TWI920507B

TWI920507B - 蝕刻裝置、及蝕刻方法

Info

Publication number: TWI920507B
Application number: TW113103883A
Authority: TW
Inventors: 永海幸一; 永關一也
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2018-04-27
Filing date: 2019-04-22
Publication date: 2026-04-01

Abstract

本發明之課題係以簡易之裝置結構抑制蝕刻特性之惡化。本發明之蝕刻裝置包含載置台、直流電源、及控制部，該載置台載置作為以電漿進行之蝕刻處理的對象之被處理體，並具有下部電極之功能；該直流電源產生對載置台施加之負值的直流電壓；該控制部於開始對載置於載置台之被處理體的蝕刻處理之際，從直流電源對載置台週期性地施加負值的直流電壓，隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台施加之負值的直流電壓的頻率降低。

Description

蝕刻裝置、及蝕刻方法

本揭示係有關於蝕刻裝置、及蝕刻方法。

以往，已知有對半導體晶圓等被處理體，使用電漿來進行蝕刻處理之蝕刻裝置。此種蝕刻裝置具有於可構成真空空間之處理容器內載置被處理體亦兼具電極之功能的載置台。蝕刻裝置藉對例如載置台施加預定射頻電力，而對載置於載置台之被處理體進行以電漿所行之蝕刻處理。又，蝕刻裝置於進行以電漿所行的蝕刻處理之際，有對載置台施加偏壓用射頻電力之情形。藉對載置台施加偏壓用射頻電力，而將電漿中之離子引入至被處理體，而於被處理體有效率地形成洞或溝。

不過，近年，對以蝕刻處理於被處理體形成之洞或溝要求的深寬比增高。在深寬比高之洞或溝的蝕刻處理中，由於隨著蝕刻處理進行，被引入至被處理體之離子的直進性降低，故蝕刻特性惡化。已知對載置台施加之偏壓用射頻電力的頻率越低，被引入至被處理體之離子的直進性便越高。

是故，已知有一種技術，其將產生頻率不同之複數的偏壓用射頻電力之複數的射頻電源搭載於蝕刻裝置，在蝕刻處理中途，選擇性地切換複數之射頻電源與載置台之連接而變更偏壓用射頻電力之頻率。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利公開公報2008-53516號

[發明欲解決之問題]

本揭示提供可以簡易之裝置結構抑制蝕刻特性的惡化之技術。 [解決問題之手段]

本揭示之一態樣的蝕刻裝置包含載置台、直流電源、及控制部，該載置台載置作為以電漿進行之蝕刻處理的對象之被處理體，並具有下部電極之功能；該直流電源產生對該載置台施加之負值的直流電壓；該控制部於開始對載置於該載置台之被處理體的蝕刻處理之際，從該直流電源對該載置台週期性地施加負值的直流電壓，隨著該蝕刻處理之處理時間的經過，使對該載置台施加之負值的直流電壓的頻率降低。 [發明之效果]

根據本揭示，發揮可以簡易之裝置結構抑制蝕刻特性之惡化的效果。

[用以實施發明之形態]

以下，參照圖式，就各種實施形態詳細地說明。此外，在各圖式中對同一或相當之部分附上同一符號。

是故，已知有一種技術，其將產生頻率不同之複數的偏壓用射頻電力之複數的射頻電源搭載於蝕刻裝置，在蝕刻處理中途，選擇性地切換複數之射頻電源與載置台之連接而變更偏壓用射頻電力之頻率。

然而，當將複數之射頻電源搭載於蝕刻裝置時，蝕刻裝置之裝置結構便複雜化。因此，期待可以簡易之裝置結構抑制蝕刻特性之惡化。

(第1實施形態) [蝕刻裝置之結構] 圖1係顯示第1實施形態之蝕刻裝置10的概略之結構的概略截面圖。蝕刻裝置10包含處理容器12。處理容器12呈大約圓筒形狀。處理容器12劃分出生成電漿之處理空間。處理容器12由例如鋁構成。處理容器12連接於接地電位。於處理容器12之內壁面形成有具耐電漿性之膜。此膜可為以陽極氧化處理形成之膜、或由氧化釔形成之膜這樣的陶瓷製膜。又，於處理容器12之側壁形成有通路12p。於將被處理體亦即晶圓W搬入至處理容器12時、以及將晶圓W從處理容器12搬出時，晶圓W通過通路12p。為開閉此通路12p，閘閥12g沿著處理容器12之側壁而設。

在處理容器12內，支撐部15從處理容器12之底部延伸至上方。支撐部15呈大約圓筒形狀，由陶瓷這樣的絕緣材料形成。於支撐部15上搭載有載置台16。載置台16以支撐部15支撐。載置台16構造成在處理容器12內支撐晶圓W。載置台16包含基台18及靜電吸盤20。基台18由鋁這樣的導電性材料形成，呈大約圓盤形狀。基台18具有下部電極之功能。

於基台18內設有流路18f。流路18f係熱交換媒體用流路。熱交換媒體可使用液狀冷媒或藉其氣化而冷卻基台18之冷媒(例如氟氯烷)。可從設於處理容器12之外部的冷卻單元經由配管23a將熱交換媒體供至流路18f。供至流路18f之熱交換媒體經由配管23b返回至冷卻單元。即，熱交換媒體以在該流路18f與冷卻單元之間循環的方式供至流路18f。

靜電吸盤20設於基台18上。靜電吸盤20具有由絕緣體形成之本體、及設於該本體內之膜狀電極。於靜電吸盤20之電極電性連接有直流電源。當從直流電源對靜電吸盤20之電極施加電壓時，在載置於靜電吸盤20上之晶圓W與靜電吸盤20之間產生靜電引力。藉所產生之靜電引力，晶圓W被吸引至靜電吸盤20，而以該靜電吸盤20保持。於靜電吸盤20之周緣區域上配置聚焦環FR。聚焦環FR呈大約環狀板形，由例如矽形成。聚焦環FR配置成包圍晶圓W之邊緣。

於蝕刻裝置10設有氣體供給管路25。氣體供給管路25將來自氣體供給機構之傳熱氣體、例如He氣體供至靜電吸盤20之上面與晶圓W的背面(下面)之間。

筒狀部28從處理容器12之底部延伸至上方。筒狀部28沿著支撐部15之外周延伸。筒狀部28由導電性材料形成，呈大約圓筒形狀。筒狀部28連接於接地電位。於筒狀部28上設有絕緣部29。絕緣部29具絕緣性，由例如石英或陶瓷形成。絕緣部29沿著載置台16之外周延伸。

蝕刻裝置10更包含上部電極30。上部電極30設於載置台16之上方。上部電極30與構件32一同封閉處理容器12之上部開口。構件32具絕緣性。上部電極30藉由構件32支撐於處理容器12之上部。後述射頻電源62電性連接於基台18時，上部電極30連接於接地電位。

上部電極30包含頂板34及支撐體36。頂板34之下面面向處理空間。於頂板34設有複數之氣體噴吐孔34a。複數之氣體噴吐孔34a分別將頂板34於板厚方向(鉛直方向)貫穿。此頂板34並未限定，由例如矽形成。或者，頂板34可具有於鋁製母材之表面設有耐電漿性膜之構造。此膜可為以陽極氧化處理形成之膜、或由氧化釔形成之膜這樣的陶瓷製膜。

支撐體36係將頂板34支撐成裝卸自如之零件。支撐體36可由例如鋁這樣的導電性材料形成。於支撐體36之內部設有氣體擴散室36a。複數之氣孔36b從氣體擴散室36a延伸至下方。複數之氣孔36b分別與複數之氣體噴吐孔34a連通。於支撐體36形成有將氣體引導至氣體擴散室36a之氣體導入口36c，於此氣體導入口36c連接有氣體供給管38。

於氣體供給管38藉由閥群42及流量控制器群44連接有氣體源群40。氣體源群40包含複數之氣體源。閥群42包含複數之閥，流量控制器群44包含複數之流量控制器。流量控制器群44之複數的流量控制器分別為質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。氣體源群40之複數的氣體源分別藉由閥群42之對應的閥及流量控制器群44之對應的流量控制器，連接於氣體供給管38。蝕刻裝置10可將來自氣體源群40之複數的氣體源中所選擇之一個以上的氣體源之氣體以個別調整之流量供至處理容器12內。

於筒狀部28與處理容器12的側壁之間設有擋板48。擋板48可藉於例如鋁製母材被覆氧化釔等陶瓷而構成。於此擋板48形成有多個貫穿孔。在擋板48之下方，排氣管52連接於處理容器12之底部。於此排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有自動壓力控制閥這樣的壓力控制器、及渦輪分子泵等真空泵，而可將處理容器12減壓。

如圖1所示，蝕刻裝置10更包含射頻電源62。射頻電源62係用以激發處理容器12內之氣體而生成電漿的射頻電力之電源。電漿生成用射頻電力具有27~100MHz之範圍內的頻率、例如60MHz之頻率。射頻電源62藉由匹配電路64連接於基台18。匹配電路64係用以使射頻電源62之輸出阻抗與負載側(基台18側)之阻抗匹配的電路。

蝕刻裝置10更包含直流電源70。直流電源70係產生對載置台16(基台18)施加之負值的直流電壓(以下適宜地稱為「DC電壓」)的電源。直流電源70為例如單極型之可變直流電源。直流電源70亦可為雙極型之可變直流電源。直流電源70藉由低通濾波器(LPF)72連接於基台18。在直流電源70產生之DC電壓作為用以將電漿中之離子引入至載置於載置台16之晶圓W的偏壓電壓來使用。又，直流電源70構造成可根據後述控制部95之控制，變更產生之DC電壓的頻率(以下適宜地稱為「DC頻率」)。又，直流電源70構造成可根據控制部95之控制，變更產生之DC電壓的絕對值。

蝕刻裝置10更包含控制部95。控制部95具有CPU(Central Processing unit：中央處理單元)，控制蝕刻裝置10之各部。於控制部95連接有由為使製程管理員管理蝕刻裝置10而進行指令之輸入操作等的鍵盤、及將蝕刻裝置10之運轉狀況可視化而顯示的顯示器等構成之使用者介面96。

再者，於控制部95連接有儲存了用以藉控制部95之控制實現以蝕刻裝置10執行之各種處理的控制程式、及記錄有處理條件資料等之配方的記錄部97。記錄部97係例如硬碟或半導體記憶體等。又，記錄部97亦可為可以電腦讀取之可攜性記錄媒體。此時，控制部95經由從該記錄媒體讀取資料之裝置，取得記錄於該記錄媒體之控制程式等。記錄媒體為例如CD-ROM或DVD等。

控制部95藉按藉由使用者介面96之來自使用者的指示等，從記錄部97讀取任意之配方來執行，而控制蝕刻裝置10之各部，使蝕刻裝置10執行各種處理。舉例而言，控制部95使蝕刻裝置10執行以電漿於晶圓W形成洞或溝之蝕刻處理。

不過，近年，對以蝕刻處理於晶圓W形成之洞或溝要求的深寬比增高。在深寬比高之洞或溝的蝕刻處理中，由於隨著蝕刻處理進行，被引入至晶圓W之離子的直進性降低，故蝕刻特性惡化。

圖2係示意顯示開始蝕刻處理之際的離子之狀態的圖。舉例而言，如圖2所示，由於開始蝕刻處理之際形成於晶圓W之洞h的深度較淺，故在洞h內可確保離子之直進性。

另一方面，當蝕刻處理進行時，蝕刻特性惡化。圖3係示意顯示蝕刻處理進行之際的離子之狀態的圖。舉例而言，如圖3所示，隨著蝕刻處理進行，洞h之深度越深，在洞h內離子之直進性越低。如此，因在洞h內離子之直進性降低，故蝕刻特性惡化。舉例而言，由於離子不易到達洞h之底部，故蝕刻速率降低。又，舉例而言，由於洞h之側壁被去除過多，故產生彎曲或曲折等蝕刻形狀之不良。已知當對載置台16施加偏壓用射頻電力時，對載置台16施加之偏壓用射頻電力的頻率越低，被引入至晶圓W之離子的直進性便越高。因此，當對載置台16施加DC電壓取代偏壓用射頻電力時，若使對載置台16施加之DC電壓的頻率降低，便可抑制伴隨蝕刻處理之進行而產生的離子之直進性降低。

是故，控制部95於開始對晶圓W的蝕刻處理之際，從直流電源70對載置台16週期性地施加DC電壓，隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台16施加之DC電壓的頻率(亦即，DC頻率)降低。

[蝕刻方法之流程] 接著，說明以本實施形態之蝕刻裝置10執行的蝕刻方法之流程。圖4係顯示一實施形態之蝕刻方法的流程之一例的流程圖。圖5係顯示DC頻率的降低態樣之一例的圖。此外，於開始圖4所示之流程圖前，將晶圓W搬入至處理容器12內，將所搬入之晶圓W載置於載置台16，將處理氣體供至處理容器12內，而將處理容器12內之壓力控制成預定壓力。

首先，控制部95控制直流電源70，而從直流電源70對載置台16週期性地施加DC電壓(S101，圖5之時間點t ₁)。在以下，對載置台16施加DC電壓之期間的長度為Ton，停止DC電壓之施加的期間之長度為Toff。

接著，控制部95控制射頻電源62，對載置台16施加預定頻率之射頻電力(圖5之時間點t ₂)。藉此，於處理容器12內生成處理氣體之電漿，藉所生成之電漿，開始對晶圓W之蝕刻處理(S102)。

然後，控制部95在蝕刻處理進行之期間(即，圖5之時間點t ₂~t ₃的期間)，控制直流電源70，使對載置台16施加之DC電壓的頻率(亦即，DC頻率)降低(S103，圖5之時間點t ₂~t ₃)，DC頻率以1/(Ton+Toff)表示。

在本實施形態中，控制部95在時間點t ₂~t ₃之期間，隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使DC頻率連續降低。藉此，即使蝕刻處理進行，形成於晶圓W之洞的深度深時，在洞內亦可抑制離子之直進性的降低。

接著，控制部95在預定深度之洞形成於晶圓W之時間點t ₃，控制射頻電源62而停止射頻電力之施加，並控制直流電源70而停止DC電壓之施加(圖5之時間點t ₃)。然後，停止處理氣體之供給，進行處理容器12之排氣，而從處理容器12搬出晶圓W。藉此，對晶圓W之蝕刻處理結束(S104)。

如以上，一實施形態之蝕刻裝置10包含載置台16、直流電源70、及控制部95。載置台16載置作為電漿之蝕刻對象的晶圓W，並具有下部電極之功能。直流電源70產生對載置台16施加之負值的直流電壓。控制部95於開始對載置於載置台16之晶圓W的蝕刻處理之際，從直流電源70對載置台16週期性地施加負值的直流電壓。再者，控制部95隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率降低。藉此，蝕刻裝置10即使蝕刻處理進行而形成於晶圓W之洞或溝的深度加深時，在洞內或溝內亦可抑制離子之直進性的降低，而可抑制蝕刻特性之惡化。舉例而言，到達洞或溝之底部的離子之能量增大，而可抑制蝕刻速率降低。又，舉例而言，可抑制洞淢溝之側壁的蝕刻，而可抑制彎曲或曲折等蝕刻形狀之不良。

在此，為抑制離子之直進性的降低，亦考量將產生頻率不同之複數的偏壓用射頻電力之複數的射頻電源搭載於蝕刻裝置，在蝕刻處理中途，選擇性地切換複數之射頻電源與載置台16之連接。然而，當將複數之射頻電源搭載於蝕刻裝置時，蝕刻裝置之裝置結構複雜化。此點，一實施形態之蝕刻裝置10可不搭載複數之射頻電源而抑制離子之直進性的降低。結果，蝕刻裝置10可以隨著蝕刻處理之處理時間的經過使從直流電源70對載置台16週期性地施加之負值的直流電壓的頻率降低這樣的簡易裝置結構，抑制蝕刻特性之惡化。

以上，就各種實施形態作了說明，揭示之技術可不限上述實施形態而構成各種變形態樣。

又，在上述實施形態中，控制部95隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率連續降低，揭示之技術不限於此。舉例而言，控制部95亦可隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率階段性地降低。使對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率降低之各階段的時間寬度可相同，亦可不同。又，控制部95亦可在開始蝕刻處理後經過預定之時間的時間點，使對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率從第1頻率降低至低於第1頻率之第2頻率。

又，在上述蝕刻裝置10，控制部95亦可隨著蝕刻處理之處理時間經過，使對載置台16施加之負值的直流電壓的絕對值增大或減小。舉例而言，由於隨著蝕刻處理之處理時間的經過，從直流電源70對載置台16施加之負值的直流電壓的頻率降低時，切換直流電源70之開、關的頻率減小，故直流電源70之發熱量減小。此時，控制部95控制直流電源70，隨著蝕刻處理之處理時間的經過，使對載置台16施加之負值的直流電壓的絕對值增大。藉此，蝕刻裝置10即使蝕刻處理進行而於晶圓W形成之洞或溝的深度加深時，亦可更抑制蝕刻特性之惡化。舉例而言，藉使對載置台16施加之負值的直流電壓的絕對值增大，到達洞或溝之底部的離子之數量增大，而可抑制蝕刻速率之降低。

不過，當對載置台16施加之負值的直流電壓的絕對值增大時，因將電漿中之正離子引入至晶圓W，電漿之電位降低。當電漿之電位降低時，為在電漿與晶圓W之間保持電中性，晶圓W之電位改變，載置晶圓W之載置台16與晶圓W間的電位差增大。結果，有在載置台16與晶圓W之間產生放電之情形。是故，蝕刻裝置10亦可按載置台16與晶圓W之電位差，進行直流電源70之控制。舉例而言，在蝕刻裝置10，控制部95使對載置台16施加之負值的直流電壓的絕對值增大後，算出載置台16與晶圓W之間的電位差。載置台16與晶圓W之間的電位差之算出例如可使用以配置於包圍晶圓W之聚焦環FR附近的測定器測定之晶圓W的電壓。再者，控制部95於算出之電位差超過預定閾值時，控制直流電源70，使對載置台16施加之負值的直流電壓的值變動使該電位差減小之變動量。藉此，可抑制在載置台16與晶圓W之間的放電之產生。

10:蝕刻裝置 12:處理容器 12g:閘閥 12p:通路 15:支撐部 16:載置台 18:基台 18f:流路 20:靜電吸盤 23a:配管 23b:配管 25:氣體供給管路 28:筒狀部 29:絕緣部 30:上部電極 32:構件 34:頂板 34a:氣體噴吐孔 36:支撐體 36a:氣體擴散室 36b:氣孔 36c:氣體導入口 38:氣體供給管 40:氣體源群 42:閥群 44:流量控制器群 48:擋板 50:排氣裝置 52:排氣管 62:射頻電源 64:匹配電路 70:直流電源 72:低通濾波器 95:控制部 96:使用者介面 97:記錄部 FR:聚焦環 h:洞 S101:步驟 S102:步驟 S103:步驟 S104:步驟 t ₁:時間點 t ₂:時間點 t ₃:時間點 Ton:對載置台施加DC電壓之期間的長度 Toff:停止DC電壓之施加的期間之長度 W:晶圓

圖1係顯示第1實施形態之蝕刻裝置的概略之結構的概略截面圖。圖2係示意顯示開始蝕刻處理之際的離子之狀態的圖。圖3係示意顯示蝕刻處理進行之際的離子之狀態的圖。圖4係顯示一實施形態之蝕刻方法的流程之一例的流程圖。圖5係顯示DC頻率的降低態樣之一例的圖。

10:蝕刻裝置

12:處理容器

12g:閘閥

12p:通路

15:支撐部

16:載置台

18:基台

18f:流路

20:靜電吸盤

23a:配管

23b:配管

25:氣體供給管路

28:筒狀部

29:絕緣部

30:上部電極

32:構件

34:頂板

34a:氣體噴吐孔

36:支撐體

36a:氣體擴散室

36b:氣孔

36c:氣體導入口

38:氣體供給管

40:氣體源群

42:閥群

44:流量控制器群

48:擋板

50:排氣裝置

52:排氣管

62:射頻電源

64:匹配電路

70:直流電源

72:低通濾波器

95:控制部

96:使用者介面

97:記錄部

FR:聚焦環

W:晶圓

Claims

一種電漿處理裝置，包含：電漿處理容器；被處理體載置台，配置於該電漿處理容器中；至少一電極，配置於該被處理體載置台中；至少一直流電源，電性連接於該至少一電極；及控制部，配置用以控制該至少一直流電源，從而： (i)從該至少一直流電源施加脈衝的負值直流電壓至該至少一電極；及 (ii)隨著時間將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的頻率降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，該控制部係控制該至少一直流電源，從而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率連續地或階段性地降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係隨著該等洞的深度變深而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低。
如請求項3之電漿處理裝置，其中，該控制部係控制該至少一直流電源，從而在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而產生離子，該等離子係被引導朝向該被處理體，且該控制部係將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低，從而對該等離子的直進性降低加以抑制。
如請求項5之電漿處理裝置，其中，該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項6之電漿處理裝置，其中，該控制部係控制該至少一直流電源，從而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率連續地或階段性地降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項1之電漿處理裝置，其中，該電漿處理裝置為蝕刻裝置，且該蝕刻裝置更包含射頻電源，該射頻電源係施加射頻電力以在該電漿處理容器中形成電漿。
如請求項9之電漿處理裝置，其中，該控制部係配置用以控制該射頻電源及該直流電源，從而：開始進行對於該至少一電極的脈衝的負值直流電壓的施加；在開始進行該脈衝的負值直流電壓的該施加後，開始進行該射頻電力的施加以在該電漿處理容器中形成電漿；及在開始進行該射頻電力的該施加後，執行該脈衝的負值直流電壓的該頻率的該降低。
如請求項10之電漿處理裝置，其中，該控制部係進一步配置用以控制該直流電源，從而在開始進行該射頻電力的該施加後，將施加至該至少一電極的直流電壓的絕對值提高。
一種電漿蝕刻裝置，包含：電漿處理容器；被處理體載置台，配置於該電漿處理容器中；至少一電極，配置於該被處理體載置台中；直流電源，電性連接於該至少一電極；射頻電源，施加射頻電力以在該電漿處理容器中形成電漿；控制部，配置用以： (i)控制該直流電源以將脈衝的負值直流電壓施加至該至少一電極； (ii)控制該射頻電源以開始進行該射頻電力的施加，從而形成該電漿且對該被處理體載置台上的被處理體進行蝕刻； (iii)在開始進行該射頻電力的該施加後，控制該直流電源以進行下列至少一者：將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的頻率降低，或是將施加至該至少一電極的電壓的絕對值提高。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中，該控制部係配置用以隨著蝕刻處理增加或隨著在開始進行該射頻電力的該施加後的時間量增加，將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中，該控制部係配置用以在藉由該射頻電源而開始進行該射頻電力的該施加後，既降低該脈衝的負值直流電壓的該頻率，亦提高該直流電源所施加的該電壓的該絕對值的量。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中，該射頻電源係電性連接於該至少一電極。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中，該控制部係配置用以控制該直流電源，從而在開始進行該射頻電力的該施加之前，開始進行對於該至少一電極的直流電壓的施加。
如請求項16之電漿蝕刻裝置，更包含，氣體供給部，將處理氣體供至該電漿處理容器；處理氣體控制部，控制來自該氣體供給部的處理氣體的流動，使得該處理氣體的流動係在開始進行該直流電壓的該施加之前開始進行，且該處理氣體的該流動係在該直流電源及該射頻電源均被關閉後中斷。