TWI607103B - 蒸鍍源及應用所述蒸鍍源的蒸鍍裝置 - Google Patents

Description

蒸鍍源及應用所述蒸鍍源的蒸鍍裝置

本發明是有關於一種蒸鍍源及蒸鍍裝置，也是有關於一種可於待鍍目標上形成均勻鍍膜的蒸鍍源及應用所述蒸鍍源的蒸鍍裝置。

通常，蒸鍍裝置是用以沉積各種電子零件之薄膜，電子零件可例如為半導體、液晶顯示器及有機發光二極體(OLED)顯示裝置等。

舉例而言，有機發光二極體顯示裝置可包含陽極、有機發光層、一或多層有機薄膜及在基材上之陰極。於高真空室內，有機薄膜可藉由熱蒸鍍程序形成。例如，基材可放置在高壓真空室的上部，且蒸鍍源可設於高壓真空室之較低位置。於蒸鍍源之坩堝內的粉狀有機材料可能蒸發，於高真空下已蒸發之有機材料則以氣態形式散開，因此，已蒸發之有機材料進一步貼附至基材。貼附至基材的有機材料凝固而形成一薄膜。

本發明一實施例提供一種蒸鍍源，其擋片的位置可以調整，且因此能夠於待鍍目標上形成均勻厚度的鍍膜。

本發明一實施例提供一種蒸鍍裝置，其具有前述的蒸鍍源，且因此能夠於待鍍目標上形成均勻厚度的鍍膜。

本發明一實施例的一種蒸鍍源，包括坩堝、加熱器、流道以及多個擋片。坩堝適於容納待蒸鍍的材料；加熱器鄰近坩堝放置，適於加熱坩堝；坩堝與流道的第一側連接，而流道相對於第一側的第二側具有排氣口；擋片設置於排氣口，且擋片於排氣口的位置可調整。

本發明一實施例的一種蒸鍍裝置，包括前述的蒸鍍源以及腔體，其中蒸鍍源設置於腔體中，且腔體提供密封空間以對待鍍目標進行蒸鍍。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

對於本領域人員而言，在待鍍目標上形成厚度均勻的膜層所需考慮的變因非常多，如待鍍目標(例如為基板)的幅寬、材料鍍率、待鍍目標移動速率、待鍍目標與蒸鍍源之間的距離、蒸鍍氣體的流量以及坩堝溫度等等，都會影響鍍在待鍍目標上的膜層的厚度。然而，由於上述變因彼此間又互相有關聯性，因此往往牽一髮而動全身，只要某一個變因的參數沒有設定好，便有可能造成鍍膜的厚度不均勻。

本發明實施例提出可方便操作且可於待鍍目標上形成均勻厚度的膜層的蒸鍍源及使用此蒸鍍源的蒸鍍裝置。

圖1為本發明一實施例的蒸鍍裝置的示意圖，而圖2為圖1中蒸鍍裝置的蒸鍍源的俯視圖。請同時參考圖1及圖2，蒸鍍裝置200包括蒸鍍源100以及腔體150，其中腔體150用以提供密封空間，且待鍍目標S適於放置在腔體150中，而設置於腔體150中的蒸鍍源100釋放出蒸鍍氣體以對待鍍目標S進行蒸鍍製程，以在待鍍目標S的表面上形成薄膜。此外，蒸鍍裝置200還包括與腔體150連接的真空泵160，真空泵160用以將腔體150抽真空，以利蒸鍍源100釋放出的蒸鍍氣體會均勻地於腔體150中擴散，進而提供良好的蒸鍍環境。

承上述，蒸鍍源100包括坩堝110、加熱器120、流道130以及多個擋片140。坩堝110適於容納待蒸鍍的材料，而加熱器120鄰近坩堝110放置以加熱坩堝110；坩堝110與流道130的第一側131連接，而流道130相對於第一側131的第二側132具有排氣口133；擋片140設置於排氣口133，且擋片140於排氣口133的位置可調整，而通過調整擋片140於排氣口133的位置可以改變蒸鍍氣體自排氣口133釋出的位置。

於本實施例中，加熱器120為加熱線圈，此加熱線圈纏繞坩堝110，且加熱線圈在通電後可以提供熱給坩堝110，以使容納在坩堝110中的待蒸鍍的材料蒸發後釋出蒸鍍氣體。

流道130例如呈矩形，而自坩堝110所釋放出的蒸鍍氣體自流道130的第一側131進入流道130中，然後經由位在流道130的第二側132且大致呈長條矩形狀的排氣口133排出。

一般而言，除非自坩堝110釋放出的蒸鍍氣體的流速極快，而可以在極短的時間內於流道130內自靠近坩堝110處流動至相對遠離坩堝110的地方，否則無可避免地，一般狀況下，在接近坩堝110處自流道130的排氣口133所釋出的蒸鍍氣體通常較濃厚，而相對遠離坩堝110處而自排氣口133釋出的蒸鍍氣體通常較為稀薄。為了改善此一狀況，因此更於排氣口133處設置了可以調整位置的擋片140，以藉由擋片140調整蒸鍍氣體自排氣口133釋出的位置。

擋片140的位置的調整需要考量前述各項變因的參數設定，其中當各項參數確定之後，便可以依照需求來調整擋片140於排氣口133的位置。

確切地說，先決定待鍍目標S以及待鍍目標S(例如為基板)的幅寬、欲在待鍍目標S上形成的膜層的材料、材料鍍率、待鍍目標S移動速率、待鍍目標S與蒸鍍源100之間的距離、蒸鍍氣體的流量以及坩堝110的溫度等等因素，便可以根據上述的參數來確認擋片140於排氣口133的位置以及擋片140與擋片140之間的距離。

為了方便地調整擋片140於排氣口133處的位置，還可選擇性地於前述的流道130的第三側134及/或第四側135設置刻度136，其中第三側134以及第四側135為位在排氣口133的相對兩側。因此，當需要調整擋片140於排氣口133的位置時，便能夠依據刻度136而方便地調整，不需要再重新測量位置。

前述的擋片140的材質可以選用金屬或石墨，且為了避免擋片140自排氣口133脫落而遺失，因此擋片140可以是可調整地固設於流道130的排氣口133處。此處的固設並非是指擋片140固定地排列在排氣口133處且無法改變位置，而是指擋片140藉由其他元件而連接於流道130，雖然無法自流道130上拆卸下來，但是擋片140仍可以經由手動或自動的方式而改變其於排氣口133的位置。當然，為了方便維修人員進行流道130或擋片140的維修或更換，擋片140也可以是以能夠自排氣口133處拆卸下來的方式裝設。這兩種設置方式可依照實際需求而選用。

圖3A、圖3B及圖3C為擋片140的不同實施方式的示意圖。請先參考圖2及圖3A。以擋片140可拆卸地裝設於流道130的排氣口133為例說明，擋片140的截面形狀可為T形、工形或ㄇ形，擋片140的形狀及大小並不侷限於以下所舉的例子，只要能夠罩覆住局部的排氣口133即可。以擋片140的截面形狀呈T形為例說明，將擋片140裝設於流道130為使擋片140的垂直部伸入排氣口133中而擋片140的平行部放置於流道130上，且憑藉擋片140的自重使擋片140的平行部抵靠於流道130的頂面上。當欲將擋片140自排氣口133處拆卸下來時，只需要直接將擋片140取起即可。

承上述，請同時參考圖2及圖3B，當擋片140的截面形狀為工形時，將擋片140裝設於流道130為先將擋片140的部分伸入排氣口133中後，旋轉90度，以使擋片140的上平行部可以抵靠在流道130的頂面，而擋片140的下平行部可以受到流道130的頂壁的限制而相對流道130固定。為了裝設方便以及提供良好的氣體遮蔽率，擋片140的上平行部的面積可以大於下平行部。當欲將擋片140自排氣口133處拆卸下來時，只需要將上述步驟反向操作即可。

請同時參考圖2及圖3C，當擋片140的截面形狀為ㄇ形時，可直接將擋片140放置於流道130上，其中擋片140的平行部罩覆排氣口133以遮蔽排氣口133的局部，且平行部更跨過排氣口133兩側流道130的側壁，而垂直部與流道130的側壁平行。

請繼續參考圖3A、圖3B及圖3C，至少部分的擋片140可更具有貫穿擋片140的頂面及底面的貫穿孔142，且蒸鍍氣體可通過貫穿孔142而釋放。此貫穿孔142的直徑可為1~3公厘，且藉由貫穿孔142可微調蒸鍍氣體排出的流量。當然，其餘的擋片140可不具有貫穿孔142，如圖3D、圖3E及圖3F所示。在另一實施例中，擋片140可皆具有貫穿孔142或可皆不具有貫穿孔142。

請繼續參考圖1及圖2，坩堝110位於流道130的中間部分的下方，因此由坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體自流道130的第一側131的中間部分注入流道130中，所以在一般狀態下當蒸鍍氣體進入流道130中後，蒸鍍氣體的濃度在流道130的中間部分向兩側漸稀薄。特別的是，在坩堝110所釋放的蒸鍍氣體進入流道130的對應上方的排氣口133處設置擋片140，以藉由擋片140調整蒸鍍氣體的流向以及改變蒸鍍氣體自排氣口133的釋出位置。詳細而言，在靠近流道130的中間部分，擋片140可較為密集的排列，即擋片140之間的間隙較小；而在自中間部分(即蒸鍍氣體注入處)向第一側131的兩末端131a、131b(即流道130的左、右兩側)的方向上，擋片140之間的間隙逐漸增大。經由這樣的擋片140設置方式，不僅可以防止蒸鍍氣體自坩堝110進入流道130之後直接向上從排氣口133散逸，擋片140還可導引蒸鍍氣體向擋片140的兩側流動後自排氣口133釋放出，因此在排氣口133以及待鍍目標S之間距離排氣口133的一預設距離處可以獲得具有均勻蒸鍍氣體的蒸鍍環境。

附帶一提，上述的蒸鍍氣體的流速相對較大時，由於蒸鍍氣體可以很快地自流道130的中間部分流動至流道130的兩末端131a、131b處，所以擋片140之間的最大間隙與擋片140之間的最小間隙的差值較小；反之，當蒸鍍氣體的流速相對較小時，蒸鍍氣體無法很快地自流道130的中間部分流動至流道130的兩末端131a、131b處，所以擋片140之間的最大間隙與擋片140之間的最小間隙的差值較大。

請繼續參考圖1，為了進一步讓從排氣口133釋放出的蒸鍍氣體更為均勻，蒸鍍源100可更包括選擇性地設置於流道130的進氣口的上方的擋板170，其中擋板170的法線方向N平行於由坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體的注入方向A。在自坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體注入流道130中後會先接觸到擋板170，然後經由擋板170的阻隔與引導，使蒸鍍氣體的一部分朝向擋板170的外側流動至流道130的兩側後從排氣口133逸出，而蒸鍍氣體的一部分繞過擋板170向上從排氣口133逸出。

圖4A為擋板的另一種實施方式的示意圖。請參考圖4A，蒸鍍源100中設置在流道130中的擋板170可為多個，且擋板170的法線方向N垂直於由坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體的注入方向A，其中擋板170具有通氣孔172以讓蒸鍍氣體可以藉由通氣孔172流通，而越遠離蒸鍍氣體的注入處的擋板170的通氣孔172越大。藉此，可調整蒸鍍氣體自排氣口133的每一處所排出的量。

圖4B為蒸鍍源的另一種實施方式的示意圖。請參考圖4B，與前述圖1的蒸鍍源100不同的是，圖4B中由坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體是自流道130的第一側131的兩末端131a、131b的其中一端(圖4B中坩堝110靠近末端131b注入蒸鍍氣體)注入流道130中，因此在蒸鍍氣體的流速並沒有快到足以使從此末端131b到另一末端131a的從排氣口133逸出的蒸鍍氣體的量均相同的情況下，蒸鍍氣體於此末端131b從排氣口133逸出的量會大於另一末端131a從排氣口133逸出的量。為了改善此一問題，讓從排氣口133從末端131b至另一末端131a逸出蒸鍍氣體的量均勻，可如圖4A的實施方式，在流道130中設置擋板170，其中擋板170的法線方向N垂直於由坩堝110釋放出來的蒸鍍氣體的注入方向A。擋板170具有通氣孔172，且自此末端131b至另一末端131a間隔設置的擋板170的通氣孔172漸大。

圖5A、圖5B及圖5C為裝設在蒸鍍裝置中以便於使用者調整擋片在排氣口的位置的傳送組件的示意圖。請同時參考圖5A、圖5B及圖5C，傳送組件包括磁鐵181、軸桿182以及齒輪183。使用磁鐵181以磁力吸附住擋片140，然後經由其他的元件移動磁鐵181，進而帶動擋片140移動。用來使磁鐵181移動的元件為軸桿182及齒輪183，其中一個齒輪183與磁鐵181固定在一起，而一個齒輪183設置在軸桿182的末端，且兩個齒輪183互相嚙合，因此當使用者轉動軸桿182時，可以藉由齒輪183的轉動帶動擋片140移動。

需注意的是，擋片140的移動受限於兩個齒輪183的齒輪比大小，因此各個擋片140的移動距離是受限的，這是為了避免與磁鐵181相固定的齒輪183脫離設置於軸桿182的齒輪183。

在另一種未繪示的實施方式中，也可以是可以在流道130的側壁設置多個電磁鐵，並且利用電磁鐵的通電與否以改變對應電磁鐵設置的擋片140於排氣口133的位置。詳細而言，一個擋片140可以對應位於兩個電磁鐵之間，因此當需要改變擋片140的位置時，可以選擇對兩個電磁鐵中的其中一個通電，而通電後電磁鐵產生磁性吸引擋片140移動，以改變擋片140的位置。

圖5D為擋片與傳送組件的另一種實施方式的示意圖。請同時參考圖5B、圖5C及圖5D，可更簡化掉與擋片140相耦合的齒輪，而直接將擋片140的適當處設置為齒條狀，例如當擋片140為ㄇ形時，可以是將擋片140的兩個垂直部的下緣設置為齒條狀，而設置在流道130的側壁外部的齒輪與齒條相嚙合；而當擋片140為T形時，可以是將擋片140的水平部的兩端的下緣設置為齒條狀，而齒輪183與軸桿182樞接，並且齒輪183會被流道130暴露出來以與齒條相嚙合。如此一來，可直接操作軸桿182而改變擋片140的位置，且相較於前述的實施方式可以少使用至少一個零組件，有效地減少成本。

圖5E為選用皮帶輪做為傳送組件的示意圖。請參考圖5E，也可以是在流道130的外側壁上設置皮帶輪184，使皮帶輪184與放置在流道130上的擋片140互相接觸，且皮帶輪184由中央控制單元(未繪示)來控制。因此，當皮帶輪184開始轉動時，可以帶動擋片140移動。通過此方式，可以使用電控方式以自動化地改變擋片140的位置。

前述的軸桿182除了可以是由操作人員人為地操作之外，可更使蒸鍍裝置200包括機械手臂190以自動化地操作軸桿182進而調整擋片140在排氣口133的位置，以達到蒸鍍製程自動化的目標。

圖6為流道的另一種實施方式的俯視圖。請參考圖6，與前述實施例不同的是，圖6中的流道130的排氣口137並非呈長條矩形狀的一個排氣口，而是由多個排氣口137排列成NxM的矩陣，其中N及M為大於或等於1的正整數。圖6中的排氣口137排列成2x15的矩陣。擋片140可依照需求而對應放置在需要的排氣口137處。以本實施方式而言，擋片140可以是ㄇ形，且一次罩覆排列在同一行(以直向為行而橫向為列)的兩個排氣口137上。前述的傳送組件及機械手臂也可應用於此實施方式中。當然，擋片140也可以是T形，而傳送組件的選用可以依照實際需求而變更。隨著排氣口137的形狀變化，傳送組件的選用以及擋片的形狀都需要隨之變更。

附帶一提，兩個排氣口137之間可以狹縫(未示出)連接，且前述的擋片140覆蓋排氣口137時，也可以更罩覆住部份的狹縫。

蒸鍍裝置200還可包括用來控制蒸鍍氣體的注入與否的閥門、鍍膜監控系統及製造執行系統等，而這些設備為可依據不同需求而選用，因此於此處不予過多的討論。

圖7為蒸鍍氣體自蒸鍍源進入流道的速率示意圖。表1所示的案例1至案例10係以圖7的蒸鍍源設置架構，不同案例具有不同的製造率、孔徑或間隙，而表2為依據表1而獲得的不同案例的非均勻性，其中表1中的製造率是指從坩堝110(如圖1示)所釋放出來的蒸鍍氣體，而表2中的(35)、(30)表示待鍍目標S的幅寬分別為35公分及30公分。

圖8A至圖8D為依據表1的案例1至案例10的孔徑變化以及間隙變化的示意圖。如表1及圖8A示，案例1至案例3只有製造率不同，而孔徑及間隙的設置皆相同(即孔徑為10公厘而間隙為15公厘)；所得的非均勻性如表2的案例1至案例3所示。

而圖8B表示案例4至案例6中，間隙被固定為15公厘，且固定孔徑的變化方式，只有改變製造率。由圖8C所示可知，案例7至案例9的孔徑及間隙的變化方式固定，只有製造率不同。而從圖8B及圖8D可以看出，案例4至案例6與案例10的間隙相同，但是孔徑不同。

將案例3、案例6、案例9及案例10相比較來說明，這4個案例中的製造率相同但孔徑及間隙有所變化而不同，而從表2的結果可以判別出案例10所獲得的均勻度最佳，如圖9示。

此外，再從表2的結果可以看出，不同的待鍍目標S的幅寬會得到不同的沉積均勻度，幅寬為30公分的待鍍目標S的均勻度優於幅寬為35公分的待鍍目標S的均勻度。

綜上所述，本發明實施例中的蒸鍍源中使用了擋片以導引蒸鍍氣體的流動方向且可以調整蒸鍍氣體自排氣口排出的位置，進而讓使用此蒸鍍源的蒸鍍裝置可以具有良好的蒸鍍環境，以於待鍍目標上形成均勻的鍍膜。此外，可以在蒸鍍裝置的腔體外方便地控制擋片的位置。

更進一步而言，本發明實施例的蒸鍍源以及使用此蒸鍍源的蒸鍍裝置透過可以調整位置的擋片而可以對不同的蒸鍍材料、不同的鍍率、不同的流道設計、不同的鍍膜距離、不同的壓力，或其他的變異所造成的鍍膜均勻性變化做出最快速、最便捷以及最省成本的調整，且同時保有鍍膜的最佳均勻性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

200‧‧‧蒸鍍裝置

100‧‧‧蒸鍍源

110‧‧‧坩堝

120‧‧‧加熱器

130‧‧‧流道

131‧‧‧第一側

131a、131b‧‧‧末端

132‧‧‧第二側

133、137‧‧‧排氣口

134‧‧‧第三側

135‧‧‧第四側

136‧‧‧刻度

140‧‧‧擋片

142‧‧‧貫穿孔

150‧‧‧腔體

160‧‧‧真空泵

170‧‧‧擋板

172‧‧‧通氣孔

181‧‧‧磁鐵

182‧‧‧軸桿

183‧‧‧齒輪

184‧‧‧皮帶輪

190‧‧‧機械手臂

S‧‧‧待鍍目標

N‧‧‧法線方向

A‧‧‧注入方向

圖1為本發明一實施例的蒸鍍裝置的示意圖。 圖2為圖1中蒸鍍裝置的蒸鍍源的俯視圖。 圖3A、圖3B及圖3C為擋片的不同實施方式的示意圖。 圖3D、圖3E及圖3F為不同實施方式的擋片不具有貫穿孔的示意圖。 圖4A為擋板的另一種實施方式的示意圖。 圖4B為蒸鍍源的另一種實施方式的示意圖。 圖5A、圖5B及圖5C為裝設在蒸鍍裝置中以便於使用者調整擋片在排氣口的位置的傳送組件的示意圖。 圖5D為擋片與傳送組件的另一種實施方式的示意圖。 圖5E為選用皮帶輪做為傳送組件的示意圖。 圖6為流道的另一種實施方式的俯視圖。 圖7為蒸鍍氣體自蒸鍍源進入流道的速率示意圖。 圖8A為案例1至案例3的孔徑及間隙的示意圖。 圖8B為案例4至案例6的孔徑及間隙的示意圖。 圖8C為案例7至案例9的孔徑及間隙的示意圖。 圖8D為案例10的孔徑及間隙的示意圖。 圖9為案例10的沉積速率示意圖。

200‧‧‧蒸鍍裝置

100‧‧‧蒸鍍源

110‧‧‧坩堝

120‧‧‧加熱器

130‧‧‧流道

131‧‧‧第一側

131a、131b‧‧‧末端

132‧‧‧第二側

140‧‧‧擋片

150‧‧‧腔體

160‧‧‧真空泵

170‧‧‧擋板

S‧‧‧待鍍目標

N‧‧‧法線方向

A‧‧‧注入方向

Claims (25)

1. 一種蒸鍍源，包括：坩堝，適於容納待蒸鍍的材料；加熱器，鄰近所述坩堝放置，適於加熱所述坩堝；流道，所述坩堝與所述流道的第一側連接，而所述流道相對於所述第一側的第二側具有排氣口；以及多個擋片，所述擋片設置於所述排氣口，所述排氣口的形狀為固定，且所述擋片為可活動的且可於所述排氣口的一方向上變動位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述流道還具有第三側以及第四側，其中所述第三側以及所述第四側位在所述排氣口的相對兩側，且所述第三側以及所述第四側的至少其中一側設置有刻度，而所述擋片的設置位置能夠依據所述刻度調整。
3. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述擋片能夠自所述排氣口拆卸。
4. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述擋片的截面形狀為工形，且所述擋片放置於所述流道並伸入所述排氣口中後，旋轉90度以相對所述流道固定。
5. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述擋片的形狀為ㄇ形，且所述擋片放置於所述流道上。
6. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述排氣口呈長條矩形狀。
7. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述排氣口有多個，且所述排氣口排列成NxM的矩陣，其中N及M為大於或等於1的正整數。
8. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中由所述坩堝釋放出來的蒸鍍氣體自所述第一側的中間部分注入所述流道中。
9. 如申請專利範圍第8項所述的蒸鍍源，其中所述擋片之間的間隙自所述蒸鍍氣體注入處朝向第一側的兩末端漸大。
10. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中由所述坩堝釋放出來的蒸鍍氣體自所述第一側的兩末端的其中一端注入所述流道中。
11. 如申請專利範圍第10項所述的蒸鍍源，其中所述擋片之間的間隙自所述蒸鍍氣體注入處朝向另一側漸大。
12. 如申請專利範圍第9項或第11項所述的蒸鍍源，其中所述蒸鍍氣體的流速相對較大時，所述擋片之間的最大間隙與所述擋片之間的最小間隙的差值較小；而當所述蒸鍍氣體的流速相對較小時，所述擋片之間的最大間隙與所述擋片之間的最小間隙的差值較大。
13. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述擋片的材質為金屬或石墨。
14. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中所述擋片的形狀為T形，且所述擋片的平行部放置於所述流道上而所述擋片的垂直部伸入所述排氣口中。
15. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，其中至少部分所述擋片具有貫穿孔，且所述貫穿孔貫穿所述擋片的頂面及底面。
16. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，更包括擋板，設置於所述流道的進氣口的上方，且所述擋板的法線方向平行於由所述坩堝釋放出來的蒸鍍氣體的注入方向。
17. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍源，更包括多個擋板，設置於所述流道中，其中所述擋板具有通氣孔，且所述擋板的法線方向垂直於由所述坩堝釋放出來的蒸鍍氣體的注入方向。
18. 如申請專利範圍第17項所述的蒸鍍源，其中所述擋板越遠離所述蒸鍍氣體的注入處，所述擋板的所述通氣孔越大。
19. 一種蒸鍍裝置，包括：如申請專利範圍第1項至第18項中的任一項的蒸鍍源；以及腔體，提供密封空間以對待鍍目標進行蒸鍍，其中所述蒸鍍源設置於所述腔體中。
20. 如申請專利範圍第19項所述的蒸鍍裝置，更包括傳送組件，與所述擋片干涉，以改變所述擋片的位置。
21. 如申請專利範圍第20項所述的蒸鍍裝置，其中所述傳送組件包括：軸桿；一對齒輪，且所述齒輪彼此嚙合，其中一個所述齒輪裝設於所述軸桿的其中一末端；以及磁鐵，設置於另一個所述齒輪上，且以磁力吸附所述擋片。
22. 如申請專利範圍第20項所述的蒸鍍裝置，其中所述傳送組件包括軸桿以及齒輪，且所述齒輪裝設於所述軸桿的其中一末端，而所述擋片的下緣具有齒條，且所述齒輪與所述擋片的所述齒條對應嚙合。
23. 如申請專利範圍第20項所述的蒸鍍裝置，其中所述傳送組件為皮帶輪。
24. 如申請專利範圍第20項所述的蒸鍍裝置，更包括機械手臂，能夠自動化地操作傳送組件。
25. 如申請專利範圍第19項所述的蒸鍍裝置，更包括真空泵，與所述腔體連接。