UA93505U - СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ - Google Patents

СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ

Info

Publication number
UA93505U
UA93505U UAU201402407U UAU201402407U UA93505U UA 93505 U UA93505 U UA 93505U UA U201402407 U UAU201402407 U UA U201402407U UA U201402407 U UAU201402407 U UA U201402407U UA 93505 U UA93505 U UA 93505U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
melt
crystallization
al2o3
growing sapphire
directed vertical
Prior art date
Application number
UAU201402407U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Ярослав Михайлович Пекар
Валерій Олександрович Гаврилов
Володимир Ярославович Пекар
Original Assignee
Ярослав Михайлович Пекар
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ярослав Михайлович Пекар filed Critical Ярослав Михайлович Пекар
Priority to UAU201402407U priority Critical patent/UA93505U/uk
Publication of UA93505U publication Critical patent/UA93505U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб вирощування монокристалів сапфіра (а-АlО) напрямленою вертикальною кристалізацією розплаву включає введення в контакт із розплавом вихідної сировини затравкового кристала з подальшою кристалізацією всієї маси розплаву. Першопочатково кристалізацію здійснюють з обертанням затравкового кристала із заданою швидкістю відносно його вертикальної осі, причому таким чином кристалізують одну третю маси розплаву, а дві треті маси розплаву кристалізують без обертання затравкового кристала.
UAU201402407U 2014-03-11 2014-03-11 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ UA93505U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201402407U UA93505U (uk) 2014-03-11 2014-03-11 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201402407U UA93505U (uk) 2014-03-11 2014-03-11 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA93505U true UA93505U (uk) 2014-10-10

Family

ID=56277430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201402407U UA93505U (uk) 2014-03-11 2014-03-11 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA93505U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uecker The historical development of the Czochralski method
PL3242965T3 (pl) SPOSÓB WZROSTU MONOKRYSZTAŁÓW FAZY BETA TLENKU GALU (β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) Z ROZTOPU ZAWARTEGO W METALOWYM TYGLU POPRZEZ KONTROLĘ CIŚNIENIA CZĄSTKOWEGO O<sub>2</sub>
MY178407A (en) Process for the production of solid cooling agents
PH12019500943A1 (en) Method for producing allulose crystals
EP3228733A4 (en) Method for producing silicon carbide single crystal, and silicon carbide single crystal substrate
EP3192898A4 (en) Method for producing silicon carbide crystals and crystal production device
PL3333288T3 (pl) TYGIEL Z SiC, METODA WYTWARZANIA TEGO TYGLA ORAZ METODA OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁU SiC
EP3260582A4 (en) Method for producing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal ingot
EP3276050A4 (en) Method for producing silicon carbide single crystal
MX2025006001A (es) Proceso para preparar particulas de isoxazolina de gran tama?o
EP2889397A4 (en) CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE, METHOD FOR THE PRODUCTION OF SIC-EINCROISTALLEN AND SIC-EINKRISTALL
EP3260581A4 (en) Method for producing silicon carbide single crystal epitaxial wafer and silicon carbide single crystal epitaxial wafer
MA39480A (fr) Nouveau procédé pour la préparation de prostaglandines de haute pureté
EP3767016A4 (en) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A SINGLE CRYSTAL OF SILICON CARBIDE
EP3710581A4 (en) HIGHLY PRODUCTIVE PROCESS FOR GROWING ALGAE
PH12018500872A1 (en) Innovative preparation and crystallization of iosimenol
EP3241662A4 (en) Device and method for improving cooling production efficiency of crystallizer bottle mouth
EP3176289A4 (en) Quartz glass crucible for single crystal silicon pulling and method for producing same
EP3112503A4 (en) Crucible for crystal growth, crystal growth apparatus provided therewith, and method for growing crystals
FR3022563B1 (fr) Procede de formation d'un monocristal de materiau a partir d'un substrat monocristallin
IL293193B1 (en) Method for growing single crystal diamond with the aid of polycrystalline diamond growth
EP2955252A4 (en) PROCESS FOR THE PREPARATION OF SOLAR QUALITY SILICON MONOCRYSTAL BY MEANS OF A ZONE FUSION CZOCHRALSKI PROCESS
RU2013117617A (ru) Способ выращивания монокристаллов калий-бариевого молибдата
EP3767014A4 (en) METHOD FOR MANUFACTURING A SILICONE CARBIDE ENVIRONMENTAL CRYSTAL
TWI561690B (en) Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone