TWI856214B - 樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件 - Google Patents
樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI856214B TWI856214B TW109141865A TW109141865A TWI856214B TW I856214 B TWI856214 B TW I856214B TW 109141865 A TW109141865 A TW 109141865A TW 109141865 A TW109141865 A TW 109141865A TW I856214 B TWI856214 B TW I856214B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- resin composition
- formula
- cured product
- divalent
- Prior art date
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 20
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 6
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- -1 phenol compound Chemical class 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 150000003536 tetrazoles Chemical group 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 4
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKZSDWROKQKKPM-UHFFFAOYSA-N 1-n',12-n'-bis(2-hydroxybenzoyl)dodecanedihydrazide Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)NNC(=O)CCCCCCCCCCC(=O)NNC(=O)C1=CC=CC=C1O KKZSDWROKQKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOUQAVYLRNOXDO-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(C(C)(C)C)C(O)=C1 XOUQAVYLRNOXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIIKMZAVLKMOFM-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound CC1=NN=C(C)N1N MIIKMZAVLKMOFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound CC1=NNC(N)=N1 FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound NN1C=NN=C1 FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- OMAFFHIGWTVZOH-UHFFFAOYSA-N 1-methyltetrazole Chemical compound CN1C=NN=N1 OMAFFHIGWTVZOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCOC(=O)C(C)=C SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVSTYPOYHNVKHY-UHFFFAOYSA-N 2-methoxybutanoic acid Chemical compound CCC(OC)C(O)=O GVSTYPOYHNVKHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 IKEHOXWJQXIQAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSFHICWNEBCMNN-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazol-5-amine Chemical compound NC1=CC=C2NN=NC2=C1 XSFHICWNEBCMNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVKWKEWFTVEVCF-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 WVKWKEWFTVEVCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQHNFZBYCQMAOD-UHFFFAOYSA-N 3,5-dipropyl-1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound CCCC1=NN=C(CCC)N1N QQHNFZBYCQMAOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCUPXNDEQDWEMM-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCCOC(=O)C(C)=C PCUPXNDEQDWEMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUYDVDHTTIQNMB-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)propyl prop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCCOC(=O)C=C XUYDVDHTTIQNMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWJCRUKUIQRCGP-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCCOC(=O)C(C)=C WWJCRUKUIQRCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBKNKJFPVHUXCW-UHFFFAOYSA-N 4-amino-3-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CC1=NNC(=S)N1N KBKNKJFPVHUXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVPKIPGHRNIOPT-UHFFFAOYSA-N 5,6-dimethyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C(C)=CC2=NNN=C21 MVPKIPGHRNIOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GONFBOIJNUKKST-UHFFFAOYSA-N 5-ethylsulfanyl-2h-tetrazole Chemical compound CCSC=1N=NNN=1 GONFBOIJNUKKST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBXNFTFKKOSPLD-UHFFFAOYSA-N 5-methylsulfanyl-2h-tetrazole Chemical compound CSC1=NN=NN1 ZBXNFTFKKOSPLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGZLYKUHYXFIIO-UHFFFAOYSA-N 5-nitro-2h-tetrazole Chemical compound [O-][N+](=O)C=1N=NNN=1 ZGZLYKUHYXFIIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDLFQCVYROBFIW-UHFFFAOYSA-N 5-propan-2-yl-1h-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound CC(C)C1=NC(N)=NN1 MDLFQCVYROBFIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Ta] Chemical compound [Li].[Ta] AWJDQCINSGRBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004978 cyclooctylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004979 cyclopentylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003493 decenyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical group F[C]F LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000005066 dodecenyl group Chemical group C(=CCCCCCCCCCC)* 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N guanazole Chemical compound NC1=NNC(N)=N1 PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/13—Phenols; Phenolates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/20—Carboxylic acid amides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
- C09D179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09D179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
一種樹脂組成物，含有：（A）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物；以及（C）選自由抗氧化劑和具有下述式（21）所表示的結構的化合物所組成的群組中的一種以上。
Description
本發明是有關於一種樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件。
聚醯亞胺樹脂由於其耐熱性而主要用作半導體元件的絕緣體，且現在已成為電腦、智慧型手機、汽車、電視等的電子設備中不可缺少的化學材料。
近年來，期待聚醯亞胺樹脂應用於電源模組（power module）。
電源模組被應用於民用設備用途的直流-直流（direct current-direct current，DC-DC）轉換器、車載用途或空調用途等的逆變器、電車或新幹線等交通工具及其輸配電等多種產品，其應用範圍與市場規模在增加。
於專利文獻1中記載了一種包含聚醯亞胺前驅物或聚苯並噁唑前驅物、感光劑和酚化合物的樹脂組成物。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-230098號公報
本發明的目的在於提供一種能夠形成抑制了硬化後及加壓蒸煮器（pressure cooker）試驗後外觀的變色的硬化物的樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件。
於電源模組中，為了達成小型化、低熱阻和高可靠性，正在研究利用銅接腳（pin）來連接半導體晶片與直接銅接合（Direct Copper Bonding，DBC）基板並利用環氧樹脂等進行密封的結構。
於該結構中，利用DCB基板上所形成的銅配線、包含硬化物的半導體晶片和銅接腳形成了配線路徑。因此，本發明者等人發現，於其周邊材料中，於暴露於電源模組的高電壓、高溫條件時，會發生銅上的硬化物的變色和銅的變色中的至少一者。
本發明者等人進行了努力研究，結果發明出了一種藉由特定的成分的組合來抑制銅上的硬化物或銅的變色的樹脂組成物。
根據本發明，提供以下的樹脂組成物等。
1.一種樹脂組成物，含有：
（A）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物；以及
（C）選自由抗氧化劑和具有下述式（21）所表示的結構的化合物所組成的群組中的一種以上。
[化1]
（式（1）中，X1
為具有一個以上的芳香族基的四價基，-COOR1
基與-CONH-基相互處於鄰位，-COOR2
基與-CO-基相互處於鄰位。Y1
為二價有機基。R1
和R2
分別獨立地為氫原子或碳數1～4的脂肪族烴基。）
[化2]
2.如1所述的樹脂組成物，其中，R1
和R2
為氫原子。
3.如1或2所述的樹脂組成物，其中，所述抗氧化劑為具有下述式（11）所表示的結構的化合物。
[化3]
（式（11）中，R11
為氫原子、碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。）
4.如1至3中任一項所述的樹脂組成物，其中，所述抗氧化劑為下述式（12）所表示的化合物。
[化4]
（式（12）中，R11
為氫原子、碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。R12
為碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。於存在兩個以上的R12
的情況下，兩個以上的R12
可相同，亦可不同。n為0～3的整數。）
5.如3或4所述的樹脂組成物，其中，R11
為氫原子。
6.如3所述的樹脂組成物，其中，所述具有式（11）所表示的結構的化合物是具有兩個以上的式（11）所表示的結構的化合物。
7.如1至6中任一項所述的樹脂組成物，更包含溶劑。
8.一種硬化物的製造方法，包括：將如1至7中任一項所述的樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成樹脂膜的步驟；以及
對所述樹脂膜進行加熱處理的步驟。
9.一種硬化物，將如1至7中任一項所述的樹脂組成物硬化而成。
10.一種覆蓋塗層或表面保護膜，使用如9所述的硬化物製作而成。
11.一種電子零件，包括如10所述的覆蓋塗層或表面保護膜。
12.如11所述的電子零件，其為電源模組。
根據本發明，可提供一種能夠形成抑制了硬化後及加壓蒸煮器試驗後外觀的變色的硬化物的樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件。
以下，對本發明的樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件的實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不受以下的實施形態限定。
於本說明書中，所謂「A或B」，只要包含A與B的任一者即可，亦可包含兩者。另外，於本說明書中，「步驟」這一用語不僅包含獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區別的情況下，只要達成該步驟的所期望的作用，則亦包含於本用語中。
使用「～」所表示的數值範圍是表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值和最大值的範圍。另外，於本說明書中，關於組成物中的各成分的含量，於在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，只要無特別說明，則是指存在於組成物中的該多種物質的合計量。進而，關於例示材料，只要無特別說明，則可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
本發明的樹脂組成物含有：
（A）具有下述式（1）所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物（以下，亦稱為「（A）成分」。）；以及
（C）選自由抗氧化劑和具有下述式（21）所表示的結構的化合物所組成的群組中的一種以上（以下，亦稱為「（C）成分」。）。
[化5]
（式（1）中，X1
為具有一個以上的芳香族基的四價基，-COOR1
基與-CONH-基相互處於鄰位，-COOR2
基與-CO-基相互處於鄰位。Y1
為二價有機基。R1
和R2
分別獨立地為氫原子或碳數1～4的脂肪族烴基。）
[化6]
藉此，能夠形成抑制了硬化後及加壓蒸煮器試驗後外觀的變色的硬化物。
作為任意的效果，能夠形成黏接性（例如與Cu的黏接性）優異的硬化物。
於式（1）的X1
的具有一個以上（較佳為一個～三個，更佳為一個或兩個）的芳香族基的四價基中，芳香族基可為芳香族烴基，亦可為芳香族雜環式基。較佳為芳香族烴基。
作為式（1）的X1
的芳香族烴基，可列舉：由苯環形成的二價～四價（二價、三價或四價）的基、由萘形成的二價～四價的基、由苝形成的二價～四價的基等。
作為式（1）的X1
的具有一個以上的芳香族基的四價基，例如可列舉以下的式（6）的四價基，但並不限定於該些。
[化7]
（式（6）中，X和Y分別獨立地表示不與各自所鍵結的苯環共軛的二價基或單鍵。Z為羰基（-C(=O)-）、醚基（-O-）或硫醚基（-S-）（較佳為-C(=O)-）。）
於式（6）中，X和Y的不與各自所鍵結的苯環共軛的二價基較佳為-O-、-S-、亞甲基、雙(三氟甲基)亞甲基、或二氟亞甲基，更佳為-O-。
作為式（1）的Y1
的二價有機基，可列舉具有二矽氧烷結構的二價基、二價脂肪族烴基和二價芳香族基等。
較佳為具有二矽氧烷結構的二價基更包含（較佳為兩個以上的、更佳為兩個）二價脂肪族烴基。
具有二矽氧烷結構的二價基可具有取代基。作為具有二矽氧烷結構的二價基的取代基，可列舉甲基、乙基等。
式（1）的Y1
的二價芳香族基可為二價芳香族烴基，亦可為二價芳香族雜環式基。較佳為二價芳香族烴基。
另外，式（1）的Y1
的二價有機基亦可為兩個二價芳香族烴基利用
單鍵；
氧原子、硫原子、氮原子和矽原子等雜原子；
二價脂肪族烴基；或
酮基、酯基和醯胺基等有機基鍵結而成的二價基。
關於式（1）的Y1
的二價有機基，二價脂肪族烴基和二價芳香族烴基可具有取代基。作為二價脂肪族烴基和二價芳香族烴基的取代基，可列舉：甲基、乙基、醯胺基（例如，-C(=O)-NH2
）等。
關於式（1）的Y1
的二價有機基，二價脂肪族烴基（較佳為碳數1～30，更佳為1～5或5～18）例如可列舉：伸烷基（例如，亞甲基、伸乙基、伸丙基、癸烯基、十二烯基）、伸環戊基、伸環己基、伸環辛基和二價雙環環等。
另外，關於式（1）的Y1
的二價有機基，作為所述二價芳香族烴基（較佳為碳數6～30），例如可列舉伸苯基（例如，間伸苯基、對伸苯基）、伸萘基等。
式（1）的R1
和R2
較佳為氫原子。
作為式（1）的R1
和R2
的碳數1～4（較佳為1或2）的脂肪族烴基，可列舉：甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基等。
關於（A）成分的分子量，以聚苯乙烯換算的重量平均分子量較佳為10,000～200,000，更佳為15,000～150,000，進而較佳為17,000～120,000。
於所述範圍的情況下，可使樹脂組成物的黏度適當。
重量平均分子量藉由利用凝膠滲透層析法進行測定，並使用標準聚苯乙烯校準曲線進行換算來求出。
另外，重量平均分子量除以數量平均分子量而得的分散度較佳為1.0～4.0，更佳為1.0～3.5。
本發明的樹脂組成物含有（C）成分。藉此，可抑制銅的氧化。
就抑制銅的氧化的觀點而言，抗氧化劑較佳為具有下述式（11）所表示的結構的化合物。
[化8]
（式（11）中，R11
為氫原子、碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。）
就對銅的黏接性的觀點而言，抗氧化劑較佳為下述式（12）所表示的化合物。
[化9]
（式（12）中，R11
為氫原子、碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。R12
為碳數1～10的脂肪族烴基或碳數6～30的芳香族烴基。於存在兩個以上的R12
的情況下，兩個以上的R12
可相同，亦可不同。n為0～3（較佳為1或2）的整數。）
就提高對銅的黏接性的觀點而言，R11
較佳為氫原子。
關於式（11）和式（12）的R11
，另外，關於式（12）的R12
，作為碳數1～10（較佳為1或2，另外較佳為3或4）的脂肪族烴基，可列舉：甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、第三丁基等。
關於式（11）和式（12）的R11
，另外，關於式（12）的R12
，作為碳數6～30（較佳為6～10）的芳香族烴基，可列舉苯基、萘基等。
就抑制銅的氧化的觀點而言，具有式（11）所表示的結構的化合物較佳為具有兩個以上（較佳為兩個～四個，更佳為兩個）的式（11）所表示的結構的化合物。
具有式（21）所表示的結構的化合物較佳為具有兩個以上（較佳為兩個～四個，更佳為兩個）的式（21）所表示的結構的化合物。
具有式（21）所表示的結構的化合物較佳為更具有下述式（22）所表示的結構。
[化10]
（式（22）中，R21
為二價脂肪族烴基。）
作為式（22）的R21
的二價脂肪族烴基，可列舉與式（1）的Y1
的二價有機基的二價脂肪族烴基相同的基。
作為具有式（21）所表示的結構的化合物，可列舉十二烷二酸雙[N2-(2-羥基苯甲醯基)醯肼]等。
（C）成分可單獨使用一種，亦可組合兩種以上。
（C）成分的含量相對於（A）成分100質量份而較佳為0.01質量份～20質量份，更佳為0.1質量份～15質量份，進而較佳為0.3質量份～11質量份。
本發明的樹脂組成物亦可含有（B）選自由包含三唑結構的化合物和包含四唑結構的化合物所組成的群組中的一種以上（以下，亦稱為「（B）成分」。）。藉此，可進一步抑制銅的氧化。
就於低溫下與銅的表面反應而抑制氧化的觀點而言，（B）成分較佳為含有包含四唑結構（含有一個碳原子和四個氮原子的5員環的芳香族雜環結構）的化合物。
作為包含四唑結構的化合物，可列舉：5-胺基-1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、1H-四唑、5-(甲硫基)-1H-四唑、5-(乙硫基)-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-硝基-1H-四唑、1-甲基-1H-四唑、5,5'-雙-1H-四唑等。
就保存穩定性的（例如，於室溫下抑制（A）成分的反應）觀點而言，包含四唑結構的化合物較佳為選自由5-胺基-1H-四唑和5-甲基-1H-四唑所組成的群組中的一種以上。
（B）成分較佳為含有包含三唑結構（含有兩個碳原子和三個氮原子的5員環的芳香族雜環結構）的化合物和包含四唑結構的化合物。
作為包含三唑結構的化合物，可列舉：苯並三唑（例如，1,2,3-苯並三唑）、1,2,4-三唑、1,2,3-三唑、1,2,5-三唑、3-巰基-4-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二丙基-4H-1,2,4-三唑、3-胺基-5-異丙基-1,2,4-三唑、4-胺基-3-巰基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、3-胺基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-1,2,4-三唑、4-胺基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、3,5-二胺基-1H-1,2,4-三唑、5-甲基-1H-苯並三唑、5,6-二甲基苯並三唑、5-胺基-1H-苯並三唑、苯並三唑-4-磺酸等。
就於高溫下加熱時不易發生分解和揮發的觀點而言，包含三唑結構的化合物較佳為苯並三唑。
（B）成分可單獨使用一種，亦可組合兩種以上。
（B）成分的含量相對於（A）成分100質量份而較佳為0.01質量份～10質量份，更佳為0.1質量份～5質量份，進而較佳為0.3質量份～4質量份。
本發明的樹脂組成物可更含有溶劑。
作為溶劑，通常只要可充分溶解其他成分，則並無特別限制，可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸苄酯、乙酸正丁酯、丙酸乙氧基乙酯、3-甲基甲氧基丙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺、四亞甲基碸、環己酮、環戊酮、二乙基酮、二異丁基酮、甲基戊基酮等。
其中，就各成分的溶解性的觀點和塗佈性的觀點而言，較佳為N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺。
溶劑可為單獨一種，亦可組合兩種以上。
溶劑的含量並無特別限制，相對於（A）成分100質量份，通常為1質量份～1000質量份，較佳為50質量份～600質量份，更佳為100質量份～500質量份。
本發明的樹脂組成物亦可含有具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基的胺化合物作為交聯劑。
作為具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基的胺化合物，例如可列舉N,N-二乙基胺基丙基甲基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基甲基丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基丙基丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯等，但並不限於該些。
於對本發明的樹脂組成物賦予負型的感光性的情況下，通常較佳為更含有自由基聚合起始劑等光聚合起始劑。
藉此，可對樹脂組成物賦予負型的感光性。
光聚合起始劑相對於（A）成分100質量份而較佳為0.1質量份～20質量份，更佳為0.1質量份～15質量份，進而較佳為0.2質量份～10質量份。
另外，本發明的樹脂組成物亦可視需要而於不損害耐熱性與機械特性的範圍內含有密接助劑、酸產生劑等其他成分。
本發明的樹脂組成物除了溶劑以外，本質上由（A）成分和（C）成分、以及任意的（B）成分、交聯劑、光聚合起始劑、密接助劑和酸產生劑構成，且於不損害本發明的效果的範圍內，可包含其他不可避免的雜質。
除了溶劑以外，本發明的樹脂組成物的例如80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、98質量%以上或100質量%可由
（A）成分和（C）成分；或
（A）成分和（C）成分、以及任意的（B）成分、交聯劑、光聚合起始劑、密接助劑和酸產生劑構成。
本發明的硬化物可藉由所述樹脂組成物的硬化而獲得。
本發明的硬化物的膜厚較佳為5 μm～30 μm。
於本發明的硬化物的製造方法中，可包括：將所述樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成樹脂膜的步驟；以及對樹脂膜進行加熱處理的步驟。進而，亦可包括曝光（例如，無圖案方式）步驟。
藉此，可獲得本發明的硬化物。
作為基板，可列舉：
玻璃基板；
碳化矽基板、鉭酸鋰基板、鈮酸鋰基板、Si基板（矽晶圓）等半導體基板；
TiO2
基板、SiO2
基板等金屬氧化物絕緣體基板；
鍍Cu晶圓、氮化矽基板（例如，SiN層形成晶圓）、鋁基板、銅基板、銅合金基板等。
塗佈方法並無特別限制，可使用旋轉器等來進行。
乾燥可使用加熱板、烘箱等來進行。
乾燥溫度較佳為90℃～150℃，就塗佈膜的平坦性的觀點而言，更佳為90℃～120℃。乾燥時間較佳為30秒～5分鐘。
乾燥亦可進行兩次以上。藉此，可獲得將所述樹脂組成物形成為膜狀而得的樹脂膜。
樹脂膜的膜厚較佳為5 μm～100 μm，更佳為8 μm～50 μm，進而較佳為10 μm～30 μm。
於曝光步驟中，所照射的光化射線可列舉寬頻光（波長350 nm～450 nm）、i射線等紫外線、可見光線、放射線等，較佳為i射線。
作為曝光裝置，可使用平行曝光機、投影曝光機、步進機、掃描曝光機、接近式曝光機（proximity exposure）等。
藉由對樹脂膜進行加熱處理，可獲得硬化物。
（A）成分的聚醯亞胺前驅物可藉由加熱處理步驟而發生脫水閉環反應，從而成為相對應的聚醯亞胺。
加熱處理的溫度較佳為400℃以下，更佳為180℃～370℃。
藉由為所述範圍內，可將對於基板或器件的損傷抑制得小，且可良率良好地生產器件，並可達成製程的省能量化。
加熱處理的時間較佳為5小時以下，更佳為30分鐘～3小時。
藉由為所述範圍內，可充分進行交聯反應或脫水閉環反應。
加熱處理的環境可為大氣中，亦可為氮氣等惰性環境中，但就可防止樹脂膜氧化的觀點而言，較佳為氮氣環境下。
作為加熱處理中所使用的裝置，可列舉：石英管爐、加熱板、快速退火爐、垂直式擴散爐、紅外線硬化爐、電子束硬化爐、微波硬化爐等。
本發明的硬化物可用作鈍化膜、緩衝塗膜、覆蓋塗層或表面保護膜等。
使用選自由所述鈍化膜、緩衝塗膜、覆蓋塗層和表面保護膜等所組成的群組中的一種以上，可製造可靠性高的半導體裝置、多層配線板、各種電子器件、電源模組等電子零件等。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例來對本發明進行更具體說明。再者，本發明並不限定於下述實施例。
合成例1（A1的合成）
於氮氣環境下的200 ml燒瓶中，放入4,4'-氧二苯胺13.0 g、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷0.9 g、N-甲基-2-吡咯啶酮（NMP）140 g，於室溫下攪拌15分鐘以使單體溶解。然後，加入均苯四酸二酐（PMDA）7.8 g與3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐11.5 g，進一步攪拌60分鐘，獲得聚醯亞胺前驅物A1。
於以下條件下，使用凝膠滲透層析儀（Gel Permeation Chromatograph，GPC）法，並藉由標準聚苯乙烯換算而求出重量平均分子量。A1的重量平均分子量為106,000。
使用相對於0.5 mg的A1而溶劑[四氫呋喃（THF）/二甲基甲醯胺（DMF）=1/1（容積比）]為1 mL的溶液來進行測定。
測定裝置：檢測器 日立製作所股份有限公司製造的L4000UV
泵：日立製作所股份有限公司製造的L6000
島津製作所股份有限公司製造的C-R4A 層析儀組件（Chromatopac）
測定條件：管柱Gelpack GL-S300MDT-5×2根
洗脫液：THF/DMF=1/1（容積比）
LiBr（0.03 mol/L）、H3
PO4
（0.06 mol/L）
流速：1.0 mL/min，檢測器：UV 270 nm
合成例2（A2的合成）
於氮氣環境下的200 ml燒瓶中，放入4,4'-氧二苯胺4.0 g、間苯二胺2.2 g、NMP 164 g，於40℃下加熱攪拌15分鐘以使單體溶解。然後，加入3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐13.0 g，進一步攪拌30分鐘，獲得聚醯亞胺前驅物A2。
於與合成例1相同的條件下，使用GPC法求出重量平均分子量。A2的重量平均分子量為50,000。
實施例1～實施例8及比較例1～比較例2
（樹脂組成物的製備）
按照表1和表2所示的成分和調配量製備實施例1～實施例8和比較例1～比較例2的樹脂組成物。表1和表2的調配量是各成分相對於100質量份的A1的質量份。
所使用的各成分如下所述。
（A）成分
A1：合成例1中所獲得的A1
A2：合成例2中所獲得的A2
（C）成分
C1：4-甲基-2-第三丁基苯酚（本州化學工業股份有限公司製造）
C2：3-甲基-6-第三丁基苯酚（本州化學工業股份有限公司製造）
C3：3,5-二-第三丁基-4-羥基甲苯（富士膠片和光純藥股份有限公司製造）
C4：安塔基（ANTAGE）HP-300（川口化學工業股份有限公司製造，N,N'-雙-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙醯基六亞甲基二胺，下述式C4所表示的化合物）
[化11]
C5：CDA-6（艾迪科（ADEKA）股份有限公司製造，十二烷二酸雙[N2-(2-羥基苯甲醯基)醯肼]，下述式C5所表示的化合物）
[化12]
溶劑
NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮
（硬化物的製造）
使用塗佈裝置Act8（東京電子股份有限公司製造），以硬化後的膜厚成為10 μm的方式將所獲得的樹脂組成物旋塗於鍍Cu晶圓（形成有厚度0.5 μm的Cu鍍層的Si晶圓）上，於100℃下乾燥兩分鐘後，於110℃下乾燥兩分鐘而形成樹脂膜。
繼而，對於所獲得的樹脂膜，使用垂直式擴散爐μ-TF（光洋熱系統（Koyo Thermo Systems）股份有限公司製造）於氮氣環境下以250℃加熱2小時，獲得硬化物（硬化後膜厚為10 μm）。
（PCT）
對於所述硬化物的製造中所獲得的硬化物，使用加壓蒸煮器試驗（pressure cooker test，PCT）試驗裝置海泰斯特（HASTEST）（平山製作所股份有限公司製造，PC-R8D）以121℃、100%相對濕度（Relative Humidity，RH）、2 atm進行168小時處理。
自PCT試驗裝置取出硬化物，獲得PCT後的硬化物。
（外觀評價）
關於所述硬化物和PCT後的硬化物，藉由目視對外觀進行評價。將與硬化物的製造中進行旋塗、並以110℃乾燥2分鐘後的鍍Cu晶圓上的樹脂膜的顏色相比而未發生變化者評價為〇。將變為黃綠色者評價為△。將變為黑色者評價為×。
將結果示於表1和表2。表中，「-」表示未測定。
（Cu黏接性評價）
關於所述硬化物和PCT後的硬化物，分別依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 5600-5-6規格的網格（crosscut）法，並基於以下的基準評價該些硬化物對鍍Cu晶圓的黏接性。具體而言，對10×10的格子中黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數進行評價。將結果示於表1和表2。表中，「-」表示未測定。
「◎」：黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數為100
「〇」：黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數為80～99
「△」：黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數為50～79
「×」：黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數為20～49
「××」：黏接於鍍Cu晶圓的硬化物的格子數小於20
[表1]
| 實施例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 實施例6 | 比較例1 | ||
| （A）成分 | A1 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| A2 | - | - | - | - | - | - | - | |
| （C）成分 | C1 | 5 | - | - | - | - | - | - |
| C2 | - | 5 | - | - | - | - | - | |
| C3 | - | - | 10 | - | - | - | - | |
| C4 | - | - | - | 5 | 10 | - | - | |
| C5 | - | - | - | - | - | 0.25 | - | |
| 溶劑 | NMP | 430 | 430 | 430 | 430 | 430 | 430 | 430 |
| 外觀評價 | 硬化後 | 〇 | 〇 | 〇 | △ | 〇 | △ | × |
| PCT後 | 〇 | 〇 | 〇 | △ | 〇 | △ | × | |
| Cu黏接性評價 | 硬化後 | △ | 〇 | △ | 〇 | 〇 | △ | ×× |
| PCT後 | ◎ | ◎ | × | △ | 〇 | × | ×× |
[表2]
[產業上之可利用性]
| 實施例7 | 實施例8 | 比較例2 | ||
| （A）成分 | A1 | - | - | - |
| A2 | 100 | 100 | 100 | |
| （C）成分 | C1 | 5 | - | - |
| C2 | - | - | - | |
| C3 | - | - | - | |
| C4 | - | 10 | - | |
| C5 | - | - | - | |
| 溶劑 | NMP | 300 | 300 | 300 |
| 外觀評價 | 硬化後 | 〇 | 〇 | × |
| PCT後 | 〇 | 〇 | × | |
| Cu黏接性評價 | 硬化後 | △ | △ | 〇 |
| PCT後 | ◎ | ◎ | ×× |
本發明的樹脂組成物可用於覆蓋塗層或表面保護膜等，本發明的覆蓋塗層或表面保護膜可用於電子零件等。本發明的電子零件可用作電源模組等。
於上述中對本發明的若干實施形態及/或實施例進行了詳細說明，但本領域技術人員容易於實質上不偏離本發明的新穎教示及效果的情況下，對該些作為例示的實施形態及/或實施例加以多種變更。因而，該些多種變更包含於本發明的範圍內。
引用該說明書中記載的文獻及成為本申請案基於巴黎條約的優先權的基礎的申請的全部內容。
無
無
Claims (13)
- 一種樹脂組成物，含有：(A)具有下述式(1)所表示的結構單元的聚醯亞胺前驅物；以及(C)由下述式(12)所表示的化合物，
- 如請求項1所述的樹脂組成物，其中，R1和R2為氫原子。
- 如請求項1所述的樹脂組成物，其中，X1為具有下述式(6)的四價基：
- 如請求項1所述的樹脂組成物，其中R12為甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基或第三丁基。
- 如請求項1所述的樹脂組成物，其中，R12為甲基。
- 如請求項1所述的樹脂組成物，其中n為1或2。
- 如請求項1至請求項6中任一項所述的樹脂組成物，更包含溶劑。
- 一種硬化物的製造方法，包括：將如請求項1至請求項7中任一項所述的樹脂組成物塗佈於基板上並進行乾燥而形成樹脂膜的步驟；以及對所述樹脂膜進行加熱處理的步驟。
- 一種硬化物，將如請求項1至請求項7中任一項所述的樹脂組成物硬化而成。
- 一種覆蓋塗層，使用如請求項9所述的硬化物製作而成。
- 一種表面保護膜，使用如請求項9所述的硬化物製作而成。
- 一種電子零件，包括如請求項10所述的覆蓋塗層或如請求項11所述的表面保護膜。
- 如請求項12所述的電子零件，其為電源模組。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019216359A JP7380141B2 (ja) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 |
| JP2019-216359 | 2019-11-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202124534A TW202124534A (zh) | 2021-07-01 |
| TWI856214B true TWI856214B (zh) | 2024-09-21 |
Family
ID=76088711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109141865A TWI856214B (zh) | 2019-11-29 | 2020-11-27 | 樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7380141B2 (zh) |
| TW (1) | TWI856214B (zh) |
| WO (1) | WO2021106990A1 (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201809076A (zh) * | 2016-04-25 | 2018-03-16 | 東麗股份有限公司 | 樹脂組成物 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007310201A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Kaneka Corp | 感光性ドライフィルムレジスト及びこれを用いたプリント配線板 |
| EP2148374A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-27 | University College Cork-National University of Ireland, Cork | A tunnel nanowire transistor |
| JP5740977B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-07-01 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性ポリイミド前駆体及び感光性樹脂組成物 |
| WO2017209177A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、積層体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
| JP7363030B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2023-10-18 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、硬化膜、硬化膜のレリーフパターンの製造方法、電子部品、半導体装置、電子部品の製造方法、半導体装置の製造方法 |
| JP7079227B2 (ja) * | 2019-08-08 | 2022-06-01 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 溶剤可溶性ポリイミド樹脂の製造方法 |
-
2019
- 2019-11-29 JP JP2019216359A patent/JP7380141B2/ja active Active
-
2020
- 2020-11-26 WO PCT/JP2020/043973 patent/WO2021106990A1/ja not_active Ceased
- 2020-11-27 TW TW109141865A patent/TWI856214B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201809076A (zh) * | 2016-04-25 | 2018-03-16 | 東麗股份有限公司 | 樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021084993A (ja) | 2021-06-03 |
| TW202124534A (zh) | 2021-07-01 |
| JP7380141B2 (ja) | 2023-11-15 |
| WO2021106990A1 (ja) | 2021-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7604571B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法 | |
| JP6610643B2 (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物 | |
| JP6146005B2 (ja) | ポリイミド前駆体組成物、該組成物を用いた硬化膜 | |
| TW201718710A (zh) | 感光性樹脂組合物、聚醯亞胺之製造方法及半導體裝置 | |
| TW201817778A (zh) | 聚醯亞胺前驅體、含有該聚醯亞胺前驅體的感光性樹脂組成物、使用其的圖案硬化膜的製造方法、硬化膜、圖案硬化膜及半導體裝置 | |
| JP5740977B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体及び感光性樹脂組成物 | |
| JP7331860B2 (ja) | 感光性絶縁膜組成物 | |
| JP6390165B2 (ja) | ポリイミド前駆体、該ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法及び半導体装置 | |
| JP7327410B2 (ja) | ポリアミック酸エステル樹脂組成物 | |
| CN116256943A (zh) | 负型感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法和半导体装置 | |
| WO2023106101A1 (ja) | 樹脂組成物 | |
| KR20150100622A (ko) | 감광성 수지 조성물, 그것을 사용한 패턴 경화막의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| TWI852213B (zh) | 感光性樹脂組合物、硬化浮凸圖案之製造方法及半導體裝置 | |
| JP2015113429A (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物 | |
| JP7451969B2 (ja) | 樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 | |
| TWI909442B (zh) | 負型感光性樹脂組合物及硬化浮凸圖案之製造方法 | |
| KR102781673B1 (ko) | 폴리이미드 전구체, 수지 조성물, 감광성 수지 조성물, 패턴 경화막의 제조 방법, 경화막, 층간 절연막, 커버 코트층, 표면 보호막 및 전자 부품 | |
| JP7380141B2 (ja) | 樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 | |
| TWI865668B (zh) | 樹脂組成物、硬化物的製造方法、硬化物、覆蓋塗層、表面保護膜和電子零件 | |
| JP6044324B2 (ja) | ポリイミド前駆体樹脂組成物 | |
| CN120981770A (zh) | 负型感光性树脂组合物、以及使用其的固化浮雕图案的制造方法及固化膜 | |
| TW202432673A (zh) | 負型感光性樹脂組合物、硬化浮凸圖案之製造方法及半導體裝置 | |
| JP7451970B2 (ja) | 樹脂組成物、硬化物の製造方法、硬化物、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 | |
| TW202028257A (zh) | （甲基）丙烯酸化合物及感光性絕緣膜組成物 | |
| JP2025120082A (ja) | 樹脂組成物、及びそれを用いた半導体パッケージ基板 |