TWI656232B - 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途 - Google Patents

鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途 Download PDF

Info

Publication number
TWI656232B
TWI656232B TW104125769A TW104125769A TWI656232B TW I656232 B TWI656232 B TW I656232B TW 104125769 A TW104125769 A TW 104125769A TW 104125769 A TW104125769 A TW 104125769A TW I656232 B TWI656232 B TW I656232B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
precursor
group
film
ntbu
reactor
Prior art date
Application number
TW104125769A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201612354A (en
Inventor
馬特拉斯 克雷門 蘭薩洛
Clement Lansalot-Matras
朱利安 賴弗利格
Julien Lieffrig
克里斯均 杜薩拉特
Christian Dussarrat
安東尼 寇拉斯
Antoine COLAS
鐘珉 金
Jong Min Kim
Original Assignee
法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司, L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude filed Critical 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
Publication of TW201612354A publication Critical patent/TW201612354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI656232B publication Critical patent/TWI656232B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明揭示鉬成膜組成物，其包含選自由以下組成之群的含有鉬之前驅物：M(=O)2(OR)2 式I，M(=O)(NR2)4 式II，M(=O)2(NR2)2 式III，M(=NR)2(OR)2 式IV，及M(=O)(OR)4 式V，其中M為Mo且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。本發明亦揭示合成所揭示之組成物及使用所揭示之組成物經由氣相沈積製程在基板上沈積含有鉬之膜的方法。

Description

鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途 【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張於2014年8月14日申請之美國臨時申請案第62/037,469號之權益，出於所有目的以全文引用的方式併入本文中。
本發明揭示第6族成膜組成物，其包含含有第6族過渡金屬之前驅物。本發明亦揭示合成所揭示之前驅物及使用所揭示之前驅物經由氣相沈積製程在基板上沈積含有第6族過渡金屬之膜的方法。
鎢獲得對製造奈米裝置有效之許多不同應用。純鎢之沈積可用於填充接觸電晶體源極及汲極之孔洞(「接觸孔」)，且亦用於填充金屬連續層之間的通孔。此方法稱為「鎢栓塞」製程。歸因於使用WF6所沈積之膜之良好特性可開發鎢之利用率。然而，有必要提供諸如Ti/TiN之黏著/阻擋層，以藉由氟防止下伏Si被侵蝕，且確保鎢黏著至二氧化矽。
可在多晶矽閘極頂部上使用鎢矽化物以增加閘極線之傳導率且因此增加電晶體速度。此方法在DRAM製造中普及，其中閘極亦為電路之字線。可使用WF6及SiH4，但由於二氯矽烷(SiCl2H2)允許較高沈積溫度且因此在沈積膜中產生較低氟濃度，更通常採用二氯矽烷作為矽源。
在微電子電路中氮化鎢(WNX)視為針對銅擴散之良好阻擋層。WNX亦可用於用於薄膜電容器及場效電晶體之電極。
可使用氧化鉬作為DRAM電容器之薄層。參見例如Elpida之US2012/309162或US2014/187015。氧化鉬層可沈積於TiN層上，之後沈積ZrO2層。氧化鉬層接著可有助於增加ZrO2層之沈積速率。氧化鉬層可沈積於ZrO2層上且TiN層沈積於氧化鉬層上，產生TiN/MoOx/ZrO2/MoOx/TiN堆疊。堆疊中之氧化鉬層可減小漏電流。
電色裝置為當施加電壓時改變其光學特性(主要其透射比)之光電化學系統。因此，光電化學系統可用於許多應用，諸如但不限於智慧型窗、汽車天窗、遮光物、遮陽板或後視反射鏡、用於汽車之平板顯示器、架構、顯示器及光電應用如天窗、面板顯示器、水族館、濾光器及光導管之屏幕及其他光電裝置。過渡金屬氧化物已用作無機電色材料。在彼等過渡金屬氧化物之中，三氧化鎢(WO3，n型半導體)，為最廣泛研究的材料中之一者，此係由於其在可見及紅外線區域中之電色特性、高著色效率及相對低的價格。當WO3在陰極極化下還原時，WO3之顏色自透明或黃色變成深藍。
當施加電壓時，有機發光二極體(OLED)裝置在特定的波長範圍下涉及光發射。亦已報導使用過渡金屬氧化物作為OLED中陽極及陰極處之電極界面改質層用於降低操作電壓，操作電壓為改良裝置可靠的主要參數之一。在彼等過渡金屬氧化物之中，氧化鎢或氧化鉬作為陽極緩衝層提供諸如可見區中極高透明度及匹配有機分子之能量位準的優點。(Applied Physics Letters,2007,91,113506)。
JP07-292079揭示具有式M(Y)(OR2)x(R3)y(X)zLs之複分解催化劑前驅物，其中M為Mo或W；Y為=O或=NR1；R1、R2及R3為烷基、環烷基、環烯基、多環烷基、多環烯基、鹵烷基、鹵芳烷基、(不)經取代芳烷基、含有Si之芳基；X=鹵素；L=路易斯鹼(L=Lewis base)；s=0或1；x+y+z=4；且y1。催化劑前驅物自M(Y)(OR2)4合成，諸如W(=O)(OCH2tBu)4。
Chisholm等人揭示鉬氧代醇鹽之製備及特性化。Inorganic Chemistry(1984)23(8)1021-37。
Kinestral Technologies公司之WO2014/143410揭示包含含有鋰、鎳及選自Mo、W及其組合之第6族金屬的陽極電色層之多層電色結構。摘要段落0107揭示用於第6族金屬之來源(起始)物質可為(RO)4MO。
David Baxter等人Chemical Communications(1996),(10),1129-1130描述使用不同鎢(VI)氧代醇鹽及鎢(VI)氧代醇鹽β二酮酸鹽錯合物作為揮發性前驅物用於氧化鎢電色膜之低壓CVD。然而，歸因於相對大量的合成步驟，分子可為固體，難以有效純化或製備成本高。
Sustainable Technologies Australia有限公司之W099/23865揭示自WOCl4、乙醇及氨合成鎢(VI)氧代四醇鹽[WO(OR)4]以產生含有鎢之不溶化合物。W099/23865揭示可添加過量氨以溶解沈澱的鎢化合物，但獲得之最終氧化鎢不適合作為用於電色應用之膜。
M.Basato等人Chemical Vapor Deposition(2001),7(5),219-224亦描述使用與H2O組合之W(=O)(OtBu)4(藉由自動蒸發)在100-150℃下形成WO3物質。
J.M.Bell等人描述使用W(=O)(OnBu)4製備用於電色裝置之 氧化鎢膜(Solar Energy Materials and Solar Cells,2001,68,239)。
Dmitry V.Peryshkov及Richard R.Schrock描述自W(=O)Cl4及Li(OtBu)製備W(=O)(OtBu)4。Organometallics 2012,31,7278-7286。
Parkin等人在Chemical Vapour Deposition：Precursors,Processes and Applications第10章中揭示玻璃上功能性塗層之CVD。部分10.4.3揭示已研究數種鎢醇鹽、氧代醇鹽及芳基氧化物，諸如WO(OR)4，其中R=Me、Et、iPr及Bu。Parkin等人注意到此等前驅物提供單一來源前驅物，無需第二氧前驅物。Parkin等人注意到此等前驅物具有低揮發性。
US 7,560,581 B2揭示使用雙烷基亞胺基雙二烷胺基鎢前驅物用於以具有或不具有電漿之ALD模式產生氮化鎢用於銅阻擋擴散應用。
Miikkulainen等人揭示使用Mo(NR)2(NR'2)2前驅物之ALD沈積。Chem Mater.(2007),19,263-269；Chem.Vap.Deposition(2008)14,71-77。Chiu等人揭示使用Mo(NtBu)2(NHtBu)2之MoN之CVD沈積。J.Mat.Res.9(7),1994,1622-1624。
仍需要開發適用於在高溫下控制厚度及組成之氣相薄膜沈積的新穎、液態或低熔點(<50℃)、高度熱穩定之第6族前驅物分子。
符號及命名法
在以下說明書及申請專利範圍通篇中使用某些縮寫、符號及術語，且其包括：
如本文中所用，「第6族」係指週期表之第6行，含有Cr、Mo及W。
如本文中所用，不定冠詞「一(a/an)」意謂一或多個。
如本文中所用，術語「大致(approximately)」或「約(about)」意謂所述值之±10%。
如本文中所用，術語「獨立地(independently)」當用於描述R基團之情形時應理解為指示個體R基團不僅相對於帶有相同或不同下標或上標之其他R基團獨立地選擇，亦相對於任何其他種類之相同R基團獨立地選擇。舉例而言，在式MR1 x(NR2R3)(4-x)(其中x為2或3)中，兩個或三個R1基團可(但無需)彼此或與R2或R3相同。另外，應理解除非另外特定陳述，否則當用於不同式中時R基團之值彼此獨立。
如本文中所用，術語「烷基(alkyl group)」係指專門含有碳及氫原子之飽和官能基。另外，術語「烷基」係指直鏈、分支鏈或環狀烷基。直鏈烷基之實例包括但不限於甲基、乙基、丙基、丁基等。分支鏈烷基之實例包括但不限於第三丁基。環烷基之實例包括但不限於環丙基、環戊基、環己基等。
如本文中所使用，縮寫「Me」係指甲基；縮寫「Et」係指乙基；縮寫「Pr」係指丙基；縮寫「nPr」係指「正」或直鏈丙基；縮寫「iPr」係指異丙基；縮寫「Bu」係指丁基；縮寫「nBu」係指「正」或直鏈丁基；縮寫「tBu」係指第三丁基，亦稱為1,1-二甲基乙基；縮寫「sBu」係指第二丁基，亦稱為1-甲基丙基；縮寫「iBu」係指異丁基，亦稱為2-甲基丙基；縮寫「戊基」係指戊基(amyl)或戊基(pentyl group)；縮寫「第三戊基(tAmyl)」係指第三戊基，亦稱為1,1-二甲基丙基。
本文中使用來自元素週期表之元素的標準縮寫。應理解可藉由此等縮寫指代元素(例如，Mn指代錳，Si指代矽，C指代碳等)。
本發明揭示第6族成膜組成物，其包含選自由以下組成之群的含有第6族過渡金屬之前驅物：M(=O)(NR2)4式I，M(=O)2(NR2)2式II，M(=NR)2(OR)2式III，M(=O)(OR)4式IV，及M(=O)2(OR)2式V，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。所揭示之前驅物可包括以下態樣中之一或多者：‧M為Mo；‧M為W；‧前驅物具有式M(=O)(NR2)4；‧各R獨立地選自H、Me、Et、nPr、iPr、tBu、sBu、iBu、nBu、第三戊基、SiMe3、SiMe2H或SiH2Me；‧各R獨立地選自H、Me、Et、iPr或tBu；‧前驅物為Mo(=O)(NMe2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NMeEt)4；‧前驅物為Mo(=O)(NEt2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NiPr2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NnPr2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NiBu2)4； ‧前驅物為Mo(=O)(NnBu2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NtBu2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NsBu2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NtAm2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NMe2)2(NtBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)(NiPr2)2(NtBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)(N(SiMe3)2)4；‧前驅物為Mo(=O)(N(SiHMe2)2)4；‧前驅物為Mo(=O)(N(SiMeH2)2)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHMe)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHEt)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHiPr)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHnPr)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHiBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHnBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHtBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHsBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHtAm)4；‧前驅物為Mo(=O)(NHMe)2(NtBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)(NiPr2)2(NHtBu)2；‧前驅物為Mo(=O)(NHSiMe3)4；‧前驅物為Mo(=O)(NH(SiHMe2))4； ‧前驅物為Mo(=O)(NH(SiMeH2))4；‧前驅物為Mo(=O)(NHiPr)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物為Mo(=O)(NiPr2)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物為W(=O)(NMe2)4；‧前驅物為W(=O)(NMeEt)4；‧前驅物為W(=O)(NEt2)4；‧前驅物為W(=O)(NiPr2)4；‧前驅物為W(=O)(NnPr2)4；‧前驅物為W(=O)(NiBu2)4；‧前驅物為W(=O)(NnBu2)4；‧前驅物為W(=O)(NtBu2)4；‧前驅物為W(=O)(NsBu2)4；‧前驅物為W(=O)(NtAm2)4；‧前驅物為W(=O)(NMe2)2(NtBu2)2；‧前驅物為W(=O)(NiPr2)2(NtBu2)2；‧前驅物為W(=O)(N(SiMe3)2)4；‧前驅物為W(=O)(N(SiHMe2)2)4；‧前驅物為W(=O)(N(SiMeH2)2)4；‧前驅物為W(=O)(NHMe)4；‧前驅物為W(=O)(NHEt)4；‧前驅物為W(=O)(NHiPr)4；‧前驅物為W(=O)(NHnPr)4； ‧前驅物為W(=O)(NHiBu)4；‧前驅物為W(=O)(NHnBu)4；‧前驅物為W(=O)(NHtBu)4；‧前驅物為W(=O)(NHsBu)4；‧前驅物為W(=O)(NHtAm)4；‧前驅物為W(=O)(NHMe)2(NtBu2)2；‧前驅物為W(=O)(NiPr2)2(NHtBu)2；‧前驅物為W(=O)(NHSiMe3)4；‧前驅物為W(=O)(NH(SiHMe2))4；‧前驅物為W(=O)(NH(SiMeH2))4；‧前驅物為W(=O)(NHiPr)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物為W(=O)(NiPr2)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物具有式M(=O)2(NR2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NMe2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NMeEt)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NEt2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NiPr2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NnPr2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NiBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NnBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NtBu2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NSBu2)2； ‧前驅物為Mo(=O)2(NtAm2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NMe2)(NtBu2)；‧前驅物為Mo(=O)2(NiPr2)(NtBu2)；‧前驅物為Mo(=O)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(N(SiHMe2)2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(N(SiMeH2)2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHMe)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHEt)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHiPr)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHnPr)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHiBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHnBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHtBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHsBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHtAm)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHMe)(NtBu2)；‧前驅物為Mo(=O)2(NiPr2)(NHtBu)；‧前驅物為Mo(=O)2(NHSiMe3)2；‧前驅物為Mo(=O)2(NH(SiHMe2))2；‧前驅物為Mo(=O)2(NH(SiMeH2))2；‧前驅物為Mo(=O)2(NHiPr)(N(SiMe3)2)；‧前驅物為Mo(=O)2(NiPr2)(N(SiMe3)2)； ‧前驅物為W(=O)2(NMe2)2；‧前驅物為W(=O)2(NMeEt)2；‧前驅物為W(=O)2(NEt2)2；‧前驅物為W(=O)2(NiPr2)2；‧前驅物為W(=O)2(NnPr2)2；‧前驅物為W(=O)2(NiBu2)2；‧前驅物為W(=O)2(NnBu2)2；‧前驅物為W(=O)2(NtBu2)2；‧前驅物為W(=O)2(NsBu2)2；‧前驅物為W(=O)2(NtAm2)2；‧前驅物為W(=O)2(NMe2)(NtBu2)；‧前驅物為W(=O)2(NiPr2)(NtBu2)；‧前驅物為W(=O)2(N(SiMe3)2)2；‧前驅物為W(=O)2(N(SiHMe2)2)2；‧前驅物為W(=O)2(N(SiMeH2)2)2；‧前驅物為W(=O)2(NHMe)2；‧前驅物為W(=O)2(NHEt)2；‧前驅物為W(=O)2(NHiPr)2；‧前驅物為W(=O)2(NHnPr)2；‧前驅物為W(=O)2(NHiBu)2；‧前驅物為W(=O)2(NHnBu)2；‧前驅物為W(=O)2(NHtBu)2； ‧前驅物為W(=O)2(NHsBu)2；‧前驅物為W(=O)2(NHtAm)2；‧前驅物為W(=O)2(NHMe)(NtBu2)；‧前驅物為W(=O)2(NiPr2)(NHtBu)；‧前驅物為W(=O)2(NHSiMe3)2；‧前驅物為W(=O)2(NH(SiHMe2))2；‧前驅物為W(=O)2(NH(SiMeH2))2；‧前驅物為W(=O)2(NHiPr)(N(SiMe3)2)；‧前驅物為W(=O)2(NiPr2)(N(SiMe3)2)；‧前驅物具有式M(=NR)2(OR)2；‧前驅物為Mo(=NMe)2(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NEt)2(OEt)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OiPr)2；‧前驅物為Mo(=NnPr)2(OnPr)2；‧前驅物為Mo(=NiBu)2(OiBu)2；‧前驅物為Mo(=NsBu)2(OsBu)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=NnBu)2(OnBu)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OtAm)2；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)2(OSiMe3)2；‧前驅物為Mo(=NSiHMe2)2(OSiHMe2)2；‧前驅物為Mo(=NSiH2Me)2(OSiH2Me)2； ‧前驅物為Mo(=NMe)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=NEt)2(OiPr)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OEt)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OsBu)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OiBu)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OnBu)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(O第三戊基)2；‧前驅物為Mo(=NiPr)2(OSiMe3)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OEt)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OiPr)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OsBu)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OiBu)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(OnBu)2；‧前驅物為Mo(=NtBu)2(O第三戊基)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OEt)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OiPr)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OsBu)2； ‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OiBu)2；‧前驅物為Mo(=NtAm)2(OnBu)2；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為Mo(=NSiHMe2)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為Mo(=NSiH2Me)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)(=NtBu)(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)(=NtBu)(OEt)2；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)(=NiPr)(OMe)2；‧前驅物為Mo(=NSiMe3)(=NiPr)(OEt)2；‧前驅物為W(=NMe)2(OMe)2；‧前驅物為W(=NEt)2(OEt)2；‧前驅物為W(=NiPr)2(OiPr)2；‧前驅物為W(=NnPr)2(OnPr)2；‧前驅物為W(=NiBu)2(OiBu)2；‧前驅物為W(=NsBu)2(OsBu)2；‧前驅物為W(=NtBu)2(OtBu)2；‧前驅物為W(=NnBu)2(OnBu)2；‧前驅物為W(=NtAm)2(OtAm)2；‧前驅物為W(=NSiMe3)2(OSiMe3)2；‧前驅物為W(=NSiHMe2)2(OSiHMe2)2；‧前驅物為W(=NSiH2Me)2(OSiH2Me)2；‧前驅物為W(=NMe)2(OtBu)2； ‧前驅物為W(=NEt)2(OiPr)2；‧前驅物為W(=NiPr)2(OMe)2；‧前驅物為W(=NiPr)2(OEt)2；‧前驅物為W(=NtBu)2(OMe)2；‧前驅物為W(=NtBu)2(OEt)2；‧前驅物為W(=NtAm)2(OMe)2；‧前驅物為W(=NtAm)2(OEt)2；‧前驅物為W(=NSiMe3)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為W(=NSiHMe2)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為W(=NSiH2Me)2(OMe)(OEt)；‧前驅物為W(=NSiMe3)(=NtBu)(OMe)2；‧前驅物為W(=NSiMe3)(=NtBu)(OEt)2；‧前驅物為W(=NSiMe3)(=NiPr)(OMe)2；‧前驅物為W(=NSiMe3)(=NiPr)(OEt)2；‧前驅物具有式M(=O)(OR)4；‧各R獨立地選自H、Me、Et、nPr、iPr、tBu、sBu、iBu、nBu、第三戊基、SiMe3、SiMe2H或SiH2Me；‧各R獨立地為iPr或tBu；‧前驅物為Mo(=O)(OMe)4；‧前驅物為Mo(=O)(OEt)4；‧前驅物為Mo(=O)(OiPr)4；‧前驅物為Mo(=O)(OnPr)4； ‧前驅物為Mo(=O)(OiBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(OnBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(OtBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(OsBu)4；‧前驅物為Mo(=O)(OtAm)4；‧前驅物為Mo(=O)(OMe)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=O)(OiPr)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=O)(OSiMe3)4；‧前驅物為Mo(=O)(OSiHMe2)4；‧前驅物為Mo(=O)(OSiMeH2)4；‧前驅物為Mo(=O)(OiPr)2(OSiMe3)2；‧前驅物為W(=O)(OMe)4；‧前驅物為W(=O)(OnPr)4；‧前驅物為W(=O)(OiBu)4；‧前驅物為W(=O)(OnBu)4；‧前驅物為W(=O)(OsBu)4；‧前驅物為W(=O)(OtAm)4；‧前驅物為W(=O)(OMe)2(OtBu)2；‧前驅物為W(=O)(OiPr)2(OtBu)2；‧前驅物為W(=O)(OSiMe3)4；‧前驅物為W(=O)(OSiHMe2)4；‧前驅物為W(=O)(OSiMeH2)4； ‧前驅物為W(=O)(OiPr)2(OSiMe3)2；‧前驅物具有式M(=O)2(OR)2；‧各R獨立地選自H、Me、Et、nPr、iPr、tBu、sBu、iBu、nBu、第三戊基、SiMe3、SiMe2H或SiH2Me；‧各R獨立地為iPr或tBu；‧前驅物為Mo(=O)2(OMe)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OEt)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OiPr)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OnPr)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OiBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OnBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OtBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OsBu)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OtAm)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OMe)(OtBu)；‧前驅物為Mo(=O)2(OiPr)(OtBu)；‧前驅物為Mo(=O)2(OSiMe3)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OSiHMe2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OSiMeH2)2；‧前驅物為Mo(=O)2(OiPr)(OSiMe3)；‧前驅物為W(=O)2(OMe)2；‧前驅物為W(=O)2(OEt)2； ‧前驅物為W(=O)2(OnPr)2；‧前驅物為W(=O)2(OiPr)2；‧前驅物為W(=O)2(OiBu)2；‧前驅物為W(=O)2(OnBu)2；‧前驅物為W(=O)2(OsBu)2；‧前驅物為W(=O)2(OtBu)2；‧前驅物為W(=O)2(OtAm)2；‧前驅物為W(=O)2(OMe)(OtBu)；‧前驅物為W(=O)2(OiPr)(OtBu)；‧前驅物為W(=O)2(OSiMe3)2；‧前驅物為W(=O)2(OSiHMe2)2；‧前驅物為W(=O)2(OSiMeH2)2；‧前驅物為W(=O)2(OiPr)(OSiMe3)；‧組成物包含大致95% w/w與大致100% w/w之間的前驅物；‧組成物包含大致98% w/w與大致100% w/w之間的前驅物；‧組成物包含大致99% w/w與大致100% w/w之間的前驅物；‧組成物包含在大致0.1% w/w與大致50% w/w之間的前驅物；‧組成物包含大致0原子%與5原子%之間的M(OR)6；‧組成物包含大致0原子%與5原子%之間的M(=NR)2Cl(OR)；‧組成物包含大致0ppmw與200ppm之間的Cl；‧進一步包含溶劑。
‧溶劑選自由C1-C16烴、THF、DMO、乙醚、吡啶及其組合組成之群； ‧溶劑為C1-C16烴；‧溶劑為四氫呋喃(THF)；‧溶劑為乙二酸二甲酯(DMO)；‧溶劑為乙醚；‧溶劑為吡啶；‧溶劑為乙醇；及‧溶劑為異丙醇。
本發明亦揭示用於在基板上沈積含有第6族過渡金屬之膜之方法。將以上所揭示之第6族成膜組成物引入安置有基板之反應器中。至少部分含有第6族過渡金屬之前驅物沈積至基板上以形成含有第6族過渡金屬之膜。所揭示之方法可進一步包含以下態樣中之一或多者：‧向反應器中引入少一種反應物；‧反應物經電漿處理；‧反應物經遠端電漿處理；‧反應物不經電漿處理；‧反應物選自由以下組成之群：H2、H2CO、N2H4、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、其氫自由基及其混合物；‧反應物為H2；‧反應物為NH3；‧反應物選自由以下組成之群：O2、O3、H2O、H2O2、NO、NO2，其氧自由基及其混合物；‧反應物為H2O； ‧反應物為經電漿處理之O2；‧反應物為O3；‧第6族成膜組成物及反應物同時引入反應器中；‧反應器經組態用於化學氣相沈積；‧反應器經組態用於電漿增強化學氣相沈積；‧第6族成膜組成物及反應物依序引入腔室中；‧反應器經組態用於原子層沈積；‧反應器經組態用於電漿增強原子層沈積；‧反應器經組態用於空間原子層沈積；‧含有第6族過渡金屬之膜為純第6族過渡金屬薄膜；‧含有第6族過渡金屬之膜為第6族過渡金屬矽化物(MkSil，其中M為第6族過渡金屬且k及l中之每一者為包括1至6範圍在內之整數)；‧含有第6族過渡金屬之膜為第6族過渡金屬氧化物(MnOm，其中M為第6族過渡金屬且n及m中之每一者為包括1至6範圍在內之整數)；‧含有第6族過渡金屬之膜MoO2、MoO3、W2O3、WO2、WO3或W2O5；‧含有第6族過渡金屬之膜為第6族過渡金屬氮化物(MoNp，其中M為第6族過渡金屬且o及p中之每一者為包括1至6範圍在內之整數)；及‧含有第6族過渡金屬之膜為Mo2N、MoN、MoN2、W2N、WN或WN2。
11‧‧‧反應器
12‧‧‧饋入源
13‧‧‧饋入源
14‧‧‧饋入源
15‧‧‧冷阱
BV‧‧‧蝶形閥
L1‧‧‧線
L2‧‧‧線
L3‧‧‧線
L4‧‧‧線
L5‧‧‧線
L6‧‧‧線
L7‧‧‧線
MFC1‧‧‧質量流量控制器
MFC2‧‧‧質量流量控制器
MFC3‧‧‧質量流量控制器
MFC4‧‧‧質量流量控制器
PG1‧‧‧壓力計
PG2‧‧‧壓力計
PG3‧‧‧壓力計
PMP‧‧‧泵
V1‧‧‧截流閥
V2‧‧‧截流閥
V3‧‧‧截流閥
V4‧‧‧截流閥
V5‧‧‧截流閥
V6‧‧‧截流閥
V7‧‧‧截流閥
V8‧‧‧截流閥
為進一步理解本發明之性質及目標，應結合隨附圖式參考以下【實施方式】，其中相同元件給出相同或類似參考編號且其中：圖1為示意性說明例示性ALD設備之框圖； 圖2為熱解重量分析(TGA)曲線，其顯示Mo(=NtBu)2(OtBu)2、Mo(=NtBu)2(OiPr)2、Mo(=NtBu)2(OEt)2、Mo(=NtBu)2(OiPr)(NMe2)及Mo(=NtBu)2(NMe2)2隨溫度增加之重量損失百分比；及圖3為TGA曲線，其顯示進行100℃穩定性測試之前及之後Mo(=NtBu)2(OtBu)2隨溫度增加之重量損失百分比。
應瞭解，在如所附申請專利範圍中所表述之本發明原理及範疇內，熟習此項技術者可對本文中已描述且說明以便解釋本發明之性質的細節、材料、步驟及部件配置作出許多其他改變。因此，本發明並不意欲限於以上所提供之實施例及/或隨附圖式中的特定具體實例。
本發明揭示第6族成膜組成物，其包含選自由以下組成之群的含有第6族過渡金屬之前驅物：M(=O)(NR2)4式I，M(=O)2(NR2)2式II，M(=NR)2(OR)2式III，M(=O)(OR)4式IV，及M(=O)2(OR)2式V，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。
含有第6族過渡金屬之前驅物可具有式I，M(=O)(NR2)4，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。較佳地，各R獨立地為H、Me、Et、iPr或tBu。
式I之例示性鉬前驅物包括Mo(=O)(NMe2)4、Mo(=O)(NMeEt)4、Mo(=O)(NEt2)4、Mo(=O)(NiPr2)4、Mo(=O)(NnPr2)4、Mo(=O)(NiBu2)4、Mo(=O)(NnBu2)4、Mo(=O)(NtBu2)4、Mo(=O)(NsBu2)4、Mo(=O)(NtAm2)4、Mo(=O)(NMe2)2(NtBu2)2、Mo(=O)(NiPr2)2(NtBu2)2、Mo(=O)(N(SiMe3)2)4、Mo(=O)(N(SiHMe2)2)4、Mo(=O)(N(SiMeH2)2)4、Mo(=O)(NHMe)4、Mo(=O)(NHEt)4、Mo(=O)(NHiPr)4、Mo(=O)(NHnPr)4、Mo(=O)(NHiBu)4、Mo(=O)(NHnBu)4、Mo(=O)(NHtBu)4、Mo(=O)(NHsBu)4、Mo(=O)(NHtAm)4、Mo(=O)(NHMe)2(NtBu2)2、Mo(=O)(NiPr2)2(NHtBu)2、Mo(=O)(NHSiMe3)4、Mo(=O)(NH(SiHMe2))4、Mo(=O)(NH(SiMeH2))4、Mo(=O)(NHiPr)2(N(SiMe3)2)2及Mo(=O)(NiPr2)2(N(SiMe3)2)2。
式I之例示性鎢前驅物包括W(=O)(NMe2)4、W(=O)(NMeEt)4、W(=O)(NEt2)4、W(=O)(NiPr2)4、W(=O)(NnPr2)4、W(=O)(NiBu2)4、W(=O)(NnBu2)4、W(=O)(NtBu2)4、W(=O)(NsBu2)4、W(=O)(NtAm2)4、W(=O)(NMe2)2(NtBu2)2、W(=O)(NiPr2)2(NtBu2)2、W(=O)(N(SiMe3)2)4、W(=O)(N(SiHMe2)2)4、W(=O)(N(SiMeH2)2)4、W(=O)(NHMe)4、W(=O)(NHEt)4、W(=O)(NHiPr)4、W(=O)(NHnPr)4、W(=O)(NHiBu)4、W(=O)(NHnBu)4、W(=O)(NHtBu)4、W(=O)(NHsBu)4、W(=O)(NHtAm)4、W(=O)(NHMe)2(NtBu2)2、W(=O)(NiPr2)2(NHtBu)2、W(=O)(NHSiMe3)4、W(=O)(NH(SiHMe2))4、W(=O)(NH(SiMeH2))4、W(=O)(NHiPr)2(N(SiMe3)2)2及W(=O)(NiPr2)2(N(SiMe3)2)2。
可如Inorganic Chemistry第26卷，第18期，1987中所述合成式I之前驅物。更特定而言，M(=O)Cl4可與1當量MeOH反應，隨後與4當量相對應胺之Li鹽或Na鹽(LiNR2或NaNR2)反應以產生M(=O)(NR2)4。
含有第6族過渡金屬之前驅物可具有式II，M(=O)2(NR2)2，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。較佳地，各R獨立地為H、Me、Et、iPr或tBu。
式II之例示性鉬前驅物包括Mo(=O)2(NMe2)2、Mo(=O)2(NMeEt)2、Mo(=O)2(NEt2)2、Mo(=O)2(NiPr2)2、Mo(=O)2(NnPr2)2、Mo(=O)2(NiBu2)2、Mo(=O)2(NnBu2)2、Mo(=O)2(NtBu2)2、Mo(=O)2(NsBu2)2、Mo(=O)2(NtAm2)2、Mo(=O)2(NMe2)(NtBu2)、Mo(=O)2(NiPr2)(NtBu2)、Mo(=O)2(N(SiMe3)2)2、Mo(=O)2(N(SiHMe2)2)2、Mo(=O)2(N(SiMeH2)2)2、Mo(=O)2(NHMe)2、Mo(=O)2(NHEt)2、Mo(=O)2(NHiPr)2、Mo(0)2(NHnPr)2、Mo(=O)2(NHiBu)2、Mo(=O)2(NHnBu)2、Mo(=O)2(NHtBu)2、Mo(=O)2(NHsBu)2、Mo(=O)2(NHtAm)2、Mo(=O)2(NHMe)(NtBu2)、Mo(=O)2(NiPr2)(NHtBu)、Mo(=O)2(NHSiMe3)2、Mo(=O)2(NH(SiHMe2))2、Mo(=O)2(NH(SiMeH2))2、Mo(=O)2(NHiPr)(N(SiMe3)2)及Mo(=O)2(NiPr2)(N(SiMe3)2)。
式II之例示性鎢前驅物包括W(=O)2(NMe2)2、W(=O)2(NMeEt)2、W(=O)2(NEt2)2、W(=O)2(NiPr2)2、W(=O)2(NnPr2)2、W(=O)2(NiBu2)2、W(=O)2(NnBu2)2、W(=O)2(NtBu2)2、W(=O)2(NsBu2)2、W(=O)2(NtAm2)2、W(=O)2(NMe2)(NtBu2)、W(=O)2(NiPr2)(NtBu2)、W(=O)2(N(SiMe3)2)2、W(=O)2(N(SiHMe2)2)2、W(=O)2(N(SiMeH2)2)2、W(=O)2(NHMe)2、W(=O)2(NHEt)2、W(=O)2(NHiPr)2、W(=O)2(NHnPr)2、W(=O)2(NHiBu)2、W(=O)2(NHnBu)2、W(=O)2(NHtBu)2、W(=O)2(NHsBu)2、W(=O)2(NHtAm)2、W(=O)2(NHMe)(NtBu2)、W(=O)2(NiPr2)(NHtBu)、W(=O)2(NHSiMe3)2、W(=O)2(NH(SiHMe2))2、W(=O)2(NH(SIMeH2))2、 W(=O)2(NHiPr)(N(SiMe3)2)及W(=O)2(NiPr2)(N(SiMe3)2)。
可藉由使M(=O)Cl2與1當量甲醇反應，隨後與2當量相對應胺之Li鹽或Na鹽(LiNR2或NaNR2)反應以產生M(=O)2(NR2)2來合成式II之前驅物。
含有第6族過渡金屬之前驅物可具有式III，M(=NR)2(OR)2，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。較佳地，各R獨立地為H、Me、Et、iPr、tBu或第三戊基。
式III之例示性鉬前驅物包括Mo(=NMe)2(OMe)2、Mo(=NEt)2(OEt)2、Mo(=NiPr)2(OiPr)2、Mo(=NnPr)2(OnPr)2、Mo(=NiBu)2(OiBu)2、Mo(=NsBu)2(OsBu)2l、Mo(=NtBu)2(OtBu)2、Mo(=NnBu)2(OnBu)2、Mo(=NtAm)2(OtAm)2、Mo(=NSiMe3)2(OSiMe3)2、Mo(=NSiHMe2)2(OSiHMe2)2、Mo(=NSiH2Me)2(OSiH2Me)2、Mo(=NMe)2(OtBu)2、Mo(=NEt)2(OiPr)2、Mo(=NiPr)2(OMe)2、Mo(=NiPr)2(OEt)2、Mo(=NiPr)2(OsBu)2、Mo(=NiPr)2(OnBu)2、Mo(=NiPr)2(OiBu)2、Mo(=NiPr)2(OtBu)2、Mo(=NiPr)2(O第三戊基)2、Mo(=NtBu)2(OMe)2、Mo(=NtBu)2(OEt)2、Mo(=NtBu)2(OiPr)2、Mo(=NtBu)2(OnBu)2、Mo(=NtBu)2(OiBu)2、Mo(=NtBu)2(OsBu)2、Mo(=NtBu)2(O第三戊基)2、Mo(=NtAm)2(OMe)2、Mo(=NtAm)2(OEt)2、Mo(=NtAm)2(OiPr)2、Mo(=NtAm)2(OnBu)2、Mo(=NtAm)2(OtBu)2、Mo(=NtAm)2(OiBu)2、Mo(=NtAm)2(OsBu)2、Mo(=NSiMe3)2(OMe)(OEt)、Mo(=NSiHMe2)2(OMe)(OEt)、Mo(=NSiH2Me)2(OMe)(OEt)、Mo(=NSiMe3)(=NtBu)(OMe)2、Mo(=NSiMe3)(=NtBu)(OEt)2、Mo(=NSiMe3)(=NiPr)(OMe)2及 Mo(=NSiMe3)(=NiPr)(OEt)2。
式III之例示性鎢前驅物包括W(=NMe)2(OMe)2、W(=NEt)2(OEt)2、W(=NiPr)2(OiPr)2、W(=NnPr)2(OnPr)2、W(=NiBu)2(OiBu)2、W(=NsBu)2(OsBu)2、W(=NtBu)2(0tBu)2、W(=NnBu)2(0nBu)2、W(=NtAm)2(0tAm)2、W(=NSiMe3)2(OSiMe3)2、W(=NSiHMe2)2(OSiHMe2)2、W(=NSiH2Me)2(OSiH2Me)2、W(=NMe)2(OtBu)2、W(=NEt)2(OiPr)2、W(=NiPr)2(OMe)2、W(=NiPr)2(OEt)2、W(=NiPr)2(OtBu)2、W(=NiPr)2(OnBu)2、W(=NiPr)2(OiBu)2、W(=NiPr)2(OsBu)2、W(=NiPr)2(O第三戊基)2、W(=NtBu)2(OMe)2、W(=NtBu)2(OEt)2、W(=NtBu)2(OIPr)2、W(=NtBu)2(OnBu)2、W(=NtBu)2(OiBu)2、W(=NtBu)2(OsBu)2、W(=NtBu)2(O第三戊基)2、W(=NtAm)2(OMe)2、W(=NtAm)2(OEt)2、W(=NtAm)2(OiPr)2、W(=NtAm)2(OnBu)2、W(=NtAm)2(OtBu)2、W(=NtAm)2(OiBu)2、W(=NtAm)2(OsBu)2、W(=NSiMe3)2(OMe)(OEt)、W(=NSIHMe2)2(OMe)(OEt)tW(=NSiH2Me)2(OMe)(OEt)、W(=NSiMe3)(=NtBu)(OMe)2、W(=NSiMe3)(=NtBu)(OEt)2、W(=NSiMe3)(=NiPr)(OMe)2及W(=NSiMe3)(=NiPr)(OEt)2。
可根據Dalton Transactions(2003)(23)4457-4465中所揭示之方法合成式III之前驅物。更特定而言，M(=NR)2X2之乙二醇二乙醚加合物可與LiOR'或NaOR'反應以產生Mo(=NR)2(OR')2，其中X為鹵化物且R及R'兩者獨立地為如上文所定義之R，但經區分以指示其中R及R'中之每一者位於最終產物上。
含有第6族過渡金屬之前驅物可具有式IV，M(=O)(OR)4，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H 或C1至C6烷基。較佳地，各R獨立地為iPr、tBu、sBu或第三戊基。
式IV之例示性鉬前驅物包括Mo(=O)(OMe)4、Mo(=O)(OEt)4、Mo(=O)(OiPr)4、Mo(=O)(OnPr)4、Mo(=O)(OiBu)4、Mo(=O)(OnBu)4、Mo(=O)(OtBu)4、Mo(=O)(OsBu)4、Mo(=O)(OtAm)4、Mo(=O)(OMe)2(OtBu)2、Mo(=O)(OiPr)2(OtBu)2、Mo(=O)(OSiMe3)4、Mo(=O)(OSiHMe2)4、Mo(=O)(OSiMeH2)4及Mo(=O)(OiPr)2(OSiMe3)2。
式IV之例示性鎢前驅物包括W(=O)(OMe)4、W(=O)(OnPr)4、W(=O)(OiBu)4、W(=O)(OnBu)4、W(=O)(OsBu)4、W(=O)(OtAm)4、W(=O)(OMe)2(OtBu)2、W(=O)(OiPr)2(OtBu)2、W(O)(OSiMe3)4、W(=O)(OSiHMe2)4、W(=O)(OSiMeH2)4及W(=O)(OiPr)2(OSiMe3)2。
可根據Journal of the American Chemical Society(1981)103(5)1305-6中所揭示之方法合成式IV之前驅物。更特定而言，M2(OR)6可與2當量O2反應以產生Mo(=O)(OR)4。或者，可根據Organometallics 1982,1,148-155中所揭示之方法合成式IV之前驅物。更特定而言，M(=O)Cl4可與4當量相對應醇之Li鹽或Na鹽(LiOR或NaOR，其中R如上文所定義)反應以產生M(=O)(OR)4。
含有第6族過渡金屬之前驅物可具有式V，M(=O)2(OR)2，其中M為Mo或W且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。較佳地，各R獨立地為tBu、sBu、iBu或第三戊基。
式V之例示性鉬前驅物包括Mo(=O)2(OMe)2、Mo(=O)2(OEt)2、Mo(=O)2(OiPr)2、Mo(=O)2(OnPr)2、Mo(=O)2(OiBu)2、Mo(=O)2(OnBu)2、Mo(=O)2(OtBu)2、Mo(=O)2(OsBu)2、Mo(=O)2(OtAm)2、Mo(=O)2(OMe)(OtBu)、 Mo(=O)2(OiPr)(OtBu)、Mo(=O)2(OSiMe3)2、Mo(=O)2(OSiHMe2)2、Mo(=O)2(OSiMeH2)2及Mo(=O)2(OtBu)(OSiMe3)。
式V之例示性鎢前驅物包括W(=O)2(OMe)2、W(=O)2(OEt)2、W(=O)2(OiPr)2、W(=O)2(OnPr)2、W(=O)2(OiBu)2、W(=O)2(OnBu)2、W(=O)2(OtBu)2、W(=O)2(OsBu)2、W(=O)2(OtAm)2、W(=O)2(OMe)(OtBu)、W(=O)2(OiPr)(OtBu)、W(=O)2(OSiMe3)2、W(=O)2(OSiHMe2)2、W(=O)2(OSiMeH2)2及W(=O)2(OtBu)(OSiMe3)。
可根據Inorganic Chemistry(1984),23(8),1021-37中所揭示之方法合成式V之前驅物。更特定而言，M2(OR)6可與分子O2反應以產生M(=O)2(OR)2。或者，亦可根據Organometallics 1982,1,148-155中所揭示之方法合成式II之前驅物。更特定而言，M(=O)2Cl2可與2當量相對應醇之鋰鹽或鈉鹽(LiOR或NaOR)反應以產生Mo(=O)2(OR)2。在另一替代方案中，亦可根據Inorg.Chem.1989,28,1279-1283中所揭示之方法合成式V之前驅物。更特定而言，M(=O)3可與相對應之四烷氧基矽烷(Si(OR)4)反應以產生Mo(=O)2(OR)2。
所揭示之第6族成膜組成物之純度較佳高於99.9% w/w。所揭示之第6族過渡成膜組成物可含有以下雜質中之任一者：Mo(=NR)Cl(OR)(其中R如上文所定義)、烷基胺、二烷基胺、烷基亞胺、醇鹽、THF、乙醚、甲苯、氯化金屬化合物、烷氧基鋰或烷氧基鈉，或胺基鋰或胺基鈉。此等雜質之總量較佳地低於0.1% w/w。可藉由昇華、蒸餾及/或使氣體或液體通過適合吸附劑(諸如4A分子篩)產生經純化之產物。
所揭示之第6族成膜組成物亦可包括ppbw(十億分之一重 量)含量之金屬雜質。此等金屬雜質包括但不限於鋁(Al)、砷(As)、鋇(Ba)、鈹(Be)、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鉻(Cr)、鈷(Co)、銅(Cu)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、銦(In)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鋰(Li)、鎂(Mg)、錳(Mn)、鎢(W)、鎳(Ni)、鉀(K)、鈉(Na)、鍶(Sr)、釷(Th)、錫(Sn)、鈦(Ti)、鈾(U)、釩(V)及鋅(Zn)。
亦揭示用於使用氣相沈積製程在基板上形成含有第6族過渡金屬之層之方法。方法可適用於製造半導體、光伏打、LCD-TFT或平板型裝置。所揭示之第6族成膜組成物可用於使用熟習此項技術者所已知之任一氣相沈積法(諸如原子層沈積或化學氣相沈積)來沈積含有第6族過渡金屬之膜。例示性CVD方法包括熱CVD、電漿增強CVD(PECVD)、脈衝CVD(PCVD)、低壓CVD(LPCVD)、真空壓力CVD(SACVD)或大氣壓力CVD(APCVD)、熱線CVD(HWCVD，亦稱為催化CVD，其中熱線充當沈積製程之能量源)，自由基併入CVD及其組合。例示性ALD方法包括熱ALD、電漿增強ALD(PEALD)、空間分離ALD、熱線ALD(HWALD)、自由基併入ALD及其組合。亦可使用超臨界流體沈積。為了提供適合之步階覆蓋及膜厚度控制，沈積方法較佳為ALD、PE-ALD或空間ALD。
圖1為示意性說明可用於形成含有第6族過渡金屬之層之氣相沈積設備之實施例的框圖。圖1中所說明的設備包括反應器11、所揭示之第6族成膜組成物饋入源12、反應物(典型地，諸如氧氣或臭氧之氧化劑)饋入源13，及可用作載氣及/或稀釋氣體之惰性氣體饋入源14。基板裝載及卸載機制(圖中未示)允許在反應器11中插入及移除沈積基板。提供加熱裝置(圖中未示)以達成所揭示之組成物之反應所需要的反應溫度。
第6族成膜組成物饋入源12可使用鼓泡方法將組成物引入反應器11中，且藉由線L1連接至惰性氣體饋入源14。線L1具備截流閥V1及此閥門下游之流動速率控制器，例如質量流控制器MFC1。組成物自其饋入源12經由線L2引入反應器11中。於上游側提供以下各者：壓力計PG1、截流閥V2及截流閥V3。
反應物饋入源13包含使反應物保持氣態、液態或固態形式之容器。反應物之蒸氣自其饋入源13經由線L3引入反應器11中。在線L3中提供截流閥V4及V5及質量流控制器，例如質量流控制器MFC2。此線L3連接至線L2。
惰性氣體饋入源14包含使惰性氣體保持氣態形式之容器。惰性氣體可自其饋入源經由線L4引入反應器11中。線L4在上游側具備以下各者：截流閥V6、質量流控制器MFC3及壓力計PG2。線L4與截流閥V4上游之線L3接合。
線L5自線L1上截流閥V1上游分叉；此線L5在截流閥V2與截流閥V3之間接合線L2。線L5具備視為來自上游側之截流閥V7及質量流控制器MFC4。
線L6在截流閥V3與V4之間分叉進入反應室11中。此線L6具備截流閥V8。
在反應器11底部提供達至泵PMP之線L7。此線L7在上游側上含有以下各者：壓力計PG3、用於控制背壓之蝶形閥BV及冷阱15。此冷阱15包含管道(圖中未示)，其在其圓周上具備冷卻器(圖中未示)，且旨在收集鎢前驅物及相關副產物。
反應器可為裝置內的任何殼體或腔室，其中沈積法在適合於引起化合物反應且形成層之條件下發生，諸如但不限於平行板型反應器、冷壁型反應器、熱壁型反應器、單晶圓反應器、多晶圓反應器或其他類型之沈積系統。
反應器含有將沈積膜之一或多個基板。基板一般定義為在其上進行製程之材料。基板可為用於半導體、光伏、平板或LCD-TFT裝置製造之任何適合之基板。適合基板之實例包括晶圓，例如矽、二氧化矽、玻璃或GaAs晶圓。晶圓可具有自先前製造步驟在其上沈積之一或多層不同材料。舉例而言，晶圓可包括矽層(結晶、非晶形、多孔等)、氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、碳摻雜之氧化矽(SiCOH)層或其組合。此外，晶圓可包括銅層或貴金屬層(例如鉑、鈀、銠或金)。晶圓可包括阻擋層，諸如錳、氧化錳等。亦可使用諸如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸)[PEDOT：PSS]之塑膠層。層可為平面或經圖案化的。所揭示之製程可直接將含有第6族之層沈積在晶圓上或直接沈積在晶圓頂部上之一個或一個以上(當經圖案化層形成基板時)層上。此外，一般熟習此項技術者將認識到，本文中所使用之術語「膜(film)」或「層(layer)」係指放於表面上或在表面上擴散且該表面可為溝槽或線之一定厚度之某一物質。遍及本說明書及申請專利範圍，晶圓及上面之任何締合層稱為基板。舉例而言，氧化鉬膜可沈積至TiN層上。在後續加工中，氧化鋯層可沈積於鉬層上，第二鉬層可沈積於氧化鋯層上，且TiN層可沈積於第二鉬層上，形成TiN/MoOx/ZrO2/MoOx/TiN堆疊(x在包括2-3範圍內)，用於DRAM電容器。
反應器內溫度及壓力保持在適用於氣相沈積之條件下。換言 之，將氣化組成物引入腔室中後，腔室內之條件使得至少部分氣化前驅物沈積至基板上以形成含有第6族過渡金屬之膜。舉例來說，反應器中之壓力可保持在約1Pa與約105Pa之間，更佳在約25Pa與約103Pa之間，視需要根據沈積參數。同樣，反應器中之溫度可保持在約100℃與約500℃之間，較佳在約150℃與約400℃之間。一般熟習此項技術者將認識到，「至少部分氣化前驅物經沈積」意謂某一或整個前驅物與基板反應或黏著至基板上。
可藉由控制基板固持器之溫度或控制反應器壁之溫度來控制反應器溫度。用於加熱基板之裝置為此項技術中已知。加熱反應器壁至充足溫度以獲得在足夠生長速率下且具有所要物理狀態及組成之所要膜。反應器壁可加熱至的非限制性例示性溫度範圍包括大致100℃至大致500℃。當採用電漿沈積製程時，沈積溫度可在大致150℃至大致400℃範圍內。或者，當執行熱製程時，沈積溫度可在約200℃至約500℃範圍內。
可以純形式或以與適合之溶劑(諸如乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷)的摻合物形式來提供所揭示之第6族成膜組成物。所揭示之組成物可以不同濃度存在於溶劑中。
純或摻合的第6族成膜組成物藉由習知構件(諸如管道及/或流量計)以蒸氣形式引入反應器中。可藉由經由習知汽化步驟(諸如直接汽化、蒸餾、或藉由鼓泡或藉由使用昇華器(諸如Xu等人之PCT公開案WO2009/087609中所揭示之昇華器))汽化純的或摻合的化合物溶液來產生呈蒸氣形式之化合物。純的或摻合的組成物可以液態饋至汽化器中，在其中其經汽化然後引入反應器中。或者，可藉由將載氣傳送至含有組成物之容器中或藉由使載氣鼓泡至組成物中來汽化純的或摻合的組成物。載氣可 包括但不限於Ar、He、N2及其混合物。用載氣鼓泡亦可移除存在於純的或摻合的組成物中之任何溶解氧。接著，載氣及組成物以蒸氣形式引入反應器中。
若需要，所揭示之組成物之容器可加熱至准許組成物呈其液相且具有充足蒸氣壓之溫度。容器可維持在(例如)大致0℃至大致150℃範圍內之溫度下。熟習此項技術者認識到可以已知方式調節容器之溫度以控制組成物之汽化量。
除所揭示之組成物之外，反應物亦可引入反應器中。反應物可為氧化氣體，諸如O2、O3、H2O、H2O2、NO、N2O、NO2、含氧自由基(諸如O．或OH．，NO、NO2)、羧酸、甲酸、乙酸、丙酸及其混合物中之一者。較佳地，氧化氣體選自由以下組成之群：O2、O3、H2O、H2O2、其含氧自由基(諸如O．或OH．)及其混合物。
或者，反應物可為還原氣體，諸如H2、H2CO、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、(CH3)2SiH2、(C2H5)2SiH2、(CH3)SiH3、(C2H5)SiH3、苯基矽烷、N2H4、N(SiH3)3、N(CH3)H2、N(C2H5)H2、N(CH3)2H、N(C2H5)2H、N(CH3)3、N(C2H5)3、(SiMe3)2NH、(CH3)HNNH2、(CH3)2NNH2、苯肼、含N分子、B2H6、9-硼雙環[3,3,1]壬烷、二氫苯并呋喃、吡唑啉、三甲鋁、二甲鋅、二乙鋅、其自由基物質及其混合物中之一者。較佳地，還原劑為H2、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、其氫自由基或其混合物。
反應物可經電漿處理，以便使反應物分解成其自由基形式。當用電漿處理時N2亦可用作還原氣體。舉例而言，可產生功率在約50W至約500W、較佳約100W至約400W範圍內之電漿。電漿可產生或存在於 反應器本身內。或者，電漿可通常在一位置處例如在遠端定位電漿系統中自反應器中移除。熟習此項技術者將識別適合於該電漿處理之方法及設備。
舉例而言，可將反應物引入在反應室中產生電漿之直接電漿反應器中，從而在反應室中產生經電漿處理之反應物。例示性直接電漿反應器包括由Trion技術生產之TitanTM PECVD系統。在電漿加工之前可引入反應物且保持在反應室中。或者，電漿加工可與反應物之引入同時發生。原位電漿典型地為13.56MHz RF感應耦合電漿，其在簇射頭與基板固持器之間產生。視是否發生正離子碰撞而定，基板或簇射頭可為供電電極。在原位電漿產生器中典型的施加功率為大致30W至大致1000W。在所揭示之方法中，較佳使用大致30W至大致600W之功率。功率更佳在大致100W至大致500W範圍內。使用原位電漿之反應物解離典型地小於對於相同功率輸入使用遠端電漿源達成之解離，且因此在反應物解離方面不與遠端電漿系統一樣有效，可有益於在易受電漿損害之基板上沈積含有第6族過渡金屬之膜。
或者，經電漿處理之反應物可在反應室外部產生。在進入反應室之前，可使用MKS Instruments'ASTRONi®反應氣體產生器處理反應物。在2.45GHz，7kW電漿功率及大致0.5托至大致10托範圍內之壓力下運行，反應物O2可分解成兩個O．自由基。較佳地，可藉由約1kW至約10kW、更佳約2.5kW至約7.5kW範圍內之功率產生遠程電漿。
腔室內之氣相沈積條件允許所揭示之組成物及反應物反應且在基板上形成含有第6族過渡金屬之膜。在一些具體實例中，申請者咸信經電漿處理之反應物可對反應物提供與所揭示之前驅物反應所需的能 量。
視何種類型之膜需要待沈積而定，可向反應器中引入額外前驅物。可使用前驅物向含有第6族過渡金屬之膜提供額外元素。額外元素可包括鑭系元素(鐿、鉺、鏑、釓、鐠、鈰、鑭、釔)、鋯、鍺、矽、鈦、錳、釕、鉍、鉛、鎂、鋁或此等混合物。當採用額外前驅物化合物時，沈積於基板上之所得膜含有與至少一種額外元素合併之第6族過渡金屬。
第6族成薄膜組成物及反應物可同時(化學氣相沈積)、依序(原子層沈積)或其不同組合引入反應器中。反應器可在引入組成物與引入反應物之間用惰性氣體淨化。或者，反應物與組成物可混合在一起以形成反應物/組成物混合物，且接著以混合物形式引入反應器。另一實施例為藉由脈衝(脈衝化學氣相沈積)連續引入反應物且引入第6族成膜組成物。
氣化組成物及反應物可依序或同時脈衝(例如脈衝CVD)至反應器中。各脈衝可持續約0.01秒至約10秒或者約0.3秒至約3秒或者約0.5秒至約2秒範圍內之時段。在另一具體實例中，反應物亦可脈衝至反應器中。在該等具體實例中，各氣體之脈衝可持續約0.01秒至約10秒或者約0.3秒至約3秒或者約0.5秒至約2秒範圍內之時段。在另一替代方案中，氣化組成物及反應物可自簇射頭同時噴塗，簇射頭下面旋轉固持數個晶圓之基座(空間ALD)。
視特定製程參數而定，可在不同長度之時間里發生沈積。大體而言，只要需要或必要即可允許繼續沈積以產生具有必要特性之膜。視特定沈積製程而定，典型膜厚度可在數埃至數百微米之範圍內變化。亦可 根據需要多次執行沈積製程以獲得所需膜。
在一種非限制性例示性CVD類型製程中，所揭示之第6族成膜組成物之氣相及反應物同時引入反應器中。兩種物質反應形成所得的含有第6族過渡金屬之薄膜。當此例示性CVD製程中之反應物經電漿處理時，例示性CVD製程變為例示性PECVD製程。在引入腔室中之前或之後，反應物可經電漿處理。
在一個非限制性例示性ALD類型製程中，所揭示之第6族成膜組成物之氣相引入反應器中，在其中其與適合之基板接觸。過量組成物接著可藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。將所需氣體(例如H2)引入反應器中，在其中其以自限制方式與所吸附之組成物反應。任何過量之還原氣體藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。若所需膜為第6族過渡金屬膜，則此兩步製程可提供所需膜厚度或可重複直至已獲得具有必需厚度之膜。
或者，若所需膜含有第6族過渡金屬及第二元素，則可在以上兩步驟製程之後，將額外前驅物之蒸氣引入反應器中。額外前驅物將基於所沈積之第6族過渡金屬膜之性質來選擇。在引入反應器中之後，額外前驅物與基板接觸。任何過量前驅物藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。可再次將所需氣體引入反應器中以使其與吸附前驅物反應。過量氣體藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。若已達成所要膜厚度，則製程可終止。然而，若需要更厚膜，則可重複整個四步驟製程。藉由交替提供第6族成膜組成物、額外前驅物及反應物，可沈積具有所需組成及厚度之膜。
當此例示性ALD製程中之反應物經電漿處理時，例示性 ALD製程變為例示性PEALD製程。在引入腔室中之前或之後，反應物可經電漿處理。
在第二非限制性例示性ALD類型製程中，將一種所揭示之第6族成膜組成物例如二第三丁基亞胺基二第三丁醇鉬[Mo(=NtBu)2(OtBu)2]之氣相引入反應器中，在其中其與TiN基板接觸。過量組成物接著可藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。將所需氣體(例如O3)引入反應器中，在其中其以自限制方式與所吸附之前驅物反應以形成氧化鉬膜。任何過量氧化氣體藉由淨化及/或抽空反應器自反應器移除。可重複此等兩個步驟直至氧化鉬膜獲得典型地大約10埃之所需厚度。ZrO2接著可沈積於MoOx膜上，其中x包括2-3在內。舉例而言，ZrCp(NMe2)3可充當Zr前驅物。使用Mo(=NtBu)2(OtBu)2及臭氧之上述第二非限制性例示性ALD製程接著可在ZrO2層上重複，隨後在MoOx層上沈積TiN。所得TiN/MoOx/ZrO2/MoOx/TiN堆疊可用於DRAM電容器。
由上述製程產生之含有第6族過渡金屬之膜可包括純第6族過渡金屬(M=Mn或W)、第6族過渡金屬矽化物(MkSil)、第6族過渡金屬氧化物(MnOm)、第6族過渡金屬氮化物(MoNp)膜、第6族過渡金屬碳化物(MqCr)膜或第6族過渡金屬碳氮化物(MCrNp)，其中k、l、m、n、o、p、q及r為包括1至6之範圍在內的整數。一般熟習此項技術者將認識到，藉由慎重選擇適合之所揭示之第6族成膜組成物、視情況選用之前驅物及反應物，可獲得所需膜組成物。
當獲得所要膜厚度時，膜可經受進一步加工，諸如熱退火、爐退火、快速熱退火、UV或電子束固化及/或電漿氣體暴露。熟習此項技術 者瞭解執行此等額外加工步驟所採用之系統及方法。舉例而言，含有第6族過渡金屬之膜可在惰性氣氛、含H氣氛、含N氣氛、含O氣氛或其組合下暴露在大致200℃至大致1000℃範圍內之溫度下，維持大致0.1秒至大致7200秒範圍內之時間。最佳地，在含H氣氛或含O氣氛下，溫度為400℃，維持3600秒。所得膜可含有更少雜質且因此可具有產生改良之漏電流之經改良的密度。可在執行沈積製程之相同反應室中執行退火步驟。或者，可自反應室中移除基板，且在獨立裝置中執行退火/急驟退火製程。以上後處理方法中任一者(但尤其熱退火)已發現可有效地降低含有第6族過渡金屬之膜之碳及氮污染。此轉而往往會改良膜之電阻率。
退火後，藉由所揭示方法中任一者沈積之含有鎢之膜在室溫下可具有大致5.5μohm.cm至大致70μohm.cm，較佳大致5.5μohm.cm至大致20μohm.cm且更佳大致5.5μohm.cm至大致12μohm.cm之體電阻率。退火後，藉由所揭示方法中任一者沈積之含鉬膜在室溫下可具有大致50μohm.cm至大致1,000μohm.cm之體電阻率。室溫視季節而定為大致20℃至大致28℃。體電阻率亦稱為體積電阻率。一般熟習此項技術者將認識到，體電阻率在室溫下對典型地大致50nm厚之W或Mo膜量測。歸因於電子傳遞機制中之變化，體電阻率典型地增加以用於更薄之膜。體電阻率亦在更高溫度下增加。
在另一替代方案中，所揭示之第6族成膜組成物可用作摻雜劑或植入劑。部分所揭示之組成物可沈積於待摻雜之膜頂部，諸如氧化銦(In2O3)膜、二氧化釩(VO2)膜、氧化鈦膜、氧化銅膜或二氧化錫(SnO2)膜。鉬或鎢接著在退火步驟期間擴散於膜中以形成鉬摻雜之膜{(Mo)In2O3、 (Mo)VO2、(Mo)TiO、(Mo)CuO或(Mo)SnO2}或鎢摻雜之膜{(W)In2O3)(W)VO2、(W)TiO、(W)CuO或(W)SnO2}。參見例如Lavoie等人之US2008/0241575，其摻雜方法以全文引用之方式併入本文中。或者，使用變量能源射頻四極植入機之高能離子植入可用於將所揭示組成物之鉬或鎢摻入膜中。參見例如Kensuke等人，JVSTA 16(2)1998三月/四月，其植入方法以全文引用之方式併入本文中。在另一替代方案中，使用所揭示組成物可執行電漿摻雜、脈衝電漿摻雜或電漿浸沒離子植入。參見例如Felch等人，Plasma doping for the fabrication of ultra-shallow junctions Surface Coatings Technology,156(1-3)2002，第229至236頁，其摻雜方法以全文引用的方式併入本文中。
實施例
提供以下非限制性實施例以進一步說明本發明之具體實例。然而，該等實施例並不意欲將所有包括在內且並不意欲限制本文中所述之發明範疇。
合成實施例1：Mo(=NtBu) 2 (OiPr) 2
MoCl2(=NtBu)2藉由在0℃下在機械攪拌下將1莫耳當量Na2MoO4與700mL二甲醚混合來合成。將4莫耳當量NEt3逐滴添加至混合物中，維持10分鐘。用100mL二甲醚沖洗加料漏斗，其被添加至混合物中。將9莫耳當量SiMe3Cl逐滴添加至混合物中，維持1小時。用100mL二甲醚沖洗加料漏斗，其被添加至混合物中。將2莫耳當量tBuNH2逐滴添加至混合物中，維持30分鐘。在室溫(大致23℃)下過了一夜後，將所得黃色懸浮液加熱至70℃，維持10小時。使懸浮液冷卻至室溫且過濾。在真空下移除溶劑且所得金粉末用戊烷洗滌。
在-78℃下在機械攪拌下將1莫耳當量MoCl2(=NtBu)2與四氫呋喃(THF)混合。將THF中之2莫耳當量Li(OiPr)逐滴添加至混合物中。在室溫下過了一夜後，在真空下移除溶劑。所得產物用戊烷沖洗且過濾。在真空蒸餾下移除溶劑且藉由真空蒸餾純化粗產物。產生之Mo(=NtBu)2(OiPr)2為金液體。在圖2中提供開杯熱解重量分析(TGA)曲線。在1托下蒸氣壓為91℃。
合成實施例2：Mo(=NtBu) 2 (OtBu) 2
在-78℃下在機械攪拌下將1莫耳當量MoCl2(=NtBu)2與四氫呋喃(THF)混合。將THF中之2.8莫耳當量Li(OtBu)逐滴添加至混合物中。在室溫下過了一夜後，在真空下移除溶劑。所得產物用500mL戊烷沖洗且過濾。在真空蒸餾下移除溶劑且藉由真空蒸餾純化粗產物。所產生之Mo(=NtBu)2(OiPr)2為黃色油狀物。在圖2中提供開杯TGA曲線。在1托下蒸氣壓為93℃。
1H-NMR δH：9.00ppm(s,9H,N-C-(CH 3)3),9.28ppm(s,9H,O-C-(CH 3)3)。
藉由將樣品放入乾式100℃加熱器7週測試Mo(=NtBu)2(OtBu)2之穩定性。產物變得極微暗，但如圖3中所示，經由TGA殘餘物不增加。
合成實施例3：Mo(=NtBu) 2 (OEt) 2
在-78℃下在機械攪拌下將1莫耳當量Mo(=NtBu)2(NMe2)2與四氫呋喃(THF)混合。將2莫耳當量EtOH逐滴添加至混合物中。在室溫下過了一夜後，在真空下移除溶劑且所得橙色油狀物藉由真空蒸餾純化。所產生之純化Mo(=NtBu)2(OEt)2為棕色蠟。
在圖2中提供開杯TGA曲線。在1托下蒸氣壓為129℃。
合成實施例4：Mo(=O) 2 (N(SiMe 3 ) 2 ) 2
在-78℃下在機械攪拌下將1莫耳當量MoCl2(=O)2與乙醚混合。將乙醚中之2莫耳當量Na(N(SiMe3)2)2逐滴添加至混合物中。在室溫下過了一夜後，過濾所得產物且藉由真空蒸餾純化。所產生之Mo(=O)2(N(SiMe3)2)2為黃色液體。在圖2中提供開杯TGA曲線。
比較合成實施例：Mo(=NtBu) 2 (NMe 2 ) 2
在-78℃下在機械攪拌下將1莫耳當量MoCl2(=NtBu)2與四氫呋喃(THF)混合。將THF中之2莫耳當量Li(NMe2)2逐滴添加至混合物中。在室溫下過了一夜後，在真空下移除溶劑。所得產物用300mL戊烷沖洗且過濾。在真空蒸餾下移除溶劑且藉由真空蒸餾純化粗產物。所產生之Mo(=NtBu)2(OiPr)2為橙色液體。在圖2中提供開杯TGA曲線。在1托下蒸氣壓為77℃。
實施例1
使用展示於圖1中之典型ALD系統來執行氧化鉬膜之ALD沈積。將反應器之壓力及溫度分別保持在0.356托及250℃下。將Mo(=NtBu)2(OtBu)2來源儲存於保持在75℃下罐中。使用85sccm氬載氣將前驅物傳遞至反應器1、5或7秒，隨後30秒氬氣淨化。500sccm O3反應物接著傳遞至反應器1秒，隨後30秒氬氣淨化。在大致0.4Å/循環之速率下沈積所得MoO2膜。在藉由X射線光電子光譜(XPS)測定時所得MoO2膜含有大致24% Mo、73% O、2% N及小於1% C。所得膜之X射線繞射展示由於前驅物為Mo(+6)而出人意料之Mo(+4)O2。在強O3氧化劑存在下Mo(+6)不應還原 為Mo(+4)。申請者咸信亦可以寄生CVD模式沈積某一金屬Mo(0)，其與Mo(+6)O3反應且將Mo(+6)O3還原為Mo(+4)O2。MoO2膜可降低膜之功函數，且可能歸因於金紅石相可在DRAM堆疊中產生較低漏電流。

Claims (12)

  1. 一種第6族成膜組成物，其包含選自由以下組成之群的含有第6族過渡金屬之前驅物：M(=O)(NR2)4 式I，M(=O)2(NR2)2 式II，及M(=NR)2(OR)2 式III，其中M為Mo且各R獨立地為H、C1至C6烷基或SiR'3，其中R'為H或C1至C6烷基。
  2. 如申請專利範圍第1項之第6族成膜組成物，其中該前驅物具有式M(=O)(NR2)4。
  3. 如申請專利範圍第1項之第6族成膜組成物，其中該前驅物具有式M(=O)2(NR2)2。
  4. 如申請專利範圍第1項之第6族成膜組成物，其中該前驅物具有式M(=NR)2(OR)2。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之第6族成膜組成物，其中各R係獨立地選自由以下組成之群：H、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、tBu、第三戊基及SiMe3。
  6. 如申請專利範圍第5項之第6族成膜組成物，其中該前驅物為Mo(=NtBu)2(OtBu)2。
  7. 一種在基板上沈積含有第6族過渡金屬之膜之方法，其包含以下步驟：向具有基板安置其中之反應器中引入如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之該第6族成膜組成物之蒸氣，及將至少部分該含有第6族過渡金屬之前驅物沈積至該基板上。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其進一步包括向該反應器中引入至少一種反應物。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該反應物係選自由以下組成之群：H2、H2CO、N2H4、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、及H2、H2CO、N2H4、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2或N(SiH3)3之氫自由基、及其混合物。
  10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該反應物係選自由以下組成之群：O2、O3、H2O、H2O2、NO、N2O、NO2、及O2、O3、H2O、H2O2、NO、N2O或NO2之氧自由基、及其混合物。
  11. 如申請專利範圍第8項之方法，其中將該第6族成膜組成物及該反應物同時引入該反應器中，且該反應器經配置用於化學氣相沈積。
  12. 如申請專利範圍第8項之方法，其中將該第6族成膜組成物及該反應物依序引入腔室中，且該反應器經配置用於原子層沈積。
TW104125769A 2014-08-14 2015-08-07 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途 TWI656232B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462037469P 2014-08-14 2014-08-14
US62/037,469 2014-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201612354A TW201612354A (en) 2016-04-01
TWI656232B true TWI656232B (zh) 2019-04-11

Family

ID=55304042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104125769A TWI656232B (zh) 2014-08-14 2015-08-07 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10094021B2 (zh)
JP (1) JP6670824B2 (zh)
KR (2) KR102536435B1 (zh)
TW (1) TWI656232B (zh)
WO (1) WO2016024407A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI871697B (zh) * 2023-05-11 2025-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體裝置及其製造方法及位準移位器電路

Families Citing this family (313)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10573522B2 (en) 2016-08-16 2020-02-25 Lam Research Corporation Method for preventing line bending during metal fill process
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102806630B1 (ko) 2018-05-03 2025-05-12 램 리써치 코포레이션 3d nand 구조체들에 텅스텐 및 다른 금속들을 증착하는 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11021793B2 (en) 2018-05-31 2021-06-01 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Group 6 transition metal-containing compositions for vapor deposition of group 6 transition metal-containing films
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR20250116174A (ko) 2018-11-19 2025-07-31 램 리써치 코포레이션 텅스텐을 위한 몰리브덴 템플릿들
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
SG11202108217UA (en) 2019-01-28 2021-08-30 Lam Res Corp Deposition of metal films
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102649987B1 (ko) 2019-02-27 2024-03-22 엔테그리스, 아이엔씨. Vi족 전구체 화합물
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
SG11202109796QA (en) 2019-03-11 2021-10-28 Lam Res Corp Precursors for deposition of molybdenum-containing films
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
WO2020247237A1 (en) * 2019-06-05 2020-12-10 Versum Materials Us, Llc New group v and vi transition metal precursors for thin film deposition
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
EP4018471A4 (en) * 2019-08-22 2024-01-17 Lam Research Corporation Substantially carbon-free molybdenum-containing and tungsten-containing films in semiconductor device manufacturing
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
JP2022546404A (ja) 2019-08-28 2022-11-04 ラム リサーチ コーポレーション 金属の堆積
US12334351B2 (en) 2019-09-03 2025-06-17 Lam Research Corporation Molybdenum deposition
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
WO2021076636A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 Lam Research Corporation Molybdenum fill
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102828205B1 (ko) * 2020-01-16 2025-07-03 엔테그리스, 아이엔씨. 에칭 또는 침착 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TWI908758B (zh) 2020-02-04 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102793252B1 (ko) * 2020-03-25 2025-04-08 삼성전자주식회사 몰리브덴 화합물과 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법
CN115244062A (zh) * 2020-04-01 2022-10-25 优美科股份公司及两合公司 金属有机化合物
EP3889319A1 (en) 2020-04-01 2021-10-06 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Controlled deposition of a functional material onto a target surface
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
EP3893611A1 (en) 2020-04-07 2021-10-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Controlled deposition method of a donor material onto a target surface and plate therefor
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
TWI911214B (zh) 2020-05-19 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
US20230212746A1 (en) * 2020-06-10 2023-07-06 3M Innovative Properties Company Roll-to-roll vapor deposition apparatus and method
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US11560397B2 (en) 2020-07-09 2023-01-24 Entegris, Inc. Group VI precursor compounds
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
CN112125931B (zh) * 2020-10-12 2023-08-04 安徽敦茂新材料科技有限公司 双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨(vi)的合成方法
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
US11390638B1 (en) 2021-01-12 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Molybdenum(VI) precursors for deposition of molybdenum films
US11434254B2 (en) 2021-01-12 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Dinuclear molybdenum precursors for deposition of molybdenum-containing films
US11459347B2 (en) 2021-01-12 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Molybdenum(IV) and molybdenum(III) precursors for deposition of molybdenum films
JP7686761B2 (ja) 2021-02-23 2025-06-02 ラム リサーチ コーポレーション ３ｄ－ｎａｎｄ用の酸化物表面上へのモリブデン膜の堆積
US11854813B2 (en) 2021-02-24 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Low temperature deposition of pure molybenum films
WO2022221210A1 (en) 2021-04-14 2022-10-20 Lam Research Corporation Deposition of molybdenum
US11760768B2 (en) 2021-04-21 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Molybdenum(0) precursors for deposition of molybdenum films
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN115702474A (zh) 2021-05-14 2023-02-14 朗姆研究公司 高选择性掺杂硬掩模膜
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20240064026A (ko) * 2021-10-01 2024-05-10 가부시키가이샤 아데카 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법, 박막 및 몰리브덴 화합물
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
KR102858344B1 (ko) * 2021-12-16 2025-09-11 에스케이트리켐 주식회사 몰리브데넘 전구체 및 이를 이용한 몰리브데넘 함유 박막의 형성 방법 및 상기 몰리브데넘 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.
KR102735110B1 (ko) * 2022-01-19 2024-11-27 한국화학연구원 신규한 몰리브데넘 유기금속화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 제조하는 방법
US12595556B2 (en) * 2023-03-02 2026-04-07 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Molybdenum imido alkyl/allyl complexes for deposition of molybdenum-containing films
KR20260019524A (ko) * 2023-06-02 2026-02-10 가부시키가이샤 아데카 화합물, 박막 형성용 원료, 박막 및 박막의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103562434A (zh) * 2011-05-27 2014-02-05 株式会社艾迪科 含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3920751A (en) 1967-11-28 1975-11-18 Rhone Poulenc Sa Process for the preparation of ethylenic carbonyl compounds
JPS6136292A (ja) 1984-07-30 1986-02-20 Nippon Soda Co Ltd タングステンオキシアルコキシド化合物およびその製造方法ならびにエレクトロクロミツク表示素子の製造方法
US5639900A (en) 1993-12-29 1997-06-17 Metton America, Inc. Thermally activated olefin metathesis catalyst precursor
AUPP027497A0 (en) 1997-11-07 1997-12-04 Sustainable Technologies Australia Limited Preparation of metal alkoxides
AU2003248850A1 (en) 2002-07-12 2004-02-02 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of tungsten nitride
DE102006000823A1 (de) * 2006-01-05 2007-07-12 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Wolfram- und Molybdän-Verbindungen und ihre Verwendung für die Chemical Vapour Deposition (CVD)
US20080119098A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Igor Palley Atomic layer deposition on fibrous materials
KR101629965B1 (ko) * 2007-04-09 2016-06-13 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 구리 배선용 코발트 질화물층 및 이의 제조방법
US8574997B2 (en) 2011-06-06 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Method of using a catalytic layer to enhance formation of a capacitor stack
US20140235054A1 (en) * 2011-09-27 2014-08-21 L'Air Liquide, Société Änonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Glaude Tungsten diazabutadiene precursors, their synthesis, and their use for tungsten containing film depositions
KR20140075024A (ko) * 2012-11-20 2014-06-19 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 알칼리 금속 디아자부타디엔 화합물 및 알칼리 금속-함유 필름 침착을 위한 그의 용도
US8815695B2 (en) 2012-12-27 2014-08-26 Intermolecular, Inc. Methods to improve leakage for ZrO2 based high K MIM capacitor
US9395593B2 (en) 2013-03-15 2016-07-19 Kinestral Technologies, Inc. Electrochromic lithium nickel group 6 mixed metal oxides

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103562434A (zh) * 2011-05-27 2014-02-05 株式会社艾迪科 含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
David M. Berg et al,"Tetrakis(dimethylamido) Complexes of Oxotungsten(VI) and (Phenylimido)tungsten(VI)",Inorganic Chemistry,Vol.26,No.18,1987,page 2959 to 2962.
DAVID M. BERG ET AL: "Tetrakis(dimethylamido) Complexes of Oxotungsten(VI) and (Phenylimido)tungsten(VI)", INORGANIC CHEMISTRY, vol. 26, no. 18, 1987, pages 2959 - 2962 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI871697B (zh) * 2023-05-11 2025-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體裝置及其製造方法及位準移位器電路

Also Published As

Publication number Publication date
KR102536435B1 (ko) 2023-05-26
US10094021B2 (en) 2018-10-09
TW201612354A (en) 2016-04-01
US20200199749A1 (en) 2020-06-25
JP2017525156A (ja) 2017-08-31
US20220018026A1 (en) 2022-01-20
US10731251B2 (en) 2020-08-04
US20180355484A1 (en) 2018-12-13
US20170268107A1 (en) 2017-09-21
JP6670824B2 (ja) 2020-03-25
US11549182B2 (en) 2023-01-10
KR102443752B1 (ko) 2022-09-15
WO2016024407A1 (en) 2016-02-18
KR20220124283A (ko) 2022-09-13
US11162175B2 (en) 2021-11-02
KR20170042297A (ko) 2017-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI656232B (zh) 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途
US9938303B2 (en) Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US10106887B2 (en) Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films
US20170044664A1 (en) Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films
US9663547B2 (en) Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films
US10309010B2 (en) Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition
JP7703820B2 (ja) 蒸着用インジウム前駆体
US9868753B2 (en) Germanium- and zirconium-containing composition for vapor deposition of zirconium-containing films
US10106568B2 (en) Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films
WO2016094711A2 (en) Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same
US9790247B2 (en) Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition