UA65367A - A method for producing cubic boron nitride - Google Patents
A method for producing cubic boron nitride Download PDFInfo
- Publication number
- UA65367A UA65367A UA2003076808A UA2003076808A UA65367A UA 65367 A UA65367 A UA 65367A UA 2003076808 A UA2003076808 A UA 2003076808A UA 2003076808 A UA2003076808 A UA 2003076808A UA 65367 A UA65367 A UA 65367A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- crystals
- knb
- charge
- boron nitride
- synthesis
- Prior art date
Links
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 KNB crystals Chemical compound 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- XNCMOUSLNOHBKY-UHFFFAOYSA-H iron(3+);trisulfate;heptahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.[Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XNCMOUSLNOHBKY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
Description
Винахід відноситься до способів отримання (синтезу) кубічного нітриду бору (КНЕ) у вигляді кристалів при високих тиску й температурі в області термодинамічної стабільності КНБ і може бути використаний переважно в інструментальній галузі промисловості.The invention relates to methods of obtaining (synthesis) cubic boron nitride (CBN) in the form of crystals at high pressure and temperature in the area of thermodynamic stability of CBN and can be used mainly in the instrument industry.
Відомі різні способи отримання кубічного нітриду бору у вигляді кристалів при високих тиску й температурі в області його термодинамічної стабільності (Синтетические сверхтвердье материаль!: В 3-х т. Т.1. Синтез сверхтвердьїх материалов /Отв. ред Н. В. Новиков. - К.: Наук. думка, 1986. - 280с.).There are various methods of obtaining cubic boron nitride in the form of crystals at high pressure and temperature in the region of its thermodynamic stability (Synthetic sverhhard material!: In 3 volumes, T.1. Synthesis of sverhhard material /Otv. ed. N.V. Novikov. - K.: Nauk. dumka, 1986. - 280 p.).
Загальними ознаками отримання кристалів КНБ за згаданими вище способами є: - приготування шихти для отримання кристалів КНБ, що містить сполуки, або речовини, до складу яких входять бор і азот. На практиці найбільш часто як указані сполуки використовують гексагональний нітрид бору.The general features of obtaining KNB crystals by the methods mentioned above are: - preparation of a charge for obtaining KNB crystals containing compounds or substances that include boron and nitrogen. In practice, hexagonal boron nitride is most often used as the indicated compounds.
Для зниження тиску й температури, при яких відбувається утворення з вихідних компонентів шихти кристалівTo reduce the pressure and temperature at which crystals are formed from the initial components of the charge
КНБ, а також для одержання кристалів із необхідними фізико-механічними та іншими спеціальними характеристиками, у шихту додатково вводять різні добавки, що активують процес; - розміщення шихти в реакційній комірці апарата високого тиску (АВТ) і створення в шихті високих тиску й температури, що відповідають області термодинамічної стабільності КНБ. При зазначених тиску й температурі шихту витримують заданий час, протягом якого відбувається зародження й ріст кристалів КНБ; - після завершення процесу синтезу кристалів КНБ у реакційній комірці АВТ спочатку знижують температуру, а потім тиск і дістають із неї шихту з кристалами, що утворилися. Після цього в реакційній комірціKNB, as well as to obtain crystals with the necessary physico-mechanical and other special characteristics, various additives that activate the process are additionally introduced into the charge; - placement of the charge in the reaction cell of the high-pressure apparatus (HPA) and creation of high pressure and temperature in the charge corresponding to the area of thermodynamic stability of the KNB. At the specified pressure and temperature, the charge is kept for a given time, during which the nucleation and growth of KNB crystals takes place; - after completion of the process of synthesis of KNB crystals in the AVT reaction cell, the temperature is first lowered, and then the pressure is lowered, and the charge with the formed crystals is removed from it. After that in the reaction cell
АВТ розміщують нову партію шихти й цикл отримання КНБ повторюють; - для виділення із шихти кристалів КНБ її піддають спеціальній обробці. Виділені кристали розділяють на окремі групи по розмірах і за формою, а при необхідності, у залежності від подальшого призначення кристалів, і по інших характеристиках, таких як вміст домішок, теплопровідність, електропровідність та інші.AVT places a new batch of charge and repeats the cycle of receiving KNB; - in order to separate the KNB crystals from the charge, it is subjected to special processing. The selected crystals are divided into separate groups by size and shape, and if necessary, depending on the further purpose of the crystals, and by other characteristics, such as the content of impurities, thermal conductivity, electrical conductivity, and others.
Слід зазначити, що внаслідок конструктивних особливостей АВТ, які застосовують при отриманні кристалів КНБ, у реакційних комірках створюються неоднорідні поля тиску і, особливо, температури (Вогіт5КуIt should be noted that due to the design features of AVT, which are used in the production of KNB crystals, non-uniform pressure and, especially, temperature fields are created in the reaction cells (Vogit5Ku
А. І., Моїком У. В., Мадогпу Р.А. Нідп ргеззиге сеї! пеаїег»5 ог діатопа зупіпевів // Ргос. ої Ше Зга Іпіет. 5у тр. "Нідп Ргеззиге Спетіса! Епдіпеегппд", 2шісп, Зм/йгепапа, 7-9 Осіор., 1996. - ЕІземієї: Атвеіегдат - І ашзаппе -A. I., Moikom U. V., Madogpu R. A. Nidp rgezzige sei! peaieg»5 og diatope zupipeviv // Rhos. oi She Zga Ipiet. 5 in tr. "Nidp Rgezzige Spetisa! Epdipeegppd", 2shisp, Zm/ygepapa, 7-9 Osior., 1996. - Eizemiyei: Atveiegdat - I azhzappe -
Мем хоїк - Охюога - Зпаппоп - Токуо, 1996. - Р.651-654.). Внаслідок цього кристали КНБ утворюються тільки в тій частині об'єму комірки, у якій тиск і температура відповідають області термодинамічної стабільності КНБ. У результаті зменшується вихід кристалів КНБ у кожному робочому циклі, так як кристали утворюються тільки в частині об'єму комірки, що погіршує техніко-економічні показники процесу.Mem hoik - Ohyuoga - Zpappop - Tokuo, 1996. - R.651-654.). As a result, KNB crystals are formed only in that part of the cell volume in which the pressure and temperature correspond to the area of thermodynamic stability of KNB. As a result, the output of KNB crystals in each operating cycle decreases, as crystals are formed only in part of the cell volume, which worsens the technical and economic indicators of the process.
Слід зазначити, що при отриманні кристалів КНБ по вказаних вище способах після створення в шихті високих тиску й температури відбувається спочатку зародження кристалів, а потім їх ріст.It should be noted that when obtaining KNB crystals by the methods specified above, after high pressure and temperature are created in the charge, the crystals first nucleate and then grow.
Відомі також способи отримання кристалів КНБ, при яких кристали КНБ у певній кількості попередньо вводять у шихту. При цьому можливо здійснювати процес таким чином, що при синтезі буде відбуватися тільки ріст кристалів, введених у шихту (акцептована заявка Японії Моб2-59969, МКІ" ВО1.)3/06, 1983). Такі способи малопродуктивні і тому не знайшли широкого використання на практиці.There are also known methods of obtaining KNB crystals, in which a certain amount of KNB crystals are pre-introduced into the charge. At the same time, it is possible to carry out the process in such a way that only the crystals introduced into the charge will grow during the synthesis (accepted Japanese application Mob2-59969, MKI" VO1.)3/06, 1983). Such methods are not very productive and therefore have not been widely used in practice
Більш продуктивним у порівнянні з розглянутими вище є спосіб отримання кристалів КНБ, прийнятий нами за прототип, шляхом дії високими тиском і температурою в області їх термодинамічної стабільності на шихту, у яку вводять компоненти, які містять бор та азот, у тому числі у вигляді кристалів КНБ, та активуючу процес добавку, при використанні якої відбувається як ріст введених у шихту кристалів, так і зародження й ріст нових кристалів (див. патент КОЮ Мо2159736, МІПК7 СО1821/06, 31/06, опубл.27.11.2000р.). Застосування вказаного способу, відповідно до якого в шихту вводять від 1 до 495 (по масі) кристалів КНБ, дозволяє збільшити в кожному робочому циклі як вихід (масу) отримуваного при синтезі кубічного нітриду бору, так і вміст у продукті синтезу кристалів вузького діапазону зернистостей, який включає 1-3 зернистості.More productive in comparison with those considered above is the method of obtaining KNB crystals, which we adopted as a prototype, by applying high pressure and temperature in the region of their thermodynamic stability to the charge, into which components containing boron and nitrogen are introduced, including in the form of KNB crystals , and a process-activating additive, when using which both the growth of crystals introduced into the charge and the nucleation and growth of new crystals occur (see KOYU patent Mo2159736, MIPK7 СО1821/06, 31/06, publ. 11/27/2000). The application of the indicated method, according to which from 1 to 495 (by mass) KNB crystals are introduced into the charge, allows to increase in each work cycle both the output (mass) obtained during the synthesis of cubic boron nitride and the content of crystals of a narrow grain size range in the synthesis product. which includes 1-3 grains.
Як показали проведені нами експерименти, при використанні способу за прототипом (при експериментах нами застосовувалися склад шихти і реакційні комірки, аналогічні описаним у патенті) кристали КНБ утворювалися тільки в тій частині об'єму реакційної комірки, який знаходиться в області термодинамічної стабільності КНБ, як і при використанні шихти інших відомих складів. При цьому, при введенні в шихту кристалів КНБ у кількості 1...495 від її маси взаємне розташування кристалів в шихті після синтезу було недостатньо щільним. У результаті недостатньо ефективно використовувалися як шихта, так і об'єм реакційної комірки, що зменшувало вихід кристалів КНБ при синтезі, в тому числі вузького діапазону зернистостей, який можливо досягти без погіршення якості кристалів, і знижувало техніко-економічні показники процесу їх отримання.As our experiments showed, when using the method according to the prototype (in our experiments, we used the composition of the charge and reaction cells similar to those described in the patent), KNB crystals were formed only in that part of the volume of the reaction cell, which is in the region of thermodynamic stability of KNB, as well as when using a charge of other known compositions. At the same time, when KNB crystals were introduced into the charge in the amount of 1...495 of its mass, the relative arrangement of the crystals in the charge after synthesis was not dense enough. As a result, both the charge and the volume of the reaction cell were used inefficiently, which reduced the yield of KNB crystals during synthesis, including the narrow grain size range that can be achieved without deteriorating the quality of the crystals, and reduced the technical and economic indicators of the process of their production.
В основу винаходу покладено завдання такого удосконалення способу отримання кристалів КНБ, при якому за рахунок проведення процесу із запропонованим вмістом кристалів КНБ, введених у шихту, забезпечується збільшення виходу кристалів КНБ при синтезі, а також підвищується вміст у продукті синтезу кристалів вузького діапазону зернистостей (1-3 суміжні зернистості, які включають зернистість, вміст якої в отримуваному цільовому продукті є максимальним). При визначенні виходу кристалів КНБ при реалізації пропонованого способу ми враховувати тільки масу додатково отриманих кристалів КНБ без врахування маси кристалів, введених у шихту, що логічно.The invention is based on the task of improving the method of obtaining KNB crystals, in which, due to the process with the proposed content of KNB crystals introduced into the charge, an increase in the yield of KNB crystals during synthesis is ensured, and the content of crystals of a narrow grain size range in the synthesis product is also increased (1- 3 adjacent grain sizes, which include the grain size whose content in the received target product is maximum). When determining the yield of KNB crystals when implementing the proposed method, we will take into account only the mass of additionally obtained KNB crystals without taking into account the mass of crystals introduced into the charge, which is logical.
Означене завдання вирішується завдяки тому, що в способі отримання КНБ, який передбачає дію високими тиском і температурою в області його стабільності на шихту, у яку вводять компоненти, які містять бор і азот, у тому числі у вигляді кристалів КНБ, та добавки, що активують процес, згідно винаходу, вміст кристалів КНЕ, які вводять у шихту, складає 4,4...22,095 від її маси.The specified task is solved thanks to the fact that in the method of obtaining KNB, which involves the action of high pressure and temperature in the region of its stability on the charge, into which components containing boron and nitrogen, including in the form of KNB crystals, and additives that activate process, according to the invention, the content of KNE crystals, which are introduced into the charge, is 4.4...22.095 of its mass.
Як показали проведені нами численні експерименти, при вказаній вище кількості введених у шихту кристалів КНБ підвищується щільність заповнення реакційної комірки кристалами, що утворюються при синтезі. При цьому введені кристали не перешкоджають зародженню і подальшому росту нових кристалів, що утворюються в умовах високих тиску й температури. В результаті досягається як підвищення виходу КНЕБ, так і збільшення вмісту в продукті синтезу кристалів вузького діапазону зернистостей. Досягненню позитивного ефекту сприяє також зменшення перепаду температури в реакційній комірці, яке має місце при зазначеній кількості введених у шихту кристалів КНБ, завдяки їх високій теплопровідності. В результаті збільшується об'єм комірки, у якому відбувається зародження і ріст нових кристалів. Крім того, збільшенню виходу кристалівAs our numerous experiments have shown, with the above-mentioned number of KNB crystals introduced into the charge, the density of filling the reaction cell with crystals formed during synthesis increases. At the same time, the introduced crystals do not prevent the nucleation and subsequent growth of new crystals formed under conditions of high pressure and temperature. As a result, both an increase in the yield of KNEB and an increase in the content of crystals of a narrow grain size range in the synthesis product are achieved. Achieving a positive effect is also facilitated by the reduction of the temperature difference in the reaction cell, which occurs with the specified number of KNB crystals introduced into the charge, due to their high thermal conductivity. As a result, the volume of the cell increases, in which the nucleation and growth of new crystals takes place. In addition, increasing the yield of crystals
КНБ сприяє підвищення тиску в реакційній комірці завдяки збільшенню в її об'ємі маси кристалів із високим модулем пружності. Із збільшенням вмісту в шихті кристалів КНБ перепад температури в реакційній комірці зменшується, а тиск у комірці підвищується.KNB helps to increase the pressure in the reaction cell due to the increase in its volume of the mass of crystals with a high modulus of elasticity. As the content of KNB crystals in the charge increases, the temperature difference in the reaction cell decreases, and the pressure in the cell increases.
Слід відмітити що вказаний вище позитивний ефект при використанні пропонованого способу в порівнянні з прототипом досягається при умові, що способи відрізняються тільки вмістом кристалів КНБ, які вводять у шихту.It should be noted that the positive effect indicated above when using the proposed method in comparison with the prototype is achieved under the condition that the methods differ only in the content of KNB crystals that are introduced into the charge.
Пропонований спосіб отримання КНБ здійснюють таким чином. Виготовляють шихту для отримання КНБ шляхом змішування компонентів, що містять бор та азот, у тому числі кристали КНБ, і добавок, що активують процес синтезу. При виготовленні шихти як компоненти, що містять бор і азот, ефективно використовувати суміш порошку гексагонального нітриду бору й кристалів кубічного нітриду бору. Потім у реакційній комірціThe proposed method of obtaining KNB is carried out as follows. A charge for obtaining KNB is made by mixing components containing boron and nitrogen, including KNB crystals, and additives that activate the synthesis process. When making a charge as components containing boron and nitrogen, it is effective to use a mixture of hexagonal boron nitride powder and cubic boron nitride crystals. Then in the reaction cell
АВТ розміщують отриману шихту, маса якої визначається об'ємом комірки, після чого комірку з розміщеною в ній шихтою піддають дії високих тиску й температури, що відповідають області термодинамічної стабільностіAVT places the received charge, the mass of which is determined by the volume of the cell, after which the cell with the charge placed in it is exposed to high pressure and temperature, corresponding to the region of thermodynamic stability
КНБ. Шихту витримують при вказаних умовах протягом часу, необхідного для отримання кристалів КНБ із заданими характеристиками. Після закінчення процесу синтезу знижують температуру й тиск у комірці і дістають шихту, що містить кристали КНБ. Далі, використовуючи відомі методи, виділяють із шихти кристалиKNB. The charge is kept under the specified conditions for the time required to obtain KNB crystals with the specified characteristics. After the end of the synthesis process, the temperature and pressure in the cell are reduced and a charge containing KNB crystals is obtained. Then, using known methods, crystals are isolated from the charge
КНБ ії розділяють їх по розмірах (зернистості), формі, а також по інших характеристиках у залежності від області їх подальшого застосування.KNB ii divide them by size (granularity), shape, as well as by other characteristics, depending on the area of their further application.
Нижче приведені приклади отримання кристалів КНБ із використанням пропонованого способу.Below are examples of obtaining KNB crystals using the proposed method.
Приклад 1. Готують шихту шляхом змішування в змішувачі порошку гексагонального нітриду бору, кристалів КНБ зернистістю 80/63 і добавки, що активує процес. Як добавку використовують порошок магнію, оброблений розчином семиводного сірчанокислого заліза. Співвідношення між вмістом у шихті гексагонального нітриду бору й добавки, що активує процес, складає 75:25 (за масою). Вміст у шихті порошкуExample 1. A charge is prepared by mixing hexagonal boron nitride powder, 80/63 KNB crystals and an additive that activates the process in a mixer. As an additive, magnesium powder treated with a solution of ferric sulfate heptahydrate is used. The ratio between the content in the charge of hexagonal boron nitride and the additive that activates the process is 75:25 (by mass). Content in the powder charge
КНБ складає 4,495 (за масою). Потім із шихти пресуванням виготовляють зразки, кожний з яких має форму циліндра з отвором, розташованим уздовж його осі. Розміри зразків узгоджують із відповідними розмірами реакційної комірки АВТ. При експериментах застосовувалися АВТ типу ковадла із заглибленнями. Для отримання кристалів КНБ зразок встановлюють в отвір реакційної комірки АВТ, розміщують в отворі зразка нагрівач із графіту у формі циліндра і встановлюють отриманий таким чином вузол у порожнину високого тиску АВТ. Потім у реакційній комірці АВТ створюють тиск 4,2-4,5ГПа, після чого через нагрівач пропускають електричний струм, нагріваючи при цьому шихту до температури синтезу, що відповідає області стабільностіKNB is 4.495 (by mass). Then samples are made from the charge by pressing, each of which has the shape of a cylinder with a hole located along its axis. The dimensions of the samples are coordinated with the corresponding dimensions of the AVT reaction cell. Anvil-type AVT with recesses were used in the experiments. To obtain KNB crystals, the sample is placed in the opening of the AVT reaction cell, a graphite heater in the shape of a cylinder is placed in the sample opening, and the unit obtained in this way is installed in the high-pressure cavity of the AVT. Then, a pressure of 4.2-4.5 GPa is created in the AVT reaction cell, after which an electric current is passed through the heater, heating the charge to the synthesis temperature, which corresponds to the stability region
КНБ. При зазначеній температурі шихту витримують протягом 420с (час синтезу), після чого послідовно вимикають електричний струм, знижують тиск в АВТ, дістають із реакційної комірки зразок, що містить кристали КНЕБ, виділяють із зразка кристали КНБ і розділяють їх за зернистостями, формою, а також іншим характеристикам у залежності від призначення кристалів. Отримані при синтезі результати подані в таблиці.KNB. At the specified temperature, the charge is kept for 420s (synthesis time), after which the electric current is successively turned off, the pressure in the AVT is reduced, a sample containing KNEB crystals is removed from the reaction cell, KNEB crystals are separated from the sample and separated according to grain size, shape, and other characteristics depending on the purpose of the crystals. The results obtained during the synthesis are presented in the table.
При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 125/100, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (160/125, 125/100 і 100/80) дорівнював 5395 (за масою).At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to a grain size of 125/100, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (160/125, 125/100 and 100/80) was equal to 5395 (by mass).
Приклад 2. Виконують ті ж операції, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристалиExample 2. Perform the same operations as in example 1 with the difference that crystals are introduced into the charge
КНБ зернистістю 80/63 у кількості 995 від її маси. Отримані при синтезі результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 125/100, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (160/125 і 125/100 і 100/80) дорівнював 4695 (за масою).KNB grain size 80/63 in the amount of 995 from its weight. The results obtained during the synthesis are presented in the table. At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to the grain size of 125/100, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (160/125 and 125/100 and 100/80) was equal to 4695 (by mass).
Приклад 3. Виконують ті ж операції, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристалиExample 3. Perform the same operations as in example 1 with the difference that crystals are introduced into the charge
КНБ зернистістю 80/63 у кількості 2290 від її маси. Отримані при синтезі результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 125/100, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (160/125, 125/100 і 100/80) дорівнював 4095 (за масою).KNB with grain size 80/63 in the amount of 2290 from its weight. The results obtained during the synthesis are presented in the table. At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to the grain size of 125/100, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (160/125, 125/100 and 100/80) was equal to 4095 (by mass).
Приклад 4. Виконують ті ж операції, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристалиExample 4. Perform the same operations as in example 1 with the difference that crystals are introduced into the charge
КНБ зернистістю 80/63 у кількості 2895 від її маси. Отримані при синтезі результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 125/100, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (160/125, 125/100 і 100/80) дорівнював 3495 (за масою).KNB with grain size 80/63 in the amount of 2895 from its weight. The results obtained during the synthesis are presented in the table. At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to the grain size of 125/100, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (160/125, 125/100 and 100/80) was equal to 3495 (by mass).
Приклад 5. Виконують ті ж операції, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристалиExample 5. Perform the same operations as in example 1 with the difference that crystals are introduced into the charge
КНБ зернистістю 80/63 у кількості 590 від її маси й кристали КНБ зернистістю 100/80 у кількості 595 від її маси.KNB with grain size 80/63 in the amount of 590 by its weight and crystals of KNB with grain size 100/80 in the amount of 595 by its weight.
Отримані при синтезі результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 160/125, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (200/160, 160/125 і 125/100) дорівнював 4295 (за масою).The results obtained during the synthesis are presented in the table. At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to the grain size of 160/125, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (200/160, 160/125 and 125/100) was equal to 4295 (by mass).
Приклад 6. Спосіб за прототипом. Виконують ті ж операції, на тому ж устаткуванні, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристали КНБ зернистістю 80/63 у кількості 395 від її маси. Отримані при синтезі результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 125/100, а вміст зернистостей вузького діапазону (160/125, 125/100 і 100/80) дорівнював 3695 (за масою).Example 6. Prototype method. The same operations are performed on the same equipment as in example 1 with the difference that KNB crystals with a grain size of 80/63 are introduced into the charge in the amount of 395 of its mass. The results obtained during the synthesis are presented in the table. At the same time, the maximum content in the synthesis product of crystals corresponded to the grain size of 125/100, and the content of grain sizes in a narrow range (160/125, 125/100 and 100/80) was equal to 3695 (by mass).
Приклад 7. Спосіб за прототипом. Виконують ті ж операції, що й у прикладі 1 із тією відмінністю, що в шихту вводять кристали КНБ зернистістю 80/63 у кількості 1,595 від її маси й кристали КНБ зернистістю 100/80 у кількості 1,595 від її маси. Результати подані в таблиці. При цьому максимальний вміст у продукті синтезу кристалів відповідав зернистості 160/125, а вміст кристалів вузького діапазону зернистостей (200/160, 160/125 і125/100) дорівнював 3295 (за масою).Example 7. Prototype method. The same operations as in example 1 are performed, with the difference that KNB crystals with a grain size of 80/63 in the amount of 1.595 of its mass and KNB crystals with a grain size of 100/80 in the amount of 1.595 of its mass are introduced into the charge. The results are presented in the table. At the same time, the maximum content of crystals in the synthesis product corresponded to the grain size of 160/125, and the content of crystals in a narrow range of grain sizes (200/160, 160/125 and 125/100) was equal to 3295 (by mass).
Як видно з результатів проведених випробувань, пропонований спосіб отримання кристалів КНБ дає можливість збільшити вихід кристалів при одночасному збільшенні в цільовому продукті, який отримують, вмісту кристалів вузького діапазону зернистостей (1-3 суміжні зернистості). Результати випробувань зведено у таблицю.As can be seen from the results of the tests, the proposed method of obtaining KNB crystals makes it possible to increase the yield of crystals while simultaneously increasing the content of crystals of a narrow grain size range (1-3 adjacent grain sizes) in the target product that is obtained. The test results are summarized in a table.
ТаблицяTable
Мо вводять у шихт Вихід КНБ, вузькогоMo is introduced into the charge Exit KNB, narrow
Об'єкт випробувань п/п висуяюмосу | зерчкстсть відносні діапазону вміст, 9о (по масі) зернистість одиниці зернистостей, 95 (по масі) теж 77777777 1121 77777111790 юЮюЮщ | 8063 | 128 | 46 ( --1111111117 13 11111111п220 | 8063 | 109 | 4 11111114 17711111280 | 8вобз3 | 078 | щ 3 2 2 Вш 5-15 ..Ю.ЮюЮ.р.И.5о .-.-.РЬР/ | 8063 | 124 | 4 ( 1111111711171711111115о111111 1 лобвоГ | 7777777 |! о Спосібзапрототипом. | 6 | (|. 3,0 2 - | 80063 | 00 | 36 (The object of tests of p/p vysuyayumos | grain size relative range content, 9o (by mass) granularity unit of grain size, 95 (by mass) too 77777777 1121 77777111790 юЮюЮщ | 8063 | 128 | 46 ( --1111111117 13 11111111p220 | 8063 | 109 | 4 11111114 17711111280 | 8vobz3 | 078 | sh 3 2 2 Vsh 5-15 ..Yu.Yuyu.r.I.5o .-.-.РЬР/ | 120463 | | 4 ( 1111111711171711111115o111111 1 lobvoG | 7777777 |! o Prototype method. | 6 | (|. 3.0 2 - | 80063 | 00 | 36 (
Теж 77777771 17717775 178063 | 096 | 2 щ 32 11161111, олово | 7/7 /Also 77777771 17717775 178063 | 096 | 2 sh 32 11161111, tin | 7/7 /
Claims (1)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003076808A UA65367A (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | A method for producing cubic boron nitride |
| RU2003133706/15A RU2241661C1 (en) | 2003-07-18 | 2003-11-19 | Cubic boron nitride preparation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003076808A UA65367A (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | A method for producing cubic boron nitride |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA65367A true UA65367A (en) | 2004-03-15 |
Family
ID=34392689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2003076808A UA65367A (en) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | A method for producing cubic boron nitride |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2241661C1 (en) |
| UA (1) | UA65367A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105386118A (en) * | 2014-08-26 | 2016-03-09 | 信阳市德隆超硬材料有限公司 | Method for synthesizing coarse particle size cubic boron nitride single crystal through magnesium-based catalyst |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5194071A (en) * | 1991-07-25 | 1993-03-16 | General Electric Company Inc. | Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same |
| RU2159736C1 (en) * | 1999-05-13 | 2000-11-27 | Акционерное общество открытого типа "Абразивный завод "Ильич" | Method of preparing cubically structured superhard materials |
-
2003
- 2003-07-18 UA UA2003076808A patent/UA65367A/en unknown
- 2003-11-19 RU RU2003133706/15A patent/RU2241661C1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2241661C1 (en) | 2004-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69215021T2 (en) | DIAMOND SYNTHESIS PROCEDURE | |
| RU2355729C1 (en) | Coke addition | |
| Suarez et al. | Investigating the role of fly ash and silica fume in the cement hydration process | |
| UA65367A (en) | A method for producing cubic boron nitride | |
| CN104297333A (en) | Direct current glow discharge mass-spectrography method for determination of impurity elements in high purity alpha-Al2O3 | |
| DE69021821T2 (en) | Process and plant for producing hard material. | |
| SU967786A1 (en) | Metallic binder for diamond tool | |
| RU2116245C1 (en) | Method for producing borozon | |
| US4394348A (en) | Process for the preparation of aluminium alloys | |
| RU2706999C1 (en) | Method of producing composite material based on nickel and hexagonal boron nitride | |
| US1343976A (en) | Hardened material for use in the arts as substitutes for diamonds | |
| RU2159736C1 (en) | Method of preparing cubically structured superhard materials | |
| WO1999010274A1 (en) | Method for producing artificial diamonds | |
| SU1695619A1 (en) | Method for production of potassium dodecahydro-closo-dodecaborate | |
| Glore et al. | cyclo-1, 5-Bis-. mu.-dimethylamino-3, 7-di-. mu.-hydrido-2, 4, 6, 8-tetrakis (dimethylaluminum) | |
| DE574532C (en) | Process for the production of calcium cyanamide | |
| SU553274A1 (en) | The method of preparation for the coal charge coking | |
| US1921299A (en) | Cyanide and method of controlling the porosity thereof | |
| Zhang et al. | Effect of ye’elimite crystal structure on gypsum dosage in calcium sulfoaluminate cements | |
| US1686197A (en) | Impervious chemical material and method of its production | |
| RU2055945C1 (en) | Anode mass production method | |
| SU603299A1 (en) | Method of obtaining superhard material | |
| RU2092921C1 (en) | Process of manufacture of permanent magnets | |
| CN121372186A (en) | Diamond and jadeite symbiont and synthesis method thereof | |
| SU878550A1 (en) | Method of manufacturing diamond-abrasive tool |