TWI915515B

TWI915515B - 具有低表面粗糙度及低翹曲之表面處理銅箔、包括該銅箔之銅箔基板及包括該銅箔之印刷配線板

Info

Publication number: TWI915515B
Application number: TW111105622A
Authority: TW
Inventors: 梁暢烈; 徐正雨; 宋基德; 李先珩
Original assignee: 南韓商樂天能源材料股份有限公司
Priority date: 2021-03-11
Filing date: 2022-02-16
Publication date: 2026-02-21

Abstract

本發明公開一種表面處理銅箔以及包括該銅箔之銅箔基板及印刷配線板，其中該表面處理銅箔對樹脂基板表現出極好剝離強度且在與該樹脂基板黏合後表現出低翹曲，且由於其低傳輸損耗因此適合作為高頻箔。該表面處理銅箔包括在一生銅箔上形成之表面處理層及在該表面處理層上形成之防氧化層，其中該表面處理銅箔在其至少一面中含有平均粒徑100 nm以下之細銅顆粒，且具有5以下之變化指數，其係藉下式計算；變化指數(Y) =拉伸強度變化(Y1) +伸長率變化(Y2)（其中Y1=(T1-T2)/(kgf/mm ²)，Y2=(E2-E1)/%，T2及E2分別為在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理90分鐘後測得之拉伸強度及伸長率，T1及E1分別為在室溫下測得之拉伸強度及伸長率）。

Description

具有低表面粗糙度及低翹曲之表面處理銅箔、包括該銅箔之銅箔基板及包括該銅箔之印刷配線板

本發明關於一表面處理銅箔，更具體為對樹脂基板表現出極好剝離強度且在與該樹脂基板黏合後表現出低翹曲之表面處理銅箔，且該銅箔由於其低傳輸損耗因此適合作為高頻箔；以及包括該銅箔之一銅箔基板及一印刷配線板。

隨著電子/電子設備(electric/electronic devices)朝小型化及輕量化之趨勢加快，該印刷電路係以更精細、更高集成度及更小圖案形成在板上，因此對用於印刷電路板中之銅箔有各種物理性質要求。

一種用於生產撓性板、高密度安裝多層板及高頻電路板（以下統稱“電路板”或“印刷配線板”）之複合材料，其係由一導體（銅箔）及用以支撐該導體之一絕緣基板（包括薄膜）。該絕緣基板保持導體間之絕緣性並具有支撐其部件之強度。

為了增加對絕緣基板之剝離強度，習知方法藉由增加流動電流及在表面處理時增加粒狀銅沉積量來提高十點平均粗糙度Rz。然而，此等方法適用於增強剝離強度但不適合高頻電路板，因為用以提高剝離強度之對該銅箔表面之過度處理會給高頻信號之傳輸帶來阻礙因素，從而對信號傳輸造成不良影響。

近來，隨著電子設備基板之薄型化及高集成化趨勢，該絕緣體厚度逐漸減小。在壓縮及加熱條件下將該銅箔沉積在如此薄之絕緣基板上後，該所得之銅箔基板(CCL，Copper Clad Laminate)會翹曲。隨著絕緣設備及/或銅箔設備之厚度減小，此種翹曲問題可能會進一步變嚴重。

為了解決此問題，美國專利第6194056號揭露一種使用各種添加劑之高強度銅箔製造方法。但是，藉由此方法製造之銅箔由於仍保持較高表面粗糙度因此很難用作高頻箔。此外，層壓後也沒有考慮減少翹曲。

為解決相關技術中所遇到之問題進行深入徹底之研究，發現層合前後銅箔之物理性質變化對層合後之銅箔基板翹曲之發生有影響。

據此，本發明之一實施例係在提供一表面處理銅箔，其適合作為對樹脂基板具極好剝離強度及在層壓前後抑制翹曲之高頻箔，及包括該銅箔之銅箔基板及包括該銅箔之印刷配線板。

根據其一實施例，本發明提供一表面處理銅箔，其包括形成在一生銅箔上之一表面處理層，及形成在該表面處理層上之一防氧化層，其中該表面處理銅箔在其至少一面上含有平均粒徑100 nm以下之細銅顆粒且具有5以下之變化指數，其係以下式計算；變化指數 (Y) = 拉伸強度變化 (Y1) + 伸長率變化 (Y2) 其中，Y1 = (T1-T2)/(kgf/mm ²)，Y2 = (E2-E1)/%，T2及E2分別為在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理90分鐘後測得之拉伸強度及伸長率，T1及E1分別為在室溫下測得之拉伸強度及伸長率。

於一實施例，該表面處理銅箔附著在低介電常數樹脂(低-DK預浸體(Low-DK prepreg))、聚醯亞胺(PI，Polyimide)、烴(Hydrocarbon)或聚四氟乙烯(PTFE，Polyetrafluoroethylene)薄膜上後可能有0.5 mm以下之翹曲以製造一銅箔基板。

於一實施例，該表面處理銅箔在其至少一面上有0.5 μm以下之十點平均粗糙度及200以上之光澤度。

於一實施例，該表面處理銅箔對於低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺(PI)、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜可能有0.5 kgf/cm以上之剝離強度。

於一實施例，該表面處理銅箔於20 GHz可能有3.0 dB/100 mm以下之傳輸損耗(S21)。

於一實施例，該防氧化層可能含有選自於由鎳、鈷、鋅、錫及磷所組成之群組中至少一元素，較佳為鎳及磷。

根據其另一實施例，本發明可能提供一銅箔基板，其中該表面處理銅箔沉積在一樹脂基板上。

根據又另一實施例，本發明可能提供一印刷配線板，其使用該銅箔基板形成。

根據本發明所提供之一表面處理銅箔，其適合作為對樹脂基板具極好剝離強度及在層壓前後抑制翹曲之高頻箔，及包括該銅箔之一銅箔基板及包括該銅箔之一印刷配線板。

據此，本文說明之具體實施例及結構體僅作為例示提出，並不代表本發明所有技術概念。因此應理解可存在能代替申請時所述具體實施例之各種均等物及修飾物。

以下，本發明將結合附圖進行詳細說明。

本發明之表面處理銅箔包括：一生箔(raw foil)；在該生箔之至少一面上之一表面處理層；及在該表面處理層上之一防氧化層。下面會詳細解釋該生箔、該生箔之至少一面上之該表面處理層及該表面處理層上之一防氧化層。 A.生箔

只要是在本領域中已知者，任何生銅箔都可被用於本發明中而不受限制。根據一具體實施例，該生箔可為電沉積銅箔（electrodeposited copper foil）或卷銅箔（roll copper foil）。

在本發明中，該生箔厚度沒有特別限制。用於印刷配線板時，該表面處理銅箔厚度範圍可以從6到35μm，較佳為從7到17μm。

在本發明之一特定具體實施例中，該生箔拉伸強度可為35 kgf/mm ²至60 kgf/mm ²、35kgf/mm ²至50kgf/mm ²或35kgf/mm ²至45kgf/mm ²。

此外，在將該生箔黏附到一預浸體以形成銅箔基板或印刷配線板之過程中，該生箔之機械性質較佳地在熱壓前後保持一致。在本發明中，該生箔在壓製前後晶粒變化非常小。

例如，相對於室溫下之拉伸強度(tensile strength)，在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理一段預定期間後，該生箔之拉伸強度變化可以為5%以下或3%以下。此外，相對於室溫下之伸長率 (elongation)，在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理一段預定期間後，該生箔之伸長率變化可以為5%以下或3%以下。 B. 表面處理層

在本發明中，該表面處理層可以形成在該生箔之單面或雙面上。任何形成一表面處理層之方法皆可不受限制地使用。例如，該表面處理層可藉由電沉積該生箔來形成。在此方面，該電解質可為pH值被調整為1至8（例如：6至7）之水溶液，其含有5至60 g/L濃度之銅鹽及50至200 g/L濃度之添加劑。銅鹽之實例包括硫酸銅(CuSO ₄)、硝酸銅(Cu(NO ₃) ₂)、氯化銅(CuCl ₂)、醋酸銅(Cu(CH ₃COO) ₂)等。至於添加劑，可使用選自於由檸檬酸(C ₆H ₈O ₇)、乙二胺四乙酸(C ₁₀H ₁₆N ₂O ₈)、氮基三醋酸(C ₆H ₉NO ₆)、檸檬酸鈉(C ₆H ₅Na ₃O ₇)及酒石酸(C ₄H ₆O ₆)所組成之組群中之至少一者，但不限於此。可以進行電沉積，例如，在維持在25至45°C之電解質溶液中以0.5至10 A/dm ²電流密度進行5至20秒，在該電解質溶液中用不溶性電極及未經處理之生箔分別作為陽極及陰極，但不限於此。 C. 防氧化層

在本發明中，一防氧化層可在該表面處理層上形成。該防氧化層可含有鎳(Ni)及磷(P)。該防氧化層根據需要除鎳和磷外可進一步含有鋅(Zn)、鈷(Co)、鈦(Ti)、錫(Sn)等。

該防氧化層之沉積量可為，例如，30至300 mg/m ²，特別為50至120 mg/m ²，但不限於此。

在本發明中，對該防氧化層之形成沒有特別限制。例如，該防氧化層可藉由電沉積形成在具有該表面處理層之銅箔上。例如，可使用含有3至15 g/L濃度之鎳鹽及15至60 g/L濃度之磷酸(H ₃PO ₄)之水溶液。可進行電沉積，例如，在維持在25至45°C之電解質溶液中以1至5 A/dm ²電流密度進行5至20秒，在該電解質溶液中用不溶性電極及該表面處理銅箔分別作為陽極及陰極，但不限於此。該鎳鹽之實例包括硫酸鎳(NiSO₄)、硝酸鎳(Ni(NO ₃) ₂)、氯化鎳(NiCl ₂)及醋酸鎳(C ₄H ₆NiO ₄)，但不限於此。

如上所述，本發明提供一表面處理銅箔，其包括在生銅箔之至少一面上形成之一表面處理層及在該表面處理層上形成之一防氧化層。於此方面，在形成該表面處理層之該銅箔表面上較佳地可含有平均粒徑100 nm以下之細銅顆粒。例如，該表面處理銅箔表面中該細銅顆粒之平均粒徑可為10至100 nm、20至100 nm或50至100 nm。在本發明中，該銅顆粒之平均粒徑可藉由分析該表面處理層之掃描式電子顯微鏡(SEM)影像來測量及計算。其平均值可從總共100個顆粒之測量值中計算出來。在該表面處理層中該細銅顆粒平均粒徑之給定範圍使該銅箔適合作為高頻箔，其對樹脂基板之剝離強度極高而傳輸損耗低。

此外，本發明之表面處理銅箔較佳具有5以下之變化指數(Y)，其係以下式1來計算： (式1) 變化指數 (Y) = 拉伸強度變化 (Y1) + 伸長率變化 (Y2) 其中，Y1 = (T1-T2)/(kgf/mm ²)，Y2 = (E2-E1)/%，T2及E2分別為在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理90分鐘後測得之拉伸強度及伸長率，T1及E1分別為在室溫下測得之拉伸強度及伸長率。因此，該變化指數(Y)沒有單位。於此方面，該表面處理銅箔可根據IPC-TM-650 2.4.18B藉由使用拉伸測試儀來測定拉伸強度及伸長率。

在滿足上述變化指數之範圍內，本發明之表面處理銅箔在壓製前後有微小之晶粒變化，從而在與一薄預浸體黏合時達到抑制翹曲發生之效果。更具體地，該變化指數(Y)可為4.5以下、4.0以下或3.5以下。

在本發明中，該表面處理銅箔在黏附至低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺(PI)、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜以製造一銅箔基板後可能出現0.5 mm以下或特別為0.4 mm以下之翹曲。於此方面，該翹曲可藉由在銅箔基板中心部分50 mm x 50 mm尺寸橫切(cross cutting)後，用鋼尺測量該銅箔捲曲程度(mm)來評估。

在本發明中，該表面處理銅箔之十點平均粗糙度Rz可為0.4 μm以下、0.5 μm以下、0.6 μm以下或0.7 μm以下。此外，該十點平均粗糙度Rz可為0.2 μm以上或0.3 μm以上。

此外，該表面處理銅箔之光澤度(Gs 60°)可為200以上、250以上或300以上及400或500以下。

因為對於樹脂基板之高剝離強度及低傳輸損耗，給定範圍中之銅箔可適合作為高頻箔。本文使用之術語“十點平均粗糙度Rz”係指在JIS B 0601-1994之5.1表面粗糙度之定義及表示中所定義之十點平均粗糙度Rz，而術語“光澤度(Gs 60°)”可指根據JIS Z 874藉由以60°入射角向銅箔表面照射測量光並測量以60°反射角反射之光之強度而獲得之值。例如，該表面處理銅箔之十點平均粗糙度Rz範圍可為0.25 μm至0.5 μm，特別為0.3 μm至.45 μm之範圍，而其光澤度(Gs 60°)範圍可為200至400，特別為約220至約380之範圍，但不限於此。

在本發明中，該表面處理銅箔對低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜有可為0.5 kgf/cm以上之剝離強度。於此，該剝離強度係指根據JIS C6481標準量測之剝離強度。例如，該表面處理銅箔對低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜可具有例如0.5至1.0 kgf/cm、0.5至2.0 kgf/cm、0.5至3.0 kgf/cm、0.5至4.0 kgf/cm或0.5至7.0 kgf/cm之剝離強度，但不限於此。

在本發明中，該表面處理銅箔可能表現出3.0 dB/100 mm以下之20 GHz傳輸損耗(S21)。於此，術語“20 GHz之傳輸損耗(S21)”係指於使用網路分析儀在之表面處理銅箔中於20 GHz測得之傳輸損耗，該表面處理銅箔有聚四氟乙烯樹脂黏附在其雙面，且有50Ω特性阻抗之微帶線形成於其中。例如，該表面處理銅箔於20 GHz可能表現出0.5至3.0 dB/100 mm、1.0至3.0 dB/100 mm或1.5至2.5 dB/100 mm之傳輸損耗(S21)。

該表面處理銅箔可被層疊在一樹脂基板上以構成銅箔基板，其可用於製造印刷配線板。

藉由以下實施例可更好地理解本發明，此等實施例旨在說明但不應被解釋為限制本發明。＜實施例1＞

用於藉由電鍍製造一銅箔，準備一能用20 L/min速率循環之2L電解槽系統。於此方面，該銅電解質被一致地保持在45°C，10 cmⅹ10 cm大小10 mm厚之尺寸穩定電極 (DSE，dimensionally stable electrode)被用作為陽極電極而與該陽極電極相同大小之鈦電極則作為陰極電極。

為了製造出具有12 μm最終厚度之電沉積銅箔，首先準備一11-μm-厚之未處理生箔。於此方面，使用含銅100 g/L、硫酸150 g/L、氯離子30 ppm、聚乙烯二醇30 ppm、雙(3-磺丙基)二硫化物(bis(3-sulforpropyl)disulfide) 40 ppm、3-(苯并噻唑-2-巰基)丙基硫酸鈉(sodium 3-(benzothiazoli-2-mercapto)propyl sulfate) 40ppm及二乙硫脲(diethylthiourea) 2 ppm之銅電解質於35A/dm ²電流密度來製備生箔。

其次，將未處理生箔浸入含銅5 g/L及乙二胺四乙酸二鈉(disodium ethylenediamintetraacetate) 200 g/L水溶液中進行表面處理，接著在溶液溫度25°C、pH 7及3A/dm ²電流密度條件下電鍍10秒。

隨後，在溶液溫度40℃、pH 4、1A/dm ²電流密度條件下，在含鎳5g/L及磷酸20g/L水溶液中，在該表面處理銅箔上形成防氧化層。＜比較實施例1＞

用與實施例1相同方式製造一表面處理銅箔，不同之處在於使用僅由銅250-400g/L、硫酸 80-150g/L及氯離子1 ppm組成之銅電解質製備未處理生箔。＜比較實施例2＞

用與實施例1相同方式製造一表面處理銅箔，不同之處為在溶液溫度30°C及15 A/dm ²電流密度條件下在由銅25 g/L、硫酸150 g/L組成之銅電解質中電鍍來進行表面處理。＜特性評估＞

對於實施例及比較實施例中製造之表面處理銅箔樣品之物理性質進行評估。評估項目及方法如下。 a. 拉伸強度及伸長率 - 熱處理前之拉伸強度及伸長率根據IPC-TM-650 2.4.18B標準使用拉力試驗機測定拉伸強度及伸長率。 - 熱處理後之拉伸強度及伸長率在壓製該表面處理銅箔後在壓力4.9 Mpa及溫度220°C下使用加壓機90分鐘，根據IPC-TM-650 2.4.18B標準使用拉力試驗機測定拉伸強度及伸長率。 b. 十點平均粗糙度 Rz (單位: μm) 使用表面粗糙度試驗機，根據JIS B0601標準測定表面處理後之銅箔十點平均粗糙度Rz。 c. 銅顆粒平均粒徑(單位: nm) 表面處理後，用掃描式電子顯微鏡拍攝各銅箔表面之SEM影像並將其用於測量100 μm Х 100 μm區域內100個銅顆粒之粒徑，然後計算其平均值。 d. 光澤度(Gs 60°) 表面處理後，根據JIS Z 8741標準測定該銅箔表面之光澤度。 e. 剝離強度(單位: kgf/cm) 根據JIS C6481標準測定各表面處理銅箔之剝離強度。所用之絕緣體可購自Panasonic Corporation商品名MEGTRON (R-5785) 40 μm厚。 f. 傳輸損耗(S21) (單位: dB/100 mm) 12 μm-厚表面處理銅箔被貼附12μm厚之聚四氟乙烯樹脂(AGC化學)在其兩面上然後形成特性阻抗50Ω之微帶線，之後使用HP市售之網路分析儀確定於20 GHz 之傳輸損耗。S21接近0之傳輸損耗較少，因此更適合於高速傳輸。 g. 受熱變色在烘箱中於220°C*2hr之熱處理後，可目測到變色。分別藉由區分標記（O）及（X）來判斷是否有變色。 h. 銅箔翹曲藉由將該表面處理銅箔附著在購自Panasonic Corporation商品名 MEGTRON(R-5785)40μm厚之絕緣體，在4.9Mpa壓力及220℃溫度下壓製90分鐘製造出一試樣。在樣品中心部分用刀劃出尺寸50mm×50mm之橫切後使用鋼尺測量銅箔捲曲程度(mm)。

圖1A及1B係表面處理銅箔試樣表面之電子顯微鏡影像，其係在表面處理前及表面處理及形成防氧化層後之實施例中得到。

參考圖1A及1B，實施例1之試樣在表面處理前有平滑表面(1a)，而在表面處理後其表面出現100 nm以下大小之細銅顆粒(1b)。

圖2A及2B係以FIB拍攝之電子顯微鏡影像，其分別顯示出在實施例1中熱壓之前及之後該表面處理銅箔試樣橫截面上之晶粒變化。

參考圖2a及2b，在壓製之前(2A)及壓製之後(2B)試樣顆粒形態及大小沒有發生顯著變化。

同時，圖3A及3B分別為比較實施例1中在表面處理前及表面處理及形成防氧化層後該表面處理銅箔試樣表面之電子顯微鏡影像。

圖4A及4B係以FIB拍攝之電子顯微鏡影像，其分別顯示出在比較實施例1中熱壓之前及之後該表面處理銅箔試樣橫截面上之晶粒變化。

參考圖3A及3B，相較於該等在表面處理前(圖3A)及實施例1(圖1A)比較實施例1之試樣中出現高粗糙度且在表面處理後有細銅顆粒形成(圖3B)。此外，參考圖4A及4B，與壓製前(圖4A)相比，比較實施例1之試樣在壓製後顆粒大小(圖4B)大大增加。

圖5A及5B為該表面處理銅箔試樣表面之電子顯微鏡影像，其係比較實施例2中在表面處理前(圖5A)及在表面處理及防氧化層形成後(圖5B)。如圖所示，比較實施例2之試樣在表面處理及防氧化層形成後在其表面形成粗大銅粒子(圖5B)。

[表1]中總結實施例1與比較實施例1及2中製備之試樣變化指數(Y)之計算結果。實施例1與比較實施例1及2中所製備試樣之物理性質評估資料總結在[表2]中。

[表1]

Ex. No.	拉伸強度 (kgf/mm ²)	伸長率 (%)	變化指數 Y
T1	T2	T1-T2	E1	E2	E2-E1
實施例1	43.3	41.9	1.4	10.5	12.5	2	3.4
比較實施例1	53.3	23.9	29.4	5.2	16.9	11.7	51.1
比較實施例2	41.9	40.3	1.6	11.9	12.1	0.2	1.8

[表2]

Ex. No.	變化指數 (Y)	處理表面 Rz (μm)	銅粒大小 (nm)	光澤度 (Gs 60°)	剝離強度 (kgf/cm)	S21@20Ghz (dB/100mm)	銅箔翹曲(mm)
實施例1	3.4	0.34	67	307	0.57	1.9	0.4
比較實施例1	51.1	0.89	54	69	0.32	2.7	5.8
比較實施例2	1.8	0.79	1224	63	0.71	3.8	0.6

參考[表1]及[表2]、實施例1及比較實施例2，相較於比較實施例1，表現出低粒值(Y)之實施例1及比較實施例2之試樣在熱壓之前及之後被觀察到有較低之翹曲。此外，如[表2]及圖2至4中可見，與比較實施例1試樣不同在於，翹曲輕微之實施例1試樣在壓製之前及之後晶粒變化微小，而翹曲據了解與熱壓過程中晶粒形態變化有關。此外，與比較實施例1及2試樣相比，具高光澤度且表面以銅粒處理之實施例1試樣儘管粗糙度極低但由於在20 GHz之高剝離強度及低傳輸損耗，其被發現適合作為高頻銅箔。

相較於實施例1，比較實施例1試樣經處理表面上之粗糙度高，但由於壓製後強度降低，剝離強度也降低。

相較於實施例1，比較實施例2表現出高剝離強度，但由於相對較大之銅晶粒及高粗糙度，傳輸損耗降低。

雖然沒有特別總結，均具有防氧化層之實施例1與比較實施例1及2之試樣被判定為抗變色。

前述具體實施例在所有態樣皆為說明性及非限制性，應理解本發明範圍係如下所述，而非申請專利範圍中出現之如上述描述，且本發明範圍係由所附申請專利範圍加以界定，而非前述說明書及其中所述之例示性具體實施例。在本揭露內容請求之等效含義內及申請專利範圍內進行各種修改應被視為在本發明範圍內。工業應用

本發明可應用於電沉積銅箔、銅箔基板及印刷配線板中。

本發明前述及其他實施例、特徵及優點將從以下結合附圖之詳細描述中變得更加明顯，其中：圖1A及1B為該表面處理銅箔試樣之表面電子顯微鏡影像，其係在實施例中分別在表面處理前及表面處理(及形成防氧化層)後製備；圖2A及2B為電子顯微鏡影像（藉由聚焦離子束(FIB)顯微拍攝），其顯示實施例1中分別在熱壓前後製備之該表面處理銅箔橫截面之晶粒變化；圖3A及3B為該表面處理銅箔試樣之表面電子顯微鏡影像，其係在比較實施例1中分別在表面處理前後製備；圖4A及4B為電子顯微鏡影像（藉由FIB顯微拍攝），其顯示比較實施例1中分別在熱壓前後製備之該表面處理銅箔橫截面之晶粒變化；及圖5A及5B為該表面處理銅箔試樣表面之電子顯微鏡影像，其係在比較實施例2中分別在表面處理前後製備。

Claims

一種表面處理銅箔，其包括在一生銅箔上形成一表面處理層及形成在該表面處理層上之一防氧化層，其中該表面處理銅箔至少一面中含有100 nm以下平均粒徑之細銅顆粒，且具有藉下式計算之5以下之一變化指數；變化指數 (Y) = 拉伸強度變化 (Y1) + 伸長率變化 (Y2) 其中，Y1 = (T1-T2)/(kgf/mm²)，Y2 = (E2-E1)/%，T2及E2分別為在4.9Mpa壓力及220℃溫度下熱處理90分鐘後測得之一拉伸強度及一伸長率，T1及E1分別為在室溫下測得之一拉伸強度及一伸長率。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該表面處理銅箔附著在低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺(PI)、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜上後具有0.5 mm以下之一翹曲以製造一銅箔基板。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該表面處理銅箔在其至少一面上具有0.5 μm以下之十點平均粗糙度及200以上之一光澤度。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該生銅箔係一電沉積銅箔。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該表面處理銅箔對低介電常數樹脂(低-DK預浸體)、聚醯亞胺(PI)、烴或聚四氟乙烯(PTFE)薄膜具有0.5 kgf/cm以上之一剝離強度。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該表面處理銅箔於20 GHz具有3.0 dB/100 mm以下之一傳輸損耗(S21)。
如請求項1所述之表面處理銅箔，其中該防氧化層含有選自於由鎳、鈷、鋅、錫及磷所組成之群組中至少一者。
如請求項7所述之表面處理銅箔，其中該防氧化層含有鎳及磷。
一種銅箔基板，其中請求項1至8中任一項所述之表面處理銅箔沉積在一樹脂基板上。
一種印刷配線板，其使用請求項9所述之銅箔基板形成。