TWI733604B - 玻璃工件雷射處理系統及方法 - Google Patents

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TWI733604B
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呂紹銓
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財團法人工業技術研究院
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Abstract

一種玻璃工件雷射處理系統及方法。系統包括框架、改質裝置及下料裝置。改質裝置包括設置於框架的第一雷射模組。下料裝置包括設置於第二框架的第二雷射模組、中空承載件及夾持模組、設置於中空承載件的加熱器，以及設置於夾持模組的冷卻器。方法包括改質工序、判斷工序及下料工序。改質工序中，沿加工輪廓線將第一雷射光束照射至玻璃工件以使玻璃工件沿加工輪廓線斷續地改質。根據判斷工序進行下料工序，令玻璃工件之受改質處產生裂痕，裂痕將玻璃工件劃分為外周區域及內部區域，且改變玻璃工件之溫度而變形，以將外周區域與內部區域分離。

Description

玻璃工件雷射處理系統及方法
本發明係關於一種玻璃工件雷射處理系統及方法，特別係關於一種幾乎無材料犧牲寬度的玻璃工件雷射處理系統及方法。
在以往處理玻璃工件的系統及方法中，通常會利用機械研磨法、雷射剝蝕法等方法進行切割。若是利用機械研磨法對玻璃工件進行切割，在成品的邊緣通常會有約100~150微米的邊緣崩缺(chipping)，在加工輪廓線上會有約200微米的材料犧牲寬度。此外，在切割出直徑100毫米厚度3毫米的玻璃時，大約需要20~30分鐘。而且，因成品之邊緣的算術平均粗糙度Ra會大於1微米，而須要另外進行平滑化的表面處理，使成品之邊緣的算術平均粗糙度Ra小於1微米。
若是利用雷射剝蝕法對玻璃工件進行切割，在成品的邊緣通常會有約30~50微米的邊緣崩缺，在加工輪廓線上會有約50~100微米的材料犧牲寬度。此外，在切割出直徑100毫米厚度3毫米的玻璃時，大約需要10~15分鐘。而且，因成品之邊緣的算術平均粗糙度Ra會大於1微米，而須要另外進行平滑 化的表面處理，使成品之邊緣的算術平均粗糙度Ra小於1微米。
若是要在短加工時間內對玻璃工件切割出邊緣崩缺小，材料犧牲寬度小，且避免進一步對切割邊緣進行平滑化的表面處理，則恐不適合使用以往的加工處理系統及方法。
有鑑於以上的問題，本發明提出一種玻璃工件雷射處理系統及方法，可獲得邊緣崩缺小、材料犧牲寬度小、加工時間短、切割邊緣之算術平均粗糙度Ra小的成品。
本發明之一實施例提出一種玻璃工件雷射處理系統，其包括一框架、一改質裝置及一下料裝置。改質裝置包括一第一雷射模組。第一雷射模組設置於框架。第一雷射模組用以產生一第一雷射光束以對一玻璃工件改質。下料裝置包括一第二雷射模組、一中空承載件、一加熱器、一夾持模組及一冷卻器。第二雷射模組設置於框架。第二雷射模組用以產生一第二雷射光束且用以使玻璃工件升溫。中空承載件設置於框架。中空承載件用以承載玻璃工件且接觸玻璃工件之一外周區域。加熱器設置於中空承載件。加熱器用以使外周區域升溫。夾持模組設置於框架。夾持模組用以夾持玻璃工件之一內部區域。冷卻器設置於夾持模組。冷卻器用以使內部區域降溫。
本發明之一實施例提出一種玻璃工件雷射處理方法，其包括一改質工序、一下料工序及一判斷工序。改質工序中，沿一加工輪廓線將一第一雷射光束照射至一玻璃工件，使玻璃工件 中沿加工輪廓線斷續地改質。下料工序中，令玻璃工件之受改質處產生裂痕，裂痕將玻璃工件劃分為一外周區域及位於外周區域之內的一內部區域，且改變玻璃工件之溫度而使之變形，使外周區域之內部尺寸與內部區域之外緣尺寸的差異達到一閾值，以將外周區域與內部區域相分離。於判斷工序中，於下料工序之前，計算γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0005-1
i/t)/d，根據γ值判斷所要進行的下料工序，其中
Figure 109135849-A0305-02-0005-2
i表示加工輪廓線之等效直徑，d表示加工輪廓線至玻璃工件之外緣的等效距離，t表示玻璃工件之厚度。
根據本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統及玻璃工件雷射處理方法，藉由將雷射光束照射至玻璃工件使玻璃工件斷續地改質，且令玻璃工件之受改質處產生裂痕，進一步將玻璃工件分離，所獲得之外周區域與內部區域的邊緣崩缺小，外周區域與內部區域之間的材料犧牲寬度幾乎為零，加工時間短，切割邊緣之算術平均粗糙度Ra小。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
10:改質裝置
100:第一框架
11:第一雷射模組
12:λ/4圓偏光鏡
13:光束擴展器
14:反射鏡
15:線型聚焦光束模組
16:真空吸盤
17:Z軸驅動模組
18:X軸驅動模組
19:Y軸驅動模組
20:下料裝置
200:第二框架
201:控制單元
202:儲存單元
203:光學偵測模組
21:第二雷射模組
22:光路導引模組
23:中空承載件
231:真空吸附器
232:隔熱板
233:墊高柱
24:加熱器
25:夾持模組
251:上夾盤
252:下夾盤
253:上夾臂
254:下夾臂
255:夾缸
26:冷卻器
27:Z軸驅動模組
28:X軸驅動模組
29:Y軸驅動模組
90、91、92、94:玻璃工件
d、d11、d12、d13、d14:距離
d21、d22、d23、d24:距離
d25、d26、d27:距離
d41、d42、d43、d44:距離
D1、D2:方向
L、L1、L2、L3、L4:加工輪廓線
Figure 109135849-A0305-02-0034-78
i、
Figure 109135849-A0305-02-0034-79
11、
Figure 109135849-A0305-02-0034-80
12、
Figure 109135849-A0305-02-0034-81
2、
Figure 109135849-A0305-02-0034-82
3、
Figure 109135849-A0305-02-0034-83
41、
Figure 109135849-A0305-02-0034-84
42:直徑
圖1繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統之改質裝置的示意圖。
圖2繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統之 下料裝置的示意圖。
圖3繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。
圖4繪示一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。
圖5繪示依照本發明之另一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。
圖6繪示依照本發明之另一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。
圖7繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。
圖8繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。
圖9繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之實施例之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本發明之實施例之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
於本說明書之所謂的示意圖中，由於用以說明而可有其尺寸、比例及角度等較為誇張的情形，但並非用以限定本發明。於未違背本發明要旨的情況下能夠有各種變更。實施例及圖式之描述中所提及之上下前後方位為用以說明，而並非用以限定 本發明。
請參照圖1及圖2。圖1繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統之改質裝置的示意圖。圖2繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統之下料裝置的示意圖。
於本實施例中，玻璃工件雷射處理系統包含一第一框架100、一第二框架200、一改質裝置10及一下料裝置20。如圖1所示，改質裝置10包含一第一雷射模組11、一λ/4圓偏光鏡12、一光束擴展器13、多個反射鏡14、一線型聚焦光束模組15、一真空吸盤16、一Z軸驅動模組17、一X軸驅動模組18及一Y軸驅動模組19。其中，第一雷射模組11、λ/4圓偏光鏡12、光束擴展器13、多個反射鏡14、Z軸驅動模組17及X軸驅動模組18設置於第一框架100。Y軸驅動模組19設置於X軸驅動模組18。真空吸盤16設置於Y軸驅動模組19。線型聚焦光束模組15設置於Z軸驅動模組17。於本實施例中，雖然揭露改質裝置10設置於第一框架100且下料裝置20設置於第二框架200的實施例，但不以此為限。於其他實施例中，亦可將改質裝置10及下料裝置20設置於同一個框架。
於本實施例中，Z軸驅動模組17用以驅動線型聚焦光束模組15沿Z軸方向移動。X軸驅動模組18用以驅動Y軸驅動模組19沿X軸方向移動。Y軸驅動模組19用以驅動真空吸盤16沿Y軸方向移動。藉由X軸驅動模組18及Y軸驅動模組19，真空吸盤16可沿X軸方向及Y軸方向相對於第一框架100移動。
玻璃工件90可放置於真空吸盤16。真空吸盤16用以承載並固定玻璃工件90。第一雷射模組11用以產生脈衝寬度小於15皮秒的第一雷射光束。第一雷射模組11所產生的第一雷射光束可透過λ/4圓偏光鏡12、光束擴展器13、多個反射鏡14及線型聚焦光束模組15而照射至玻璃工件90。藉由線型聚焦光束模組15可調整第一雷射光束的景深。線型聚焦光束模組15可為例如貝賽爾(Bessel)聚焦光束模組、高斯(Gaussian)聚焦光束模組。
藉由X軸驅動模組18及Y軸驅動模組19，可將玻璃工件90的指定水平位置移動至第一雷射光束的照射路徑。藉由Z軸驅動模組17，可將第一雷射光束的聚焦光斑調整至玻璃工件90的指定深度。藉此，改質裝置10可對玻璃工件90的指定位置改質。於另一實施例中，X軸驅動模組、Y軸驅動模組及Z軸驅動模組可以任意順序組成三維驅動模組，三維驅動模組設置於第一框架，線型聚焦光束模組設置於三維驅動模組，以將第一雷射光束的聚焦光斑調整至玻璃工件的指定位置及指定深度。於又一實施例中，X軸驅動模組、Y軸驅動模組及Z軸驅動模組可以任意順序組成三維驅動模組，三維驅動模組設置於第一框架，真空吸盤設置於三維驅動模組，以將第一雷射光束的聚焦光斑調整至玻璃工件的指定位置及指定深度。
於本實施例中，玻璃工件90之受改質處的寬度近乎為零，但其物理性質與未改質的部分相異。因此，當玻璃工件90 承受應力或受到熱應力時，玻璃工件90之受改質處會有應力集中的現象，故玻璃工件90之受改質處會比未改質的部分要容易產生裂痕。此裂痕幾乎不會造成材料犧牲寬度。
如圖2所示，下料裝置20包含一控制單元201、一儲存單元202、一光學偵測模組203、一第二雷射模組21、一光路導引模組22、一中空承載件23、一加熱器24、一夾持模組25、一冷卻器26、一Z軸驅動模組27、一X軸驅動模組28及一Y軸驅動模組29。其中，加熱器24設置於中空承載件23。此外，控制單元201、儲存單元202、光學偵測模組203、第二雷射模組21、光路導引模組22、中空承載件23及X軸驅動模組28設置於第二框架200，但不以此為限。於其他實施例中，控制單元201、儲存單元202或光學偵測模組203亦可與第二框架200分離，而設置於可與下料裝置20配合作業之處。
於本實施例中，Y軸驅動模組29設置於X軸驅動模組28。Z軸驅動模組27設置於Y軸驅動模組29。夾持模組25設置於Z軸驅動模組27。冷卻器26設置於夾持模組25，但不以此為限。於另一實施例中，Y軸驅動模組29可設置於中空承載件23。於又一實施例中，Y軸驅動模組29可改為沿Z軸旋轉的旋轉模組。
於本實施例中，夾持模組25包括一上夾盤251、一下夾盤252、一上夾臂253、一下夾臂254及一夾缸255。上夾盤251設置於上夾臂253，上夾臂253設置於夾缸255。下夾盤252 設置於下夾臂254，下夾臂設置於夾缸255。夾缸255設置於Z軸驅動模組27。冷卻器26連接至上夾盤251及下夾盤252。
其中，X軸驅動模組28用以驅動Y軸驅動模組29沿X軸方向移動。Y軸驅動模組29用以驅動Z軸驅動模組27沿Y軸方向移動。Z軸驅動模組27用以驅動夾持模組25之夾缸255沿Z軸方向移動。藉由Z軸驅動模組27、X軸驅動模組28及Y軸驅動模組29，夾持模組25之夾缸255可沿Z軸方向、X軸方向及Y軸方向相對於第二框架200移動。此外，在Y軸驅動模組29設置於中空承載件23的另一實施例中，夾持模組25之夾缸255則可沿著Z軸方向及X軸方向相對於第二框架200移動。夾缸255用以驅動上夾臂253及下夾臂254沿Z軸方向彼此遠離或彼此接近，進而驅動上夾盤251及下夾盤252打開或收合。冷卻器26用以冷卻夾持模組25之上夾盤251及下夾盤252。加熱器24用以加熱中空承載件23。光路導引模組22用以改變第二雷射模組21所產生之一第二雷射光束所照射的位置或光斑大小。於本實施例中，光路導引模組22可為例如掃描振鏡，但不以此為限。於其他實施例中，光路導引模組亦可包含設置於第二框架200的一反射鏡及另一Z軸驅動模組。藉由反射鏡及另一Z軸驅動模組改變第二雷射模組所產生之一第二雷射光束所照射的位置。
於本實施例中，光學偵測模組203用以朝向中空承載件23擷取影像。儲存單元202用以儲存相異的多個下料工序。控制單元201用以讀取多個下料工序之其中一者，且用以根據所 讀取之下料工序控制光學偵測模組203、第二雷射模組21、光路導引模組22、加熱器24、夾持模組25及/或冷卻器26運作。
已改質的玻璃工件90可放置於中空承載件23。中空承載件23可具備真空吸附器231以固定玻璃工件90。中空承載件23可具備隔熱板232及墊高柱233，墊高柱233位於真空吸附器231及隔熱板232之間，隔熱板232設置於第二框架200以隔熱。
藉由調整第二雷射模組21的參數，可產生脈衝寬度為微秒等級的一第二雷射光束。光路導引模組22可改變第二雷射光束照射於玻璃工件90之位置。第二雷射光束可對玻璃工件90加熱使其升溫。加熱器24可對中空承載件23加熱，進而使玻璃工件90與中空承載件23接觸的部分升溫。光學偵測模組203可擷取位於中空承載件23之玻璃工件90之影像。控制單元201可根據玻璃工件90之影像判斷玻璃工件90是否產生裂痕。
夾缸255用以驅動上夾盤251及下夾盤252打開或收合，進而放開或夾持玻璃工件90。冷卻器26用以降低上夾盤251及下夾盤252的溫度，進一步使得玻璃工件90之中與上夾盤251及下夾盤252接觸的部分降溫。
在玻璃工件90產生裂痕時，玻璃工件90藉由此裂痕而劃分為外周區域與內部區域之兩塊相異的元件，但兩者之間的間隙近乎為零，故材料犧牲寬度近乎為零。裂痕可使外周區域的熱能與內部區域的熱能不易相互傳遞，而具備熱阻隔的功能。 此時，外周區域與內部區域可能彼此相互接觸。當改變玻璃工件90之溫度而使之因熱變形，且使外周區域之內部尺寸與內部區域之外緣尺寸的差異達到一閾值時，可使外周區域與內部區域相分離。
舉例而言，在使用本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統，將玻璃工件90切出一個直徑100毫米厚度3毫米的內部區域時，外周區域之內緣及內部區域之外緣通常會有約小於10微米的邊緣崩缺。外周區域與內部區域之間幾乎無材料犧牲寬度。此工序耗時約小於0.5分鐘。內部區域之外緣與外周區域之內緣的算術平均粗糙度Ra會小於1微米。因此，根據本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統，可獲得邊緣崩缺小、材料犧牲寬度小、加工時間短、切割邊緣之算術平均粗糙度Ra小的加工處理成品。
請參照圖3及圖4。圖3繪示依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。圖4繪示一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。
如圖3所示，於步驟S101中，進行改質工序。詳言之，利用圖1所示之改質裝置10之第一雷射模組11產生第一雷射光束。沿加工輪廓線L將第一雷射光束照射至玻璃工件90。加工輪廓線L為封閉輪廓線。由於第一雷射光束屬於脈衝雷射，故第一雷射光束沿加工輪廓線L掃描時，會在脈衝產生的時間點使玻璃工件90改質。藉由屬於脈衝雷射的第一雷射光束，於玻璃工 件90斷續地改質。於本實施例中，沿圖4所示之玻璃工件90之加工輪廓線L，將第一雷射光束照射至玻璃工件90。隨後，將玻璃工件90放置於圖2所示之下料裝置20的中空承載件23。接下來，進一步進行步驟S102。
於步驟S102中，進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201計算γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0013-3
i/t)/d。如圖4所示，將加工輪廓線L之等效直徑定為
Figure 109135849-A0305-02-0013-5
i，將加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的等效距離定為d，將玻璃工件90之厚度定為t。在加工輪廓線L的形狀及玻璃工件90之外緣的形狀為圓形的情況下，加工輪廓線L之直徑即為等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0013-4
i，加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的距離即為等效距離d。圖2中之控制單元201進一步判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ>3。如圖3所示，若滿足γ>3，則進行步驟S103。若不滿足γ>3(亦即γ≦3)，則進行步驟S105。
於步驟S103中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ>3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行下料工序中之裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S104。
於步驟S104中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，進一步利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域，以對玻璃工件90的外周區域加熱。於本實施例中，將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域4秒鐘後停止照射1~2秒鐘，並反覆進行照射程序。接下來，進一步進行步驟S114。步驟S114之內容請容後續詳述。
於步驟S105中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ<1。如圖3所示，若滿足γ<1，則進行步驟S106。若不滿足γ<1(亦即1≦γ≦3)，則進行步驟S111。
於步驟S106中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201判斷加工輪廓線L之等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0014-6
i是否滿足
Figure 109135849-A0305-02-0014-7
i≦15mm。若滿足
Figure 109135849-A0305-02-0014-12
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0014-8
i≦15mm)，則進行步驟S107。若
Figure 109135849-A0305-02-0014-11
i不滿足
Figure 109135849-A0305-02-0014-10
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0014-9
i>15mm)，則進行步驟S109。
於步驟S107中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0014-13
i≦15mm之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。因 加熱所致之熱應力在玻璃工件90之受改質處會有應力集中的現象。藉此令玻璃工件90之受改質處產生裂痕。此時，圖2之控制單元可藉由光學偵測模組203擷取玻璃工件90之影像以判斷裂痕是否產生，但不以此為限。於其他實施例中，亦可藉由持續對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱一指定時間，以推定裂痕產生。裂痕產生後，進一步進行步驟S108。
於步驟S108中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，使圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252夾持並接觸於玻璃工件90之加工輪廓線L以內的內部區域。利用圖2所示之下料裝置20的冷卻器26使玻璃工件90的內部區域降溫，但不以此為限。於其他實施例中，上夾盤251及下夾盤252亦可與玻璃工件90間隔一距離，冷卻器26經由上夾盤251及下夾盤252對玻璃工件90的內部區域吹拂冷空氣，以使之降溫。接下來，進一步進行步驟S114。步驟S114之內容請容後續詳述。
於步驟S109中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0015-14
i>15mm之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步 進行步驟S110。
於步驟S110中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。接下來，進一步進行步驟S114。步驟S114之內容請容後續詳述。舉例而言，在一實施例中，當玻璃工件90的外緣與加工輪廓線L皆為圓形，玻璃工件90的厚度t為3mm，等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0016-15
i為46mm，且等效距離d為42mm時，亦即在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0016-16
i>15mm之條件下，由進行改質的步驟S101開始，採取以中空承載件23的加熱器24加熱至190度進行加熱的步驟S110，至完成下料的步驟S114，可在10秒鐘以內完成。
於步驟S111中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足1≦γ≦3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S112。
於步驟S112中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，進一步利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生 第二雷射光束。將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域，以對玻璃工件90的外周區域加熱。接下來，進一步進行步驟S113。
於步驟S113中，繼續進行分離工序。詳言之，於步驟S112之後，使圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252夾持並接觸於玻璃工件90之加工輪廓線L以內的內部區域。利用圖2所示之下料裝置20的冷卻器26使玻璃工件90的內部區域降溫，但不以此為限。於其他實施例中，上夾盤251及下夾盤252亦可與玻璃工件90間隔一距離，冷卻器26經由上夾盤251及下夾盤252對玻璃工件90的內部區域吹拂冷空氣，以使之降溫。接下來，進一步進行步驟S114。
於步驟S114中，圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252可夾持玻璃工件90的內部區域，且藉由Z軸驅動模組27使夾持模組25及玻璃工件90之內部區域向下移動。此時，玻璃工件90之外周區域與內部區域相分離。在另一實施例中，在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ>3之條件下，於步驟S114中，玻璃工件90亦可藉由自身重力使加工輪廓線L內的內部區域向下移動而使該玻璃工件90的外周區域與內部區域相分離。隨後，可藉由夾缸255打開上夾盤251及下夾盤252。下夾盤252承載玻璃工件90的內部區域。並藉由X軸驅動模組28及Y軸驅動模組29，使下夾盤252及玻璃工件90的內部區域自中空承載件23移開。
另外，在對一玻璃工件90進行多個加工輪廓線L的實施例中，例如在對玻璃工件90進行多個同心圓的加工輪廓線L的情況下，可先對多個加工輪廓線L進行步驟S101。之後，由外向內對各個加工輪廓線L分別進行包含步驟S102~S114的程序，直至所有加工輪廓線L皆完成加工。
請參照圖5，繪示繪示依照本發明之另一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。
如圖5所示，於步驟S201中，進行改質工序。詳言之，利用圖1所示之改質裝置10之第一雷射模組11產生第一雷射光束。沿加工輪廓線L將第一雷射光束照射至玻璃工件90。加工輪廓線L為封閉輪廓線。由於第一雷射光束屬於脈衝雷射，故第一雷射光束沿加工輪廓線L掃描時，會在脈衝產生的時間點使玻璃工件90改質。藉由屬於脈衝雷射的第一雷射光束，於玻璃工件90斷續地改質。於本實施例中，沿圖4所示之玻璃工件90之加工輪廓線L，將第一雷射光束照射至玻璃工件90。隨後，將玻璃工件90放置於圖2所示之下料裝置20的中空承載件23。接下來，進一步進行步驟S202。
於步驟S202中，進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201計算γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0018-18
i/t)/d。如圖4所示，將加工輪廓線L之等效直徑定為
Figure 109135849-A0305-02-0018-17
i，將加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的等效距離定為d，將玻璃工件90之厚度定為t。在加工輪廓線L的形狀及玻璃工件90之外緣的形狀為圓形的情況下，加工輪廓線L 之直徑即為等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0019-19
i，加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的距離即為等效距離d。圖2中之控制單元201進一步判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ>3。如圖3所示，若滿足γ>3，則進行步驟S203。若不滿足γ>3(亦即γ≦3)，則進行步驟S205。
於步驟S203中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ>3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行下料工序中之裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S204。
於步驟S204中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，進一步利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域，以對玻璃工件90的外周區域加熱。於本實施例中，將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域4秒鐘後停止照射1~2秒鐘，並反覆進行照射程序。接下來，進一步進行步驟S214。步驟S214之內容請容後續詳述。
於步驟S205中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2 中之控制單元201判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ<1。如圖3所示，若滿足γ<1，則進行步驟S206。若不滿足γ<1(亦即1≦γ≦3)，則進行步驟S211。
於步驟S206中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201判斷加工輪廓線L之等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0020-22
i是否滿足
Figure 109135849-A0305-02-0020-21
i≦15mm。若滿足
Figure 109135849-A0305-02-0020-24
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0020-23
i≦15mm)，則進行步驟S207。若
Figure 109135849-A0305-02-0020-25
i不滿足
Figure 109135849-A0305-02-0020-26
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0020-27
i>15mm)，則進行步驟S209。
於步驟S207中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0020-20
i≦15mm之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。因加熱所致之熱應力在玻璃工件90之受改質處會有應力集中的現象。藉此令玻璃工件90之受改質處產生裂痕。此時，圖2之控制單元可藉由光學偵測模組203擷取玻璃工件90之影像以判斷裂痕是否產生，但不以此為限。於其他實施例中，亦可藉由持續對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱一指定時間，以推定裂痕產生。裂痕產生後，進一步進行步驟S208。
於步驟S208中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，使圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252夾持並接觸於玻璃工件90之加工輪廓線L以內的內部 區域。利用圖2所示之下料裝置20的冷卻器26使玻璃工件90的內部區域降溫，但不以此為限。於其他實施例中，上夾盤251及下夾盤252亦可與玻璃工件90間隔一距離，冷卻器26經由上夾盤251及下夾盤252對玻璃工件90的內部區域吹拂冷空氣，以使之降溫。接下來，進一步進行步驟S214。步驟S214之內容請容後續詳述。
於步驟S209中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0021-28
i>15mm之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S210。
於步驟S210中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。接下來，進一步進行步驟S214。步驟S214之內容請容後續詳述。舉例而言，在一實施例中，當玻璃工件90的外緣與加工輪廓線L皆為圓形，玻璃工件90的厚度t為3mm，等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0021-29
i為46mm，且等效距離d為42mm時，亦即在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0021-30
i>15mm之條件下，由進行改質的步驟 S201開始，採取以中空承載件23的加熱器24加熱至190度進行加熱的步驟S210，至完成下料的步驟S214，可在10秒鐘以內完成。
於步驟S211中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足1≦γ≦3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S212。
於步驟S212中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，進一步利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域，以對玻璃工件90的外周區域加熱。同時，使圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252夾持並接觸於玻璃工件90之加工輪廓線L以內的內部區域，且利用圖2所示之下料裝置20的冷卻器26使玻璃工件90的內部區域降溫，但不以此為限。於其他實施例中，上夾盤251及下夾盤252亦可與玻璃工件90間隔一距離，冷卻器26經由上夾盤251及下夾盤252對玻璃工件90的內部區域吹拂冷空氣，以使之降溫。此時，對外周區域加熱及對內部區域降溫係同時進行。接 下來，進一步進行步驟S214。
於步驟S214中，圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252可夾持玻璃工件90的內部區域，且藉由Z軸驅動模組27使夾持模組25及玻璃工件90之內部區域向下移動。此時，玻璃工件90之外周區域與內部區域相分離。在另一實施例中，在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ>3之條件下，於步驟S214中，玻璃工件90亦可藉由自身重力使加工輪廓線L內的內部區域向下移動而使該玻璃工件90的外周區域與內部區域相分離。隨後，可藉由夾缸255打開上夾盤251及下夾盤252。下夾盤252承載玻璃工件90的內部區域。並藉由X軸驅動模組28及Y軸驅動模組29，使下夾盤252及玻璃工件90的內部區域自中空承載件23移開。
另外，在對一玻璃工件90進行多個加工輪廓線L的實施例中，例如在對玻璃工件90進行多個同心圓的加工輪廓線L的情況下，可先對多個加工輪廓線L進行步驟S201。之後，由外向內對各個加工輪廓線L分別進行包含步驟S202~S214的程序，直至所有加工輪廓線L皆完成加工。
請參照圖6，繪示繪示依照本發明之另一實施例之玻璃工件雷射處理方法之流程圖。
如圖6所示，於步驟S301中，進行改質工序。詳言之，利用圖1所示之改質裝置10之第一雷射模組11產生第一雷射光束。沿加工輪廓線L將第一雷射光束照射至玻璃工件90。加 工輪廓線L為封閉輪廓線。由於第一雷射光束屬於脈衝雷射，故第一雷射光束沿加工輪廓線L掃描時，會在脈衝產生的時間點使玻璃工件90改質。藉由屬於脈衝雷射的第一雷射光束，於玻璃工件90斷續地改質。於本實施例中，沿圖4所示之玻璃工件90之加工輪廓線L，將第一雷射光束照射至玻璃工件90。隨後，將玻璃工件90放置於圖2所示之下料裝置20的中空承載件23。接下來，進一步進行步驟S302。
於步驟S302中，進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201計算γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0024-31
i/t)/d。如圖4所示，將加工輪廓線L之等效直徑定為
Figure 109135849-A0305-02-0024-32
i，將加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的等效距離定為d，將玻璃工件90之厚度定為t。在加工輪廓線L的形狀及玻璃工件90之外緣的形狀為圓形的情況下，加工輪廓線L之直徑即為等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0024-33
i，加工輪廓線L至玻璃工件90之外緣的距離即為等效距離d。圖2中之控制單元201進一步判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ>3。如圖3所示，若滿足γ>3，則進行步驟S303。若不滿足γ>3(亦即γ≦3)，則進行步驟S305。
於步驟S303中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ>3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行下料工序中之裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此 時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S304。
於步驟S304中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，進一步利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域，以對玻璃工件90的外周區域加熱。於本實施例中，將第二雷射光束照射至玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域4秒鐘後停止照射1~2秒鐘，並反覆進行照射程序。接下來，進一步進行步驟S314。步驟S314之內容請容後續詳述。
於步驟S305中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201判斷玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係是否滿足γ<1。如圖3所示，若滿足γ<1，則進行步驟S306。若不滿足γ<1(亦即1≦γ≦3)，則進行步驟S311。
於步驟S306中，繼續進行判斷工序。詳言之，圖2中之控制單元201判斷加工輪廓線L之等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0025-34
i是否滿足
Figure 109135849-A0305-02-0025-35
i≦15mm。若滿足
Figure 109135849-A0305-02-0025-37
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0025-36
i≦15mm)，則進行步驟S307。若
Figure 109135849-A0305-02-0025-38
i不滿足
Figure 109135849-A0305-02-0025-39
i≦15mm(亦即γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0025-40
i>15mm)，則進行步驟S309。
於步驟S307中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0025-41
i≦15mm之條件的下料工序，且控 制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。因加熱所致之熱應力在玻璃工件90之受改質處會有應力集中的現象。藉此令玻璃工件90之受改質處產生裂痕。此時，圖2之控制單元可藉由光學偵測模組203擷取玻璃工件90之影像以判斷裂痕是否產生，但不以此為限。於其他實施例中，亦可藉由持續對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱一指定時間，以推定裂痕產生。裂痕產生後，進一步進行步驟S308。
於步驟S308中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，使圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252夾持並接觸於玻璃工件90之加工輪廓線L以內的內部區域。利用圖2所示之下料裝置20的冷卻器26使玻璃工件90的內部區域降溫，但不以此為限。於其他實施例中，上夾盤251及下夾盤252亦可與玻璃工件90間隔一距離，冷卻器26經由上夾盤251及下夾盤252對玻璃工件90的內部區域吹拂冷空氣，以使之降溫。接下來，進一步進行步驟S314。步驟S314之內容請容後續詳述。
於步驟S309中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0026-42
i>15mm之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷 射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟S310。
於步驟S310中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。接下來，進一步進行步驟S314。步驟S314之內容請容後續詳述。舉例而言，在一實施例中，當玻璃工件90的外緣與加工輪廓線L皆為圓形，玻璃工件90的厚度t為3mm，等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0027-43
i為46mm，且等效距離d為42mm時，亦即在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ<1且
Figure 109135849-A0305-02-0027-44
i>15mm之條件下，由進行改質的步驟S301開始，採取以中空承載件23的加熱器24加熱至190度進行加熱的步驟S310，至完成下料的步驟S314，可在10秒鐘以內完成。
於步驟S311中，圖2中之控制單元201自儲存單元202選擇對應於滿足1≦γ≦3之條件的下料工序，且控制下料裝置20進行下料工序。其中，先進行裂痕產生工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之第二雷射模組21產生第二雷射光束。沿加工輪廓線L將第二雷射光束照射至玻璃工件90。此時玻璃工件90在加工輪廓線L上會產生局部熱應力。玻璃工件90之受改質處可藉由應力集中現象而產生裂痕。接下來，進一步進行步驟 S312。
於步驟S312中，進行下料工序中之分離工序。詳言之，利用圖2所示之下料裝置20之設置於中空承載件23的加熱器24，對玻璃工件90之加工輪廓線L以外的外周區域加熱。接下來，進一步進行步驟S314。步驟S314之內容請容後續詳述。
於步驟S314中，圖2所示之下料裝置20之夾持模組25的上夾盤251及下夾盤252可夾持玻璃工件90的內部區域，且藉由Z軸驅動模組27使夾持模組25及玻璃工件90之內部區域向下移動。此時，玻璃工件90之外周區域與內部區域相分離。在另一實施例中，在玻璃工件90及加工輪廓線L之幾何關係滿足γ>3之條件下，於步驟S314中，玻璃工件90亦可藉由自身重力使加工輪廓線L內的內部區域向下移動而使該玻璃工件90的外周區域與內部區域相分離。隨後，可藉由夾缸255打開上夾盤251及下夾盤252。下夾盤252承載玻璃工件90的內部區域。並藉由X軸驅動模組28及Y軸驅動模組29，使下夾盤252及玻璃工件90的內部區域自中空承載件23移開。
另外，在對一玻璃工件90進行多個加工輪廓線L的實施例中，例如在對玻璃工件90進行多個同心圓的加工輪廓線L的情況下，可先對多個加工輪廓線L進行步驟S301。之後，由外向內對各個加工輪廓線L分別進行包含步驟S302~S314的程序，直至所有加工輪廓線L皆完成加工。
依照本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統及 玻璃工件雷射處理方法，可針對不同形狀的玻璃工件與加工輪廓線進行改質工序、下料工序及判斷工序，只要在判斷工序中判斷玻璃工件及加工輪廓線之幾何關係，即可選擇進行對應的下料工序。以下請參照圖7至圖9。
請參照圖7，繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。圖7所示之玻璃工件91及加工輪廓線L1的形狀可分別為具有長軸及短軸之類似橢圓形的形狀。加工輪廓線L1在圖7中的垂直方向D1上具有較短的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0029-45
11，在圖7中的水平方向D2上具有較長的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0029-46
12。在方向D1上，加工輪廓線L1至玻璃工件91之外緣的距離有d11及d12。在方向D2上，加工輪廓線L1至玻璃工件91之外緣的距離有d13及d14。在此情況下，加工輪廓線L1的等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0029-51
1的計算方式為
Figure 109135849-A0305-02-0029-50
1=(
Figure 109135849-A0305-02-0029-47
11+
Figure 109135849-A0305-02-0029-49
12)/2。加工輪廓線L1至玻璃工件91之外緣的等效距離d1的計算方式為d1=(d11+d12+d13+d14)/4。
請參照圖8，繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。圖8所示玻璃工件92的形狀可為狹長的形狀。在玻璃工件92上，可設定有多個加工輪廓線L2、L3，其形狀可為圓形。加工輪廓線L2、L3可偏在玻璃工件92的一側，加工輪廓線L2較加工輪廓線L3位於玻璃工件92更外側的位置。
對於加工輪廓線L2而言，加工輪廓線L2的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0029-52
2即為其等效直徑。在圖8中的垂直方向D1上，加工輪廓線L2至玻璃工件92之外緣的距離有d21及d22。在圖8中的水平方向 D2上，加工輪廓線L2至玻璃工件92之外緣的距離有d23。另外，加工輪廓線L3對於加工輪廓線L2而言，亦屬於玻璃工件92之邊緣的一種。因此，在圖8中的水平方向D2上，加工輪廓線L2至加工輪廓線L3的距離有d24。在此情況下，加工輪廓線L2至玻璃工件92之邊緣的等效距離d2的計算方式為d2=(d21+d22+d23+d24)/4。舉例而言，在玻璃工件92的厚度t=1.1mm，加工輪廓線L2的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0030-53
2=65mm，以及加工輪廓線L2至玻璃工件92之外緣的距離為d21=8mm、d22=8mm、d23=8mm且d24=15.4mm的情況下，γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0030-54
2/t)/d2≒5.999。因此，在對加工輪廓線L2進行加工的情況下，會進行與γ>3相關的下料工序。
對於加工輪廓線L3而言，加工輪廓線L3的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0030-56
3即為其等效直徑。在圖8中的垂直方向D1上，加工輪廓線L3至玻璃工件92之外緣的距離有d25及d26。在圖8中的水平方向D2上，加工輪廓線L3至玻璃工件92之外緣的距離有d27。另外，加工輪廓線L2對於加工輪廓線L3而言，亦屬於玻璃工件92之邊緣的一種。因此，在圖8中的水平方向D2上，加工輪廓線L3至加工輪廓線L2的距離有d24。在此情況下，加工輪廓線L3至玻璃工件92之邊緣的等效距離d3之原本的計算方式為d3=(d25+d26+d27+d24)/4。然而，在如圖8所示的實施例中，d27>n×
Figure 109135849-A0305-02-0030-58
3，n>1。此時，以n×
Figure 109135849-A0305-02-0030-57
3取代d27來計算，使得等效距離d3的計算方式改為d3=(d25+d26+n×
Figure 109135849-A0305-02-0030-59
3+d24)/4。舉例 而言，在玻璃工件92的厚度t=1.1mm，加工輪廓線L3的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0031-60
3=40mm，以及加工輪廓線L3至玻璃工件92之外緣的距離為d25=27.54mm、d26=27.54mm、d27=426mm、d24=15.4mm，且設定n=1.5的情況下，γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0031-61
3/t)/d3≒1.115。因此，在對加工輪廓線L3進行加工的情況下，會進行與1≦γ≦3相關的下料工序。
在對一玻璃工件92進行多個加工輪廓線L2、L3的實施例中，可先對多個加工輪廓線L2、L3進行改質工序。之後，再對加工輪廓線L2、L3分別進行下料工序。
請參照圖9，繪示另一玻璃工件之加工輪廓線之俯視示意圖。圖9所示玻璃工件94的形狀可為矩形。在玻璃工件94上，可設定有加工輪廓線L4，其形狀可為狹長的形狀。加工輪廓線L4可偏在玻璃工件94的一側。
加工輪廓線L4在圖9中的垂直方向D1上具有較短的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0031-62
41，在圖9中的水平方向D2上具有較長的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0031-63
42。在方向D1上，加工輪廓線L4至玻璃工件94之外緣的距離有d41及d42。在方向D2上，加工輪廓線L4至玻璃工件94之外緣的距離有d43及d44。在此情況下，加工輪廓線L4的等效直徑
Figure 109135849-A0305-02-0031-71
4的計算方式為
Figure 109135849-A0305-02-0031-65
4=(
Figure 109135849-A0305-02-0031-64
41+
Figure 109135849-A0305-02-0031-66
42)/2。加工輪廓線L4至玻璃工件94之外緣之原本的等效距離d4的計算方式為d4=(d41+d42+d43+d44)/4。然而，在如圖9所示的實施例中，d41>n×
Figure 109135849-A0305-02-0031-70
4，d43>n×
Figure 109135849-A0305-02-0031-67
4，d44>n×
Figure 109135849-A0305-02-0031-68
4，n>1。此時，以n×
Figure 109135849-A0305-02-0031-69
4取代d41、d43、d44 來計算，使得等效距離d4的計算方式改為d4=(n×
Figure 109135849-A0305-02-0032-72
4+d42+n×
Figure 109135849-A0305-02-0032-73
4+n×
Figure 109135849-A0305-02-0032-74
4)/4。舉例而言，在玻璃工件94的厚度t=0.4mm，加工輪廓線L4的直徑
Figure 109135849-A0305-02-0032-75
41=12.5mm、
Figure 109135849-A0305-02-0032-76
42=70.5mm，以及加工輪廓線L4至玻璃工件94之外緣的距離d41=189.5mm、d42=8mm、d43=99.5mm、d44=63.75mm，且設定n=1.5的情況下，γ=(
Figure 109135849-A0305-02-0032-77
4/t)/d4≒2.131。因此，在對加工輪廓線L4進行加工的情況下，會進行與1≦γ≦3相關的下料工序。
綜上所述，本發明之一實施例之玻璃工件雷射處理系統及玻璃工件雷射處理方法，藉由將第一雷射光束照射至玻璃工件使玻璃工件斷續地改質，且令玻璃工件之受改質處產生裂痕，進一步將玻璃工件分離。如此獲得之外周區域與內部區域的邊緣通常會有小於10微米的邊緣崩缺，外周區域與內部區域之間幾乎沒有材料犧牲寬度。此外，在切割出直徑100毫米厚度3毫米的玻璃時，所耗費的時間約小於0.5分鐘。而且，成品之邊緣的算術平均粗糙度Ra會小於1微米，而不必另外進行的表面處理。藉此，可獲得邊緣崩缺小、材料犧牲寬度小、加工時間短、切割邊緣之算術平均粗糙度Ra小的成品。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

Claims (17)

  1. 一種玻璃工件雷射處理系統，其包括：一框架；一改質裝置，其包括：一第一雷射模組，設置於該框架，該第一雷射模組用以產生一第一雷射光束以對一玻璃工件改質；以及一下料裝置，其包括：一第二雷射模組，設置於該框架，該第二雷射模組用以產生一第二雷射光束且用以使該玻璃工件升溫；一中空承載件，設置於該框架，該中空承載件用以承載該玻璃工件且接觸該玻璃工件之一外周區域；一加熱器，設置於該中空承載件，該加熱器用以使該外周區域升溫；一夾持模組，設置於該框架，該夾持模組用以夾持該玻璃工件之一內部區域；以及一冷卻器，設置於該夾持模組，該冷卻器用以使該內部區域降溫。
  2. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，其中該改質裝置更包括至少一驅動模組，設置於該框架，用以驅動該玻璃工件相對於該框架移動。
  3. 如請求項2所述之玻璃工件雷射處理系統，其中該改質裝置更包括一真空吸盤，設置於該至少一驅動模組，用以承載並固定該玻璃工件。
  4. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，其中該改質裝置更包括一線型聚焦光束模組，設置於該框架，用以改變該第一雷射光束之景深。
  5. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，其中該下料裝置更包括至少一驅動模組，設置於該框架，用以驅動該夾持模組相對於該框架移動。
  6. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，其中該下料裝置更包括一光路導引模組，設置於該框架，用以改變該第二雷射光束照射於該玻璃工件之位置。
  7. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，更包括一光學偵測模組，用以擷取該玻璃工件之一影像。
  8. 如請求項1所述之玻璃工件雷射處理系統，更包括一控制單元及一儲存單元，該控制單元電性連接至該第二雷射模組、該加熱器、該夾持模組、該冷卻器及該儲存單元，該儲存單元用以儲存相異的多個下料工序，該控制單元用以根據該玻璃工件之幾何參數自該儲存單元讀取該些下料工序之其中一者，且用以根據所讀取之該下料工序控制該第二雷射模組、該加熱器、該夾持模組或該冷卻器運作。
  9. 一種玻璃工件雷射處理方法，其包括： 一改質工序，沿一加工輪廓線將一第一雷射光束照射至一玻璃工件，使該玻璃工件中沿該加工輪廓線斷續地改質；一下料工序，令該玻璃工件之受改質處產生一裂痕，該裂痕將該玻璃工件劃分為一外周區域及位於該外周區域之內的一內部區域，且改變該玻璃工件之溫度而使之變形，使該外周區域之內部尺寸與該內部區域之外緣尺寸的差異達到一閾值，以將該外周區域與該內部區域相分離；以及一判斷工序，於該下料工序之前，計算γ=(
    Figure 109135849-A0305-02-0037-85
    i/t)/d，根據γ值判斷所要進行的該下料工序，其中
    Figure 109135849-A0305-02-0037-86
    i表示該加工輪廓線之等效直徑，d表示該加工輪廓線至該玻璃工件之外緣的等效距離，t表示該玻璃工件之厚度。
  10. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中該加工輪廓線為一封閉輪廓線。
  11. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足γ>3，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，沿該加工輪廓線將一第二雷射光束照射至該玻璃工件，以令該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及一分離工序，於該裂痕產生工序之後，將該第二雷射光束照射至該外周區域以對該外周區域加熱，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  12. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足1≦γ≦3，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，沿該加工輪廓線將一第二雷射光束照射至該玻璃工件，以令該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及一分離工序，於該裂痕產生工序之後，將該第二雷射光束照射至該外周區域以對該外周區域加熱，之後再冷卻該內部區域，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  13. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足1≦γ≦3，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，沿該加工輪廓線將一第二雷射光束照射至該玻璃工件，以令該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及一分離工序，於該裂痕產生工序之後，在將該第二雷射光束照射至該外周區域以對該玻璃工件的該外周區域加熱的同時，冷卻該內部區域，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  14. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足1≦γ≦3，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，沿該加工輪廓線將一第二雷射光束照射至該玻璃工件，以令該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及 一分離工序，於該裂痕產生工序之後，利用一加熱器加熱該外周區域，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  15. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足γ<1且
    Figure 109135849-A0305-02-0039-87
    i>15mm，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，沿該加工輪廓線將一第二雷射光束照射至該玻璃工件，以令該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及一分離工序，於該裂痕產生工序之後，利用一加熱器加熱該外周區域，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  16. 如請求項9所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該判斷工序中，判斷是否滿足γ<1且
    Figure 109135849-A0305-02-0039-88
    i≦15mm，若是則該下料工序包括：一裂痕產生工序，利用一加熱器加熱該外周區域，直至該玻璃工件之受改質處產生該裂痕；以及一分離工序，於該裂痕產生工序之後，冷卻該內部區域，以將該外周區域與該內部區域相分離。
  17. 如請求項16所述之玻璃工件雷射處理方法，其中於該裂痕產生工序中，在利用該加熱器加熱該外周區域的同時，持續擷取該玻璃工件之一影像，且自該影像判斷該玻璃工件是否產生該裂痕，直至該玻璃工件之受改質處產生該裂痕之後進行該分離工序。
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