TWI738430B - 有機發光二極體顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種有機發光二極體顯示面板包括控制基板、平坦層、畫素定義層、第一圍牆、第二圍牆與模封層。控制基板具有顯示區與第一非顯示區。第一非顯示區圍繞顯示區。平坦層設置於控制基板上，並分布於顯示區與第一非顯示區。畫素定義層設置於平坦層上。第一圍牆與第二圍牆皆設置於第一非顯示區內的平坦層上，並圍繞顯示區。第一圍牆與第二圍牆之間形成位於平坦層上方的第一溝槽。第一圍牆與第二圍牆兩者相對於平坦層的高度皆高於顯示區內的畫素定義層相對於平坦層的高度。模封層全面性地覆蓋平坦層、畫素定義層、第一圍牆與第二圍牆。

Description

有機發光二極體顯示面板

本發明是有關於一種顯示器，且特別是有關於一種有機發光二極體顯示面板（OLED display panel）。

現今很多電子裝置，例如智慧手機、平板電腦與電視機，已採用有機發光二極體顯示面板作為顯示螢幕。不過，有機發光二極體顯示面板內部的發光元件容易被氧氣及水氣破壞而無法發光。因此，目前的有機發光二極體顯示面板需要具備密封性良好的封裝結構，以阻擋（blocking）外界氧氣與水氣滲入，保護內部的發光元件。

本發明至少一實施例提出一種有機發光二極體顯示面板，其包括至少兩道圍牆來阻礙（impeding）氧氣與水氣的滲入。

本發明所包括的有機發光二極體顯示面板包括控制基板、平坦層、畫素定義層、第一圍牆、第二圍牆與模封層。控制基板具有顯示區與位於顯示區外的第一非顯示區，其中第一非顯示區沿著控制基板的邊緣而分布，並圍繞顯示區。平坦層設置於控制基板上，並分布於顯示區與第一非顯示區。畫素定義層設置於平坦層上。第一圍牆與第二圍牆皆設置於第一非顯示區內的平坦層上，並沿著顯示區的邊緣而圍繞顯示區。第二圍牆圍繞第一圍牆，其中第一圍牆與第二圍牆之間形成第一溝槽。第一溝槽形成於平坦層的上方，並圍繞顯示區。第一圍牆與第二圍牆兩者相對於平坦層的高度皆高於顯示區內的畫素定義層相對於平坦層的高度。模封層設置於控制基板上，並全面性地覆蓋平坦層、畫素定義層、第一圍牆與第二圍牆。

在本發明至少一實施例中，上述第一溝槽的寬度介於3微米至100微米之間。

在本發明至少一實施例中，上述平坦層具有外圍凹槽。外圍凹槽位於第一非顯示區內，並沿著顯示區的邊緣而延伸，其中第一圍牆圍繞外圍凹槽。

在本發明至少一實施例中，上述平坦層從顯示區沿著控制基板的上表面而延伸至第一非顯示區。

在本發明至少一實施例中，上述第一圍牆包括第一壁體與第一頂部。第一壁體設置於平坦層上，而第一頂部設置於第一壁體上方，並沿著第一壁體延伸。第二圍牆包括第二壁體與第二頂部。第二壁體設置於平坦層上，而第二頂部設置於第二壁體上方，並沿著第二壁體延伸。

在本發明至少一實施例中，上述有機發光二極體顯示面板還包括墊層。墊層設置於第一非顯示區內，並位於平坦層上，其中第一圍牆與第二圍牆設置於墊層上，而第一溝槽形成於墊層的上方。

在本發明至少一實施例中，上述控制基板還具有開口以及第二非顯示區。第二非顯示區位於顯示區外，並沿著開口的邊緣而延伸，而平坦層更分布於第二非顯示區。有機發光二極體顯示面板還包括第三圍牆與第四圍牆。第三圍牆設置於第二非顯示區內的平坦層上，而第四圍牆設置於第二非顯示區內的平坦層上，其中第三圍牆與第四圍牆皆圍繞開口，而第三圍牆圍繞第四圍牆。相鄰的第三圍牆與第四圍牆之間形成第二溝槽，而第二溝槽形成於平坦層的上方，並圍繞開口。

在本發明至少一實施例中，上述第二溝槽的寬度介於3微米至100微米之間。

在本發明至少一實施例中，上述平坦層具有內圍凹槽。內圍凹槽位於第二非顯示區內，並沿著開口的邊緣而延伸，其中內圍凹槽圍繞第三圍牆。

在本發明至少一實施例中，上述平坦層從顯示區沿著控制基板的上表面而延伸至第二非顯示區。

在本發明至少一實施例中，上述第三圍牆包括第三壁體與第三頂部，而第四圍牆包括第四壁體與第四頂部。第三壁體設置於平坦層上，而第三頂部設置於第三壁體上方，並沿著第三壁體延伸。第四壁體設置於平坦層上，而第四頂部設置於第四壁體上方，並沿著第四壁體延伸。

在本發明至少一實施例中，上述有機發光二極體顯示面板還包括墊層。墊層設置於第二非顯示區內，並位於平坦層上，其中第三圍牆與第三圍牆設置於墊層上，而第二溝槽形成於墊層的上方。

在本發明至少一實施例中，上述第一圍牆具有鄰近顯示區的第一壁面，而第二圍牆具有遠離顯示區的第二壁面。第一壁面與第二壁面皆位在第一溝槽外，其中第一溝槽圍繞第一壁面，而第二壁面圍繞第一溝槽與第一壁面。第一壁面與第二壁面之間的距離介於3微米至1000微米之間。第三圍牆具有鄰近顯示區的第三壁面，而第四圍牆具有遠離顯示區的第四壁面。第三壁面與第四壁面皆位在第二溝槽外，其中第二溝槽圍繞第四壁面，而第三壁面圍繞第二溝槽與第四壁面。第三壁面與第四壁面之間的距離介於3微米至1000微米之間。

在本發明至少一實施例中，上述控制基板的邊緣圍繞成圓形、矩形或三角形。

由此可知，上述多道圍牆（例如第一圍牆與第二圍牆）以及模封層能阻礙及阻擋外界氧氣與水氣滲入，以保護顯示區內的多個有機發光二極體免於遭受氧氣及/或水氣破壞。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

圖1A是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖，而圖1B是圖1A中沿線1B-1B剖面而繪示的剖面示意圖。請參閱圖1A與圖1B，有機發光二極體顯示面板100包括控制基板110，其中控制基板110具有邊緣110e，而邊緣110e可以是控制基板110的外邊緣，如圖1A所示。在圖1A所示的實施例中，控制基板110的邊緣110e可以圍繞成矩形，而有機發光二極體顯示面板100的形狀實質上可以是矩形。

控制基板110具有顯示區A10與位於顯示區A10外的第一非顯示區N11（標示於圖1B），其中第一非顯示區N11沿著控制基板110的邊緣110e而分布，並圍繞顯示區A10。顯示區A10為有機發光二極體顯示面板100產生影像的地方，但影像不在第一非顯示區N11產生。

在圖1B所示的實施例中，控制基板110包括元件陣列基板111與絕緣層112，其中絕緣層112形成在元件陣列基板111上，並覆蓋元件陣列基板111的上表面。元件陣列基板111可以具有多個開關元件（未繪示）以及多個導電層（未繪示），其中導電層位於元件陣列基板111的上表面，並且被絕緣層112覆蓋，而這些開關元件電性連接這些導電層。

開關元件可以是電晶體，例如薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT），而絕緣層112可以是無機阻隔鈍化層（Inorganic Barrier Passivation Layer，IOBP Layer），其中絕緣層112的構成材料可以是氮化矽或氧化矽，且絕緣層112可用化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）來形成。

有機發光二極體顯示面板100還包括平坦層120b以及畫素定義層130。平坦層120b設置於控制基板110上，並分布於顯示區A10與第一非顯示區N11。以圖1B為例，平坦層120b可以從顯示區A10沿著控制基板110的上表面110u而延伸至第一非顯示區N11。畫素定義層130設置於平坦層120b上，並且分布於顯示區A10。另外，控制基板110的絕緣層112可以設置在元件陣列基板111以及平坦層120b之間。

在圖1B所示的實施例中，畫素定義層130主要分布於顯示區A10，其中畫素定義層130的一部分可以分布於第一非顯示區N11內，但畫素定義層130沒有分布於整個第一非顯示區N11。另外，在其他實施例中，畫素定義層130也可以僅分布於顯示區A10，不分布於第一非顯示區N11。所以，圖1B僅供舉例說明，並不限制畫素定義層130的分布區域。

畫素定義層130具有多個畫素開口130h，而有機發光二極體顯示面板100還包括多個有機發光二極體160。這些畫素開口130h皆位於顯示區A10內，而這些有機發光二極體160分別設置於這些畫素開口130h內。以圖1B為例，這些有機發光二極體160可以一對一地設置於這些畫素開口130h內。

絕緣層112與平坦層120b內可以存有多個接觸窗（未繪示），其為貫孔（through hole），而各個接觸窗的側壁可被金屬層覆蓋，以形成內連線結構（intersection structure）。內連線結構連接有機發光二極體160的電極（例如陽極）與元件陣列基板111的導電層。因此，元件陣列基板111的開關元件能經由導電層與內連線結構而電性連接有機發光二極體160，以控制有機發光二極體160發光。當開關元件為薄膜電晶體時，開關元件具有閘極、汲極與源極，而開關元件的汲極經由導電層與內連線結構而電性連接有機發光二極體160，以使開關元件能控制有機發光二極體160發光。

在本實施例中，這些有機發光二極體160可發出不同顏色的光。例如，這些有機發光二極體160可以是多個紅光發光二極體、多個綠光發光二極體以及多個藍光發光二極體，並能發出紅光、綠光與藍光。如此，這些位於畫素開口130h內的有機發光二極體160每一者可視為有機發光二極體顯示面板100的子畫素（sub-pixel），而這些有機發光二極體160所發出的紅光、藍光與綠光能形成影像，讓有機發光二極體顯示面板100能顯示影像。

須說明的是，在其他未繪示的實施例中，這些有機發光二極體160可發出實質上相同顏色的光線。例如，這些有機發光二極體160皆可發出白光，而有機發光二極體顯示面板100可以還包括彩色濾光基板（未繪示），其中彩色濾光基板設置於控制基板110的對面，並能過濾從有機發光二極體160而來的白光，以產生紅光、綠光與藍光。如此，利用彩色濾光基板，這些發出白光的有機發光二極體160也能讓有機發光二極體顯示面板100顯示影像。

有機發光二極體顯示面板100還包括多道圍牆，其中這些圍牆圍繞顯示區A10。以圖1A與圖1B為例，有機發光二極體顯示面板100可以包括兩道圍牆：第一圍牆140a與第二圍牆140b，其中第一圍牆140a與第二圍牆140b皆設置於第一非顯示區N11內的平坦層120b上，並且圍繞顯示區A10。第二圍牆140b圍繞第一圍牆140a，所以第一圍牆140a會較靠近畫素定義層130，而第二圍牆140b會較遠離畫素定義層130。

由於第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者皆設置於平坦層120b上，因此第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者相對於平坦層120b的高度H14皆高於顯示區A10內的畫素定義層130相對於平坦層120b的高度H13，以使第一圍牆140a與第二圍牆140b具有較高的高度H14，其可以介於0.1微米至100微米之間。

在圖1B所示的實施例中，第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者相對於平坦層120b的高度H14實質上相等，但在其他實施例中，第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者的高度H14可以不相等。不過，即使第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者的高度H14不同，第一圍牆140a與第二圍牆140b任一者的高度H14會大於畫素定義層130的高度H13。

在本實施例中，第一圍牆140a可包括第一壁體141a與第一頂部142a，其中第一壁體141a設置於平坦層120b上，而第一頂部142a設置於第一壁體141a上方，並沿第一壁體141a延伸。所以，第一壁體141a會位在第一頂部142a與平坦層120b之間。與第一圍牆140a相同，第二圍牆140b可包括第二壁體141b與第二頂部142b，其中第二壁體141b設置於平坦層120b上，而第二頂部142b設置於第二壁體141b上方，並沿著第二壁體141b延伸。因此，第二壁體141b也位在第二頂部142b與平坦層120b之間。

第一圍牆140a與第二圍牆140b之間會形成第一溝槽T11。由於第一圍牆140a與第二圍牆140b皆設置在平坦層120b上，所以第一溝槽T11會形成於平坦層120b的上方，並圍繞顯示區A10與第一圍牆140a。此外，第一溝槽T11的寬度W11可以介於3微米至100微米之間，但此寬度W11的範圍不用於限制本發明。

第一圍牆140a與第二圍牆140b可以採用高分子材料製成。例如，第一壁體141a、第二壁體141b、第一頂部142a以及第二頂部142b皆可採用光阻來製成，其中第一壁體141a與第二壁體141b兩者可採用一層光阻來製成，而第一頂部142a與第二頂部142b兩者可採用另一層光阻來製成。

形成第一壁體141a、第二壁體141b、第一頂部142a與第二頂部142b的方法可以包括曝光與顯影，其中第一壁體141a、第二壁體141b以及畫素定義層130可以由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成。因此，第一壁體141a與第二壁體141b兩者厚度實質上彼此相同，並且可以實質上相同於高度H13。

有機發光二極體顯示面板100還包括模封層150，而模封層150設置於控制基板110上，並且全面性地覆蓋平坦層120b、畫素定義層130、第一圍牆140a以及第二圍牆140b，其中模封層150能阻擋外界氧氣與水氣滲入，而第一圍牆140a與第二圍牆140b能阻礙氧氣與水氣的滲入。因此，第一圍牆140a、第二圍牆140b與模封層150能保護顯示區A10內的有機發光二極體160，防止有機發光二極體160遭受氧氣及/或水氣破壞。

模封層150可包括有機密封層151，而有機密封層151設置於平坦層120b上，並分布於顯示區A10。在圖1B所示的實施例中，有機密封層151分布於顯示區A10，而且一部分有機密封層151可分布於部分第一非顯示區N11，但有機密封層151沒有分布於整個第一非顯示區N11。

第一圍牆140a圍繞有機密封層151。具體而言，有機密封層151可利用印刷或噴塗的方式形成，而有機密封層151可由有機的液態材料經固化或乾燥之後而形成。第一圍牆140a會早於有機密封層151形成。在第一圍牆140a形成之後，第一圍牆140a會圍繞出一個容置空間（未標示），而顯示區A10位於此容置空間內（如圖1A所示）。接著，將用於形成有機密封層151的液態材料填入於容置空間中。之後，固化或乾燥此液態材料，形成被第一圍牆140a圍繞的有機密封層151。

在本實施例中，用於形成有機密封層151的液態材料會被完全侷限在第一圍牆140a所圍繞的容置空間內。然而，在其他實施例中，當填入上述液態材料於容置空間時，一些液態材料可能會進入第一溝槽T11內。例如，容置空間內的液態材料太多，以至於一部分液態材料從第一圍牆140a溢流到第一溝槽T11。或者，當利用噴嘴將液態材料填入於容置空間時，噴嘴不慎將少部分液態材料滴入或噴入至第一溝槽T11內，因此用於形成有機密封層151的液態材料也可以部分分布在第一溝槽T11內。

模封層150還可包括無機密封層152。無機密封層152設置於控制基板110上，並且覆蓋有機密封層151、第一圍牆140a以及第二圍牆140b，其中無機密封層152更可以填滿第一溝槽T11，如圖1B所示。此外，無機密封層152可以採用化學氣相沉積（CVD）來形成。

在本實施例中，第一圍牆140a具有鄰近顯示區A10的第一壁面S11b，而第二圍牆140b具有遠離顯示區A10的第二壁面S12b，其中第一壁面S11b與第二壁面S12b皆位在第一溝槽T11外。換句話說，第一壁面S11b與第二壁面S12b都不是第一溝槽T11的側壁。此外，第一溝槽T11圍繞第一壁面S11b，而第二壁面S12b圍繞第一溝槽T11與第一壁面S11b。

由於第一圍牆140a與第二圍牆140b具有較高的高度H14，因此由第一圍牆140a圍繞而成的容置空間能容納較多用於形成有機密封層151的液態材料，以增加有機密封層151的體積。即使縮小第一壁面S11b與第二壁面S12b之間的距離140w，例如讓距離140w介於3微米至1000微米之間，有機密封層151的體積依然可以增加。

另外，第一圍牆140a、第一溝槽T11以及第二圍牆140b三者會在第一非顯示區N11內佔據一塊環形區域，而距離140w代表此環形區域的粗細。由於距離140w可介於3至1000微米之間，因此上述環形區域可以具有較細的寬度。換句話說，第一圍牆140a、第一溝槽T11與第二圍牆140b三者在第一非顯示區N11內會佔據較小的面積，以使有機發光二極體顯示面板100有利於製作成窄邊框型顯示器，滿足現今窄邊框化的發展趨勢。

圖1C是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖1C，有機發光二極體顯示面板100C與前述有機發光二極體顯示面板100相似，而有機發光二極體顯示面板100C唯一不同於有機發光二極體顯示面板100的特徵在於：有機發光二極體顯示面板100C的平坦層120c具有外圍凹槽121c。

外圍凹槽121c位於第一非顯示區N11內，並且圍繞顯示區A10，而第一圍牆140a圍繞外圍凹槽121c。在本實施例中，外圍凹槽121c的深度等於平坦層120c的厚度，所以外圍凹槽121c延伸至平坦層120c的相對兩表面。例如，在圖1C中，外圍凹槽121c是從平坦層120c的上表面延伸至平坦層120c的下表面。換句話說，外圍凹槽121c是貫穿平坦層120c而形成。

由於第一圍牆140a圍繞外圍凹槽121c，因此有機密封層151能填滿外圍凹槽121c，以使有機發光二極體顯示面板100C能透過外圍凹槽121c而容納較多的有機密封層151，以提升模封層150阻擋外界氧氣與水氣滲入的能力，保護有機發光二極體160免於遭受氧氣及/或水氣破壞。

圖1D是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖1D，圖1D所示的有機發光二極體顯示面板100D與圖1B所示的有機發光二極體顯示面板100相似，其中有機發光二極體顯示面板100D的俯視外觀實質上相同於有機發光二極體顯示面板100，如圖1A所示。因此，這裡省略繪製有機發光二極體顯示面板100D的俯視示意圖。

而有機發光二極體顯示面板100D唯一不同於有機發光二極體顯示面板100的特徵在於：有機發光二極體顯示面板100D所包括的第一圍牆149a與第二圍牆149b在結構上不同於前述實施例中的第一圍牆140a與第二圍牆140b，而且有機發光二極體顯示面板100D還包括前述實施例所沒有的墊層170。

墊層170設置於第一非顯示區N11內，並且位於平坦層120b上，而第一圍牆149a與第二圍牆149b設置於墊層170上，以使位於第一圍牆149a與第二圍牆149b之間的第一溝槽T12形成於墊層170的上方。第一溝槽T12的寬度W12可以介於3微米至100微米之間，所以第一溝槽T12的寬度W12可以等於圖1B中的寬度W11。不過，寬度W12並不限制在3微米至100微米之間，即寬度W12的數值可以落在上述範圍以外。

墊層170可以採用高分子材料製成，例如光阻。墊層170與畫素定義層130可以由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成，所以墊層170與畫素定義層130兩者厚度可以實質上彼此相同，並可實質上相同於高度H13。第一圍牆149a與第二圍牆149b兩者的構成材料與形成方法皆可相同於圖1B中的第一頂部142a與第二頂部142b兩者的構成材料與形成方法，而第一圍牆149a與第二圍牆149b兩者可由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成。

第一圍牆149a具有鄰近顯示區A10的第一壁面S11d，而第二圍牆149b具有遠離顯示區A10的第二壁面S12d，其中第一壁面S11d與第二壁面S12d皆位在第一溝槽T12外。與前述實施例相似，第一溝槽T12圍繞第一壁面S11d，而第二壁面S12d圍繞第一溝槽T12與第一壁面S11d。

第一壁面S11d與第二壁面S12d之間的距離149w可以介於3微米至1000微米之間，所以距離149w可以實質上等於圖1B中的距離140w。此外，在圖1D所示的實施例中，距離149w可以實質上等於墊層170的寬度，而且第一圍牆149a、第一溝槽T12與第二圍牆149b三者在第一非顯示區N11內所佔據的區域可以相同於墊層170在第一非顯示區N11內所佔據的區域。

由於第一壁面S11d與第二壁面S12d之間的距離149w可介於3微米至1000微米之間，因此第一圍牆149a、第一溝槽T12與第二圍牆149b三者在第一非顯示區N11內佔據較小的面積，以使有機發光二極體顯示面板100D有利於製作成窄邊框型顯示器，滿足現今窄邊框化的發展趨勢。此外，在圖1D所示的實施例中，有機發光二極體顯示面板100D的平坦層120b可替換成圖1C中的平坦層120c，即圖1D中的平坦層120b可具有外圍凹槽121c。

圖2是本發明另一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖。請參閱圖2，有別於前述實施例，圖2中的有機發光二極體顯示面板200的形狀實質上可以是三角形。具體而言，有機發光二極體顯示面板200包括控制基板210，其邊緣210e圍繞成三角形，其中控制基板210的顯示區A20的形狀實質上也是三角形，如圖2所示。

由於有機發光二極體顯示面板200的形狀實質上為三角形，因此有機發光二極體顯示面板200所包括的第一圍牆240a與第二圍牆240b也沿著邊緣210e而圍繞成三角形。此外，覆蓋第一圍牆240a、第二圍牆240b與控制基板210的模封層250，其外邊緣250e也是沿著邊緣210e而圍繞成三角形，如圖2所示。

須說明的是，雖然圖2中的有機發光二極體顯示面板200的形狀明顯不同於前述實施例中的有機發光二極體顯示面板100、100C與100D的形狀，但有機發光二極體顯示面板200的剖面結構卻實質上相同於有機發光二極體顯示面板100、100C或100D的剖面結構。也就是說，有機發光二極體顯示面板200實質上可具有如圖1B至圖1D所示的任一種剖面結構，故在此省略繪製有機發光二極體顯示面板200的剖面示意圖。

此外，第一圍牆240a、第二圍牆240b以及模封層250的剖面結構、構成材料以及形成方法皆相同於前述實施例中的第一圍牆140a（或149a）、第二圍牆140b（或149b）以及模封層150的剖面結構、構成材料以及形成方法，故這裡不再重複贅述。

在本發明多個實施例中，有機發光二極體顯示面板的形狀實質上不僅可以是矩形（如圖1A所示的有機發光二極體顯示面板100）或三角形（如圖2所示的有機發光二極體顯示面板200），而且有機發光二極體顯示面板的形狀實質上可以是圓形，如圖3A所示。

圖3A是本發明另一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖。請參閱圖3A，不同於前述矩形的有機發光二極體顯示面板100以及三角形的有機發光二極體顯示面板200，圖3A所示的有機發光二極體顯示面板100的形狀實質上為矩形，而有機發光二極體顯示面板300A所包括的控制基板310的邊緣310e可圍繞成圓形。

有機發光二極體顯示面板300A所包括的第一圍牆340a與第二圍牆340b會沿著邊緣310e而圍繞成圓形，其中第二圍牆340b圍繞第一圍牆340a。此外，有機發光二極體顯示面板300A還包括覆蓋第一圍牆340a、第二圍牆340b與控制基板310的模封層350，其中模封層350具有外邊緣350e，而外邊緣350e也沿著邊緣310e而圍繞成圓形，如圖3A所示。

圖3B是圖3A中沿線3B-3B剖面而繪示的剖面示意圖。請參閱圖3A與圖3B，與圖1B所示的實施例相似，控制基板310包括元件陣列基板311與絕緣層312。元件陣列基板311的內部結構與前述元件陣列基板111的內部結構實質上相同，即元件陣列基板311也可具有多個開關元件（未繪示）與多個導電層（未繪示），其中元件陣列基板311與111兩者的開關元件與導電層皆可相同。

元件陣列基板311與111之間的主要差異在於形狀不同，其中元件陣列基板111的形狀為矩形，而元件陣列基板311的形狀為圓形。同樣地，絕緣層312的構成材料可以相同於前述絕緣層112的構成材料，但絕緣層312與112兩者形狀也不相同。絕緣層112的形狀為矩形，而絕緣層312的形狀為圓形。

控制基板310還具有開口310h，其延伸至控制基板310的相對兩表面。例如，開口310h是從控制基板310的上表面延伸至控制基板310的下表面，如圖3B所示。換句話說，開口310h為貫穿控制基板310而形成的貫孔。另外，開口310h的形狀可為圓形，如圖3A所示。

控制基板310還具有顯示區A30、第一非顯示區N31與第二非顯示區N32，其中第一非顯示區N31與第二非顯示區N32皆位於顯示區A30外，未與顯示區A30重疊。第一非顯示區N31圍繞顯示區A30與第二非顯示區N32，而第二非顯示區N32圍繞開口310h，並沿著開口310h的邊緣310w而延伸。

由於開口310h的形狀為圓形，且控制基板310邊緣310e（外邊緣）圍繞成圓形，因此顯示區A30形狀實質上可以是甜甜圈形，如圖3A所示。開口310h的邊緣310w為控制基板310的內邊緣，因此第二非顯示區N32鄰近控制基板310的內邊緣（邊緣310w），而第一非顯示區N31鄰近控制基板310的外邊緣（邊緣310e）。

與前述實施例相似，有機發光二極體顯示面板300A也包括平坦層320b、畫素定義層330與多個有機發光二極體160，其中畫素定義層330相似於前述實施例中的畫素定義層130，而畫素定義層130與330之間主要差異在於形狀。具體而言，由於顯示區A30形狀實質上為甜甜圈形，所以畫素定義層330的形狀實質上也是甜甜圈形，以配合顯示區A30的形狀。

平坦層320b相似於圖1C中的平坦層120c。例如，平坦層320b也分布於顯示區A30與第一非顯示區N31，並且也具有圍繞顯示區A30的外圍凹槽321b。不過，與平坦層120c不同的是，平坦層320b更分布於第二非顯示區N32，而且還具有圍繞開口310h的內圍凹槽322b，其中內圍凹槽322b位於第二非顯示區N32內，並沿著開口310h的邊緣310w而延伸。

須說明的是，在圖3B所示的實施例中，平坦層320b具有外圍凹槽321b與內圍凹槽322b，但在其他實施例中，平坦層320b也可以具有外圍凹槽321b與內圍凹槽322b其中一個。例如，平坦層320b可具有外圍凹槽321b，但不具有內圍凹槽322b，以使平坦層320b從顯示區A30延伸至第二非顯示區N32。或者，平坦層320b可具有內圍凹槽322b，但不具有外圍凹槽321b，以使平坦層320b從顯示區A30延伸至第一非顯示區N31。因此，圖3B所示的內圍凹槽322b與外圍凹槽321b僅供舉例說明，並非限制平坦層320b的結構特徵。

不同於前述實施例的有機發光二極體顯示面板100、100C、100D與200，有機發光二極體顯示面板300A不僅包括第一圍牆340a與第二圍牆340b，而且還包括第三圍牆340c與第四圍牆340d。第三圍牆340c與第四圍牆340d皆設置於第二非顯示區N32內的平坦層320b上，其中第三圍牆340c與第四圍牆340d皆圍繞開口310h，而第三圍牆340c圍繞第四圍牆340d。此外，內圍凹槽322b圍繞第三圍牆340c與第四圍牆340d。

第三圍牆340c與第四圍牆340d會沿著開口310h的邊緣310w而圍繞成圓形，而圍繞成圓形的第一圍牆340a與第二圍牆340b也圍繞第三圍牆340c與第四圍牆340d，以使第一圍牆340a、第二圍牆340b、第三圍牆340c以及第四圍牆340d可以呈同心圓排列，如圖3A所示。相鄰的第一圍牆340a與第二圍牆340b之間會形成第一溝槽T31，而相鄰的第三圍牆340c與第四圍牆340d之間會形成第二溝槽T32，其中第一溝槽T31與第二溝槽T32皆形成於平坦層320b的上方。此外，第一溝槽T31圍繞第一圍牆340a與顯示區A30，而第二溝槽T32圍繞第四圍牆340d與開口310h。

第一溝槽T31的寬度W31可以等於第一溝槽T11的寬度W11（請參考圖1B），所以寬度W31可以介於3微米至100微米之間，但不受此範圍的限制。第二溝槽T32的寬度W32可以相同於第一溝槽T31的寬度W31，所以寬度W32也可介於3微米至100微米之間，但不受此範圍的限制。

第一圍牆340a具有鄰近顯示區A30的第一壁面S31b，而第二圍牆340b具有遠離顯示區A30的第二壁面S32b。第一壁面S31b與第二壁面S32b皆位在第一溝槽T31外，其中第一溝槽T31圍繞第一壁面S31b，而第二壁面S32b圍繞第一溝槽T31與第一壁面S31b。此外，第一壁面S31b與第二壁面S32b之間的距離341w可以相等於圖1B中的距離140w，所以距離341w可以介於3微米至1000微米之間。

相似地，第三圍牆340c具有鄰近顯示區A30的第三壁面S33b，而第四圍牆340d具有遠離顯示區A30的第四壁面S34b。第三壁面S33b與第四壁面S34b皆位在第二溝槽T32外，其中第二溝槽T32圍繞第四壁面S34b，而第三壁面S33b圍繞第二溝槽T32與第四壁面S34b。第三壁面S33b與第四壁面S34b之間的距離342w可以相等於距離341w，所以距離342w可以介於3微米至1000微米之間。

由於距離341w與342w每一者可以介於3微米至1000微米之間，因此第一圍牆340a、第一溝槽T31與第二圍牆340b三者在第一非顯示區N31內佔據較小的面積，而第三圍牆340c、第二溝槽T32與第四圍牆340d三者在第二非顯示區N32內也佔據較小的面積。如此，有機發光二極體顯示面板300A有利於製作成窄邊框型顯示器，以滿足現今窄邊框化的發展趨勢。

第一圍牆340a、第二圍牆340b、第三圍牆340c以及第四圍牆340d四者的剖面結構可以實質上彼此相同，並且與圖1B所示的第一圍牆140a與第二圍牆140b兩者的剖面結構相似。以圖3B為例，第一圍牆340a包括第一壁體341a與第一頂部342a，第二圍牆340b包括第二壁體341b與第二頂部342b，第三圍牆340c包括第三壁體341c與第三頂部342c，而第四圍牆340d包括第四壁體341d與第四頂部342d。

第一壁體341a、第二壁體341b、第三壁體341c以及第四壁體341d皆設置於平坦層320b上。第一頂部342a設置於第一壁體341a上方，並沿著第一壁體341a延伸。第二頂部342b設置於第二壁體341b上方，並沿著第二壁體341b延伸。第三頂部342c設置於第三壁體341c上方，並沿著第三壁體341c延伸。第四頂部342d設置於第四壁體341d上方，並沿著第四壁體341d延伸。

第一壁體341a、第二壁體341b、第三壁體341c以及第四壁體341d四者的構成材料與形成方法可以彼此相同。例如，第一壁體341a、第二壁體341b、第三壁體341c、第四壁體341d以及畫素定義層330可以由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成。同理，第一頂部342a、第二頂部342b、第三頂部342c與第四頂部342d也可由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成，所以第一頂部342a、第二頂部342b、第三頂部342c與第四頂部342d四者的構成材料與形成方法可以彼此相同。

圖3B中的模封層350與圖1B中的模封層150相似，而模封層350也包括有機密封層351與無機密封層352，其中有機密封層351的構成材料與形成方法皆相同於有機密封層151的構成材料與形成方法，而無機密封層352的構成材料與形成方法皆相同於無機密封層152的構成材料與形成方法，故在此不再重複贅述。

有機密封層351設置於平坦層320b上，並分布於顯示區A30，其中有機密封層351填滿外圍凹槽321b與內圍凹槽322b。無機密封層352設置於控制基板310上，並且覆蓋有機密封層351、第一圍牆340a、第二圍牆340b、第三圍牆340c與第四圍牆340d，其中無機密封層352更可以填滿第一溝槽T31與第二溝槽T32。

有機發光二極體顯示面板300A可以應用於穿戴裝置或設備的儀表板。例如，有機發光二極體顯示面板300A可應用於手錶，其中開口310h可位於有機發光二極體顯示面板300A的中央，而用於轉動指針的轉軸可設置在開口310h內。或者，有機發光二極體顯示面板300A可應用於車輛的儀表板，其中開口310h可位於有機發光二極體顯示面板300A的中央或中央偏下的位置，而用於轉動儀表板指針的轉軸可設置在開口310h內。

特別一提的是，雖然圖3A僅繪示一個開口310h、一個第三圍牆340c以及一個第四圍牆340d，但在其他實施例中，控制基板310可以具有至少兩個開口310h與至少兩個第二非顯示區N32，而各個開口310h周圍設置兩道圍牆：第三圍牆340c與第四圍牆340d。因此，控制基板310可以具有多個開口310h，而有機發光二極體顯示面板300A可包括多個第三圍牆340c以及多個第四圍牆340d，以分別圍繞這些開口310h。

其次，雖然圖3A所示的開口310h的形狀為圓形，但在其他實施例中，開口310h可以是圓形以外的其他形狀，例如矩形、三角形、五邊形、六邊形、星形或心形，因此圖3A所示的開口310h的形狀僅供舉例說明，並非限制只能是圓形。

圖3C是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖3C，本實施例的有機發光二極體顯示面板300B與前述實施例的有機發光二極體顯示面板300A相似，其中有機發光二極體顯示面板300B與300A兩者的俯視外觀實質上可以彼此相同，如圖3A所示。因此，這裡省略繪製有機發光二極體顯示面板300B的俯視示意圖，而有機發光二極體顯示面板300B與300A兩者相同特徵原則上不再重複贅述。

有別於前述有機發光二極體顯示面板300A，有機發光二極體顯示面板300B所包括的平坦層320c不同於平坦層320b。具體而言，平坦層320c不僅從顯示區A30沿著控制基板310的上表面310u而延伸至第一非顯示區N31，而且還從顯示區A30沿著上表面310u而延伸至第二非顯示區N32。因此，平坦層320c並不具有外圍凹槽321b與內圍凹槽322b。

其次，有機發光二極體顯示面板300B還包括兩個墊層370a與370b、第一圍牆349a、第二圍牆349b、第三圍牆349c與第四圍牆349d。墊層370a與370b皆位於平坦層320c上，其中墊層370a設置於第一非顯示區N31內，而墊層370b設置於第二非顯示區N32內。第一圍牆349a以及第二圍牆349b皆設置於墊層370a上，而位於第一圍牆349a與第二圍牆349b之間的第一溝槽T41形成於墊層370a的上方。第三圍牆349c以及第四圍牆349d設置於墊層370b上，而位於第三圍牆349c與第四圍牆349d之間的第二溝槽T42形成於墊層370b的上方。

墊層370a、370b與畫素定義層330可以由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成，所以墊層370a、370b與畫素定義層330三者厚度實質上彼此相同。第一圍牆349a、第二圍牆349b、第三圍牆349c與第四圍牆349d的構成材料與形成方法皆可相同於圖3B中的第一頂部342a、第二頂部342b、第三頂部342c與第四頂部342d的構成材料與形成方法，因此第一圍牆349a、第二圍牆349b、第三圍牆349c與第四圍牆349d可以由同一層光阻經曝光與顯影之後而形成。

第一圍牆349a具有鄰近顯示區A30的第一壁面S31c，而第二圍牆349b具有遠離顯示區A30的第二壁面S32c。第一壁面S31c與第二壁面S32c皆位在第一溝槽T41外，其中第一溝槽T41圍繞第一壁面S31c，而第二壁面S32c圍繞第一溝槽T41與第一壁面S31c。此外，第一壁面S31c與第二壁面S32c之間的距離343w可以相等於圖3B中的距離341w，所以距離343w可以介於3微米至1000微米之間。

相似地，第三圍牆349c具有鄰近顯示區A30的第三壁面S33c，而第四圍牆349d具有遠離顯示區A30的第四壁面S34c。第三壁面S33c與第四壁面S34c皆位在第二溝槽T42外，其中第二溝槽T42圍繞第四壁面S34c，而第三壁面S33c圍繞第二溝槽T42與第四壁面S34c。第三壁面S33c與第四壁面S34c之間的距離344w可相等於距離343w，所以距離344w可介於3微米至1000微米之間。如此，有機發光二極體顯示面板300B有利於製作成窄邊框型顯示器，以滿足現今窄邊框化的發展趨勢。

特別一提的是，在圖3C所示的實施例中，有機發光二極體顯示面板300B的平坦層320c可替換成圖3B中的平坦層320b，所以圖3C中的平坦層320c可具有外圍凹槽321b與內圍凹槽322b。此外，圖3C中的平坦層320c可具有外圍凹槽321b與內圍凹槽322b其中一者。也就是說，平坦層320c可具有外圍凹槽321b，但不具有內圍凹槽322b。或是，平坦層320c可具有內圍凹槽322b，但不具有外圍凹槽321b。

另外，圖3C中的第一圍牆349a、第二圍牆349b、第三圍牆349c、第四圍牆349d、墊層370a與370b可替換成圖3B中的第一圍牆340a、第二圍牆340b、第三圍牆340c與第四圍牆340d。所以，圖3B中的第一圍牆340a、第二圍牆340b、第三圍牆340c與第四圍牆340d也可設置在圖3C中的平坦層320c上。

綜上所述，上述多道圍牆（例如第一圍牆與第二圍牆）以及模封層能阻礙及阻擋外界氧氣與水氣滲入，以保護顯示區內的多個有機發光二極體免於遭受氧氣及/或水氣破壞，進而提升有機發光二極體顯示面板的使用壽命。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100C、100D、200、300A、300B:有機發光二極體顯示面板 110、210、310:控制基板 110e、210e、250e、310e、350e、310w:邊緣 110u、310u:上表面 111、311:元件陣列基板 112、312:絕緣層 120b、120c、320b、320c:平坦層 121c、321b:外圍凹槽 130、330:畫素定義層 130h:畫素開口 140a、149a、240a、340a、349a:第一圍牆 140b、149b、240b、340b、349b:第二圍牆 140w、149w、341w、342w、343w、344w:距離 141a、341a:第一壁體 141b、341b:第二壁體 142a、342a:第一頂部 142b、342b:第二頂部 150、250、350:模封層 151、351:有機密封層 152、352:無機密封層 160:有機發光二極體 170、370a、370b:墊層 310h:開口 322b:內圍凹槽 340c、349c:第三圍牆 340d、349d:第四圍牆 341c:第三壁體 341d:第四壁體 342c:第三頂部 342d:第四頂部 A10、A20、A30:顯示區 H13、H14:高度 N11、N31:第一非顯示區 N32:第二非顯示區 S11b、S11d、S31b、S31c:第一壁面 S12b、S12d、S32b、S32c:第二壁面 S33b、S33c:第三壁面 S34b、S34c:第四壁面 T11、T12、T31、T41:第一溝槽 T32、T42:第二溝槽 W11、W12、W31、W32:寬度

圖1A是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖。 圖1B是圖1A中沿線1B-1B剖面而繪示的剖面示意圖。 圖1C是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。 圖1D是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。 圖2是本發明另一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖。 圖3A是本發明另一實施例的有機發光二極體顯示面板的俯視示意圖。 圖3B是圖3A中沿線3B-3B剖面而繪示的剖面示意圖。 圖3C是本發明至少一實施例的有機發光二極體顯示面板的剖面示意圖。

100:有機發光二極體顯示面板

110:控制基板

110e:邊緣

110u:上表面

111:元件陣列基板

112:絕緣層

120b:平坦層

130:畫素定義層

130h:畫素開口

140a:第一圍牆

140b:第二圍牆

140w:距離

141a:第一壁體

141b:第二壁體

142a:第一頂部

142b:第二頂部

150:模封層

151:有機密封層

152:無機密封層

160:有機發光二極體

A10:顯示區

H13、H14:高度

N11:第一非顯示區

S11b:第一壁面

S12b:第二壁面

T11:第一溝槽

W11:寬度

Claims (14)

1. 一種有機發光二極體顯示面板，包括：一控制基板，具有一顯示區、位於該顯示區外的一第一非顯示區、一開口以及一第二非顯示區，其中該第一非顯示區沿著該控制基板的邊緣而分布，並圍繞該顯示區，而該第二非顯示區位於該顯示區外，並沿著該開口的邊緣而延伸；一平坦層，設置於該控制基板上，並分布於該顯示區、該第一非顯示區與該第二非顯示區；一畫素定義層，設置於該平坦層上；一第一圍牆，設置於該第一非顯示區內的該平坦層上，並圍繞該顯示區；一第二圍牆，設置於該第一非顯示區內的該平坦層上，並圍繞該第一圍牆，其中該第一圍牆與該第二圍牆之間形成一第一溝槽，該第一溝槽形成於該平坦層的上方，並圍繞該顯示區，該第一圍牆與該第二圍牆兩者相對於該平坦層的高度皆高於該顯示區內的該畫素定義層相對於該平坦層的高度；一模封層，設置於該控制基板上，並全面性地覆蓋該平坦層、該畫素定義層、該第一圍牆與該第二圍牆。一第三圍牆，設置於該第二非顯示區內的該平坦層上；以及一第四圍牆，設置於該第二非顯示區內的該平坦層上，其中該第三圍牆與該第四圍牆皆圍繞該開口，而該第三圍 牆圍繞該第四圍牆，相鄰的該第三圍牆與該第四圍牆之間形成一第二溝槽，該第二溝槽形成於該平坦層的上方，並圍繞該開口。
2. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第一溝槽的寬度介於3微米至100微米之間。
3. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該平坦層具有一外圍凹槽，該外圍凹槽位於該第一非顯示區內，而該第一圍牆圍繞該外圍凹槽。
4. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該平坦層從該顯示區沿著該控制基板的上表面而延伸至該第一非顯示區。
5. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第一圍牆包括：一第一壁體，設置於該平坦層上；以及一第一頂部，設置於該第一壁體上方，並沿著該第一壁體延伸；該第二圍牆包括：一第二壁體，設置於該平坦層上；以及一第二頂部，設置於該第二壁體上方，並沿著該第二壁體延伸。
6. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，還包括：一墊層，設置於該第一非顯示區內，並位於該平坦層上，其中該第一圍牆與該第二圍牆設置於該墊層上，而該第一溝槽形成於該墊層的上方。
7. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第二溝槽的寬度介於3微米至100微米之間。
8. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該平坦層具有一內圍凹槽，該內圍凹槽位於該第二非顯示區內，並沿著該開口的邊緣而延伸，且該內圍凹槽圍繞該第三圍牆。
9. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該平坦層從該顯示區沿著該控制基板的上表面而延伸至該第二非顯示區。
10. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第一圍牆包括：一第一壁體，設置於該平坦層上；一第一頂部，設置於該第一壁體上方，並沿著該第一壁體延伸； 該第二圍牆包括：一第二壁體，設置於該平坦層上；一第二頂部，設置於該第二壁體上方，並沿著該第二壁體延伸；該第三圍牆包括：一第三壁體，設置於該平坦層上；一第三頂部，設置於該第三壁體上方，並沿著該第三壁體延伸；該第四圍牆包括：一第四壁體，設置於該平坦層上；以及一第四頂部，設置於該第四壁體上方，並沿著該第四壁體延伸。
11. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，還包括：一墊層，設置於該第二非顯示區內，並位於該平坦層上，其中該第三圍牆與該第四圍牆設置於該墊層上，而該第二溝槽形成於該墊層的上方。
12. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第一圍牆具有一鄰近該顯示區的一第一壁面，而該第二圍牆具有一遠離該顯示區的一第二壁面，該第一壁面與該第二壁面皆位在該第一溝槽外，其中該第一溝槽圍繞該第一壁面，而該第二壁面圍繞該第一溝槽與該第一 壁面，該第一壁面與該第二壁面之間的距離介於3微米至1000微米之間；該第三圍牆具有一鄰近該顯示區的一第三壁面，而該第四圍牆具有一遠離該顯示區的一第四壁面，該第三壁面與該第四壁面皆位在該第二溝槽外，其中該第二溝槽圍繞該第四壁面，而該第三壁面圍繞該第二溝槽與該第四壁面，該第三壁面與該第四壁面之間的距離介於3微米至1000微米之間。
13. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該第一圍牆具有一鄰近該顯示區的一第一壁面，而該第二圍牆具有一遠離該顯示區的一第二壁面，該第一壁面與該第二壁面皆位在該第一溝槽外，其中該第一溝槽圍繞該第一壁面，而該第二壁面圍繞該第一溝槽與該第一壁面，該第一壁面與該第二壁面之間的距離介於3微米至1000微米之間。
14. 如請求項1所述的有機發光二極體顯示面板，其中該控制基板的邊緣圍繞成圓形、矩形或三角形。

Images