TWI628449B - 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法 - Google Patents

晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI628449B
TWI628449B TW106114978A TW106114978A TWI628449B TW I628449 B TWI628449 B TW I628449B TW 106114978 A TW106114978 A TW 106114978A TW 106114978 A TW106114978 A TW 106114978A TW I628449 B TWI628449 B TW I628449B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
wafer
unit
probe card
connector
Prior art date
Application number
TW106114978A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201843473A (zh
Inventor
徐文元
Original Assignee
漢民科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 漢民科技股份有限公司 filed Critical 漢民科技股份有限公司
Priority to TW106114978A priority Critical patent/TWI628449B/zh
Priority to JP2018086633A priority patent/JP2018190977A/ja
Priority to US15/971,321 priority patent/US10830794B2/en
Priority to CN201810419001.8A priority patent/CN108803710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628449B publication Critical patent/TWI628449B/zh
Publication of TW201843473A publication Critical patent/TW201843473A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/44—Modifications of instruments for temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一種晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統包含：晶圓載置單元，用於載置待檢測之至少一晶圓；探針卡相對於晶圓載置單元設置，用於檢測晶圓；承載機構包含：中央連接件，對應於晶圓載置單元且具有第一開口，其中探針卡連接於中央連接件，且透過第一開口朝向晶圓載置單元；外圍連接件具有第二開口，其中中央連接件可拆卸式的設置於第二開口中；及第一溫度調整單元，其設置於外圍連接件；控制單元，其與第一溫度調整單元電性連接以控制第一溫度調整單元，藉以調整外圍連接件的溫度；及第二溫度調整單元。同時提供一種晶圓檢測方法。

Description

晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法
本發明是有關一種晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法，特別是一種可主動式控制溫度的晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法。
在晶圓測試的製程中，常會對晶圓施以不同溫度的測試以確認在各溫度時的故障模式。一般來說，晶圓測試包含常溫測試以及高溫測試，其皆會對探針卡進行預熱的製程，藉此使探針卡受熱膨脹以達到針位上升的熱平衡。在預熱製程中，加熱區域常僅限於承載晶圓的元件，因此位於晶圓測試裝置中間的元件及探針卡會先達到熱平衡，而在晶圓測試裝置外圍的元件則會較晚達到熱平衡，此平衡不對稱的現象會造成探針卡的針位長時間且微量的上升變形，因而導致測試結果的誤載。此外，在預冷製程中，晶圓測試裝置中間的元件及探針卡會先達到冷卻溫度而受冷收縮，而在晶圓測試裝置外圍的元件則會較晚降溫，故各元件收縮的程度會有所差異，因而影響晶圓測試的結果。
傳統的方法係透過機台排程進行產線固定溫度測試以避免熱平衡不對稱的現象，或於變形發生時透過微調探針卡針位或晶圓位置的方式以降 低誤載的問題，然而，若能預先掌控各元件的變形量，應可有利於晶圓檢測製程的進行以及節省時間成本。
本發明提供一種晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及及晶圓檢測方法，其是設置一溫度調整單元以預先調整探針卡外圍區域之溫度，使探針卡以及外圍區域快速達到熱平衡，以避免平衡不對稱所造成的量測錯誤。
本發明提供一種晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其包含：晶圓載置單元，用於載置待檢測之至少一晶圓；探針卡，相對於晶圓載置單元設置，用於檢測晶圓；承載機構，包含：中央連接件，對應於晶圓載置單元且具有第一開口，其中探針卡連接於中央連接件，且透過第一開口朝向晶圓載置單元；外圍連接件，其具有第二開口，其中中央連接件可拆卸式的設置於第二開口中；及第一溫度調整單元，其設置於外圍連接件；以及控制單元，其與第一溫度調整單元電性連接以控制第一溫度調整單元，藉以調整外圍連接件的溫度。本發明之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統更包含第二溫度調整單元，其與控制單元彼此電性連接，以調整探針卡及中央連接件的溫度。其中，第一溫度調整單元調整外圍連接件之溫度早於第二溫度調整單元調整探針卡之溫度，或第一溫度調整單元與第二溫度調整單元同時分別地調整外圍連接件探針卡之溫度。
本發明另提供一種晶圓檢測方法，其包含下列步驟：提供晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其包含晶圓載置單元以及承載機構，其中承載機構包含：中央連接件，對應於晶圓載置單元且具有第一開口，其中探針卡連接於中央連接件，且透過第一開口朝向晶圓載置單元；以及外圍連接件，其具有第二開口，其中，中央連接件設置於第二開口中；將晶圓設置於晶圓載置單元上；調 整晶圓之溫度至第一溫度；調整探針卡之溫度至第二溫度；調整外圍連接件之溫度至第三溫度；以及以探針卡檢測晶圓。其中，調整外圍連接件之溫度的步驟早於調整探針卡之溫度的步驟，或同時調整外圍連接件以及探針卡之溫度
以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
10‧‧‧晶圓載置單元
20‧‧‧探針卡
30‧‧‧承載機構
31‧‧‧中央連接件
32‧‧‧外圍連接件
33‧‧‧第一溫度調整單元
40‧‧‧控制單元
50‧‧‧第二溫度調整單元
100‧‧‧晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統
200‧‧‧外部電子裝置
S1‧‧‧第一控制訊號
P1‧‧‧第一開口
P2‧‧‧第二開口
S11~S16‧‧‧步驟
圖1為根據本發明實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖2A為根據本發明另一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖2B為根據本發明又一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖3為根據本發明一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖4A為根據本發明另一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖4B為根據本發明又一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的示意圖。
圖5為根據本發明實施例之晶圓檢測方法的流程圖。
以下將詳述本發明之各實施例，並配合圖式作為例示。除了這些詳細說明之外，本發明亦可廣泛地施行於其它的實施例中，任何所述實施例的輕易替代、修改、等效變化都包含在本發明之範圍內，並以申請專利範圍為準。在說明書的描述中，為了使讀者對本發明有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本發明可能在省略部分或全部特定細節的前提下，仍可實施。此外，眾所周知的步驟或元件並未描述於細節中，以避免對本發明形成不必要之限制。圖式中相同或類似之元件將以相同或類似符號來表示。特別注意的是，圖式僅為示意之用，並非代表元件實際之尺寸或數量，有些細節可能未完全繪出，以求圖式之簡潔。
請參照圖1，本發明之一實施例之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統100包含晶圓載置單元10、探針卡20、承載機構30、以及控制單元40。晶圓載置單元10用於載置待檢測的至少一晶圓(圖未示)，探針卡20是相對於晶圓載置單元10而設置以用於檢測晶圓。承載機構30包含中央連接件31、外圍連接件32、以及第一溫度調整單元33。中央連接件31對應於晶圓載置單元10且具有第一開口P1，探針卡20是連接於中央連接件31，且透過第一開口P1而朝向晶圓載置單元10。外圍連接件32具有第二開口P2，且中央連接件31是可拆卸式的設置於第二開口P2中，因此可透過將與探針卡20連接之中央連接件31卸除而替換碳針卡20。第一溫度調整單元33是以接觸或非接觸的方式設置於外圍連接件32上以調整外圍連接件32的溫度，舉例而言，透過傳導、輻射或紅外線等方式調整外圍連接件32的溫度。詳細來說，控制單元40可與第一溫度調整單元33電性連接以控制第一溫度調整單元33，藉以調整外圍連接件32的溫度。較佳地，第一溫度調整單元33可設置於外圍連接件32相對於晶圓載置單元10之相異側之表面。
在本發明之一實施例中，晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統可更包含第二溫度調整單元50，如圖2A及圖2B所示，其是用於調整晶圓載置單元 10、探針卡20及中央連接件31的溫度，詳細來說，第二溫度溫度調整單元50可先加熱晶圓載置單元10後，加熱探針卡20及中央連接件31；或者，第二溫度調整單元50可先冷卻加熱晶圓載置單元10，再冷卻探針卡20及中央連接件31。在圖2A中，第二溫度調整單元50是繪示為附加於晶圓載置單元10下，然而，本發明並不限制於此，第二溫度調整單元50亦可設置於晶圓載置單元10中，如圖2B所示。於此，第二溫度調整單元50可與控制單元40電性連接，控制單元40可接收第二溫度調整單元50所傳送的第一控制訊號S1，並根據所接收的第一控制訊號S1而控制第一溫度調整單元33。在本發明之另一實施例中，可更包含一外部溫度調整單元(圖未示)以調整晶圓載置單元10的溫度，外部溫度調整單元可以熱對流的方式以調整晶圓載置單元10的溫度。舉例而言，外部溫度調整單元可提供冷風或熱風以降溫或升溫。
在本發明之另一實施例中，請參閱圖3，控制單元40可藉由接收外部電子裝置200(例如可為測試機台或其他監測機台等)所傳送的第二控制訊號S2，並根據所接收的第二控制訊號S2以控制第一溫度調整單元33。在本發明之另一實施例中，具有第二溫度調整單元50的晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統亦可透過外部電子裝置200傳送第二控制訊號S2至控制單元40而控制第一溫度調整單元33，如圖4A及圖4B所示。
舉例而言，當進行高溫測試時，亦即，第二溫度調整單元50調整探針卡20及中央連接件31的溫度至攝氏85度至300度，較佳地，為攝氏85度至200度，第二溫度調整單元50同時會傳送第一控制訊號S1至控制單元40或外部電子裝置200會傳送第二控制訊號S2至控制單元40，控制單元40可根據第一控制訊號S1或第二控制訊號S2而使第一溫度調整單元33將外圍連接件32升溫。若當進行低溫測試時，第二溫度調整單元50會調整探針卡20及中央連接件31的溫度至攝氏-75度至85度，較佳地，為攝氏-55度至85度，第二溫度調整單元50會同時傳送 第一控制訊號S1至控制單元40或外部電子裝置200會傳送第二控制訊號S2至控制單元40，控制單元40可根據第一控制訊號S1或第二控制訊號S2而使第一溫度調整單元33將外圍連接件32降溫。
一般來說，晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的各元件在受熱後特性如以下表一所示：
由表一可了解，外圍連接件的熱變形程度雖然較微小，然其穩定所需要的時間慢，且預熱的時間較長，若等待探針卡及中央連接件皆達到熱平衡時在對外圍連接件進行預熱或預冷的處理，則可能會消耗太多時間。而本發明所提供之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統可透過控制單元接收訊號而控制設置於外圍連接件上的溫度調整單元，因而可在調整探針卡及中央連接件的溫度時，即時的調整外圍連接件的溫度，因此可預先處理外圍連接件的變形量以消除變異的因素，且節省預熱或預冷的時間，相較於傳統方法可有利於加速晶圓檢測製程。
接著，將說明使用上述晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統檢測晶圓的方法，請參閱圖4，其包含下列步驟：提供晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統(S11)，其包含晶圓載置單元及承載機構，其中，晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的元件結構已於上文中詳細描述，故在此不再贅述。接著，將至少一晶圓設置於晶圓載置單元上(S12)；調整晶圓的溫度至第一溫度(S13)；調整探針卡的溫度至第二溫度(S14)，於此，可使用設置於晶圓載置單元上的第二溫度 調整單元調整探針卡的溫度，並傳送控制訊號給控制單元；接著，調整晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統之外圍連接件的溫度至第三溫度(S15)，於此，控制單元可根據所接收的控制訊號而促使第一溫度調整單元調整外圍連接件的溫度；最後，以探針卡檢測晶圓(S16)。
在本發明之實施例中，調整各元件溫度的步驟並不限於上述，可依使用者的需求而調整步驟的順序，舉例而言，調整外圍連接件之溫度的步驟可早於調整探針卡溫度的步驟，或者，可同時調整外圍連接件及探針卡的溫度。
此外，第一溫度、第二溫度以及第三溫度至少其中之一之範圍可為攝氏負75度至300度，舉例而言，當進行高溫測試時，第二溫度調整單元可調整探針卡及中央連接件的溫度至攝氏85度至300度，並傳送控制訊號至控制單元或可藉由外部電子裝置傳送控制訊號至控制單元，控制單元可根據控制訊號而使第一溫度調整單元將外圍連接件升溫而達到預熱的目的。若當進行常溫或低溫測試時，第二溫度調整單元可調整探針卡及中央連接件的溫度至攝氏負75度至85度時，第二溫度調整單元可傳送控制訊號至控制單元，或可藉由外部電子裝置傳送控制訊號至控制單元，控制單元可根據控制訊號而使第一溫度調整單元將外圍連接件降溫而達到預冷的目的。於此，第二溫度可接近於第三溫度，較佳地，第二溫度與第三溫度的溫度差可介於攝氏0度至50度之間。
綜上所述，藉由本發明所載之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及檢測晶圓的方法可以主動控溫的方式預先處理元件的變形，因而可節省預冷或預熱元件的時間。其中，藉由控制單元接收訊號以控制設置於外圍連接件上的溫度調整單元，可於調整探針卡及中央連接件溫度時，即時調整外圍連接件的溫度，以使晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統的各元件可快速的達到熱平衡對稱的狀況，故可降低時間成本，且避免變形量無法控制時所造成的故障。
以上所述之實施例僅是為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

Claims (8)

  1. 一種晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其包含：一晶圓載置單元，用於載置待檢測之至少一晶圓；一探針卡，相對於該晶圓載置單元設置，用於檢測該至少一晶圓；一承載機構，包含：一中央連接件，對應於該晶圓載置單元且具有一第一開口，其中該探針卡連接於該中央連接件，且透過該第一開口朝向該晶圓載置單元；一外圍連接件，其具有一第二開口，其中該中央連接件可拆卸式的設置於該第二開口中；及一第一溫度調整單元，其設置於該外圍連接件；一控制單元，其與該第一溫度調整單元電性連接以控制該第一溫度調整單元，藉以調整該外圍連接件的溫度；以及一第二溫度調整單元，其與該控制單元彼此電性連接，以調整該探針卡以及該中央連接件之溫度；其中該第一溫度調整單元調整該外圍連接件之溫度早於該第二溫度調整單元調整該探針卡之溫度，或該第一溫度調整單元與該第二溫度調整單元同時分別地調整該外圍連接件及該探針卡之溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其中該控制單元接收該第二溫度調整單元所傳送之一控制訊號，並根據所接收之該控制訊號控制該第一溫度調整單元。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其中該控制單元接收一外部電子裝置所傳送之一控制訊號，並根據所接收之該控制訊號控制該第一溫度調整單元。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其中該第一溫度調整單元調整該外圍連接件的溫度範圍為攝氏10度至200度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其中該第一溫度調整單元設置於該外圍連接件相對於該晶圓載置單元之相異側之表面。
  6. 一種晶圓檢測方法，其包含下列步驟：提供一晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統，其包含一晶圓載置單元以及一承載機構，其中該承載機構包含：一中央連接件，對應於該晶圓載置單元且具有一第一開口，其中一探針卡連接於該中央連接件，且透過該第一開口朝向該晶圓載置單元；以及一外圍連接件，其具有一第二開口，其中該中央連接件設置於該第二開口中；將至少一晶圓設置於該晶圓載置單元上；調整該至少一晶圓之溫度至一第一溫度；調整該探針卡之溫度至一第二溫度；調整該外圍連接件之溫度至一第三溫度；以及以該探針卡檢測該至少一晶圓；其中調整該外圍連接件之溫度的步驟早於調整該探針卡之溫度的步驟，或同時調整該外圍連接件以及該探針卡之溫度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓檢測方法，其中該第二溫度以及該第三溫度之溫度差介於攝氏0度至50度。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓檢測方法，其中該第一溫度、該第二溫度以及該第三溫度至少其中之一之範圍為攝氏負75度至300度。
TW106114978A 2017-05-05 2017-05-05 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法 TWI628449B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106114978A TWI628449B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法
JP2018086633A JP2018190977A (ja) 2017-05-05 2018-04-27 ウエハテスト用のアクティブウエハプローバ予備加熱・予備冷却システムと方法
US15/971,321 US10830794B2 (en) 2017-05-05 2018-05-04 Active wafer prober preheat-precool system and method for testing wafers
CN201810419001.8A CN108803710A (zh) 2017-05-05 2018-05-04 晶圆针测装置有源式预热及预冷系统及晶圆检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106114978A TWI628449B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI628449B true TWI628449B (zh) 2018-07-01
TW201843473A TW201843473A (zh) 2018-12-16

Family

ID=63640315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106114978A TWI628449B (zh) 2017-05-05 2017-05-05 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10830794B2 (zh)
JP (1) JP2018190977A (zh)
CN (1) CN108803710A (zh)
TW (1) TWI628449B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281981B2 (ja) * 2019-06-27 2023-05-26 東京エレクトロン株式会社 プローバおよびプローブカードのプリヒート方法
EP4060721A4 (en) * 2019-11-15 2023-08-09 Kioxia Corporation STORAGE DEVICE AND CONTROL METHOD
CN114325006B (zh) * 2022-01-05 2025-02-25 上海华岭集成电路技术股份有限公司 探针测试机台及测试系统、更换探针板卡的方法
CN121596083B (zh) * 2026-01-30 2026-05-08 上海伟测半导体科技股份有限公司 晶圆检测装置及检测设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200935536A (en) * 2007-10-15 2009-08-16 Tokyo Electron Ltd Test device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3066784B2 (ja) * 1992-12-14 2000-07-17 東京エレクトロン株式会社 プローブカード及びその製造方法
JPH1197494A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2001319953A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ
US6677771B2 (en) * 2001-06-20 2004-01-13 Advantest Corp. Probe contact system having planarity adjustment mechanism
JP2003344478A (ja) * 2002-05-29 2003-12-03 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
JP2004205487A (ja) * 2002-11-01 2004-07-22 Tokyo Electron Ltd プローブカードの固定機構
JP4610289B2 (ja) * 2004-10-07 2011-01-12 日本電子材料株式会社 プローブ装置
JP4356661B2 (ja) * 2005-07-25 2009-11-04 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP2009070874A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Tokyo Electron Ltd 検査装置
US7791361B2 (en) * 2007-12-10 2010-09-07 Touchdown Technologies, Inc. Planarizing probe card
DE102008047337B4 (de) * 2008-09-15 2010-11-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines Testsubstrats in einem Prober unter definierten thermischen Bedingungen
KR20120104812A (ko) * 2011-03-14 2012-09-24 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법
JP5789206B2 (ja) * 2011-12-08 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
JP5737536B2 (ja) * 2013-11-21 2015-06-17 株式会社東京精密 プローバ
JP6041175B2 (ja) * 2015-03-30 2016-12-07 株式会社東京精密 プローバ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200935536A (en) * 2007-10-15 2009-08-16 Tokyo Electron Ltd Test device

Also Published As

Publication number Publication date
US20180321279A1 (en) 2018-11-08
CN108803710A (zh) 2018-11-13
TW201843473A (zh) 2018-12-16
US10830794B2 (en) 2020-11-10
JP2018190977A (ja) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI816250B (zh) 對受測裝置執行熱管理之方法
US7271604B2 (en) Method and apparatus for testing semiconductor wafers by means of a temperature-regulated chuck device
TW201843473A (zh) 晶圓針測裝置主動式預熱及預冷系統及晶圓檢測方法
TWI644109B (zh) 半導體測試裝置
JP2026015338A (ja) 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム
TW202340737A (zh) 用於最終測試的半導體測試裝置
CN101430361A (zh) 检查装置
US11092641B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
CN105097421A (zh) 用于masson快速热处理机台的温度校准的方法
CN103972139B (zh) 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法
CN115826640A (zh) 温度控制系统、温度控制方法以及具备该系统的影像传感器测试设备
US9869715B2 (en) Semiconductor wafer inspection apparatus and semiconductor wafer inspection method
US20070132469A1 (en) Inspection device and method
JP5214383B2 (ja) 半導体素子のバーンイン装置およびそのバーンイン方法
JP5080228B2 (ja) 温度制御方式
US20080212640A1 (en) Apparatus and method for testing a temperature monitoring substrate
JP2006108456A (ja) プローブ装置
JP2009070874A (ja) 検査装置
US9599663B2 (en) Probing method, probe card for performing the method, and probing apparatus including the probe card
JPH11281705A (ja) Ｉｃ検査装置における温度制御方法およびｉｃ検査装置
TWM622680U (zh) 半導體測試裝置
US20140007620A1 (en) Apparatus and method for baking glass substrate
JP2001147251A (ja) 恒温槽の温度分布制御装置
JP2004333265A (ja) 電気電子部品の温度依存特性を連続測定する方法及び温度依存特性連続測定装置
JP2520558Y2 (ja) 低温ハンドラ

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees