TWI891764B - 顯示器組合件 - Google Patents

顯示器組合件

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TWI891764B TW110112326A TW110112326A TWI891764B TW I891764 B TWI891764 B TW I891764B TW 110112326 A TW110112326 A TW 110112326A TW 110112326 A TW110112326 A TW 110112326A TW I891764 B TWI891764 B TW I891764B
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Abstract

本案揭示一種用於控制顯示器的底板。該底板包括形成為一陣列的複數個磚塊。該複數個磚塊之各者包括複數個互補式金屬氧化物半導體底板晶粒。形成該陣列之周長的底板晶粒的邊緣包括電連接，該等電連接將電信號導向該等CMOS底板晶粒中的至少一者。本案也揭示一種顯示器組合件，其中該顯示器組合件包括具有磚塊陣列的底板。各磚塊包括複數個電耦接的CMOS底板晶粒，其中形成該陣列的外周的該等磚塊的邊緣包括電連接，該等電連接將電信號導向至該複數個CMOS底板晶粒中的一或更多個CMOS底板晶粒。該顯示器組合件進一步包括與至少一個磚塊電耦接的至少一個發光二極體陣列。

Description

顯示器組合件
本申請案聲請申請於2020年4月6日的美國第63/005,731號專利申請案的優先權益，該案藉引用方式整體併入本文中。
本揭示案的態樣大體係關於不同的組合件，且更特定言之係關於包括底板的組合件並係關於包括底板還有其他元件之陣列以形成一顯示器的組合件。
許多顯示器中一個被忽視的態樣是用來驅動主顯示面板(例如個別像素及/或光學元件的陣列)的像素的底板技術。底板是負責開關顯示面板中個別像素的各種電路及/或電晶體的設計、組裝、或排列方式，而因此在整體顯示器解析度、重刷新速率、及電力耗損中扮演重要的角色。
當前的挑戰是製造高度整合、且能與發光元件(例如發光二極體或LED)或光反射元件還有光學元件組裝或封裝的底板。用於整合光學及電子元件的封裝技術自傳統封裝中使用的技術持續改良。例如，有用於晶圓級晶片規模封裝(WLCSP)及用於扇出型(fan-out)晶圓級封裝的改良技術。此外，封裝的維度也已經改善以致能更密集的解決方案。封裝已從每個封裝一個晶片的一維(1D)封 裝，到2D封裝(例如每個封裝有多個晶片)，到具有中介層的2.5D封裝，而到具有晶片堆疊的3D封裝。即使有這這些技術所提供的全部改良，它們不一定能符合用於高解析度顯示器(包括光場顯示器)中所需要的組合件類型的需求。
據此，需要有新的技術致能具有底板之組合件的設計與製造，還有具有底板併同形成顯示器之其他元件的陣列的組合件的設計與製造。
以下提出一或更多個態樣的簡化摘要，以提供對這類態樣的基本理解。此摘要不是對全部經設想之態樣的廣泛概觀，本意也非識別出全部態樣之關鍵或重要元素，更非劃定任何或全部態樣的範疇。其目的為以簡化形式提出一或更多個態樣的一些概念，作為稍後將提出之更詳細說明的序曲。
在本揭示案的一態樣中，說明一種用於控制由一顯示器提供之光的底板。該底板包括形成為一陣列的複數個磚塊(tile)，其中各磚塊包括複數個互補式金屬氧化物半導體(CMOS)底板晶粒，且其中形成該陣列之外周的磚塊的邊緣包括電連接器，該等電連接器將電信號導向至該等CMOS底板晶粒中的至少一個CMOS底板晶粒。
在本揭示案之另一態樣中，說明一種顯示器組合件。該顯示器組合件包括具有一磚塊陣列的一底板，各磚塊具有複數個電耦接的CMOS底板晶粒。形成該陣列之外 周的磚塊的邊緣包括電連接，該等電連接將電信號導向至該複數個CMOS底板晶粒中的一或更多個。該顯示器組合件進一步包括與至少一個磚塊電耦接的至少一個發光二極體(LED)陣列。
100:圖
110:顯示器
120:來源
125:內容/資料
200a,200b,200c:圖
210a:顯示器
210b,210c:光場顯示器
215:整體成像透鏡/光轉向光學元件
220a:發光元件
220b:發光元件(子光線像素)
221:光線像素
225:圖像元素(超光線像素)
230b,230c:間距
300a,300b:圖
310a,310b,310c,310d:磚塊
320a:底板
320b:底板
330:電連接器
340:面板
400:圖
410:CMOS底板晶粒
420:晶圓
430:磚塊
500a,500b,500c,500d,500e,500f,500g,500h,500i:圖
510(1),510(2),510(3),510(4),510(5):CMOS底板晶粒
515a,515j,515k:底部
520:柱
530:基板
534(1),534(2),534(3):貫穿矽通孔(TSV)
535a,535b,535c,535d,535e,535h,535j,535k:磚塊
540:黏著層
550:包覆塑模
552(1),552(2):TSV
554(1),554(2),553(3):連接器
555:電性重分佈層(RDL)
558:TSV
560(1),560(2),560(3),560(4),560(5):LED陣列
565:電接點或連接
570:電連接
580:基板
590:DMD反射器陣列
600a,600b:圖
700a,700b,700c,700d,700e:圖
710:CMOS底板晶粒
730:面板
760:LED陣列
775:微透鏡陣列
800a,800b:方法
810,815,820,830,840,850,860:方塊
隨附圖式描繪僅只一些實施方式，因此不應被認定為範疇之限定。
第1圖描繪按照本揭示案的態樣的顯示器與該顯示器之內容來源的範例。
第2A圖描繪按照本揭示案的態樣的具有多個像素的顯示器示例。
第2B圖及第2C圖描繪按照本揭示案的態樣具有多個圖像元素的光場顯示器的範例。
第3A圖描繪按照本揭示案的態樣藉多個磚塊形成的底板的範例。
第3B圖描繪按照本揭示案的態樣藉單一面板形成的底板的範例。
第4圖描繪按照本揭示案的態樣的一重建構的晶圓的範例，從該重建構的晶圓切粒(dice)出磚塊。
第5A圖~第5K圖描繪按照本揭示案的態樣利用晶圓級封裝(WLP)形成底板及顯示器的範例。
第6A圖及第6B圖描繪按照本揭示案的態樣利用面板級封裝(PLP)形成組合件的範例。
第7A~7E圖描繪按照本揭示案的態樣針對WLP及PLP的CMOS底板晶粒、LED陣列、及微透鏡陣列之不同配置方式的範例。
第8A及8B圖是描繪按照本揭示案的態樣製造或製成用於控制由顯示器提供的光的底板之不同方法的流程圖。
以下相關於隨附圖式所闡述的詳細說明本意為作為各種配置方式的說明，而非意圖提出可實施本文中所述概念的僅有配置方式。為了對各種概念提供詳盡的理解，以下詳細說明包括了特定細節。然而，本領域中之技術人員將顯而易見可在沒有這些特定細節下實施這些概念。在一些情況中，熟知的組件經以方塊圖形式顯示以避免模糊了這類概念。
未來顯示器中的像素個數預期將比現今的顯示器的更大許多，有時是更大上幾個數量級。此類顯示器將為最終將使用的底板組合件或顯示器組合件之類型提出難題，尤其是在電力消耗與整體頻寬中，因為這些因素可能限制了實現具有非常高解析度與極大像素數之顯示器的能力。決定適當底板或顯示器組合件中要考量的態樣包括不同的技術選項還有不同的整合選項。如本文中所用的，用語「底板」與「底板組合件」能可互換地使用。類似地，用語「顯示器」與「顯示器組合件」能可互換地使用。此 外，在一些實施方式中，「顯示器」或「顯示器組合件」可包括「底板」或「底板組合件」。
針對技術選項，可考慮各種可能的半導體技術，包括非晶矽(a-Si)、金屬氧化物、低溫多晶矽(LTPS)、及互補式金屬氧化物半導體(CMOS)晶圓，舉例來說。在這些半導體技術中，LTPS及CMOS晶圓可針對底板頻寬與密度需求之目的提供更彈性的選擇。例如，CMOS晶圓能支援範圍在1MHz~1,000MHz中的頻寬和範圍在1μm~30μm中的驅動器單元間距。另一方面，LTPS能支援範圍在1MHz~15MHz中的頻寬和範圍在10μm~10,000μm中的驅動器單元間距。
LTPS底板設計可涉及提供了低成本及最少接合介面的製造程序流程。然而，將需要能夠以高精確度服務大面積的定制晶圓置放工具。在一些情況中，LTPS可能在置放面積與精確度方面無法提供足夠效能。
如本揭示案中所述，可利用面板級封裝(PLP)作法來實行CMOS底板設計，或替代地，以晶圓級封裝(WLP)作法的一部分而使用晶圓磚塊。PLP作法使用單一個面板來形成底板/顯示器組合件，同時WLP作法使用一晶圓磚塊陣列來形成底板/顯示器組合件。這兩種作法的一些益處或優點包括使用僅只已知良好的CMOS晶粒，以及製造高效能底板。PLP作法的一些挑戰是面板級封裝製程大體不可用於生產，而需要定制或非標準製程。定制製程可導致增加製造成本及時間，還有可能降低品質。WLP作 法的一些益處或優點包括良好的工具可得性(包括LED接合工具、雷射剝離工具、及微透鏡複製工具)，及藉已知良好磚塊的更佳產量。WLP作法也可提供演進成為PLP作法的解決方案。另一方面，WLP作法的一些挑戰是對精準的磚塊切粒的需要、對極度精準的鋪磚的需要、如果顯示器中使用多於4個晶圓磚塊的話(例如針對具有12平方英吋之晶圓磚塊的22英吋對角線顯示器)對背側接點的可能需要、及可看見微透鏡磚塊接縫的可能性(不過在一些實施例中，在完成鋪磚程序後應用微透鏡可減少或消除此種接縫的出現)。
以下說明的第1~2C圖提供對本揭示案中所述各種底板及顯示器態樣可對其應用之顯示器類型的概觀，包括用於製造底板或顯示器(例如附加有LED及微透鏡的底板)的PLP與WLP作法。
第1圖顯示一圖100，其描繪一顯示器110的範例，該顯示器從一來源120接收內容/資料125(例如影像內容、視訊內容、或兩者)。顯示器110可包括一或更多個面板(未圖示)，其中顯示器110中的各面板是分別包含發光元件(例如第2A圖中所示者)或光反射元件的發光面板或光反射性面板。各面板可也包括一底板或一底板組合件以用於驅動發光元件或光反射元件。各面板可由單一個CMOS面板製成(例如使用CMOS底板面板)或可由多個CMOS晶圓磚塊製成(例如使用CMOS底板晶圓磚塊)。當利用發光面板時它們能包括排列在一陣列中的多個發光 元件，該發光元件在本文中稱為「子光線像素」(參見例如第2A圖中的子光線像素或發光元件220a)。複數個子光線像素可經排列在一網格或陣列中以形成一「光線像素(raxel)」221(參見第2B圖)。這些發光元件能為自一或更多半導體材料製成的發光二極體(LED)，且這些LED可經單片整合(monolithically integrated)在單一基板上。LED可為無機LED。LED可為微型LED(micro-LED，也稱為microLED、mLED、或μLED)。其他能從中製造發光元件的顯示器技術包括液晶顯示器(LCD)技術或有機LED(OLED)技術。用語「發光元件」、「發光器」、或僅是「發射器」可在本揭示案中互換地使用。
顯示器110能具有的性能包括超高解析度性能(例如對8K或更高之解析度的支援)、高動態範圍(對比度)性能、或光場性能，或以上性能之組合。顯示器110可進一步包括光場性能且可當作如第2B、2C圖中描繪之光場顯示器來操作。為致能此種光場性能，顯示器110可包括多個圖像元素(本文中也稱為「超光線像素(super-raxel)」)，其中各超光線像素(例如第2B及2C圖中的超光線像素225)包括複數個群組(例如第2B圖中的光線像素(raxel)221)的子光線像素。各光線像素內的複數個發光元件可經單片整合在同一半導體基板上。超光線像素內的各光線像素可經獨立地啟動以從相對於光轉向光學元件的一特定位置(例如從一特定(x,y)座標位置) 發光。藉由從不同位置選擇性地發光或反射光，光場顯示器可支援多個視圖，如本文中以下將針對第2A~2C圖討論的。
第2A圖中的圖200a顯示具有多個發光元件220a(也稱為像素或顯示像素)的一顯示器210a。發光元件220a(可為以上討論的LED)一般形成在陣列中且彼此相鄰以提供顯示器210a的較高像素密度，以及因此提供較高解析度。顯示器210a可為第1圖之圖100中的顯示器110的一例。
在第2A圖中所示範例中，發光元件220a可經組織或定位成在顯示器210a之區域之上的一個Q×P陣列，其中Q是陣列中的像素列數而P是陣列中的像素行數。此陣列的放大部分經顯示在顯示器210a的右邊。儘管未圖示出，但顯示器210a除了發光元件220a的陣列之外可包含一底板，該底板包括經組態以選擇性地傳遞電力至一或更多個發光元件220a的各種電跡線及接點。與顯示器210a耦接的底板可基於本文中所述特徵或配置方式。
第2B圖中的圖200b顯示具有多個圖像元素或超光線像素225的一光場顯示器210b。在此揭示案中，用語「圖像元素」及用語「超光線像素」能可互換地使用以描述光場顯示器中的類似結構性單元。光場顯示器210b可為具有光廠性能的圖100中之顯示器110的例子。光場顯示器210b可用於不同類型的應用，而其大小可依其改變。例如，光場顯示器210b在作為手錶、近眼應用、電話、平板、 膝上型電腦、監視器、電視機、及告示牌(僅舉數例)的顯示器時能有不同大小。依此，且依應用而定，光場顯示器210b中的圖像元素225能經組織成陣列、網格、或其他類型的具不同大小之有序排列方式。光場顯示器210b的圖像元素225可經分布在一或更多個顯示面板之上。
第2B圖中所示範例中，圖像元素225經組織或定位成一個N×M陣列，其N是陣列中圖像元素的列數而M是陣列中圖像元素的行數。此陣列的一放大部分經顯示在光場顯示器210b的右邊。當該些圖像元素或超光線像素225在同一半導體基板上包括做為作為發光元件220b的製造紅色(R)光、綠色(G)光、及藍色(B)光的不同LED時，光場顯示器210b可被稱為自RGB LED超光線像素製成。這些具不同顏色的LED可經單片整合在同一基板上且大小可在從大約1微米至大約100微米的範圍。
光場顯示器210b中的圖像元素225之各者可包括一對應的光轉向光學元件(例如第2C圖中之圖200c中描繪的整體成像透鏡215)。圖像元素225代表界定了顯示器解析度的一最小圖像元素大小。在此方面，圖像元素225的光線像素221(例如發光元件220b的陣列或網格)可小於用於該圖像元素的對應的光轉向光學元件215。然而，實作上，圖像元素225的光線像素的大小可能類似於對應的光轉向光學元件215的大小(例如微透鏡或小透鏡(lenslet)的直徑)，後者轉而類似或相同於圖像元素225之間的間距230b。在一些實施例中，超光線像素的大小可 小於圖像元素或大致是相同大小。較大的超光線像素(例如具有大概與圖像元素相同大小的超光線像素)可提供增加的光線角度解析度
如上提及，發光元件220b的陣列可經排列成為「光線像素」221，如在圖200b之右邊所示之放大版本的圖像元素225內顯示的。圖像元素225可為發光元件220b的陣列X×Y，X是陣列中發光元件220b的列數而Y是陣列中發光元件220b的行數。在一例中，圖像元素225是9×9陣列，包括有81個發光元件或子光線像素220b。
在第2C圖中，圖200c顯示光場顯示器210c的另一例，以及具有如上述之對應的光轉向光學元件215的圖像元素225之陣列的一部份的放大圖。間距230c可代表相鄰圖像元素225的中心之間的間隔或距離，且可大約是光轉向光學元件215的大小(例如微透鏡或小透鏡的大小)使得當光轉向光學元件被排列成一陣列以形成光場顯示器210c時該等光轉向光學元件之間沒有空隙或有最小的空隙。儘管第2C圖中將圖像元素225顯示為彼此分離，此僅為例示之目的而圖像元素225可經建立為在其之間沒有空間地彼此相鄰。
第3A圖描繪具有一底板320a之範例的圖300a，該底板320a按照本揭示案的態樣藉多個磚塊310a、310b、310c、310d所形成。底板320a可與以上相關於第1~2C圖所述之顯示器中任意者使用。底板320a(也可稱為底板組合件)可由經排列以形成一陣列的四(4) 個磚塊(例如磚塊310a、310b、310c、及310d)所製成。儘管第3A圖的範例有四個磚塊，但底板可藉更多或更少磚塊製成而無悖離本文之範疇。可使用電連接器330來傳達信號至磚塊310a~310d中一或更多者及/或傳達來自磚塊310a~310d中一或更多者的信號。當底板320a上的磚塊310a~310d中有一或更多個包括發光元件及/或光學元件或組件(例如子光線像素、光線像素、及/或超光線像素)時，底板320a也可稱為一顯示器或顯示器組合件(舉例來說)。
如以下針對第4圖更詳細說明的，磚塊或晶圓磚塊310a~310d中之各者可切粒或切割自一重建構的晶圓，該重建構的晶圓包括多個CMOS底板晶粒(其中這些晶粒之各者示已知為良好、正常運作的晶粒)。換言之，各磚塊包括多個分離的、且經電性互連的CMOS底板晶粒(未圖示)在該磚塊中被固定在一起。如圖300a中所顯示，位於底板320a之外周處的磚塊310a、310b、310c、310d的邊緣提供電連接器330以允許與磚塊310a~310d之各磚塊中的CMOS底板晶粒互動及/或通訊。替代圍繞磚塊之邊緣所設置的電連接器330或除電連接器330之外，可利用貫穿矽通孔(TSV)電連接來提供底板320a之基板與一或更多個磚塊310a~310d之間的電連接。一磚塊中的各CMOS底板晶粒是一CMOS整合電路，該CMOS整合電路經組態以提供電信號來控制與該CMOS整合電路電耦接的發光元件或光反射元件的相應子集合。
第3B描繪圖300b，其為按照本揭示案的態樣藉單一個面板340形成之一底板320b的例子。底板320b可與以上相關於第1~2C圖所述之顯示器的任意者使用。底板320b也可稱為底板組合件。可利用電連接器330來傳達信號至面板340及/或傳達來自面板340的信號。當底板320b與發光元件及/或光學元件或組件耦接時，該組合件可稱為顯示器或顯示器組合件。在電連接器330與該顯示器組合件中之發光元件之間的電連接的範例乃在以下針對第5A~5K圖更詳細討論。
如以下更詳細說明的，面板340包括多個分離的、且經電性互連的CMOS底板晶粒(未圖示)在該面板中被固定在一起。可利用與形成重建構的晶圓的相同方法(但以更大的規模)來形成面板340。如圖300b中所示，面板340在外周中的邊緣提供電連接器330以與面板中的一或更多個CMOS底板晶粒互動或通訊。面板中的各CMOS底板晶粒是一CMOS整合電路，該CMOS整合電路經組態以提供信號來控制該顯示器的發光元件(例如一或更多個子光線像素220b，第2B圖)或光反射元件的一或更多個相應子集合。
第4圖描繪一圖400，其顯示按照本揭示案的態樣從一重建構的晶圓420切粒或切割的一磚塊430的例子。磚塊430可代表第3A圖的磚塊310a、310b、310c、310d。為了利用習用的半導體製造及處理設備(其一般需要晶圓具有特定大小及形狀)，一種形成或製造磚塊或晶 圓磚塊(例如第3A圖中的磚塊310a~310d)的方法是藉由在晶圓420上將多個CMOS底板晶粒410排列成一陣列來重建構具有標準大小與形狀的晶圓，接著將在利用習用製造步驟來處理晶圓420之後，從重建構的晶圓420切割或切粒出一正方形或矩形的磚塊430(虛線)。此允許重建構的晶圓420(因此還有磚塊430)經由各種經組態以處置標準大小/形狀之晶圓的習用半導體製造步驟經處理，因為在沒有晶圓420之下，正方形或矩形的磚塊430在尺寸及形狀上為非標準的，因而不適合習用的半導體處理工具和設備。
第5A~5I圖描繪圖500a~500i，顯示按照本揭示案的態樣用於利用晶圓級封裝(WLP)作法來形成底板組合件(例如第3A及3B圖的320a與320b中一或更多個)及顯示器組合件(例如第1、2A、2B、及2C圖分別的顯示器110、210a、210b、及210c)的範例步驟。
第5A圖中的圖500a顯示從一重建構的晶圓(例如第4圖中的重建構的晶圓420)所切粒的磚塊535a之至少一部分的截面圖。磚塊535a包括一基板530，該基板具有一黏著層540有多個CMOS底板晶粒510(例如第4圖中的CMOS底板晶粒410)附接。黏著層540可提供CMOS底板晶粒510對基板530的永久接合，此可減輕晶粒位移(die shifting)。在此例中，各CMOS底板晶粒510經定位成晶粒側朝上而柱520(例如晶粒或晶片電連接)背對基板530，且各CMOS底板晶粒510經組態以與額外顯 示器組件(未圖示)電耦接。位在柱520之下的晶粒的一底部515a(例如包括底板電子件和電路系統的一部分CMOS底板晶粒510)相鄰於黏著層540及基板530。柱520可為銅(Cu)柱，即可利用Cu以得到晶粒電連通性；然而，也可使用其他導電金屬或材料。為例示之目的，CMOS底板晶粒510經顯示為分離的(例如在相鄰CMOS底板晶粒之間有空隙)，但CMOS底板晶粒510本為密集的而因此可經針對相鄰晶粒緊密地定位。在一例中，可期望CMOS底板晶粒510之間的100μm空隙，不過藉現有的半導體組裝與測試(OSAT)工具現在300μm空隙是可能的。
第5B圖中的圖500b顯示在磚塊535b上將一包覆塑模(overmold)550(或類似的封裝材料)沉積在CMOS底板晶粒510上方及周圍以將CMOS底板晶粒510固定在一起。在此例中，有一數量的包覆塑模550覆蓋CMOS底板晶粒510的頂部部分(例如過量的數量)。包覆塑模550可為適合該應用的定制材料。一個例子是載有二氧化矽的環氧樹脂塑膜化合物(EMC)，其在固化時是剛性的但可能致使晶粒位移。另一例是聚醯亞胺，其可適用但現今沒有用於分配它的方法或程序。在一些情況中，可使用噴墨技術來分配聚醯亞胺。
第5C圖中的圖500c顯示一磚塊535c，其描繪研磨、蝕刻、或以其他方式移除一部分的包覆塑模550使得露出(例如移除過量的包覆塑模)CMOS底板晶粒510的 頂部部分(例如柱520的頂端)。當聚醯亞胺用於包覆塑模550時，重要的是注意聚醯亞胺不一定可研磨順利，且可使用不同方式來分配聚醯亞胺，像是在沒有研磨下藉刮漿板來沉積或直接形成圖案。
第5D圖中的圖500d顯示在沉積電性重分佈層(RDL)555(像是銅(Cu)RDL)在CMOS底板晶粒510之柱520(如第5C圖中所示)的露出部分之上以形成CMOS底板晶粒510之間的互連後的一磚塊535d。尤其，RDL 555提供不同CMOS底板晶粒510之柱520之間的電連接，以將CMOS底板晶粒510互連。可使用標準程序來沉積RDL 555。在一例中，可用自適應微影以對付晶粒位移，不過RDL中需要的接線密度對於自適應微影技術而言可能是有挑戰性的。
第5E圖中的圖500e顯示自一重建構的晶圓切粒的磚塊535e的局部截面圖，其中基板530及黏著層540已被移除。替代地，可在未使用基板530及/或黏著層540下形成磚塊535e，藉此由包覆塑模550將CMOS底板晶粒510固定在一起。如圖500e中所示，RDL 555位於磚塊535e的頂部(即在一或更多個CMOS底板晶粒510露出的柱520的頂部)及CMOS底板晶粒510的底部，形成磚塊535e的底部。
在沒有任何額外組件(例如LED陣列及/或微透鏡陣列)下，圖500e中顯示的磚塊535e、或從其切粒出磚塊535e的該重建構的晶圓，可被認為是一底板或底板組合 件。然而，可對重建構的晶圓上的底板或底板組合件加入額外組件或元件(例如LED陣列及/或微透鏡陣列)(如以下更詳細說明)，而該結構可被認為是一顯示器組合件，其可以如上關於第4圖所述之方式經切粒或切割。
第5F圖中的圖500f顯示對CMOS底板晶粒510覆晶接合LED陣列560的結果。LED陣列560之各者是(例如)包括多個發光元件的一分離半導體晶片或晶粒，該多個發光元件如以上關於第2A~2C圖所說明者。LED陣列560可包括電接點或連接565，其與RDL 555之部分或位在RDL 555之上的其他電連接570電性連接。儘管圖500f顯示了LED陣列560與CMOS底板晶粒510之間的一對一對應關係，但此僅是作為例示而非限制。也可能單一個LED陣列560與多個CMOS底板晶粒510電耦接，或替代地，多個LED陣列560可與單一個CMOS底板晶粒510電耦接。CMOS底板晶粒510的電子件及電路系統可經選擇以控制一或更多個對應的LED陣列560內的一或更多個發光元件的操作。以下將針對第5J圖及第5K圖討論在使用RDL的顯示器組合件內用以連接LED、CMOS底板晶粒、及/或其他組件的額外電連接方案。
另一實施方式中，光反射元件(像是數位微鏡裝置(DMD)反射器)的陣列可結合LED陣列560使用或替代LED陣列560來使用，在此種情況中可選擇CMOS底板晶粒510的電子件和電路系統以控制該等光反射元件中一或更多者的操作。第5I圖中顯示具有複數個DMD反射器陣列 590的一顯示器組合件。類似於第5F圖中顯示的組合件，一或更多個電接點或連接565、570可將RDL 555電耦接至DMD陣列590。一或更多個DMD陣列590可與CMOS底板晶粒510之各者電耦接；替代地，一或更多個CMOS底板晶粒510可與各DMD陣列590電耦接。
進一步關於圖500f及圖500i，對於覆晶接合的精確度要給予一些考量，還有對雷射剝離(LLO)的使用，像是用以(例如)從基板530移除重建構的晶圓及/或分離將被覆晶接合之LED陣列560或DMD陣列590的可用的晶圓規模LLO工具。額外的考量包括利用底部填充劑來補償LED陣列(或DMD反射器陣列590)與CMOS底板晶粒之間熱膨脹係數(CTE)的不匹配，當覆晶連接之間的空隙小時饋入底部填充劑的難度，還有是否使用底部填充劑而非預先施加的薄膜。若沒有使用底部填充劑，則可考慮是否在與微透鏡的連接中會發生空洞，及如何避免此情況。
第5G圖中的圖500g顯示經設置在LED陣列560上並附加至LED陣列560的一微透鏡陣列575，LED陣列560已經覆晶接合至CMOS底板晶粒510頂部的RDL 555上。微透鏡陣列575可包括各種光學元件，像是以上關於第2C圖所述的光轉向光學元件215(例如透鏡或微透鏡)。儘管圖500g顯示單一個微透鏡陣列575，但此僅是例示之目的而非限制。也可能使用多個微透鏡陣列575。此外，CMOS底板晶粒510、LED陣列560、及微透鏡陣列575不必須是一對一對應關係，如以下將更詳細顯示。
第5H圖中的圖500h顯示如上相關於第3A圖及第4圖所述之磚塊切粒與磚塊接合的結果。在此例中，第5G圖中所示重建構的晶圓的至少一部分藉高精確度切粒而被切割，以形成一經切粒磚塊535h。此例中經切粒的磚塊的截面圖包括CMOS底板晶粒510、經由電連接565、570與RDL 555經連接至CMOS底板晶粒510的經覆晶接合的LED陣列560，還有LED陣列560之上的一或更多個微透鏡陣列575。經切粒的磚塊535h可連同其他磚塊(參見例如第3A圖)經接合(例如利用像是黏著層(未圖示)的永久接合)至一剛性基板580。磚塊接合可能需要在大面積上的高度對齊精確度。該複數個磚塊可經組裝在一底板上以形成顯示器組合件，如以上針對第3A圖所述。
第5J圖及第5K圖中分別顯示的圖500j與500k是磚塊535j、535k的局部截面圖。磚塊535j、535k包括LED陣列560、CMOS底板晶粒510、以及(視情況)黏著層540和基板530之間的範例電連接。先參看第5J圖，磚塊535j包括複數個LED陣列560，該複數個LED陣列利用設置在其間的RDL 555電耦接至複數個CMOS底板晶粒510。RDL 555的圖案使得RDL的部分(即連接器554)可延伸在不同CMOS底板晶粒之間。例如，RDL 555的連接器554(1)將第一CMOS底板晶粒510(1)電連接至第二CMOS底板晶粒510(2)。類似地，RDL 555的連接器554(2)將第二CMOS底板晶粒510(2)電耦接至第三CMOS底板晶粒510(3)。可利用RDL中的額外連接器類 似地將額外的CMOS底板晶粒互連。因此，藉由將RDL形成圖案使得連接線跨於不同底板晶粒橋接，位於在磚塊內中央的底板晶粒510(2)、510(3)、510(4)、還有其相關聯的LED陣列可經電性定址(electrically addressed)(例如從磚塊的電連接器330)。
參看第5J圖及第5K圖兩者，CMOS底板晶粒510經描繪成分別具有底部515j、515k。底部515j、515k可為矽材料。在圖500j、500k中顯示的實施例中，底部515j、515k可包括一或更多個貫穿矽通孔(TSV)552，該一或更多個TSV提供對CMOS底板晶粒510之電連通性，及/或在某些實施例中可從底部515j、515k的一底側延伸至一或更多個傳導柱(例如第5A圖中的柱520)。TSV 552自電傳導材料形成且經組態以接收電流或信號(例如從一不同電連接器、從一電源、或從一控制模組)，並直接地或透過中介連接器而間接地將該電流或信號傳遞至一或更多個LED陣列560。
第5K圖中的圖500k顯示額外的TSV 534延伸通過基板530(例如在基板530的頂部與底側之間)。磚塊535k可在基板530中有較多或較少的TSV 534，而無悖離本揭示案的範疇。在一些實施例中，TSV 534的底側(即離CMOS底板晶粒510最遠的該側)可與一電源或該顯示器組合件內的另一電管道電耦接。TSV 534的頂側(即離CMOS底板晶粒510最近的該側)可直接耦接至CMOS底板晶粒510之一底部515k內的一或更多個TSV 558。替 代地或額外地，TSV 534的頂側可與RDL或其他印刷電路系統耦接以在將電流遞送至CMOS底板晶粒510內之一或更多個TSV 558之前分配電流。在其中印刷電路系統經設置在基板530之頂側上的實施例中，黏著層540可經形成輪廓(contoured)或以其他方式選擇性地經施加，使得印刷電路系統不被黏著層覆蓋。在一些實施例中，可自同時具有導電及黏著屬性的材料形成印刷電路系統，像是經選擇性地施加以產生電連接的導電環氧樹脂或各向異性導電膜(ACF)。
第6A圖及第6B圖分別顯示圖600a及圖600b，其描繪按照本揭示案的態樣利用面板級封裝(PLP)形成組合件的範例。不像第5A~5K圖中的範例(其中形成一重建構的晶圓然後其接著被切粒或切割成一或更多個磚塊)，圖600a及600b顯示了單一個面板經形成在一基板530(其未被移除)之上，藉由利用黏著層540來固定CMOS底板晶粒510、沉積RDL 555、利用電接點或連接565及570來覆晶接合LED陣列560、並接著在頂部置放一或更多個微透鏡陣列575(例如第6B圖)。利用PLP製造單一個面板的材料及/或製程可與WLP中製造從中切粒出磚塊的重建構晶圓的材料及/或程序相同或類似；然而，PLP組合件在尺寸上可大於利用WLP形成的磚塊，且形狀可為正方形或矩形。PLP可因此用以製造不只具有底板電子件，也具有光元件及/或光學元件的單一個面板底板組合 件或單一個面板顯示器組合件。利用PLP形成的組合件可包括圍繞該組合件之周圍的電連接器(未圖示)。
第7A~7E圖描繪，按照本揭示案的態樣，針對WLP和PLP的CMOS底板晶粒、LED陣列、及微透鏡陣列的不同配置方式的範例。如上所述，在CMOS底板晶粒、LED陣列、及微透鏡陣列之間可有不同對應關係。
第7A圖中的圖700a是一俯視圖，顯示用於包括多個CMOS底板晶粒710之磚塊(例如從重建構的晶圓切粒或切割的磚塊)或面板730的配置方式或實施方式，該多個CMOS底板晶粒710經排列成陣列，且各CMOS底板晶粒710具有一對應的LED陣列760(由虛線表示)定位於其上。此外，單一個微透鏡陣列775覆蓋了面板730上的整個CMOS底板晶粒710與LED陣列760之集合。在第3A圖中所示2x2磚塊陣列允許各磚塊的兩側與底板之邊緣處之電連接器連接的同時，第7A圖的除了晶粒710(其有一或更多個邊緣為沿著陣列的周長)之外的全部晶粒無法直接與面板730的邊緣處的電連接器(未圖示)連接。因此，為了對第7A中沒有沿著陣列之周長的邊緣的晶粒做電性定址，各CMOS底板晶粒710與相鄰CMOS底板晶粒電連接。因此，可從面板730之邊緣處的電連接器(未圖示)對面板730的全部CMOS底板晶粒710做電性定址。替代地(或額外地)，可提供對一或更多個CMOS底板晶粒的電連接，例如，藉由利用通孔(未圖示)或其他機構以用 於形成電連接通過面板730。可使用習用方法(像是引線接合)提供該等電連接。
第7B圖中的圖700b顯示用於磚塊或面板730的一範例配置方式，其中有多個CMOS底板晶粒710經排列在一陣列(例如8×8陣列)中而單一個對應的LED陣列760在CMOS底板晶粒710之上。此外，單一個微透鏡陣列775覆蓋整組CMOS底板晶粒710及LED陣列760。
第7C圖中的圖700c顯示用於磚塊或面板730的另一範例配置方式，其中有多個CMOS底板晶粒710經排列在一陣列(例如8×8陣列)中，而在CMOS底板晶粒710之上的多個LED陣列760經排列在一不同陣列中(例如2×2陣列)。在此例中，各LED陣列760覆蓋CMOS底板晶粒710的一子集(例如一個4×4陣列的CMOS底板晶粒710)。儘管各LED陣列760可覆蓋相同個數的CMOS底板晶粒710，但情況並非必須如此。此外，單一個微透鏡陣列775覆蓋了整個集合的CMOS底板晶粒710和LED陣列760。
第7D圖中的圖700d顯示了又另一種針對磚塊或面板730的可能配置方式或實施方式，其中有多個CMOS底板晶粒710排列在一陣列(例如8×8陣列)中，而在CMOS底板晶粒710之上的多個LED陣列760經排列在一不同陣列(例如2×2陣列)中。在此例中，各LED陣列760覆蓋CMOS底板晶粒710的一子集(例如一個4×4陣列的CMOS底板晶粒710)。儘管各LED陣列760可覆蓋相同 個數的CMOS底板晶粒710，但情況並非必須如此。此外，可有多個微透鏡陣列775。在此例中，針對各LED陣列760有一個微透鏡陣列775(例如2×2陣列的微透鏡陣列775)，但情況不必然如此。
第7E圖中的圖700e顯示針對磚塊或面板730的另一配置方式或實施方式，其中多個CMOS底板晶粒710經排列在一陣列(例如8×8陣列)中而單一LED陣列760在CMOS底板晶粒710之上。此外，可有多個微透鏡陣列775，該多個微透鏡陣列775覆蓋整個集合的CMOS底板晶粒710和LED陣列760。在此例中，微透鏡陣列775經排列在與CMOS底板晶粒710不同的陣列(例如2×2陣列)中，而各微透鏡陣列775覆蓋CMOS底板晶粒710的一子集(例如一個4×4陣列的CMOS底板晶粒710)。
第8A及8B圖是流程圖，描繪按照本揭示案的態樣的製造或製程用於控制顯示器所提供的光的底板的不同方法。
第8A圖中的方法800a對應於一種製造一底板的方法，該底板用於控制一顯示器所提供的光。
方法800a於810包括提供多個且分離的CMOS底板晶粒。
方法800a可選地於815包括利用探針測試法來測試CMOS底板晶粒並移除未通過該測試的CMOS底板晶粒。
方法800a於820包括藉由將CMOS底板晶粒固定在一起來形成一重建構的晶圓。該複數個CMOS底板晶粒可利用設置在一剛性基板上的黏著層來維持在相對於彼此固定的位置中。可在後續處理步驟期間藉由標準處理設備(而非定制的設備)來處置CMOS底板晶粒與基板組合件，以減少製造成本。進一步處理步驟可包括沉積一包覆塑模層，移除一部分的包覆塑模層以露出電傳導柱，沉積一電性重分佈層(RDL)，及在該RDL之上放置LED或DMD面板。
方法800a於830包括從晶圓(在本文中也稱為「重建構的晶圓」)切粒出一磚塊，其中該磚塊中的CMOS底板晶粒互相電連接。
方法800a於840包括將該磚塊連同從其他重建構的晶圓切粒出的磚塊排列成一磚塊陣列，其中在該磚塊陣列之外周中的磚塊的邊緣提供電連接以與磚塊中的CMOS底板晶粒互動。
在方法800a的一態樣中，各CMOS底板晶粒是一CMOS整合電路，其經組態以提供信號來控制該顯示器組合件內的一或更多個相應子集合的發光元件或光反射元件。
在方法800a的一態樣中，各CMOS底板晶粒已在其被包括至相應磚塊中之前先通過晶圓層級探針測試。
在方法800a的一態樣中，該重建構的晶圓經形成在一基板之上，及方法800a進一步包括藉由進行晶圓規模 雷射剝離(LLO)程序(其將重組的晶圓與基板分離)來從該基板移除該重組的晶圓。
在方法800a的一態樣中，該重建構的晶圓是利用一基板形成的，而在磚塊經固定至該基板且完成切粒之後，該基板維持是該重建構的晶圓的部分。
在方法800a的一態樣中，該重建構的晶圓經形成在一基板之上，而該等CMOS底板晶粒藉由被永久地附接至該基板而經固定就位在該重建構的晶圓中。
在方法800a的一態樣中，各磚塊中的CMOS底板晶粒藉一包覆塑模被固定在一起，該等CMOS底板晶粒經定位成晶粒朝上，及形成該重建構的晶圓的步驟進一步包括移除該包覆塑模的頂部部分以將該等CMOS底板晶粒的電柱對該等CMOS底板晶粒與一電性重分佈層之間的電性互連接暴露出來。此外，移除該包覆塑模的頂部部分的步驟包括研磨、蝕刻、或以其他方式移除該包覆塑模的頂部部分。
在方法800a的一態樣中，各磚塊中的CMOS底板晶粒藉一包覆塑模被固定在一起，且方法800a進一步包括將該包覆塑模設置於至少在該等CMOS底板晶粒之間與附近，及固化該包覆塑模以形成該重建構的晶圓的一部分，該包覆塑模由包含二氧化矽、氧化鋁、石墨、陶瓷、聚合物、或電子塑模化合物的材料製成。該聚合物可包括聚醯亞胺或環氧樹脂。
在方法800a的一態樣中，從該重建構的晶圓切粒出的磚塊的大小在從4英吋達到18英吋的範圍中。在一些實施例中，經切粒的磚塊可大約是11英吋。其他磚塊尺寸也是可能的而無悖離本揭示案的範疇。
在方法800a的一態樣中，從該重建構的晶圓切粒出的磚塊是矩形的磚塊或正方形的磚塊。
在方法800a的一態樣中，該重建構的晶圓具有用於晶圓層級處理的標準大小，該標準大小為以下之一者：150mm晶圓大小、200mm晶圓大小、300mm晶圓大小、或450mm晶圓大小。
在方法800a的一態樣中，該磚塊陣列經排列在一剛性基板之上。
在方法800a的一態樣中，該磚塊陣列經排列在一可撓的基板之上。
第8B圖中的方法800b對應於另一種製造用於控制一顯示器所提供的光的底板的方法。
方法800b於850包括提供多個且分離的CMOS底板晶粒。
方法800b於860包括藉由將該等CMOS底板晶粒固定在一起來形成一面板，其中該面板中的該等CMOS底板晶粒經電性互連，且其中該面板的外周中的邊緣提供電連接器以與該等CMOS底板晶粒互動。
在方法800b的一態樣中，形成面板的步驟包括藉由將該等CMOS底板晶粒接合至一基板上來將該等CMOS底板晶粒固定在一起。
在方法800b的一態樣中，形成面板的步驟包括藉一包覆塑模來將該等CMOS底板晶粒固定在一起。
在方法800b的一態樣中，形成面板的步驟包括將該等CMOS底板晶粒附接至一基板上並藉一包覆塑模將該等CMOS底板晶粒一起固定。方法800b可進一步包括藉由進行雷射剝離(LLO)程序來將具有CMOS底板晶粒的面板從該基板分離，該LLO程序將該面板與該基板分離。此外，從該基板將該面板移除的步驟可包括利用在該面板與該基板之間的一熱可釋除層、雷射可釋除層、或UV可釋除層。
在方法800b的一態樣中，各CMOS底板晶粒是一CMOS整合電路，該CMOS整合電路經組態以提供信號來控制該顯示器的一相應子集的發光元件或光反射元件。
在方法800b的一態樣中，各CMOS底板晶粒在其被包括至該面板中之前已通過晶圓層級探針測試。
在方法800b的一態樣中，該等CMOS底板晶粒經定位為晶粒朝上，且形成面板的步驟包括藉一包覆塑模將該等CMOS底板晶粒固定在一起，以及移除該包覆塑模的一頂部部分以露出該等CMOS底板晶粒的電柱。此外，移除該包覆塑模的該頂部部分的步驟包括研磨該包覆塑模的該頂部部分。額外地，該等CMOS底板晶粒的該等電柱對 該等CMOS底板晶粒與一電性重分佈層之間的電性互連接暴露出來。
在方法800b的一態樣中，形成面板的步驟包括藉一包覆塑模將該等CMOS底板晶粒固定在一起。方法800b進一步包括將該包覆塑模至少設置在該等CMOS底板晶粒之間及附近，以及固化該包覆塑模以形成該面板，該包覆塑模由包含二氧化矽、氧化鋁、石墨、陶瓷、聚合物、或電子塑模化合物的一材料製成。該聚合物可包括聚醯亞胺或環氧樹脂。
本揭示案描述各種技術及裝置，其致能用於底板及顯示器的更大且更密集的組合件，該等組合件可與高解析度顯示器(像是光場顯示器)使用。
以下請求項本意為涵蓋本文中所述全部通用的及特定的特徵，還有本案之方法與系統的範疇的全部聲明，本案之方法與系統的範疇以語言之方面來說可被稱為落於其間。尤其，以下的實施例經特定地設想出，還有此類實施例彼此相容的任何組合：
(A)一種用於控制一顯示器的底板，該底板包括經形成為一陣列的複數個磚塊，各磚塊包括複數個互補式金屬氧化物半導體(CMOS)底板晶粒，其中形成該陣列之一外周的該等磚塊的邊緣具有電連接，該等電連接將電信號導向至該等CMOS底板晶粒中的至少一個。
(B)在標記成(A)的底板中，該等CMOS底板晶粒中的至少一個包括一CMOS整合電路，該CMOS整合電 路產生至少一個電信號以驅動該顯示器的至少一個發光元件。
(C)在標記成(A)或(B)的底板中，各CMOS底板晶粒包括一CMOS整合電路以用於產生一電信號至該顯示器的至少一個光反射元件。
(D)在標記成(A)~(C)的底板之任意者中，當該複數個磚塊經形成為一個2x2陣列時，各磚塊有兩個邊緣各於該陣列的外周處具有電連接。
(E)在標記成(A)~(D)的底板之任意者中，該等複數個CMOS底板晶粒中位於該磚塊之邊緣處的CMOS底板晶粒為該磚塊之其餘CMOS底板晶粒提供外部電連通性。
(F)在標記成(A)~(E)的底板之任意者中，該等複數個CMOS底板晶粒經排列在一矩形或正方形的陣列中，且該複數個CMOS底板晶粒之各者包括複數個柱，該複數個柱經由一電性重分佈層(RDL)與該顯示器的至少一個LED陣列電性連接。
(G)在標記成(A)~(F)的底板之任意者中，該複數個磚塊之各者進一步包括一包覆塑模，該包覆塑模填補CMOS底板晶粒之間的空隙並將該複數個CMOS底板晶粒固定在一起。
(H)在標記成(A)~(G)的底板之任意者中，該包覆塑模從包含以下之群組中所選的一材料製成：二氧化矽、氧化鋁、石墨、陶瓷、及聚合物。
(I)在標記成(A)~(H)的底板之任意者中，該複數個磚塊之各者進一步包括一基板，以用於緊固地支撐該複數個CMOS底板晶粒。
(J)在標記成(A)~(I)的底板之任意者中，該基板為剛性的並包括複數個貫穿矽通孔(TSV)，該複數個TSV提供到該複數個CMOS底板晶粒中至少一者的電連通性。
(K)一種包括一底板的顯示器組合件，該底板具有一磚塊陣列，各磚塊具有複數個電耦接的CMOS底板晶粒，其中形成該陣列之一外周的磚塊的邊緣包括電連接，該等電連接將電信號導向至該複數個CMOS底板晶粒中的一或更多個，及至少一個發光二極體(LED)陣列與至少一個磚塊電耦接。
(L)在標記成(K)的顯示器組合件中，該複數個磚塊之各磚塊進一步包括經設置在該複數個CMOS底板晶粒之各者的至少一部分上的一電性重分佈層，用以將該等CMOS底板晶粒之至少一者的柱電性連接至該至少一個LED陣列。
(M)在標記成(K)或(L)的顯示器組合件中，進一步包括經組態以折射來自該LED陣列的光的至少一個微透鏡陣列。
(N)在標記成(K)~(M)的顯示器組合件之任意者中，該至少一個微透鏡陣列包括單一個微透鏡陣列覆蓋該磚塊陣列。
(O)在標記成(K)~(N)的顯示器組合件之任意者中，該至少一個微透鏡陣列包括複數個微透鏡陣列，其中該複數個微透鏡陣列之個者覆蓋該磚塊陣列的一不同磚塊。
(P)在標記成(K)~(O)的顯示器組合件之任意者中，該至少一個微透鏡陣列包括複數個微透鏡陣列，及其中該複數個微透鏡陣列之各者覆蓋單一個CMOS底板晶粒。
(Q)在標記成(K)~(P)的顯示器組合件之任意者中，該磚塊陣列的各磚塊進一步包括一基板，該基板剛性地支撐該複數個CMOS底板晶粒。
(R)在標記成(K)~(M)的顯示器組合件之任意者中，該基板進一步包括複數個貫穿矽通孔(TSV)，該複數個TSV提供到該複數個CMOS底板晶粒之至少一者的電連通性。
(S)在標記成(K)~(R)的顯示器組合件之任意者中，該磚塊陣列的各磚塊進一步包括一包覆塑模，該包覆塑模填補其中CMOS底板晶粒之間的空隙並剛性地支撐該等CMOS底板晶粒。
因此，儘管已按照所示實施方式提供本揭示文件，本領域之技藝人士將輕易識別出對該些實施例可做出變化且該些變化將在本揭示案的範疇內。因此，本領域之技藝人士可在未悖離隨附申請專利範圍之範疇下做出許多修改。
300a:圖
310a,310b,310c,310d:磚塊
320a:底板
330:電連接器

Claims (19)

  1. 一種用於控制一顯示器的背板，該背板包含：一電連接器，其在該背板(backplane)之一周邊(perimeter)上；複數個磚塊(tiles)，其形成為在該背板上之一磚塊陣列(tile array)，該複數個磚塊包括一磚塊在該磚塊陣列之一周邊上且連接至該電連接器；及複數個背板晶粒，其經配置在該磚塊上之一晶粒陣列中，該複數個背板晶粒包括：一第一背板晶粒，其具有在該晶粒陣列之一周邊上之一邊緣；及一第二背板晶粒，其與該第一背板晶粒相鄰且不具有(without)在該晶粒陣列之該周邊上之一邊緣，該第二背板晶粒藉由該第一背板晶粒以連接至該電連接器。
  2. 如請求項1之背板，其中該複數個背板晶粒中之一背板晶粒包含一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)整合電路，該CMOS整合電路產生一電信號以驅動該顯示器的一發光元件。
  3. 如請求項1之背板，其中該複數個背板晶粒中之一背板晶粒包含一互補式金屬氧化物半導體(CMOS)整合電路以用於產生一電信號給該顯示器的一光反射元件。
  4. 如請求項1之背板，當該複數個磚塊經形成為一2x2磚塊陣列時，各磚塊具有兩個邊緣各於該磚塊陣列的該周邊處具有電連接。
  5. 如請求項1之背板，其中該複數個背板晶粒中之該第一背板晶粒為該磚塊上之該晶片陣列中的背板晶粒之一剩餘者(remainder)提供外部電連通(electrical connectivity)。
  6. 如請求項1之背板，其中該複數個背板晶粒經配置在一矩形或正方形的晶粒陣列中，且該複數個背板晶粒中之一背板晶粒包括複數個柱，該複數個柱經由一電性重分佈層(RDL)來與該顯示器的一LED陣列電性連接。
  7. 如請求項1之背板，其中該磚塊包括一包覆模(overmold)，該包覆模經組態以填充該複數個背板晶粒之間的空隙並將該複數個背板晶粒固持(hold)在一起。
  8. 如請求項7之背板，其中該包覆模係自以下各項中之至少一者形成：一二氧化矽材料、一氧化鋁材料、一石墨材料、一陶瓷材料、或一聚合物材料。
  9. 如請求項1之背板，其中該磚塊包括一基板以用於緊固地支撐該複數個背板晶粒。
  10. 如請求項9之背板，該基板為剛性的且包含提供往該複數個背板晶粒中的至少一者的電連接之複數個貫穿矽通孔(TSV)。
  11. 一種顯示器組合件，包含：一背板，該背板包含：一電連接器，其在該背板之一周邊上；一磚塊陣列，其包括在該磚塊陣列之一周邊上且連接至該電連接器之一磚塊；及複數個電耦接的背板晶粒，其經排列在該磚塊上之一晶粒陣列中，該複數個背板晶粒包括：一第一背板晶粒，其具有在該晶粒陣列之一周邊上之一邊緣；及一第二背板晶粒，其與該第一背板晶粒相鄰且不具有在該晶粒陣列之該周邊上之一邊緣，該第二背板晶粒藉由該第一背板晶粒以連接至該電連接器；及一發光二極體(LED)陣列，該LED陣列與該磚塊電耦接。
  12. 如請求項11之顯示器組合件，其中該磚塊包括經設置在該第一背板晶粒及該第二背板晶粒中之各背板晶粒的至少一部分上的一電性重分佈層，用以將該第一背板晶粒或該第二背板晶粒中的至少一者的柱電連接至該LED陣列。
  13. 如請求項11之顯示器組合件，進一步包含至少一個微透鏡陣列，該至少一個微透鏡陣列經組態以折射來自該LED陣列的光。
  14. 如請求項13之顯示器組合件，其中該至少一個微透鏡陣列包含覆蓋該磚塊陣列的一單一微透鏡陣 列。
  15. 如請求項13之顯示器組合件，其中該至少一個微透鏡陣列包含複數個微透鏡陣列，其中該複數個微透鏡陣列之各微透鏡陣列覆蓋該磚塊陣列的一不同磚塊。
  16. 如請求項13之顯示器組合件，其中該至少一個微透鏡陣列包含複數個微透鏡陣列，其中該複數個微透鏡陣列之各微透鏡陣列覆蓋該複數個背板晶粒中之一單一背板晶粒。
  17. 如請求項11之顯示器組合件，其中該磚塊包括一基板，該基板剛性地支撐該複數個背板晶粒。
  18. 如請求項17之顯示器組合件，該基板進一步包含提供往該複數個背板晶粒中的至少一者的電連通性的複數個貫穿矽通孔(TSV)。
  19. 如請求項11之顯示器組合件，其中該磚塊包括一包覆塑模，該包覆塑模經組態以填補該複數個背板晶粒之間的空隙並剛性地支撐該複數個背板晶粒。
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