TWI730206B - 電解鍍覆裝置 - Google Patents

電解鍍覆裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI730206B
TWI730206B TW106142765A TW106142765A TWI730206B TW I730206 B TWI730206 B TW I730206B TW 106142765 A TW106142765 A TW 106142765A TW 106142765 A TW106142765 A TW 106142765A TW I730206 B TWI730206 B TW I730206B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
power transmission
power
plating
coil
Prior art date
Application number
TW106142765A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201821651A (zh
Inventor
檜垣岳彦
藤方淳平
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201821651A publication Critical patent/TW201821651A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI730206B publication Critical patent/TWI730206B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/007—Current directing devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本發明提供一種電解鍍覆裝置，可不進行物理接觸來確立電源與基板的電連接。電解鍍覆裝置具備：鍍覆槽1，可保持鍍覆液；陽極5，配置於鍍覆槽1內；基板夾具7，具有可接觸基板W的電接點22；電源25，連接於陽極5；無線輸電器41，連接於電源25；以及無線受電器51，安裝於基板夾具7，且電連接於電接點22。

Description

電解鍍覆裝置
本發明是關於一種藉由在晶圓等基板與陽極之間施加電壓來鍍覆基板的電解鍍覆裝置。
在半導體裝置的製造，為了使金屬堆積至晶圓等基板，使用電解鍍覆裝置。電解鍍覆裝置，通常被構成為藉由使保持欲鍍覆基板的基板夾具浸漬於鍍覆槽內的鍍覆液中，在陽極與基板之間施加電壓，來鍍覆基板。連接電源負極的配線，連接有供電端子，基板夾具具有：外部電接點，電連接於此供電端子。再者，基板夾具具有：內部電接點，接觸基板的導電層(例如晶種層)。
當基板保持在基板夾具，則內部電接點接觸基板的導電層，藉此，基板被電連接於基板夾具。再者，當基板夾具被置於鍍覆槽，則基板夾具的外部電接點接觸供電端子，基板夾具電連接於電源的負極。因為基板經由基板夾具電連接於電源的負極，所以在電源的陽極與基板之間可施加電壓。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】特開2015-193935號公報
但是，上述各電接點，是由薄金屬構成，成為短矩形來容易接觸供電端子或基板。因此，當施加過渡的力於電接點，則會變形，甚至依情況有破損的狀況。又，當反覆使用基板夾具，則電接點有因疲勞而破損之虞。再者，為了提高導電性，電接點的金屬板是以金鍍覆，為高價物。
在此，本發明的目的在於提供一種電解鍍覆裝置，可不進行物理接觸來確立電源與基板的電連接。
為了達成上述目的，本發明的一態樣是一種電解鍍覆裝置，其特徵在於具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，具有可接觸基板的電接點；電源，連接於前述陽極；無線輸電器，連接於前述電源；以及無線受電器，安裝於前述基板夾具，且電連接於前述電接點。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述無線輸電器配置於前述鍍覆槽外。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述無線輸電器具備輸電線圈，前述輸電線圈配置於前述鍍覆槽內。
本發明的較佳態樣，其特徵在於在前述基板夾具形成有凹部，前述輸電線圈位於前述凹部內。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述基板夾具具備用來夾住前述基板的第一保持部件及第二保持部件，在前述第二保持部件形成有用來使前述基板的被鍍覆面露出的開口部，前述無線受電器配置於前述第二保持部件內。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述無線輸電器具備至少一輸電線圈，前述無線受電器具備至少一受電線圈。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述無線輸電器具備複數個輸電線圈，前述無線受電器具備複數個受電線圈。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述輸電線圈及前述受電線圈以鉛直形態配置。
本發明的較佳態樣，其特徵在於前述輸電線圈及前述受電線圈以水平形態配置。
本發明的其他態樣是一種電解鍍覆裝置，其特徵在於具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；金屬板，配置於前述鍍覆槽的外部；以及電源，連接於前述陽極及前述金屬板。
本發明的其他態樣是一種電解鍍覆裝置，其特徵在於具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；金屬板，配置於前述基板夾具內；以及電源，連接於前述陽極及前述金屬板。
本發明的其他態樣是一種電解鍍覆裝置，其特徵在於具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；直流-射頻(DC-RF)轉換器，將直流電壓轉換成高頻電壓；電源，連接於前述DC-RF轉換器；無線輸電器，連接於前述電源，其中前述DC-RF轉換器連接於前述陽極。
本發明的其他態樣是一種電解鍍覆裝置，其特徵在於具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；DC-RF轉換器，將直流電壓轉換成高頻電壓；電源，連接於前述DC-RF轉換器；無線輸電器，連接於前述電源，其中前述DC-RF轉換器連接於前述陽極，前述無線輸電器具備複數個輸電線圈。
根據本發明，藉由鍍覆槽側的無線輸電器與基板夾具側的的無線受電器來確立電源與基板的電連接。因此，可以使電接點的數量變少。
1:鍍覆槽
1a:側壁
5:陽極
7:基板夾具
11:第一保持部件
12:第二保持部件
12a:開口部
14:第一密封突起
15:第二密封突起
21:第一電接點
22:第二電接點
25:電源
26、46、47、56、57、71:配線
41:無線輸電器
43:DC-RF驅動器
44:輸電線圈
51:無線受電器
53:DC-RF整流器
54:受電線圈
60:密封蓋
63:凹部
66:陽極夾具
70:金屬板
74:導電層
75:DC-RF轉換器
W:基板
第一圖表示用來鍍覆晶圓等基板的電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第二圖表示配置於基板夾具的受電線圈的圖。
第三圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第四圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第五圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第六圖是第五圖所示的基板夾具的剖面圖。
第七圖是第五圖所示的鍍覆槽的剖面圖。
第八圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第九圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十圖表示配置於基板夾具的受電線圈的圖。
第十一圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十二圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十三圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十四圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十五圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十六圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
第十七圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。
以下，參照圖式說明關於本發明的實施形態。
第一圖表示用來鍍覆晶圓等基板的電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。如第一圖所示，電解鍍覆裝置具備：鍍覆槽1，可保持鍍覆液；陽極5，配置於鍍覆槽1內；以及基板夾具7，具有可接觸基板W的電接點22。在鍍覆液中，包含：成為金屬源的金屬離子、鍍覆促進劑、抑制劑以及均勻 劑等添加劑。在本實施形態中，陽極5及基板夾具7以鉛直形態配置於鍍覆槽1內，保持基板夾具7的基板W浸漬於鍍覆液中。在本實施形態中，基板W為圓形。在一實施形態中，基板W也可以是四角形。
晶圓等基板W在其表面露出的狀態下被保持在基板夾具7。基板夾具7被輸送器(圖未顯示)搬送至鍍覆槽1，如第一圖所示，在鍍覆槽1內以鉛直形態配置。保持在基板夾具7的基板W與陽極5在鍍覆槽1內彼此相對。
基板W的被鍍覆面是由晶種層等導電層所構成。基板夾具7具有可夾住基板W的第一保持部件11及第二保持部件12。基板W被支持在第一保持部件11，以第二保持部件12壓抵於第一保持部件11。在第二保持部件12形成有用來使基板W的被鍍覆面露出的開口部12a。基板W被第一保持部件11及第二保持部件12保持時，基板W的被鍍覆面通過開口部12a露出。因此，被鍍覆面可接觸鍍覆槽1內的鍍覆液。
第二保持部件12具有：第一密封突起14，接觸基板W的被鍍覆面的邊緣部；以及第二密封突起15，接觸第一保持部件11。第一密封突起14及第二密封突起15具有無接縫環狀。當基板W被第一保持部件11及第二保持部件12保持時，第一密封突起14被壓抵於基板W的被鍍覆面的邊緣部，第二密封突起15被壓抵至第一保持部件11。第二保持部件12與基板W之間的空隙，被第一密封突起14密封，第一保持部件11與第二保持部件12之間的空隙，被第二密封突起15密封。結果，在基板夾具7的內部形成有密閉空間。
基板夾具7具有：複數個第一電接點21以及複數個第二電接點22，配置在上述密閉空間內。這些第一電接點21及第二電接點22沿著基板W的外緣部被等間隔地配列。第一電接點21被固定於第一保持部件11，第二電接點22被固定於第二保持部件12。基板W被第一保持部件11與第二保持部件12保持時，複數個第二電接點22分別接觸複數個第一電接點21，且接觸基板W的被鍍覆面。藉此，構成基板W被鍍覆面的導電層(例如晶種層)被電連接於第一電接點21及第二電接點22。
電解鍍覆裝置更具備：直流電源25；無線輸電器41，連接 於直流電源25；以及無線受電器51，被安裝於基板夾具7。陽極5經由配線26電連接於直流電源25的正極，無線輸電器41及無線受電器51經由配線46電連接於直流電源25的負極。無線輸電器41及無線受電器51是可從無線輸電器41非接觸地傳送電力至及無線受電器51的無線供電系統。在本實施形態中，無線輸電器41被安裝於鍍覆槽1，無線受電器51被安裝於基板夾具7內。
無線輸電器41具備：DC-RF驅動器43與輸電線圈44。在本實施形態中，DC-RF驅動器43及輸電線圈44配置於鍍覆槽1之外。輸電線圈44被固定於鍍覆槽1的側壁1a的外面。DC-RF驅動器43被配線46電連接於直流電源25，並被配線47電連接於輸電線圈44。DC-RF驅動器43被構成為將從直流電源25施加的直流電壓轉換成高頻電壓，將此高頻電壓施加至輸電線圈44。
無線受電器51具備：DC-RF整流器53與受電線圈54。在本實施形態中，DC-RF整流器53及受電線圈54配置在基板夾具7的第一保持部件11內。DC-RF整流器53被配線56電連接於基板夾具7的第一電接點21，且被配線57電連接於受電線圈54。DC-RF整流器53被構成為將受電線圈54產生的高頻電壓轉換成直流電壓，將此直流電壓施加於第一電接點21。
第二圖表示配置於基板夾具7的受電線圈54的圖。第二圖所示，受電線圈54為一個圓環狀線圈。受電線圈54也可以具有其他形狀。例如若基板W為四角形，受電線圈54也可以具有四角形。受電線圈54被基板夾具7完全覆蓋，使鍍覆液不接觸受電線圈54。受電線圈54的尺寸與基板W的尺寸一樣，或者也可以不一樣。輸電線圈44與受電線圈54一樣，也可以不一樣。
輸電線圈44及受電線圈54經由空隙彼此相對。輸電線圈44及受電線圈54配置成同心圓狀。在本實施形態中，輸電線圈44及受電線圈54成鉛直形態。雖然輸電線圈44及受電線圈54彼此物理地非接觸，但如以下說明，當施加高頻電壓於輸電線圈44，則高頻電壓在受電線圈54被誘導，鍍覆槽1外所配置的輸電線圈44與鍍覆槽1內所配置的受電線圈 54的距離是做為受電線圈54可在基板W的鍍覆產生有效電力的距離。
基板W的鍍覆如以下方式進行。保持欲鍍覆基板W的基板夾具7被輸送器(圖未顯示)搬送到鍍覆槽1，如第一圖所示，浸漬於鍍覆槽1內的鍍覆液中。在陽極5及基板W的被鍍覆面接觸鍍覆液的狀態下，直流電源25施加直流電壓制陽極5及無線輸電器41。DC-RF驅動器43將從直流電源25施加的直流電壓轉換成高頻電壓，將此高頻電壓施加於輸電線圈44。在輸電線圈44與受電線圈54之間形成有電磁場，在受電線圈54誘導有高頻電壓。
DC-RF整流器53將受電線圈54產生的高頻電壓轉換成直流電壓，將此直流電壓施加至基板夾具7的第一電接點21。第一電接點21與第二電接點22接觸，第二電接點22接觸基板W的被鍍覆面。因此，直流電壓被施加至基板W。保持在基板夾具7的基板W的露出面，在鍍覆液存在下被鍍覆。基板W的鍍覆結束後，基板夾具7被輸送器(圖未顯示)從鍍覆槽1取出，在接下來的步驟被搬送。
做為無線輸電器41及無線受電器51，可使用已知的無線供電系統。可使用例如直流共振方式、電磁感應方式、磁共振方式、微波(電磁波)方式等已知的無線供電系統。磁共振方式是在供電側、受電側雙方使用共振電路，使受電側與來自使用交流電路的供電側的電磁場共振的方式。藉此，可供給電力至相隔空間的受電側。又，直流共振方式的無線供電系統是在供電側、受電側雙方使用共振電路，藉由在從供電側的直流電壓產生的電磁場發起受電側的共振，將電力供給至相隔空間的受電側的方式。
無線輸電器41及無線受電器51可不進行物理的接觸來確立直流電源25與基板W的電連接。因此，上述的本實施形態可使以往需要的供電端子與基板夾具7的電接點消失。結果，即使反覆使用基板夾具7後，可施加想要的電壓至基板W。
第三圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。如第三圖所示，無線受電器51被配置在基板夾具7的第二 保持部件12內。更具體來說，DC-RF整流器53及受電線圈54被配置在基板夾具7的第二保持部件12內。
根據本實施形態，不需要用來電連接基板夾具7的第一保持部件11與第二保持部件12的第一電接點21。因此，在本實施形態中，將第二電接點22僅稱為電接點22。此電接點22以配線56連接於DC-RF整流器53。受電線圈54誘發的高頻電壓被DC-RF整流器53轉換成直流電壓，直流電壓經由配線56及電接點22施加於基板W。根據本實施形態，由於不需要第一電接點21，所以可減輕起因於電接點間接觸不良的鍍覆不良。
第四圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。如第四圖所示，無線輸電器41的輸電線圈44配置在電鍍槽1內。更具體來說，輸電線圈44被固定在鍍覆槽1的側壁1a的內面。輸電線圈44被密封蓋60液密地覆蓋，使鍍覆槽1內的鍍覆液不接觸輸電線圈44。密封蓋60也可以由鍍覆槽1的側壁1a的一部份所構成。
DC-RF驅動器43與上述實施形態一樣，配置在鍍覆槽1之外。DC-RF驅動器43與輸電線圈44被配線47電連接。根據本實施形態，可使輸電線圈44與受電線圈54之間的距離變短。因此，傳送效率提昇，可確實使對基板W的鍍覆有效的電壓在輸電線圈54誘發。
第五圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第四圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。如第五圖所示，輸電線圈44的外徑比受電線圈54的內徑更小，輸電線圈44被配置在受電線圈54的半徑方向內側。在本實施形態中，輸電線圈44及受電線圈54在同一平面上，且配置成同心狀。
第六圖是第五圖所示的基板夾具7的剖面圖，第七圖是第五圖所示的鍍覆槽1的剖面圖。在基板夾具7的第一保持部件11的背面，形成有凹部63。此凹部63位於受電線圈54的半徑方向內側。凹部63的大小比第七圖所示的密封蓋60的大小更大，密封蓋60可插入凹部63內。密封蓋60具有完全覆蓋輸電線圈44的形狀，輸電線圈44被配置在密封蓋60內。在本實施形態中，密封蓋60為圓筒形，密封蓋60的外徑比受電線圈 54的內徑更小。第五圖表示輸電線圈44及密封蓋60位於凹部63內部的狀態，即輸電線圈44位於受電線圈54內側的狀態。
基板夾具7如接下來進行，設定於鍍覆槽1內。基板夾具7被輸送器(圖未顯示)輸送至鍍覆槽1的上方位置為止，並下降至鍍覆槽1內。接下來，輸電線圈44位於受電線圈54的內側為止，輸送器使基板夾具7向無線輸電器41在橫方向移動，將輸電線圈44及密封蓋60插入基板夾具7的凹部63。從鍍覆槽1取出基板夾具7時，使基板夾具7從離開無線輸電器41的方向在橫方向移動，然後，基板夾具7從鍍覆槽1被提上。
第八圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第七圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。如第八圖所示，輸電線圈44的內徑比受電線圈54的外徑更大，輸電線圈44被配置在受電線圈54的半徑方向外側。在基板夾具7的第一保持部件11的背面，形成有環狀的凹部63。此凹部63位於受電線圈54的半徑方向外側。輸電線圈44及密封蓋60配置於此凹部63內。即使在本實施形態，輸電線圈44及受電線圈54在同一平面上，且配置成同心狀。
根據第四~八圖所示的實施形態，因為輸電線圈44及受電線圈54兩者被配置在鍍覆槽1內，所以可使輸電線圈44及受電線圈54之間的距離變短。因此，傳送效率提升，可在受電線圈54確實地誘導對基板W的鍍覆有效的電壓。
第九圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。第十圖表示配置於基板夾具7的受電線圈54的圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。在本實施形態中，設有複數個輸電線圈44及複數個受電線圈54。輸電線圈44的數量與受電線圈54的數量相同。輸電線圈44及受電線圈54被等間隔地配置在共同的中心線(想像線)的周圍，輸電線圈44及受電線圈54彼此相對。
DC-RF驅動器43為一個，DC-RF整流器53設有複數個。DC-RF整流器53的數量與受電線圈54的數量相同。輸電線圈44的數量、 受電線圈54的數量以及DC-RF整流器53的數量，與第一電接點21的數量(即第二電接點22的數量)相同。受電線圈54及DC-RF整流器53被配置於基板夾具7的第一保持部件11。如第三圖所示的實施形態，受電線圈54及DC-RF整流器53也可以配置在基板夾具7的第二保持部件12。複數個受電線圈54被複數個配線57分別連接於複數個DC-RF整流器53，複數個DC-RF整流器53被複數個配線56分別連接於複數個第一電接點21。
即使在本實施形態中，複數個輸電線圈44與對應的複數個受電線圈54之間形成有電磁場，受電線圈54誘導有高頻電壓。DC-RF整流器53將受電線圈54產生的高頻電壓轉換成直流電壓，將此直流電壓施加於基板夾具7的第一電接點21。第一電接點21與第二電接點22接觸，第二電接點22接觸基板W的被鍍覆面。因此，直流電壓被施加至基板W。
根據本實施形態，因為使用複數個輸電線圈44及複數個受電線圈54，所以不僅達成往電接點21、22的電流值均勻化，更可在基板W上形成均勻的膜。
第十一圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。在本實施形態中，基板夾具7被水平地配置於鍍覆槽1。如此的鍍覆裝置被稱為基板W的被鍍覆面向下方的面向下方型。在此面向下方型的鍍覆裝置，也可以藉由使第二保持部件12在上方變大，省略第二密封突起15。
如第十一圖所示，陽極5被配置在鍍覆槽1的底部附近。陽極5在保持於陽極夾具66的狀態下，水平配置在鍍覆槽1內。陽極夾具66的上端被固定於鍍覆槽1的上端，陽極夾具66的下端被連接於陽極5。在本實施形態中，設有複數個陽極夾具66，但也可以只設有一個陽極夾具66。直流電源25的正極通過陽極夾具66內延伸的配線26電連接於陽極5。
在本實施形態中，輸電線圈44及受電線圈54，與基板W一樣水平配置。輸電線圈44及受電線圈54經由空隙彼此相對。即使在本實施形態中，輸電線圈44及受電線圈54被配置成同心狀。受電線圈54及DC-RF整流器53被配置於基板夾具7的第一保持部件11。如第三圖所示 的實施形態，受電線圈54及DC-RF整流器53也可以被配置於基板夾具7的第二保持部件12。
輸電線圈44被配置在鍍覆槽1內所設置基板夾具7的正上方，被圖未顯示的移動機構支持著。當在鍍覆槽1設置基板夾具7時，以及將基板夾具7從鍍覆槽1取出時，輸電線圈55被上述移動機構在離開鍍覆槽1的方向移動，鍍覆基板W時，輸電線圈44被上述移動機構在基板夾具7的上方位置移動。
第十二圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第十一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。在本實施形態中，輸電線圈44被配置於鍍覆槽1的周圍。更具體來說，輸電線圈44被配置在鍍覆槽1內所設置的基板夾具7的周圍。輸電線圈44及受電線圈54在同一平面上，且配置成同心狀。在本實施形態中，不需要用來使輸電線圈44移動的上述移動機構。
第十三圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第十二圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。本實施形態在基板夾具7水平配置於鍍覆槽1的點，與第十二圖所示的實施形態相同，但在無線受電器51配置在基板夾具7的第二保持部件12內的這點不同。無線受電器51及基板夾具7的結構，與第三圖所示的實施形態相同。也就是說，DC-RF整流器53及受電線圈54被配置在基板夾具7的第二保持部件12內。根據本實施形態，不需要用來電連接基板夾具7的第一保持部件11與第二保持部件12的第一電接點21。
第十四圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。在本實施形態中，設有金屬板70來取代無線輸電器41及無線受電器51。金屬板70被配置在鍍覆槽1之外，基板夾具7與基板W被配置在陽極5與金屬板70之間。在本實施形態中，金屬板70被固定於鍍覆槽1的側壁1a的外面。金屬板70通過配線71被電連接於直流電源25的負極。金屬板70以鉛直形態配置，與基板W一樣，或具有比基板W更大的尺寸。金屬板70為例如由銅所構成。本實施形態的電解鍍覆裝置，不 具備在上述實施形態的相當於無線輸電器41及無線受電器51的裝置。
基板W的被鍍覆面是由晶種層等的導電層74所構成。當直流電源25將直流電流施加於陽極5及金屬板70，則金屬板70與導電層74做為電容器來運作，直流電壓在導電層74被誘導。結果，直流電源25與基板W再沒有物理接觸的狀態下電連接。根據本實施形態，不需要在基板夾具7設有用來電連接基板W與直流電源25的電接點。在本實施形態中，因為不需要連接於基板W的電接點，所以也可以省略第一密封突起14及第二密封突起15。又，本實施形態可適用於切換直流電源25的電壓的正負同時鍍覆基板的PR鍍覆。
第十五圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第十四圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。在本實施形態中，金屬板70被配置於基板夾具7的內部。更具體來說，金屬板70被配置於基板夾具7的第一保持部件11的內部。金屬板70被第一保持部件11液密地完全覆蓋。即使在本實施形態中，因為直流電源25與基板W可在沒有物理接觸的狀態下電連接所以可以不需要電接點。
第十六圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第一圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。本實施形態是藉由將高頻電流在陽極側的線圈通電，利用在導電材料產生高頻渦電流的現象來鍍覆基板的方法。DC-RF驅動器43及輸電線圈44被配置於鍍覆槽1之外，輸電線圈44被固定於鍍覆槽1的側壁1a的外面。DC-RF驅動器43被配線46電連接於直流電源25的負極，並被配線47電連接於輸電線圈44。直流電源25的正極通過配線26連接於DC-RF轉換器75，DC-RF轉換器75更通過配線被連接於陽極5。DC-RF轉換器75被構成為將從直流電源75所施加的直流電壓轉換成高頻電壓，將此高頻電壓施加於陽極5。
當DC-RF驅動器43施加高頻電壓於輸電線圈44，則輸電線圈44產生高頻磁場，在基板W的晶種層等的導電層74產生渦電流。以渦電流在導電層74產生的電壓，可以因直流電源25的輸出電壓而改變。 在本實施形態中，因為不需要連接於基板W的電接點，所以可省略第一密封突起14及第二密封突起15。
第十七圖表示電解鍍覆裝置的一實施形態的概略圖。特別是未說明的本實施形態的結構及動作，與第十六圖所示的實施形態相同，所以省略其重複說明。關於本實施形態的電解鍍覆裝置，具備複數個DC-RF驅動器43與複數個輸電線圈44。複數個輸電線圈44被配線47分別電連接於複數個DC-RF驅動器43。即使在此實施形態，當DC-RF驅動器43施加高頻電壓於輸電線圈44，則輸電線圈44產生高頻磁場，在基板W的晶種層等的導電層74產生渦電流。因此，在本實施形態中，不需要連接於基板W的電接點。
上述的實施形態是以本發明所屬技術領域中具有通常知識者可實施本發明為目的來記載者。上述實施形態的各種變形例，若為本領域人適當然可完成，本發明的技術思想也可適用於其他實施形態。因此，本發明並非受限於記載的實施形態，根據申請專利範圍所定義的技術思想進行最廣範圍解釋者。
1:鍍覆槽
1a:側壁
5:陽極
7:基板夾具
11:第一保持部件
12:第二保持部件
12a:開口部
14:第一密封突起
15:第二密封突起
21:第一電接點
22:第二電接點
25:電源
26:配線
41:無線輸電器
43:DC-RF驅動器
44:輸電線圈
46:配線
47:配線
51:無線受電器
53:DC-RF整流器
54:受電線圈
56:配線
57:配線
W:基板

Claims (10)

  1. 一種電解鍍覆裝置，具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，具有可接觸基板的電接點；電源，連接於前述陽極；無線輸電器，連接於前述電源；以及無線受電器，安裝於前述基板夾具，且電連接於前述電接點；其中前述無線輸電器具備至少一輸電線圈，前述無線受電器具備至少一受電線圈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中前述無線輸電器配置於前述鍍覆槽外。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中：前述無線輸電器具備輸電線圈；前述輸電線圈配置於前述鍍覆槽內。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電解鍍覆裝置，其中：在前述基板夾具形成有凹部；前述輸電線圈位於前述凹部內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中：前述基板夾具具備用來夾住前述基板的第一保持部件及第二保持部件；在前述第二保持部件形成有用來使前述基板的被鍍覆面露出的開口部；前述無線受電器配置於前述第二保持部件內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中前述無線輸電器具備複數個輸電線圈，前述無線受電器具備複數個受電線圈。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中前述輸電線圈及前述受電線圈以鉛直形態配置。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的電解鍍覆裝置，其中前述輸電線圈及前述受電線圈以水平形態配置。
  9. 一種電解鍍覆裝置，具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；直流-射頻(DC-RF)轉換器，將直流電壓轉換成高頻電壓；電源，連接於前述DC-RF轉換器；以及無線輸電器，連接於前述電源，其中前述DC-RF轉換器連接於前述陽極；其中前述無線輸電器具備至少一輸電線圈。
  10. 一種電解鍍覆裝置，具備：鍍覆槽，可保持鍍覆液；陽極，配置於前述鍍覆槽內；基板夾具，配置於前述鍍覆槽內；直流-射頻(DC-RF)轉換器，將直流電壓轉換成高頻電壓；電源，連接於前述DC-RF轉換器；以及無線輸電器，連接於前述電源，其中前述DC-RF轉換器連接於前述陽極，前述無線輸電器具備複數個輸電線圈。
TW106142765A 2016-12-14 2017-12-06 電解鍍覆裝置 TWI730206B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-242365 2016-12-14
JP2016242365A JP6709727B2 (ja) 2016-12-14 2016-12-14 電解めっき装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201821651A TW201821651A (zh) 2018-06-16
TWI730206B true TWI730206B (zh) 2021-06-11

Family

ID=62487909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106142765A TWI730206B (zh) 2016-12-14 2017-12-06 電解鍍覆裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10607842B2 (zh)
JP (1) JP6709727B2 (zh)
TW (1) TWI730206B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7059172B2 (ja) * 2018-12-21 2022-04-25 株式会社荏原製作所 基板ホルダのシールから液体を除去するための方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200825211A (en) * 2006-11-15 2008-06-16 Shinko Electric Ind Co Electroplating apparatus, electroplating method and plating jig
CN202509151U (zh) * 2012-03-28 2012-10-31 武汉钢铁(集团)公司 电磁式电镀夹具
CN202688496U (zh) * 2012-07-02 2013-01-23 梅州市志浩电子科技有限公司 印刷电路板电镀夹具
JP2013053372A (ja) * 2012-11-15 2013-03-21 Ebara Corp 磁性体膜めっき装置及びめっき処理設備
TW201348528A (zh) * 2012-04-20 2013-12-01 Jcu Corp 基板鍍敷治具及利用該基板鍍敷治具的鍍敷裝置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848778A (ja) * 1981-09-03 1983-03-22 リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス−ゲゼル・シヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 内燃機関用電子制御点火装置
US6278210B1 (en) * 1999-08-30 2001-08-21 International Business Machines Corporation Rotary element apparatus with wireless power transfer
JP3681670B2 (ja) * 2001-09-25 2005-08-10 シャープ株式会社 半導体集積回路の製造装置および製造方法
US7704368B2 (en) * 2005-01-25 2010-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method and apparatus for electrochemical plating semiconductor wafers
JP5766048B2 (ja) 2010-08-19 2015-08-19 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
KR102234820B1 (ko) * 2013-10-07 2021-04-01 다니엘 에이. 슈어슨 가스를 소비하기 위한 전기화학적 방법 및 장치
KR102323877B1 (ko) * 2016-09-28 2021-11-10 한국전자통신연구원 전기 도금 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200825211A (en) * 2006-11-15 2008-06-16 Shinko Electric Ind Co Electroplating apparatus, electroplating method and plating jig
CN202509151U (zh) * 2012-03-28 2012-10-31 武汉钢铁(集团)公司 电磁式电镀夹具
TW201348528A (zh) * 2012-04-20 2013-12-01 Jcu Corp 基板鍍敷治具及利用該基板鍍敷治具的鍍敷裝置
CN202688496U (zh) * 2012-07-02 2013-01-23 梅州市志浩电子科技有限公司 印刷电路板电镀夹具
JP2013053372A (ja) * 2012-11-15 2013-03-21 Ebara Corp 磁性体膜めっき装置及びめっき処理設備

Also Published As

Publication number Publication date
TW201821651A (zh) 2018-06-16
JP6709727B2 (ja) 2020-06-17
US20180166286A1 (en) 2018-06-14
US10607842B2 (en) 2020-03-31
JP2018095930A (ja) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104838047B (zh) 磁性密封的晶片电镀夹具系统和方法
KR101331372B1 (ko) 웨이퍼 반송용 트레이 및 이 트레이 상에 웨이퍼를 고정시키는 방법
KR101860216B1 (ko) 전기도금용 셀을 위한 고저항 가상 애노드
CN106816397A (zh) 下电极组件及半导体加工设备
US20210391204A1 (en) Electrostatic chuck
JP2013197588A (ja) コモンモードフィルタの製造方法及びコモンモードフィルタ
TW200610084A (en) Method and apparatus for plating semiconductor wafers
TWI730206B (zh) 電解鍍覆裝置
JP3218713U (ja) 導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具
EP4439637A1 (en) Electrostatic tray and base
US12165897B2 (en) Workpiece holding tool
CN105586566A (zh) 一种反应腔室及半导体加工设备
CN105586574A (zh) 一种承载装置及物理气相沉积设备
TWI799758B (zh) 晶圓固定裝置及其形成方法、電漿處理設備
JP6600724B1 (ja) 導電リング、導電リングによる電力供給装置及び電力供給装置による電気メッキ治具
TWI576468B (zh) Suitable for electrolytic polishing and / or electroplating of vacuum fixtures
US10395816B2 (en) Magnetic device fabrication method
CN210516429U (zh) 一种大电流集成化开关电源变压器绕组结构
CN116364506A (zh) 用于处理半导体工件的装置
CN116364507A (zh) 用于处理半导体工件的装置
CN106024610A (zh) 一种下部电极、干法刻蚀设备
US20050258044A1 (en) Magnetic focus rings for improved copper plating
CN111613563A (zh) 一种静电吸盘及晶圆测试方法
US20260088690A1 (en) Electrical energy produced by rotating magnets
CN109427528B (zh) 一种铝坡莫合金夹心板及应用其制备的等离子体处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees