UA28492A - Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8 - Google Patents

Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8

Info

Publication number
UA28492A
UA28492A UA97052075A UA97052075A UA28492A UA 28492 A UA28492 A UA 28492A UA 97052075 A UA97052075 A UA 97052075A UA 97052075 A UA97052075 A UA 97052075A UA 28492 A UA28492 A UA 28492A
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
single crystals
aggage3se8
temperature
growing
zone
Prior art date
Application number
UA97052075A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Іван Дмитрович Олексеюк
Иван Дмитриевич Олексеюк
Галина Петрівна Горгут
Галина Петровна Горгут
Володимир Зіновієвич Панкевич
Владимир Зіновієвич Панкевич
Original Assignee
Волинський Державний Університет Ім. Л. Українки
Волынский Государственный Университет Им. Л. Украинки
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Волинський Державний Університет Ім. Л. Українки, Волынский Государственный Университет Им. Л. Украинки filed Critical Волинський Державний Університет Ім. Л. Українки
Priority to UA97052075A priority Critical patent/UA28492A/uk
Publication of UA28492A publication Critical patent/UA28492A/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб вирощування монокристалів AgGaGe3Se8 передбачає вирощування монокристалів при наступних параметрах: температура в зоні розплаву 1200-1250К температура зоні відпалу 750-770К градієнт температури в зоні кристалізації 3-5К/мм швидкість росту 0,2-0,4мм/год. час відпалу 200-250год. швидкість охолодження 5К/год. Винахід належить до матеріалознавства і може бути використаним у квантовій електроніці, конструкціях електронних пристроїв, оптичних фільтрах.
UA97052075A 1997-05-05 1997-05-05 Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8 UA28492A (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA97052075A UA28492A (uk) 1997-05-05 1997-05-05 Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA97052075A UA28492A (uk) 1997-05-05 1997-05-05 Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA28492A true UA28492A (uk) 2000-10-16

Family

ID=74396942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA97052075A UA28492A (uk) 1997-05-05 1997-05-05 Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA28492A (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE71994T1 (de) Anordnung zur zuechtung profilierter monokristalle.
TW344850B (en) Precision controlled precipitation of oxygen in silicon
EP0781865A3 (en) Process and apparatus for producing polycrystalline semiconductors
EP0570957A3 (en) Rare-earth metal-nickel hydrogen occlusive alloy ingot and method for production thereof
ATE202807T1 (de) Vorrichtung zur züchtung von grossen siliziumkarbideinkristallen
EP0174004A3 (en) Process for making a crystalline article from a melt
DE69208331D1 (de) Selbstklemmender Halter für Polysiliziumstäbe zur Anwendung in dem tiegelfreien Einkristall-Zonenschmelzenverfahren
EP0390671A3 (en) Process for determination of concentrations of metal impurities in czochralski single crystal silicon
Remizov Numerical Examination of Flow and Heat and Mass Transfer in the Melt in Growing Crystals by the Czochralski Method
Schulze The Linear Polycrystal and its Statistics of Grain-Lengths
JPS57129896A (en) Liquid phase epitaxial growing apparatus
KR950018696A (ko) 단 결정 제조방법 및 이에 사용되는 장치
Hein et al. Crystallization from melts as a metallurgical process
JPS55140800A (en) Crucible for crystal growing crucible device
CISZEK et al. Growth of silicon carbide crystals on a seed while pulling silicon crystals from a melt[Patent]
Oka et al. Phase diagram of the La sub (2) O sub (3)-CuO system and crystal growth of(LaBa) sub (2) CuO sub (4).
EGOROV et al. Self-alloying during Stepanov growth of silicon ribbons(Samolegirovanie pri vyrashchivanii lent kremniia sposobom Stepanova)
Dittmar Growing Homogeneous Mixed Crystals With Greater Segregation Tendencies by the Bridgman Method With Example of Pseudobinary System Cd sub xHg sub 1--xTe
EVTODII et al. Carbide formation during the Stepanov growth of silicon ribbons(Karbidoobrazovanie pri vyrashchivanii lent kremniia sposobom Stepanova)
UA460U (uk) Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву
Makihara et al. The effect of the sound pressure and frequency on the crystallization of 65 CaO-25 Ga 2 O 3-10 GeO 2
Valov et al. Growth of ZnGeP sub (2) single crystals from solution in a thallium melt.
Schwirtlich et al. Method for the Melting and Directional Solidification of Metals
WENCKUS et al. Growth of high purity oxygen-free silicon by cold crucible techniques[Interim Report, 18 May 1980- 30 May 1981]
KR920016619A (ko) Mn-Zn 페라이트 단결정 성장장치 및 이를 이용한 단결정의 제조방법