Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук УкраиныfiledCriticalИнститут электросварки им. Е.О. Патона национальной академии наук Украины
Priority to UAA201000455ApriorityCriticalpatent/UA101807C2/ru
Publication of UA101807C2publicationCriticalpatent/UA101807C2/ru
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов и поликристаллов из тугоплавких материалов (металлов, сплавов, соединений) методом Чохральского. Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методов Чохральского, который включает вакуумную камеру кристаллизации, механизм вытягивания кристалла, тигель, выполненный из тугоплавкого материала. Тигель, выполненный из тугоплавкого материала средствами послойного наплавления, который разогревается пропусканием через него электрического тока. Использование изобретения обеспечивает благодаря повышенной стойкости тигля получение стойких кристаллов при высоких температурах и давлении.
UAA201000455A2010-01-182010-01-18Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов методов чохральского
UA101807C2
(ru)
Sapphire single crystal for producing sapphire single crystal substrate for LED, sapphire single crystal substrate for LED, light-eliciting element, and method for preparing the same