TWI917833B - 溫度控制系統、溫度控制方法、半導體裝置之製造方法、處理裝置及程式 - Google Patents

Abstract

可提供一種技術，將複數個溫度感測器進行切換而進行溫度控制。具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行第1控制模式與第2控制模式的切換者。

Description

溫度控制系統、溫度控制方法、半導體裝置之製造方法、處理裝置及程式

本揭示，有關溫度控制系統、半導體裝置之製造方法、處理裝置及程式。

作為半導體裝置之製程的一程序，在晶圓(之後，亦稱為基板)上進行既定的處理(例如專利文獻1參照)。

已記載一種技術，使用透過和載舟(之後，亦稱為保持具)一起移動的溫度感測器而檢測出的溫度，對處理室的溫度進行控制。然而，使用在保持具進行升降中透過此溫度感測器而檢測出的溫度以進行溫度控制時，位置非恰當，故有可能成為異常加熱等不適切的狀態。[先前技術文獻][專利文獻]

[專利文獻1] 國際公開2020-059722號公報

[發明所欲解決之課題]本揭示，可提供一種技術，將複數個溫度感測器進行切換而進行溫度控制。[解決課題之技術手段]

依本揭示的一態樣時，提供一種技術，具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者。[發明功效]

依本揭示時，可將複數個溫度感測器進行切換而進行溫度控制。

以下，一邊參照圖式一邊針對本揭示的一實施方式進行說明。另外，於以下的說明所使用的圖式，皆為示意性者，圖式所示的各要素的尺寸的關係、各要素的比率等，未必和現實者一致。此外，複數個圖式的彼此間，亦各要素的尺寸的關係、各要素的比率等，未必一致。此外，於複數個圖式的相互間，對實質上相同的要素標注相同的符號，於各要素最初所登場的圖式進行該要素的說明，在之後的圖式，只要無特別需要，省略其說明。

如示於圖1，基板處理裝置10，具備作為反應管的處理管11，處理管11由彼此同心圓地配置的作為外管的外管12與作為內管的內管13而構成。外管12，使用石英(SiO₂)，被一體成型為上端閉塞且下端有開口的圓筒形。內管13形成於上下兩端有開口的圓筒形。內管13的筒中空部，形成處理室14，作為保持具的載舟31被搬入於該處理室14；內管13的下端側(開口空間)構成爐口部(爐口空間)15，該爐口部15用於將載舟31取出放入。如後述，載舟31被構成為，將複數枚基板(之後，亦稱為晶圓)1以長長地整列的狀態進行保持。

外管12與內管13之間的下端部，被透過作為爐口凸緣部的歧管16而氣密密封，該歧管16被大致圓筒形地建構。為了外管12及內管13的更換等，歧管16被對於外管12及內管13的各者而裝卸自如地安裝。歧管16支撐於基板處理裝置10的殼體2，使得處理管11呈被垂直地固定的狀態。之後，在圖中，在處理管11方面有時亦省略內管13。

透過外管12與內管13的間隙，排氣路徑17，橫截面形狀被構成為一定寬的圓形環形。如示於圖1，於歧管16之側壁之上部，連接了排氣管18的一端，排氣管18呈和排氣路徑17的最下端部有相通的狀態。於排氣管18的另一端，連接了被透過壓力控制器21而控制的排氣裝置19，於排氣管18的中途，連接了壓力感測器20。壓力控制器21，被構成為基於來自壓力感測器20的測定結果而對排氣裝置19進行回授控制。

於歧管16，從垂直方向下側接有作為蓋體的密封蓋25，該密封蓋25將下端開口進行閉塞。蓋體25，被建構為和歧管16的外徑大致相等的圓盤形，被構成為被透過載舟升降機26而升降於垂直方向，該載舟升降機26，被在殼體2的移載室3中所設備的載舟蓋37進行保護。載舟升降機26，由馬達驅動的進給螺絲軸裝置及伸縮管等而構成，載舟升降機26的馬達27，被構成為被透過驅動控制器28進行控制。於蓋體25之中心線上，旋轉軸30被配置而被支撐為旋轉自如，旋轉軸30被構成為，被透過馬達29而旋轉驅動，該馬達29被透過驅動控制器28而控制。於旋轉軸30之上端，垂直支撐了載舟31。在本實施方式，由旋轉軸30與馬達29而構成旋轉機構。

於歧管16的下方(在本實施方式，蓋體25)，氣體導入管22被以通於內管13的爐口部15的方式而配設，於氣體導入管22連接了原料氣體供應裝置、反應氣體供應裝置及惰性氣體供應裝置(以下，稱為氣體供應裝置)23。氣體供應裝置23，被構成為透過氣體流量控制器24進行控制。從氣體導入管22導入至爐口部15的氣體，在內管13的處理室14流通，通過排氣路徑17而被透過排氣管18進行排氣。

載舟31在上下具備一對端板32、33，以及具備在此等間被垂直地架設的三根的作為保持構件的支柱(柱)34，於三根支柱34，在長邊方向上等間隔地刻有多數個保持溝35。於三根支柱34在相同階所刻的保持溝35彼此，呈彼此相向地具有開口。載舟31，在三根支柱34的相同階的保持溝35間使基板1被插入，從而將複數枚基板1予以整列為水平且彼此對齊了中心的狀態而進行保持。此外，在三根支柱34的相同階的保持溝39間使隔熱板120被插入，從而將複數枚隔熱板120予以整列為水平且彼此對齊了中心的狀態而進行保持。

亦即，載舟31，被構成為將保持了複數枚基板1的端板32至端板38間的基板處理區域，以及將保持了複數枚隔熱板120的端板38至端板33間的隔熱板區域進行區別，被構成為在基板處理區域的下方配置了隔熱板區域。由在端板38與端板33之間所保持的隔熱板120而構成隔熱部36。

旋轉軸30，被構成為將載舟31支撐為從蓋體25之上表面抬起的狀態。隔熱部36，被構成為設於爐口部15，將爐口部15進行隔熱。此外，於蓋體25之下有使載舟31旋轉的馬達29，該馬達29呈中空馬達構造，旋轉軸30將馬達29貫通。

於處理管11的外側，同心圓地配置了作為加熱部的加熱器單元40，被以支撐於殼體2的狀態而設置。於加熱部40，設有作為1溫度感測器的加熱器熱電偶65，溫度控制器64被構成為基於來自第1溫度感測器65的測定結果而對加熱部40進行回授控制。據此，加熱部40，被構成為對保持於載舟31的基板處理區域內的基板1進行加熱。另外，關於第1溫度感測器65的詳細，後述之。此外，加熱部40具備外殼41。外殼41，使用不鏽鋼(SUS)而形成為上端閉塞且下端開口的筒形，優選上形成為圓筒形。此處，上述的「於加熱部40」的記載，不僅指「加熱部40」，加熱部40的附近亦含於其範圍內。

於外殼41內，設置隔熱構造體42。隔熱構造體42，具備配置於外側的側壁外層(之後，亦稱為外層)，以及具備配置於內側的側壁內層(之後，亦稱為內層)，被形成為筒形，優選被形成為圓筒形，該圓筒體之側壁部43被形成為複數層構造。

並且，被構成為，冷卻空氣90，流過設於內層內的氣體供應流路，經由包含該氣體供應流路的供應路徑而供應至空間75。

如示於圖1，於隔熱構造體42之側壁部43之上端側，以將空間75關閉的方式而覆蓋作為頂部的頂壁部80。於頂壁部80，環狀地形成有作為將空間75的環境進行排氣的排氣路徑的一部分的排氣孔81；為排氣孔81之上游側端的下端，和內側空間75相通。排氣孔81的下游側端，連接於排氣管82。並且，被構成為，吹出至空間75的冷卻空氣90被透過排氣孔81及排氣管82進行排氣。

如示於圖2(圖2中，處理基板記載為「1」，省略圖示)，加熱器單元40以可在縱向上對複數區域進行分割控制(圖2中5區域分割)的方式，按區域設有加熱器，故複數個加熱器被堆疊而構成。並且，按個別的區域，設置對加熱器的溫度進行測定的第1溫度感測器65。

於外管12，設置有對處理室14的溫度進行測定的爐內熱電偶(第3溫度感測器)66。此爐內熱電偶66，呈在1個石英管之中收存了和區域數對應的數的熱電偶的構造。並且，其測溫點，設於和區域相向的位置。此處，上述的「於外管12」的記載，不僅指「外管12」，外管12的附近亦含於其範圍內。

對基板1的溫度進行測定的基板熱電偶(第2溫度感測器)211，被構成為，設於載舟31，在載舟31進行旋轉且基板1進行旋轉時，和基板1一起進行旋轉。基板熱電偶211，呈包含下者的構成：對基板溫度進行測定的測溫部211b；以及包含構成測溫部的素線的電纜211c。此處，上述的「於載舟31」的記載，不僅指於「載舟31」，載舟31的附近亦含於其範圍內。

加熱器熱電偶65，為本揭示的技術中的第1溫度感測器的一例。基板熱電偶211，為本揭示的技術中的第2溫度感測器的一例。爐內熱電偶66，為本揭示的技術中的第3溫度感測器的一例。另外，第1溫度感測器、第2溫度感測器及第3溫度感測器，只要為可將溫度作為電訊號而測定者即可，不限於熱電偶，亦可為測溫電阻(resistance temperature detector)等其他感測器。

於旋轉軸30貫通有使電纜211c通過的孔，呈以下的構造：一邊使用氣密密封件等而進行真空密封，一邊將電纜211c抽出至處理室14的外側(例如，旋轉軸30的下部)的發送機221。電纜211c，連接於密封蓋25下的發送機221。

發送機221，呈以下的構造：固定於旋轉軸30，和旋轉軸30一起移動。發送機221，將經由電纜211c而輸入的來自基板熱電偶211的電訊號(電壓)進行數位變換，乘於電波而以無線傳送進行發送。

具有接收機222，該接收機222，固定於蓋體25之下的移載室3的殼體2，具有：端子(輸出端子)222a，其接收發送機221發出的訊號，將所接收的數位訊號，進行串列通訊輸出；或端子(輸出端子)222b，其將所接收的數位訊號，例如轉換為4-20mA等類比訊號並輸出。將此數位訊號或類比訊號的輸出訊號端子，和溫度顯示器(未圖示)或溫度控制器64之間，以電纜223進行連接，將溫度資料輸入至溫度控制器64。另外，接收機222，雖設於移載室3，惟不限定於此方式。亦可配置於移載室3之外，亦可配置於從基板處理裝置10分離的位置。

將載舟裝載時的動作的轉移圖示於圖3。圖3示出：於載舟31搭載複數枚基板1，設置了基板熱電偶211的狀態下的基板上升動作。在圖3中，處理基板記載為「1」，省略圖示。

透過移載裝置125於載舟31搭載基板1的情況下，載舟31的整體位於移載室3。

往載舟31的基板1的搭載結束後，如示於圖3，載舟31及發送機221透過載舟升降機26(圖1參照)而上升。

之後，蓋體25接於歧管16而被固定，載舟31收容於處理室14。將此時的載舟31的位置稱為閉塞位置。

如示於圖4，作為控制部的為控制用電腦的控制器200，具有：包含CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)201及記憶體202等的電腦主體203；作為通訊部的通訊IF(Interface：介面)204；作為記憶部的記憶裝置 205；以及作為操作部的顯示、輸入裝置206。亦即，控制器200，包含作為一般的電腦的構成部分。

CPU201，構成操作部之中樞，執行在作為硬碟的記憶裝置205所記憶的控制程式，依來自顯示、輸入裝置206的指示，執行記錄於記憶裝置205的配方(例如，程序用配方)。此外，作為記憶CPU的動作程式等的記錄媒體，亦可使用ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory：電子抹除式可複寫唯讀記憶體)、快閃記憶體等。此處，作為暫時記憶部的記憶體202，作用為CPU201的工作區。於本揭示的實施方式，雖舉控制器200為例進行了說明，惟不限於此，亦可使用一般的電腦系統而實現。例如，亦可透過從儲存了供於執行上述的處理用的程式的軟性碟、CD-ROM、USB等記錄媒體將該程式安裝於通用電腦，從而執行上述的處理。

通訊部204，和壓力控制器21、氣體流量控制器24、驅動控制器28、溫度控制器64(有時將此等概括稱為子控制器)進行電連接。控制器200，可經由此通訊部204而和子控制器交換和各組件的動作有關的資料。

如示於圖5，溫度控制器64，具有控制部64a、通訊IF64b、熱電偶輸入部64c以及控制輸出部64d。

控制部64a，執行控制程式，使用透過通訊IF64b及熱電偶輸入部64c而取得的資訊，執行依照了後述的溫度控制運算法下的控制運算，往控制輸出部64d輸出運算結果。

通訊介面64b，具有：供於和為上位控制器的控制器200等進行連接用的有線IF；以及供於和固定於載舟31的發送機221進行連接用的為無線IF的接收機222。

通訊介面64b，從控制器200接收目標溫度及控制參數等資訊，發送控制運算結果、溫度資訊。此外，通訊介面64b，從載舟升降機26的驅動控制器28，接收載舟位置資訊。此外，通訊介面64b，經由發送機221及接收機222，接收基板熱電偶211的溫度。

熱電偶輸入部64c，從加熱器熱電偶65及爐內熱電偶66輸入和溫度相當的電訊號，轉換為數位訊號，往控制部64a輸出。

控制輸出部64d，基於從控制部64a接收的運算結果，輸出供於進行加熱器單元40的溫度控制用的加熱器控制訊號。

在之後的說明，將透過加熱器熱電偶65而檢測出的溫度稱為加熱器溫度，將使用了加熱器熱電偶65下的溫度控制稱為加熱器溫度控制。此外，將透過基板熱電偶211而檢測出的溫度稱為基板溫度，將使用了基板熱電偶211下的溫度控制稱為基板溫度控制。此外，將透過爐內熱電偶66而檢測出的溫度稱為爐內溫度，將使用了爐內熱電偶66下的溫度控制稱為爐內溫度控制。

接著，利用圖6，針對本實施方式中的溫度控制系統的控制方塊圖的一例進行說明。此處，溫度控制系統，具有：第1控制模式，其為基於加熱器熱電偶65的檢測溫度而對處理室14的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於基板熱電偶211的檢測溫度而對處理室14的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為，能以予以執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制的方式，進行此等第1控制模式與第2控制模式的切換。

另外，於本揭示的技術，載舟31的狀態，表示載舟31為動作中的全部的狀態，以及表示載舟31的停止的狀態(停止狀態)；該動作中的全部的狀態，包括：移動中的狀態(移動狀態)；轉送中的狀態；搬送中的狀態；升降中的狀態；搬入中的狀態；搬出中的狀態；裝載中的狀態；卸載中的狀態；上升中的狀態；下降中的狀態；以及載舟31的旋轉中的狀態等。

控制方塊，具有依校正部1、PID運算部1、切換部(輸入端A)及PID運算部2的順序而連接的控制模式，以及具有依校正部2、切換部(輸入端B)及PID運算部2的順序而連接的控制模式。對PID運算部1、PID運算部2及切換部，輸入載舟位置資訊。

溫度控制器64，依包含載舟31的狀態的載舟位置資訊，選擇切換部的輸入端。另外，載舟31的狀態為停止狀態的情況下，載舟31位於閉塞位置。

載舟31位於閉塞位置的情況下，溫度控制器64，選擇切換部的輸入端「A」，使基板溫度及加熱器溫度作為被控制量而進行PID控制。此處，基板溫度，為透過基板熱電偶211而檢測出的檢測溫度；加熱器溫度，為透過加熱器熱電偶65而檢測出的檢測溫度。

使切換部的輸入端為「A」的情況下的控制，為本揭示的技術中的第2控制模式的一例。第2控制模式，為加熱器熱電偶65及基板熱電偶211之中，至少使用基板熱電偶211而進行控制的控制模式。

載舟31位於閉塞位置以外的位置的情況下，溫度控制器64，選擇切換部的輸入端「B」，僅將加熱器溫度作為被控制量而進行PID控制。

使切換部的輸入端為「B」的情況下的控制，為本揭示的技術中的第1控制模式的一例。第1控制模式，為加熱器熱電偶65及基板熱電偶211之中，僅使用加熱器熱電偶65而進行控制的控制模式。

校正部1及校正部2，依將爐內控制為同等溫度之際的目標溫度與加熱器溫度及基板溫度等的差分，對目標溫度進行校正。

透過此切換部的切換，使得切換部的輸出發生跳躍而產生不連續值，故被構成為，將載舟位置資訊亦輸入於PID運算部1及PID運算部2，透過所謂的無擾動(bumpless)處理、積分停止處理等，從而在切換前後亦可平滑地進行控制。

接著，利用圖7，針對以基板處理裝置進行的基板處理序列的一例進行說明。具體而言，針對示於圖7(B)的基板處理序列的各步驟S101～S104中的示於圖6的上述的溫度控制系統的動作進行說明。

步驟S101(待機步驟)，為使爐內(處理室14)的溫度穩定於待機溫度T0的處理。在步驟S101，基板1尚未投入於爐內。亦即，載舟31，配置於處理室14的外側。因此，載舟31，未位於閉塞位置，故溫度控制器64，被構成為選擇切換部的輸入端「B」，以第1控制模式執行溫度控制。

步驟S102(載舟裝載步驟)，為將保持於載舟31的基板1往爐內投入的處理。載舟31及基板1的溫度在此時點比待機溫度T0低，且將基板1往爐內投入的結果，爐外的環境(室溫)被導入於爐內，故爐內的溫度暫時變比待機溫度T0低。之後，透過利用了溫度控制器64下的控制，使得爐內的溫度經過略微之時間而再次穩定於目標溫度(此情況下，和待機溫度T0相同)。在本圖，雖圖示為使將處理基板往爐內投入後及下個步驟S103的目標溫度和步驟S101相等，惟因應於步驟S103的要求條件，有時投入後的目標溫度會不同。

在步驟S102(載舟裝載步驟)，溫度控制器64被構成為，接著以上述的第1控制模式執行溫度控制。並且，保持於載舟31的基板1的往爐內的投入完畢時，亦即，溫度控制器64，取得載舟31位於閉塞位置的載舟位置資訊時，選擇切換部的輸入端「A」，從第1控制模式切換為第2控制模式而執行溫度控制。

之後，溫度控制器64，接著以第2控制模式執行溫度控制，使爐內的溫度穩定於目標溫度T0。此時，將從步驟S102(載舟裝載步驟)的開始至基板1的往爐內的投入完畢為止的期間稱為第1期間，將接著在基板1的往爐內的投入後使此爐內的溫度穩定的期間稱為第2期間。於此第2期間，載舟31雖為停止狀態，惟亦可透過未圖示的旋轉機構而同載舟31使基板1進行旋轉。亦即，原因在於，即便使載舟31進行旋轉，載舟31僅進行自轉，為閉塞位置的情況不變。另外，亦可作成為，將此第2期間接著併入於步驟S103。

步驟S103(處理步驟)，為以下的處理：將爐內的溫度以目標溫度T0進行維持，對基板1實施既定的處理。溫度控制器64，接著，以第2控制模式執行溫度控制。此時，載舟31的狀態即使為動作中(旋轉中)，載舟位置資訊仍在閉塞位置不變，故溫度控制器64，在不進行切換之下，執行第2控制模式下的溫度控制。

步驟S104(載舟卸載步驟)，為將實施了處理的基板1同載舟31從爐內進行抽出的處理。在步驟S104(載舟卸載步驟)，溫度控制器64被構成為，選擇切換部的輸入端「B」，以第1控制模式執行溫度控制。

具體而言，溫度控制器64，在步驟S104(載舟卸載步驟)的開始時，取得載舟31非閉塞位置如此的載舟位置資訊，將切換部的輸入端「A」切換為輸入端「B」，從而從第2控制模式切換為第1控制模式，在步驟S104(載舟卸載步驟)，以第1控制模式執行溫度控制。

留有應實施處理而未處理的基板1的情況下，使處理完基板1從載舟31退避，替而和未處理基板1進行更換，重複此等步驟S101～S104的一連串的處理。

此等步驟，被構成為在獲得如下的穩定狀態後實施：相對於目標溫度，爐內溫度在所預先設定的微小溫度範圍內，且該狀態持續所預先設定的時間以上。

在本實施方式，在執行包含裝載步驟、對基板1進行處理的步驟以及卸載步驟的處理配方中，切換部，被構成為可依載舟31的狀態而執行第1控制模式與第2控制模式的切換，從而在裝載步驟或卸載步驟，進行依第1控制模式下的處理室14的溫度控制，此外在對基板進行處理的步驟，進行依第2控制模式下的處理室14的溫度控制。

換言之，在本實施方式，切換部，被構成為可切換控制模式，從而在載舟31從處理室14的外側朝處理室14而移動中，或在載舟31從處理室14朝處理室14的外側而移動中，進行依第1控制模式下的處理室的溫度控制。另一方面，切換部，被構成為可切換控制模式，從而在載舟31被配置於處理室14的狀態(停止狀態)下，進行依第2控制模式下的處理室的溫度控制。進一步言之時，切換部，被構成為可切換控制模式，從而在將基板1進行保持的載舟31被配置於處理室時，且在以既定的處理溫度對基板1進行處理時，進行依第2控制模式下的處理室的溫度控制。此處，在本說明書，處理溫度，表示處理室14的溫度。

此外，在裝載步驟，切換部，被構成為可在載舟31的狀態從朝處理室14的移動狀態變化為停止狀態的情況下，從第1控制模式切換為第2控制模式。另一方面，在卸載步驟，切換部，被構成為可在載舟31的狀態從載舟31被配置於處理室14的狀態(停止狀態)變化為從處理室14的移動狀態時，亦即可在開始載舟31的往處理室14的外側的移動動作的時序，從第2控制模式切換為第1控制模式。

在本實施方式，由於被構成為，可在載舟31的狀態例如在載舟31朝處理室14的移動狀態時，切換為不使用基板熱電偶211的控制模式，此外可在載舟31的移動結束時，亦即可在載舟31的狀態為停止狀態時，切換為使用基板熱電偶211的控制模式，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下使用於溫度控制的情況，可執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制。

此外，裝載步驟，包含第1期間與第2期間，該第1期間，為載舟31從處理室14的外側朝處理室14進行移動的狀態(移動狀態)者，該第2期間，為載舟31被配置於處理室14的狀態(停止狀態)者；溫度控制器64，被構成為在第1期間以第1控制模式且在第2期間以第2控制模式執行溫度控制。

此外，亦可作成為，第1期間，為載舟31為搬入中的狀態，第2期間，為載舟31為停止中的狀態。此外，亦可作成為，第1期間，為保持具為上升中的狀態，第2期間，為保持具為停止中的狀態。

據此，由於被構成為，在載舟31朝處理室14移動的第1期間，不使用基板熱電偶211，在載舟31的移動結束，亦即在為停止狀態的第2期間，使用基板熱電偶211，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下使用於溫度控制的情況，可執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制。

此外，亦可被構成為，在裝載步驟的開始時透過第1溫度感測器而檢測出的待機溫度，和在對基板1進行處理的步驟所設定的處理溫度相同，或比該處理溫度低。此外，此情況下，待機溫度，可設為在基板1未配置於處理室14的狀態所保持的溫度。

據此，由於被構成為，可在如和在未配置有基板1的狀態下所保持的待機溫度相同或比該待機溫度低的低溫區域的程序的溫度控制下，於載舟31從處理室14的外側朝處理室14進行移動的步驟(裝載步驟)，在載舟31的移動結束時使用基板熱電偶211，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下使用於溫度控制的情況，可執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制。

此處，控制器200，被構成為在經過所預先設定的既定時間(例如，步驟時間)時，對溫度控制器64輸出轉往下個步驟的指示。此處，各步驟(S101～S104)，被個別地設定既定的步驟時間。另外，關於此指示，控制切換訊號方面，詳細後述之。

據此，例如被構成為，從載舟31的移動動作開始後經過所預先設定的既定時間(例如，步驟時間)時，切換部，可從第1控制模式切換為第2控制模式。

另外，所預先設定的既定時間，例如亦可設為將載舟31朝處理室14移動的第1期間與使處理室14的溫度穩定化的第2期間加總的時間。

據此，由於被構成為，載舟31朝處理室14移動的步驟，可不使用基板熱電偶211，載舟31的移動結束，亦即載舟31的狀態為停止狀態的步驟，可使用基板熱電偶211，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下使用於溫度控制的情況，可執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制。

接著，利用圖8，針對在上述基板處理序列的執行中所進行的溫度控制序列的一例進行說明。

溫度控制序列，被以溫度控制週期之時序而執行，從步驟S200開始，在步驟S214結束。

溫度控制器64，於步驟S202，進行載舟31是否位於閉塞位置的判定。

於步驟S202，判定為載舟31位於閉塞位置的情況下，溫度控制器64，於步驟S204，選擇切換部的輸入端「A」，於步驟S206，執行依第2控制模式下的控制運算。之後，溫度控制器64，於步驟S212，依控制運算結果而輸出加熱器控制訊號，使處理結束。

於步驟S202，判定為載舟31未位於閉塞位置的情況下，溫度控制器64，於步驟S208，選擇切換部的輸入端「B」，於步驟S210，執行依第1控制模式下的控制運算。之後，溫度控制器64，於步驟S212，依控制運算結果而輸出加熱器控制訊號，使處理結束。

本實施方式的基板處理裝置10，例如被構成為可進行第1控制模式與第2控制模式的切換，從而在載舟31朝處理室14移動中的情況下，進行依第1控制模式下的爐內(處理室14)的溫度控制，例如在從載舟31朝處理室14的移動狀態變化為停止狀態的情況下，進行依第2控制模式下的爐內的溫度控制。

於本實施方式，例如被構成為，在處理室14被透過附隨於載舟31而移動的構件(例如，蓋體25)而閉塞時，切換部，可從第1控制模式切換為第2控制模式。此外，被構成為，處理室14被透過附隨於載舟31而移動的構件(例如，蓋體25)而密閉時，切換部，可從第1控制模式切換為第2控制模式。

此外，切換部，被構成為，可在載舟31的往處理室14的移動動作完畢的時序，從第1控制模式切換為第2控制模式，在載舟31的從處理室14的移動動作被開始的時序，從第2控制模式切換為第1控制模式。

如此般，由於被構成為，在載舟31移動中，依不使用基板熱電偶211的控制模式而進行溫度控制，在載舟31的移動結束且載舟31的狀態成為停止狀態時，依使用基板熱電偶211的控制模式而進行溫度控制，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下使用於溫度控制的情況，可依載舟31的狀態而執行溫度控制。

針對本實施方式，進一步利用圖11進行說明。如示於圖11(A)，在比較例，載舟裝載開始時的載舟31的溫度比爐內的溫度低，故將爐內的溫度控制總是以基板熱電偶211進行了控制的情況下，存在處理室14的溫度過度變比目標溫度高溫之虞。

相對於此，如示於圖11(B)，在本實施方式，在載舟裝載完畢而載舟31到達於閉塞位置的階段，將爐內的溫度控制從加熱器溫度控制切換為基板溫度控制，使得比起載舟裝載開始時的加熱器熱電偶(第1溫度感測器)65的溫度，處理室14的溫度與基板熱電偶(第2溫度感測器)211的溫度的差變小，故可抑制處理室14的溫度成為比目標溫度高溫的程度。

此外，載舟31在爐內停止的情況下將基板熱電偶211使用於溫度控制，使得可縮短透過基板熱電偶211而檢測出的溫度(基板溫度)到達於目標溫度為止之時間。

＜變形例＞接著，利用圖9，針對本實施方式中的溫度控制系統的控制方塊圖的變形例進行說明。此處，溫度控制系統，具有：第3控制模式，其為基於爐內熱電偶66的檢測溫度而對處理室14的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於基板熱電偶211的檢測溫度而對處理室14的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為，能以予以執行因應於載舟31的狀態下的溫度控制的方式，進行此等第2控制模式與第3控制模式的切換。和上述的本實施方式不同的點，僅在於第1控制模式替換為第3控制模式，即使為採如此的態樣的情況下，仍可獲得和上述的本實施方式相同的效果。

控制方塊，具有依校正部1、PID運算部1、切換部(輸入端A)及PID運算部2的順序而連接的和上述的本實施方式同樣的第2控制模式，以及具有依校正部2、PID運算部3、切換部(輸入端B)及PID運算部2的順序而連接的控制模式。

對PID運算部1、PID運算部2及切換部，輸入載舟位置資訊或來自控制器200的控制切換訊號。此處，控制切換訊號，為以下的控制訊號：用於指示使用基板熱電偶211的模式與不使用基板熱電偶211的模式的切換；指示上述的步驟切換。

溫度控制器64，依包含載舟31的狀態的載舟位置資訊，選擇切換部的輸入端。另外，載舟31的狀態為停止狀態的情況下，載舟31位於閉塞位置。

載舟31位於閉塞位置的情況下，溫度控制器64，選擇切換部的輸入端「A」，使基板溫度及加熱器溫度作為被控制量而進行PID控制。

載舟31位於閉塞位置以外的位置的情況下，溫度控制器64，選擇切換部的輸入端「B」，將爐內溫度及加熱器溫度作為被控制量而進行PID控制。此處，爐內溫度，為透過爐內熱電偶66而檢測出的檢測溫度。

於此變形例，使切換部的輸入端為「B」的情況下的控制，為本揭示的技術中的第3控制模式的一例。第3控制模式，為爐內熱電偶66及加熱器熱電偶65之中，至少使用一者而進行控制的控制模式。

校正部1及校正部2，依將爐內控制為同等溫度之際的目標溫度與加熱器溫度及基板溫度等的差分，對目標溫度進行校正。

透過切換部的切換，使得切換部的輸出發生跳躍而產生不連續值，故被構成為，將載舟位置資訊亦輸入於PID運算部1及PID運算部2，透過所謂的無擾動(bumpless)處理、積分停止處理等，從而在切換前後亦可平滑地進行控制。

另外，PID運算部2與PID運算部3，亦可為了控制運算的精簡化，構成為實施相同的運算。

接著，利用圖10，針對在上述基板處理序列的執行中所進行的溫度控制序列的變形例進行說明。

溫度控制序列，被以溫度控制週期之時序而執行，從步驟S300開始，在步驟S314結束。

溫度控制器64，於步驟S302，進行以下的判定：從控制器200接收的控制切換訊號，是否為指示使用基板熱電偶211的模式的控制訊號。

於步驟S302，判定為控制切換訊號為指示使用基板熱電偶211的模式的控制訊號的情況下，溫度控制器64，轉移至步驟S200群，使用包含和控制切換訊號一起取得的載舟31的狀態的載舟位置資訊，載舟31為閉塞位置時，進行在上述所說明的從步驟S202至步驟S206為止的處理。之後，溫度控制器64，於步驟S312，依控制運算結果而輸出加熱器控制訊號，使處理結束。

於步驟S302，判定為控制切換訊號為指示不使用基板熱電偶211的模式的控制訊號的情況下，溫度控制器64，於步驟S308，選擇切換部的輸入端「B」，於步驟S310，執行依第3控制模式下的控制運算。之後，溫度控制器64，於步驟S312，依控制運算結果而輸出加熱器控制訊號，使處理結束。

此處，於步驟S302，從控制器200作為控制切換訊號接收到予以轉移往下個步驟的指示的溫度控制器64，對步驟資訊進行確認。例如，為在示於圖7的基板處理序列從S101往S102的轉移指示，或為從S103往S104的轉移指示、從S104往S101的轉移指示時，判定為係指示不使用基板熱電偶211的模式的控制訊號；為從S102往S103的轉移指示時，判定為係指示使用基板熱電偶211的模式的控制訊號。

在此變形例，被構成為，代替第1控制模式而具有第3控制模式，該第3控制模式，為基於在包含處理室14於內部的容器的附近所配置的第3溫度感測器的檢測溫度而對處理室14的溫度進行控制者；載舟31為移動中的情況下，例如在載舟裝載中或載舟卸載中，進行依第3控制模式下的處理室14的溫度控制。具體而言，切換部，被構成為可切換為第3控制模式，從而在載舟31從處理室14的外側朝處理室14而移動中，或在載舟31從處理室14朝處理室14的外側而移動中，進行依第3控制模式下的處理室14的溫度控制。

此外，被構成為，可在載舟31朝處理室14移動的期間(從動作開始至既定時間為止)，代替第1溫度感測器而使用第3溫度感測器，載舟31的移動結束時，和上述的本實施方式同樣地使用第2溫度感測器。

據此，依此變形例時，亦和本實施方式同樣地，例如由於被構成為，在載舟31朝處理室14移動的步驟，載舟31的移動結束時使用基板熱電偶211，故不會有在基板熱電偶211的位置非恰當的狀態下用於溫度控制的情況，可執行因應了載舟31的狀態下的溫度控制。

此外，亦可被構成為，從載舟31被配置於處理室14的狀態開始了載舟31的移動動作時，切換部，從第3控制模式切換為第2控制模式。即使為作成為如此的態樣的情況下，仍可獲得和上述的本實施方式相同的效果。

接著，針對本變形例，利用圖12進行說明。如示於圖12(A)，使爐內的溫度控制總是為爐內溫度控制的情況下，載舟裝載完畢而載舟31到達於閉塞位置後，以第3溫度感測器66檢測出的溫度雖到達於目標溫度，惟直到基板1的溫度(基板溫度)到達於爐內的溫度(目標溫度)為止，需要時間。另外，在本圖雖未示出，惟使爐內的溫度控制總為加熱器溫度控制的情況亦同樣地，以第1溫度感測器65檢測出的溫度雖到達於目標溫度，惟載舟31到達於閉塞位置後，直到基板1的溫度(基板溫度)到達於目標溫度為止，需要時間。

相對於此，如示於圖12(B)般，在載舟裝載完畢而載舟31到達於閉塞位置的階段，將爐內的溫度控制從爐內溫度控制切換為基板溫度控制，使得比起為不進行基板溫度控制的情況的(圖12(A))，能以短時間使基板1的溫度到達於目標溫度。

上述的態樣、變形例，可酌情組合而使用。此時的處理程序、處理條件，例如可作成為和上述的態樣、變形例的處理程序、處理條件相同。此外，只要在說明書中無特別的告知，各要素不定於一個，亦可存在複數個。

＜其他實施方式＞以上，具體地說明了本揭示的實施方式。然而，本揭示非限定於上述的實施方式者，在不脫離其要旨的範圍內可作各種變更。例如，在上述的實施方式，雖使基板熱電偶(第2溫度感測器)211的檢測溫度為基板溫度，惟不需要特別作限定性解釋，基板溫度，有時表示透過複數個溫度感測器之中在最接近基板之處且和基板相同的處理空間所設的溫度感測器而檢測出的溫度與廣義的意思。

例如，亦可具有可選擇地執行第3控制模式與第2控制模式中的其中一方的控制部，控制部，被構成為在載舟31變化為停止狀態的情況下，從第3控制模式切換為第2控制模式，設定依照了相對於目標溫度所預先指定的比率下的中間目標溫度。

採如此的構成，使得即使具有在控制模式切換時產生的基板熱電偶211與其以外的溫度感測器間的溫度的背離時，仍可因溫度感測器的檢測溫度與基板溫度的隔離而抑制加熱器單元40導致的異常加熱，且可抑制因溫度感測器的誤檢測導致的加熱器單元40的過度加熱所造成的超出(overshoot)。再者，其結果，可期待加熱器單元40的無益的電力消耗的減低。

詳細而言，如示於圖13(A)般，緊接著將爐內的溫度控制從爐內溫度控制切換為基板溫度控制之後，目標溫度與基板溫度的偏差大，故爐內溫度暫時變比目標溫度高溫。

為此，如示於圖13(B)般，在本態樣，將爐內的溫度控制從爐內溫度控制切換為基板溫度控制後一定期間，依照相對於目標溫度所預先指定的比率而設定予以降低了目標溫度的中間目標溫度。

在示於圖13(B)之例，在緊接著將爐內的溫度控制從爐內溫度控制切換為基板溫度控制後，將中間目標溫度設定為和透過基板熱電偶211而檢測出的溫度相同，以從所設定的溫度逐漸不斷接近目標溫度的方式使中間目標溫度進行變化。

據此，可縮小將爐內的溫度控制從爐內溫度控制切換為基板溫度控制後的目標溫度與基板溫度的偏差，故可抑制爐內溫度的超出。

此外，例如，在上述實施方式，雖針對使用為批次式的縱型裝置之基板處理裝置(一次對複數枚基板進行處理)而成膜之例進行了說明，惟本揭示不限定於此，在使用一次對1枚基板進行處理的單片式的基板處理裝置而成膜的情況下，亦可適合地應用。

此外，本揭示的實施方式中的基板處理裝置，不僅可在製造半導體的半導體製造裝置進行應用，亦可在對如LCD(Liquid Crystal Display：液晶顯示器)裝置的玻璃基板進行處理的裝置進行應用。此外，對於基板的處理，例如包括CVD、PVD、形成氧化膜、氮化膜的處理、形成包含金屬的膜的處理、退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理等。此外，不言而喻亦可應用於曝光裝置、塗布裝置、乾燥裝置、加熱裝置等各種基板處理裝置。

2022年12月23日申請的日本特願2022-207375號的揭示，其整體援用於本說明書中。記載於本說明書的所有文獻、日本特願及技術規格，和具體且分別記載了援用了各個文獻、日本特願及技術規格的情形的情況相同程度，援用於本說明書中。[產業利用性]

本揭示，可應用於一種基板處理裝置，具有安裝了溫度感測器的基板保持具，對保持於此基板保持具的基板進行處理。

1:基板(晶圓)14:處理室31:載舟(基板保持具)40:加熱器單元(加熱部)64:溫度控制器65:加熱器熱電偶(第1溫度感測器)211:基板熱電偶(第2溫度感測器)

[圖1]為本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的正面截面圖。[圖2]為本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的示意圖。[圖3]圖3，為針對本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的載舟裝載時的轉移進行繪示的示意圖，為針對載舟在上升中的狀態進行繪示的圖。[圖4]為針對本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置中的控制器的硬體構成進行繪示的圖。[圖5]為針對本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置中的溫度控制器的硬體構成進行繪示的圖。[圖6]為本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置中的溫度控制系統的控制方塊圖。[圖7]圖7(A)，為供於說明在本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置所進行的基板處理序列用的圖，為針對基板處理序列進行繪示的流程圖；圖7(B)，為供於說明在本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置所進行的基板處理序列用的圖，為針對處理序列的各步驟中的溫度進行繪示的圖形。[圖8]為針對在本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置所進行的溫度控制序列進行繪示的流程圖。[圖9]為本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置中的溫度控制系統的變形例的控制方塊圖。[圖10]為針對在本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置所進行的溫度控制序列的變形例進行繪示的流程圖。[圖11]圖11(A)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為針對使爐內的溫度控制總為基板溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形；圖11(B)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為在將爐內的溫度控制從加熱器溫度控制切換為基板溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形。[圖12]圖12(A)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為針對使爐內的溫度控制總為加熱器溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形；圖12(B)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為針對在使爐內的溫度控制從加熱器溫度控制切換為基板溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形。[圖13]圖13(A)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為針對在使目標溫度為一定而將爐內的溫度控制從加熱器溫度控制切換為基板溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形；圖13(B)，為供於說明本揭示的一實施方式所關聯的基板處理裝置的效果用的圖，為針對在使目標溫度變化而將爐內的溫度控制從加熱器溫度控制切換為基板溫度控制的情況下的溫度變動進行繪示的圖形。

1:基板(晶圓)

2:殼體

3:移載室

12:外管

13:內管

25:密封蓋

29:馬達

30:旋轉軸

31:載舟(基板保持具)

36:隔熱部

40:加熱器單元(加熱部)

64:溫度控制器

65:加熱器熱電偶(第1溫度感測器)

66:爐內熱電偶(第3溫度感測器)

211:基板熱電偶(第2溫度感測器)

211b:測溫部

211c:電纜

221:接收發送機

222:接收機

222a,222b:端子(輸出端子)

223:電纜

Claims (21)

1. 一種溫度控制系統，具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；前述切換部，被構成為可在前述保持具的朝前述處理室的移動動作被開始後經過所預先設定的既定時間時，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式；前述所預先設定的既定時間，為將前述保持具朝前述處理室而移動的第1期間，以及將使前述處理室的溫度穩定化的第2期間，進行了加總的時間。
2. 如請求項1的溫度控制系統，其中，前述切換部，被構成為可切換為前述第1控制模式，從而在前述保持具從前述處理室的外側朝前述處理室而移動中，或在前述保持具從前述處理室朝前述處理室的外側而移動中，進行依前述第1控制模式下的前述處理室的溫度控制。
3. 如請求項1的溫度控制系統，其中，前述切換部，被構成為可從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式，從而在前述保持具從朝前述處理室的移動狀態變化為停止狀態的情況下，進行依前述第2控制模式下的前述處理室的溫度控制。
4. 如請求項1的溫度控制系統，其中，前述切換部，被構成為可從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式，從而在前述處理室被透過附隨於前述保持具而移動的構件而閉塞的狀態下，進行依前述第2控制模式下的前述處理室的溫度控制。
5. 如請求項1的溫度控制系統，其中，前述切換部，被構成為可在前述保持具的朝前述處理室的移動動作完畢的時序，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式，在前述保持具的從前述處理室的移動動作被開始的時序，從前述第2控制模式切換為前述第1控制模式。
6. 如請求項1的溫度控制系統，其中，前述切換部，被構成為可在從前述保持具被配置於前述處理室的狀態開始了前述保持具的往前述處理室的外側的移動動作的時序，從前述第2控制模式切換為前述第1控制模式。
7. 一種溫度控制系統，具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；前述切換部，被構成為可在前述保持具的朝前述處理室的移動動作被開始後經過所預先設定的既定時間時，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式；前述所預先設定的既定時間，為處理配方的步驟時間。
8. 如請求項7的溫度控制系統，其中，前述處理配方，具有裝載步驟、對前述基板進行處理的步驟以及卸載步驟，前述切換部，被構成為可依前述保持具的狀態而從前述第2控制模式切換為前述第1控制模式，從而在前述裝載步驟或前述卸載步驟，進行依前述第1控制模式下的前述處理室的溫度控制。
9. 如請求項8的溫度控制系統，其中，前述裝載步驟，包含前述保持具朝前述處理室而移動的第1期間，以及包含為前述保持具被配置於前述處理室的狀態的第2期間，前述第2期間為使前述處理室的溫度穩定化的期間。
10. 如請求項9的溫度控制系統，其中，前述第1期間，為前述保持具為搬入中的狀態，前述第2期間，為前述保持具為停止中的狀態。
11. 如請求項7的溫度控制系統，其中，前述處理配方，具有裝載步驟、對前述基板進行處理的步驟以及卸載步驟，前述切換部，被構成為可依前述保持具的狀態而從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式，從而在對前述基板進行處理的步驟，進行依前述第2控制模式下的前述處理室的溫度控制。
12. 如請求項8的溫度控制系統，其中，被構成為，在前述裝載步驟的開始時透過前述第1溫度感測器而檢測出的待機溫度，和在對前述基板進行處理的步驟所設定的處理溫度相同，或比該處理溫度低。
13. 如請求項12的溫度控制系統，其中，前述待機溫度，為在基板未配置於前述處理室的狀態所保持的溫度。
14. 一種溫度控制系統，具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；進一步具有第3控制模式，該第3控制模式，為基於配置在前述處理室的第3溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者，前述切換部，被構成為可切換為前述第3控制模式，從而在前述保持具從前述處理室的外側朝前述處理室而移動中，或在前述保持具從前述處理室朝前述處理室的外側而移動中，進行依前述第3控制模式下的前述處理室的溫度控制。
15. 一種溫度控制系統，具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；進一步具有可選擇地執行前述第1控制模式及前述第2控制模式中的其中一方的控制部，前述控制部，被構成為可在前述保持具變化為前述停止狀態的情況下，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式，設定依照了相對於目標溫度所預先指定的比率下的中間目標溫度。
16. 一種溫度控制方法，具有：透過如請求項1～請求項15中任一項的溫度控制系統，使前述處理室之溫度達至處理溫度之步驟。
17. 一種半導體裝置之製造方法，具有：透過如請求項1～請求項15中任一項的溫度控制系統，使前述處理室的溫度為處理溫度的程序；以及一邊維持前述處理溫度，一邊對配置於前述處理室的前述基板進行處理的程序。
18. 一種處理裝置，具備溫度控制系統，該溫度控制系統具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；前述切換部，被構成為可在前述保持具的朝前述處理室的移動動作被開始後經過所預先設定的既定時間時，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式；前述所預先設定的既定時間，為將前述保持具朝前述處理室而移動的第1期間，以及將使前述處理室的溫度穩定化的第2期間，進行了加總的時間。
19. 一種程式，被在具備溫度控制系統的處理裝置執行，該溫度控制系統具有：第1控制模式，其為基於配置在加熱部的第1溫度感測器的檢測溫度而對處理室的溫度進行控制者；第2控制模式，其為基於在將基板進行保持的保持具所設的第2溫度感測器的檢測溫度而對前述處理室的溫度進行控制者；以及切換部，其被構成為能以予以執行因應於前述保持具的狀態下的溫度控制的方式，進行前述第1控制模式與前述第2控制模式的切換者；前述切換部，被構成為可在前述保持具的朝前述處理室的移動動作被開始後經過所預先設定的既定時間時，從前述第1控制模式切換為前述第2控制模式；前述所預先設定的既定時間，為將前述保持具朝前述處理室而移動的第1期間，以及將使前述處理室的溫度穩定化的第2期間，進行了加總的時間。
20. 一種處理裝置，具備如請求項7、14、15中任一項之溫度控制系統。
21. 一種程式，由具備如請求項7、14、15中任一項之溫度控制系統的處理裝置所執行。