TWI607246B - 擴散器、使用其的雷射光源模組與其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種擴散器、使用其的雷射光源模組與其製作方法。
近年來，雷射已經被應用於許多領域之中，例如雷射被應用於照明與顯示器之中，雷射可以被調製成為雷射光源，並應用於相關消費性電子產品，像是應用於光學投影機之中。
此外，於雷射被調製成為雷射光源的應用之中，由於雷射光源所提供的雷射光束可以聚焦成很小的光斑，其可具有非常高的輻照度。另一方面，對於不同的需求，雷射光源所提供的雷射光束可透過擴散片而具有散射角，使得雷射光源可更進一步應用於聚光燈、車頭燈、投影技術或平面顯示。然而，當雷射光束的散射角需被設定為小角度時，擴散片的製作工藝將會是一大挑戰。
本發明之一實施方式係提供一種雷射光源模組，包含雷射光源與擴散器。擴散器包含膠體層，雷射光束可透過膠體層的微結構擴散，並透過擴散器內各層元件的折射率配置調整雷射光束的擴散角，使得雷射光束的擴散角可滿足預設條件。當雷射光束透過擴散器擴散後，雷射光束可具有小角度的擴散角。此外，藉由擴散器內各層元件的折射率配置，可以允許膠體層的微結構有較大的粗糙度範圍，使得擴散器的製程可以被簡化，藉以降低擴散器的製造成本。
本發明之一實施方式係提供一種擴散器，包含第一基板與膠體層。第一基板的第一折射率係為n1。膠體層包含本體與微結構。本體設置於第一基板上。微結構設置於本體上，其中微結構之尺寸小於本體之尺寸，且本體係位於微結構與第一基板之間。膠體層的第二折射率係為n2，其中n1＞n2。
於部分實施方式中，擴散器更包含第一抗反射層。第一抗反射層設置於第一基板上，且第一基板係位於第一抗反射層與膠體層之間。
於部分實施方式中，第一基板的第一折射率n1與膠體層的第二折射率n2的關係為n1＞n2＞(n1+1)/2。
於部分實施方式中，擴散器更包含第二基板，其中膠體層係位於第一基板與第二基板之間。
於部分實施方式中，第二基板與第一基板具有實質上相等的折射率。
於部分實施方式中，第二基板具有起伏面，朝向膠體層的微結構。膠體層的微結構填補於第二基板的起伏面。
於部分實施方式中，第一基板具有起伏面，朝向膠體層。膠體層包含複數個微結構，且複數個微結構之中的一部分填補於第一基板的起伏面，而複數個微結構之中的另一部分填補於第二基板的起伏面。
於部分實施方式中，擴散器更包含第二抗反射層。第二基板係位於第二抗反射層與膠體層之間。
於部分實施方式中，擴散器更包含第二抗反射層。第二抗反射層係位於第二基板與膠體層之間。
於部分實施方式中，第一基板的材料為無機材料，包含矽氧化物、玻璃、石英、氟化鈣或藍寶石。膠體層的材料為有機材料，包含矽氧樹脂或矽膠。
於部分實施方式中，本體與微結構為一體成型。
本發明之一實施方式係提供一種雷射光源模組，包含擴散器與雷射光源。雷射光源設置於擴散器之一側，且擴散器的第一基板位於雷射光源與膠體層之間。
本發明之一實施方式係提供一種擴散器的製作方法，包含下列步驟。於第一玻璃基材的表面進行表面處理，以使第一玻璃基材的表面形成第一起伏面；設置膠體層於第一玻璃基材的表面之第一起伏面，以使膠體層對應第一起伏面的形狀而具有第一微結構。
於部分實施方式中，製作方法更包含自第一玻璃基材移除膠體層，並將膠體層設置於基板，其中膠體層的本體面向基板。
於部分實施方式中，製作方法更包含下列步驟。於第二玻璃基材的表面進行表面處理，以使第二玻璃基材形成第二起伏面。設置第二玻璃基材於膠體層之表面，其中膠體層之表面未與第一玻璃基材相鄰，以使膠體層對應第二起伏面的形狀而具有朝向第二起伏面的第二微結構。
於部分實施方式中，製作方法更包含設置膠體層於基板，其中設置膠體層於基板之步驟早於設置膠體層於第一玻璃基材之第一起伏面之步驟。於設置膠體層於第一玻璃基材之第一起伏面之步驟後，膠體層位於基板與該一玻璃基材之間。
於部分實施方式中，表面處理包含蝕刻、噴砂或雷射加工。
於部分實施方式中，製作方法更包含固化第一玻璃基材上的膠體層。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
為了提供具有小角度擴散角的雷射光束，本發明之一實施方式提供一種雷射光源模組，包含雷射光源與擴散器。擴散器包含膠體層，雷射光束可透過膠體層的微結構擴散，並透過擴散器內各層元件的折射率配置調整雷射光束的擴散角，使得雷射光束的擴散角可滿足預設條件。當雷射光束透過擴散器擴散後，雷射光束可具有小角度的擴散角。此外，藉由擴散器內各層元件的折射率配置，可以允許膠體層的微結構有較大的粗糙度範圍，使得擴散器的製程可以被簡化，藉以降低擴散器的製造成本。
請參照第1A圖與第1B圖，其中第1A圖繪示本發明第一實施方式之雷射光源模組100的配置示意圖，而第1B圖繪示第1A圖之雷射光源模組100的擴散器110的側視示意圖。雷射光源模組100包含雷射光源102與擴散器110。雷射光源102設置於擴散器110之一側，並朝擴散器110提供雷射光束L。換句話說，擴散器110係位於雷射光源102的照射範圍內。為了不使圖式過於複雜，第1B圖中的雷射光束L是以箭頭表示，其中箭頭方向表示雷射光束L的行進方向。擴散器110可用以接收並擴散雷射光束L，以使雷射光束L於擴散後相對擴散前具有擴散角Ө。換句話說，擴散角Ө為同一道雷射光束L在擴散前與擴散後偏移的夾角。於部分實施方式中，擴散器110為一種小角度擴散器，其可使雷射光束L於擴散後所具有的擴散角Ө小於2°。
擴散器110是至少包含第一基板112與膠體層114的複層結構(multi-layers structure)，其中第一基板112位於雷射光源102與膠體層114之間，亦即擴散器110是以第一基板112朝向雷射光源102之一側做為入光側。第一基板112的第一折射率為n1。膠體層114包含本體116與微結構118。本體116設置於第一基板112上。微結構118設置於本體116上，並相對第一基板112位於本體116之另一側。換句話說，本體116係位於微結構118與第一基板112之間。微結構118之尺寸係小於本體116之尺寸。詳細說，由第1B圖側視觀之微結構118之厚度係小於本體116之厚度。於部分實施方式中，微結構118之數量可為一至多個，此些微結構118可分佈於本體116之一表面，且此本體116之表面係為遠離第一基板112。舉例來說，微結構118可以包含一至多個自本體116朝遠離第一基板112之方向凸出的顆粒狀結構，且可為不規則顆粒狀結構。舉例來說，本體116與微結構118可為一體成型，即本體116與微結構118是由同一個塊材所形成，或由不同材料以嵌合、黏貼等方式所形成。此外，膠體層114的第二折射率為n2，其中n1＞n2＞空氣折射率，其中空氣折射率於標準大氣壓及0°C條件下約為1，細節可參考Optics，Fourth Edition. Pearson Higher Education. 18 March 2003. ISBN 9780321188786。
於此配置下，雷射光源102所提供之雷射光束L可透過於擴散器110內層與層之界面的折射率差異配置及膠體層114的微結構118產生擴散，使得進入擴散器110前的雷射光束L截面積會小於離開擴散器110後的雷射光束L截面積。另一方面，由於膠體層114的第二折射率n2介於第一基板112的第一折射率n1與空氣的折射率(適當條件下約為1)之間，故膠體層114可做為光學緩衝層。換句話說，使得膠體層114的第二折射率n2可緩衝第一基板112的第一折射率n1與空氣之間的折射率差異，藉以收斂擴散角Ө。亦即，透過擴散器110內各層結構的折射率差異與第一基板112於雷射光束L光路上的配置關係，自擴散器110離開之雷射光束L可以受到收斂，以使自擴散器110離開之雷射光束L的擴散角Ө易於滿足預設條件。例如，可使自擴散器110離開之雷射光束L的擴散角Ө小於2°。
此外，由於第一基板112的第一折射率n1與膠體層114的第二折射率n2不同，可於第一基板112與膠體層114相接合處形成所謂異質接合面(hetero-junction interface)，故擴散器110於雷射光束L光路進程之不同位置會具有折射率差異。藉由此折射率差異的配置關係，可以允許膠體層114的微結構118具有較大的粗糙度範圍。舉例而言，當自擴散器110離開之雷射光束L的擴散角設定為2°時，配置與第一基板112有折射率差異之膠體層114的微結構118，其粗糙度可大於未配置與第一基板有折射率差異之異質接合面之擴散器。對此，因微結構118的粗糙度範圍與製程有相關，故若需較精細的粗糙度範圍則需透過較複雜製程完成。因此，當本實施方式之擴散器110配置有折射率差異之異質接合面於其中時，可較習知技術更簡化微結構118的製程，例如可免去複雜的蝕刻或雷射雕刻技術相關製程，故能藉以降低擴散器110的製造成本。
第一基板112的材料可以是無機材料，此無機材料可包含矽氧化物、玻璃、石英、氟化鈣與藍寶石。膠體層114的材料可以是有機材料，此有機材料可包含矽氧樹脂與矽膠。除此之外，第一基板112的第一折射率n1與膠體層114的第二折射率n2的關係也可以是n1＞n2＞(n1+1)/2。舉例而言，第一基板112可以是折射率為1.5的玻璃所形成，而膠體層114可以是折射率為1.4的矽氧樹脂所形成，其中1.5＞1.4＞(1.5+1)/2。
擴散器110更包含第一抗反射層122。第一抗反射層122設置於第一基板112上，並與膠體層114相對位於第一基板112之另一側。換句話說，第一基板112係位於第一抗反射層122與膠體層114之間。透過第一抗反射層122，可以減少雷射光束L抵達擴散器110前的反射機率，藉以增加擴散器110的出光量。除此之外，為了達到其他光學效果，一些適當性質的鍍膜或光學元件，例如Dichroic、抗靜電層、濾光片或防刮塗層等亦可配置於第一基板112，先予說明。
綜上所述，本實施方式之擴散器可使雷射光束擴散，並藉由各層元件的折射率配置而使雷射光束具有較小的擴散角。透過擴散器內各層元件的折射率差異之配置，使膠體層的微結構可以具有較大之粗糙度，故可簡化膠體層的微結構的製程，而降低擴散器的製造成本。以下將對本實施方式的擴散器的製作方法作進一步的說明。請參照第2A圖至第2D圖，其中第2A圖至第2D圖繪示第1B圖的擴散器110於製作流程中的不同階段的側視示意圖。
第2A圖與第2B圖中，表面處理程序可施做於玻璃基材104的表面，以於玻璃基材104的預定表面形成為起伏面S。第2A圖為進行表面處理之前之玻璃基材104示意，而第2B圖為進行表面處理之後之玻璃基材104示意。於玻璃基材104的表面所進行的表面處理可以包含蝕刻、噴砂與雷射加工，表面處理後之玻璃基材104霧度穿透率約50-95%。本實施方式中，第2B圖所繪的玻璃基材104為進行噴砂處理。於在玻璃基材104的表面進行噴砂處理後，玻璃基材104的表面會具有如顆粒化般的凹陷微結構，而形成起伏面S。換句話說，此起伏面S係呈起伏狀的，並具有多個凹陷微結構。
第2C圖與第2D圖中，膠體層114可設置於玻璃基材之起伏面S，以使膠體層114對應起伏面S的形狀而具有微結構118。具體而言，部分膠體層114的多個部分會因壓力而被擠入至起伏面S對應的多個凹陷微結構內，以分別形成與起伏面S的凹陷微結構對應的微結構118。接著，膠體層114可被固化，以固定膠體層114與起伏面S間形成的微結構118的形狀。於膠體層114被固化之後，膠體層114可自玻璃基材104移除，亦即，自該玻璃基材104表面處理後的起伏面S接合處移除。換言之，玻璃基材104可視為一種模具，使得膠體層114於脫模後所形成的微結構118會對應於起伏面S的凹陷微結構，而可以於玻璃基材104的表面進行表面處理的方式預先控制微結構118的粗糙度，而以翻模方式製作的微結構118，其霧度穿透率亦約50-95%。當然，製作微結構118的方式也可以包含蝕刻、噴砂與雷射加工。例如，膠體層114的微結構118是凸出結構。當具有微結構118的膠體層114自玻璃基材104移除後，膠體層114可接著被設置於第一基板112(如第1B圖所示)，並使膠體層114的微結構118相對第一基板112。具體說明，膠體層114的本體116位於第一基板112與微結構118之間。接著，第一抗反射層122(如第1B圖所示)可設置於第一基板112上，即可得到如第1B圖所繪的擴散器110。此外，第一抗反射層122的設置步驟也可以早於將膠體層114設置於第一基板112上。
請參照第3圖，其中第3圖繪示本發明第二實施方式之擴散器110的側視示意圖。第3圖中的雷射光束L是以箭頭表示，其中箭頭方向表示雷射光束L的行進方向。本實施方式與第一實施方式之間的差異至少在於，擴散器110更包含第二基板120。第二基板120設置於膠體層114的一側，並與第一基板112相對地位於膠體層114之另一側。換句話說，膠體層114係位於第二基板120與第一基板112之間。第二基板120與膠體層114之間相隔一段距離，使得第二基板120不與膠體層114接觸。第二基板120與第一基板112具有實質上相等的折射率，即第一基板112與第二基板120的折射率皆大於膠體層114的折射率。本實施方式中，第二基板120可做為保護層，以提供膠體層114防塵效果。當然，本實施方式中第二基板120亦可配置同前述第一基板112相同或類似之光學塗層或光學元件，此不贅述。
此外，第二基板120也可做為承載板，以使光學元件設置於其上。例如，除了第一抗反射層122，擴散器110可更包含兩個第二抗反射層124a與124b。其中第二抗反射層124a設置於第二基板120上之一側，並位於膠體層114與第二基板120之間。另一第二抗反射層124b設置於第二基板120上之另一側，且第二基板120係位於第二抗反射層124b與膠體層114之間。換句話說，第二抗反射層124a與124b係位於第二基板120之相對兩側(其中一側124a係相對靠近膠體層114，另一側124b係相對遠離膠體層114)。於此配置下，由於增加了擴散器110的抗反射層的數量，故可提升擴散器110的出光量。
請參照第4圖，其中第4圖繪示本發明第三實施方式之擴散器110的側視示意圖。第4圖中的雷射光束L是以箭頭表示，其中箭頭方向表示雷射光束L的行進方向。本實施方式與第二實施方式之間的差異至少在於，第二基板120與膠體層114接觸。亦即，膠體層114被夾於第一基板112與第二基板120之間，且第二基板120與膠體層114之間並無相隔一段距離。
本實施方式中，第二基板120具有起伏面S2。第二基板120的起伏面S2朝向膠體層114的微結構118，且膠體層114的微結構118對應填補於第二基板120的起伏面S2之中。具體而言，膠體層114的微結構118是對應第二基板120的起伏面S2形狀而形成，故膠體層114的微結構118與第二基板120的起伏面S2形狀會互補。例如，第二基板120的起伏面S2是具有如顆粒化般的凹陷微結構，而膠體層114的微結構118是對應填補於第二基板120的起伏面S2的凹陷微結構之中的凸出結構。
由於位於膠體層114之相對兩側的基板(即第一基板112與第二基板120)的第一折射率n1、第三折射率n3皆大於膠體層114的第二折射率n2，亦即，n1＞n2且n3＞n2，因此，第二基板120具有凹陷微結構的起伏面S2可提供如凹透鏡般的發散效果。部分實施例中，前述第一折射率n1與第三折射率n3可為相同。因此，藉由起伏面S2所提供的發散效果，膠體層114的微結構118可以被允許有更大的粗糙度範圍。換言之，於自擴散器110離開之雷射光束L的擴散角Ө(請見第1A圖)設定為2°的條件下，本實施方式的微結構118可以有更大的粗糙度容許範圍，故可再進一步簡化微結構118的製程，藉以降低擴散器110的製造成本。
此外，本實施方式的第二基板120也可做為承載板，以使光學元件設置於其上。同於第二實施方式，除了第一抗反射層122，擴散器110可更包含第二抗反射層124。第二抗反射層124設置於第二基板120上，並與膠體層114相對地位於第二基板120之另一側，用以提升擴散器110的出光量。換句話說，第二基板120係位於第二抗反射層124與膠體層114之間。
同前所述，膠體層的微結構可透過第二基板的起伏面而形成。以下將對本實施方式的擴散器的製作方法作進一步的說明。請參照第5A圖至第5C圖，其中第5A圖至第5C圖繪示第4圖的擴散器110於製作流程中的不同階段的側視示意圖。
第5A圖中，膠體層114可先設置於第一基板112，其中膠體層114可不具有微結構(如第4圖所繪的微結構118)。第5B圖中，表面處理程序可施做於對第二基板120的表面，以使第二基板120形成起伏面S2。本實施方式中，第二基板120可以是玻璃基材，且對第二基板120所進行的表面處理為噴砂處理。透過噴砂處理，第二基板120的起伏面S2是具有如顆粒化般的凹陷微結構。
第5C圖中，第二基板120可沿箭頭方向設置於膠體層114上，其中第二基板120相對第一基板112且位於膠體層114之另一側，亦即膠體層114係位於第一基板112與第二基板120之間。透過第二基板120的起伏面S2，部分膠體層114可被擠入至第二基板120的起伏面S2，以使膠體層114具有微結構(如第4圖所繪的微結構118)。同前所述，膠體層114的微結構是填補於第二基板120之起伏面S2的凹陷微結構之中的凸出結構，且膠體層114的微結構為朝向第二基板120的起伏面S2。換言之，膠體層114的微結構可以是透過壓印形成。當膠體層114的微結構形成後，可再分別形成第一抗反射層122與第二抗反射層124於第一基板112與第二基板120未與膠體層114相鄰之另一側(請見第4圖)，以得到如第4圖所示的擴散器110。
請參照第6圖，第6圖繪示本發明第四實施方式之擴散器110的側視示意圖。第6圖中的雷射光束L是以箭頭表示，其中箭頭方向表示雷射光束L的行進方向。本實施方式與第三實施方式的差異至少在於，第一基板112具有起伏面S1，且第一基板112的起伏面S1朝向膠體層114，以下將詳細說明。
本實施方式中，膠體層114的本體116具有上表面與下表面，其中上表面朝向第一基板112的起伏面S1，而下表面朝向第二基板120的起伏面S2。膠體層114的微結構118a設置於本體116的上表面，而膠體層114的微結構118b設置於本體116的下表面。於膠體層114的微結構配置中，設置於本體116之上表面的微結構118a對應填補於第一基板112的起伏面S1之中，而設置於本體116之下表面的微結構118b對應填補於第二基板120的起伏面S2之中。換言之，微結構118a與118b是分別設置於本體116兩個相對的表面上。換句話說，膠體層114的上、下兩表面僅分別與第一基板112或第二基板120相鄰，其中微結構118a對應第一基板112的起伏面S1，而微結構118b對應第二基板120的起伏面S2。此外，擴散器110也具有第一抗反射層122與第二抗反射層124。第一抗反射層122與第二抗反射層124分別設置於第一基板112與第二基板120未與膠體層114相鄰之另一側，用以提升擴散器110的出光量。
透過設置於本體116的兩個相對的表面上的微結構118a與118b，擴散器110可透過膠體層114提供更進一步的發散效果，使得膠體層114的微結構118a與118b可以被允許有更大的粗糙度範圍。因此，可進一步再簡化微結構的製程，藉以降低擴散器110的製造成本。此外，如同第三實施方式描述，本實施方式中亦包括如同凹透鏡結構的第一基板112的起伏面S1、及第二基板120的起伏面S2，可提供更進一步的發散效果，亦使膠體層114的微結構118a與118b可以被允許有更大的粗糙度範圍。
本實施方式的擴散器110的製作方法可同於第三實施方式。亦即，表面處理程序可先施做於第一基板112的表面，例如噴砂處理，使得第一基板112具有起伏面S1。接著，膠體層114可設置於第一基板112的起伏面S1上，以使微結構118a形成於膠體層114之本體116的上表面。當膠體層114設置於第一基板112的起伏面S1上之後，可再進行如第5A圖至第5C圖所述的製作流程，需說明的是，此時是以表面處理程序繼續施做於第二基板120的表面，例如噴砂處理使得第二基板120具有起伏面S2。接著，前述膠體層114未與第一基板112相鄰的一面，亦即本體116的下表面可設置於第二基板120的起伏面S2上，以使微結構118a形成於膠體層114之本體116的下表面。如此，於膠體層114的本體116的上、下表面分別分別形成微結構118a與118b，以得到如第6圖的擴散器110，在此不再贅述。
綜上所述，本發明之雷射光源模組包含雷射光源與擴散器。擴散器包含膠體層，雷射光束可透過膠體層的微結構擴散，並透過擴散器內各層元件的折射率配置調整雷射光束的擴散角，使得雷射光束的擴散角可滿足預設條件。當雷射光束透過擴散器擴散後，雷射光束可具有小角度的擴散角。藉由擴散器內各層元件的折射率配置，可以允許膠體層的微結構有較大的粗糙度範圍，使得擴散器的膠體層的微結構製程可以被簡化，藉以降低擴散器的製造成本。此外，膠體層的微結構可以透過經噴砂處理的玻璃基材形成的起伏面當作模具而製作。膠體層的微結構形成方式包含有透過脫模形成以及透過直接壓印形成。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100 雷射光源模組 102 雷射光源 104 玻璃基材 110 擴散器 112 第一基板 114 膠體層 116 本體 118、118a、118b 微結構 120 第二基板 122 第一抗反射層 124、124a、124b 第二抗反射層 S、S1、S2 起伏面 L 雷射光束 Ө 擴散角
第1A圖繪示本發明第一實施方式之雷射光源模組的配置示意圖。 第1B圖繪示第1A圖之雷射光源模組的擴散器的側視示意圖。 第2A圖至第2D圖繪示第1B圖的擴散器於製作流程中的不同階段的側視示意圖。 第3圖繪示本發明第二實施方式之擴散器的側視示意圖。 第4圖繪示本發明第三實施方式之擴散器的側視示意圖。 第5A圖至第5C圖繪示第4圖的擴散器於製作流程中的不同階段的側視示意圖。 第6圖繪示本發明第四實施方式之擴散器的側視示意圖。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 110 擴散器 112 第一基板 114 膠體層 116 本體 </td><td> 118 微結構 122 第一抗反射層 L 雷射光束 </td></tr></TBODY></TABLE>
Claims (14)
- 一種擴散器，包含：一第一基板，其中該第一基板的第一折射率係為n1；以及一膠體層，包含：一本體，設置於該第一基板上；以及至少一微結構，設置於該本體上，其中該微結構之尺寸小於該本體之尺寸，且該本體係位於該微結構與該第一基板之間，其中該膠體層的第二折射率係為n2，且該第一基板的第一折射率n1與該膠體層的第二折射率n2的關係為n1>n2>(n1+1)/2。
- 如申請專利範圍第1項之擴散器，更包含：一第一抗反射層，設置於該第一基板上，且該第一基板係位於該第一抗反射層與該膠體層之間。
- 如申請專利範圍第1項之擴散器，其中該第一基板的材料為一無機材料，該無機材料包含矽氧化物、玻璃、石英、氟化鈣或藍寶石，其中該膠體層的材料為一有機材料，該有機材料包含矽氧樹脂或矽膠。
- 如申請專利範圍第1項之擴散器，其中該膠體層的該本體與該微結構為一體成型。
- 一種擴散器，包含： 一第一基板，其中該第一基板的第一折射率係為n1；一膠體層，包含：一本體，設置於該第一基板上；以及至少一微結構，設置於該本體上，其中該微結構之尺寸小於該本體之尺寸，且該本體係位於該微結構與該第一基板之間，其中該膠體層的第二折射率係為n2，其中n1>n2；一第一抗反射層，設置於該第一基板上，且該第一基板係位於該第一抗反射層與該膠體層之間；以及一第二基板，其中該膠體層係位於該第一基板與該第二基板之間。
- 如申請專利範圍第5項之擴散器，其中該第二基板與該第一基板具有實質上相等的折射率。
- 如申請專利範圍第5項之擴散器，其中該第二基板具有一起伏面，朝向該膠體層的該微結構，且該膠體層的該微結構填補於該第二基板的該起伏面。
- 如申請專利範圍第7項之擴散器，其中該第一基板具有一起伏面，朝向該膠體層，其中該膠體層包含複數個該些微結構，且該些微結構之中的一部分填補於該第一基板的該起伏面，該些微結構之中的另一部分填補於該第二基板的該起伏面。
- 如申請專利範圍第5項之擴散器，更包含：一第二抗反射層，其中該第二基板係位於該第二抗反射層與該膠體層之間。
- 如申請專利範圍第5項之擴散器，更包含：一第二抗反射層，其中該第二抗反射層係位於該第二基板與該膠體層之間。
- 一種雷射光源模組，包含：一擴散器，包含：一第一基板，其中該第一基板的第一折射率係為n1；以及一膠體層，包含：一本體，設置於該第一基板上；以及至少一微結構，設置於該本體上，其中該微結構之尺寸小於該本體之尺寸，且該本體係位於該微結構與該第一基板之間，其中該膠體層的第二折射率係為n2，其中n1>n2；以及一雷射光源，設置於該擴散器之一側，且該擴散器之該第一基板位於該雷射光源與該膠體層之間。
- 一種擴散器的製作方法，包含：於一第一玻璃基材的一表面進行一表面處理，以使該第一玻璃基材的該表面形成一第一起伏面；設置一膠體層於該第一玻璃基材之該第一起伏面，以使 該膠體層對應該第一起伏面的形狀而具有至少一第一微結構；以及自該第一玻璃基材移除該膠體層，並將該膠體層設置於一基板，其中該膠體層的一本體面向該基板，其中該第一基板的第一折射率係為n1，該膠體層的第二折射率係為n2，且該基板的第一折射率n1與該膠體層的第二折射率n2的關係為n1>n2>(n1+1)/2。
- 如申請專利範圍第12項的製作方法，其中該表面處理係包含蝕刻、噴砂或雷射加工。
- 如申請專利範圍第12項的製作方法，更包含：固化該第一玻璃基材上的該膠體層。
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