，其被配 置來將偵測光線投影至該晶圓14或該晶圓桌台5上的一參考記號上、及一光線接收系統，其被配置來接收從該參考記號被反射的光線。該對準偵測系統6偵測該晶圓14的對準位置及該晶圓14和該標線片15之間的對準位置。該對準偵測系統6可被配置為偏軸式(off-axis)對準偵測系統，其可在沒有使用該投影光學系統3下實施該參考記號的光學偵測。該焦距偵測系統7是一焦平面(focal plane)偵測裝置且包括一投射系統7a，其被配置來將偵測光線朝向該晶圓14的表面投射、及一光接收系統7b，其被配置來接收被反射的光線且被配置來偵測該晶圓14在Z軸方向上的位置(表面位置)。該投射系統7a及該光接收系統7b為了該對準偵測系統6而分別被設置在該等參考記號的斜上方。
該控制器20控制該曝光設備100的各個構 件的操作、調整及類此者。尤其是，在此實施例中，當輸送該沉浸液13時該控制器20如下文中詳細說明地控制該晶圓桌台5(第一桌台5a及第二桌台5b)的運動操作。該控制器20例如係被配置為一電腦或類此者，且經由一線路被連接至該曝光設備100的各個構件，藉以依據一程式或類此者來執行每一構件的控制。此外，該控制器20可和該曝光設備100的其它單元被一體地配置(在一共同的外殼內)，或被配置成一和該曝光設備100的其它單元分離的單元(在一分開的外殼內)。
接下來，將描述在此實施例中該第一桌台5a 和第二桌台5b之間的沉浸液13輸送操作。當使用於本文中時，“輸送操作”係指沉浸液13在每一桌台5a，5b之間的輸送操作，用以在一個桌台上的晶圓14的曝光已經完成，然後另一桌台被移動至該投影光學系統3底下之後，開始下一個晶圓14的曝光。首先，基本的輸送操作將參照圖2A至圖2C來描述。圖2A至圖2C為示意的剖面圖，其例示例如當該沉浸液13從該第一桌台5a的上表面被輸送至該第二桌台5b的上表面時的時間順序。 圖2A例示一組態，其中在被置於該投影光學系統3的下部分(曝光部分)的該第一桌台5a上的第一晶圓14a的曝光已完成，且固持該將接受後續的曝光操作的第二晶圓14b的該第二桌台5b已被移動至附近。當每一桌台5a，5b已被移動至一最大近接程度的組態時，間距d在沒有彼此接觸之下較佳地應儘可能地小。接下來，圖2B 例示在該沉浸液13輸送期間的組態。沉浸液13進入到該間距d的區域內是被一組態所禁止，在該組態中每一桌台5a，5b的間距d儘可能地小且在該組態中和每一桌台5a，5b上的沉浸液13接觸的部分的斥水性被保持在一很高的程度。圖2C例示該沉浸液13的輸送已完成的組態。在此組態中，該第一桌台5a開始用於該已經完成曝光操作的第一晶圓14a的回收作業，而該第二桌台5b則開始該第二晶圓14b的曝光操作。
接下來，在此實施例中的該沉浸液13的輸 送操作期間，各桌台5a，5b在XY平面上的操作將被描述。首先，一傳統的輸送操作將如一對照例般地被描述，用以闡明依據此實施例的輸送操作的特色。圖3是一流程圖，其例示對應於此實施例和傳統組態這兩者的輸送操作的基本順序。圖12A至圖12D為示意的平面圖，其例示在傳統的輸送操作期間的時間順序。尤其是，該等圖式被提供作為一用來完成在該第一桌台5a上的第一晶圓14a的曝光的示範性的組態，用以將該測量位置放置在該第二桌台5b上，或將第一圖案形成區放置在該曝光位置上。例示於圖12A至圖12D中的各個構件為了便於比較而被標以和此實施例的對應構件相同的標號。此外，例示於這些圖中的箭頭標示桌台5a，5b的每一者的移動軌跡。
首先，該控制器20在完成該第一桌台5a上的第一晶圓14a的曝光之後，將該第一桌台5a移動至該 沉浸液13的輸送位置(步驟A101)。圖12A例示當該第一桌台5a上的曝光完成之後桌台5a，5b的每一者的組態。在另一方面，圖12B例示該第一桌台5a從圖12A所示的組態被移動至該輸送位置的組態。傳統的晶圓桌台5例如將該輸送位置界定為一個避開在該桌台的側邊上的位置測量鏡子的位置，因此不論該第一晶圓14a上的最終圖案形成區的位置為何，該第一桌台5都被移動至該輸送位置。接下來，該控制器20移動該第二桌台5b，使得該第二桌台5b的輸送位置(在此例子中，其和該接收位置重合)和該第一桌台5a的輸送位置重合(步驟S102)。接下來，該控制器20將每一桌台5a，5b匹配在一起，然後平行地移動桌台5a，5b，藉以將該沉浸液13移至該第二桌台5b的輸送位置(步驟S103)。圖12C例示該第二桌台5b從圖12B所示的組態移動至該輸送位置之後，該沉浸液13被移至該第二桌台5b上的組態。然後，該控制器20促使該第一桌台5a撤回(移動至下一個被界定的位置)，然後促使該第二桌台5b可移動，使得在該第二桌台14b上的該第一圖案形成區和該曝光位置重合(步驟S104)。圖12D例示該第二桌台5b被移位且被設置在該測量位置的組態。以此方式，該晶圓桌台5在傳統組態中的輸送期間因為對一圖案形成區的曝光順序的關係而特別需要時間來進行步驟S102及S104的移動，其中該圖案形成區因為該輸送位置係被預先設定，所以被設定在該晶圓14上。
另一方面，在此實施例中，該控制器20如 下文中參照圖3所例示的順序移動每一桌台5a，5b。圖4A至圖4D為示意平面圖，其例示該輸送操作在此實施例中的時間順序。在圖4A至圖4D中的每一圖式對應於例示傳統輸送操作的圖12A至圖12D所示的每一組態。 此實施例和傳統輸送操作的不同點在於，用於每一桌台5a，5b的沉浸液的輸送位置並不是預先設定的。例如，在圖3所例示的此實施例的步驟S101的操作中，控制器20根據曝光完成位置(亦即，在該第一晶圓14a的最終圖案形成區內的曝光被完成的位置)來決定用於該第一桌台5a的沉浸液13輸送位置。在此組態中，該曝光完成位置是圖4A中被標示為沉浸液13的位置。該控制器20能夠根據一包括諸如一包含設定在該第一晶圓14a上的圖案形成區在內的佈局(layout)及和該佈局有關的曝光操作順序等資料的公式化的配方或類此者來在曝光操作之前認出該曝光完成位置。接下來，該控制器20在沒有改變之下在一預定的方向上將該第一桌台5a從圖4A中所例示的該曝光完成位置線性地移動至該沉浸液13被置於圖4B所示的桌台端部的位置處。該沉浸液13被置於圖4B所示的位置是此實施例中的該沉浸液13的輸送位置。“線性地移動(displace linearly)”一詞係指在一方向上的位移能夠在一被配置來驅動每一桌台5a，5b的驅動裝置的控制及組態下只使用一用於一個方向(在此處為X軸的方向)的驅動單元來驅動。另一方面，移動 至圖12B所示的該輸送位置的傳統移動是“斜的移位(inclined displacement)”，亦即，它使用至少兩個驅動單元於X軸方向及Y軸方向上驅動，用以從XY平面觀看時能夠實施斜的移位，如圖12D所示。該沉浸液13的輸送位置是由該第一桌台5a的側邊的整個區域來決定的。
此外，在此實施例在圖3所示的步驟S102 的操作中，該控制器20例如以下面的方式來決定該沉浸液13在該第二桌台5b上的輸送位置(接收位置)。亦即，該輸送位置被決定，使得該測量位置或該曝光開始位置(開始該第二晶圓14b的第一圖案形成區內的曝光的位置)和用於該第一桌台5a的輸送位置的單一方向(在此例子中為X軸方向)相匹配。在此例子中，該測量位置或該曝光開始位置(其在下文中被統稱為“處理位置”)是圖4C中被標示為沉浸液13的位置。該控制器20在沒有改變之下在一預定的方向上將該第二桌台5b從圖4C所示的輸送位置移動至圖4D所示之該沉浸液13被置於將被首次曝光的該圖案形成區的位置。
當和傳統的配置相較時，以上述的方式，該 曝光設備100可根據該第一處理位置或該曝光完成位置來決定在該沉浸液13的輸送時每一桌台5a，5b的輸送位置，藉以減少每一桌台5a，5b的移動時間。再者，因為每一桌台5a，5b在此時的移位是線性的，所以在驅動設備的動力效率或特性移位(characteristic displacement) 精確度方面是有其實用性。在此背景下，雖然每一桌台5a，5b的移位已參照X軸加以描述，但相同的內容在參照Y軸描述時亦適用。
圖5例示一用來闡明和使用傳統的曝光設備 的配置相較，此實施例之縮短每一桌台5a，5b的移位時間的功效的時機圖(水平軸是時間)。圖5A例示一依據傳統曝光設備的曝光順序的時機圖，及圖5B例示一依據此實施例的曝光設備100的曝光順序的時機圖。在圖5A及圖5B中，上面一排是用於第一桌台5a及下面一排係用於第二桌台5b。首先，該第一桌台5a的操作被例示為“曝光”、“移動至該沉浸液的輸送位置”、“輸送沉浸液”、“移動+回收/供應晶圓”、及“曝光準備(測量)”的流程。和此程序相對應地，該第二桌台5b的操作被例示為“曝光準備(測量)”、“移動至該沉浸液的輸送位置”、“輸送沉浸液”、“移動至測量位置”、“測量”、“移動至曝光位置”、及“曝光”的流程。當圖5A後圖5B相比較時，桌台5a、5b之“移動至該沉浸液的輸送位置”所需的時間及第二桌台5b之“移動至測量位置”所需的時間都因為上述的輸送操作的關係而被縮短。因此，當考量整體的曝光程序時，處理時間少於傳統曝光設備是可被理解的。處理時間的縮短具有提高該曝光設備的產量的功效。
接下來，以依據此實施例的該曝光設備100的實施為前提的每一桌台5a、5b的位置測量將被描述。 如上所述，每一桌台5a、5b在XY平面上的位置係使用一雷射干涉儀23來測量，且為了此目的，一鏡子22被設置在每一桌台5a、5b的每一側上。雖然依據揭露在日本專利申請公開案第2008-124219號中的該沉浸式曝光設備包括安裝一等效的鏡子，但該獨一無二的輸送位置被設定，用以避開該鏡子的安裝位置。關於此點，描述於此實施例中的該輸送方法在即使是該鏡子22已被安裝的時候仍能夠被執行，亦即，依該輸送位置而言，即使是在跨坐(straddling)在該鏡子22的側邊的時候，該沉浸液13的輸送(即，造成相對於鏡子的移位)仍是可能的。此特徵是由於實際的設備操作因為提升了目前的晶圓桌台5的組態或和控制有關的技術層次而能夠實施的關係。然而，在和傳統組態相同的方式中，該沉浸液13移動於該鏡子22的側邊上是較不好的。在此背景下，此實施例的該沉浸液13的輸送能夠藉由用下面的方式來實施每一桌台5a、5b的位置測量而被執行。
圖6A及圖6B為被設置在每一桌台5a、5b 上以取代雷射干涉儀23的一位置測量感測器(位置測量裝置)9及一作為該位置測量感測器9的一測量物件的參考板10的示意圖。圖6A是一立體圖，及圖6B是該位置測量感測器9的安裝位置的剖面圖。除了參考記號16將在實施對準測量時被測量之外，每一桌台5a、5b都包括安裝有一象差計18、一照明感測器17、及一漏水感測器24。在此實施例中，多個位置測量感測器9藉由避 開這些感測器或類此者的安裝位置而被設置在每一桌台5a、5b的表面上。每一桌台5a、5b在XY平面上的位置測量係藉由使用該位置測量感測器9偵測在該參考板10上的一參考點來實施的。在此方式中，因為沒有使用雷射干涉儀23的關係所以無須在每一桌台5a、5b的側表面上安裝一鏡子22，在傳統組態中關於該沉浸液13的輸送位置的限制即可被克服，且依據此實施例的輸送可被實施。在另一方面，圖7是一示意的平面圖，其例示一組態，其中鏡子22只被設置在每一桌台5a、5b的側邊或側表面上，該側邊或側表面是其上沒有實施該沉浸液13的輸送的側邊或側表面。此組態亦能構實施依據此實施例的輸送。
如上所述，依據此實施例，一種沉浸式曝光 設備被提供，其在有效率地輸送一沉浸液於一介於一晶圓桌台的多個桌台之間的表面上這方面是有助益的。
(第二實施例)
接下來，一種依據本發明的第二實施例的曝光設備將被描述。在上文中所描述的第一實施例中，當輸送該沉浸液13時，每一桌台5a、5b係平行地只被移動於一個方向上(在上面的例子中是X軸方向)。關於此點，依據此實施例的曝光設備具有一特徵，當輸送該沉浸液13時，每一桌台5a、5b不只被移動於該沉浸液13的輸送方向上，而且還移動於另一方向上(Y軸方向 上)。圖8是一流程圖，其例示依據此實施例的輸送操作的基本順序。圖9A至圖9D及圖10A至圖10C為示意平面圖，其例示依據此實施例的輸送操作的時間順序。 以和第一實施例的圖4A至圖4D相同的方式，一種組態被例示，在此組態中，在第一桌台5a上的第一晶圓14a的曝光完成之後，該被設置在該第二桌台5b的第二晶圓14b上的第一圖案形成區被放置到該曝光位置上。
首先，該控制器20完成該第一桌台5a上的 第一晶圓14a的曝光，然後將該第一桌台5a移動至該沉浸液13的輸送位置(步驟S201)。圖9A例示當該第一桌台5a上的曝光完成之後每一桌台5a、5b的組態。另一方面，圖9B例示該第一桌台5a在水平線上從圖9A所示的組態移動至該輸送位置的組態。該第一桌台5a在此時的移動意謂著桌台5a、5b避開互撞，因為在下一步驟中該第二桌台5b朝向Y軸方向的“+”邊移動(即，該第一桌台5a所在的一邊)。接下來，該控制器20將該第一桌台5a朝向Y軸方向的“-”邊移動並將第二桌台5b朝向Y軸方向的“+”邊移動(步驟S202)。圖9C例示每一桌台5a、5b開始移動的組態。在此時，該控制器20特別將該第二桌台5b移動至在X軸方向上的一個和該第一處理位置配合的位置。圖9D例示該第二桌台5b已被移動至X軸方向上的該位置處(即，實質上在X軸方向上的輸送位置)的組態。接下來，在該控制器20將該第一桌台5a移動於斜的方向上(即，Y軸方向的“-”邊及X 軸方向的“-”邊方向上)的同時，該控制器20將該第二桌台5b平行地移動於一完全水平的方向上(即，X軸方向的“-”邊方向上)且該沉浸液13藉以被移動至該第二桌台5b的該輸送位置(步驟S203)。圖10A例示每一桌台5a、5b在步驟S203開始之前的組態。圖10B例示該沉浸液13輸送至該第二桌台5b側之後的組態。然後，該控制器20在沒有改變之下將該第一桌台5a從該Y軸方向的“-”邊撤回(移動至下一個被指定的位置)，然後移動該第二桌台5b，用以將其放置在該第一處理位置(步驟S205)。圖10C例示在沒有改變之下該第一桌台5a朝向該Y軸方向的“-”邊移動，及該第二桌台5b移到該測量位置的移動。
依據此實施例，該第二桌台5b的該輸送操 作被配置來根據該第一處理位置(測量位置或曝光開始位置)決定用於該第二桌台5b的輸送位置。以此方式，用於該第二桌台5b的移動時間可被減少至比傳統的組態還少。此外，在此實施例中，在該沉浸液13的輸送側的該第一桌台5a在連串的輸送操作期間仍持續被移動於Y軸方向上。以此方式，該第一桌台5a可減少到達下一個被指定的位置(在此例子中，例如，是一晶圓輸送單元8(參見圖1))所花的時間。
圖11是依據此實施例的一時機圖。圖11對應於已被用來描述第一實施例的圖5。在此背景下，和例示傳統組態的圖5A相較，可被瞭解的是，上文所描述 的輸送操作可減少“移動+晶圓回收/供應”所需的時間，尤其是，用於第一桌台5a的時間，如圖11所示。再者，由於在該沉浸液13的輸送期間該第一桌台5a在Y軸方向的“-”邊的移動及該第二桌台5b在該Y軸方向的“+”邊的移動的關係(如圖10A至圖10B所示)，所以“移動至該沉浸液的輸送位置”所需的時間可被減少。因此，相較於傳統的曝光設備，依據此實施例的整體曝光程序亦可獲致處理時間減少的結果。
(裝置製造方法)
接下來，依據本發明的一實施例的一用來製造一裝置(如，半導體裝置、液晶顯示裝置、或類此者)的方法將被描述。該半導體裝置是用一積體電路被形成在一晶圓上的前端處理(front-end process)及一積體電路晶片被形成為在該前端處理中所形成的該晶圓上的積體電路的產品的後端處理(back-end process)來製造。該前端處理包括使用上文所述的曝光設備來將一塗覆了一光敏劑的晶圓曝光的步驟以及將該經過曝光的晶圓顯影的步驟。該後端處理包括一組裝步驟(分切及黏合)及一封裝步驟(密封)。該液晶顯示裝置是用一處理來製造，一透明的電極在該處理中被形成。該形成透明的電極的處理包括一將光敏劑施用於一玻璃基材上的步驟，該玻璃基材上沉積了一透明的導電膜、一使用上文所述的曝光設備將其上塗覆了該光敏劑的玻璃基材曝 光的步驟、及一將該經過曝光的玻璃基材顯影的步驟。依據此實施例的裝置製造方法，可製造出一比傳統的裝置具有更高品質的裝置。
雖然本發明已參考示範性實施例予以描述，但應被理解的是，本發明並不侷限於所揭示的示範性實施例。下面申請專利範圍的範圍應和最廣義的解讀一致，用以涵蓋所有的變型及等效結構及功能。
本案和2013年9月9日提申之日本專利申請案第2013-185914號相關，其藉由此參照而被併於本案的內容中。
5a‧‧‧第一桌台
5b‧‧‧第二桌台
13‧‧‧沉浸液
14a‧‧‧第一晶圓
14b‧‧‧第二晶圓

Claims (20)

  1. 一種曝光設備，其包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置(configured)來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動，其中，該控制器被配置成根據用於一另一桌台固持的該基材的一第一處理位置來決定用來將被供應至該等多個桌台的一個桌台上的沉浸液輸送至該另一桌台的接收位置，該沉浸液係根據該基材上的一圖案形成區的布局的資訊而被獲得。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該第一處理位置係用於開始該曝光操作或用於該曝光區內的測量。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該控制器被配置成根據該一個桌台的曝光完成位置來決定用於該一個桌台的沉浸液的輸送位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該等多個桌台包含一位置測量裝置，其被配置成藉由將光照射至一安裝在該等多個桌台之面向該位置測量裝置的各別表面上的參考板來測量一桌台位置。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其更包含： 一干涉儀，其被配置來測量該等多個桌台的位置；及一鏡子，其被設置在該等多個桌台的側邊上且被配置來將由該干涉儀照射來的光反射，其中該鏡子不是被安裝在該一個桌台的該沉浸液的一輸送側上及該另一個桌台的該沉浸液的一接收側上接收。
  6. 一種裝置製造方法，包含：使用一曝光設備將一基材曝光；及將該被曝光的基材顯影，其中：該曝光設備包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動，其中，該控制器被配置成根據用於一另一桌台固持的該基材的一第一處理位置來決定用來將被供應至該等多個桌台的一個桌台上的沉浸液輸送至該另一桌台的接收位置，該沉浸液係根據該基材上的一圖案形成區的布局的資訊而被獲得。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該控制器被配置來控制該一個桌台的位移，用以在將該一個桌台移動於一朝向一用來運送被該一個桌台固持的該基材的輸送 單元的方向上的同時，將供應至該一個桌台上的沉浸液輸送至該另一個桌台。
  8. 如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該接收位置是在該另一個桌台上的該沉浸液可藉由該另一個桌台的直線位移而移動至該第一處理位置的一個位置。
  9. 一種曝光設備，其包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動以及改變該等多個桌台的一個桌台上的一用來接受從該等多個桌台的另一個桌台被供應的沉浸液的接收位置，使得當該一個桌台上或被該一個桌台所固持的該基材上的一第一處理將在一第一處理位置被實施時，該一個桌台在一第一接受位置接受該沉浸液，以及當該一個桌台上的一第二處理將在不同於該第一處理位置的一第二處理位置被實施時，該一個桌台係在不同於該第一接受位置的一第二接受位置接受該沉浸液。
  10. 一種曝光設備，其包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和 被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動，其中，該控制器被配置來控制該等多個桌台的驅動，使得在該控制器將一個桌台朝向一合成方向(composite direction)移動的同時，該沉浸液從該一個桌台被供應至另一個桌台，該合成方向是一被定於一第一方向上的第一向量和一被定向於一和該第一方向成直角的第二方向上的第二向量的總和，該控制器進一步將該另一個桌台朝向該第一方向移動。
  11. 如申請專利範圍第10項之曝光設備，其中一用來運送被該一個桌台固持的該基材的輸送單元是在該第二方向上被提供至該一個桌台。
  12. 如申請專利範圍第9項之曝光設備，其中該第一處理及該第二處理的每一者是一實施在該一個桌台的一測量位置上的測量操作及一實施在該一個桌台所固持的該基材的一曝光位置上的曝光操作的一者。
  13. 如申請專利範圍第9項之曝光設備，其中該控制器被進一步建構來根據該另一個桌台上的一曝光完成位置來改變該另一個桌台上的一用來供應該沉浸液至該一個桌台的輸送位置，使得當該另一個桌台上的曝光處理是在一第一曝光完成位置結束時該沉浸液係從一第一輸送位置被 供應，及當該另一個桌台上的該曝光處理是在不同於該第一曝光完成位置的一第二曝光完成位置結束時該沉浸液係從不同於該第一輸送位置的一第二輸送位置被供應。
  14. 如申請專利範圍第9項之曝光設備，其中該等多個桌台包含一位置測量裝置，其被配置成藉由將光照射至一安裝在該等多個桌台之面向該位置測量裝置的各別表面上的參考板來測量一桌台位置。
  15. 如申請專利範圍第9項之曝光設備，其更包含：一干涉儀，其被配置來測量該等多個桌台的位置；及一鏡子，其被設置在該等多個桌台的側邊上且被配置來將由該干涉儀照射來的光反射，其中該鏡子不是被安裝在該一個桌台的該沉浸液的一輸送側上及該另一個桌台的該沉浸液的一接收側上接收。
  16. 一種裝置製造方法，包含：使用一曝光設備將一基材曝光；及將該被曝光的基材顯影，其中：該曝光設備包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動及改 變該等多個桌台的一個桌台上的一接受位置，用以接受從該等多個桌台的另一個桌台供應的該沉浸液，使得當該一個桌台上或被該一個桌台所固持的該基材上的一第一處理將在一第一處理位置被實施時，該一個桌台在一第一接受位置接受該沉浸液，以及當該一個桌台上的一第二處理將在不同於該第一處理位置的一第二處理位置被實施時，該一個桌台係在不同於該第一接受位置的一第二接受位置接受該沉浸液。
  17. 一種曝光設備，其包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動以及根據一個桌台上的一曝光完成位置來改變在該一個桌台上的一用來供應該沉浸液至另一個桌台的輸送位置，使得當該一個桌台上的曝光處理在一第一曝光完成位置結束時該沉浸液係從一第一輸送位置被供應，及當該一個桌台上的該曝光處理是在不同於該第一曝光完成位置的一第二曝光完成位置結束時該沉浸液係從不同於該第一輸送位置的一第二輸送位置被供應。
  18. 如申請專利範圍第17項之曝光設備，其中該等多 個桌台包含一位置測量裝置，其被配置成藉由將光照射至一安裝在該等多個桌台之面向該位置測量裝置的各別表面上的參考板來測量一桌台位置。
  19. 如申請專利範圍第17項之曝光設備，其更包含：一干涉儀，其被配置來測量該等多個桌台的位置；及一鏡子，其被設置在該等多個桌台的側邊上且被配置來將由該干涉儀照射來的光反射，其中該鏡子不是被安裝在該一個桌台的該沉浸液的一輸送側上及該另一個桌台的該沉浸液的一接收側上接收。
  20. 一種裝置製造方法，包含：使用一曝光設備將一基材曝光；及將該被曝光的基材顯影，其中：該曝光設備包括一用來測量一基材的測量區，一用來透過一投影光學系統將該基材曝光之不同於該測量區的曝光區、並在供應一沉浸液至該投影光學系統和被設置在該曝光區中的該基材之間的同時執行曝光操作，該曝光設備包含：多個桌台，其中每一桌台被配置來固持該基材且是可移動的；及一控制器，其被配置來控制該等多個桌台的驅動及根據一個桌台上的一曝光完成位置來改變在該一個桌台上的一用來供應該沉浸液至另一個桌台的輸送位置，使得當該一個桌台上的曝光處理在一第一曝光完成位置結束時該沉浸液係從一第一輸送位置被供應，及當該一個桌台上的該 曝光處理是在不同於該第一曝光完成位置的一第二曝光完成位置結束時該沉浸液係從不同於該第一輸送位置的一第二輸送位置被供應。
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